JPH098005A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
- Publication number
- JPH098005A JPH098005A JP15594795A JP15594795A JPH098005A JP H098005 A JPH098005 A JP H098005A JP 15594795 A JP15594795 A JP 15594795A JP 15594795 A JP15594795 A JP 15594795A JP H098005 A JPH098005 A JP H098005A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- wall
- wafer
- semiconductor processing
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ上への異物の付着の防止したり、ウエ
ハ上のパターンを傷つけることなく異物を除去できる半
導体処理装置を得る。 【構成】 ウエハ１に対してエッチング等を行う反応室
の内壁４ａの材質をシリコン（Ｓｉ）より構成する。 【効果】 内壁がエッチングされても、ＳＵＳ等の不純
物を含む異物が生じず、ウエハに形成される半導体装置
における歩留りが向上する。
ハ上のパターンを傷つけることなく異物を除去できる半
導体処理装置を得る。 【構成】 ウエハ１に対してエッチング等を行う反応室
の内壁４ａの材質をシリコン（Ｓｉ）より構成する。 【効果】 内壁がエッチングされても、ＳＵＳ等の不純
物を含む異物が生じず、ウエハに形成される半導体装置
における歩留りが向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体処理装置に関し、
特に放電による反応生成物に起因する異物がウエハ上へ
付着することを低減する半導体処理装置に関する。
特に放電による反応生成物に起因する異物がウエハ上へ
付着することを低減する半導体処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体処理装置において、放
電による反応生成物に起因する異物（パーティクル）が
ウエハ上に付着することが問題となっている。その問題
を図８に示す半導体処理装置（プラズマ反応処理装置）
の一具体例を用いて詳細に説明する。図８中の１はウエ
ハ、２は下部電極、３は排気口、４は内壁、５は高周波
電源、６はガス導入口である。
電による反応生成物に起因する異物（パーティクル）が
ウエハ上に付着することが問題となっている。その問題
を図８に示す半導体処理装置（プラズマ反応処理装置）
の一具体例を用いて詳細に説明する。図８中の１はウエ
ハ、２は下部電極、３は排気口、４は内壁、５は高周波
電源、６はガス導入口である。
【０００３】図８に示すプラズマ反応装置が動作してウ
エハ１をエッチング処理している際、放電が繰り返され
るうちに内壁４に、上述の異物が堆積して、デポジショ
ン膜が形成される。このデポジション膜は必ずしも強固
ではないため、剥がれてウエハ１上に付着する。また、
内壁４自体も処理中にエッチングされ、内壁４の材質
（ＳＵＳ等）に起因する異物も生成され、ウエハ１上に
付着する。
エハ１をエッチング処理している際、放電が繰り返され
るうちに内壁４に、上述の異物が堆積して、デポジショ
ン膜が形成される。このデポジション膜は必ずしも強固
ではないため、剥がれてウエハ１上に付着する。また、
内壁４自体も処理中にエッチングされ、内壁４の材質
（ＳＵＳ等）に起因する異物も生成され、ウエハ１上に
付着する。
【０００４】以上のデポジション膜を除去する方法とし
て、ガス導入口６よりＮ2 を導入し排気口３より排気す
ることを繰り返すサイクルパージ法（回分パージ法）、
あるいは反応室のウェットクリーニング法等の方法がと
られている。
て、ガス導入口６よりＮ2 を導入し排気口３より排気す
ることを繰り返すサイクルパージ法（回分パージ法）、
あるいは反応室のウェットクリーニング法等の方法がと
られている。
【０００５】次に、図９は従来のウエハ１上の異物を除
去する方法を示す図である。図９中の７はブラシ、８は
洗浄液噴射口、９は洗浄液、１１はウエハステージ、１
３は異物である。図９に示すように、ウエハ１上の異物
１３を洗浄液噴射口８から洗浄液９をウエハ１上に散布
して除去したり、ブラシ７でこすり取る等のようにウエ
ハ１上に接触する状態で除去していた。
去する方法を示す図である。図９中の７はブラシ、８は
洗浄液噴射口、９は洗浄液、１１はウエハステージ、１
３は異物である。図９に示すように、ウエハ１上の異物
１３を洗浄液噴射口８から洗浄液９をウエハ１上に散布
して除去したり、ブラシ７でこすり取る等のようにウエ
ハ１上に接触する状態で除去していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
サイクルパージ法やウェットクリーニング法等の方法
は、タイムロスが大きく、または効果が上がらないとい
う問題点があった。また、ウエハ１上に接触する状態で
除去すると、ウエハ１上のパターンを傷つける問題点が
ある。
サイクルパージ法やウェットクリーニング法等の方法
は、タイムロスが大きく、または効果が上がらないとい
う問題点があった。また、ウエハ１上に接触する状態で
除去すると、ウエハ１上のパターンを傷つける問題点が
ある。
【０００７】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、ウエハ上への異物の付着の防
止したり、ウエハ上のパターンを傷つけることなく異物
を除去できる半導体処理装置を得ることを目的とする。
めになされたものであり、ウエハ上への異物の付着の防
止したり、ウエハ上のパターンを傷つけることなく異物
を除去できる半導体処理装置を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
課題解決手段は、材質がシリコンからなる反応室の内壁
を備える。
課題解決手段は、材質がシリコンからなる反応室の内壁
を備える。
【０００９】本発明の請求項２に係る課題解決手段は、
電子を放電する陰極体と、前記陰極体に対して陽極とな
る反応室の内壁とを備え、前記電子が帯電した前記反応
室内の異物を前記内壁に付着させることを特徴とする。
電子を放電する陰極体と、前記陰極体に対して陽極とな
る反応室の内壁とを備え、前記電子が帯電した前記反応
室内の異物を前記内壁に付着させることを特徴とする。
【００１０】本発明の請求項３に係る課題解決手段は、
反応室の内壁に超音波振動を与える超音波発生手段と、
前記超音波振動を与えながら、前記反応室の内壁を加熱
する加熱手段とを備える。
反応室の内壁に超音波振動を与える超音波発生手段と、
前記超音波振動を与えながら、前記反応室の内壁を加熱
する加熱手段とを備える。
【００１１】本発明の請求項４に係る課題解決手段は、
プラズマ生成室と反応室とを分離したり、接続したりす
る遮蔽板と、前記プラズマ生成室内に不活性ガスを導入
する不活性ガス導入手段と、前記プラズマ生成室内のガ
スを排気するプラズマ生成室排気口とを備える。
プラズマ生成室と反応室とを分離したり、接続したりす
る遮蔽板と、前記プラズマ生成室内に不活性ガスを導入
する不活性ガス導入手段と、前記プラズマ生成室内のガ
スを排気するプラズマ生成室排気口とを備える。
【００１２】本発明の請求項５に係る課題解決手段は、
反応室内を加圧して前記反応室の内壁に緩やかに付着し
ている異物を固着させる加圧手段を備える。
反応室内を加圧して前記反応室の内壁に緩やかに付着し
ている異物を固着させる加圧手段を備える。
【００１３】本発明の請求項６に係る課題解決手段は、
ウエハを回転軸に対して外側に向けて設置し、前記回転
軸を中心として回転するウエハステージを備え、前記回
転により生じる遠心力により前記ウエハ上に付着してい
る異物を除去することを特徴とする。
ウエハを回転軸に対して外側に向けて設置し、前記回転
軸を中心として回転するウエハステージを備え、前記回
転により生じる遠心力により前記ウエハ上に付着してい
る異物を除去することを特徴とする。
【００１４】
【作用】本発明請求項１記載に係る半導体処理装置で
は、内壁がエッチングされても、ＳＵＳ等の不純物を含
む異物が発生しない。
は、内壁がエッチングされても、ＳＵＳ等の不純物を含
む異物が発生しない。
【００１５】本発明請求項２記載に係る半導体処理装置
では、反応室内で陰極体が電子を放電することで、浮遊
している異物に電子が帯電する。帯電した異物は陽極で
ある反応室の内壁に移動し、内壁に吸着する。
では、反応室内で陰極体が電子を放電することで、浮遊
している異物に電子が帯電する。帯電した異物は陽極で
ある反応室の内壁に移動し、内壁に吸着する。
【００１６】本発明請求項３記載に係る半導体処理装置
では、内壁を加熱しながら内壁に超音波振動をかける。
すると、内壁に付着しているデポジション膜が離脱す
る。
では、内壁を加熱しながら内壁に超音波振動をかける。
すると、内壁に付着しているデポジション膜が離脱す
る。
【００１７】本発明請求項４記載に係る半導体処理装置
では、遮蔽板によりプラズマ生成室と反応室とを分離し
ておくと、プラズマ生成室内の異物が反応室内に進入し
ない。反応室とプラズマ生成室とを分離した状態で、プ
ラズマ生成室に不活性ガスを導入し、プラズマ生成室排
気口より排気する。この時、異物も排気される。
では、遮蔽板によりプラズマ生成室と反応室とを分離し
ておくと、プラズマ生成室内の異物が反応室内に進入し
ない。反応室とプラズマ生成室とを分離した状態で、プ
ラズマ生成室に不活性ガスを導入し、プラズマ生成室排
気口より排気する。この時、異物も排気される。
【００１８】本発明請求項５記載に係る半導体処理装置
では、反応室内の圧力を加圧すると、反応室の内壁に緩
やかに付着していた異物が圧力を受け、内壁に強固に固
着する。
では、反応室内の圧力を加圧すると、反応室の内壁に緩
やかに付着していた異物が圧力を受け、内壁に強固に固
着する。
【００１９】本発明請求項６記載に係る半導体処理装置
では、ウエハステージを回転させると、ウエハ上に付着
していた異物は遠心力により離脱する。
では、ウエハステージを回転させると、ウエハ上に付着
していた異物は遠心力により離脱する。
【００２０】
｛第１の実施例｝第１の実施例について説明する。図１
は本発明の第１の実施例における半導体処理装置（例え
ばプラズマ反応処理装置）を示す概略断面図である。図
１中の４ａは材質がシリコン（Ｓｉ）である反応室の内
壁、その他の各符号は図８中の各符号に対応している。
は本発明の第１の実施例における半導体処理装置（例え
ばプラズマ反応処理装置）を示す概略断面図である。図
１中の４ａは材質がシリコン（Ｓｉ）である反応室の内
壁、その他の各符号は図８中の各符号に対応している。
【００２１】図１に示すように、反応室の内壁４ａの材
質をシリコンにすることで、従来の技術で説明したよう
に、図８に示す内壁４の材質（ＳＵＳ等）に起因するＳ
ＵＳ成分を含有する異物の生成を防止することが可能と
なる。
質をシリコンにすることで、従来の技術で説明したよう
に、図８に示す内壁４の材質（ＳＵＳ等）に起因するＳ
ＵＳ成分を含有する異物の生成を防止することが可能と
なる。
【００２２】内壁４ａの材質をシリコンコーティングす
る方法として、ポリシリコン膜を成膜させるとよい。そ
の成膜の際の反応式は、 ＳｉＨ4 →Ｓｉ＋２Ｈ2 （熱分解） ＳｉＣｌ4 ＋２Ｈ2 →Ｓｉ＋４ＨＣｌ（還元） である。
る方法として、ポリシリコン膜を成膜させるとよい。そ
の成膜の際の反応式は、 ＳｉＨ4 →Ｓｉ＋２Ｈ2 （熱分解） ＳｉＣｌ4 ＋２Ｈ2 →Ｓｉ＋４ＨＣｌ（還元） である。
【００２３】本実施例の効果は、反応室の内壁４ａの材
質をシリコンにすることで、異物の生成を防止して、ウ
エハ１に形成される半導体装置における歩留りが向上す
ることである。
質をシリコンにすることで、異物の生成を防止して、ウ
エハ１に形成される半導体装置における歩留りが向上す
ることである。
【００２４】尚、反応室の内壁４ａ以外にも、プラズマ
にさらされる部分の材質をシリコンで構成すればよく、
例えば排気口３の部分の材質もシリコンで構成すれば更
に上述の効果が上がる。
にさらされる部分の材質をシリコンで構成すればよく、
例えば排気口３の部分の材質もシリコンで構成すれば更
に上述の効果が上がる。
【００２５】｛第２の実施例｝次に、第２の実施例につ
いて説明する。図２は本発明の第２の実施例における半
導体処理装置（例えばプラズマ反応処理装置）を示す概
略断面図である。図２中の１２は放電陰極線、１３は浮
遊している異物、１４は電子、１５は高圧の負電圧、そ
の他の各符号は図８中の各符号に対応している。
いて説明する。図２は本発明の第２の実施例における半
導体処理装置（例えばプラズマ反応処理装置）を示す概
略断面図である。図２中の１２は放電陰極線、１３は浮
遊している異物、１４は電子、１５は高圧の負電圧、そ
の他の各符号は図８中の各符号に対応している。
【００２６】図２に示すように、反応室内に放電陰極線
１２を備え、これに高電圧１５を接続して電子１４を放
電することで、浮遊している異物１３を負に帯電させ
る。帯電した異物１３は陽極側（接地された反応室の内
壁４）に移動し、内壁４に吸着する。これにより、反応
室内で異物１３が浮遊することを抑制し、ウエハ１上へ
の付着を防止する。
１２を備え、これに高電圧１５を接続して電子１４を放
電することで、浮遊している異物１３を負に帯電させ
る。帯電した異物１３は陽極側（接地された反応室の内
壁４）に移動し、内壁４に吸着する。これにより、反応
室内で異物１３が浮遊することを抑制し、ウエハ１上へ
の付着を防止する。
【００２７】本実施例の効果は、反応室内で異物１３が
浮遊することを抑制することで、異物１３がウエハ１上
に付着することを防止して、ウエハ１に形成される半導
体装置における歩留りが向上することである。
浮遊することを抑制することで、異物１３がウエハ１上
に付着することを防止して、ウエハ１に形成される半導
体装置における歩留りが向上することである。
【００２８】また、反応室の内壁４に吸着した異物１３
の堆積物はドライあるいはウェットクリーニングで効率
よく除去することが望ましい。
の堆積物はドライあるいはウェットクリーニングで効率
よく除去することが望ましい。
【００２９】｛第３の実施例｝次に、第３の実施例につ
いて説明する。図３は本発明の第３の実施例における半
導体処理装置（例えばプラズマエッチング装置）を示す
概略断面図である。図３中の１７は水路、１８は超音波
発振器、１９はヒータ、２０は水導入口、２１は水排出
口、その他の各符号は図８中の各符号に対応している。
いて説明する。図３は本発明の第３の実施例における半
導体処理装置（例えばプラズマエッチング装置）を示す
概略断面図である。図３中の１７は水路、１８は超音波
発振器、１９はヒータ、２０は水導入口、２１は水排出
口、その他の各符号は図８中の各符号に対応している。
【００３０】図３に示す半導体処理装置は、超音波発振
器１８を水路１７に超音波振動を与えられるように備
え、ヒータ１９を内壁４を加熱できるように備え、水路
１７を反応室の内壁外に接触するように備えている。水
路１７内には水が満たされている。
器１８を水路１７に超音波振動を与えられるように備
え、ヒータ１９を内壁４を加熱できるように備え、水路
１７を反応室の内壁外に接触するように備えている。水
路１７内には水が満たされている。
【００３１】次に動作を説明する。エッチング終了後、
反応室の内壁４に付着したデポジション膜を効果的に除
去するために、反応室の内壁４に超音波発振器１８によ
り水路１７を介して超音波振動をかける。これにより、
デポジション膜の離脱を行う。さらに内壁４からデポジ
ションの離脱を促進するために内壁を５０〜１００℃に
加熱しながら行う。このとき、離脱したデポジションを
排気口３より排出するため、真空引きを行う。
反応室の内壁４に付着したデポジション膜を効果的に除
去するために、反応室の内壁４に超音波発振器１８によ
り水路１７を介して超音波振動をかける。これにより、
デポジション膜の離脱を行う。さらに内壁４からデポジ
ションの離脱を促進するために内壁を５０〜１００℃に
加熱しながら行う。このとき、離脱したデポジションを
排気口３より排出するため、真空引きを行う。
【００３２】本実施例の効果は、反応室の内壁４に付着
したデポジション膜を容易に除去できることである。
したデポジション膜を容易に除去できることである。
【００３３】｛第４の実施例｝次に、第４の実施例につ
いて説明する。図１０は従来の半導体処理装置の一具体
例を示す。図１０中の１はウエハ、２は下部電極、１３
は異物、２２はコイル、２３はマイクロ波導入管、２９
はプラズマ生成室及び反応室内のガスを排気する反応室
排気口である。また、プラズマ生成室及び反応室内にエ
ッチングプロセスガスを導入するガス導入口（図示しな
い）が設けられている。
いて説明する。図１０は従来の半導体処理装置の一具体
例を示す。図１０中の１はウエハ、２は下部電極、１３
は異物、２２はコイル、２３はマイクロ波導入管、２９
はプラズマ生成室及び反応室内のガスを排気する反応室
排気口である。また、プラズマ生成室及び反応室内にエ
ッチングプロセスガスを導入するガス導入口（図示しな
い）が設けられている。
【００３４】図１０に示す半導体処理装置では、コイル
２２とマイクロ波導入管２３を有するプラズマ生成室内
においてプラズマ発生中にプラズマ化したエッチングプ
ロセスガスどうし、またはエッチングプロセスガスと内
壁との反応によって、プラズマ生成室中に帯電した異物
１３が生成される。プラズマが発生している間は、プラ
ズマ生成室とウエハ１を有する下部電極２との間に電界
が生ずるため、電荷を有する異物１３は、プラズマ生成
室の下にある反応室内へ進入することはないが、ウエハ
１の処理が終了すると、プラズマの生成を終了するた
め、電界が消えて、プラズマ生成室内の異物１３が反応
室内へ進入し、ウエハ１上に付着していた。
２２とマイクロ波導入管２３を有するプラズマ生成室内
においてプラズマ発生中にプラズマ化したエッチングプ
ロセスガスどうし、またはエッチングプロセスガスと内
壁との反応によって、プラズマ生成室中に帯電した異物
１３が生成される。プラズマが発生している間は、プラ
ズマ生成室とウエハ１を有する下部電極２との間に電界
が生ずるため、電荷を有する異物１３は、プラズマ生成
室の下にある反応室内へ進入することはないが、ウエハ
１の処理が終了すると、プラズマの生成を終了するた
め、電界が消えて、プラズマ生成室内の異物１３が反応
室内へ進入し、ウエハ１上に付着していた。
【００３５】図４は本発明の第４の実施例における半導
体処理装置（例えばプラズマ反応処理装置）を示す概略
断面図である。図４中の２５は遮蔽板、２６はＮ2 等の
不活性ガスをプラズマ生成室内に導入するための不活性
ガス導入口、２７はプラズマ生成室内のガスを排気する
プラズマ生成室排気口、２８は遮蔽板格納部、その他の
各符号は図１０中の各符号に対応している。また、プラ
ズマ生成室及び反応室内にエッチングプロセスガスを導
入するガス導入口（図示しない）が設けられている。
体処理装置（例えばプラズマ反応処理装置）を示す概略
断面図である。図４中の２５は遮蔽板、２６はＮ2 等の
不活性ガスをプラズマ生成室内に導入するための不活性
ガス導入口、２７はプラズマ生成室内のガスを排気する
プラズマ生成室排気口、２８は遮蔽板格納部、その他の
各符号は図１０中の各符号に対応している。また、プラ
ズマ生成室及び反応室内にエッチングプロセスガスを導
入するガス導入口（図示しない）が設けられている。
【００３６】図４に示すようにプラズマ生成室と反応室
との間にそれらを分離したり接続したりする遮蔽板２５
を設ける。この遮蔽板２５はプラズマ生成室と反応室と
を完全に分離することが可能であり、反応室排気口２９
から反応室内のガスを排出して反応室内を真空状態にで
き、その状態でプラズマ生成室内を大気パージすること
が可能である。また、プラズマ生成室と反応室を接続す
る場合に、遮蔽板２５を格納するために遮蔽板格納部２
８を設ける。
との間にそれらを分離したり接続したりする遮蔽板２５
を設ける。この遮蔽板２５はプラズマ生成室と反応室と
を完全に分離することが可能であり、反応室排気口２９
から反応室内のガスを排出して反応室内を真空状態にで
き、その状態でプラズマ生成室内を大気パージすること
が可能である。また、プラズマ生成室と反応室を接続す
る場合に、遮蔽板２５を格納するために遮蔽板格納部２
８を設ける。
【００３７】次に動作を説明する。ウエハ１の処理中は
遮蔽板２５を遮蔽板格納部２８内に格納しておく。ウエ
ハ１の処理が終了した後、遮蔽板２５によりプラズマ生
成室と反応室とを分離する。その後、プラズマの生成を
終了する。
遮蔽板２５を遮蔽板格納部２８内に格納しておく。ウエ
ハ１の処理が終了した後、遮蔽板２５によりプラズマ生
成室と反応室とを分離する。その後、プラズマの生成を
終了する。
【００３８】上記遮蔽板２５の材質は、例えばテフロン
等のようにプラズマにさらされても反応性に乏しく、劣
化しにくい物質であることが望ましい。
等のようにプラズマにさらされても反応性に乏しく、劣
化しにくい物質であることが望ましい。
【００３９】また、この遮蔽板２５を異物１３と同極に
帯電させておけば、異物１３の遮蔽板２５への付着が防
止できる。
帯電させておけば、異物１３の遮蔽板２５への付着が防
止できる。
【００４０】また、プラズマ生成室内の異物１３をさら
に効果的に取り除くために、図４に示すように、プラズ
マ生成室に不活性ガス導入口２６と、プラズマ生成室排
気口２７とを設ける。不活性ガス導入口２６からは不活
性ガス導入手段（図示せず）によりＮ2 等の不活性ガス
が導入される。
に効果的に取り除くために、図４に示すように、プラズ
マ生成室に不活性ガス導入口２６と、プラズマ生成室排
気口２７とを設ける。不活性ガス導入口２６からは不活
性ガス導入手段（図示せず）によりＮ2 等の不活性ガス
が導入される。
【００４１】遮蔽板２５によって、反応室とプラズマ生
成室とを分離し、反応室排気口２９からガスを排出して
反応室を真空状態にし、その状態を保ったまま不活性ガ
ス導入口からＮ2 等の不活性ガスを導入し、プラズマ生
成室排気口２７より排気する。この時、同時に異物１３
も排気される。この作用を効率的に行うためには、この
導入・排気を繰り返すサイクルパージ法を用いるのが望
ましい。
成室とを分離し、反応室排気口２９からガスを排出して
反応室を真空状態にし、その状態を保ったまま不活性ガ
ス導入口からＮ2 等の不活性ガスを導入し、プラズマ生
成室排気口２７より排気する。この時、同時に異物１３
も排気される。この作用を効率的に行うためには、この
導入・排気を繰り返すサイクルパージ法を用いるのが望
ましい。
【００４２】本実施例の効果は、プラズマの生成の終了
前に、遮蔽板２５によって反応室とプラズマ生成室とを
分離することにより、ウエハ１上または反応室の内壁へ
の異物１３の付着を防止し、ウエハ１に形成される半導
体装置における歩留りが向上することである。
前に、遮蔽板２５によって反応室とプラズマ生成室とを
分離することにより、ウエハ１上または反応室の内壁へ
の異物１３の付着を防止し、ウエハ１に形成される半導
体装置における歩留りが向上することである。
【００４３】｛第５の実施例｝次に、第５の実施例につ
いて説明する。図５は本発明の第５の実施例における半
導体処理装置（例えばＥＣＲエッチング装置）を示す概
略断面図である。図５中の３０は反応室（本実施例にお
いて反応室はプラズマ生成室も含む）の圧力を加圧する
高圧ポンプ、その他の各符号は図１０中の各符号に対応
している。また、プラズマ生成室及び反応室内のガスを
排気する反応室排気口（図示しない）、プラズマ生成室
及び反応室内にエッチングプロセスガスを導入するガス
導入口（図示しない）が設けられている。
いて説明する。図５は本発明の第５の実施例における半
導体処理装置（例えばＥＣＲエッチング装置）を示す概
略断面図である。図５中の３０は反応室（本実施例にお
いて反応室はプラズマ生成室も含む）の圧力を加圧する
高圧ポンプ、その他の各符号は図１０中の各符号に対応
している。また、プラズマ生成室及び反応室内のガスを
排気する反応室排気口（図示しない）、プラズマ生成室
及び反応室内にエッチングプロセスガスを導入するガス
導入口（図示しない）が設けられている。
【００４４】次に動作を説明する。ウエハに対するエッ
チング処理が終了し、ウエハを搬出した後、エッチング
処理中に用いられた反応室内のガスと同じ種類のガスを
高圧ポンプ３０によって反応室内に導入し、反応室内の
圧力が数百気圧になるまで導入し続ける。その結果、エ
ッチング処理直後は反応室の内壁に緩やかに付着してい
た異物がガスによる圧力を受け、内壁に強固に付着す
る。
チング処理が終了し、ウエハを搬出した後、エッチング
処理中に用いられた反応室内のガスと同じ種類のガスを
高圧ポンプ３０によって反応室内に導入し、反応室内の
圧力が数百気圧になるまで導入し続ける。その結果、エ
ッチング処理直後は反応室の内壁に緩やかに付着してい
た異物がガスによる圧力を受け、内壁に強固に付着す
る。
【００４５】本実施例の効果は、高圧ポンプによって、
異物を反応室の内壁に強固に付着させることで、反応室
内に異物が舞うことを防止し、その後、ウエハに対する
エッチング処理を行う際に、ウエハ上への異物の付着を
防止し、ウエハに形成される半導体装置における歩留り
が向上することである。
異物を反応室の内壁に強固に付着させることで、反応室
内に異物が舞うことを防止し、その後、ウエハに対する
エッチング処理を行う際に、ウエハ上への異物の付着を
防止し、ウエハに形成される半導体装置における歩留り
が向上することである。
【００４６】｛第６の実施例｝次に、第６の実施例につ
いて説明する。図６は本発明の第６の実施例における半
導体処理装置（例えばプラズマ反応処理装置）を示す概
略断面図である。図６中の１ａ、１ｂはウエハ、１３は
異物、３１は下部電極、３２ａ、３２ｂはステージ、そ
の他の各符号は図８中の各符号に対応している。また、
図７は図６に示す半導体処理装置の動作を示した図であ
る。図７中の各符号は、図６中の各符号に対応してい
る。
いて説明する。図６は本発明の第６の実施例における半
導体処理装置（例えばプラズマ反応処理装置）を示す概
略断面図である。図６中の１ａ、１ｂはウエハ、１３は
異物、３１は下部電極、３２ａ、３２ｂはステージ、そ
の他の各符号は図８中の各符号に対応している。また、
図７は図６に示す半導体処理装置の動作を示した図であ
る。図７中の各符号は、図６中の各符号に対応してい
る。
【００４７】図７に示すように、下部電極３１は回転式
になっている。また、下部電極３１はステージ３２ａ、
３２ｂを備えており、図７に示すように、ステージ３２
ａ、３２ｂは回転軸に対して外側かつ反応室の下方に向
いた状態にすることができ、回転中も常にその状態が保
持できるように固定できる。ステージ３２ａ、３２ｂ上
にはそれぞれウエハ１ａ、１ｂがクランプまたは静電チ
ャックにより吸着固定されている。また、下部電極３
１、ステージ３２ａ、３２ｂよりウエハステージを構成
する。
になっている。また、下部電極３１はステージ３２ａ、
３２ｂを備えており、図７に示すように、ステージ３２
ａ、３２ｂは回転軸に対して外側かつ反応室の下方に向
いた状態にすることができ、回転中も常にその状態が保
持できるように固定できる。ステージ３２ａ、３２ｂ上
にはそれぞれウエハ１ａ、１ｂがクランプまたは静電チ
ャックにより吸着固定されている。また、下部電極３
１、ステージ３２ａ、３２ｂよりウエハステージを構成
する。
【００４８】次に動作を説明する。まず、ウエハ１ａ、
１ｂに対してエッチングや成膜等の処理を行う前に、図
６に示すようにウエハ１ａ、１ｂに異物１３が付着して
いる場合がある。このため、図７に示すように、ステー
ジ３２ａ、３２ｂを傾け、下部電極３１を回転させる。
すると、異物１３は遠心力により、ウエハ１ａ、１ｂか
ら反応室の下方向に離脱する。離脱した異物１３は排気
口３から排出されるため、異物１３は反応室の上方向に
離脱することもなく、反応室内に舞い上がることもな
い。
１ｂに対してエッチングや成膜等の処理を行う前に、図
６に示すようにウエハ１ａ、１ｂに異物１３が付着して
いる場合がある。このため、図７に示すように、ステー
ジ３２ａ、３２ｂを傾け、下部電極３１を回転させる。
すると、異物１３は遠心力により、ウエハ１ａ、１ｂか
ら反応室の下方向に離脱する。離脱した異物１３は排気
口３から排出されるため、異物１３は反応室の上方向に
離脱することもなく、反応室内に舞い上がることもな
い。
【００４９】また、エッチングや成膜等の処理を行った
後も、上記の動作を行ってもよい。
後も、上記の動作を行ってもよい。
【００５０】本実施例の効果は、図９に示すブラシ７で
除去する場合と異なり、遠心力によって、非接触状態で
ウエハ上の異物１３を除去するため、ウエハ１上のパタ
ーンを傷つけずに異物１３を効果的に除去できることで
ある。
除去する場合と異なり、遠心力によって、非接触状態で
ウエハ上の異物１３を除去するため、ウエハ１上のパタ
ーンを傷つけずに異物１３を効果的に除去できることで
ある。
【００５１】
【発明の効果】本発明請求項１によると、反応室の内壁
の材質をシリコンより構成することで、不純物を含む異
物の発生を防止して、ウエハに形成される半導体装置に
おける歩留りが向上するという効果を奏す。
の材質をシリコンより構成することで、不純物を含む異
物の発生を防止して、ウエハに形成される半導体装置に
おける歩留りが向上するという効果を奏す。
【００５２】本発明請求項２によると、反応室内で異物
が浮遊することを抑制することで、異物の発生を防止し
て、ウエハに形成される半導体装置における歩留りが向
上するという効果を奏す。
が浮遊することを抑制することで、異物の発生を防止し
て、ウエハに形成される半導体装置における歩留りが向
上するという効果を奏す。
【００５３】本発明請求項３によると、反応室の内壁で
付着したデポジション膜を容易に除去できるという効果
を奏す。
付着したデポジション膜を容易に除去できるという効果
を奏す。
【００５４】本発明請求項４によると、遮蔽板によって
反応室とプラズマ生成室とを分離することにより、ウエ
ハ上または反応室の内壁への異物の付着を防止し、プラ
ズマ生成室内の異物を容易に排気でき、ウエハに形成さ
れる半導体装置における歩留りが向上するという効果を
奏す。
反応室とプラズマ生成室とを分離することにより、ウエ
ハ上または反応室の内壁への異物の付着を防止し、プラ
ズマ生成室内の異物を容易に排気でき、ウエハに形成さ
れる半導体装置における歩留りが向上するという効果を
奏す。
【００５５】本発明請求項５によると、加圧手段によ
り、異物を反応室の内壁に強固に付着させることで、反
応室内に異物が舞うことを防止し、その後、ウエハに対
するエッチング処理を行う際に、ウエハ上への異物の付
着を防止し、ウエハに形成される半導体装置における歩
留りが向上するという効果を奏す。
り、異物を反応室の内壁に強固に付着させることで、反
応室内に異物が舞うことを防止し、その後、ウエハに対
するエッチング処理を行う際に、ウエハ上への異物の付
着を防止し、ウエハに形成される半導体装置における歩
留りが向上するという効果を奏す。
【００５６】本発明請求項６によると、遠心力によっ
て、非接触状態でウエハ上の異物を除去するため、ウエ
ハ上のパターンを傷つけずに異物を効果的に除去できる
という効果を奏す。
て、非接触状態でウエハ上の異物を除去するため、ウエ
ハ上のパターンを傷つけずに異物を効果的に除去できる
という効果を奏す。
【図１】 本発明の第１の実施例における半導体処理装
置を示す概略断面図である。
置を示す概略断面図である。
【図２】 本発明の第２の実施例における半導体処理装
置を示す概略断面図である。
置を示す概略断面図である。
【図３】 本発明の第３の実施例における半導体処理装
置を示す概略断面図である。
置を示す概略断面図である。
【図４】 本発明の第４の実施例における半導体処理装
置を示す概略断面図である。
置を示す概略断面図である。
【図５】 本発明の第５の実施例における半導体処理装
置を示す概略断面図である。
置を示す概略断面図である。
【図６】 本発明の第６の実施例における半導体処理装
置を示す概略断面図である。
置を示す概略断面図である。
【図７】 本発明の第６の実施例における半導体処理装
置の動作を示す図である。
置の動作を示す図である。
【図８】 従来の半導体処理装置の一具体例を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図９】 従来のウエハ上の異物を除去する方法を示す
図である。
図である。
【図１０】 従来の半導体処理装置の一具体例を示す概
略断面図である。
略断面図である。
１，１ａ，１ｂ ウエハ、２ 下部電極、３ 排気口、
４，４ａ 内壁、５高周波電源、６ ガス導入口、１２
放電陰極線、１３ 異物、１４ 電子、１５ 負電
圧、１６ 上部電極、１７ 水路、１８ 超音波発振
器、１９ ヒータ、２０ 水導入口、２１ 水排出口、
２２ コイル、２３ マイクロ波導入管、２５ 遮蔽
板、２６ 不活性ガス導入系、２７ プラズマ生成室排
気口、２８遮蔽板格納部、２９ 反応室排気口、３０
高圧ポンプ、３１ 下部電極、３２ａ，３２ｂ ステー
ジ。
４，４ａ 内壁、５高周波電源、６ ガス導入口、１２
放電陰極線、１３ 異物、１４ 電子、１５ 負電
圧、１６ 上部電極、１７ 水路、１８ 超音波発振
器、１９ ヒータ、２０ 水導入口、２１ 水排出口、
２２ コイル、２３ マイクロ波導入管、２５ 遮蔽
板、２６ 不活性ガス導入系、２７ プラズマ生成室排
気口、２８遮蔽板格納部、２９ 反応室排気口、３０
高圧ポンプ、３１ 下部電極、３２ａ，３２ｂ ステー
ジ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩澤 謙一郎 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社ユー・エル・エス・アイ開発研究 所内 (72)発明者 寺谷 昭美 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社ユー・エル・エス・アイ開発研究 所内 (72)発明者 川井 健治 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社ユー・エル・エス・アイ開発研究 所内
Claims (6)
- 【請求項１】 材質がシリコンからなる反応室の内壁を
備えた半導体処理装置。 - 【請求項２】 電子を放電する陰極体と、 前記陰極体に対して陽極となる反応室の内壁と、を備
え、 前記電子が帯電した前記反応室内の異物を前記内壁に付
着させることを特徴とする半導体処理装置。 - 【請求項３】 反応室の内壁に超音波振動を与える超音
波発生手段と、 前記超音波振動を与えながら、前記反応室の内壁を加熱
する加熱手段と、を備えた半導体処理装置。 - 【請求項４】 プラズマ生成室と反応室とを分離した
り、接続したりする遮蔽板と、 前記プラズマ生成室内に不活性ガスを導入する不活性ガ
ス導入手段と、 前記プラズマ生成室内のガスを排気するプラズマ生成室
排気口と、を備えた半導体処理装置。 - 【請求項５】 反応室内を加圧して前記反応室の内壁に
緩やかに付着している異物を固着させる加圧手段を備え
た半導体処理装置。 - 【請求項６】 ウエハを回転軸に対して外側に向けて設
置し、前記回転軸を中心として回転するウエハステージ
を備え、前記回転により生じる遠心力により前記ウエハ
上に付着している異物を除去することを特徴とする半導
体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15594795A JPH098005A (ja) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15594795A JPH098005A (ja) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098005A true JPH098005A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15617010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15594795A Pending JPH098005A (ja) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098005A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001017003A1 (fr) * | 1999-08-27 | 2001-03-08 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement thermique |
| JP2005101539A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-04-14 | Tokyo Electron Ltd | 減圧処理室内の部材清浄化方法および基板処理装置 |
| JP2010103443A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の真空排気方法及び基板処理装置 |
| JP2011192872A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
1995
- 1995-06-22 JP JP15594795A patent/JPH098005A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001017003A1 (fr) * | 1999-08-27 | 2001-03-08 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement thermique |
| JP2001144025A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-05-25 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法 |
| US6635310B1 (en) | 1999-08-27 | 2003-10-21 | Tokyo Electron Limited | Method of heat treatment |
| JP2005101539A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-04-14 | Tokyo Electron Ltd | 減圧処理室内の部材清浄化方法および基板処理装置 |
| US8137473B2 (en) | 2003-08-25 | 2012-03-20 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning elements in vacuum chamber and apparatus for processing substrates |
| US8206513B2 (en) | 2003-08-25 | 2012-06-26 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning elements in vacuum chamber and apparatus for processing substrates |
| US8337629B2 (en) | 2003-08-25 | 2012-12-25 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning elements in vacuum chamber and apparatus for processing substrates |
| TWI412074B (zh) * | 2003-08-25 | 2013-10-11 | 東京威力科創股份有限公司 | A cleaning method for a component in a vacuum chamber, and a substrate processing device |
| JP2010103443A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の真空排気方法及び基板処理装置 |
| JP2011192872A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3897382B2 (ja) | Ｃｖｄシステムの真空ラインのクリーニング方法及び装置 | |
| CN1118086C (zh) | 等离子体工艺设备及等离子体工艺设备的腔体腐蚀方法 | |
| US5879575A (en) | Self-cleaning plasma processing reactor | |
| JP3257180B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JP2003273078A (ja) | プラズマ処理装置の洗浄方法、洗浄方法及びプラズマ処理装置 | |
| JP2004296467A (ja) | 基板処理装置 | |
| TW200423212A (en) | Method and apparatus for reducing substrate backside deposition during processing | |
| JPH09186143A (ja) | プラズマチャンバ表面から副生成物をクリーニングするための方法及び装置 | |
| KR20010114258A (ko) | Ｐｆｃ의 처리 방법 및 처리 장치 | |
| JPH0955370A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH098005A (ja) | 半導体処理装置 | |
| US6545245B2 (en) | Method for dry cleaning metal etching chamber | |
| TW200830403A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JPH07106307A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JP3394263B2 (ja) | 真空処理方法及び装置 | |
| JPS6323827B2 (ja) | ||
| JPH08195382A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH05198515A (ja) | 半導体処理装置とその前処理方法 | |
| JP3338123B2 (ja) | 半導体製造装置の洗浄方法及び半導体装置の製造方法 | |
| CN115332038B (zh) | 晶圆用静电吸盘的清洁方法 | |
| JP2948053B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPS63116428A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP3265047B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH07130706A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
| JPH06163484A (ja) | 半導体製造装置 |