JPH095729A - Production of liquid crystal display element - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子の製造方法
に関し、さらに詳しく言えば、透明電極間に遮光膜を有
する液晶表示素子の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display element, and more particularly to a method of manufacturing a liquid crystal display element having a light shielding film between transparent electrodes.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶表示装置も白黒表示からカラー表示
へと技術が進歩し、近年では画面サイズにしても、急速
に大型化、大画面化が進められている。また、その画質
についても、ＴＮ液晶からＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉ
ｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶への移行およびＴＦＴ
（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に代表
されるアクティブ表示素子の開発により、ＣＲＴに迫る
ものが商品化されている。2. Description of the Related Art The technology of liquid crystal display devices has progressed from monochrome display to color display, and in recent years, the screen size has been rapidly increasing in size and screen. In addition, regarding the image quality, the TN liquid crystal displays the STN (Super Twi
Transition to liquid crystal and TFT
With the development of an active display element represented by (Thin Film Transistor), a CRT-like one has been commercialized.
【０００３】ところで、画面サイズを大型化するうえ
で、特に透明基板の非電極部からの光の漏れによるコン
トラストの低下が問題となる。これを防止するため、非
電極部に遮光膜が設けられることになるが、その形成方
法の一例を図２を参照しながら、説明する。By the way, in order to increase the screen size, there is a problem that the contrast is deteriorated due to the leakage of light from the non-electrode portion of the transparent substrate. In order to prevent this, a light-shielding film is provided on the non-electrode portion, and an example of the method for forming the light-shielding film will be described with reference to FIG.
【０００４】まず、図２（ａ）に示されているように、
透明基板１の一方の面にクロムなどの金属膜２を例えば
スパッタ法により成膜し、その上にレジスト３を塗布す
る。そして、所定の遮光膜形成パターンを有するマスク
をかけて露光した後、現像して遮光膜形成パターンに沿
ってレジスト３を残し、次に不要部分の金属膜２をエッ
チングにより除去するとともに、レジスト３を剥離す
る。First, as shown in FIG. 2 (a),
A metal film 2 of chromium or the like is formed on one surface of the transparent substrate 1 by, for example, a sputtering method, and a resist 3 is applied thereon. Then, after exposing with a mask having a predetermined light-shielding film forming pattern, development is performed to leave the resist 3 along the light-shielding film forming pattern, and then the unnecessary metal film 2 is removed by etching, and the resist 3 is formed. Peel off.
【０００５】このようにして、図２（ｂ）に示されてい
るように、遮光膜２ａを形成した後、遮光膜２ａの上面
を含めて透明基板１上に絶縁膜４を形成する。次に、同
図（ｃ）に示されているように、絶縁膜４上に透明電極
母層としてのＩＴＯ（インジウム錫オキサイド）膜５を
成膜し、さらに同ＩＴＯ膜５上にレジストを塗布する。In this way, as shown in FIG. 2B, after forming the light shielding film 2a, the insulating film 4 is formed on the transparent substrate 1 including the upper surface of the light shielding film 2a. Next, as shown in FIG. 3C, an ITO (indium tin oxide) film 5 as a transparent electrode mother layer is formed on the insulating film 4, and a resist is applied on the ITO film 5. To do.
【０００６】そして、所定の透明電極形成パターンを有
するマスクをかけて露光し、現像して透明電極形成パタ
ーンに沿ってレジスト６を残した後、不要部分のＩＴＯ
膜５をエッチングにより除去するとともに、レジスト６
を剥離する。Then, a mask having a predetermined transparent electrode formation pattern is used for exposure, development is performed to leave a resist 6 along the transparent electrode formation pattern, and then an unnecessary portion of ITO is formed.
The film 5 is removed by etching and the resist 6
Is peeled off.
【０００７】これにより、図２（ｄ）に示されているよ
うに、隣接する透明電極５ａ間に遮光膜２ａが配置され
た状態が得られ、以後、この透明電極５ａ上に例えば絶
縁層が形成され、さらにその上に配向膜などが形成され
ることになる。As a result, as shown in FIG. 2D, a state in which the light-shielding film 2a is disposed between the adjacent transparent electrodes 5a is obtained, and thereafter, for example, an insulating layer is formed on the transparent electrode 5a. It is formed, and an alignment film or the like is further formed thereon.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例によると、遮光膜２ａのパターニング時と透明電極
５ａのパターニング時に、それぞれマスクがけを行なう
必要があり、その分工数が多くなるばかりでなく、その
位置合わせ作業に厳密な精度が要求される。However, according to the above-mentioned conventional example, it is necessary to carry out masking at the time of patterning the light-shielding film 2a and at the time of patterning the transparent electrode 5a, which not only increases the number of man-hours. Strict accuracy is required for the alignment work.
【０００９】また、透明基板１上にクロムなどの金属膜
２を形成するには、スパッタ装置などの高額の設備が必
要とされる。さらには、その金属膜２から遮光膜２ａを
格子状に形成するには、いわゆるフォトリソグラフィと
いう微細加工工程を通さなければならない。このような
ことから、総じて製造歩留まりが低く、コスト的にも問
題があった。さらには、クロム（金属膜２）のパターニ
ング工程で、クロム廃液がでるのも環境問題を引き起こ
す恐れを持っている。Further, in order to form the metal film 2 of chromium or the like on the transparent substrate 1, expensive equipment such as a sputtering device is required. Furthermore, in order to form the light shielding film 2a from the metal film 2 in a grid pattern, a so-called photolithography fine processing step must be performed. For this reason, the manufacturing yield is generally low, and there is a problem in cost. Further, in the chromium (metal film 2) patterning step, the waste liquid of chromium may cause an environmental problem.
【００１０】本発明は、このような従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、簡単な設備
で、しかも遮光膜形成用のマスクを必要とすることな
く、透明電極間の非電極部に遮光膜を形成できるように
した液晶表示素子の製造方法を提供することにある。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned conventional problems, and its purpose is to use a simple facility and to eliminate the need for a mask for forming a light-shielding film. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, which is capable of forming a light shielding film on the non-electrode part.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、透明電極間に遮光膜を有する液晶表示素
子の製造方法において、ガラスなどからなる透明基板の
一方の面に透明電極母層を形成する工程と、同透明電極
母層上にポジレジストを形成する工程と、所定の透明電
極形成パターンを有するマスクを用いて上記ポジレジス
トを露光し、現像して上記透明電極母層上に上記透明電
極形成パターンに沿って上記ポジレジストを残す工程
と、エッチングにより不要な上記透明電極母層を除去し
て上記ポジレジストが積層されたポジレジスト付き透明
電極を形成する工程と、上記透明基板の一方の面上に上
記ポジレジスト付き透明電極を含めてその全体にわたっ
て遮光性インキを塗布する工程と、上記透明基板の他方
の面側から露光する工程と、しかる後上記透明電極上の
ポジレジストと遮光性インキとを除去する工程とを備え
ていることを特徴としている。In order to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing a liquid crystal display device having a light-shielding film between transparent electrodes, in which a transparent electrode substrate is formed on one surface of a transparent substrate made of glass or the like. A step of forming a layer, a step of forming a positive resist on the transparent electrode mother layer, and exposing the positive resist using a mask having a predetermined transparent electrode forming pattern, and developing the positive electrode on the transparent electrode mother layer. A step of leaving the positive resist along the transparent electrode forming pattern, a step of removing the unnecessary transparent electrode mother layer by etching to form a transparent electrode with a positive resist in which the positive resist is laminated, A step of applying a light-shielding ink over the entire surface of the substrate including the transparent electrode with the positive resist, and a step of exposing from the other surface side of the transparent substrate. When is characterized by comprising a step of removing the a positive resist on thereafter the transparent electrode and the light-shielding ink.
【００１２】この場合、上記遮光性インキには、紫外線
などのエネルギー線によって重合・架橋を起こし、不溶
性に変化する、ネガレジストの挙動を示す材料が使用さ
れるが、単なる熱硬化型の材料であってもよい。In this case, as the above-mentioned light-shielding ink, a material exhibiting the behavior of a negative resist, which undergoes polymerization / crosslinking due to energy rays such as ultraviolet rays and changes into insolubility, is used. It may be.
【００１３】光重合・架橋型の場合、その種類として
は、重合・硬化のメカニズムで分ければ、ラジカル重合
型、光付加重合型、光カチオン重合型、酸硬化型などが
挙げられる。ラジカル重合型には、具体的には不飽和ポ
リエステル系、アクリル・メタクリル系で、そのポリマ
ー主鎖の末端や側鎖にラジカル重合性の原子団を備えて
いるものがある。この光重合反応の開始には、ベンゾイ
ンエーテルなどの光重合開始剤が用いられる。In the case of the photopolymerization / crosslinking type, the types thereof include a radical polymerization type, a photoaddition polymerization type, a photocationic polymerization type and an acid curing type, depending on the mechanism of polymerization / curing. The radical polymerization type includes, specifically, unsaturated polyester type, acrylic / methacrylic type, and those having radical polymerizable atomic groups at the ends or side chains of the polymer main chain. A photopolymerization initiator such as benzoin ether is used to initiate the photopolymerization reaction.
【００１４】光付加重合型としては、ポリエン−ポリチ
オールをポリマーに具備しているもので、やはりベンゾ
フェノンなどの光重合開始剤が用いられる。光カチオン
重合型は、エポキシ樹脂の反応を光照射で酸が発生する
触媒を用いて架橋させるものである。そのような光開始
剤としては、全芳香族ジアゾニウム塩などがある。As the photoaddition polymerization type, a polymer is provided with polyene-polythiol, and a photopolymerization initiator such as benzophenone is also used. The cationic photopolymerization type is a type in which the reaction of an epoxy resin is crosslinked using a catalyst that generates an acid upon irradiation with light. Such photoinitiators include wholly aromatic diazonium salts and the like.
【００１５】酸硬化型としては、塗膜形成成分に尿素・
メラニン・アルキド樹脂を用い、紫外線吸収能のある酸
前駆体を用いる。As the acid curing type, urea is used as a coating film forming component.
A melanin / alkyd resin is used, and an acid precursor capable of absorbing ultraviolet rays is used.
【００１６】ポリマー主鎖の部分には、ポリイミドなど
の耐熱性の高い骨格を用いることにより、黒色インキの
耐熱性を高め、液晶パネルの製造工程で晒される熱の影
響を緩和することもできる。By using a highly heat-resistant skeleton such as polyimide for the polymer main chain portion, it is possible to enhance the heat resistance of the black ink and mitigate the effect of heat exposed in the manufacturing process of the liquid crystal panel.
【００１７】黒色インキに使用する色素には種々の色素
を用いることができるが、可視領域で必要な遮光度があ
って、紫外領域などエネルギー線の波長領域では光開始
剤の吸収が可能な分光特性を有することが条件とされ
る。Although various dyes can be used as the dye used in the black ink, it has a necessary light-shielding degree in the visible region and can absorb a photoinitiator in the wavelength region of energy rays such as the ultraviolet region. It is required to have characteristics.
【００１８】なお、光学濃度が２〜３以上になるような
遮光度を採用することがコントラストの向上には好まし
い。黒色インキの塗布は、スピンコーター、ロールコー
ターなど通常行なわれる塗布法でよい。In order to improve the contrast, it is preferable to adopt a light-shielding degree such that the optical density is 2-3 or more. The black ink may be applied by a commonly used coating method such as a spin coater or a roll coater.
【００１９】[0019]
【作用】上記の構成によると、透明基板の一方の面に形
成されたレジスト付き透明電極をマスクとして、同透明
基板の他方の面（背面）側から遮光性インキを露光する
ことにより、露光された部分の遮光性インキ、すなわち
透明基板間の遮光性インキが硬化する一方で、透明電極
上のレジストの分解が促進される。According to the above construction, the transparent electrode with the resist formed on one surface of the transparent substrate is used as a mask to expose the light-shielding ink from the other surface (rear surface) side of the transparent substrate. While the light-shielding ink in the open portion, that is, the light-shielding ink between the transparent substrates is cured, decomposition of the resist on the transparent electrode is promoted.
【００２０】したがって、そのレジストを透明電極から
容易に剥離することができ、これに伴って、透明電極上
の遮光性インキも剥がされ、各透明基板間に遮光膜とし
ての遮光性インキが残されることになる。Therefore, the resist can be easily peeled off from the transparent electrode, and along with this, the light-shielding ink on the transparent electrode is also peeled off, and the light-shielding ink as a light-shielding film is left between the transparent substrates. It will be.
【００２１】[0021]
【実施例】図１には本発明の実施例がその製造工程順に
沿って示されており、これによると、まず同図（ａ）に
示されているように、ガラスなどの透明基板１０の一方
の面に透明電極母層１１とポジレジスト層１２を順次形
成する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows an embodiment of the present invention in the order of its manufacturing steps. According to this, first, as shown in FIG. A transparent electrode mother layer 11 and a positive resist layer 12 are sequentially formed on one surface.
【００２２】透明電極母層１１には酸化錫やインジウム
錫オキサイド（ＩＴＯ）などが用いられ、真空蒸着法や
スパッタ法により所定の厚さに成膜することができる。
なお、ＳＴＮに適した低抵抗のＩＴＯの成膜法としては
スパッタ法が好ましい。Tin oxide, indium tin oxide (ITO) or the like is used for the transparent electrode mother layer 11 and can be formed to a predetermined thickness by a vacuum deposition method or a sputtering method.
A sputtering method is preferable as a low resistance ITO film formation method suitable for STN.
【００２３】そして、所定の透明電極形成パターンを有
するマスク１３を用いて、ポジレジスト層１２を露光
し、例えば希アルカリ液に浸漬して現像する。これによ
り、同図（ｂ）に示されているように、透明電極母層１
１上に透明電極形成パターンに沿ってポジレジスト１２
ａが残される。Then, the positive resist layer 12 is exposed using a mask 13 having a predetermined transparent electrode forming pattern, and is immersed in, for example, a dilute alkaline solution for development. As a result, as shown in FIG. 2B, the transparent electrode mother layer 1
Positive resist 12 on the transparent electrode forming pattern 1
a is left.
【００２４】次に、不要な透明電極母層１１をエッチン
グにより除去して、図（ｃ）に示されているように、ポ
ジレジスト１２ａ付きの透明電極１１ａを得る。この場
合、透明電極がＩＴＯであれば、そのエッチングは塩酸
−塩化第二鉄の混合液などに所定時間浸漬して行なう。Next, the unnecessary transparent electrode mother layer 11 is removed by etching to obtain a transparent electrode 11a with a positive resist 12a as shown in FIG. In this case, if the transparent electrode is ITO, the etching is performed by immersing it in a mixed solution of hydrochloric acid-ferric chloride for a predetermined time.
【００２５】しかる後、図１（ｄ）に示されているよう
に、透明基板１０の一方の面上にポジレジスト１２ａ付
き透明電極１１ａを含めて遮光膜形成材料としての黒色
インキ１４をスピンコーターもしくはロールコーターな
どにて所定の厚さに塗布する。この実施例において、黒
色インキ１４には紫外線などのエネルギー線によって重
合・架橋を起こし、不溶性に変化する、ネガレジストの
挙動を示す材料が用いられる。Thereafter, as shown in FIG. 1D, a black ink 14 as a light-shielding film forming material including a transparent electrode 11a with a positive resist 12a on one surface of the transparent substrate 10 is spin-coated. Alternatively, it is applied to a predetermined thickness with a roll coater or the like. In this embodiment, the black ink 14 is made of a material exhibiting the behavior of a negative resist, which undergoes polymerization / crosslinking due to energy rays such as ultraviolet rays and changes into insolubility.
【００２６】そして、透明基板１０の他方の面（背面）
側から露光する。これにより、透明電極１１ａ間の黒色
インキ１４は硬化するが、透明電極１１ａ上のポジレジ
スト１４ａは分解が促進された状態となる。The other surface (back surface) of the transparent substrate 10
Exposure from the side. As a result, the black ink 14 between the transparent electrodes 11a is hardened, but the positive resist 14a on the transparent electrodes 11a is in a state in which decomposition is promoted.
【００２７】したがって、ポジレジスト１２ａはアルカ
リ液に浸漬することにより容易に溶けてリフトオフさ
れ、それとともにその上の黒色インキ１４も除去される
ことになり、図１（ｅ）に示されているように、透明電
極１１ａ間に遮光膜としての黒色インキ１４ａが残され
る。なお、この遮光膜としての黒色インキ１４ａを十分
硬化させるために、露光後もしくはポジレジスト１２ａ
のリフトオフ後に再度透明基板１０の一方の面側（表
側）から露光するとよい。Therefore, the positive resist 12a is easily dissolved and lifted off by immersing it in an alkaline solution, and the black ink 14 on the positive resist 12a is also removed, as shown in FIG. 1 (e). Then, the black ink 14a as a light shielding film is left between the transparent electrodes 11a. It should be noted that in order to sufficiently cure the black ink 14a as the light-shielding film, after the exposure or the positive resist 12a.
After the lift-off, the exposure may be performed again from one surface side (front side) of the transparent substrate 10.
【００２８】以後、必要に応じて絶縁膜を膜付けし、配
向制御膜を形成する。配向制御膜はポリイミド、ポリア
ミドのような樹脂のほかに、一酸化ケイ素のような斜め
蒸着膜であってもよい。ポリイミドのような膜は通常ラ
ビング処理が施される。また、表示モードによっては垂
直配向剤を用いる場合もある。After that, an insulating film is formed as necessary to form an orientation control film. The orientation control film may be a resin such as polyimide or polyamide, or an obliquely deposited film such as silicon monoxide. A film such as polyimide is usually rubbed. A vertical alignment agent may be used depending on the display mode.
【００２９】そして、上記の工程を経た２枚の基板をシ
ール材を介して重ね合せ、そのセル内に液晶を注入した
後、最後に注入口を封止する。通常は、この基板の外側
の少なくとも一方に偏光板を配置する。なお、基板自体
を偏光板で構成したり、もしくは基板と透明電極との間
に偏光層を設けてもよい。Then, the two substrates that have undergone the above steps are superposed on each other with a sealing material interposed therebetween, liquid crystal is injected into the cell, and finally the injection port is sealed. Usually, a polarizing plate is arranged on at least one of the outer sides of this substrate. The substrate itself may be made of a polarizing plate, or a polarizing layer may be provided between the substrate and the transparent electrode.
【００３０】本発明は透過型、反射型のいずれにも適用
可能であり、その応用範囲は広い。透過型で使用する場
合には裏面側に光源を配置することが好ましい。その場
合、光源にも導光体やカラーフィルタを併設してもよ
い。さらに、透過型で使用する場合、画素以外の背景部
分を印刷などによる遮光膜で覆うこともできる。また、
遮光膜を用いるとともに、表示したくない部分に選択電
圧を印加するように逆の駆動をすることもできる。The present invention can be applied to both transmission type and reflection type, and its application range is wide. When used as a transmissive type, it is preferable to dispose a light source on the back side. In that case, a light guide and a color filter may be provided together with the light source. Furthermore, in the case of using the transmissive type, the background portion other than the pixels can be covered with a light shielding film by printing or the like. Also,
It is also possible to use a light-shielding film and perform reverse driving so as to apply a selection voltage to a portion that is not desired to be displayed.
【００３１】本発明は、このほかにその効果を損なわな
い範囲で、通常のＳＴＮ液晶表示装置で使用されている
種々の技術の適用が可能である。なお、上記実施例では
光硬化型の黒色インキを用いているが、熱硬化型であっ
てもよい。In addition to the above, the present invention can be applied to various techniques used in ordinary STN liquid crystal display devices within a range that does not impair the effect. Although the photocurable black ink is used in the above embodiment, it may be thermosetting.
【００３２】《実施例１》第１の基板として、ガラス基
板の一方の面にストライプ状ＩＴＯの幅が１３０μｍ、
そのストライプ間の幅が２０μｍでＩＴＯのパターニン
グを行なった。富士ハント社製のポジレジストＦＨ−２
１３０（商品名）をロールコーターで約２μｍの厚さに
塗布し、これにフォトマスクを介して露光し、現像した
後、エッチングにより不要のＩＴＯを除去した。Example 1 As the first substrate, the width of the stripe ITO is 130 μm on one surface of the glass substrate,
Patterning of ITO was performed with the width between the stripes being 20 μm. Fuji Hunt's positive resist FH-2
130 (trade name) was applied with a roll coater to a thickness of about 2 μm, and this was exposed through a photomask and developed, and then unnecessary ITO was removed by etching.
【００３３】次に、セルロース／アルキド混合樹脂に有
機顔料を数種類配合して黒色に調整した黒色インキをス
クリーン印刷により約１０μｍの厚さに塗布した。そし
て、ガラス基板の他方の面（背面）から露光した後、１
８０℃、３０分で焼成し、１０％荷性ソーダ液に短時間
浸漬したところ、ＩＴＯ間の黒色インキが残り、ＩＴＯ
上の黒色インキはポジレジストとともに剥離した。Next, several kinds of organic pigments were blended with the cellulose / alkyd mixed resin, and a black ink adjusted to black was applied by screen printing to a thickness of about 10 μm. Then, after exposing from the other surface (back surface) of the glass substrate, 1
When baked at 80 ° C for 30 minutes and immersed in 10% loading soda solution for a short time, black ink between ITO remains and ITO
The black ink above peeled off with the positive resist.
【００３４】第２の基板についても、遮光膜およびＩＴ
Ｏのパターンが、第１の基板のストライプに対して直交
すること以外は同一として形成した。Also for the second substrate, the light-shielding film and the IT
The O pattern was formed in the same manner except that it was orthogonal to the stripes of the first substrate.
【００３５】この第１および第２の基板を重ね合わせ、
その周辺をシール材を介して接着して得た液晶パネル内
に、誘電異方性が正のネマチック液晶を注入し、２４０
度捩じれの左螺旋の液晶となるようにキラル物質を添加
して調整し、液晶注入口を封止した。このようにして得
られた液晶表示素子のコントラスト比を測定したとこ
ろ、３５：１であった。Overlaying the first and second substrates,
A nematic liquid crystal having a positive dielectric anisotropy is injected into a liquid crystal panel obtained by adhering the periphery thereof with a sealing material,
A chiral substance was added and adjusted so that a left-handed spiral liquid crystal was twisted, and the liquid crystal injection port was sealed. The contrast ratio of the thus obtained liquid crystal display device was measured and found to be 35: 1.
【００３６】《実施例２》黒色インキに、旭硝子社製紫
外線硬化樹脂ＡＫ−１（商品名）にソルベントブラック
３を１０％混合したものを用いたほかは、実施例１と同
じとして液晶表示素子を試作した。この場合のコントラ
スト比は、３９：１であった。Example 2 A liquid crystal display device is the same as in Example 1 except that the black ink is a UV curable resin AK-1 (trade name) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. mixed with 10% of Solvent Black 3. Was prototyped. The contrast ratio in this case was 39: 1.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
非電極部の遮光膜が遮光性インキにより、しかも透明電
極上のポジレジストをマスクとして背面露光により形成
することができる。したがって、従来の金属による遮光
膜のように高価な設備を必要とせず、マスクにしても透
明電極をパターニングするマスク１種類のみで済むこと
になり、マスクの位置合わせが容易になり生産性が向上
するとともに、従来問題となっていたマスクずれによる
不良が減少し、歩留まりが改善される。As described above, according to the present invention,
The light-shielding film in the non-electrode portion can be formed by light-shielding ink and by back exposure using the positive resist on the transparent electrode as a mask. Therefore, unlike the conventional metal light-shielding film, expensive equipment is not required, and even if the mask is used, only one kind of mask for patterning the transparent electrode is required, which facilitates mask alignment and improves productivity. At the same time, defects due to mask misalignment, which has been a problem in the past, are reduced and the yield is improved.
【図１】本発明による液晶表示素子の製造方法の一実施
例をその工程順に沿って示した断面図。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a method of manufacturing a liquid crystal display element according to the present invention in the order of steps thereof.
【図２】従来の液晶表示素子製造方法の一例をその工程
順に沿って示した断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a conventional method for manufacturing a liquid crystal display element in the order of steps thereof.
１０ 透明基板 １１ 透明電極母層（ＩＴＯ膜） １１ａ 透明電極 １２ ポジレジスト層 １２ａ ポジレジスト １３ マスク １４ 黒色インキ １４ａ 黒色インキによる遮光膜 10 transparent substrate 11 transparent electrode mother layer (ITO film) 11a transparent electrode 12 positive resist layer 12a positive resist 13 mask 14 black ink 14a black ink light-shielding film
Claims (4)
子の製造方法において、ガラスなどからなる透明基板の
一方の面に透明電極母層を形成する工程と、同透明電極
母層上にポジレジストを形成する工程と、所定の透明電
極形成パターンを有するマスクを用いて上記ポジレジス
トを露光し、現像して上記透明電極母層上に上記透明電
極形成パターンに沿って上記ポジレジストを残す工程
と、エッチングにより不要な上記透明電極母層を除去し
て上記ポジレジストが積層されたポジレジスト付き透明
電極を形成する工程と、上記透明基板の一方の面上に上
記ポジレジスト付き透明電極を含めてその全体にわたっ
て遮光性インキを塗布する工程と、上記透明基板の他方
の面側から露光する工程と、しかる後上記透明電極上の
ポジレジストと遮光性インキとを除去する工程とを備え
ていることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。1. A method of manufacturing a liquid crystal display device having a light-shielding film between transparent electrodes, the step of forming a transparent electrode mother layer on one surface of a transparent substrate made of glass or the like, and the positive electrode on the transparent electrode mother layer. A step of forming a resist and a step of exposing the positive resist using a mask having a predetermined transparent electrode forming pattern and developing the positive resist to leave the positive resist on the transparent electrode mother layer along the transparent electrode forming pattern And a step of removing the unnecessary transparent electrode mother layer by etching to form a transparent electrode with a positive resist in which the positive resist is laminated, and including the transparent electrode with a positive resist on one surface of the transparent substrate. The step of applying a light-blocking ink over the entire surface and the step of exposing from the other surface side of the transparent substrate, and then the positive resist on the transparent electrode and the light-blocking property. And a step of removing the ink.
付加重合型、光カチオン重合型、酸硬化型などの光硬化
性の黒色インキからなることを特徴とする請求項１に記
載の液晶表示素子の製造方法。2. The liquid crystal display according to claim 1, wherein the light-shielding ink is made of a photocurable black ink such as a radical polymerization type, a photoaddition polymerization type, a photocationic polymerization type and an acid curing type. Device manufacturing method.
キからなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示
素子の製造方法。3. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the light-shielding ink is a thermosetting black ink.
上になるような遮光度を与えるものであることを特徴と
する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶表示
素子の製造方法。4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the light-shielding ink imparts a light-shielding degree such that the optical density is 2-3 or more. Production method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7171338A JPH095729A (en) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | Production of liquid crystal display element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7171338A JPH095729A (en) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | Production of liquid crystal display element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH095729A true JPH095729A (en) | 1997-01-10 |
Family
ID=15921375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7171338A Withdrawn JPH095729A (en) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | Production of liquid crystal display element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH095729A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11121178A (en) * | 1997-10-14 | 1999-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
| US7507039B2 (en) * | 2002-02-28 | 2009-03-24 | Fujitsu Limited | Dynamic pressure bearing manufacturing method, dynamic pressure bearing and dynamic pressure bearing manufacturing device |
-
1995
- 1995-06-14 JP JP7171338A patent/JPH095729A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11121178A (en) * | 1997-10-14 | 1999-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
| US7507039B2 (en) * | 2002-02-28 | 2009-03-24 | Fujitsu Limited | Dynamic pressure bearing manufacturing method, dynamic pressure bearing and dynamic pressure bearing manufacturing device |
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