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JPH095780A - Active matrix liquid crystal display - Google Patents

Active matrix liquid crystal display

Info

Publication number
JPH095780A
JPH095780A JP14735295A JP14735295A JPH095780A JP H095780 A JPH095780 A JP H095780A JP 14735295 A JP14735295 A JP 14735295A JP 14735295 A JP14735295 A JP 14735295A JP H095780 A JPH095780 A JP H095780A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
display
substrate
dummy
signal lines
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP14735295A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3027703B2 (en
Inventor
Tetsuya Otomo
哲哉 大友
Tadahiro Hayashi
忠弘 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP14735295A priority Critical patent/JP3027703B2/en
Publication of JPH095780A publication Critical patent/JPH095780A/en
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Publication of JP3027703B2 publication Critical patent/JP3027703B2/en
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 画像表示上の輝度むら,ならびに液晶のシー
ル性能の低下を招かずに、非表示液晶セル領域を狭くし
て基板の有効利用を図ることができるアクティブマトリ
クス方式液晶表示装置を提供することを目的とする。 【構成】 5は表示液晶セル領域で、ソース信号配線1
3,ゲート信号配線14とそれに接続したソース電極1
5,ゲート電極16,TFTの半導体層17、ドレイン
電極18とそれに接続した画素電極19で構成される。
8は非表示液晶セル領域で、非表示ダミー画素20が形
成されている。非表示ダミー画素20は、表示有効画素
12と同様、ソース信号配線13およびゲート信号配線
26が接続され、ダミーソース電極21,ダミーゲート
電極22,ダミー半導体層23,ダミードレイン電極2
4,ダミー画素電極25を有し、ソース信号配線13に
平行方向のサイズは表示有効画素12のそれの1/2に
形成してある。
(57) [Abstract] [Purpose] An active matrix liquid crystal in which the non-display liquid crystal cell area can be narrowed and the substrate can be effectively used without causing the unevenness of brightness on the image display and the deterioration of the liquid crystal sealing performance. An object is to provide a display device. [Configuration] 5 is a display liquid crystal cell region, which is a source signal line 1
3, gate signal wiring 14 and source electrode 1 connected to it
5, the gate electrode 16, the semiconductor layer 17 of the TFT, the drain electrode 18 and the pixel electrode 19 connected thereto.
Reference numeral 8 denotes a non-display liquid crystal cell area, in which a non-display dummy pixel 20 is formed. Like the display effective pixel 12, the non-display dummy pixel 20 is connected with the source signal line 13 and the gate signal line 26, and has a dummy source electrode 21, a dummy gate electrode 22, a dummy semiconductor layer 23, and a dummy drain electrode 2.
4, the dummy pixel electrode 25 is provided, and the size in the direction parallel to the source signal line 13 is formed to be half that of the display effective pixel 12.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、非線形素子を用いて
液晶を駆動する、いわゆるアクティブマトリクス方式液
晶表示装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a so-called active matrix type liquid crystal display device which drives a liquid crystal by using a non-linear element.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、微細加工技術、材料技術、および
高密度実装技術などの進歩により、1型以下〜17型以
上と幅広い画面サイズで、またAV、OA、車載と様々
な用途において液晶表示装置の占める割合は急速に拡大
しており、従来CRTにかわるキーデバイスとしてエレ
クトロニクス業界全体の注目を集めている。そのような
中、液晶表示装置特有の薄型軽量をさらに進化させ、C
RTでは実現困難であった商品領域(例えばA4、B5
サイズのノートパソコンからサブノートパソコン、DT
N規格対応のカナビゲーションシステム、モニター一体
型ビデオムービー、ペン入力型携帯情報端末等)にさら
なる展開を見せている。また、一方では材料コスト低減
と生産性向上のため、マザーガラス基板の大型化と標準
化の動きが活発で、同一サイズの大型マザーガラス基板
よりいかにして数多くのパネルを効率良く面取りする
か、あるいは同一画面サイズでいかにして小さなパネル
を実現するか、また同一パネルサイズでいかにして大き
な画面サイズを実現し、なおかつ同時に性能、品質、歩
留まりを落とさずに生産性向上できるかが重点課題にな
りつつある。
2. Description of the Related Art In recent years, due to advances in fine processing technology, material technology, high-density mounting technology, etc., liquid crystal displays have a wide range of screen sizes from 1 type to 17 type or more, and various applications such as AV, OA, and vehicle. The percentage of equipment is expanding rapidly, and it is attracting attention of the entire electronics industry as a key device that replaces the conventional CRT. Under such circumstances, the thin and lightweight peculiar to liquid crystal display devices have been further evolved, and C
Product areas that were difficult to achieve with RT (eg A4, B5
Size laptop to sub-notebook, DT
We are showing further development in N standard compliant car navigation systems, monitor-integrated video movies, pen input type portable information terminals, etc.). On the other hand, in order to reduce the material cost and improve the productivity, there is an active movement to increase the size and standardize the mother glass substrate. How to efficiently chamfer a large number of panels from a large mother glass substrate of the same size, or How to achieve a small panel with the same screen size, how to achieve a large screen size with the same panel size, and at the same time improve productivity without sacrificing performance, quality, and yield are important issues. It's starting.

【0003】まず、アクティブマトリクス方式液晶表示
装置の薄膜トランジスタ基板の概略について説明する。
図3にその概略図を示す。1はマザーガラス基板、2は
液晶表示装置として必要な薄膜トランジスタ基板の有効
領域であり、ここでは2パネル分の有効領域を配置した
複数面取りの場合を示している。3a,3bはそれぞれ
1パネル分の単位有効領域(以下、チップと呼ぶ)であ
る。4はマザーガラス基板1の製造工程内での搬送や認
識パターン形成等に必要な領域(以下、マザーガラス額
縁と呼ぶ)である。薄膜トランジスタ基板の有効領域2
の内側には液晶をスイッチングするアクティブ素子であ
る薄膜トランジスタをマトリクス配置した表示液晶セル
領域5を中心に、駆動ドライバーの実装領域6、対向基
板を貼り付けて液晶材料を表示液晶セル領域5に封入固
定させるためのシール領域7、表示液晶セル領域5とシ
ール領域7に挟まれた非表示液晶セル領域8がある。非
表示液晶セル領域8は、製造上のばらつきでシール領域
7の位置にずれが生じても表示液晶セル領域5にシール
領域7が重なり表示不良となることを防止するために存
在する余裕領域である。また、ここで9はシール領域7
と非表示液晶セル領域8を合わせた領域(以下、画面額
縁と呼ぶ)、10は表示液晶セル領域5と非表示液晶セ
ル領域8を合わせた領域(以下、液晶セル領域と呼ぶ)
である。
First, an outline of a thin film transistor substrate of an active matrix type liquid crystal display device will be described.
FIG. 3 shows a schematic diagram thereof. Reference numeral 1 is a mother glass substrate, 2 is an effective region of a thin film transistor substrate required for a liquid crystal display device, and here, a case of a plurality of chamfers in which effective regions for two panels are arranged is shown. Reference numerals 3a and 3b are unit effective areas (hereinafter referred to as chips) for one panel. Reference numeral 4 denotes an area (hereinafter, referred to as a mother glass frame) necessary for transporting the mother glass substrate 1 in a manufacturing process, forming a recognition pattern, and the like. Effective area 2 of thin film transistor substrate
Inside, the display liquid crystal cell region 5 in which thin film transistors, which are active elements for switching the liquid crystal, are arranged in a matrix, and the drive driver mounting region 6 and the opposite substrate are attached to the liquid crystal material to be sealed and fixed in the display liquid crystal cell region 5. There are a seal region 7 for displaying, a display liquid crystal cell region 5 and a non-display liquid crystal cell region 8 sandwiched between the seal regions 7. The non-display liquid crystal cell region 8 is a marginal region that exists to prevent the display region from overlapping with the display liquid crystal cell region 5 even if the position of the seal region 7 is displaced due to manufacturing variations. is there. Also, here 9 is the seal area 7.
And a non-display liquid crystal cell region 8 are combined (hereinafter referred to as a screen frame), 10 is a region where the display liquid crystal cell region 5 and the non-display liquid crystal cell region 8 are combined (hereinafter referred to as a liquid crystal cell region)
It is.

【0004】マザーガラス基板1を最大限有効に使うた
めには、まず第1に、マザーガラス額縁4を最小にする
方法があるが、これは製造設備の構造に制約を受けるた
め現在のところ一定以下のサイズは期待できない。ま
た、マザーガラス額縁4はチップ3a,3bの面取り数
にかかわらず一定の値をとるため、面取り数が増加する
ほど1チップ当たりの影響が分散されるためチップサイ
ズへの影響はそれほど大きくない。
In order to make the most effective use of the mother glass substrate 1, firstly, there is a method of minimizing the mother glass frame 4, but this is currently constant because of the restriction of the structure of the manufacturing equipment. The following sizes cannot be expected. Further, since the mother glass frame 4 has a constant value regardless of the number of chamfers of the chips 3a and 3b, the influence per chip is dispersed as the number of chamfers increases, so the influence on the chip size is not so large.

【0005】第2に、薄膜トランジスタ基板の有効領域
2が一定と考えた場合、各面取り数における最大チップ
サイズは自ら決まってくるため、表示液晶セル領域5を
大きくするためには画面額縁9を小さくするしか方法は
ない。また表示液晶セル領域5の大きさを固定して、多
面取り数を最大にする場合においても、画面額縁9を小
さくすることで、チップ3a,3bの大きさを最小に抑
えるのが有効である。さらに、画面額縁9は表示液晶セ
ル領域5の大きさに制約を受けずほぼ一定であるため、
面取り数が増加するほどその影響は大である。
Secondly, when the effective area 2 of the thin film transistor substrate is considered to be constant, the maximum chip size for each chamfering number is determined by itself. Therefore, in order to enlarge the display liquid crystal cell area 5, the screen frame 9 is made small. There is no way but to do it. Further, even when the size of the display liquid crystal cell region 5 is fixed and the number of multi-panels is maximized, it is effective to minimize the size of the chips 3a and 3b by reducing the screen frame 9. . Further, since the screen frame 9 is almost constant without being restricted by the size of the display liquid crystal cell region 5,
The greater the number of chamfers, the greater the effect.

【0006】そのため、通常は画面額縁9を最小にする
べく設計上の対処を行っている。図4は、画面額縁近傍
を拡大し詳細を示したものである。30は表示液晶セル
領域5内にある表示有効画素、31は非表示液晶セル領
域8にある非表示画素、32はソース信号配線、33は
ゲート信号配線である。ここで、非表示画素31は表示
有効画素30と同様に、ソース信号配線32およびゲー
ト信号配線33が接続され、表示有効画素30と全く同
様の駆動がなされ、通常は表示有効画素30と全く同一
の画素パターンを一行以上配置することが多い。このよ
うにして非表示画素31を配置する理由はいくつかある
が、最大の理由は表示品質の信頼性上の課題のためであ
る。
For this reason, a design measure is usually taken to minimize the screen frame 9. FIG. 4 is an enlarged view of the details near the frame of the screen. Reference numeral 30 is a display effective pixel in the display liquid crystal cell area 5, 31 is a non-display pixel in the non-display liquid crystal cell area 8, 32 is a source signal wiring, and 33 is a gate signal wiring. Here, like the display effective pixel 30, the non-display pixel 31 is connected with the source signal wiring 32 and the gate signal wiring 33, is driven in exactly the same manner as the display effective pixel 30, and is normally the same as the display effective pixel 30. In many cases, the pixel pattern of is arranged in one or more rows. There are several reasons for arranging the non-display pixel 31 in this way, but the biggest reason is that the reliability of display quality is a problem.

【0007】表示品質の信頼性上の課題とは次のような
ものである。通常、液晶分子を所定の方向に配列させる
ために行う配向処理は、レーヨン、ナイロンなどの繊維
を用いた布を、一定荷重下にて基板上の配向膜(ポリイ
ミド系樹脂)を一定方向に擦るラビング法を用いて行う
が、摩擦によって基板から削り取られて布に付着した配
向膜が、異物として基板上に少なからず再付着してお
り、その付着量は明らかに基板の段差形状の変化が大き
いほど多い傾向がある。つまり、画素を配置した領域と
配線領域の境目に集中して再付着する。再付着した配向
異物は、ラビング時の摩擦熱と空気中の水分とで、イミ
ド結合が破壊されており、カルボン酸がイオンとして分
離され易い状態である。これらはイオン性不純物として
時間とともに液晶中に拡散していく。イオン性不純物は
液晶の電圧保持率を劣化させるが、液晶中に均一に拡散
した状態では画像表示上の輝度むらとは認識されず大き
な問題とはならない。しかしながら、先に述べたように
再付着異物の分布は当初より画面周辺に集中しており均
一な拡散は不可能である。さらに、それらの不純物はイ
オン性を持っているため、駆動時間の経過とともに液晶
セル中を移動する性質を持っており、特にDC成分を多
く持つゲート信号に大きく影響される。すなわちゲート
の走査方向に依存した一定方向にイオン性不純物は移動
し、集中して存在する領域が形成されることになる。こ
の領域に集中したイオン性不純物によって、局部的な電
荷保持率の低下が起こり画像表示上の輝度むらとして観
察されることになるわけである。
The problems of reliability of display quality are as follows. Usually, the alignment treatment for aligning the liquid crystal molecules in a predetermined direction is performed by rubbing a cloth using fibers such as rayon and nylon in a predetermined direction with the alignment film (polyimide resin) on the substrate under a constant load. Although the rubbing method is used, the alignment film, which was scraped off from the substrate by friction and adhered to the cloth, is reattached to the substrate as foreign matter in no small amount, and the amount of the adhered amount obviously changes greatly in the step shape of the substrate. Tend to be moderate. That is, they are reattached in a concentrated manner at the boundary between the area where the pixels are arranged and the wiring area. The reattached alignment foreign matter is in a state where the imide bond is destroyed by the frictional heat during rubbing and the water content in the air, and the carboxylic acid is easily separated as an ion. These diffuse as ionic impurities into the liquid crystal over time. The ionic impurities deteriorate the voltage holding ratio of the liquid crystal, but in a state where the liquid crystal is uniformly diffused in the liquid crystal, the uneven brightness on the image display is not recognized and it is not a big problem. However, as described above, the distribution of the redeposited foreign matter is concentrated around the screen from the beginning, and uniform diffusion is impossible. Further, since these impurities have ionicity, they have the property of moving in the liquid crystal cell as the driving time elapses, and in particular, are greatly affected by the gate signal having many DC components. That is, the ionic impurities move in a certain direction depending on the scanning direction of the gate, forming a region where they are concentrated. The ionic impurities concentrated in this region cause a local decrease in the charge retention rate, which is observed as brightness unevenness on the image display.

【0008】よって、この表示品質の信頼性上の課題で
ある輝度むらを防止するためには、正規駆動する非表示
画素31を非表示液晶セル領域8に配置することで、イ
オン性不純物の発生源となるラビング異物の再付着領域
を表示液晶セル領域5から遠ざけることと、ゲートの走
査によって移動したイオン性不純物が最終的に集中する
領域を非表示液晶セル領域8の非表示画素31のゲート
電極付近にとどめることが有効な手段となっていた。
Therefore, in order to prevent the uneven brightness, which is a problem in the reliability of the display quality, the non-display pixel 31 which is normally driven is arranged in the non-display liquid crystal cell region 8 to generate the ionic impurities. The re-adhesion region of the rubbing foreign substance as the source is kept away from the display liquid crystal cell region 5, and the region where the ionic impurities moved by the scanning of the gate is finally concentrated is the gate of the non-display pixel 31 of the non-display liquid crystal cell region 8. It was an effective means to keep it near the electrodes.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構造では、同一画面サイズ下でのチップ面積の縮小
や多面取り数増のため画面額縁サイズの最小最適化を試
みた場合、シール領域7は、信頼性上の問題で一定の幅
以下にはできないため、非表示液晶セル領域8を切り詰
めて縮小するのが唯一の方法であった。非表示液晶セル
領域8を縮小するためには、従来の技術では非表示画素
31の配置列数を減少させるか全く無くしてしまうしか
方法はなかった。なぜならば、非表示画素31の配置列
数を変更せずに非表示液晶セル領域8を縮小すると、シ
ール領域7の製造上のばらつきを考慮した場合、ワース
トケースにはシール領域7が非表示画素31に重なって
しまう。この重なった部分は液晶自体が存在できないた
め、従来の技術で述べた、非表示画素31の持っている
イオン性不純物の捕獲電極としての機能を失ってしま
い、画像表示上の輝度むら発生を防止できなくなる上
に、通常はシール領域7のアクティブ基板側との接触面
はほぼ一定均一のソース信号配線またはゲート信号配線
であったものが、一部が段差および表面状態の異なる非
表示画素31との接触になるため、密着性の低下による
シール性の課題や、段差不均一による液晶セルのギャッ
プむら課題の一因となる危険性をはらんでいた。
However, in the above-mentioned conventional structure, when an attempt is made to minimize the screen frame size in order to reduce the chip area under the same screen size and increase the number of multiple cuts, the seal area 7 is However, because of a problem in reliability, the width cannot be less than a certain width, so that the non-display liquid crystal cell region 8 is truncated and reduced only. In order to reduce the size of the non-display liquid crystal cell region 8, in the conventional technique, the only method is to reduce or eliminate the number of columns in which the non-display pixels 31 are arranged. This is because, if the non-display liquid crystal cell area 8 is reduced without changing the number of columns in which the non-display pixels 31 are arranged, considering the manufacturing variation of the seal area 7, the worst case is when the seal area 7 is not the display pixel. It overlaps with 31. Since the liquid crystal itself cannot exist in this overlapped portion, the function as a capture electrode for the ionic impurities possessed by the non-display pixel 31 described in the related art is lost, and the occurrence of uneven brightness on the image display is prevented. In addition, the contact surface of the seal area 7 with the active substrate side is normally a uniform and uniform source signal wiring or gate signal wiring. Therefore, there is a risk that it may cause a problem of sealing property due to deterioration of adhesion and a problem of unevenness of gap of liquid crystal cell due to unevenness of steps.

【0010】この発明は上記従来の課題を解決するた
め、画像表示上の輝度むら,ならびに液晶のシール性能
の低下を招かずに、基板の有効利用が図れるアクティブ
マトリクス方式液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
In order to solve the above-mentioned conventional problems, the present invention provides an active matrix type liquid crystal display device in which the substrate can be effectively used without causing the unevenness of brightness on the image display and the deterioration of the sealing performance of the liquid crystal. With the goal.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】請求項1のアクティブマ
トリクス方式液晶表示装置は、主面に走査信号ラインと
表示信号ラインをXYマトリックス状に配置し、この走
査信号ラインと表示信号ラインにより区画された領域に
薄膜トランジスタおよび画素電極を形成した第1の基板
と、第1の基板の主面に重ねられてこの主面に対向する
面に対向電極を形成した第2の基板と、第1の基板と第
2の基板の間に封入した液晶とを備え、第1の基板の最
外周に並んだ画素電極を他の画素電極の形状より小さく
するとともに最外周の走査信号ラインおよび表示信号ラ
インを内側に寄せることにより、非表示ダミー画素とし
たことを特徴とするものである。
According to another aspect of the present invention, there is provided an active matrix type liquid crystal display device in which scanning signal lines and display signal lines are arranged in an XY matrix on a main surface, and the scanning signal lines and the display signal lines are partitioned. A first substrate having a thin film transistor and a pixel electrode formed in a region, a second substrate overlaid on a main surface of the first substrate and having a counter electrode on a surface facing the main surface, and a first substrate And a liquid crystal enclosed between the second substrate, the pixel electrodes arranged on the outermost periphery of the first substrate are smaller than the shapes of the other pixel electrodes, and the scanning signal lines and the display signal lines on the outermost periphery are provided inside. It is characterized in that it is made into a non-display dummy pixel by being brought close to the above.

【0012】請求項2のアクティブマトリクス方式液晶
表示装置は、主面に走査信号ラインと表示信号ラインを
XYマトリックス状に配置し、この走査信号ラインと表
示信号ラインにより区画された領域に薄膜トランジスタ
および画素電極を形成した第1の基板と、第1の基板の
主面に重ねられてこの主面に対向する面に対向電極を形
成した第2の基板と、第1の基板と第2の基板の間に封
入した液晶とを備え、第1の基板の外周に並んだ1また
は2列以上の画素電極を省略するとともに、省略した画
素電極列に対応する走査信号ラインおよび表示信号ライ
ンを内側に寄せることにより、ダミー信号配線としたこ
とを特徴とするものである。
According to another aspect of the active matrix type liquid crystal display device, scanning signal lines and display signal lines are arranged in an XY matrix on the main surface, and thin film transistors and pixels are arranged in a region partitioned by the scanning signal lines and the display signal lines. A first substrate on which electrodes are formed, a second substrate on which a counter electrode is formed on a main surface of the first substrate and which faces the main surface, and a first substrate and a second substrate. A liquid crystal enclosed between the first substrate and one or more columns of pixel electrodes arranged on the outer periphery of the first substrate are omitted, and the scanning signal lines and the display signal lines corresponding to the omitted pixel electrode columns are moved inward. As a result, the dummy signal wiring is used.

【0013】[0013]

【作用】請求項1の構成によれば、第1の基板の最外周
に並んだ画素電極を他の画素電極の形状より小さくする
とともに、最外周の走査信号ラインおよび表示信号ライ
ンを内側に寄せることにより、非表示ダミー画素とした
ので、非表示液晶セル領域が狭くても通常の非表示画素
と同等の作用をする非表示ダミー画素を配置でき、液晶
中のイオン性不純物を非表示液晶セル領域内にとどめる
ことができ、画像表示上の輝度むら,ならびに液晶のシ
ール性能の低下を招かずに、非表示液晶セル領域を狭く
して基板の有効利用を図ることができる。
According to the structure of claim 1, the pixel electrodes arranged on the outermost periphery of the first substrate are made smaller than the shapes of the other pixel electrodes, and the scanning signal lines and the display signal lines on the outermost periphery are brought inward. Since this is a non-display dummy pixel, even if the non-display liquid crystal cell area is narrow, a non-display dummy pixel that has the same function as a normal non-display pixel can be arranged, and ionic impurities in the liquid crystal can be removed from the non-display liquid crystal cell. The area of the non-display liquid crystal cell can be narrowed and the substrate can be effectively used without causing unevenness in brightness on image display and deterioration of liquid crystal sealing performance.

【0014】請求項2の構成によれば、第1の基板の外
周に並んだ1または2列以上の画素電極を省略するとと
もに、省略した画素電極列に対応する走査信号ラインお
よび表示信号ラインを内側に寄せることにより、ダミー
信号配線としたので、非表示液晶セル領域が狭くてもダ
ミー信号配線を配置することで、液晶中のイオン性不純
物を非表示液晶セル領域内にとどめることができ、画像
表示上の輝度むら,ならびに液晶のシール性能の低下を
招かずに、非表示液晶セル領域を狭くして基板の有効利
用を図ることができる。
According to the structure of claim 2, one or more pixel electrodes arranged on the outer periphery of the first substrate are omitted, and the scanning signal line and the display signal line corresponding to the omitted pixel electrode column are omitted. By arranging the dummy signal wiring by arranging the dummy signal wiring toward the inside, even if the non-display liquid crystal cell area is narrow, it is possible to keep the ionic impurities in the liquid crystal within the non-display liquid crystal cell area. The non-display liquid crystal cell region can be narrowed and the substrate can be effectively used without causing unevenness in brightness on the image display and deterioration of the liquid crystal sealing performance.

【0015】[0015]

【実施例】この発明の一実施例について、図面を参照し
ながら説明する。図1は、この発明の一実施例のアクテ
ィブマトリクス方式液晶表示装置の薄膜トランジスタ基
板の画面額縁近傍の概略図である。なお、薄膜トランジ
スタ基板の概略構成については、図3に示した例と同様
であり、同一部分には同一符号を付す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view of the vicinity of a screen frame of a thin film transistor substrate of an active matrix type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. The schematic structure of the thin film transistor substrate is similar to that of the example shown in FIG. 3, and the same portions are denoted by the same reference numerals.

【0016】図1において、5は表示液晶セル領域、7
はシール領域、8は非表示液晶セル領域である。表示液
晶セル領域5は、表示有効画素12,表示信号ラインと
なるソース信号配線13,走査信号ラインとなるゲート
信号配線14とそれに隣接したソース電極15,ゲート
電極16,TFTの半導体層17,ドレイン電極18と
それに接続した画素電極19とで構成されている。
In FIG. 1, 5 is a display liquid crystal cell region, and 7
Is a seal area, and 8 is a non-display liquid crystal cell area. The display liquid crystal cell region 5 includes a display effective pixel 12, a source signal line 13 serving as a display signal line, a gate signal line 14 serving as a scanning signal line and a source electrode 15 adjacent to the gate signal line 14, a gate electrode 16, a semiconductor layer 17 of a TFT, and a drain. It is composed of an electrode 18 and a pixel electrode 19 connected thereto.

【0017】非表示液晶セル領域8には、非表示ダミー
画素20がゲート信号配線14と平行に1行配置してあ
る。。非表示ダミー画素20は、表示有効画素12と同
様、ソース信号配線13およびゲート信号配線26が接
続され、ダミーソース電極21,ダミーゲート電極2
2,ダミー半導体層23,ダミードレイン電極24,ダ
ミー画素電極25を有するが、サイズ縮小のためソース
信号配線13に平行方向のサイズを、表示有効画素12
のそれの1/2にしてあり、その分ゲート信号配線26
も内側に寄せてある。この時、ダミー画素電極25の電
位は、表示有効画素12の画素電極19の電位と基本的
に同一にするため、TFTサイズおよび寄生容量の大き
さ、ダミーソース電極21,ダミーゲート電極22,ダ
ミー半導体層23,ダミードレイン電極24,ダミー画
素電極25の設計パラメーターを最適化して調整するの
が望ましい。
In the non-display liquid crystal cell area 8, one non-display dummy pixel 20 is arranged in parallel with the gate signal line 14. . Like the display effective pixel 12, the non-display dummy pixel 20 is connected to the source signal line 13 and the gate signal line 26, and is connected to the dummy source electrode 21 and the dummy gate electrode 2.
2, the dummy semiconductor layer 23, the dummy drain electrode 24, and the dummy pixel electrode 25 are provided, but the size in the direction parallel to the source signal line 13 is set to the display effective pixel 12 in order to reduce the size.
Half of that of the gate signal wiring 26
Is also placed inside. At this time, since the potential of the dummy pixel electrode 25 is basically the same as the potential of the pixel electrode 19 of the display effective pixel 12, the size of the TFT and the parasitic capacitance, the dummy source electrode 21, the dummy gate electrode 22, the dummy It is desirable to optimize and adjust the design parameters of the semiconductor layer 23, the dummy drain electrode 24, and the dummy pixel electrode 25.

【0018】このように構成されたアクティブマトリク
ス方式液晶表示装置によると、非表示液晶セル領域8が
狭く、表示有効画素12と同サイズの非表示画素を配置
できない場合においても、表示有効画素12と同等の動
作をする非表示ダミー画素20を従来の半分の領域に配
置できるため、シール領域7との距離を縮めることなく
非表示ダミー画素20を形成できる。よって、非表示ダ
ミー画素20の持っているイオン性不純物の捕獲電極と
しての機能により、たとえ液晶中にイオン性不純物が存
在しても非表示液晶セル領域8にとどめることができ、
画像表示上の輝度むら,ならびに液晶のシール性能の低
下を招かずに、非表示液晶セル領域8を狭くして基板の
有効利用が図れる。
According to the active matrix type liquid crystal display device having such a configuration, even when the non-display liquid crystal cell region 8 is narrow and the non-display pixel having the same size as the display effective pixel 12 cannot be arranged, Since the non-display dummy pixels 20 that perform the same operation can be arranged in a half of the conventional area, the non-display dummy pixels 20 can be formed without reducing the distance from the seal area 7. Therefore, due to the function of the non-display dummy pixel 20 as a capture electrode for the ionic impurities, even if the ionic impurities are present in the liquid crystal, they can be retained in the non-display liquid crystal cell region 8.
The non-display liquid crystal cell region 8 can be narrowed and the substrate can be effectively used without causing unevenness in brightness on the image display and deterioration of the liquid crystal sealing performance.

【0019】なお、この実施例では、非表示ダミー画素
20のサイズが表示有効画素12の1/2の大きさのも
のを1行配置した場合を例にとって説明したが、表示有
効画素12より小さければ特に大きさは限定されるもの
ではなく、また、配置行数についても、特に限定される
ものではない。この発明の他の実施例について、図面を
参照しながら説明する。図2は、この発明の他の実施例
のアクティブマトリクス方式液晶表示装置の薄膜トラン
ジスタ基板の画面額縁近傍の概略図を示している。な
お、図1の実施例と同一部分は同一符号を付してその説
明を省略する。
In this embodiment, the case where the size of the non-display dummy pixel 20 is half the size of the display effective pixel 12 is arranged in one row has been described. However, it is smaller than the display effective pixel 12. For example, the size is not particularly limited, and the number of arranged rows is also not particularly limited. Another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a schematic view of the vicinity of a screen frame of a thin film transistor substrate of an active matrix type liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. The same parts as those in the embodiment of FIG. 1 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0020】この実施例は、非表示液晶セル領域8にダ
ミーゲート信号配線27のみを配置したもので、ダミー
ゲート信号配線27は2本配置し、その配置間隔は表示
有効画素12のソース信号配線13に平行方向の辺の大
きさの1/4としてある。この場合、薄膜トランジスタ
や画素電極は配置しない。このように構成されたアクテ
ィブマトリクス方式液晶表示装置によると、液晶セル中
のイオン性不純物を捕獲することができるダミーゲート
信号配線27を、狭い非表示液晶セル領域8に確保でき
るため、前記第1の実施例と同様の効果が得られる。
In this embodiment, only the dummy gate signal wirings 27 are arranged in the non-display liquid crystal cell area 8. Two dummy gate signal wirings 27 are arranged and the arrangement interval is the source signal wiring of the display effective pixel 12. 13 is 1/4 of the size of the side in the parallel direction. In this case, the thin film transistor and the pixel electrode are not arranged. According to the active matrix type liquid crystal display device configured as described above, the dummy gate signal wiring 27 capable of capturing the ionic impurities in the liquid crystal cell can be secured in the narrow non-display liquid crystal cell region 8. The same effect as that of the embodiment can be obtained.

【0021】なお、この実施例では、ダミーゲート信号
配線27のピッチが表示有効画素12の1/4の大きさ
のものを2本配置した場合を例にとって説明したが、非
表示液晶セル領域8を狭くできるものであれば、ピッチ
と配置本数は必要に応じて自由に選択してもかまわな
い。なお、前記各実施例では、非表示液晶セル領域8の
一辺のみについて記載したが、残りの三辺についても同
様に本発明の構成を適用してもよい。例えば、ゲート信
号配線14方向の非表示液晶セル領域8にあっては、ゲ
ート信号配線14に平行方向のサイズが1/2の非表示
ダミー画素を形成し、最外周のソース信号配線を内側に
寄せたり、あるいは画素電極を省略し、ソース信号配線
を内側に寄せることでダミーソース信号配線を形成して
もよい。また、非表示ダミー画素,ダミー信号配線を形
成するのは、非表示液晶セル領域8の一辺のみに限るも
のではなく、2辺以上に形成してもよい。
In this embodiment, the case where two dummy gate signal wirings 27 having a pitch of 1/4 of the effective display pixels 12 are arranged is explained, but the non-display liquid crystal cell area 8 is used. The pitch and the number of arrangements may be freely selected as needed as long as the width can be narrowed. In each of the above-described embodiments, only one side of the non-display liquid crystal cell region 8 is described, but the configuration of the present invention may be similarly applied to the remaining three sides. For example, in the non-display liquid crystal cell region 8 in the direction of the gate signal wiring 14, a non-display dummy pixel having a size of 1/2 in the parallel direction is formed in the gate signal wiring 14, and the source signal wiring on the outermost periphery is inward. Alternatively, the dummy source signal wiring may be formed by bringing the source signal wiring inward by omitting the pixel electrode. Further, the non-display dummy pixel and the dummy signal wiring are not limited to be formed on only one side of the non-display liquid crystal cell region 8, but may be formed on two or more sides.

【0022】[0022]

【発明の効果】請求項1の構成によれば、第1の基板の
最外周に並んだ画素電極を他の画素電極の形状より小さ
くするとともに、最外周の走査信号ラインおよび表示信
号ラインを内側に寄せることにより、非表示ダミー画素
としたので、非表示液晶セル領域が狭くても通常の非表
示画素と同等の作用をする非表示ダミー画素を配置で
き、液晶中のイオン性不純物を非表示液晶セル領域内に
とどめることができ、画像表示上の輝度むら,ならびに
液晶のシール性能の低下を招かずに、非表示液晶セル領
域を狭くして基板の有効利用を図ることができ、コンパ
クト・大画面・高生産性・高品質・高歩留まりを同時に
実現できるという効果が得られる。
According to the structure of the first aspect, the pixel electrodes arranged on the outermost periphery of the first substrate are made smaller than the shapes of the other pixel electrodes, and the scanning signal lines and the display signal lines on the outermost periphery are formed inside. The non-display dummy pixels can be arranged even if the non-display liquid crystal cell area is narrow by arranging the non-display dummy pixels so that the ionic impurities in the liquid crystal are not displayed. The size of the non-display liquid crystal cell can be narrowed and the substrate can be effectively used without causing unevenness in brightness on the image display and deterioration of the liquid crystal sealing performance. Large screen, high productivity, high quality, and high yield can be achieved at the same time.

【0023】請求項2の構成によれば、第1の基板の外
周に並んだ1または2列以上の画素電極を省略するとと
もに、省略した画素電極列に対応する走査信号ラインお
よび表示信号ラインを内側に寄せることにより、ダミー
信号配線としたので、非表示液晶セル領域が狭くてもダ
ミー信号配線を配置することで、液晶中のイオン性不純
物を非表示液晶セル領域内にとどめることができ、画像
表示上の輝度むら,ならびに液晶のシール性能の低下を
招かずに、非表示液晶セル領域を狭くして基板の有効利
用を図ることができ、コンパクト・大画面・高生産性・
高品質・高歩留まりを同時に実現できるという効果が得
られる。
According to the configuration of claim 2, one or more pixel electrodes arranged on the outer periphery of the first substrate are omitted, and the scanning signal lines and the display signal lines corresponding to the omitted pixel electrode columns are omitted. By arranging the dummy signal wiring by arranging the dummy signal wiring toward the inside, even if the non-display liquid crystal cell area is narrow, it is possible to keep the ionic impurities in the liquid crystal within the non-display liquid crystal cell area. The non-display liquid crystal cell area can be narrowed and the substrate can be effectively used without causing uneven brightness on the image display and deterioration of the liquid crystal sealing performance. Compact, large screen, high productivity,
The effect is that high quality and high yield can be achieved at the same time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例のアクティブマトリクス方
式液晶表示装置の画面額縁近傍の概略図である。
FIG. 1 is a schematic view of the vicinity of a screen frame of an active matrix type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の他の実施例のアクティブマトリクス
方式液晶表示装置の画面額縁近傍の概略図である。
FIG. 2 is a schematic view of the vicinity of a screen frame of an active matrix type liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

【図3】アクティブマトリクス方式液晶表示装置の薄膜
トランジスタ基板の概略図である。
FIG. 3 is a schematic view of a thin film transistor substrate of an active matrix type liquid crystal display device.

【図4】従来例のアクティブマトリクス方式液晶表示装
置の画面額縁近傍の概略図である。
FIG. 4 is a schematic view of the vicinity of a screen frame of an active matrix type liquid crystal display device of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

5 表示液晶セル領域 7 シール領域 8 非表示液晶セル領域 12 表示有効画素 13 ソース信号配線 14,26 ゲート信号配線 19 画素電極 20 非表示ダミー画素 27 ダミーゲート信号配線 5 Display Liquid Crystal Cell Area 7 Seal Area 8 Non-Display Liquid Crystal Cell Area 12 Display Effective Pixel 13 Source Signal Wiring 14, 26 Gate Signal Wiring 19 Pixel Electrode 20 Non-Display Dummy Pixel 27 Dummy Gate Signal Wiring

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 主面に走査信号ラインと表示信号ライン
をXYマトリックス状に配置し、この走査信号ラインと
表示信号ラインにより区画された領域に薄膜トランジス
タおよび画素電極を形成した第1の基板と、 前記第1の基板の主面に重ねられてこの主面に対向する
面に対向電極を形成した第2の基板と、 前記第1の基板と前記第2の基板の間に封入した液晶と
を備えたアクティブマトリクス方式液晶表示装置であっ
て、 前記第1の基板の最外周に並んだ画素電極を他の画素電
極の形状より小さくするとともに最外周の走査信号ライ
ンおよび表示信号ラインを内側に寄せることにより、非
表示ダミー画素としたことを特徴とするアクティブマト
リクス方式液晶表示装置。
1. A first substrate in which scanning signal lines and display signal lines are arranged in an XY matrix on a main surface, and thin film transistors and pixel electrodes are formed in regions partitioned by the scanning signal lines and display signal lines. A second substrate overlaid on a main surface of the first substrate and having a counter electrode formed on a surface facing the main surface; and a liquid crystal sealed between the first substrate and the second substrate. An active matrix type liquid crystal display device provided with the pixel electrodes arranged on the outermost periphery of the first substrate smaller than the shapes of other pixel electrodes, and the scanning signal lines and display signal lines on the outermost periphery are brought inward. Accordingly, the active matrix type liquid crystal display device is characterized by using non-display dummy pixels.
【請求項2】 主面に走査信号ラインと表示信号ライン
をXYマトリックス状に配置し、この走査信号ラインと
表示信号ラインにより区画された領域に薄膜トランジス
タおよび画素電極を形成した第1の基板と、 前記第1の基板の主面に重ねられてこの主面に対向する
面に対向電極を形成した第2の基板と、 前記第1の基板と前記第2の基板の間に封入した液晶と
を備えたアクティブマトリクス方式液晶表示装置であっ
て、 前記第1の基板の外周に並んだ1または2列以上の画素
電極を省略するとともに、省略した画素電極列に対応す
る走査信号ラインおよび表示信号ラインを内側に寄せる
ことにより、ダミー信号配線としたことを特徴とするア
クティブマトリクス方式液晶表示装置。
2. A first substrate in which scanning signal lines and display signal lines are arranged in an XY matrix on the main surface, and thin film transistors and pixel electrodes are formed in regions partitioned by the scanning signal lines and display signal lines. A second substrate overlaid on a main surface of the first substrate and having a counter electrode formed on a surface facing the main surface; and a liquid crystal sealed between the first substrate and the second substrate. An active matrix type liquid crystal display device comprising: a first substrate, wherein one or more columns of pixel electrodes arranged on the outer periphery of the first substrate are omitted, and scanning signal lines and display signal lines corresponding to the omitted pixel electrode columns An active matrix type liquid crystal display device, characterized in that a dummy signal wiring is formed by moving the inside.
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