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JPH0950241A - 画像形成装置 - Google Patents

画像形成装置

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JPH0950241A
JPH0950241A JP20345995A JP20345995A JPH0950241A JP H0950241 A JPH0950241 A JP H0950241A JP 20345995 A JP20345995 A JP 20345995A JP 20345995 A JP20345995 A JP 20345995A JP H0950241 A JPH0950241 A JP H0950241A
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JP
Japan
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electron
image forming
display panel
forming apparatus
heat
Prior art date
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Application number
JP20345995A
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JP3744978B2 (ja
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Toshimitsu Kawase
俊光 川瀬
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Canon Inc
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Canon Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 表示パネルの反りやうねりに対応した安定な
支持と、均一な放熱ができ、安全な設置及び色ずれや破
壊のない安定した高精細な画像形成装置を提供する。 【解決手段】 電子放出素子を搭載したリアプレート
と、該リアプレートと対向配置されると共に該電子放出
素子から放出される電子線の照射により画像が形成され
る画像形成部材を搭載するフェースプレートと、該フェ
ースプレートと該リアプレートで形成される表示パネル
を有する画像形成装置において、該表示パネルが熱伝導
可能かつ、伸縮機能を有する支持部材を介して放熱部材
を設けてなり、前記表示パネルにならって該表示パネル
を支持するようにしたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子源を応用した
表示装置、記録装置等の画像形成装置に関し、薄型の画
像形成装置の放熱装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、電子放出素子として熱電子源と冷
陰極電子源の2種類が知られている。冷陰極電子源には
電界放出型(以下FE型と略す)、金属/絶縁層/金属
型(以下MIM型と略す)や表面伝導型電子放出素子等
がある。FE型の例としてはW.P.Dyke &
W.W.Dolan、”Field emissio
n”、Advance in Electron Ph
ysics、8 89(1956) あるいは C.
A.Spindt、”Physical Proper
ties of thin−film field e
mission cathodes with mol
ybdenium”、J.Appl.Phys.、47
5248(1976)等が知られている。MIM型の
例としてはC.A.Mead、”The tunnel
−emission amplifier、J.App
l.Phys.、32 646(1961)等が知られ
ている。表面伝導型電子放出素子型の例としては、M.
I.Elinson、RadioEng. Elect
ron Phys.、10(1965)等がある。表面
伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積の薄
膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が
生ずる現象を利用するものである。この表面伝導型電子
放出素子としては、前記エリンソン等によるSnO2
膜を用いたもの、Au薄膜によるもの[G.Dittm
er:”Thin Solid Films”、9 3
17(1972)]、In23 /SnO2 薄膜による
もの[M.Hartwell and C.G.Fon
stad:”IEEE Trans. ED Con
f.”、519(1975)]、カーボン薄膜によるも
の[荒木久 他:真空、第26巻、第1号、22頁(1
983)]等が報告されている。これらの表面伝導型電
子放出素子の典型的な素子構成として前述のM.ハート
ウェルの素子構成を従来図18に示す。同図において1
81は基板である。184は導電性薄膜で、H型形状の
パターンに、スパッタで形成された金属酸化物薄膜等か
らなり、後述の通電フォーミングと呼ばれる通電処理に
より電子放出部185が形成される。尚、図中の素子電
極間隔Lは、0.5〜1mm、W’は、0.1mmで設
定されている。尚、電子放出部185の位置及び形状に
ついては、不明であるので模式図として表した。
【0003】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に導電性薄膜184を予め
通電フォーミングと呼ばれる通電処理によって電子放出
部185を形成するのが一般的であった。即ち、通電フ
ォーミングとは前記導電性薄膜184の両端に直流電
圧、あるいは非常にゆっくりとした昇電圧例えば1V/
分程度を印加通電し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形
もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子
放出部185を形成することである。尚、電子放出部1
85は導電性薄膜184の一部に亀裂が発生しその亀裂
付近から電子放出が行われる。前記通電フォーミング処
理をした表面伝導型電子放出素子は、上述導電性薄膜1
84に電圧を印加し、素子に電流を流すことにより上述
電子放出部185より電子を放出せしめるものである。
上述の表面伝導型放出素子は構造が単純で製造も容易で
あることから、大面積にわたり多数素子を配列形成でき
る利点がある。そこでこの特徴を生かせるようないろい
ろな応用が研究されている。例えば、荷電ビーム源、画
像表示装置等の表示装置があげられる。
【0004】このような電子放出素子を用いた画像表示
装置としては、電子放出部を搭載したリアプレートと画
像形成部材を搭載したフェースプレートと、両者を支持
枠を介して真空封止したものが知られている。
【0005】このような画像形成装置は、一般的に画像
形成部材を搭載したフェースプレートと、電子源基板を
搭載したリアプレートと、青板ガラスを切断加工して形
成した支持枠の部材をフリットガラス接着部材を用い
て、フリットガラスが溶融凝固するような温度まで昇温
し冷却することで各部材を接着し製造している。この
時、熱工程において、均一な温度上昇及び温度管理を装
置全体にわたって行うことが困難なために非線形に装置
全体が湾曲することがある。
【0006】また従来の電子放出素子を用いて薄型で大
面積の画像形成装置を製造可能であるが、形成するフェ
ースプレート、リアプレート、支持枠部材を大面積にわ
たって平面精度を保持することが困難であり画像形成装
置に反りやうねりを持つことがある。
【0007】さらに、画像形成装置を駆動し表示させる
場合、リアプレート上の電子放出部の発熱とフェースプ
レート上の画像形成部材の発熱により、フェースプレー
トとリアプレート及び支持枠間に温度差が生じ熱膨張の
差により、画像形成装置に反りが発生し装置全体が湾曲
する場合がある。
【0008】この結果色ずれ、輝度低下、画面の歪みが
発生し、長時間駆動すれば真空リークや装置の破壊等が
起こる恐れがあった。
【0009】このため、画像形成装置のもつ反りやうね
りに対応して安定に支持するとともに、駆動時に起こる
反りを抑制する均一な放熱手段が必要とされる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来技術の上
記問題点を解決したフラットでかつ大型の画像形成装置
を安全に支持し、かつ均一放熱による色ずれのない高精
細な画像形成装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的は下記手段によ
って達成される。すなわち、本発明は、電子放出素子を
搭載したリアプレートと、該リアプレートと対向配置さ
れると共に該電子放出素子から放出される電子線の照射
により画像が形成される画像形成部材を搭載するフェー
スプレートと、該フェースプレートと該リアプレートで
形成される表示パネルを有する画像形成装置において、
該表示パネルが熱伝導可能かつ伸縮機能を有する支持部
材を介して放熱部材を設けてなり、前記表示パネルの形
状にならって該表示パネルを支持するようにしたことを
特徴とする画像形成装置を提案するものであり、前記支
持部材が複数の弾性部材からなること、前記弾性部材が
複数の熱伝導部材と複数の熱伝導ばね部材からなるこ
と、前記支持部材が内部に流体を有する密閉容器からな
ること、前記密閉容器が弾性部材であること、前記表示
パネルのフェースプレートに搭載される電子放出素子が
表面伝導型電子放出素子であることを含む。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照して詳
細に説明する。図1は本発明の一例を示す画像形成装置
の要部断面図であり、図13は本発明の画像形成装置の
一例を示す概略構成図である。図1において11は表示
パネル、12は熱伝導部材、13は伸縮機能を有する支
持部材であるばね部材、14は放熱部材である。表示パ
ネル11は図13に示すように電子放出素子の一対の素
子電極をX方向配線122及びY方向配線123により
接続して基板上に作製した電子源基板121を搭載した
リアプレート131と該リアプレート131と対向配置
され電子放出素子から放出される電子線の照射により画
像が形成される画像形成部材を搭載したフェースプレー
ト136と両プレート131、136間に配置された支
持枠132とで構成されている。フェースプレート13
6に搭載される画像形成部材はガラス基板133に蛍光
膜134とメタルバック135とを順次積層して構成さ
れている。本発明の画像形成装置は前記のような表示パ
ネルを有する画像形成装置であって、図1に示すように
表示パネル11と放熱部材14との間に熱伝導部材12
と伸縮性のあるばね部材13とよりなる複数個の支持部
材Aを介して一体化してある。なお熱伝導部材12とば
ね部材13は同一材料で構成しても異種の材質で構成し
てもいずれでもよい。該支持部材Aは表示パネル11の
形状の変化にならって伸縮し得るように取着されること
が特に肝要であり、支持部材Aの熱伝導部材12が1〜
100mm程度の間隔になるように設けるのが好まし
い。以上の構成により表示パネル11に非線形の反りが
生じてもばね部材13が放熱部材14と表示パネル11
の間の間隔をばね部材13の伸縮により自己調整し得る
ので表示パネル11に反りを生じさせることなく極めて
安定に表示パネル11を支持することができる。また表
示パネル11の駆動により発生する熱は熱伝導部材12
及びばね部材13を通じて伝導し、最終的に放熱部材1
4で放熱されるので、表示パネル11の反りの拡大を防
止できるものである。この場合、ばね部材13を熱伝導
性の材料で構成すれば熱伝導がより円滑に行われるので
好ましい。前記熱伝導部材12としてはアルミニウム、
銅、熱伝導性ゴム等の板材が挙げられる。ばね部材13
としてはステンレス、鋼等の弾性材料が挙げられ、形状
は渦巻き状、片持梁状等ばね効果を奏し得る適宜の公知
の形状を選択できる。表示パネル11と熱伝導部材12
との固着手段及び熱伝導部材12とばね部材13との固
着手段並びに放熱部材14とばね部材13との固着手段
は双方の材質の組合せを考慮して溶接、熱伝導テープに
よる接着、導電性接着剤による接着等の公知の手段の中
から適宜選択できる。図3は本発明の画像形成装置の別
の例を示すもので、この例では支持部材Aとして熱伝導
部材12の端部同志をばね部材13を介して直列に相互
に連結したものを用いている。前記支持部材Aの熱伝導
部材12を図3のように表示パネル11の裏面に固着し
て取付け、該表示パネル11により浅底箱状に形成され
た放熱部材14の開口部を閉塞するように支持部材Aの
両端のばね部材13を介して支持部材Aが固着された表
示パネル11を放熱部材14に取着してある。以上のよ
うな構成により表示パネル11に反りが生じてもばね部
材13の伸縮により自己調整され、極めて安定に支持さ
れる。さらにこの状態で表示パネル11を駆動しても駆
動により発生した熱は熱伝導部材12、ばね部材13を
通じて伝導され、最終的に放熱部材14の表示パネル1
1の反りが拡大されることはない。更に図5は本発明の
別の例を示す断面図であり、この例では表示パネル11
と放熱部材14との間に水等の熱伝導流体を密封した密
閉袋からなる熱伝導支持部材51を挟み込んだ構成から
なるものである。上記の構成にすることにより前記の図
1及び図3の例と同様の効果を奏するものである。
【0013】本発明で用いる冷陰極電子源は、単純な構
成であり、製法が容易な表面伝導型電子放出素子が好適
である。本発明に用いることのできる表面伝導型電子放
出素子は基本的に平面型表面伝導型電子放出素子及び垂
直型表面伝導型電子放出素子の2種類があげられる。図
7は基本的な表面伝導型電子放出素子の構成を示す模式
的平面図及び断面図である。図7において71は基板、
72、73は素子電極、74は導電性薄膜、75は電子
放出部である。基板71としては、石英ガラス、Na等
の不純物含有量の少ないガラス、青板ガラス、SiO2
を表面に形成したガラス基板及びアルミナ等のセラミッ
クス基板が用いられる。素子電極72、73の材料とし
ては一般的導電体が用いられ、例えばNi、Cr、A
u、Mo、W、Pt、Ti、Al、Cu、Pd等の金属
或は合金及びPd、Ag、Au、RuO2 、Pd−Ag
等の金属或は金属酸化物とガラス等から構成される印刷
導体、In23 −SnO2 等の透明導電体及びポリシ
リコン等の半導体材料から適宜選択される。素子電極間
隔Lは好ましくは数百オングストロームより数百マイク
ロメートルである。また素子電極間に印加する電圧は低
い方が望ましく、再現良く作成することが要求されるた
め、特に好ましい素子電極間隔は数マイクロメートルよ
り数十マイクロメートルである。素子電極長さWは電極
の抵抗値、電子放出特性から数マイクロメートルより数
百マイクロメートルであり、また素子電極72、73の
膜厚は、数百オングストロームより数マイクロメートル
が好ましい。
【0014】尚、図7の構成だけでなく、基板71上に
導電性薄膜74、素子電極72、73の電極を順に形成
させた構成にしてもよい。導電性薄膜74は良好な電子
放出特性を得るために微粒子で構成された微粒子膜が特
に好ましく、その膜厚は素子電極72、73へのステッ
プカバレージ、素子電極72、73間の抵抗値及び後述
する通電フォーミング条件等によって、適宜設定される
が、好ましくは数オングストロームから数千オングスト
ロームで、特に好ましくは10オングストロームより5
00オングストロームである。そのシート抵抗値は10
の3乗乃至10の7乗オーム/□である。また導電性薄
膜74を構成する材料は、Pd、Pt、Ru、Ag、A
u、Ti、In、Cu、Cr、Fe、Zn、Sn、T
a、W、Pb等の金属、PdO、SnO2 、In2
3 、PbO、Sb23 等の酸化物、HfB2 、ZrB
2 、LaB6 、CeB6 、YB4 、GdB4 等の硼化
物、TiC、ZrC、HfC、TaC、SiC、WC等
の炭化物、TiN、ZrN、HfN等の窒化物、Si、
Ge等の半導体、カーボン等があげられる。尚、ここで
述べる微粒子膜とは複数の微粒子が集合した膜であり、
その微細構造として、微粒子が個々に分散配置した状態
のみならず、微粒子が互いに隣接、あるいは重なり合っ
た状態(島状も含む)の膜をさしており、微粒子の粒径
は数オングストロームから数千オングストロームであ
り、好ましくは10オングストロームより200オング
ストロームである。電子放出部75は導電性薄膜74の
一部に形成された高抵抗の亀裂であり、通電フォーミン
グ等により形成される。また亀裂内には数オングストロ
ームから数百オングストロームの粒径の導電性微粒子を
有することもある。この導電性微粒子は導電性薄膜74
を構成する物質の少なくとも一部の元素を含んでいる。
また電子放出部75及びその近傍の導電性薄膜74は炭
素及び炭素化合物を有することもある。
【0015】図8は基本的な垂直型表面伝導型電子放出
素子の構成を示す模式的図面である。図8において図7
と同一の部材については同一符号を付与してある。80
は段差形成部である。基板71、素子電極72と73、
導電性薄膜74、電子放出部75は前述した平面型表面
伝導型電子放出素子と同様の材料で構成することがで
き、段差形成部80は絶縁性材料で構成され、段差形成
部80の膜厚が先に述べた平面型表面伝導型電子放出素
子の素子電極間隔Lに相当する。その間隔は数百オング
ストロームより数十マイクロメートルである。またその
間隔は段差形成部の製法及び素子電極間に印加する電圧
により制御することができるが、好ましくは数百オング
ストロームより数マイクロメートルである。導電性薄膜
74は素子電極72、73と段差形成部80作成後に形
成するため、素子電極72、73の上に積層される。
尚、図8において電子放出部75は段差形成部80に直
線状に形成されているように示されているが、作成条
件、通電フォーミング条件等に依存し、形状、位置とも
これに限るものではない。上述の表面伝導型電子放出素
子の製造方法としては様々な方法が考えられるが、その
一例を図9に示す。以下、図7及び図9に基づいて電子
源基板の作製方法について説明する。尚、図7と同一の
部材については同一符号を付与してある。
【0016】1)基板を洗剤、純水および有機溶剤によ
り十分に洗浄後、真空蒸着法、スパッタ法等により素子
電極材料を堆積する。その後、フォトリソグラフィー技
術により該基板上に素子電極72、73を形成する(図
9(a))。
【0017】2)素子電極72、73を設けた基板71
に、有機金属溶液を塗布して放置することにより有機金
属薄膜を形成する。ここでいう有機金属溶液とは前述の
導電性膜74を形成する金属を主元素とする有機金属化
合物の溶液である。その後、有機金属薄膜を加熱焼成処
理し、リフトオフ、エッチング等によりパターニング
し、導電性薄膜74を形成する(図9(b))。尚、こ
こでは有機金属溶液の塗布法により説明したが、これに
限るものでなく真空蒸着法、スパッタ法、化学的気相堆
積法、分散塗布法、ディッピング法、スピンナー法等に
よって形成される場合もある。
【0018】3)続いて通電フォーミングと呼ばれる通
電処理を行う。通電フォーミングは素子電極72、73
間に不図示の電源より通電を行い、導電性薄膜74を局
所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、構造を変化させ
た部位を形成させるものである。この局所的に構造変化
させた部位を電子放出部75とよぶ(図9(c))。通
電フォーミングの電圧波形の例を図10に示す。電圧波
形は特にパルス波形が好ましく、パルス波高値が一定の
電圧パルスを連続的に印加する場合(図10a)とパル
ス波高値を増加させながら、電圧パルスを印加する場合
(図10b)とがある。まずパルス波高値が一定電圧と
した場合(図10a)について説明する。図10aにお
けるT1及びT2は電圧波形のパルス幅とパルス間隔で
あり、T1を1マイクロ秒〜10ミリ秒、T2を10マ
イクロ秒〜100ミリ秒とし、三角波の波高値(通電フ
ォーミング時のピーク電圧)は表面伝導型電子放出素子
の形態に応じて適宜選択し、適当な真空度、例えば、1
0の−5乗torr程度の真空雰囲気下で、数秒から数
十分印加する。尚、素子の電極間に印加する波形は三角
波に限定することはなく、矩形波など所望の波形を用い
ても良い。図10bにおけるT1及びT2は、図10a
と同様であり、三角波の波高値(通電フォーミング時の
ピーク電圧)は、例えば0.1Vステップ程度づつ増加
させ、適当な真空雰囲気下で印加する。
【0019】尚、この場合の通電フォーミング処理はパ
ルス間隔T2中に、導電性薄膜74を局所的に破壊、変
形しない程度の電圧、例えば0.1V程度の電圧で、素
子電流を測定し、抵抗値を求め、例えば、1Mオーム以
上の抵抗を示した時に通電フォーミング終了とする。
【0020】4)次に通電フォーミングが終了した素子
に活性化処理工程と呼ぶ処理を施すことが望ましい。活
性化工程とは、例えば、10の−4乗〜10の−5乗t
orr程度の真空度で、通電フォーミング同様、パルス
波高値が一定の電圧パルスを繰り返し印加する処理のこ
とであり、真空中に存在する有機物質に起因する炭素及
び炭素化合物を導電薄膜上に堆積させ素子電流If、放
出電流Ieを著しく変化させる処理である。活性化工程
は素子電流Ifと放出電流Ieを測定しながら、例え
ば、放出電流Ieが飽和した時点で終了する。また印加
する電圧パルスは動作駆動電圧で行うことが好ましい。
【0021】尚、ここで炭素あるいは炭素化合物とはグ
ラファイト(単、多結晶双方を指す)非晶質カーボン
(非晶質カーボン及び多結晶グラファイトとの混合物を
指す)であり、その膜厚は500オングストローム以下
が好ましく、より好ましくは300オングストローム以
下である。
【0022】5)こうして作成した電子放出素子を通電
フォーミング工程、活性化工程における真空度よりも高
い真空度の雰囲気下に置いて動作駆動させるのが良い。
また更に高い真空度の雰囲気下で、80℃〜150℃に
加熱後動作駆動させることが望ましい。尚、通電フォー
ミング工程、活性化処理した真空度よりも高い真空度と
は、例えば約10の−6乗以上の真空度であり、より好
ましくは超高真空系であり、新たに炭素及び炭素化合物
が導電薄膜上にほとんど堆積しない真空度である。こう
することによって素子電流If、放出電流Ieを安定化
させることが可能になる。図11は、図7で示した構成
を有する素子の電子放出特性を測定するための測定評価
装置の概略構成図である。図11において、図7と同様
の符号は、同一のものを示す。また、111は、電子放
出素子に素子電圧Vfを印加するための電源、110は
素子電極2・3間の導電性薄膜74を流れる素子電流I
fを測定するための電流計、114は、素子の電子放出
部より放出される放出電流Ieを捕捉するためのアノー
ド電極、113は、アノード電極114に電圧を印加す
るための高圧電源、112は、素子の電子放出部75よ
り放出される放出電流Ieを測定するための電流計、1
15は、真空装置、116は、排気ポンプである。次に
本発明の画像形成装置について述べる。画像形成装置に
用いられる電子源基板は複数の表面伝導型電子放出素子
を基板上に配列することにより形成される。表面伝導型
電子放出素子の配列の方式には表面伝導型電子放出素子
を並列に配置し、個々の素子の両端を配線で接続するは
しご型配置(以下はしご型配置電子源基板と呼ぶ)や、
表面伝導型電子放出素子の一対の素子電極にそれぞれX
方向配線、Y方向配線を接続した単純マトリクス配置
(以下マトリクス型配置電子源基板と呼ぶ)があげられ
る。尚、はしご型配置電子源基板を有する画像形成装置
には電子放出素子からの電子の飛翔を制御する電極であ
る制御電極(グリッド電極)を必要とする。以下この原
理に基づき構成した電子源の構成について、図12を用
いて説明する。121は電子源基板、122はX方向配
線、123はY方向配線、124は表面伝導型電子放出
素子、125は結線である。尚、表面伝導型電子放出素
子124は前述した平面型あるいは垂直型どちらであっ
てもよい。同図において電子源基板121に用いる基板
は前述したガラス基板等であり、用途に応じて形状が適
宜設定される。m本のX方向配線122は、Dx1、D
x2、・・・Dxmからなり、Y方向配線123はDy
1、Dy2、・・・Dynのn本の配線よりなる。また
多数の表面伝導型素子にほぼ均等な電圧が供給される様
に材料、膜厚、配線幅が適宜設定される。これらm本の
X方向配線122とn本のY方向配線123間は不図示
の層間絶縁層により電気的に分離されてマトリックス配
線を構成する。(m、nは共に正の整数) 不図示の層間絶縁層はX方向配線122を形成した基板
121の全面或は一部に所望の領域に形成される。X方
向配線122とY方向配線123はそれぞれ外部端子を
介して引き出される。更に表面伝導型放出素子124の
素子電極(不図示)がm本のX方向配線122とn本の
Y方向配線123と結線125によって電気的に接続さ
れている。また表面伝導型電子放出素子は基板あるいは
不図示の層間絶縁層上のどちらに形成してもよい。また
詳しくは後述するが前記X方向配線122にはX方向に
配列する表面伝導型放出素子124の行を入力信号に応
じて走査するための走査信号を印加するための不図示の
走査信号発生手段と電気的に接続されている。一方、Y
方向配線123にはY方向に配列する表面伝導型放出素
子124の列の各列を入力信号に応じて、変調するため
の変調信号を印加するための不図示の変調信号発生手段
と電気的に接続されている。更に表面伝導型電子放出素
子の各素子に印加される駆動電圧は当該素子に印加され
る走査信号と変調信号の差電圧として供給されるもので
ある。上記構成において、単純なマトリクス配線だけで
個別の素子を選択して独立に駆動可能になる。つぎに以
上のようにして作成したマトリクス型配置電子源基板を
用いた画像形成装置について、図13、図14及び図1
5を用いて説明する。図13は画像形成装置の基本構成
図であり、図14は蛍光膜、図15はNTSC方式のテ
レビ信号に応じて表示をするための駆動回路のブロック
図を示し、その駆動回路を含む画像形成装置を表す。図
13において121は電子放出素子を基板上に作製した
電子源基板、131は電子源基板121を固定したリア
プレート、136はガラス基板133の内面に蛍光膜1
34とメタルバック135等が形成されたフェースプレ
ート、132は支持枠、131はリアプレートであり、
これら部材によって外囲器138が構成される。図13
において124は図7における電子放出部に相当する。
122、123は表面伝導型電子放出素子の一対の素子
電極と接続されたX方向配線及びY方向配線である。外
囲器138は、上述の如くフェースプレート136、支
持枠132、リアプレート131で外囲器138を構成
したが、リアプレート131は主に電子源基板121の
強度を補強する目的で設けられるため、電子源基板12
1自体で十分な強度を持つ場合は別体のリアプレート1
31は不要であり、電子源基板121に直接支持枠13
2を設け、フェースプレート136、支持枠132、電
子源基板121にて外囲器138を構成しても良い。図
14中142は蛍光体である。蛍光体142はモノクロ
ームの場合は蛍光体のみからなるが、カラーの蛍光膜の
場合は蛍光体の配列によりブラックストライプあるいは
ブラックマトリクスなどと呼ばれる黒色導電材141と
蛍光体142とで構成される。ブラックストライプ、ブ
ラックマトリクスが設けられる目的はカラー表示の場
合、必要となる三原色蛍光体の各蛍光体142間の塗り
分け部を黒くすることで混色等を目立たなくすることと
蛍光膜134における外光反射によるコントラストの低
下を抑制することである。ブラックストライプの材料と
しては、通常良く用いられている黒鉛を主成分とする材
料だけでなく、導電性があり、光の透過及び反射が少な
い材料であればこれに限るものではない。ガラス基板1
33に蛍光体を塗布する方法はモノクローム、カラーに
よらず沈澱法や印刷法が用いられる。また蛍光膜134
(図13)の内面側には通常メタルバック135(図1
3)が設けられる。メタルバックの目的は蛍光体の発光
のうち内面側への光をフェースプレート136側へ鏡面
反射することにより輝度を向上すること、電子ビーム加
速電圧を印加するための電極として作用すること、外囲
器内で発生した負イオンの衝突によるダメージからの蛍
光体を保護すること等である。メタルバックは蛍光膜作
製後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理(通常フィルミ
ングと呼ばれる)を行い、その後Alを真空蒸着等で堆
積することで作製できる。フェースプレート136に
は、更に蛍光膜134の導電性を高めるため蛍光膜13
4の外面側に透明電極(不図示)を設けてもよい。外囲
器138は不図示の排気管を通じ、10-7torr程度
の真空度にされ、封止がおこなわれる。また外囲器13
8の封止後の真空度を維持するためにゲッター処理を行
う場合もある。これは外囲器138の封止を行う直前あ
るいは封止後に抵抗加熱あるいは高周波加熱等の加熱法
により、外囲器138内の所定の位置(不図示)に配置
されたゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する処理であ
る。ゲッターは通常Ba等が主成分であり、該蒸着膜の
吸着作用により、例えば1×10 -5torr乃至は1×
10-7torrの真空度を維持するものである。尚、表
面伝導型電子放出素子のフォーミング以降の工程は適宜
設定される。次に、マトリクス型配置電子源基板を用い
て構成した画像形成装置を、NTSC方式のテレビ信号
に基づきテレビジョン表示を行う為の駆動回路の概略構
成を図15のブロック図を用いて説明する。151は前
記表示パネルであり、また152は走査回路、153は
制御回路、154はシフトレジスタ、155はラインメ
モリ、156は同期信号分離回路、157は変調信号発
生器、VxおよびVaは直流電圧源である。
【0023】以下、各部の機能を説明するがまず表示パ
ネル151は端子Dox1ないしDoxmおよび端子D
oy1ないしDoynおよび高圧端子Hvを介して外部
の電気回路と接続している。このうち端子Dox1ない
しDoxmには前記画像形成装置内に設けられている電
子源、すなわちM行N列の行列状にマトリクス配線され
た表面伝導型電子放出素子群を一行(N素子)ずつ順次
駆動してゆく為の走査信号が印加される。一方、端子D
y1ないしDynには前記走査信号により選択された一
行の表面伝導型電子放出素子の各素子の出力電子ビーム
を制御する為の変調信号が印加される。また高圧端子H
vには直流電圧源Vaより、例えば10[kV]の直流
電圧が供給されるが、これは表面伝導型電子放出素子よ
り出力される電子ビームに蛍光体を励起するのに十分な
エネルギーを付与する為の加速電圧である。次に走査回
路152について説明する。同回路は内部にM個のスイ
ッチング素子を備えるもので(図中、S1ないしSmで
模式的に示している)、各スイッチング素子は直流電圧
源Vxの出力電圧もしくは0[V](グランドレベル)
のいずれか一方を選択し、表示パネル151の端子Dx
1ないしDxmと電気的に接続するものである。S1な
いしSmの各スイッチング素子は制御回路153が出力
する制御信号Tscanに基づいて動作するものだが実
際には例えばFETのようなスイッチング素子を組み合
わせる事により構成する事が可能である。尚、前記直流
電圧源Vxは前記表面伝導型電子放出素子の特性(電子
放出しきい値電圧)に基づき走査されていない素子に印
加される駆動電圧が電子放出しきい値電圧以下となるよ
うな一定電圧を出力するよう設定されている。また制御
回路153は外部より入力する画像信号に基づいて適切
な表示が行なわれるように各部の動作を整合させる働き
をもつものである。次に説明する同期信号分離回路15
6より送られる同期信号Tsyncに基づいて各部に対
してTscan、TsftおよびTmryの各制御信号
を発生する。同期信号分離回路156は外部から入力さ
れるNTSC方式のテレビ信号から同期信号成分と輝度
信号成分とを分離する為の回路で周波数分離(フィルタ
ー)回路を用いれば構成できるものである。同期信号分
離回路156により分離された同期信号は良く知られる
ように垂直同期信号と水平同期信号より成るが、ここで
は説明の便宜上Tsync信号として図示した。一方、
前記テレビ信号から分離された画像の輝度信号成分を便
宜上DATA信号と表すが同信号はシフトレジスタ15
4に入力される。シフトレジスタ154は時系列的にシ
リアルに入力される前記DATA信号を画像の1ライン
毎にシリアル/パラレル変換するためのもので前記制御
回路153より送られる制御信号Tsftに基づいて動
作する。(すなわち制御信号Tsftは、シフトレジス
タ154のシフトクロックであると言い換えても良
い。) シリアル/パラレル変換された画像1ライン分(電子放
出素子N素子分の駆動データに相当する)のデータはI
d1乃至IdnのN個の並列信号として前記シフトレジ
スタ154より出力される。ラインメモリ155は画像
1ライン分のデータを必要時間の間だけ記憶する為の記
憶装置であり、制御回路153より送られる制御信号T
mryにしたがって適宜Id1ないしIdnの内容を記
憶する。記憶された内容はIdlないしIdnとして出
力され変調信号発生器157に入力される。変調信号発
生器157は前記画像データId1ないしIdnの各々
に応じて表面伝導型電子放出素子の各々を適切に駆動変
調する為の信号源で、その出力信号は端子Doy1ない
しDoynを通じて表示パネル151内の表面伝導型電
子放出素子に印加される。本発明に関わる電子放出素子
は放出電流Ieに対して以下の基本特性を有している。
すなわち電子放出には明確な閾値電圧Vthがあり、V
th以上の電圧を印加された時のみ電子放出が生じる。
【0024】また電子放出閾値以上の電圧に対しては素
子への印加電圧の変化に応じて放出電流も変化してゆ
く。尚、電子放出素子の材料や構成、製造方法を変える
事により電子放出閾値電圧Vthの値や印加電圧に対す
る放出電流の変化の度合いが変わる場合もあるが、いず
れにしても以下のような事がいえる。すなわち、本素子
にパルス状の電圧を印加する場合、例えば電子放出閾値
以下の電圧を印加しても電子放出は生じないが電子放出
閾値以上の電圧を印加する場合には電子ビームが出力さ
れる。その際、第一にはパルスの波高値Vmを変化させ
る事により出力電子ビームの強度を制御する事が可能で
ある。第二には、パルスの幅Pwを変化させる事により
出力される電子ビームの電荷の総量を制御する事が可能
である。したがって、入力信号に応じて電子放出素子を
変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調方
式等があげられ、電圧変調方式を実施するには変調信号
発生器157としては一定の長さの電圧パルスを発生す
るが入力されるデータに応じて適宜パルスの波高値を変
調するような電圧変調方式の回路を用いる。またパルス
幅変調方式を実施するには変調信号発生器157として
は、一定の波高値の電圧パルスを発生するが入力される
データに応じて適宜電圧パルスの幅を変調するようなパ
ルス幅変調方式の回路を用いるものである。以上に説明
した一連の動作により本発明の画像形成装置は表示パネ
ル151を用いてテレビジョンの表示を行なえる。尚、
上記説明中特に記載しなかったがシフトレジスタ154
やラインメモリ155はデジタル信号式のものでもアナ
ログ信号式のものでも差し支えなく、要は画像信号のシ
リアル/パラレル変換や記憶が所定の速度で行なわれれ
ばよい。デジタル信号式を用いる場合には同期信号分離
回路156の出力信号DATAをデジタル信号化する必
要があるが、これは156の出力部にA/D変換器を備
えれば可能である。また、これと関連してラインメモリ
155の出力信号がデジタル信号かアナログ信号かによ
り、変調信号発生器157に用いられる回路が若干異な
ったものとなる。
【0025】まずデジタル信号の場合について述べる。
電圧変調方式においては変調信号発生器157には、例
えばよく知られるD/A変換回路を用い、必要に応じて
増幅回路などを付け加えればよい。またパルス幅変調方
式の場合、変調信号発生器157は、例えば高速の発振
器および発振器の出力する波数を計数する計数器(カウ
ンタ)および計数器の出力値と前記メモリの出力値を比
較する比較器(コンパレータ)を組み合せた回路を用い
ることにより構成できる。必要に応じて比較器の出力す
るパルス幅変調された変調信号を表面伝導型電子放出素
子の駆動電圧にまで電圧増幅するための増幅器を付け加
えてもよい。
【0026】次にアナログ信号の場合について述べる。
電圧変調方式においては変調信号発生器157には、例
えばよく知られるオペアンプなどを用いた増幅回路を用
いればよく、必要に応じてレベルシフト回路などを付け
加えてもよい。またパルス幅変調方式の場合には例えば
よく知られた電圧制御型発振回路(VCO)を用いれば
よく、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電圧
にまで電圧増幅するための増幅器を付け加えてもよい。
以上のように完成した画像形成装置において、各電子放
出素子には、容器外端子Dox1ないしDoxm、Do
y1ないしDoynを通じ、電圧を印加することによ
り、電子放出させ、高圧端子Hvを通じ、メタルバック
135、あるいは透明電極(不図示)に高圧を印加し、
電子ビームを加速し、蛍光膜134に衝突させ、励起・
発光させることで画像を表示することができる。以上述
べた構成は、表示等に用いられる好適な画像形成装置を
作製する上で必要な概略構成であり、例えば各部材の材
料等、詳細な部分は上述内容に限られるものではなく、
画像形成装置の用途に適するよう適宜選択する。また、
入力信号例として、NTSC方式をあげたが、これに限
るものでなく、PAL、SECAM方式などの諸方式で
もよく、また、これよりも、多数の走査線からなるTV
信号(例えば、MUSE方式をはじめとする高品位T
V)方式でもよい。
【0027】次に、前述のはしご型配置電子源基板及び
それを用いた画像形成装置について図16、図17によ
り説明する。図16において、160は電子源基板、1
61は電子放出素子、162のDx1〜Dx10は前記
電子放出素子に接続する共通配線である。電子放出素子
161は、基板160上に、X方向に並列に複数個配置
される。(これを素子行と呼ぶ)。この素子行を複数個
基板上に配置し、はしご型電子源基板となる。各素子行
の共通配線間に適宜駆動電圧を印加することで、各素子
行を独立に駆動することが可能になる。すなわち、電子
ビームを放出させる素子行には、電子放出閾値以上の電
圧を電子ビームを放出させない素子行には電子放出閾値
以下の電圧を印加すればよい。また各素子行間の共通配
線Dx2〜Dx9を、例えばDx2、Dx3を同一配線
とする様にしても良い。図17ははしご型配置の電子源
を備えた画像形成装置の構造を示すための図である。1
70はグリッド電極、171は電子が通過するための空
孔、172は、Dox1、Dox2・・・Doxmより
なる容器外端子、173はグリッド電極170と接続さ
れたG1、G2、・・・Gnからなる容器外端子、16
0は前述の様に各素子行間の共通配線を同一配線とした
電子源基板である。尚、図13、図16と同一の符号は
同一の部材を示す。前述の単純マトリクス配置の画像形
成装置(図13)との違いは、電子源基板160とフェ
ースプレート136の間にグリッド電極170を備えて
いる事である。基板160とフェースプレート136の
中間には、グリッド電極170が設けられている。グリ
ッド電極170は、表面伝導型放出素子から放出された
電子ビームを変調することができるもので、はしご型配
置の素子行と直交して設けられたストライプ状の電極に
電子ビームを通過させるため、各素子に対応して1個ず
つ円形の空孔171が設けられている。グリッドの形状
や設置位置は必ずしも図17のようなものでなくともよ
く、開口としてメッシュ状に多数の通過口をもうけるこ
ともあり、また例えば表面伝導型放出素子の周囲や近傍
に設けてもよい。容器外端子172およびグリッド容器
外端子173は、不図示の制御回路と電気的に接続され
ている。
【0028】本画像形成装置では素子行を1列ずつ順次
駆動(走査)していくのと同期してグリッド電極列に画
像1ライン分の変調信号を同時に印加することにより、
各電子ビームの蛍光体への照射を制御し、画像を1ライ
ンずつ表示することができる。 また本発明によればテ
レビジョン放送の表示装置のみならずテレビ会議システ
ム、コンピューター等の表示装置に適した画像形成装置
を提供することができる。さらには感光性ドラム等で構
成された光プリンターとしての画像形成装置としても用
いることもできる。
【0029】また電子放出素子として表面伝導型電子放
出素子ばかりでなく、MIM型電子放出素子、電界放出
型電子放出素子等の冷陰極電子源にも適用可能である、
更には熱電子源による画像形成装置にも適用することが
できる。
【0030】以下に、本発明の特徴を最もよく表す具体
的な実施例を示す。実施例中の電子放出素子には、上述
の表面伝導型電子放出素子を用いた。
【0031】
【実施例】
[実施例1]以下に具体的な実施例について図1を用い
て説明する。
【0032】上述のようにして得られた表面伝導型電子
放出素子を有するマトリクス型配置電子基板(図12)
121を用いて画像形成装置を形成した。図中、パネル
11は画像形成部材を搭載したフェースプレートと、電
子源基板121を搭載したリアプレートと、青板ガラス
を切断加工して形成した支持枠の部材をフリットガラス
接着部材を用いて、フリットガラスが溶融凝固するよう
な温度まで昇温し冷却することで各部材を接着し製造し
た。フェースプレート及びリアプレートは、ガラス材料
を切断して用いた。この結果、放熱部材14とパネル1
1の間での平行が保たれない状態となった。この状態で
表示パネル11の裏面に、アルミ板材料で形成した熱伝
導部材12を10mmの間隔に分割して敷き詰めた。固
定は、不図示の熱伝導テープを用いて接着した。ここ
で、前述のパネル構成部品として用いたフェースプレー
トとリアプレートはガラス材料でその大きさが1m以上
あるため、全面にわたり均一な平面度を出すことが困難
で、反りやうねりをもつものであった。さらに、製造工
程において熱工程(昇温−冷却サイクル)を伴ったこと
で、表示パネル11は図のように非線形に湾曲した。熱
工程において、均一な温度上昇及び温度管理を表示パネ
ル11全体にわたって行うことが困難なためである。次
に、少なくとも熱伝導部材12を敷き詰めた個数分、全
てにステンレス材料を使って形成した渦巻き状の巻きば
ねの一方を溶接固定した。さらに、パネルと同等以上の
大きさのアルミ板とばね部材13の他方を溶接固定し
た。
【0033】この構成により、表示パネル11が非線形
の反りを生じてもばね部材13が放熱部材14と表示パ
ネル11間の間隔を自己調整(ばねの伸縮による)でき
るため、安定に支持することができた。また本構成で
は、ばねで支持しているため外部振動に対して、除振効
果があることも確認した。
【0034】さらにこの状態で、表示パネル11に形成
された電子放出素子(不図示)を上述の方式で駆動し
た。この駆動で表示パネル11は、リアプレート上の電
子放出部の発熱とフェースプレート上の画像形成部材の
発熱する。この熱のため表示パネル11は、フェースプ
レートとリアプレート及び支持枠間に温度差が生じ熱膨
張の差により、反りが起きようとするが、この表示パネ
ル11の裏面全面から熱伝導テープ(不図示)、熱伝導
部材12、ばね部材13を通じて熱の伝導(高温部より
低温部へ移動すること)が起こり、最終的に大部分の熱
は、放熱部材14に送られそこで空気中に放熱される。
一部の熱は、熱伝導部材12、ばね部材13からも放熱
される。この結果、表示パネル11を駆動しても均一な
放熱が行われるので、表示パネル11は初期形状を保持
し、安定な画像表示を行うことが可能となった。
【0035】上述の構成及び工程で、 (1)パネルの反りに影響することなく支持することが
できる。 (2)パネルの駆動を行っても安定に駆動表示すること
ができる。 (3)パネルの駆動による真空リークや、装置破壊が生
じることがなく、安全で長寿命である。 という長所をもつ画像形成装置を提示できた。
【0036】なお、固定手段は上記のテープに限定され
るものではない。ばね部材13に渦巻き状ばねを用いた
がなんらこれに限定されるものではない。 [実施例2]ばね部材の構成を図2を用いて説明する。
21は、自身でばね特性を持つように薄い金属板を周知
の湿式エッチング技術を用いて片持ちはりの構造にマト
リクス状に形成した弾性部材、22はアルミ板等の放熱
材料を有する放熱部材であり、その表面には上述の弾性
部材21が形成されている薄板を導電性接着剤を用いて
固定(図中のマトリクスに配列された片持ちはり部分以
外の場所)した。また、表示パネル11の反りを考慮し
て片持ちはりの一部分(破線部)を折り曲ることで段差
部23を構成した。表示パネル11は、弾性部材21の
段差部を除いた場所で、導電性のテープを用いて固定し
た。
【0037】本実施例の構成により、表示パネル11が
反っていても、弾性部材21が反り量を吸収できること
で表示パネル11の全面にわたって均一な支持を行うこ
とができた。さらに、この状態でパネルを駆動しても、
駆動により発生した熱は弾性部材21を通じて伝導さ
れ、最終的に放熱部材22で放熱されるので、表示パネ
ル11の反りが拡大されることはなかった。
【0038】本実施例により、ばね部が薄型で単純の構
造を形成できることから、画像形成装置全体の幅が大き
くなることがなく、またコスト的にも有利な構成を提示
することができた。 [実施例3]図3では、表示パネル11の裏面に設置し
た熱伝導部材12は、ばね部材13と横方向(表示パネ
ル11の主平面方向)に連結して構成した例である。表
示パネル11と熱伝導部材12の固定は、紙面X方向に
外力を加えられる(不図示)部材を設けることで行っ
た。また、熱伝導部材12とばね部材13の接続は、実
施例1と同様に溶接することで行った。さらに、ばね部
材13の構造も実施例1と同様に渦巻きばね部材を使用
し、材質はステンレスを用いた。
【0039】表示パネル11が形成された状態で、図の
ように非線形の反りを生じていてもばね部材13が自己
調整(伸縮による)できるため、表示パネル11になら
うような形状に熱伝導部材12が配設された。さらに、
この状態でパネルを駆動しても、駆動により発生した熱
は熱伝導部材12、ばね部材13を通じて伝導され、最
終的に放熱部材14で放熱されるので、表示パネル11
の反りが拡大されることはなかった。 [実施例4]薄い金属板を周知の湿式エッチング技術を
用いて図4に示すように熱伝導部材41とばね部材4
2、外枠45を残した。金属板の材料には、ステンレス
を用いた。44はエッチング部であり、この部分をエッ
チングにより除去した。本構成では、熱伝導部材41を
マトリクス状に配置し、個々の熱伝導部材41は細くエ
ッチングにより除去して形成したばね部材42と四方で
接続した。ばね部材42は、金属の延性(弾性)を利用
したもので、形状効果により、一枚の連続する板よりも
ばね性を有する構造ができた。次に、作製したエッチン
グ板の外枠45の一方と放熱部43と導電性接着剤を用
いて固定する。表示パネル11は、熱伝導部材41の一
方と、導電性のテープを用いて固定した。
【0040】本実施例の構成により、表示パネル11が
反っていても、ばね部材42が反り量を吸収できること
で表示パネル11の全面にわたって均一な支持を行うこ
とができた。さらに、この状態でパネルを駆動しても、
駆動により発生した熱は熱伝導部材41、ばね部材4
2、外枠45を通じて伝導され、最終的に放熱部材43
で放熱されるので、表示パネル11の反りが拡大される
ことはなかった。
【0041】なお、本実施例で提示したばね部材の製造
方法や、ばねの個数等になんら限定はない。 [実施例5]第5実施例では、支持部材に形状を自在に
変えることが出来る密閉袋の中に熱伝導流体が入ったも
のを用いた。(図5中、51)流体には、水を、そして
袋には、カーボン系のビニールを用いた。この熱伝導支
持部材51を表示パネル11の裏面と放熱板部材14間
に挟み込んだ、熱伝導支持部材51に所望の圧力が加わ
るように外圧52を加えている。
【0042】本実施例の構成により、表示パネル11が
反っていても、熱伝導支持部材51が反りに対して任意
の形状に変化できることから表示パネル11の全面にわ
たって均一な支持を行うことができた。さらに、この状
態でパネルを駆動しても、駆動により発生した熱は熱伝
導支持部材51を通じて伝導され、最終的に放熱部材1
4で放熱されるので、表示パネル11の反りが拡大され
ることはなかった。
【0043】なお、本実施例で提示した熱伝導部材51
の材料構成になんら限定はない。
【0044】本実施例の構成により、パネルの局所的な
反りやうねりにも緻密にならうことができることから、
より安定した支持と均一な放熱を可能にした。さらに、
本支持部材では、支持と熱伝導の両立性をもたせること
ができたので部材の簡略化につながった。 [実施例6]第6実施例では、第1実施例と第5実施例
を組み合わせた支持方法である。構成を図6に示す。水
とカーボン系ビニール袋から構成する熱伝導支持部材6
1をパネル11と放熱部材63間の中央部に配置した。
さらに、その間の周辺部に熱伝導部材62とばね部材6
4を構成した。
【0045】上述した実施例と同様に、本実施例の構成
により、表示パネル11が反っていても、熱伝導支持部
材61とばね部材64が反りに対して任意の形状に変化
できることから表示パネル11の全面にわたって均一な
支持を行うことができた。さらに、この状態でパネルを
駆動しても、駆動により発生した熱は熱伝導支持部材6
1及び熱伝導部材62、ばね部材64を通じて伝導さ
れ、最終的に放熱部材63で放熱されるので、表示パネ
ル11の反りが拡大されることはなかった。
【0046】本実施例の構成では、パネルが周辺部で大
きく反っている場合に有効であった。
【0047】
【発明の効果】本発明の画像形成装置では、パネルの反
りやうねりに対応した安定な支持と、均一な放熱ができ
たことで、安全な設置及び、色ずれや破壊のない安定で
高精細な画像形成装置を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の画像形成装置の一例を示す断面図であ
る。
【図2】本発明の画像形成装置の実施例の斜視図であ
る。
【図3】本発明の画像形成装置の別の例を示す断面図で
ある。
【図4】本発明の画像形成装置の他の実施例の斜視図で
ある。
【図5】本発明の画像形成装置の更に他の実施例を示す
断面図である。
【図6】本発明の画像形成装置の又他の実施例の断面図
である。
【図7】本発明に用いられる基本的な表面伝導型電子放
出素子の構成例を示す模式的平面図である。
【図8】本発明に用いられる基本的な垂直型表面伝導型
電子放出素子の構成を示す模式的側面図である。
【図9】図9(a)(b)(c)は本発明に用いられる
表面伝導型電子放出素子の製造方法の一例を示す工程図
である。
【図10】図10(a),(b)はそれぞれ通電フォー
ミングの電圧波形の一例を示すグラフである。
【図11】電子放出特性を測定するための測定評価装置
の概略構成図である。
【図12】単純マトリクス配置の電子源の構成を示す説
明図である。
【図13】本発明の画像形成装置の一例を示す概略構成
図である。
【図14】図14(a),(b)はそれぞれ蛍光膜の構
成を示す説明図である。
【図15】NTSC方式のテレビ信号に応じて表示を行
なうための駆動回路を組み込んだ画像形成装置の一例を
示すブロック図である。
【図16】本発明に用いる梯子配置の電子源の構成の一
例を示す平面図である。
【図17】本発明の画像形成装置の一例を示す概略構成
斜視図である。
【図18】従来の表面伝導型電子放出素子の構成例を示
す説明図である。
【符号の説明】
11 表示パネル 12,41,62 熱伝導部材 13,42,64 ばね部材 14,43,63 放熱部材 A 支持部材 21 弾性部材 22 放熱部材 23 段差部 24,44 エッチング部 25,45 外枠 51,61 熱伝導支持部材 71 基板 72、73 素子電極 74 導電性薄膜 75 電子放出部 80 段差形成部 110 電流計 111 電源 112 電流計 113 高圧電源 114 アノード電極 115 真空装置 116 排気ポンプ 121 電子源基板 122 X方向配線 123 Y方向配線 124 表面伝導型電子放出素子 125 結線 131 リアプレート 132 支持枠 133 ガラス基板 134 蛍光膜 135 メタルバック 136 フェースプレート 137 高圧端子 138 外囲器 141 黒色導電材 142 蛍光体 151 表示パネル 152 走査回路 153 制御回路 154 シフトレジスタ 155 ラインメモリ 156 同期信号分離回路 157 変調信号発生器 Vx及びVa 直流電圧源 160 電子源基板 161 電子放出素子 162 共通配線 170 グリッド電極 171 電子が通過するための空孔 172 容器外端子 173 容器外端子

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子放出素子を搭載したリアプレート
    と、該リアプレートと対向配置されると共に該電子放出
    素子から放出される電子線の照射により画像が形成され
    る画像形成部材を搭載するフェースプレートと、該フェ
    ースプレートと該リアプレートで形成される表示パネル
    を有する画像形成装置において、該表示パネルが熱伝導
    可能かつ伸縮機能を有する支持部材を介して放熱部材を
    設けてなり、前記表示パネルの形状にならって該表示パ
    ネルを支持するようにしたことを特徴とする画像形成装
    置。
  2. 【請求項2】 前記支持部材が複数の弾性部材からなる
    請求項1に記載の画像形成装置。
  3. 【請求項3】 前記弾性部材が複数の熱伝導部材と複数
    の熱伝導ばね部材からなる請求項2に記載の画像形成装
    置。
  4. 【請求項4】 前記支持部材が内部に流体を有する密閉
    容器からなる請求項1に記載の画像形成装置。
  5. 【請求項5】 前記密閉容器が弾性部材である請求項4
    に記載の画像形成装置。
  6. 【請求項6】 前記表示パネルのフェースプレートに搭
    載される電子放出素子が表面伝導型電子放出素子である
    請求項1に記載の画像形成装置。
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