JPH0927101A - 磁気記憶方法及び磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記憶方法及び磁気記憶装置Info
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- JPH0927101A JPH0927101A JP17235995A JP17235995A JPH0927101A JP H0927101 A JPH0927101 A JP H0927101A JP 17235995 A JP17235995 A JP 17235995A JP 17235995 A JP17235995 A JP 17235995A JP H0927101 A JPH0927101 A JP H0927101A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気記録媒体、磁気ヘッド及び記録再生アン
プに関して、記録ヘッド材料を変更したり磁気ヘッドと
磁気記録媒体間の距離を特別に縮小することなく、上書
き特性を劣化させずに高密度、高周波記録を達成するた
めの方式を提供する。 【構成】 磁気ヘッド、磁気記録媒体、記録アンプ等に
よって決定される諸パラメータに関して、次の（１）
式、（２）式又は（３）式を満たすように磁気記憶装置
の設計を行う。ｖ×（ｔr＋ｔf）／２≦Ｌ（１）ｖ×
（ｔr＋ｔf）≦２π×Ｂｒ×ｔmag／Ｈｃ（２）ｆw≦１
／（ｔr＋ｔf）（３）ただし、ｖはヘッド媒体間相対速
度（ｍ／ｓｅｃ）、ｔrは記録電流立上り時間（ｓｅ
ｃ）、ｔfは記録電流立下り時間（ｓｅｃ）、Ｌは媒体
上の磁化反転幅、Ｂｒは磁気記録媒体の残留磁束密度
（Ｇａｕｓｓ）、ｔmagは磁気気記録媒体の磁性膜厚
（ｍ）、Ｈｃは磁気記録媒体の保磁力（Ｏｅ）、ｆwは
記録再生周波数（Ｈｚ）である。
プに関して、記録ヘッド材料を変更したり磁気ヘッドと
磁気記録媒体間の距離を特別に縮小することなく、上書
き特性を劣化させずに高密度、高周波記録を達成するた
めの方式を提供する。 【構成】 磁気ヘッド、磁気記録媒体、記録アンプ等に
よって決定される諸パラメータに関して、次の（１）
式、（２）式又は（３）式を満たすように磁気記憶装置
の設計を行う。ｖ×（ｔr＋ｔf）／２≦Ｌ（１）ｖ×
（ｔr＋ｔf）≦２π×Ｂｒ×ｔmag／Ｈｃ（２）ｆw≦１
／（ｔr＋ｔf）（３）ただし、ｖはヘッド媒体間相対速
度（ｍ／ｓｅｃ）、ｔrは記録電流立上り時間（ｓｅ
ｃ）、ｔfは記録電流立下り時間（ｓｅｃ）、Ｌは媒体
上の磁化反転幅、Ｂｒは磁気記録媒体の残留磁束密度
（Ｇａｕｓｓ）、ｔmagは磁気気記録媒体の磁性膜厚
（ｍ）、Ｈｃは磁気記録媒体の保磁力（Ｏｅ）、ｆwは
記録再生周波数（Ｈｚ）である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置やＶ
ＴＲ等の磁気記憶装置に関し、特に１平方インチ当たり
２ギガビット以上の記録密度を有し、磁気ヘッドと磁気
記録媒体間の距離を特別に縮小することなく高周波記録
時の上書き特性を十分に確保し、再生分解能を向上させ
て、その結果、高密度、高周波記録を達成することので
きる磁気記憶装置に関する。
ＴＲ等の磁気記憶装置に関し、特に１平方インチ当たり
２ギガビット以上の記録密度を有し、磁気ヘッドと磁気
記録媒体間の距離を特別に縮小することなく高周波記録
時の上書き特性を十分に確保し、再生分解能を向上させ
て、その結果、高密度、高周波記録を達成することので
きる磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記憶装置において飽和磁気記録を行
う上で、上書き特性（以下、ＯＷ特性と略す）の向上は
重要である。ＯＷ特性は、次に示す方法で測定される。
まず、ある特定の周波数（以下１Ｆ周波数と称する）で
データを記録し、その基本波成分の信号パワーＮ'を測
定する。次に異なる周波数（以下２Ｆ周波数と称する）
でデータを上書きし、１Ｆ周波数における消え残り信号
のパワーをＮを測定する。ＯＷ特性は、この信号パワー
Ｎ，Ｎ'により次式のように定義される。
う上で、上書き特性（以下、ＯＷ特性と略す）の向上は
重要である。ＯＷ特性は、次に示す方法で測定される。
まず、ある特定の周波数（以下１Ｆ周波数と称する）で
データを記録し、その基本波成分の信号パワーＮ'を測
定する。次に異なる周波数（以下２Ｆ周波数と称する）
でデータを上書きし、１Ｆ周波数における消え残り信号
のパワーをＮを測定する。ＯＷ特性は、この信号パワー
Ｎ，Ｎ'により次式のように定義される。
【０００３】 ＯＷ(Ｎ'／Ｎ)［ｄＢ］≡２０Ｌｏｇ(Ｎ'／Ｎ) 従来、薄膜磁気記録媒体のＯＷ特性は、記録ヘッドの発
生磁界と媒体内部の磁化分布により発生する内部磁界に
より決定されるといわれてきた（例えば、伊藤、田河、
中村：電気情報通信学会論文誌 C-II, Vol.J75-C-II, N
o.12, p.762, 1992）。このモデルにより、かなり定量
的にＯＷ特性を解析できるようになってきた。
生磁界と媒体内部の磁化分布により発生する内部磁界に
より決定されるといわれてきた（例えば、伊藤、田河、
中村：電気情報通信学会論文誌 C-II, Vol.J75-C-II, N
o.12, p.762, 1992）。このモデルにより、かなり定量
的にＯＷ特性を解析できるようになってきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、磁気記憶装
置に対する高記録密度化の要求が近年ますます高まって
いる。線記録密度の向上には媒体の保磁力を高める必要
があり、十分なＯＷ特性を確保するためにはヘッドの構
造や材料の変更及び起磁力の増加が必要である。起磁力
を増加させるには記録電流値（以下、Ｉwと略す）を大
きくするか、または記録ヘッドの巻数を増加させる必要
がある。Ｉwの設定には記録アンプの設計が大きく関係
しており、そこでＩwの上限値が決定される。自己録再
型の誘導型磁気ヘッドの設計では再生出力値を確保する
ためにヘッドのコイル巻数を増加させる必要があるが、
録再分離型磁気ヘッドの場合は記録再生回路（ＩＣ）で
許容される記録電流値と必要起磁力から記録ヘッドの巻
数を決定してよい。
置に対する高記録密度化の要求が近年ますます高まって
いる。線記録密度の向上には媒体の保磁力を高める必要
があり、十分なＯＷ特性を確保するためにはヘッドの構
造や材料の変更及び起磁力の増加が必要である。起磁力
を増加させるには記録電流値（以下、Ｉwと略す）を大
きくするか、または記録ヘッドの巻数を増加させる必要
がある。Ｉwの設定には記録アンプの設計が大きく関係
しており、そこでＩwの上限値が決定される。自己録再
型の誘導型磁気ヘッドの設計では再生出力値を確保する
ためにヘッドのコイル巻数を増加させる必要があるが、
録再分離型磁気ヘッドの場合は記録再生回路（ＩＣ）で
許容される記録電流値と必要起磁力から記録ヘッドの巻
数を決定してよい。
【０００５】また、高記録密度化の一方で、高速転送化
のために高周波記録が強く望まれている。これには、Ｉ
wの立上り立下がり時間（それぞれｔr，ｔfと略す）を
小さくする必要があり、記録アンプにつながる負荷を小
さくする意味で記録ヘッドのインダクタンスを小さくす
ることと、記録アンプ自身の電流スイッチング特性を早
くすることが必要である。記録ヘッドのインダクタンス
を小さくするためにヘッドのコイル巻数を減少させると
起磁力が減少するので、十分なＯＷ特性を確保するため
には、記録ヘッド磁極にＣｏＮｉＦｅやＦｅＮ等の高飽
和磁束密度材料を採用したり、ヘッド浮上量を小さくす
る必要がある。従来、ヘッド及び記録アンプのみならず
媒体をも考慮して、ｔr，ｔfとＯＷ特性との関係を定量
的に検討した例はなかった。そのため、磁気記憶装置の
設計に際して、高周波領域で十分なＯＷ特性を確保し、
Ｓ／Ｎ比の良い記録再生特性を得るために記録再生系に
要求される条件が明確ではなかった。
のために高周波記録が強く望まれている。これには、Ｉ
wの立上り立下がり時間（それぞれｔr，ｔfと略す）を
小さくする必要があり、記録アンプにつながる負荷を小
さくする意味で記録ヘッドのインダクタンスを小さくす
ることと、記録アンプ自身の電流スイッチング特性を早
くすることが必要である。記録ヘッドのインダクタンス
を小さくするためにヘッドのコイル巻数を減少させると
起磁力が減少するので、十分なＯＷ特性を確保するため
には、記録ヘッド磁極にＣｏＮｉＦｅやＦｅＮ等の高飽
和磁束密度材料を採用したり、ヘッド浮上量を小さくす
る必要がある。従来、ヘッド及び記録アンプのみならず
媒体をも考慮して、ｔr，ｔfとＯＷ特性との関係を定量
的に検討した例はなかった。そのため、磁気記憶装置の
設計に際して、高周波領域で十分なＯＷ特性を確保し、
Ｓ／Ｎ比の良い記録再生特性を得るために記録再生系に
要求される条件が明確ではなかった。
【０００６】本発明は、このような背景のもとに、磁気
ディスク装置やＶＴＲ等の磁気記憶装置に用いられる磁
気記録媒体、磁気ヘッド及び記録再生アンプに関して、
記録ヘッド材料を変更したり磁気ヘッドと磁気記録媒体
間の距離を特別に縮小することなく、ＯＷ特性を劣化さ
せずに高密度、高周波記録を達成するための方式を提供
することを目的とする。
ディスク装置やＶＴＲ等の磁気記憶装置に用いられる磁
気記録媒体、磁気ヘッド及び記録再生アンプに関して、
記録ヘッド材料を変更したり磁気ヘッドと磁気記録媒体
間の距離を特別に縮小することなく、ＯＷ特性を劣化さ
せずに高密度、高周波記録を達成するための方式を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記目的を
達成するために、磁気ヘッド、磁気記録媒体、記録再生
ＩＣ等によって決定される諸パラメータに関して、次の
（１）式、（２）式又は（３）式を満たすように磁気記
憶装置の設計を行う。 ｖ×（ｔr＋ｔf）／２≦Ｌ （１） ｖ×（ｔr＋ｔf）／２≦５×Ｂｒ×ｔmag／Ｈｃ （２） ｆw≦１／（ｔr＋ｔf） （３） ただし、ｖ：ヘッド媒体間相対速度（ｍ／ｓｅｃ） ｔr：記録電流立上り時間（ｓｅｃ） ｔf：記録電流立下り時間（ｓｅｃ） Ｂｒ：磁気記録媒体の残留磁束密度（Ｇａｕｓｓ） ｔmag：磁気記録媒体の磁性膜厚（ｍ） Ｈｃ：磁気記録媒体の保磁力（Ｏｅ） ｆw：記録再生周波数（Ｈｚ） ここで、記録電流立上り時間ｔrは記録電流が増加しな
がらスイッチングする時に記録電流反転量の１０％及び
９０％を横切る間の時間をいい、記録電流立下り時間ｔ
fは記録電流が減少しながらスイッチングする時に記録
電流反転量の１０％及び９０％を横切る間の時間をい
う。
達成するために、磁気ヘッド、磁気記録媒体、記録再生
ＩＣ等によって決定される諸パラメータに関して、次の
（１）式、（２）式又は（３）式を満たすように磁気記
憶装置の設計を行う。 ｖ×（ｔr＋ｔf）／２≦Ｌ （１） ｖ×（ｔr＋ｔf）／２≦５×Ｂｒ×ｔmag／Ｈｃ （２） ｆw≦１／（ｔr＋ｔf） （３） ただし、ｖ：ヘッド媒体間相対速度（ｍ／ｓｅｃ） ｔr：記録電流立上り時間（ｓｅｃ） ｔf：記録電流立下り時間（ｓｅｃ） Ｂｒ：磁気記録媒体の残留磁束密度（Ｇａｕｓｓ） ｔmag：磁気記録媒体の磁性膜厚（ｍ） Ｈｃ：磁気記録媒体の保磁力（Ｏｅ） ｆw：記録再生周波数（Ｈｚ） ここで、記録電流立上り時間ｔrは記録電流が増加しな
がらスイッチングする時に記録電流反転量の１０％及び
９０％を横切る間の時間をいい、記録電流立下り時間ｔ
fは記録電流が減少しながらスイッチングする時に記録
電流反転量の１０％及び９０％を横切る間の時間をい
う。
【０００８】
【作用】前記条件（１），（２）又は（３）を満足する
ように装置設計を行うことにより、記録ヘッド材料を変
更したり、磁気ヘッドと磁気記録媒体間の距離を特別に
縮小することなく、ＯＷ特性を劣化させずに高密度、高
周波記録を達成することができる。その理由を以下に示
す。
ように装置設計を行うことにより、記録ヘッド材料を変
更したり、磁気ヘッドと磁気記録媒体間の距離を特別に
縮小することなく、ＯＷ特性を劣化させずに高密度、高
周波記録を達成することができる。その理由を以下に示
す。
【０００９】理想的な条件で記録を行った時の磁化遷移
幅Ｌｏは、ウイリアムズ−コムストックモデル（M. L.
Willaims et al., A. I. P. Conf. Proc., 5, 7387, 19
72）によると、πａというパラメータによって記述され
る（Ｌｏ≒πａ）。ここでａは、Ｍrを媒体残留磁化、
Ｈｃを媒体保磁力、Ｓ*を媒体角形比、ｇlを記録ヘッド
ギャップ長、ｈmをヘッド媒体間スペーシング、ｔを媒
体磁性膜厚として、下式によって表される。
幅Ｌｏは、ウイリアムズ−コムストックモデル（M. L.
Willaims et al., A. I. P. Conf. Proc., 5, 7387, 19
72）によると、πａというパラメータによって記述され
る（Ｌｏ≒πａ）。ここでａは、Ｍrを媒体残留磁化、
Ｈｃを媒体保磁力、Ｓ*を媒体角形比、ｇlを記録ヘッド
ギャップ長、ｈmをヘッド媒体間スペーシング、ｔを媒
体磁性膜厚として、下式によって表される。
【００１０】ａ＝ａ1／２ｒ＋［(ａ1／２ｒ)2＋２πχ
ｔａ1／ｒ］1/2 ａ1／２ｒ＝ｙ（１−Ｓ*）／πＱ＋［｛ｙ（１−Ｓ*）
／πＱ｝2＋（２Ｍrｔ／Ｈｃ）（２ｙ／Ｑｒ）］1/2 ｙ＝［ｈm（ｈm＋ｔ）］1/2 Ｑ＝０.８６６−０.２１６exp(−５ｙ／３ｇl) ｒ＝１−χ（１−Ｓ*）Ｈｃ／Ｍr χ＝Ｍr／４Ｈｃ 記録電流波形１が図１（ａ）に示すようなスイッチング
特性を有し、ウイリアムズ−コムストックの磁化遷移長
Ｌｏ（≒πａ）に比べて記録電流反転距離（ｔ r×ｖ）
あるいは（ｔf×ｖ）が小さい時には、図１（ｂ）に示
すように、実際に磁気記録媒体２上に形成される磁化遷
移領域４の幅ＬはＬｏにほぼ等しくなる。図１（ｂ）中
の矢印３は記録磁化の向きを表す。しかし、逆にπａに
比べて記録電流反転距離（ｔr×ｖ）あるいは（ｔf×
ｖ）が大きい時には、図２（ａ），（ｂ）に示すよう
に、磁気記録媒体２上に形成される磁化遷移領域４の幅
Ｌは（ｔ r×ｖ）あるいは（ｔf×ｖ）にほぼ等しくな
る。磁化遷移部は記録電流反転部に対応しており、十分
な記録磁界が発生しない。そのため、磁化遷移幅が大き
くなると、十分なＯＷ特性を確保することが困難となる
と考えられる。
ｔａ1／ｒ］1/2 ａ1／２ｒ＝ｙ（１−Ｓ*）／πＱ＋［｛ｙ（１−Ｓ*）
／πＱ｝2＋（２Ｍrｔ／Ｈｃ）（２ｙ／Ｑｒ）］1/2 ｙ＝［ｈm（ｈm＋ｔ）］1/2 Ｑ＝０.８６６−０.２１６exp(−５ｙ／３ｇl) ｒ＝１−χ（１−Ｓ*）Ｈｃ／Ｍr χ＝Ｍr／４Ｈｃ 記録電流波形１が図１（ａ）に示すようなスイッチング
特性を有し、ウイリアムズ−コムストックの磁化遷移長
Ｌｏ（≒πａ）に比べて記録電流反転距離（ｔ r×ｖ）
あるいは（ｔf×ｖ）が小さい時には、図１（ｂ）に示
すように、実際に磁気記録媒体２上に形成される磁化遷
移領域４の幅ＬはＬｏにほぼ等しくなる。図１（ｂ）中
の矢印３は記録磁化の向きを表す。しかし、逆にπａに
比べて記録電流反転距離（ｔr×ｖ）あるいは（ｔf×
ｖ）が大きい時には、図２（ａ），（ｂ）に示すよう
に、磁気記録媒体２上に形成される磁化遷移領域４の幅
Ｌは（ｔ r×ｖ）あるいは（ｔf×ｖ）にほぼ等しくな
る。磁化遷移部は記録電流反転部に対応しており、十分
な記録磁界が発生しない。そのため、磁化遷移幅が大き
くなると、十分なＯＷ特性を確保することが困難となる
と考えられる。
【００１１】実際に上記モデルを確認するために、図３
に示すように記録ヘッド５に直列にインダクタンスＬ７
を付加し、Ｌの値を変化させることによってｔr，ｔfを
変化させてＯＷ特性を評価した。図中、６は記録アンプ
である。ＯＷ特性評価実験時の条件を以下に示す。低密
度信号１５.６ｋＦＣＩの上に、高密度信号８８ｋＦＣ
Ｉを記録し、１５.６ｋＦＣＩ信号のオーバライト消去
比、すなわちオーバライト前の１５.６ｋＦＣＩ信号強
度とオーバライト後の消え残った１５.６ｋＦＣＩ信号
成分強度の比を測定評価した。ヘッド媒体間相対速度ｖ
を２５.６ｍ／ｓとし、ヘッド浮上量を５０ｎｍとして
ＯＷ特性を評価した。媒体の（Ｂｒ×ｔma g／Ｈｃ）値
は、３６〜５０ｎｍであり、πａ値は１６０〜２４０ｎ
ｍである。
に示すように記録ヘッド５に直列にインダクタンスＬ７
を付加し、Ｌの値を変化させることによってｔr，ｔfを
変化させてＯＷ特性を評価した。図中、６は記録アンプ
である。ＯＷ特性評価実験時の条件を以下に示す。低密
度信号１５.６ｋＦＣＩの上に、高密度信号８８ｋＦＣ
Ｉを記録し、１５.６ｋＦＣＩ信号のオーバライト消去
比、すなわちオーバライト前の１５.６ｋＦＣＩ信号強
度とオーバライト後の消え残った１５.６ｋＦＣＩ信号
成分強度の比を測定評価した。ヘッド媒体間相対速度ｖ
を２５.６ｍ／ｓとし、ヘッド浮上量を５０ｎｍとして
ＯＷ特性を評価した。媒体の（Ｂｒ×ｔma g／Ｈｃ）値
は、３６〜５０ｎｍであり、πａ値は１６０〜２４０ｎ
ｍである。
【００１２】ＯＷ(Ｎ'／Ｎ)の記録電流反転距離［（ｔr
＋ｔf）×ｖ／２］依存性測定結果を図４に示す。図４
より、記録電流反転距離［（ｔr＋ｔf）×ｖ／２］が２
００ｎｍ以下と小さな領域では［（ｔr＋ｔf）×ｖ／
２］に対するＯＷ(Ｎ'／Ｎ)の変化はないが、それ以上
の［（ｔr＋ｔf）×ｖ／２］の大きな領域では［（ｔr
＋ｔf）×ｖ／２］の増加とともにＯＷ(Ｎ'／Ｎ)が低下
している。十分小さな記録電流反転領域でのＯＷ(Ｎ'／
Ｎ)値に対して３ｄＢだけＯＷ(Ｎ'／Ｎ)が低下する記録
電流反転距離を「ＯＷ３ｄＢ低下長さ」と定義する。図
５は、ＯＷ３ｄＢ低下長さを１６０〜２０ｎｍの間の４
種類のπａの媒体に対してプロットしたものである。図
５から、ＯＷ３ｄＢ低下長さはほぼ１.２πａであるこ
とがわかる。すなわち、記録電流反転距離がπａ程度に
なるとＯＷ特性が低下し始める。これは、本モデルの正
当性を示している。
＋ｔf）×ｖ／２］依存性測定結果を図４に示す。図４
より、記録電流反転距離［（ｔr＋ｔf）×ｖ／２］が２
００ｎｍ以下と小さな領域では［（ｔr＋ｔf）×ｖ／
２］に対するＯＷ(Ｎ'／Ｎ)の変化はないが、それ以上
の［（ｔr＋ｔf）×ｖ／２］の大きな領域では［（ｔr
＋ｔf）×ｖ／２］の増加とともにＯＷ(Ｎ'／Ｎ)が低下
している。十分小さな記録電流反転領域でのＯＷ(Ｎ'／
Ｎ)値に対して３ｄＢだけＯＷ(Ｎ'／Ｎ)が低下する記録
電流反転距離を「ＯＷ３ｄＢ低下長さ」と定義する。図
５は、ＯＷ３ｄＢ低下長さを１６０〜２０ｎｍの間の４
種類のπａの媒体に対してプロットしたものである。図
５から、ＯＷ３ｄＢ低下長さはほぼ１.２πａであるこ
とがわかる。すなわち、記録電流反転距離がπａ程度に
なるとＯＷ特性が低下し始める。これは、本モデルの正
当性を示している。
【００１３】一方、単純なモデルでは、媒体の磁気遷移
幅は媒体内記録反磁界（Ｂｒ×ｔma g／Ｈｃ）に比例す
る（松本光功他著「磁気記録工学」共立出版、第５１
頁）。ここで、Ｈｃ、Ｂｒ、ｔmagはそれぞれ媒体の保
磁力、残留磁束密度、磁性膜厚を表す。上述したのと同
様の手法で、ＯＷ３ｄＢ低下長さをＢｒｔ／Ｈｃに対し
てプロットした結果を図６に示す。図６より、ＯＷ３ｄ
Ｂ低下長さは５Ｂｒｔ／Ｈｃとなっていることがわか
る。よって、十分なＯＷ特性を確保するためには記録電
流反転距離を５Ｂｒｔ／Ｈｃ以下にする必要がある。こ
れが（２）式の意味するところである。
幅は媒体内記録反磁界（Ｂｒ×ｔma g／Ｈｃ）に比例す
る（松本光功他著「磁気記録工学」共立出版、第５１
頁）。ここで、Ｈｃ、Ｂｒ、ｔmagはそれぞれ媒体の保
磁力、残留磁束密度、磁性膜厚を表す。上述したのと同
様の手法で、ＯＷ３ｄＢ低下長さをＢｒｔ／Ｈｃに対し
てプロットした結果を図６に示す。図６より、ＯＷ３ｄ
Ｂ低下長さは５Ｂｒｔ／Ｈｃとなっていることがわか
る。よって、十分なＯＷ特性を確保するためには記録電
流反転距離を５Ｂｒｔ／Ｈｃ以下にする必要がある。こ
れが（２）式の意味するところである。
【００１４】また、前述のＯＷ特性測定条件でｔr，ｔf
を変化させて、２Ｆ周波数に対するＯＷ(Ｎ'／Ｎ)をプ
ロットして、ＯＷ特性悪化開始周波数ＦＷを図７に示す
ように定義する。図８に、ＦＷの１／（ｔr＋ｔf）依存
性を示す。図８より、次式の関係が成り立っていること
がわかる。 ＦＷ＝１／（ｔr＋ｔf） これは、１／（ｔr＋ｔf）以上の周波数で記録を行うと
隣接する記録電流反転が干渉し、記録電流設定値を保つ
ことができないことに起因すると推察される。記録電流
値が設定記録周波数とともに減衰し、主として記録磁界
の低下により十分なＯＷ特性を保持することが困難とな
る。
を変化させて、２Ｆ周波数に対するＯＷ(Ｎ'／Ｎ)をプ
ロットして、ＯＷ特性悪化開始周波数ＦＷを図７に示す
ように定義する。図８に、ＦＷの１／（ｔr＋ｔf）依存
性を示す。図８より、次式の関係が成り立っていること
がわかる。 ＦＷ＝１／（ｔr＋ｔf） これは、１／（ｔr＋ｔf）以上の周波数で記録を行うと
隣接する記録電流反転が干渉し、記録電流設定値を保つ
ことができないことに起因すると推察される。記録電流
値が設定記録周波数とともに減衰し、主として記録磁界
の低下により十分なＯＷ特性を保持することが困難とな
る。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。 〔実施例１〕磁気記憶装置として、図１３に概念図を示
すものを用意した。この磁気記憶装置は、磁気情報を記
録する磁気記録媒体２、磁気記録媒体２に対して情報の
記録、再生を行う磁気ヘッド１０、記録アンプ６を備え
記録用磁気ヘッドに記録信号を発生する記録回路１６、
プリアンプ１７及び弁別回路１８を備え再生ヘッドから
の信号を処理する再生回路１９、コントローラ１４、Ｃ
ＰＵ１５等を含む周知の構成のものである。ＣＰＵ１５
の制御下に、コントローラ１４から位置決め回路１３に
出された指令に従って磁気ヘッド１０は磁気記録媒体２
の所望のトラック１１に位置決めされ、そのトラック上
で磁気情報の記録あるいは再生を行う。
る。 〔実施例１〕磁気記憶装置として、図１３に概念図を示
すものを用意した。この磁気記憶装置は、磁気情報を記
録する磁気記録媒体２、磁気記録媒体２に対して情報の
記録、再生を行う磁気ヘッド１０、記録アンプ６を備え
記録用磁気ヘッドに記録信号を発生する記録回路１６、
プリアンプ１７及び弁別回路１８を備え再生ヘッドから
の信号を処理する再生回路１９、コントローラ１４、Ｃ
ＰＵ１５等を含む周知の構成のものである。ＣＰＵ１５
の制御下に、コントローラ１４から位置決め回路１３に
出された指令に従って磁気ヘッド１０は磁気記録媒体２
の所望のトラック１１に位置決めされ、そのトラック上
で磁気情報の記録あるいは再生を行う。
【００１６】作用の項で述べたように、媒体内記録反磁
界（Ｂｒ×ｔmag／Ｈｃ）に比例する磁化遷移幅Ｌｏ
（≒πａ）に比べて記録電流反転距離（ｔr×ｖ）及び
（ｔf×ｖ）が小さい時には、図１に示すように実際に
媒体上に形成される磁化遷移領域の幅ＬはＬｏに一致す
る。しかし、逆にＬｏに比べて記録電流反転距離（ｔr
×ｖ）及び（ｔf×ｖ）が大きい時には、図２に示すよ
うに媒体上に形成される磁化遷移領域の幅Ｌは（ｔr×
ｖ）及び（ｔf×ｖ）によって決定される。磁化遷移部
は記録電流反転部に対応しており、十分な記録磁界が発
生しない。そのため、磁化遷移幅が大きくなると、十分
なＯＷ特性を確保することが困難になる。また、さらに
記録周波数を１／（ｔr＋ｔf）以下にすることによりＯ
Ｗ低下を抑止することができる。
界（Ｂｒ×ｔmag／Ｈｃ）に比例する磁化遷移幅Ｌｏ
（≒πａ）に比べて記録電流反転距離（ｔr×ｖ）及び
（ｔf×ｖ）が小さい時には、図１に示すように実際に
媒体上に形成される磁化遷移領域の幅ＬはＬｏに一致す
る。しかし、逆にＬｏに比べて記録電流反転距離（ｔr
×ｖ）及び（ｔf×ｖ）が大きい時には、図２に示すよ
うに媒体上に形成される磁化遷移領域の幅Ｌは（ｔr×
ｖ）及び（ｔf×ｖ）によって決定される。磁化遷移部
は記録電流反転部に対応しており、十分な記録磁界が発
生しない。そのため、磁化遷移幅が大きくなると、十分
なＯＷ特性を確保することが困難になる。また、さらに
記録周波数を１／（ｔr＋ｔf）以下にすることによりＯ
Ｗ低下を抑止することができる。
【００１７】本実施例では、図１３に示した磁気記憶装
置により、πａ＝２０４ｎｍの媒体に対して１平方イン
チ当たり２ギガビットの記録密度で飽和磁気記録を行っ
て上書き特性を調べた。ここで、線記録密度１１７ｋＢ
ＰＩ（ＲＬＬ １，７コード）、トラック密度１７ｋＴ
ＰＩとした。すなわち磁化反転密度は８８ｋＦＣＩ、ト
ラックピッチは１.５μｍである。図４に示したよう
に、ヘッドと媒体間の相対速度ｖ＝２５.６ｍ／ｓｅ
ｃ、記録電流反転距離［（ｔr＋ｔf）×ｖ／２］＜２０
４ｎｍ、すなわち（ｔr＋ｔf）／２＜８.０ｎｓｅｃの
条件で記録した場合には、ＯＷ特性の劣化を抑止するこ
とができたが、［（ｔr＋ｔf）×ｖ／２］＝２６９ｎ
ｍ、すなわち（ｔr＋ｔf）／２＝１０.５ｎｓｅｃの条
件で記録した場合には［（ｔr＋ｔf）×ｖ／２］＜２０
４ｎｍの時に比べて４.３ｄＢの上書き特性の劣化が認
められた。
置により、πａ＝２０４ｎｍの媒体に対して１平方イン
チ当たり２ギガビットの記録密度で飽和磁気記録を行っ
て上書き特性を調べた。ここで、線記録密度１１７ｋＢ
ＰＩ（ＲＬＬ １，７コード）、トラック密度１７ｋＴ
ＰＩとした。すなわち磁化反転密度は８８ｋＦＣＩ、ト
ラックピッチは１.５μｍである。図４に示したよう
に、ヘッドと媒体間の相対速度ｖ＝２５.６ｍ／ｓｅ
ｃ、記録電流反転距離［（ｔr＋ｔf）×ｖ／２］＜２０
４ｎｍ、すなわち（ｔr＋ｔf）／２＜８.０ｎｓｅｃの
条件で記録した場合には、ＯＷ特性の劣化を抑止するこ
とができたが、［（ｔr＋ｔf）×ｖ／２］＝２６９ｎ
ｍ、すなわち（ｔr＋ｔf）／２＝１０.５ｎｓｅｃの条
件で記録した場合には［（ｔr＋ｔf）×ｖ／２］＜２０
４ｎｍの時に比べて４.３ｄＢの上書き特性の劣化が認
められた。
【００１８】〔実施例２〕図９に磁気ヘッドを含む記録
アンプの等価回路図を示す。Ｖ5，Ｖ8によって記録のタ
イミングを合わせ、Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3，Ｖ4にｈｉｇｈ及び
ｌｏｗレベルのデータを与えることによって記録電流の
波形パターンを決定する。記録アンプに与える電源電圧
がＶEの絶対値に対応する。具体的な記録アンプの動作
状態を図１０に示す。状態Ａでは、トランジスタＱ1，
Ｑ4のベースにｈｉｇｈレベル、トランジスタＱ2，Ｑ3
のベースにｌｏｗレベルを与えている。この時、トラン
ジスタＱ1，Ｑ4がオン、Ｑ2，Ｑ3がオフになり、記録電
流Ｉwは図に示すように向かって左から右へ定常的に流
れる。状態Ｃは、状態Ａとは逆にトランジスタＱ1，Ｑ4
のベースにｌｏｗレベル、トランジスタＱ2，Ｑ3のベー
スにｈｉｇｈレベルを与えている。この時、トランジス
タＱ1，Ｑ4がオフ、Ｑ2，Ｑ3がオンになり、記録電流Ｉ
wは図に示すように状態Ａとは逆に向かって右から左へ
流れる。状態Ｂに、状態Ａから状態Ｃへの過渡状態を示
す。記録ヘッドのインダクタンス及び抵抗値をそれぞれ
ＬH，ＲHとし、トランジスタＱ1，Ｑ2のベースエミッタ
間電圧をそれぞれＶBEQ1，ＶBEQ2とする。Ｒ1とＲ2、Ｑ
1とＱ2にそれぞれ同じ特性の抵抗、トランジスタを配置
することで、トランジスタＱ1，Ｑ2のベース電位のｈｉ
ｇｈ，ｌｏｗレベルはいずれもほぼ同じ値をとることが
できる。状態ＢにおけるＱ1，Ｑ2のエミッタ電位をそれ
ぞれｅ1，ｅ2とすると、次式が成立する。
アンプの等価回路図を示す。Ｖ5，Ｖ8によって記録のタ
イミングを合わせ、Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3，Ｖ4にｈｉｇｈ及び
ｌｏｗレベルのデータを与えることによって記録電流の
波形パターンを決定する。記録アンプに与える電源電圧
がＶEの絶対値に対応する。具体的な記録アンプの動作
状態を図１０に示す。状態Ａでは、トランジスタＱ1，
Ｑ4のベースにｈｉｇｈレベル、トランジスタＱ2，Ｑ3
のベースにｌｏｗレベルを与えている。この時、トラン
ジスタＱ1，Ｑ4がオン、Ｑ2，Ｑ3がオフになり、記録電
流Ｉwは図に示すように向かって左から右へ定常的に流
れる。状態Ｃは、状態Ａとは逆にトランジスタＱ1，Ｑ4
のベースにｌｏｗレベル、トランジスタＱ2，Ｑ3のベー
スにｈｉｇｈレベルを与えている。この時、トランジス
タＱ1，Ｑ4がオフ、Ｑ2，Ｑ3がオンになり、記録電流Ｉ
wは図に示すように状態Ａとは逆に向かって右から左へ
流れる。状態Ｂに、状態Ａから状態Ｃへの過渡状態を示
す。記録ヘッドのインダクタンス及び抵抗値をそれぞれ
ＬH，ＲHとし、トランジスタＱ1，Ｑ2のベースエミッタ
間電圧をそれぞれＶBEQ1，ＶBEQ2とする。Ｒ1とＲ2、Ｑ
1とＱ2にそれぞれ同じ特性の抵抗、トランジスタを配置
することで、トランジスタＱ1，Ｑ2のベース電位のｈｉ
ｇｈ，ｌｏｗレベルはいずれもほぼ同じ値をとることが
できる。状態ＢにおけるＱ1，Ｑ2のエミッタ電位をそれ
ぞれｅ1，ｅ2とすると、次式が成立する。
【００１９】 ｅ1＝ＶL1−ＶBEQ1， ｅ2＝ＶH1−ＶBEQ2 ここで、ＶBEQ1とＶBEQ2がほぼ等しいとすると、 ｜ｅ1−ｅ2｜＝ＶH1−ＶL1 となる。ここで、ＶB＝ＶH1−ＶL1 とすると、 ＶB＝ＲH・Ｉw(ｔ)＋ＬH・ｄＩw(ｔ)／ｄｔ なる微分方程式が成立する。ただし、Ｉw(ｔ)は時刻ｔ
における記録電流値である。これを解くと、 Ｉw(ｔ)＝ＶB／ＲH−（ＶB／ＲH＋Ｉw）exp(−ＲH／ＬH
・ｔ) となる。ただし、Ｉwは状態Ａにおける記録電流値であ
る。ｔr，ｔfを記録電流反転量の１０％及び９０％を横
切る時間と定義すると、次式（４）が得られる。
における記録電流値である。これを解くと、 Ｉw(ｔ)＝ＶB／ＲH−（ＶB／ＲH＋Ｉw）exp(−ＲH／ＬH
・ｔ) となる。ただし、Ｉwは状態Ａにおける記録電流値であ
る。ｔr，ｔfを記録電流反転量の１０％及び９０％を横
切る時間と定義すると、次式（４）が得られる。
【００２０】 ｔr，ｔf＝ｔ［Ｉw(ｔ)＝0.8Ｉw］−ｔ［Ｉw(ｔ)＝-0.8Ｉw］ ＝(ＬH／ＲH)・Ｌｎ[１＋１.６Ｉw/(ＶB／ＲH−０.８Ｉw)] （４） あるいは、 ｔa≡（ｔr＋ｔf）／２ ＝ｔ［Ｉw(ｔ)＝0.8Ｉw］−ｔ［Ｉw(ｔ)＝-0.8Ｉw］ ＝(ＬH/ＲH)・Ｌｎ[１＋１.６Ｉw/(ＶB/ＲH−０.８Ｉw)] これを変形すると次式が得られる。
【００２１】 Ｉw＝(ＶB/ＲH)/[１.６/[exp(ｔa・ＲH/ＬH)−１]＋０.８] （５） 上記理論の実験検証を以下に示す。実際にはほとんどの
場合、記録系最適化の結果、ＶBは記録アンプに与える
電源電圧ＶEの半分程度に相当する。８.６Ｖ及び５.２
Ｖの電源電圧で駆動される記録アンプに対してＶBをそ
れぞれ４.２Ｖ，２.２Ｖと設定し、ヘッドのコイル巻き
数を１７，３０，４０ターンと変化させ、かつ、記録ヘ
ッドと記録アンプの間に直列にインダクタンス（０〜
１.２μＨ）を挿入することでｔr，ｔfを変化させた。
（４）式より計算で求めたｔrと実験により求めた（ｔr
＋ｔf）／２の関係をプロットしたものを図１１に示
す。図より、実験は理論とよく合うことが分かる。
場合、記録系最適化の結果、ＶBは記録アンプに与える
電源電圧ＶEの半分程度に相当する。８.６Ｖ及び５.２
Ｖの電源電圧で駆動される記録アンプに対してＶBをそ
れぞれ４.２Ｖ，２.２Ｖと設定し、ヘッドのコイル巻き
数を１７，３０，４０ターンと変化させ、かつ、記録ヘ
ッドと記録アンプの間に直列にインダクタンス（０〜
１.２μＨ）を挿入することでｔr，ｔfを変化させた。
（４）式より計算で求めたｔrと実験により求めた（ｔr
＋ｔf）／２の関係をプロットしたものを図１１に示
す。図より、実験は理論とよく合うことが分かる。
【００２２】１平方インチ当たり２ギガビット以上の磁
気記憶装置では媒体の高保磁力化が求められる。保磁力
Ｈｃ＝２.３〜３.８ｋＯｅの媒体に対して高飽和磁束密
度材料Ｃｏ-Ｎｉ-Ｆｅ（Ｂｓ＝１.７Ｔ）を用いた記録
ヘッドを使用して記録再生実験を行った。起磁力の増加
に対して再生出力が飽和するような起磁力をＨｃに対し
てプロットした結果を図１２に示す。この結果より、記
録に必要な起磁力は、Ｈｃ＝２.５ｋＯｅの媒体に対し
て０.５３Ａturn、Ｈｃ＝３ｋＯｅに対して０.６２Ａtu
rn、Ｈｃ＝３.５ｋＯｅに対して０.７３Ａturnであるこ
とがわかった。つまり、記録ヘッドターン数をＮとし、
ＶBを記録アンプに与える電源電圧ＶEの半分、すなわち
ＶB＝ＶE／２とすると、（５）式よりＨｃ＝２.５ｋＯ
ｅに対して (ＶE・Ｎ/２ＲH)/[１.６/[exp(ｔa・ＲH/ＬH)−１]＋０.
８]＞０.５３ Ｈｃ＝３ｋＯｅに対して (ＶE・Ｎ/２ＲH)/[１.６/[exp(ｔa・ＲH/ＬH)−１]＋０.
８]＞０.６２ Ｈｃ＝３.５ｋＯｅに対して (ＶE・Ｎ/２ＲH)/[１.６/[exp(ｔa・ＲH/ＬH)−１]＋０.
８]＞０.７３ とする必要があることが分かる。例えば、Ｈｃ＝２.９
ｋＯｅの媒体に対してＶE＝８.２Ｖ、Ｎ＝１７ターン、
ＲH＝１８.６Ω、ＬH＝０.２２μＨ、（ｔr＋ｔf）／２
＝５.１ｎｓｅｃとすると、 (ＶE・Ｎ/２ＲH)/[１.６/[exp(ｔa・ＲH/ＬH)−１]＋０.
８]＝４.４ となり、Ｉw＝４０ｍＡｏｐとして良好なＯＷ特性が得
られる。
気記憶装置では媒体の高保磁力化が求められる。保磁力
Ｈｃ＝２.３〜３.８ｋＯｅの媒体に対して高飽和磁束密
度材料Ｃｏ-Ｎｉ-Ｆｅ（Ｂｓ＝１.７Ｔ）を用いた記録
ヘッドを使用して記録再生実験を行った。起磁力の増加
に対して再生出力が飽和するような起磁力をＨｃに対し
てプロットした結果を図１２に示す。この結果より、記
録に必要な起磁力は、Ｈｃ＝２.５ｋＯｅの媒体に対し
て０.５３Ａturn、Ｈｃ＝３ｋＯｅに対して０.６２Ａtu
rn、Ｈｃ＝３.５ｋＯｅに対して０.７３Ａturnであるこ
とがわかった。つまり、記録ヘッドターン数をＮとし、
ＶBを記録アンプに与える電源電圧ＶEの半分、すなわち
ＶB＝ＶE／２とすると、（５）式よりＨｃ＝２.５ｋＯ
ｅに対して (ＶE・Ｎ/２ＲH)/[１.６/[exp(ｔa・ＲH/ＬH)−１]＋０.
８]＞０.５３ Ｈｃ＝３ｋＯｅに対して (ＶE・Ｎ/２ＲH)/[１.６/[exp(ｔa・ＲH/ＬH)−１]＋０.
８]＞０.６２ Ｈｃ＝３.５ｋＯｅに対して (ＶE・Ｎ/２ＲH)/[１.６/[exp(ｔa・ＲH/ＬH)−１]＋０.
８]＞０.７３ とする必要があることが分かる。例えば、Ｈｃ＝２.９
ｋＯｅの媒体に対してＶE＝８.２Ｖ、Ｎ＝１７ターン、
ＲH＝１８.６Ω、ＬH＝０.２２μＨ、（ｔr＋ｔf）／２
＝５.１ｎｓｅｃとすると、 (ＶE・Ｎ/２ＲH)/[１.６/[exp(ｔa・ＲH/ＬH)−１]＋０.
８]＝４.４ となり、Ｉw＝４０ｍＡｏｐとして良好なＯＷ特性が得
られる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、磁気記憶装置におい
て、記録ヘッド材料を変更したり、特別に磁気ヘッドと
磁気記録媒体間の距離を縮小することなく、ＯＷ特性を
劣化させずに高密度、高周波記録を達成することができ
る。
て、記録ヘッド材料を変更したり、特別に磁気ヘッドと
磁気記録媒体間の距離を縮小することなく、ＯＷ特性を
劣化させずに高密度、高周波記録を達成することができ
る。
【図１】本発明の実施例による高周波記録時の記録電流
波形と磁化遷移部の対応状態模式図。
波形と磁化遷移部の対応状態模式図。
【図２】従来技術による高周波記録時の記録電流波形と
磁化遷移部の対応状態模式図。
磁化遷移部の対応状態模式図。
【図３】ＯＷ(Ｎ'／Ｎ)のｔr，ｔf依存性を検討する実
験に使用する記録系の等価回路図。
験に使用する記録系の等価回路図。
【図４】ＯＷ(Ｎ'／Ｎ)の記録電流反転距離［（ｔr＋ｔ
f）×ｖ／２］依存性を示す図。
f）×ｖ／２］依存性を示す図。
【図５】ＯＷ３ｄＢ低下長さのπａ依存性を示す図。
【図６】ＯＷ３ｄＢ低下長さのＢｒｔ／Ｈｃ依存性を示
す図。
す図。
【図７】ＯＷ特性悪化開始周波数ＦＷの定義図。
【図８】ＯＷ特性悪化開始周波数ＦＷの１／（ｔr＋
ｔf）依存性を示す図。
ｔf）依存性を示す図。
【図９】記録ヘッドを含む記録アンプの等価回路図。
【図１０】記録アンプの動作状態図。
【図１１】記録電流反転時間の実験測定値と計算値との
対応を示す図。
対応を示す図。
【図１２】磁気記録媒体の保磁力と記録必要起磁力の関
係を示す図。
係を示す図。
【図１３】磁気記憶装置の概念図。
１：記録電流波形、２：磁気記録媒体、３：記録磁化の
向き、４：磁化遷移部、５：記録ヘッド、６：記録アン
プ、７：付加インダクタンス、１４：コントローラ、１
５：ＣＰＵ、１６：記録回路、１９：再生回路
向き、４：磁化遷移部、５：記録ヘッド、６：記録アン
プ、７：付加インダクタンス、１４：コントローラ、１
５：ＣＰＵ、１６：記録回路、１９：再生回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 城石 芳博 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 土屋 鈴二朗 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 松岡 伸也 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内
Claims (9)
- 【請求項１】 磁気ヘッドに矩形波記録電流を流すこと
によって磁気記録媒体に１平方インチ当たり２ギガビッ
ト以上の記録密度で飽和磁気記録を行う磁気記憶方法に
おいて、記録電流が増加しながらスイッチングする時に
記録電流反転量の１０％及び９０％を横切る間の時間を
立上り時間ｔr、記録電流が減少しながらスイッチング
する時に記録電流反転量の１０％及び９０％を横切る間
の時間を立下り時間ｔf、ヘッド媒体間相対速度をｖ、
媒体上の磁化反転幅をＬとして、下式を満たすことを特
徴とする磁気記憶方法。 ｖ×（ｔr＋ｔf）／２≦Ｌ - 【請求項２】 １平方インチ当たり２ギガビット以上の
記録密度で磁気データを記憶する磁気記録媒体及び信号
の記録再生を行う磁気ヘッドを備え、前記磁気ヘッドに
矩形波記録電流を流すことによって前記磁気記録媒体に
飽和磁気記録を行う磁気記憶装置において、前記飽和磁
気記録時に、記録電流が増加しながらスイッチングする
時に記録電流反転量の１０％及び９０％を横切る間の時
間を立上り時間ｔr、記録電流が減少しながらスイッチ
ングする時に記録電流反転量の１０％及び９０％を横切
る間の時間を立下り時間ｔf、ヘッド媒体間相対速度を
ｖ、媒体上の磁化反転幅をＬとして、下式を満たすこと
を特徴とする磁気記憶装置。 ｖ×（ｔr＋ｔf）／
２≦Ｌ - 【請求項３】 磁気ヘッドに矩形波記録電流を流すこと
によって磁気記録媒体に１平方インチ当たり２ギガビッ
ト以上の記録密度で飽和磁気記録を行う磁気記憶方法に
おいて、記録電流が増加しながらスイッチングする時に
記録電流反転量の１０％及び９０％を横切る間の時間を
立上り時間ｔr、記録電流が減少しながらスイッチング
する時に記録電流反転量の１０％及び９０％を横切る間
の時間を立下り時間ｔf、ヘッド媒体間相対速度をｖ、
媒体保磁力をＨｃ、媒体飽和磁束密度をＢｒ、媒体磁性
膜厚をｔmagとする時、下式を満たすことを特徴とする
磁気記憶方法。 ｖ×（ｔr＋ｔf）／２≦５×Ｂｒ×ｔmag／Ｈｃ - 【請求項４】 １平方インチ当たり２ギガビット以上の
記録密度で磁気データを記憶する磁気記録媒体及び信号
の記録再生を行う磁気ヘッドを備え、前記磁気ヘッドに
矩形波記録電流を流すことによって前記磁気記録媒体に
飽和磁気記録を行う磁気記憶装置において、前記飽和磁
気記録時に、記録電流が増加しながらスイッチングする
時に記録電流反転量の１０％及び９０％を横切る間の時
間を立上り時間ｔr、記録電流が減少しながらスイッチ
ングする時に記録電流反転量の１０％及び９０％を横切
る間の時間を立下り時間ｔf、ヘッド媒体間相対速度を
ｖ、媒体保磁力をＨｃ、媒体飽和磁束密度をＢｒ、媒体
磁性膜厚をｔmagとする時、下式を満たすことを特徴と
する磁気記憶装置。 ｖ×（ｔr＋ｔf）／２≦５×Ｂｒ×ｔmag／Ｈｃ - 【請求項５】 磁気ヘッドに矩形波記録電流を流すこと
によって磁気記録媒体に１平方インチ当たり２ギガビッ
ト以上の記録密度で飽和磁気記録を行う時、記録電流が
増加しながらスイッチングする時に記録電流反転量の１
０％及び９０％を横切る間の時間を立上り時間ｔr、記
録電流が減少しながらスイッチングする時に記録電流反
転量の１０％及び９０％を横切る間の時間を立下り時間
ｔf、記録周波数をｆwとする時、下式を満たすことを特
徴とする磁気記憶方法。 ｆw≦１／（ｔr＋ｔf） - 【請求項６】 １平方インチ当たり２ギガビット以上の
記録密度で磁気データを記憶する磁気記録媒体及び信号
の記録再生を行う磁気ヘッドを備え、前記磁気ヘッドに
矩形波記録電流を流すことによって前記磁気記録媒体に
飽和磁気記録を行う磁気記憶装置において、前記飽和磁
気記録時に、記録電流が増加しながらスイッチングする
時に記録電流反転量の１０％及び９０％を横切る間の時
間を立上り時間ｔr、記録電流が減少しながらスイッチ
ングする時に記録電流反転量の１０％及び９０％を横切
る間の時間を立下り時間ｔf、記録周波数をｆwとする
時、下式を満たすことを特徴とする磁気記憶装置。 ｆw≦１／（ｔr＋ｔf） - 【請求項７】 ２.５ｋＯｅ以上の保磁力を有し１平方
インチ当たり２ギガビット以上の記録密度を有する磁気
記録媒体と、信号の記録再生を行う磁気ヘッドと、前記
磁気ヘッドに記録電流を流すべくＶEなる電源電圧を印
加された記録アンプを備え、前記磁気ヘッドに矩形波記
録電流を流すことによって前記磁気記録媒体に飽和磁気
記録を行う磁気記憶装置において、前記飽和磁気記録時
に、記録電流が増加しながらスイッチングする時に記録
電流反転量の１０％及び９０％を横切る間の時間を立上
り時間ｔr、記録電流が減少しながらスイッチングする
時に記録電流反転量の１０％及び９０％を横切る間の時
間を立下り時間ｔf、ｔa＝（ｔr＋ｔf）／２、前記記録
ヘッドのインダクタンスをＬH、抵抗をＲH、コイルのタ
ーン数をＮとする時、次式の関係を満たすことを特徴と
する磁気記憶装置。 (ＶE・Ｎ/２ＲH)/[１.６/[exp(ｔa・ＲH/ＬH)−１]＋０.
８]＞０.５３ - 【請求項８】 ３ｋＯｅ以上の保磁力を有し１平方イン
チ当たり２ギガビット以上の記録密度を有する磁気記録
媒体と、信号の記録再生を行う磁気ヘッドと、前記磁気
ヘッドに記録電流を流すべくＶEなる電源電圧を印加さ
れた記録アンプを備え、前記磁気ヘッドに矩形波記録電
流を流すことによって前記磁気記録媒体に飽和磁気記録
を行う磁気記憶装置において、前記飽和磁気記録に時、
記録電流が増加しながらスイッチングする時に記録電流
反転量の１０％及び９０％を横切る間の時間を立上り時
間ｔr、記録電流が減少しながらスイッチングする時に
記録電流反転量の１０％及び９０％を横切る間の時間を
立下り時間ｔf、ｔa＝（ｔr＋ｔf）／２、前記記録ヘッ
ドのインダクタンスをＬH、抵抗をＲH、コイルのターン
数をＮとする時、次式の関係を満たすことを特徴とする
磁気記憶装置。 (ＶE・Ｎ/２ＲH)/[１.６/[exp(ｔa・ＲH/ＬH)−１]＋０.
８]＞０.６２ - 【請求項９】 ３.５ｋＯｅ以上の保磁力を有し１平方
インチ当たり２ギガビット以上の記録密度を有する磁気
記録媒体と、信号の記録再生を行う磁気ヘッドと、前記
磁気ヘッドに記録電流を流すべくＶEなる電源電圧を印
加された記録アンプを備え、前記磁気ヘッドに矩形波記
録電流を流すことによって前記磁気記録媒体に飽和磁気
記録を行う磁気記憶装置において、前記飽和磁気記録時
に、記録電流が増加しながらスイッチングする時に記録
電流反転量の１０％及び９０％を横切る間の時間を立上
り時間ｔr、記録電流が減少しながらスイッチングする
時に記録電流反転量の１０％及び９０％を横切る間の時
間を立下り時間ｔf、ｔa＝（ｔr＋ｔf）／２、前記記録
ヘッドのインダクタンスをＬH、抵抗をＲH、コイルのタ
ーン数をＮとする時、次式の関係を満たすことを特徴と
する磁気記憶装置。 (ＶE・Ｎ/２ＲH)/[１.６/[exp(ｔa・ＲH/ＬH)−１]＋０.
８]＞０.７３
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17235995A JPH0927101A (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 磁気記憶方法及び磁気記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17235995A JPH0927101A (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 磁気記憶方法及び磁気記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927101A true JPH0927101A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15940449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17235995A Pending JPH0927101A (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 磁気記憶方法及び磁気記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0927101A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008126194A1 (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-23 | Fujitsu Limited | 磁気記録回路、磁気記録装置、および情報記録方法 |
| US8219677B2 (en) | 1998-09-01 | 2012-07-10 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for inspecting the properties of a computer |
| US8914507B2 (en) | 1998-09-01 | 2014-12-16 | International Business Machines Corporation | Advice provided for offering highly targeted advice without compromising individual privacy |
-
1995
- 1995-07-07 JP JP17235995A patent/JPH0927101A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8219677B2 (en) | 1998-09-01 | 2012-07-10 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for inspecting the properties of a computer |
| US8914507B2 (en) | 1998-09-01 | 2014-12-16 | International Business Machines Corporation | Advice provided for offering highly targeted advice without compromising individual privacy |
| WO2008126194A1 (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-23 | Fujitsu Limited | 磁気記録回路、磁気記録装置、および情報記録方法 |
| JPWO2008126194A1 (ja) * | 2007-03-19 | 2010-07-22 | 東芝ストレージデバイス株式会社 | 磁気記録回路、磁気記録装置、および情報記録方法 |
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