JPH09268400A - Plating solution component concentration control method - Google Patents
Plating solution component concentration control methodInfo
- Publication number
- JPH09268400A JPH09268400A JP16602596A JP16602596A JPH09268400A JP H09268400 A JPH09268400 A JP H09268400A JP 16602596 A JP16602596 A JP 16602596A JP 16602596 A JP16602596 A JP 16602596A JP H09268400 A JPH09268400 A JP H09268400A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- concentration
- plating
- target value
- plating solution
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 めっき系内に水の出入があるために総浴量が
変動する場合でも、成分濃度のフィードバック制御によ
りpHの異常低下を防止することができる。
【解決手段】 系内に水の出入を伴うめっき設備で、不
溶性陽極を使用して電気めっきを行う際に、めっき液の
金属濃度を制御するめっき液成分濃度制御方法におい
て、めっき系内に水の出入が生じたために、該めっき系
に存在する全めっき液である総浴量の実績値に、浴量目
標値からの変動が生じた場合(A)、その変動時には、
金属濃度のフィードバック制御目標値を、めっき液のp
H値が一定に維持されるように(C)、予め定めてある
金属濃度目標値と総浴量の変動量とに基づいて算出され
る修正目標値に設定変更する(B)。
(57) Abstract: Even if the total bath volume fluctuates due to water entering and exiting the plating system, abnormal control of pH can be prevented by feedback control of component concentrations. SOLUTION: In a plating facility in which water flows in and out of the system, in a plating solution component concentration control method for controlling a metal concentration of a plating solution when performing electroplating using an insoluble anode, water in the plating system is controlled. When the actual value of the total bath amount, which is the total plating solution present in the plating system, fluctuates from the bath amount target value (A), when the fluctuation occurs,
The feedback control target value of the metal concentration is set to the plating solution p
In order to keep the H value constant (C), the setting target value is changed to the corrected target value calculated based on the predetermined metal concentration target value and the fluctuation amount of the total bath amount (B).
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、めっき液成分濃度
制御方法、特に系外との間で水の出入が存在するめっき
設備で、不溶性陽極を使用して電気めっきする際のめっ
き液の濃度制御に適用して好適な、めっき液成分濃度制
御方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for controlling the concentration of a plating solution component, particularly a plating facility in which water flows in and out of the system, and the concentration of the plating solution when electroplating using an insoluble anode. The present invention relates to a plating solution component concentration control method suitable for application to control.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、不溶性陽極を使用する電気めっ
きにおいて、めっき液中に溶解している金属イオンや遊
離硫酸等のめっき液成分の濃度制御を行っているが、こ
の濃度制御では、金属イオン濃度(以下、単に金属濃度
ともいう)を目標値に維持すべく、めっき条件からめっ
きで消費されると予測(フィードフォワード:FF)さ
れる予測金属消費量、及び、濃度実績値と予め定めてあ
る濃度目標値との偏差から求まる金属偏差量の和を、金
属濃度フィードバック(FB)制御時の金属投入量とし
て設定している。2. Description of the Related Art Generally, in electroplating using an insoluble anode, the concentration of plating solution components such as metal ions and free sulfuric acid dissolved in the plating solution is controlled. In order to maintain the concentration (hereinafter, also simply referred to as the metal concentration) at a target value, a predicted metal consumption amount that is predicted to be consumed in the plating from the plating conditions (feed forward: FF) and a concentration actual value are set in advance. The sum of the metal deviation amounts obtained from the deviation from a certain concentration target value is set as the metal input amount during the metal concentration feedback (FB) control.
【0003】このようなめっき技術に関しては、例え
ば、特開平2−217499には、合金電気めっきの浴
濃度制御方法として、めっき通電量を測定し、該測定値
に基づき、めっき浴中の金属イオン消費量を算出し、め
っき浴中の金属イオン、フリー酸、水の一種又は二種以
上を調整する技術が開示されている。Regarding such a plating technique, for example, in JP-A-2-217499, as a bath concentration control method for alloy electroplating, a plating energization amount is measured, and metal ions in the plating bath are measured based on the measured value. A technique of calculating the consumption amount and adjusting one or more of metal ions, free acids, and water in a plating bath is disclosed.
【0004】又、特開平5−320997には、亜鉛系
合金電気めっき液中の金属イオン濃度の制御方法とし
て、めっき電流値及びめっき液のドラグアウト量に基づ
いて算出された金属塩の基準供給量と、電気めっき液中
の成分濃度及び電気めっき液のpH値に基づいて算出さ
れた、金属塩の補正供給量との和によって、供給すべき
金属塩の量を定め、定められた金属塩を電気めっき液中
に補給することにより、電気めっき液中の金属イオン濃
度を制御する技術が開示されている。Japanese Patent Laid-Open No. 5-320997 discloses a standard supply of a metal salt calculated based on a plating current value and a dragout amount of a plating solution as a method for controlling the metal ion concentration in a zinc alloy electroplating solution. The amount of the metal salt to be supplied is determined by the sum of the amount and the corrected supply amount of the metal salt calculated based on the component concentration in the electroplating liquid and the pH value of the electroplating liquid, and the determined metal salt There is disclosed a technique for controlling the metal ion concentration in the electroplating solution by replenishing the electroplating solution in the electroplating solution.
【0005】上記公報に開示されている電気めっきにお
ける濃度制御方法は、いずれもフィードバック制御の目
標値を予め定められた目標値として、固定された値に設
定している。In each of the concentration control methods for electroplating disclosed in the above publications, the target value for feedback control is set to a fixed value as a predetermined target value.
【0006】ところで、金属ストリップの電気めっきで
は、ストリップの洗浄が行われているため、洗浄水等と
してめっき系内に系外から水が流入し、この水流入に伴
ってめっき液が希釈されるために、エバポレータ装置に
より余分な水分を取り除く水蒸発操作が行われ、系内へ
の水の流入量と系外への水の蒸発量とのバランスを取る
ようにしている。By the way, in the electroplating of metal strips, since the strips are cleaned, water flows from outside the system into the plating system as cleaning water, and the plating solution is diluted with the inflow of water. Therefore, a water evaporation operation for removing excess water is performed by an evaporator device to balance the inflow amount of water into the system and the evaporation amount of water to the outside of the system.
【0007】このように水の系内への流入量と系外への
蒸発量をバランスさせながら電気めっきを行う場合で
も、一方が過剰になって両者のバランスが崩れ、系内に
存在する全めっき液量である総浴量に変動を来たすこと
がある。このような場合でも、前記公報に開示されてい
るような、制御目標値を一定値に設定して、金属濃度の
目標値と実績値との差を解消させるフィードバック制御
を適用すると、以下のような現象が起こる。As described above, even when electroplating is performed while balancing the amount of water flowing into the system and the amount of evaporation to the outside of the system, one of the two becomes excessive and the balance between the two is lost, and the total amount existing in the system is lost. The total bath volume, which is the plating bath volume, may fluctuate. Even in such a case, if the control target value as disclosed in the above publication is set to a constant value and the feedback control for eliminating the difference between the target value and the actual value of the metal concentration is applied, it is as follows. Phenomena occur.
【0008】例えば、図3(A)に示すように、水流入
が水蒸発量より過剰なために、めっき系内の総浴量が増
加したとき(t1 〜t2 の間)に、その過剰水でめっき
液が希釈されて金属濃度が低下した分を補給するために
金属の投入がフィードバック制御によって行われ、同図
(B)に示すように、金属のトータルモル濃度を一定の
目標値に維持すると共に、投入された金属が硫酸との溶
解反応で消費されるために、H2 SO4 の減少が発生す
るので、硫酸濃度を維持するために、H2 SO4 の投入
が行われることになる。For example, as shown in FIG. 3 (A), when the total bath volume in the plating system increases (between t1 and t2) because the water inflow exceeds the water evaporation amount, the excess water is added. In order to replenish the amount of the metal concentration that has been diluted due to the plating solution being diluted, the metal is fed in by feedback control, and the total molar concentration of the metal is maintained at a constant target value, as shown in FIG. At the same time, since the added metal is consumed in the dissolution reaction with sulfuric acid, H2 SO4 is reduced, so that H2 SO4 is added to maintain the sulfuric acid concentration.
【0009】ここで、金属濃度としてトータルモル濃度
を使用しているのは、例えば、亜鉛とニッケルの合金メ
ッキのように、メッキ液が2種類以上の金属イオンを含
む場合は、これら濃度の合計値を使用することを意味す
る。Here, the total molar concentration is used as the metal concentration, for example, when the plating solution contains two or more kinds of metal ions, such as alloy plating of zinc and nickel, the total of these concentrations is used. Means to use the value.
【0010】なお、上記めっきでは、ストリップの洗浄
水をそのまま系外に放出し、上記問題の発生を回避する
ことも考えられるが、これでは洗浄水に含まれる多少の
めっき液を捨てることになるため、薬剤原単位を悪化さ
せることになる。又、洗浄水を系外へそのまま放出しな
い場合には、水蒸発操作によって水のみを系外に放出さ
せなければめっき液が徐々に増加していくため、この場
合にはめっき液そのものを系外に捨てるしか方法がなく
なる。従って、系内に流入する水量と蒸発させる水量と
のバランスをとる前述の方法が有効である。In the above plating, it is possible to discharge the strip cleaning water as it is to the outside of the system to avoid the above problems, but this means discarding some of the plating solution contained in the cleaning water. Therefore, the basic unit of drug is deteriorated. Also, if the washing water is not released outside the system as it is, the plating solution will gradually increase unless only water is released outside the system by the water evaporation operation. There is no choice but to throw it away. Therefore, the above-mentioned method of balancing the amount of water flowing into the system with the amount of water to be evaporated is effective.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような、めっき系に対して水の出入が伴う設備で電気
めっきを行う際に、前記特開平2−217499や特開
平5−320997に開示されている制御技術を適用す
る場合は、いずれもフィードバック制御の目標値を予め
定められた一定の目標値に設定しているため、系外から
の水流入量と系外への水蒸発量のバランスが崩れたとき
に、以下の問題がある。However, when electroplating is carried out in a facility where water flows in and out of the plating system as described above, it is disclosed in JP-A-2-217499 and JP-A-5-320997. In all cases, the target value for feedback control is set to a predetermined target value, so that the balance between the amount of water inflow from outside the system and the amount of water evaporation to the outside of the system is applied. When is broken, there are the following problems.
【0012】これを、再度前記図3を用いて説明する
と、時間t1 →t2 の間に、(系外からの水流入量>系
外への水蒸発量)の状態が続き、めっき液の希釈現象が
生じると、前述した如く、フィードバック制御により金
属濃度を一定とするために希釈分を解消すべく過剰に金
属の投入が行われる。その結果、次の反応式により、投
入された過剰の金属が硫酸に溶解されるため、遊離硫酸
も消費され、減少することになる。To explain this again with reference to FIG. 3, the state of (amount of water inflow from outside the system> amount of water evaporation to the outside of the system) continues during time t1 → t2, and the plating solution is diluted. When a phenomenon occurs, as described above, the metal is excessively added to eliminate the diluted portion in order to keep the metal concentration constant by the feedback control. As a result, according to the following reaction formula, since the charged excess metal is dissolved in sulfuric acid, free sulfuric acid is also consumed and reduced.
【0013】 Zn +H2 SO4 →Zn SO4 +H2 ↑ …(A)Zn + H2SO4 → ZnSO4 + H2 ↑ (A)
【0014】上記のように遊離硫酸が減少すると、フィ
ードバック制御によりめっき液のH2 SO4 濃度を目標
濃度に維持するために、H2 SO4 が投入されることに
なる。その結果、めっき液の総浴量が最大になったt2
時点では、めっき液自体は大幅に増大しているにも拘ら
ず、金属濃度(トータルモル濃度)及びpHはいずれも
目標値になっている。When the free sulfuric acid is reduced as described above, H2 SO4 is added in order to maintain the H2 SO4 concentration of the plating solution at the target concentration by feedback control. As a result, the total bath volume of the plating solution was maximized t2
At this point, both the metal concentration (total molar concentration) and the pH are at their target values, even though the plating solution itself has significantly increased.
【0015】その後、t2 →t3 の間の水蒸発操作によ
ってめっき液の希釈分の水を系外に放出すると共に、金
属濃度が目標値を維持するようにめっきを進行させる場
合には、t3 時点でめっき液の総浴量が目標値に復帰し
たときには、過剰投入された金属を溶解するために投入
されたH2 SO4 は、逃げ場がないため、図3(C)に
示すようにめっき液のpHを元の目標値に復帰させるこ
とができず、めっき液のpHの低下(遊離H2 SO4 濃
度の増加)を来してしまう。After that, when the water for the dilution of the plating solution is discharged to the outside of the system by the water evaporation operation between t2 and t3 and the plating is advanced so that the metal concentration maintains the target value, at the time of t3. When the total bath volume of the plating solution has returned to the target value, the H2 SO4 added to dissolve the excessively added metal has no escape area, so that the pH of the plating solution is changed as shown in FIG. 3 (C). Cannot be returned to the original target value, and the pH of the plating solution is lowered (the free H2 SO4 concentration is increased).
【0016】この現象を、金属が亜鉛(Zn)の場合を
例に、更に詳述すると、本来、電気めっきでは、次の
(B)、(C)の反応式で示すめっき反応(電析反応)
が進行するため、遊離H2 SO4 の量は、反応式(C)
のめっき反応による増加と、前記(A)式による投入金
属との反応による減少によってバランスされている。This phenomenon will be described in further detail by taking the case where the metal is zinc (Zn) as an example. Originally, in electroplating, the plating reaction (electrodeposition reaction) represented by the following reaction formulas (B) and (C) )
Therefore, the amount of free H2 SO4 is determined by the reaction formula (C).
It is balanced by the increase due to the plating reaction and the decrease due to the reaction with the input metal according to the formula (A).
【0017】 Zn 2++2e- →Zn ↓ …(B) H2 O+SO4 2-→H2 SO4 +1/2O2 ↑+2e- …(C)Zn 2+ + 2e − → Zn ↓ (B) H 2 O + SO 4 2 → → H 2 SO 4 + 1 / 2O 2 ↑ + 2e − (C)
【0018】図4は、この関係を、純亜鉛(Zn )めっ
きの場合を例に、概念的に示したもので、縦軸が金属濃
度、横軸が遊離H2 SO4 濃度を表わし、めっき時には
各目標値の交点で両者がバランスするように制御する。FIG. 4 conceptually shows this relationship in the case of pure zinc (Zn) plating as an example, in which the vertical axis represents the metal concentration and the horizontal axis represents the free H2 SO4 concentration. Control is performed so that the two balance at the intersection of the target values.
【0019】即ち、上記(B)式より明らかなように、
金属の過剰投入はめっきによる持ち出しで除去できるた
めに、水を蒸発させる場合でも、同時にめっきを進行さ
せることにより、図3(B)のように金属濃度を目標値
に制御できるが、このときに同時に(C)式によるH2
SO4 増加反応が生じ、この反応で増加した硫酸は、前
述した如く、逃げ場がないためにめっき液ではH2 SO
4 濃度の上昇、即ちpHの低下が発生することになり、
これにより種々の弊害が生じることが明らかになった。That is, as is clear from the equation (B),
Since the excess metal can be removed by taking it out by plating, even if water is evaporated, the metal concentration can be controlled to a target value as shown in FIG. 3B by advancing the plating at the same time. At the same time, H2 according to equation (C)
As the SO4 increase reaction occurs, the sulfuric acid increased by this reaction has no escape area as described above.
4 An increase in concentration, that is, a decrease in pH will occur,
It has become clear that this causes various adverse effects.
【0020】同様の現象は合金メッキの場合にも生じ
る。これを、内容が一部重複するが、以下に詳述する。A similar phenomenon occurs in the case of alloy plating. This will be described in detail below, although the contents are partially duplicated.
【0021】前述した如く、一般的に、鋼板をめっきす
る電気めっき設備では、シール水やめっき鋼板(ストリ
ップ)表面の洗浄等に使用する水がめっき設備に流入す
る。このように系外から水が流入してめっき液が希釈さ
れると、該めっき液中に流入した余分な水はエバポレー
タ装置によって系外に蒸発させて除去することが行われ
ている。ところが、エバポレータ装置では連続的に蒸発
量を変更できないため、めっき液の総浴量(めっき系内
に存在するめっき液の全量)の実績値は、その目標量に
対して5〜10%程度変動することは避けられない。As described above, generally, in electroplating equipment for plating a steel sheet, sealing water and water used for cleaning the surface of the plated steel sheet (strip) flow into the plating equipment. When water flows in from the outside of the system and the plating solution is diluted in this way, excess water that has flowed into the plating solution is removed by evaporation to the outside of the system by an evaporator device. However, since the evaporator device cannot continuously change the evaporation amount, the actual value of the total bath amount of the plating solution (the total amount of the plating solution present in the plating system) fluctuates by about 5 to 10% with respect to the target amount. It is inevitable to do.
【0022】上記のように、系外からの水の流入によっ
てめっき液の実績総浴量が増加すると、金属イオン濃度
の測定値([g/l ]又は[mol/l ])は、結果的に低下
することになる。従って、この場合に金属イオン濃度を
一定に制御しようとすると、不足分を補充するために対
象金属を含有する金属薬剤(例えば、金属自体、その
塩、その酸化物等)をめっき液中に投入することが必要
となる。As described above, when the actual total bath volume of the plating solution increases due to the inflow of water from the outside of the system, the measured value of the metal ion concentration ([g / l] or [mol / l]) is Will be reduced to. Therefore, in this case, if the metal ion concentration is controlled to be constant, a metal agent containing the target metal (for example, the metal itself, its salt, its oxide, etc.) is added to the plating solution in order to supplement the shortage. Will be required.
【0023】これを、例えばZn(亜鉛)−Ni(ニッ
ケル)合金めっき用の硫酸酸性めっき液の場合について
説明すると、Zn、Ni薬剤(金属薬剤)の投入が必要
となる。このような薬剤投入を行うと、Zn薬剤がZn
Oで、Ni薬剤が金属Niの場合には、次の(D)、
(E)式の反応によりH2 SO4 の減少(即ち、pHの
上昇)が発生することになるので、H2 SO4 濃度(又
はpH)を一定濃度に保つためには、H2 SO4 の投入
が必要となる。Explaining this in the case of, for example, a sulfuric acid acidic plating solution for Zn (zinc) -Ni (nickel) alloy plating, it is necessary to add Zn and Ni chemicals (metal chemicals). When such chemicals are added, Zn chemicals become Zn
In the case of O and the Ni agent is metallic Ni, the following (D),
Since the reaction of the formula (E) causes a decrease in H2 SO4 (that is, an increase in pH), it is necessary to add H2 SO4 in order to keep the H2 SO4 concentration (or pH) at a constant concentration. .
【0024】 ZnO+H2 SO4 →ZnSO4 +H2 O …(D) Ni +H2 SO4 →NiSO4 +H2 ↑ …(E)ZnO + H 2 SO 4 → ZnSO 4 + H 2 O (D) Ni + H 2 SO 4 → NiSO 4 + H 2 ↑ (E)
【0025】通常Zn−Ni合金の電気めっきでは、陰
極(鋼板)面で、前記(B)式と同一の下記の(F)
式、及び(G)式で表わされる電析反応による金属(Z
n、Ni)イオンの消費と、陽極面で、前記(C)式と
同一の下記の(H)式で表わされるH2 SO4 の増加が
発生するため、一般に上記合金めっきでは、(F)、
(G)式のめっき反応により消費される金属イオンを上
記(D)、(E)式により補給することによって、金属
イオン濃度とH2 SO4 濃度(又はpH)が共にバラン
スされるようになっている。In the electroplating of Zn-Ni alloy, the following (F), which is the same as the equation (B), is usually used on the cathode (steel plate) surface.
And a metal (Z
(n, Ni) ion consumption and an increase in H2 SO4 represented by the following formula (H), which is the same as the formula (C), occur on the anode surface.
By replenishing the metal ions consumed by the plating reaction of the formula (G) by the formulas (D) and (E), both the metal ion concentration and the H2 SO4 concentration (or pH) are balanced. .
【0026】 Zn2++2e- →Zn↓ …(F) Ni2++2e- →Ni↓ …(G) H2 O+SO4 2-→H2 SO4 +1/2O2 ↑+2e- …(H)Zn 2+ + 2e − → Zn ↓ (F) Ni 2+ + 2e − → Ni ↓… (G) H 2 O + SO 4 2 → → H 2 SO 4 + 1 / 2O 2 ↑ + 2e − (H)
【0027】従って、系外からの水流入によってめっき
液の総浴量が増加したときに、成分濃度を一定にするた
めに金属薬剤、H2 SO4 の投入を行ったとすると、そ
の後の水蒸発によってめっき液の総浴量が目標値に戻っ
たときには、金属イオン、H2 SO4 が共に過剰となる
ため、金属及び硫酸の投入を全て停止せざるを得なくな
る。この場合、金属イオンは、前記(D)、(E)式に
よる供給が停止される上に、めっきを継続することによ
って、(F)、(G)式により消費されるために着実に
減少させることができる。ところが、H2 SO4 は、
(D)、(E)式による減少がなくなるだけでなく、金
属イオン濃度を適切な値に戻すためにめっきを継続すれ
ば、上記(H)式によって一方的に増加することになる
ため、同様にH2 SO4 濃度は更に増加(pH低下)す
ることになる。Therefore, when the total bath volume of the plating solution is increased by the inflow of water from the outside of the system, if metal chemicals, H2 SO4, are added to keep the component concentration constant, the plating is performed by subsequent water evaporation. When the total bath volume of the liquid returns to the target value, both metal ions and H2 SO4 become excessive, so that the introduction of all the metals and sulfuric acid must be stopped. In this case, the metal ions are steadily reduced because they are consumed by the formulas (F) and (G) by continuing the plating while the supply by the formulas (D) and (E) is stopped. be able to. However, H2 SO4 is
If the plating is continued in order to return the metal ion concentration to an appropriate value as well as the decrease due to the equations (D) and (E) disappears, it will increase unilaterally according to the equation (H), and thus the same. In addition, the H2 SO4 concentration will further increase (pH decrease).
【0028】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
くなされたもので、めっき系内に水の出入があるために
総浴量が変動し、めっき液の濃度変化が生じる場合、例
えば水が系内に流入し、総浴量が増大してめっき液が希
釈されることによって生じる濃度低下時でも、金属濃度
のフィードバック制御によりpHの異常低下又は遊離酸
濃度の異常上昇の発生を防止することができる、めっき
液成分濃度制御方法を提供することを課題とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems. When the total bath volume changes due to the inflow and outflow of water into the plating system, and the concentration of the plating solution changes, for example, water is used. Flows into the system, and even when the concentration decreases due to the total bath volume increasing and the plating solution being diluted, feedback control of the metal concentration prevents an abnormal decrease in pH or an abnormal increase in free acid concentration. An object of the present invention is to provide a method for controlling the concentration of a plating solution component that can be performed.
【0029】[0029]
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、系内
に水の出入を伴うめっき設備で、不溶性陽極を使用して
電気めっきを行う際に、めっき液の金属濃度を制御する
めっき液成分濃度制御方法において、めっき系内に水の
出入が生じたために、該めっき系に存在する全めっき液
である総浴量の実績値に、浴量目標値からの変動が生じ
た場合、その変動時には、成分濃度のフィードバック制
御目標値を、めっき液のpH値が一定に維持されるよう
に、予め定めてある成分濃度目標値と総浴量の変動量と
に基づいて算出される修正目標値に設定変更することに
より、前記課題を解決したものである。The invention according to claim 1 is a plating facility in which water flows into and out of the system, and plating is performed to control the metal concentration of the plating solution when electroplating using an insoluble anode. In the liquid component concentration control method, when water enters and leaves the plating system, the actual value of the total bath amount of all plating solutions present in the plating system changes from the bath amount target value. At the time of the change, the feedback control target value of the component concentration is calculated based on the predetermined component concentration target value and the fluctuation amount of the total bath amount so that the pH value of the plating solution is maintained constant. The above problem is solved by changing the setting to the target value.
【0030】請求項2の発明は、系内に水の出入を伴う
めっき設備で、不溶性陽極を使用して電気めっきを行う
際に、めっき液の金属濃度を制御するめっき液成分濃度
制御方法において、めっき系内に水の出入が生じたため
に、該めっき系に存在する全めっき液である総浴量の実
績値に、浴量目標値からの変動が生じた場合、その変動
時には、金属濃度のフィードバック制御目標値を、めっ
き液の遊離酸濃度が一定に維持されるように、予め定め
てある金属濃度目標値と総浴量の変動量とに基づいて算
出される修正目標値に設定変更することにより、同様に
前記課題を解決したものである。A second aspect of the present invention is a method for controlling the concentration of a plating solution component, which comprises controlling the metal concentration of the plating solution when performing electroplating using an insoluble anode in a plating facility in which water flows in and out of the system. If the actual value of the total bath volume that is the total plating solution present in the plating system changes from the bath amount target value due to the inflow and outflow of water into the plating system, the metal concentration will change when the change occurs. Change the feedback control target value to the corrected target value calculated based on the predetermined metal concentration target value and the total bath volume fluctuation so that the free acid concentration of the plating solution is maintained constant. By doing so, the above problems are similarly solved.
【0031】[0031]
【発明の実施の形態】本発明者は、水の出入がある設備
で行う、不溶性陽極を使用する電気めっきについて詳細
に検討した結果、水の流入量と蒸発量との間でバランス
が崩れてめっき液濃度に変動が生じた場合に、精度の高
いめっきを行うためには、金属濃度よりもめっき液のp
H値を適切な値に制御することが極めて重要であること
を知見した。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present inventor has conducted a detailed study on electroplating using an insoluble anode, which is carried out in a facility where water flows in and out, and as a result, the balance between the inflow amount and the evaporation amount of water is lost. When the plating solution concentration fluctuates, in order to perform plating with high accuracy, the p
It was found that controlling the H value to an appropriate value is extremely important.
【0032】本発明は、上記知見に基づいてなされたも
ので、めっき系に存在する全めっき液である総浴量の実
績値に、総浴量の目標値である浴量目標値から変動が生
じた場合、その変動時には、金属濃度のフィードバック
制御目標値を、めっき液のpH値又は遊離酸濃度が一定
に維持されるように、予め定めてある金属濃度目標値と
総浴量の変動量とに基づいて算出される補正目標値に設
定変更するようにしたものである。The present invention was made on the basis of the above findings, and the actual value of the total bath amount, which is the total plating solution present in the plating system, varies from the target value of the total bath amount, which is the target value. When it occurs, the feedback control target value of the metal concentration is set to a predetermined amount of fluctuation of the metal concentration target value and the total bath amount so that the pH value of the plating solution or the free acid concentration is maintained constant. The setting is changed to the correction target value calculated based on
【0033】即ち、前記図4に示した、金属濃度と硫酸
濃度との関係に着目し、例えば、水の流入に伴ってめっ
き液の総浴量が増大し、その濃度が希釈された場合に
は、希釈濃度分に相当する金属を過剰投入せずに、前記
(C)式のめっき反応を進行させて遊離硫酸量を増大さ
せ、この硫酸濃度が一定になるようにして、pHを一定
値に維持するようにする。That is, paying attention to the relationship between the metal concentration and the sulfuric acid concentration shown in FIG. 4, for example, when the total bath volume of the plating solution increases with the inflow of water and the concentration is diluted, Is to increase the amount of free sulfuric acid by advancing the plating reaction of the formula (C) without excessively adding the metal corresponding to the diluted concentration so that the sulfuric acid concentration becomes constant and the pH is kept constant. Try to keep it.
【0034】以下、図面を参照して、本発明の実施の形
態について詳細に説明する。図1は、本発明に係る第1
実施形態の制御方法が適用されるめっき制御装置全体の
概略構成を示す。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a first embodiment according to the present invention.
1 shows a schematic configuration of an entire plating control device to which the control method of the embodiment is applied.
【0035】この制御装置は、電気めっきが行われるめ
っきセル10と、該セル10にめっき液を循環供給する
ための循環タンク12と、該タンク12に金属や硫酸等
を供給するための付帯設備14とを有するめっき系、及
び、該めっき系の成分濃度を制御するための、浴量計算
部1と、制御演算部2と、濃度フィードバック(FB)
制御部3と、濃度フィードフォワード(FF)制御部4
とを有する制御系により構成されている。This control device includes a plating cell 10 for electroplating, a circulation tank 12 for circulating and supplying a plating solution to the cell 10, and an auxiliary facility for supplying metal, sulfuric acid, etc. to the tank 12. And a bath amount calculation unit 1, a control calculation unit 2, and a concentration feedback (FB) for controlling the component concentration of the plating system.
Control unit 3 and concentration feedforward (FF) control unit 4
And a control system having.
【0036】又、上記循環タンク12と付帯設備14に
はレベル計16が、前者には更に液分析計18が付設さ
れている。A level meter 16 is attached to the circulation tank 12 and the auxiliary equipment 14, and a liquid analyzer 18 is attached to the former.
【0037】上記めっき制御装置において、めっき系の
総浴量の変動時には、前記制御演算部2において金属濃
度をフィードバック制御する際の金属濃度目標値を修正
目標値に設定する。その際、この修正目標値:CTMC
sp[mol/l ]を、めっき液が硫酸浴である場合は、次の
(1)式で算出する。In the above plating control device, when the total bath volume of the plating system changes, the metal concentration target value when the metal concentration is feedback-controlled in the control calculation unit 2 is set to the correction target value. At that time, this modified target value: CTMC
When the plating solution is a sulfuric acid bath, sp [mol / l] is calculated by the following equation (1).
【0038】 CTMCsp=CTMsp・(Vrot +Vsp−Vall )/Vrot +(CAsp/Ma )(Vsp−Vall )/Vrot …(1) ここで、CTMsp:設定トータルモル濃度目標値[mol/
l ] Vsp :浴量目標値[m3 ] Vall :総浴量[m3 ] Vrot :循環浴量[m3 ] CAsp:H2 SO4 濃度目標値[g/l ] Ma :H2 SO4 分子量[g/mol ]CTMCsp = CTMsp · (Vrot + Vsp−Vall) / Vrot + (CAsp / Ma) (Vsp−Vall) / Vrot (1) where CTMsp: target total molar concentration target value [mol /
l] Vsp: Bath volume target value [m 3 ] Vall: Total bath volume [m 3 ] Vrot: Circulating bath volume [m 3 ] CAsp: H 2 SO 4 concentration target value [g / l] Ma: H 2 SO 4 molecular weight [g / mol]
【0039】上記(1)式で、総浴量Vall は、実際に
めっき系に存在するめっき液の総量で、実測値からの計
算で求められる実績計算値であり、この総浴量Vall と
浴量目標値Vspとの差が浴量変動にあたる。In the above equation (1), the total bath amount Vall is the total amount of the plating solution actually present in the plating system, and is the actual calculated value obtained by calculation from the measured value. The difference from the amount target value Vsp corresponds to the bath amount variation.
【0040】又、循環浴量Vrot は、めっき時に実際に
めっき系を循環させる浴量を意味し、総浴量Vall の全
てを循環させる場合には、Vall =Vrot であり、めっ
き設備の一部がバイパスされ、その部分に存在するめっ
き液が循環されていない場合には、総浴量Vall からこ
の非循環部分のめっき液を除いた量ということになる。The circulating bath amount Vrot means a bath amount that actually circulates the plating system during plating. When all of the total bath amount Vall is circulated, Vall = Vrot, which is a part of the plating equipment. Is bypassed and the plating solution existing in that portion is not circulated, the total bath volume Vall is the amount obtained by removing the plating solution in this non-circulation portion.
【0041】上記総浴量Vall は、前記浴量計算部1に
おいて、基本的にはレベル計16による実績値に基づく
計算で求める。しかし、循環タンク12以外の配管や未
実測部の浴量が変動した時に循環タンク12のレベル実
績に変動を与える。従って、配管や未実測部の浴量は、
ポンプ等の運転状態によって設備定数で算出する。又、
循環浴量Vrot は、同様に浴量計算部1において、ポン
プの運転状態やバイパス弁の状態等によって、循環して
いない浴量を総浴量から減算して求める。The total bath amount Vall is basically calculated by the bath amount calculation unit 1 based on the actual value by the level meter 16. However, when the pipe volume other than the circulation tank 12 or the bath volume of the unmeasured portion changes, the level performance of the circulation tank 12 changes. Therefore, the amount of bath in the piping and unmeasured area is
It is calculated as an equipment constant according to the operating state of the pump, etc. or,
The circulating bath amount Vrot is similarly calculated by the bath amount calculating unit 1 by subtracting the bath amount which is not circulating from the total bath amount depending on the operating state of the pump, the state of the bypass valve and the like.
【0042】又、設定トータルモル濃度目標値:CTM
spは、総浴量Vall が浴量目標値Vspに等しいときに、
成分濃度のフィードバック制御を行う際に設定する目標
値である。The set total molar concentration target value: CTM
sp is, when the total bath volume Vall is equal to the bath volume target value Vsp,
It is a target value set when feedback control of the component concentration is performed.
【0043】なお、上記(1)式は、便宜上、計算を簡
単にするために、循環していない浴量(Vall −Vrot
)の濃度は、予め定められている目標値のままである
として、次の(2)式から導出している。For the sake of convenience, the above equation (1) is used to simplify the calculation.
The density of) is derived from the following equation (2) assuming that the predetermined target value remains unchanged.
【0044】 CTMsp・Vsp+(CAsp/Ma )・Vsp =CTMCsp・Vrot +CTMsp・(Vall −Vrot ) +(CAsp/Ma )・Vall …(2)CTMsp * Vsp + (CAsp / Ma) * Vsp = CTMCsp * Vrot + CTMsp * (Vall-Vrot) + (CAsp / Ma) * Vall (2)
【0045】上記(2)式は、浴量が目標値Vspにある
場合に、金属濃度及び硫酸濃度がいずれも目標値にある
ときの金属量と硫酸量の和を表わす左辺と、浴量が総浴
量Vall に変動した場合に、硫酸濃度を目標値に維持し
ながら、総浴量のうちの循環される部分の循環浴量Vro
t の金属濃度を修正目標値:CTMCspにしたときの金
属量と硫酸量の和を表わす右辺とが等しいとおいたもの
である。この等式は、金属の硫酸塩に含まれる硫酸根
(SO4 2-)と遊離硫酸に含まれる硫酸根の和を常に一
定に維持することを前提としている。この(2)式を、
CTMCspについて整理すると、前記(1)式が得られ
る。In the above equation (2), when the bath amount is at the target value Vsp, the left side representing the sum of the metal amount and the sulfuric acid amount when both the metal concentration and the sulfuric acid concentration are at the target values, and the bath amount are When the total bath volume Vall fluctuates, the circulating bath volume Vro of the circulating portion of the total bath volume is maintained while maintaining the sulfuric acid concentration at the target value.
It is assumed that the right side representing the sum of the amount of metal and the amount of sulfuric acid when the metal concentration of t is the corrected target value: CTMCsp is equal. This equation presupposes that the sum of the sulfate radicals (SO4 2- ) contained in the metal sulfate and the sulfate radicals contained in free sulfuric acid is always kept constant. This equation (2) is
By rearranging CTMCsp, the above equation (1) is obtained.
【0046】上記のように(1)式で算出された修正目
標濃度:CTMCspを、前記制御演算部2から濃度FB
制御部3に出力し、該FB制御部3において、それを総
浴量が目標値から変動している時の金属濃度フィードバ
ック制御の目標値として使用し、液分析計18から入力
される実績濃度との間の濃度偏差量を求める。又、一方
で、前記濃度FF制御部4において、めっき条件として
与えられる予測計算情報に基づいてめっきで消費される
と推定される予測金属消費量を求める。The corrected target density: CTMCsp calculated by the equation (1) as described above is calculated by the control calculation unit 2 as the density FB.
The actual concentration that is output from the liquid analyzer 18 is output to the control unit 3, and the FB control unit 3 uses it as the target value of the metal concentration feedback control when the total bath amount fluctuates from the target value. The density deviation amount between On the other hand, the concentration FF control unit 4 obtains a predicted metal consumption amount estimated to be consumed in plating based on the prediction calculation information given as the plating condition.
【0047】その後、この予測金属消費量と上記濃度偏
差量の和に基づいて求められる金属投入速度を前記付帯
設備14に出力し、設定する。その際、H2 SO4 濃度
は、同様の方法で、常時その目標値CAspに維持される
ように、その投入量を求め、設定する。After that, the metal feeding speed obtained based on the sum of the predicted metal consumption amount and the concentration deviation amount is output to the auxiliary equipment 14 and set. At this time, the H2 SO4 concentration is obtained and set by the same method so that the H2 SO4 concentration is always maintained at the target value CAsp.
【0048】このようにすることによって、(系外から
の水流入量>系外への水蒸発量)のために、めっき液が
希釈状態になっているときには、金属濃度目標値を下
げ、逆に、(系外からの水流入量<系外への水蒸発量)
のために、めっき液が濃縮状態になっているときには、
金属濃度目標値を上げる操作を行う。By doing so, when the plating solution is in a diluted state due to (water inflow from outside system> water evaporation amount to outside system), the metal concentration target value is lowered and In addition, (water inflow from outside the system <water evaporation out of the system)
For this reason, when the plating solution is concentrated,
Perform the operation to increase the metal concentration target value.
【0049】以上の操作により、金属投入量を調整し、
過剰な金属投入を抑制することによって、水収支のバラ
ンス変化の外乱に対して、めっき液中の遊離硫酸濃度
(水素イオン濃度:H+ )を一定にし、pHを一定値に
制御することができるようになった。By the above operation, the amount of metal charged is adjusted,
By suppressing excessive metal input, the free sulfuric acid concentration (hydrogen ion concentration: H + ) in the plating solution can be made constant and the pH can be controlled to a constant value against disturbances due to changes in the balance of the water balance. It became so.
【0050】以下、本実施形態のより具体的な実施例に
ついて説明する。A more specific example of this embodiment will be described below.
【0051】前記図3を用いて説明した従来方法では、
水の流入によって約5%のめっき液の希釈が生じた場
合、最終的に水の蒸発操作が完了して浴量目標値Vspに
なった時点で、金属濃度をも目標値に一致させる制御を
すると、水流入前のt1 時点ではpH=1.4であった
ものが、蒸発完了後のt3 の時点ではpH=1.0まで
低下する場合がある。In the conventional method described with reference to FIG.
When about 5% of the plating solution is diluted by the inflow of water, when the evaporation operation of the water is finally completed and the bath amount target value Vsp is reached, the metal concentration is also controlled to match the target value. Then, at time t1 before the inflow of water, pH = 1.4, but at time t3 after the completion of evaporation, the pH may decrease to 1.0.
【0052】本発明の実施の形態を、前記図3(A)と
同様の浴量変動が生じた場合に適用した結果である、金
属濃度(トータルモル濃度)と、硫酸濃度(pH)の推
移を、それぞれ図2(B)、(C)に示した。なお、図
2(A)は、前記図3(A)と同一の総浴量変動を示し
たものである。The transition of the metal concentration (total molar concentration) and the sulfuric acid concentration (pH), which is the result of applying the embodiment of the present invention to the case where the same bath amount variation as in FIG. 3A occurs, Are shown in FIGS. 2 (B) and 2 (C), respectively. Note that FIG. 2 (A) shows the same total bath amount fluctuation as in FIG. 3 (A).
【0053】本実施形態では、図2(A)に示したよう
に、水流入に伴ってめっき液が希釈されたために起こ
る、同図(B)に示したような金属のトータルモル濃度
の低下に対して、浴量が変動している間は前記(3)式
で算出される補正目標値で金属濃度のフィードバック制
御を行うことによって、金属の過剰投入を抑制し、めっ
き液希釈分の金属濃度を意図的に下げ、浴量変動中にも
pHを一定に維持すると共に、その後の水蒸発によって
めっき液浴量がt3 時点で目標値に復帰した場合にも、
pHの異常低下が生じることを防止することができる。In this embodiment, as shown in FIG. 2 (A), the total molar concentration of the metal decreases as shown in FIG. 2 (B) caused by the dilution of the plating solution with the inflow of water. On the other hand, while the bath volume is fluctuating, by performing the feedback control of the metal concentration with the correction target value calculated by the formula (3), the excessive metal supply is suppressed, and the metal equivalent to the plating solution dilution is controlled. Even if the concentration is intentionally lowered and the pH is kept constant during the fluctuation of the bath amount, and the plating liquid bath amount returns to the target value at the time t3 by the subsequent water evaporation,
It is possible to prevent abnormal lowering of pH.
【0054】本発明者が詳細に検討した結果、めっき液
の硫酸濃度(pH)は、ファラディの理論に基づくめっ
き付着量に対する実際のめっき付着量の比にあたるめっ
き効率に対する変動要因であり、該めっき効率に大きな
影響を与え、又、亜鉛(Zn)とニッケル(Ni)との
合金めっきを行う場合には、このめっき効率が、Ni含
有率に対して大きな変動要因となっていることが明らか
となった。As a result of a detailed study by the present inventor, the sulfuric acid concentration (pH) of the plating solution is a variation factor for the plating efficiency, which is the ratio of the actual coating weight to the coating weight based on Faraday's theory. When the alloy plating of zinc (Zn) and nickel (Ni) is performed, it has a great influence on the efficiency, and it is clear that this plating efficiency is a large factor of variation with respect to the Ni content. became.
【0055】従って、本実施形態によれば、めっき浴量
が水の流入等に起因して変動する場合でも、硫酸濃度
(pH)を安定させることが可能となるため、めっき付
着量、Ni含有率の安定を図ることが可能となる。Therefore, according to the present embodiment, it is possible to stabilize the sulfuric acid concentration (pH) even when the plating bath amount fluctuates due to the inflow of water or the like. It is possible to stabilize the rate.
【0056】又、めっき液の浴量が変動中の場合も、
又、目標値に復帰させた場合も、pHが異常低下するこ
とを防止できることにより、めっきの電力原単位削減
(めっき効率の低下抑制)を図ることも可能となる。Also, when the bath volume of the plating solution is changing,
Further, even when the pH value is returned to the target value, it is possible to prevent the pH from abnormally lowering, so that it is possible to reduce the power consumption per unit of plating (to suppress the lowering of the plating efficiency).
【0057】次に、本発明に係る第2実施形態について
説明する。Next, a second embodiment according to the present invention will be described.
【0058】本実施形態は、2種以上の金属薬剤を投入
する合金めっきの場合の制御方法に当り、各金属薬剤の
投入量を、金属イオン濃度比が目標値になるように設定
するようにしたものである。The present embodiment is a control method in the case of alloy plating in which two or more metal chemicals are charged, and the dosage of each metal chemical is set so that the metal ion concentration ratio becomes a target value. It was done.
【0059】即ち、合金系電気めっき液の濃度制御で
は、金属イオン濃度比とH2 SO4 濃度(又はpH)は
それぞれ独立に制御可能であるが、前記(D)〜(H)
の反応式で示したように、金属イオン濃度とH2 SO4
濃度(又はpH)の制御は、薬剤原単位が高くなるが、
アルカリ薬剤を添加しない限り干渉する。That is, in the control of the concentration of the alloy-based electroplating solution, the metal ion concentration ratio and the H2 SO4 concentration (or pH) can be controlled independently, but the above (D) to (H)
As shown in the reaction equation of H2SO4
Concentration (or pH) control increases the basic unit of drug,
Interference occurs unless an alkaline drug is added.
【0060】ところが、前述した如く、本発明者から、
電気めっきにおいて、めっき効率(ファラデーの理論式
から求まる金属の理論析出量に対する実績析出量の比)
に及ぼす影響因子について詳細に検討した結果、金属イ
オン濃度は±10%の変動の範囲でめっき効率にほとん
ど影響がみられないのに対し、遊離酸(例えば、H2S
O4 )濃度の増加(又はpHの低下)はめっき効率の低
下を招き、めっき電力の原単位が悪化することを知見し
た。実際に操業データを解析したところ、pHに関して
はその値が0.1低下すると、めっき効率は約2.5%
低下することが明らかになった。However, as described above, the present inventor
In electroplating, plating efficiency (ratio of actual deposition amount to theoretical deposition amount of metal obtained from Faraday's theoretical formula)
As a result of detailed examination of the influencing factors on the metal ion concentration, the metal ion concentration has little effect on the plating efficiency in the range of ± 10%, while the free acid (eg H2S
It has been found that an increase in O4) concentration (or a decrease in pH) leads to a decrease in plating efficiency, which deteriorates the basic unit of plating power. When we actually analyzed the operation data, when the pH value decreased by 0.1, the plating efficiency was about 2.5%.
It became clear that it would decrease.
【0061】しかも、更に、実際の操業データを解析
し、めっき効率への影響を調べた結果、金属イオン濃度
比が目標値より4%増加するとめっき効率は約6%低下
し、めっき層における合金比率が目標値より7%増加す
るとめっき効率は約10%低下することが判明した。従
って、Zn−Niのような合金系の電気めっき液の濃度
制御においては、金属イオン濃度比をH2 SO4 濃度
(又はpH)と同様に、金属イオン濃度より優先して制
御することが重要であることが明らかとなった。Furthermore, as a result of analyzing the actual operation data and examining the influence on the plating efficiency, when the metal ion concentration ratio increases by 4% from the target value, the plating efficiency decreases by about 6%, and the alloy in the plating layer is reduced. It was found that the plating efficiency decreased by about 10% when the ratio increased by 7% from the target value. Therefore, in controlling the concentration of an alloy-based electroplating solution such as Zn-Ni, it is important to control the metal ion concentration ratio prior to the metal ion concentration, like the H2 SO4 concentration (or pH). It became clear.
【0062】この第2実施形態は以上の知見に基づいて
なされたものである。以下、図5を参照しながら、硫酸
浴におけるZn−Ni合金の電気めっきを例として、こ
の第2実施形態について詳細に説明する。The second embodiment is based on the above findings. Hereinafter, the second embodiment will be described in detail with reference to FIG. 5 by taking electroplating of a Zn—Ni alloy in a sulfuric acid bath as an example.
【0063】本実施形態では、めっき設備の図示は省略
するが、不溶性陽極を使用するめっき浴中を鋼板を移動
させながらZn−Ni合金を連続的にめっきする。その
際、図5に矢印で示す処理の流れに従って、めっき系に
存在するめっき液の全量である総浴量の実測値に基づい
て、総浴量が変動する場合でもめっき液の成分濃度を適
切に制御する。In the present embodiment, although illustration of the plating equipment is omitted, Zn-Ni alloy is continuously plated while moving the steel plate in a plating bath using an insoluble anode. At that time, according to the flow of processing shown by the arrow in FIG. 5, the component concentration of the plating solution is appropriate even when the total bath amount varies based on the measured value of the total bath amount which is the total amount of the plating liquid present in the plating system. To control.
【0064】即ち、総浴量計算部20では、制御周期毎
にめっき設備に設置されているレベル計によるめっき液
レベルの検出値等に基づいて総浴量が計算され、その値
が総浴量測定値として濃度制御演算部22に出力され
る。この濃度制御演算部22では、入力された上記測定
値と、予め設定してある総浴量の目標値とに基づいて算
出される金属イオン濃度の修正目標値:CTMCspに金
属イオン濃度が制御されるように金属薬剤の投入量を決
定し、その投入指令信号をめっき設備の投入装置26A
へ出力することにより投入が行われるようになってい
る。又、この濃度制御演算部22では、硫酸濃度計(図
示せず)から、制御周期毎にめっき液中のH2 SO4 濃
度を測定した結果が入力され、その測定値に基づいてH
2 SO4 薬剤の投入量が決定されると、その投入指令信
号が同様にめっき設備の投入装置26Bへ出力されるよ
うになっている。なお、このH2 SO4 薬剤の投入量の
決定は、pH計で測定されるpH値を用いて行ってもよ
い。That is, the total bath amount calculation unit 20 calculates the total bath amount based on the detected value of the plating solution level by the level meter installed in the plating equipment for each control cycle, and the calculated value is the total bath amount. The measured value is output to the concentration control calculation unit 22. The concentration control calculation unit 22 controls the metal ion concentration to a corrected target value: CTMCsp of the metal ion concentration calculated based on the input measured value and a preset target value of the total bath amount. Amount of the metal chemical is determined as shown in FIG.
Inputting is done by outputting to. Further, in this concentration control calculation unit 22, the result of measuring the H2 SO4 concentration in the plating solution at each control cycle is input from a sulfuric acid concentration meter (not shown), and the H value is calculated based on the measured value.
When the dose of the 2 SO4 chemical is determined, the dose command signal is similarly output to the dosing device 26B of the plating facility. The dose of the H2 SO4 drug may be determined by using the pH value measured by a pH meter.
【0065】更に、その際、総浴量計算部20で求めた
総浴量測定値は、同時に浴量制御部14に入力され、こ
こでは前記総浴量目標値からの偏差に基づく制御信号を
エバポレータ装置の蒸発制御部28へ出力し、めっき液
中の水分を蒸発させて総浴量の偏差を解消させるように
なっている。Further, at this time, the total bath amount measurement value obtained by the total bath amount calculation unit 20 is simultaneously input to the bath amount control unit 14, and here, a control signal based on the deviation from the total bath amount target value is sent. It is output to the evaporation control unit 28 of the evaporator device to evaporate the water in the plating solution to eliminate the deviation of the total bath amount.
【0066】以下、前記濃度制御演算部22で実行され
る、金属薬剤投入量、硫酸薬剤投入量の算出までの各種
演算について詳述する。Hereinafter, various calculations executed by the concentration control calculation unit 22 up to the calculation of the metal chemical input amount and the sulfuric acid chemical input amount will be described in detail.
【0067】本実施形態では、総浴量に変動が生じた場
合でも、めっき系に存在する金属イオンの総量が一定に
維持されるように、その場合の金属イオン濃度の制御
を、その目標値を、実測される総浴量に応じて変化する
上記修正目標値:CTMCspに変更しながら行う。以
下、これを具体的に説明する。In this embodiment, the metal ion concentration is controlled so that the total amount of metal ions existing in the plating system is maintained constant even if the total bath amount fluctuates. Is performed while changing the above-mentioned corrected target value: CTMCsp, which changes according to the actually measured total bath amount. Hereinafter, this will be described in detail.
【0068】金属イオン濃度([g/l ]又は[mol/l
])の定義はめっき液単位浴量[l ]当りの金属イオ
ン量であり、めっき液の総浴量が増加又は減少したとき
に同一濃度であれば、金属イオンの総量は増加又は減少
していることになる。従って、総浴量が変動した場合
に、金属イオン総量が一定となるようにするための金属
イオン濃度の修正目標値:CTMCspは、次の(3)式
が成立するようにして求めることができる。なお、
(3)式で使用する記号の意味はは、前記(1)式の場
合と実質上同一であるが、理解を容易にするために新た
なものも含め再度掲載する。Metal ion concentration ([g / l] or [mol / l
]) Is the amount of metal ions per unit bath volume [l] of the plating solution. If the total concentration of plating solution increases or decreases and the concentration is the same, the total amount of metal ions increases or decreases. Will be there. Therefore, when the total bath volume fluctuates, the corrected target value of the metal ion concentration: CTMCsp for keeping the total metal ion volume constant can be obtained so that the following equation (3) holds. . In addition,
The meanings of the symbols used in the formula (3) are substantially the same as in the case of the formula (1), but re-posts including new ones are shown again for easy understanding.
【0069】 CTMsp×Vsp+(CAsp/Ma)×Vsp =CTMCsp×Vall +(CAsp/Ma)×Vall …(3) ここで、CTMsp:予め定められた金属イオン濃度目標
値[mol/l ] CTMsp=Znsp/Mz+Nisp/Mn Znsp:予め定められたZnイオン濃度目標値[g/l ] Nisp:予め定められたNiイオン濃度目標値[g/l ] Mz:Zn原子量 Mn:Ni原子量 Vsp:目標としているめっき液総浴量[m3 ] CAsp:予め定められたH2 SO4 濃度目標値[g/l ] Vall :めっき液総浴量測定値[m3 ] Ma:H2 SO4 分子量CTMsp × Vsp + (CAsp / Ma) × Vsp = CTMCsp × Vall + (CAsp / Ma) × Vall (3) where CTMsp is a predetermined metal ion concentration target value [mol / l] CTMsp = Znsp / Mz + Nisp / Mn Znsp: Predetermined Zn ion concentration target value [g / l] Nisp: Predetermined Ni ion concentration target value [g / l] Mz: Zn atomic weight Mn: Ni atomic weight Vsp: Target Plating solution total bath volume [m 3 ] CAsp: Predetermined H 2 SO 4 concentration target value [g / l] Vall: Plating solution total bath volume measurement value [m 3 ] Ma: H 2 SO 4 molecular weight
【0070】従って、上記修正目標値:CTMCspは次
の(4)式によって求めることができる。なお、この
(4)式は、前記(1)式でVrot =Vall とした式、
即ち総浴量を全て循環させる場合の式に当る。Therefore, the corrected target value: CTMCsp can be obtained by the following equation (4). In addition, this equation (4) is an equation in which Vrot = Vall in the above equation (1),
That is, it corresponds to the formula when the total bath volume is circulated.
【0071】 CTMCsp=(CTMsp+CAsp/Ma)×Vsp/Vall −CAsp/Ma [mol/l ] …(4)CTMCsp = (CTMsp + CAsp / Ma) × Vsp / Vall−CAsp / Ma [mol / l] (4)
【0072】上記(4)式によって求めた金属イオン濃
度の修正目標値:CTMCspに金属イオン濃度を制御す
ることにより、めっき液の総浴量が増加したときに金属
の過剰投入を抑制し、前記(D)、(E)式の反応を抑
えることによって、H2 SO4 の減少を抑制することが
でき、これによって該H2 SO4 の過剰投入を抑えるこ
とができる。Corrected target value of metal ion concentration obtained by the above equation (4): By controlling the metal ion concentration in CTMCsp, it is possible to suppress the excessive addition of metal when the total bath volume of the plating solution is increased, By suppressing the reactions of the equations (D) and (E), it is possible to suppress the decrease of H2 SO4, and thus it is possible to suppress the excessive addition of H2 SO4.
【0073】なお、上記(3)、(4)式で、H2 SO
4 濃度ではなく、pHを使用する場合は、次の(5)式
の換算式で求められるpHの目標値:pHspを使用すれ
ばよい。In the above equations (3) and (4), H2 SO
4 When pH is used instead of concentration, the target value of pH: pHsp obtained by the conversion formula of the following formula (5) may be used.
【0074】 pHsp=−a×log{(Mh/Ma)×CAsp}+b …(5) ここで、Mh:H2 分子量 a,b:換算係数(例:a=1.37,b=0.59)PHsp = −a × log {(Mh / Ma) × CAsp} + b (5) Here, Mh: H 2 molecular weight a, b: conversion coefficient (eg: a = 1.37, b = 0.59) )
【0075】次いで、実測された上記総浴量Vall に応
じて決まる修正目標値に金属イオン濃度を制御するため
に必要な、めっき系に対する金属薬剤の投入量の算出に
ついて説明する。Next, the calculation of the dose of the metal chemical agent to the plating system necessary for controlling the metal ion concentration to the corrected target value determined according to the actually measured total bath amount Vall will be described.
【0076】まず、前記(F)、(G)式のめっき反応
(電析反応)により消費される金属イオンの消費速度、
即ちZnイオン消費速度:Gz、Niイオン消費速度:
Gnを次の(6)、(7)式により求める。First, the consumption rate of metal ions consumed by the plating reaction (electrodeposition reaction) of the above formulas (F) and (G),
That is, Zn ion consumption rate: Gz, Ni ion consumption rate:
Gn is calculated by the following equations (6) and (7).
【0077】 Gz=J×(η/kF)×(1−εN)×(Mz/2) ×3600[kg/h] …(6) Gn=J×(η/kF)×εN×(Mn/2)×3600[kg/h] …(7) ここで、J:めっき電流[KA] η:めっき効率 kF:ファラデー定数 εN:Zn−Ni合金めっき層のNi含有率 Mz:Zn原子量 Mn:Ni原子量Gz = J × (η / kF) × (1-εN) × (Mz / 2) × 3600 [kg / h] (6) Gn = J × (η / kF) × εN × (Mn / 2) × 3600 [kg / h] (7) where J: plating current [KA] η: plating efficiency kF: Faraday constant εN: Ni content of Zn-Ni alloy plating layer Mz: Zn atomic weight Mn: Ni Atomic weight
【0078】次いで、上記(6)、(7)式に応じたZ
n、Ni薬剤のフィードフォワード(FF)制御投入
量:FFZ、FFNを次の(8)、(9)式により求め
る。Then, Z according to the above equations (6) and (7)
Feed-forward (FF) control input amounts of n and Ni chemicals: FFZ and FFN are calculated by the following equations (8) and (9).
【0079】 FFZ=Gz/λz[kg/h] …(8) FFN=Gn/λn[kg/h] …(9) ここで、λz:Zn薬剤のZn含有率 λn:Ni薬剤のNi含有率FFZ = Gz / λz [kg / h] (8) FFN = Gn / λn [kg / h] (9) where λz: Zn content of Zn drug λn: Ni content of Ni drug
【0080】又、その一方で実測された金属イオン濃
度:CTMと、前記金属イオン濃度の修正目標値:CT
MCspとから、金属イオン濃度偏差ΔCTMを求め、こ
の偏差を解消するために必要なZn、Ni薬剤のフィー
ドバック(FB)制御投入量:FBZ、FBNを、金属
イオン濃度比目標値:CMNspも考慮した次の(1
0)、(11)式により求める。On the other hand, the actually measured metal ion concentration: CTM and the corrected target value of the metal ion concentration: CT
The metal ion concentration deviation ΔCTM is calculated from MCsp, and the feedback (FB) control input amounts FBZ and FBN of Zn and Ni chemicals necessary to eliminate this deviation are also considered, and the metal ion concentration ratio target value: CMNsp is also taken into consideration. Next (1
It is calculated by the equations 0) and (11).
【0081】 FBZ=ΔCTM×(1−CMNsp) ×Mn×Vall /λz/tfb[kg/h] …(10) FBN=ΔCTM×spCMN×Mz×Vall /λz/tfb[kg/h] …(11) ここで、ΔCTM=CTMCsp−CTM CTM:金属イオン濃度測定値[mol/l ] CTM=Zn/Mz+Ni/Mn Zn:Znイオン濃度測定値[g/l ] Ni:Niイオン濃度測定値[g/l ] CMNsp:予め定められた金属イオン濃度比目標値 CMNsp=Nisp/Mn/CTMsp tfb:FB制御周期[h ]FBZ = ΔCTM × (1-CMNsp) × Mn × Vall / λz / t fb [kg / h] (10) FBN = ΔCTM × spCMN × Mz × Vall / λz / t fb [kg / h] ... (11) Here, ΔCTM = CTMCsp−CTM CTM: metal ion concentration measured value [mol / l] CTM = Zn / Mz + Ni / Mn Zn: Zn ion concentration measured value [g / l] Ni: Ni ion concentration measured value [ g / l] CMNsp: predetermined target value of metal ion concentration ratio CMNsp = Nisp / Mn / CTMsp t fb : FB control period [h]
【0082】次いで、Zn、Ni薬剤のトータル制御投
入量:TZ、TNを次の(12)、(13)式により求
め、前記濃度制御演算部22からめっき設備の金属投入
装置に指令信号を出力し、該当する量の各金属薬剤の投
入を行う。Next, the total control input doses of Zn and Ni chemicals: TZ and TN are obtained by the following equations (12) and (13), and a command signal is output from the concentration control calculation unit 22 to the metal feeding device of the plating equipment. Then, the corresponding amount of each metal chemical is added.
【0083】 TZ=FFZ+gfbz ×FBZ[kg/h] …(12) TN=FFN+gfbn ×FBN[kg/h] …(13) ここで、gfbz :FBZゲイン gfbn :FBNゲイン (これら各ゲインは、測定値の正確度、薬剤供給能力に
より調整される)TZ = FFZ + g fbz × FBZ [kg / h] (12) TN = FFN + g fbn × FBN [kg / h] (13) Here, g fbz : FBZ gain g fbn : FBN gain (each of these gains) Is adjusted by the accuracy of the measured value and the drug supply capacity)
【0084】上記トータル制御投入量で、各金属薬剤の
投入を行うと共に、めっき液のH2SO4 濃度も実測
し、その際の目標値からの濃度偏差に基づいてH2 SO
4 のフィードバック(FB)制御投入量:FBHSを次
の(14)式により求め、その投入指令を濃度制御演算
部12からめっき設備に出力する。At the above total control input amount, each metal chemical was added, and the H2SO4 concentration of the plating solution was also measured. Based on the concentration deviation from the target value at that time, H2SO4 concentration was measured.
4 feedback (FB) control input amount: FBHS is calculated by the following equation (14), and the input command is output from the concentration control calculation unit 12 to the plating equipment.
【0085】 FBHS=gfbhs×(CAsp−CA)×Vall /γa/λa[m3 ] …(14) ここで、gfbhs:FBHSゲイン CA:H2 SO4 濃度測定値[g/l ] γa:H2 SO4 薬剤比重 λa:H2 SO4 薬剤H2 SO4 含有率FBHS = g fbhs × (CAsp−CA) × Vall / γa / λa [m 3 ] (14) Here, g fbhs : FBHS gain CA: H 2 SO 4 concentration measurement value [g / l] γa: H 2 SO4 drug specific gravity λa: H2 SO4 drug H2 SO4 content rate
【0086】本実施形態では、前記(12)、(13)
式で算出されるトータル制御投入量:TZ、TNに応じ
て、Zn薬剤、Ni薬剤の供給速度を制御することによ
り、めっき液総浴量の変動に対して金属イオン総量を一
定に制御することが可能である。従って、H2 SO4 濃
度(又はpH)を、上記(13)式に従う一般的なフィ
ードバック制御を行っても過剰なH2 SO4 投入を発生
することが防止できる。In this embodiment, the above (12), (13)
Total control input amount calculated by the formula: By controlling the supply rates of the Zn chemical agent and the Ni chemical agent according to TZ and TN, the total amount of metal ions is controlled to be constant with respect to the fluctuation of the total bath volume of the plating solution. Is possible. Therefore, even if the H2 SO4 concentration (or pH) is subjected to the general feedback control according to the above equation (13), it is possible to prevent excessive H2 SO4 injection.
【0087】以上詳述した如く、本実施形態によれば、
例えば、めっき液の総浴量の変動が約±5%の範囲であ
ったとすると、その変動時でも金属イオン総量を一定に
制御することから、金属イオン濃度は±5%の範囲で変
動することになるが、この程度ではめっき効率にはほと
んど影響しない。As described in detail above, according to this embodiment,
For example, if the fluctuation of the total bath volume of the plating solution is within a range of about ± 5%, the metal ion concentration will fluctuate within a range of ± 5% because the total amount of metal ions is controlled to be constant even during the fluctuation. However, this level has almost no effect on the plating efficiency.
【0088】又、上記のように金属イオン濃度は変動す
るが、金属イオン濃度比及びpHは高精度で制御でき
る。実操業データを統計的に解析したところ、制御精度
は、標準偏差をσとした場合、金属イオン濃度比の2σ
≦0.5%、pHの2σ≦0.07であった。Although the metal ion concentration varies as described above, the metal ion concentration ratio and pH can be controlled with high accuracy. Statistical analysis of actual operation data shows that the control accuracy is 2σ of the metal ion concentration ratio when the standard deviation is σ.
≦ 0.5% and pH 2σ ≦ 0.07.
【0089】このように、金属イオン濃度比を安定させ
た上に、H2 SO4 濃度の増加(又はpHの低下)を発
生させることなく、高精度で制御することが可能となる
ため、めっき効率及びめっき層の合金比率を安定させる
ことが可能となることにより、合金めっきの品質の安定
と生産コスト(電力原単位)の削減に大きく寄与するこ
とができる。As described above, since the metal ion concentration ratio can be stabilized and the H2SO4 concentration is not increased (or the pH is lowered), the control can be performed with high precision, so that the plating efficiency and the plating efficiency can be improved. By making it possible to stabilize the alloy ratio of the plating layer, it is possible to greatly contribute to stabilizing the quality of alloy plating and reducing the production cost (electric power consumption rate).
【0090】又、めっき層の合金比率が安定するに伴っ
て、めっき効率も安定し、めっき付着量も安定する。更
に、電気めっき液の濃度制御を、硫酸濃度(又はpH)
と共に、金属イオン濃度比を、金属イオン濃度より優先
して制御するという理想的な制御構成の下で行うことが
できるため、過剰な薬剤を使用することを防止でき、そ
の結果薬剤コストも低減できる。Further, as the alloy ratio of the plating layer stabilizes, the plating efficiency also stabilizes, and the amount of plating adhered also stabilizes. Furthermore, the concentration control of the electroplating solution is controlled by the sulfuric acid concentration (or pH).
At the same time, since the metal ion concentration ratio can be controlled under an ideal control configuration in which the metal ion concentration is controlled in preference to the metal ion concentration, it is possible to prevent the use of an excessive amount of chemicals and consequently reduce the cost of chemicals. .
【0091】以上、本発明を具体的に説明したが、本発
明は、前記実施形態に示したものに限られるものでな
く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。The present invention has been specifically described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention.
【0092】例えば、前記実施形態では、単独の金属メ
ッキは硫酸浴のZn電気めっき液について、合金めっき
は硫酸浴のZn−Ni合金用電気めっき液について説明
したが、これに限定されるものでなく、電気めっき液の
成分濃度制御であれば、他の単独金属めっきはもとよ
り、他の合金めっきにも適用可能である。For example, in the above-described embodiment, the single metal plating is described as the Zn electroplating solution in the sulfuric acid bath, and the alloy plating is as the Zn-Ni alloy electroplating solution in the sulfuric acid bath. However, the present invention is not limited thereto. However, if the component concentration of the electroplating solution is controlled, the present invention can be applied to other alloy plating as well as other single metal plating.
【0093】[0093]
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
めっき系内に水の出入があるために総浴量が変動する場
合でも、成分濃度のフィードバック制御により、めっき
液のpH又は遊離酸濃度を一定値に維持することがで
き、pHの異常低下又は遊離酸濃度の異常上昇が発生す
ることを防止することができる。従って、常に高効率で
且つ高精度で電機めっきを行うことができる。As described above, according to the present invention,
Even if the total bath volume fluctuates due to water flowing in and out of the plating system, the pH of the plating solution or the free acid concentration can be maintained at a constant value by feedback control of the component concentrations, and the abnormal pH drop or It is possible to prevent an abnormal increase in the free acid concentration from occurring. Therefore, electroplating can be performed with high efficiency and high accuracy.
【図1】第1実施形態に適用するめっき制御設備の概略
構成を示すブロック図FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of plating control equipment applied to a first embodiment.
【図2】第1実施形態の効果を示す線図FIG. 2 is a diagram showing the effect of the first embodiment.
【図3】従来の制御方法の問題点をを示す線図FIG. 3 is a diagram showing the problems of the conventional control method.
【図4】不溶性陽極を使用するめっき系での成分濃度と
硫酸濃度の関係を示す線図FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the concentration of components and the concentration of sulfuric acid in a plating system using an insoluble anode.
【図5】第2実施形態に適用される制御装置の概略構成
を示すブロック図FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of a control device applied to the second embodiment.
1…浴量計算部 2…制御演算部 3…濃度フィードバック制御部 4…濃度フィードフォワード制御部 10…めっきセル 12…循環タンク 14…付帯設備 16…レベル計 18…液分析計 20…総浴量計算部 22…濃度制御演算部 24…浴量制御部 26…投入装置 28…エバポレータ装置蒸発量制御部 1 ... Bath amount calculation unit 2 ... Control calculation unit 3 ... Concentration feedback control unit 4 ... Concentration feedforward control unit 10 ... Plating cell 12 ... Circulation tank 14 ... Auxiliary equipment 16 ... Level meter 18 ... Liquid analyzer 20 ... Total bath amount Calculation unit 22 ... Concentration control calculation unit 24 ... Bath amount control unit 26 ... Dosing device 28 ... Evaporator device evaporation amount control unit
Claims (4)
性陽極を使用して電気めっきを行う際に、めっき液の金
属濃度を制御するめっき液成分濃度制御方法において、 めっき系内に水の出入が生じたために、該めっき系に存
在する全めっき液である総浴量の実績値に、浴量目標値
からの変動が生じた場合、 その変動時には、金属濃度のフィードバック制御目標値
を、めっき液のpH値が一定に維持されるように、予め
定めてある金属濃度目標値と総浴量の変動量とに基づい
て算出される修正目標値に設定変更することを特徴とす
るめっき液成分濃度制御方法。1. A plating solution component concentration control method for controlling the metal concentration of a plating solution when performing electroplating using an insoluble anode in a plating facility in which water flows in and out of the system. When the actual value of the total bath volume, which is the total plating solution present in the plating system, fluctuates from the bath volume target value due to the inflow and outflow of water, when the fluctuation occurs, the feedback control target value of the metal concentration is set. Is set to a correction target value calculated based on a predetermined metal concentration target value and a variation amount of the total bath amount so that the pH value of the plating solution is maintained constant. Method for controlling concentration of plating solution component.
性陽極を使用して電気めっきを行う際に、めっき液の金
属濃度を制御するめっき液成分濃度制御方法において、 めっき系内に水の出入が生じたために、該めっき系に存
在する全めっき液である総浴量の実績値に、浴量目標値
からの変動が生じた場合、 その変動時には、金属濃度のフィードバック制御目標値
を、めっき液の遊離酸濃度が一定に維持されるように、
予め定めてある金属濃度目標値と総浴量の変動量とに基
づいて算出される修正目標値に設定変更することを特徴
とするめっき液成分濃度制御方法。2. A plating solution component concentration control method for controlling the metal concentration of a plating solution when performing electroplating using an insoluble anode in a plating facility in which water flows in and out of the system. When the actual value of the total bath volume, which is the total plating solution present in the plating system, fluctuates from the bath volume target value due to the inflow and outflow of water, when the fluctuation occurs, the feedback control target value of the metal concentration is set. To keep the free acid concentration of the plating solution constant,
A method for controlling the concentration of a plating solution component, which comprises setting and changing to a correction target value calculated based on a predetermined metal concentration target value and a variation amount of the total bath amount.
[mol/l ]を次式、 CTMCsp=CTMsp・(Vrot +Vsp−Vall )/V
rot+(CAsp/Ma )(Vsp−Vall )/Vrot (CTMsp:設定トータルモル濃度目標値[mol/l ],
Vsp:浴量目標値[m3 ],Vall :総浴量[m3 ],
Vrot :循環浴量[m3 ],CAsp:H2 SO4 濃度目
標値[g/l ],Ma :H2 SO4 分子量[g/mol ])に
より算出することを特徴とするめっき液成分濃度制御方
法。3. The modified target value according to claim 1 or 2, when the plating solution is a sulfuric acid bath: CTMCsp
[Mol / l] is expressed by the following equation: CTMCsp = CTMsp. (Vrot + Vsp-Vall) / V
rot + (CAsp / Ma) (Vsp-Vall) / Vrot (CTMsp: set total molar concentration target value [mol / l],
Vsp: bath amount target value [m 3 ], Vall: total bath amount [m 3 ],
Vrot: circulating bath volume [m 3 ], CAsp: H 2 SO 4 concentration target value [g / l], Ma: H 2 SO 4 molecular weight [g / mol]).
属薬剤の投入量を、金属イオン濃度比が目標値になるよ
うに設定することを特徴とするめっき液成分濃度制御方
法。4. The alloy plating according to claim 1 or 2, wherein in the case of alloy plating in which two or more kinds of metal chemicals are charged, the amount of each metal chemical added is set so that the metal ion concentration ratio becomes a target value. And a method for controlling the concentration of plating solution components.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16602596A JP3551627B2 (en) | 1995-11-29 | 1996-06-26 | Plating solution component concentration control method |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31043395 | 1995-11-29 | ||
| JP8-15164 | 1996-01-31 | ||
| JP1516496 | 1996-01-31 | ||
| JP7-310433 | 1996-01-31 | ||
| JP16602596A JP3551627B2 (en) | 1995-11-29 | 1996-06-26 | Plating solution component concentration control method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09268400A true JPH09268400A (en) | 1997-10-14 |
| JP3551627B2 JP3551627B2 (en) | 2004-08-11 |
Family
ID=27280901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16602596A Expired - Fee Related JP3551627B2 (en) | 1995-11-29 | 1996-06-26 | Plating solution component concentration control method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3551627B2 (en) |
-
1996
- 1996-06-26 JP JP16602596A patent/JP3551627B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3551627B2 (en) | 2004-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100290616B1 (en) | Method of controlling component concentration of plating solution in continuous electroplating | |
| US10011919B2 (en) | Electrolyte delivery and generation equipment | |
| KR102314415B1 (en) | Copper oxide powder for use in plating of a substrate | |
| JPS61199069A (en) | Plating solution concentration automatic continuous control device | |
| US20140061035A1 (en) | System and method of plating metal alloys by using galvanic technology | |
| JPH09268400A (en) | Plating solution component concentration control method | |
| JP3550896B2 (en) | Concentration control method of insoluble anode zinc electroplating solution | |
| JPH0331800B2 (en) | ||
| JPS6141799A (en) | Method for supplying tin ion to electrolytic tinning bath | |
| JP2785626B2 (en) | Metal ion supply method | |
| JP3834701B2 (en) | Method for measuring dissolved amount of metal ion and method for controlling concentration of plating bath using insoluble anode | |
| JPS61288100A (en) | Method for controlling ph in electrolytic treatment of steel sheet | |
| JP3264479B2 (en) | Method for controlling bath rate of plating solution in continuous electroplating equipment | |
| EP2907901B1 (en) | Method for producing metal plate having alloy plating layer | |
| US12006585B2 (en) | Method for depositing a chromium or chromium alloy layer and plating apparatus | |
| JPS61201791A (en) | Manufacture of multi-ply zinc-iron alloy electroplated steel sheet | |
| JPH0639720B2 (en) | Method for producing zinc alloy electroplated steel sheet | |
| JPS5893888A (en) | Supplying method for metallic ion in electroplating | |
| JPH0776438B2 (en) | PH controller for Fe-based alloy electroplating equipment | |
| JPH05255900A (en) | Zn-Ni alloy electroplating method and plating apparatus | |
| JPS6024182B2 (en) | Automatic control device for metal surface treatment liquid | |
| JP2002167698A (en) | Plating equipment | |
| JP2006241566A (en) | Bathing method of plating solution and copper plating equipment | |
| KR20210131832A (en) | Metal plate manufacturing method including alloy plating layer | |
| Landolt | Enhancement and inhibition of partial reactions in alloy deposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040106 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040305 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040406 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040419 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100514 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110514 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120514 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120514 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |