JPH09266156A - End position detector, peripheral exposure apparatus and end position detection method - Google Patents
End position detector, peripheral exposure apparatus and end position detection methodInfo
- Publication number
- JPH09266156A JPH09266156A JP7468196A JP7468196A JPH09266156A JP H09266156 A JPH09266156 A JP H09266156A JP 7468196 A JP7468196 A JP 7468196A JP 7468196 A JP7468196 A JP 7468196A JP H09266156 A JPH09266156 A JP H09266156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light
- edge position
- light receiving
- state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の端縁位置を
検出するために用いられる端縁位置検出装置、端縁位置
検出方法および当該端縁位置検出装置を備えた周辺露光
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an edge position detecting device used for detecting an edge position of a substrate, an edge position detecting method, and a peripheral exposure apparatus equipped with the edge position detecting device.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程では、半導体
ウエハ等の基板上にレジスト液を回転塗布し、所定のパ
ターンに現像してレジストマスクを形成した後、このレ
ジストマスクを用いて薄膜パターンを形成することが行
われている。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, a resist solution is spin-coated on a substrate such as a semiconductor wafer, developed into a predetermined pattern, a resist mask is formed, and a thin film pattern is formed using the resist mask. That is being done.
【0003】レジスト液が回転塗布された基板は、その
周縁部を把持されて種々の基板処理装置間を搬送され
る。ところが、レジスト液は回転塗布によって基板の周
縁部にまで塗り広げられている。したがって、基板の周
縁部を把持すると、周縁部のレジストが剥離して飛散
し、中央部のレジスト膜表面を汚染したり、他の基板表
面を汚染したりして基板処理の歩留りを低下させてしま
う場合がある。The substrate on which the resist solution has been spin-coated is gripped at the peripheral edge thereof and conveyed between various substrate processing apparatuses. However, the resist solution is applied by spin coating to the peripheral portion of the substrate. Therefore, when the peripheral edge of the substrate is grasped, the resist on the peripheral edge is peeled off and scattered to contaminate the resist film surface in the central portion or to contaminate other substrate surfaces, thereby lowering the yield of substrate processing. It may end up.
【0004】このために、周辺露光装置を用いて、予め
基板の周辺部のレジストを露光しておき、レジストパタ
ーンの現像時に同時に基板周辺部の不要なレジストを除
去する処理が行われている。For this reason, a peripheral exposure device is used to previously expose the resist on the peripheral portion of the substrate, and at the same time when the resist pattern is developed, unnecessary resist on the peripheral portion of the substrate is removed.
【0005】図6は、従来の周辺露光装置の概略構成図
である。図6において、周辺露光装置は、基板1を保持
して回転させるための回転手段10と、基板1の外周縁
に沿って一定の幅でレジスト膜に露光光線を照射する光
照射手段20と、基板1の回転位置および端縁位置を検
出するための位置検出器40とを備えている。FIG. 6 is a schematic block diagram of a conventional peripheral exposure apparatus. In FIG. 6, the peripheral exposure apparatus includes a rotating unit 10 for holding and rotating the substrate 1, a light irradiating unit 20 for irradiating the resist film with an exposure light beam with a constant width along the outer peripheral edge of the substrate 1, A position detector 40 for detecting the rotational position and the edge position of the substrate 1 is provided.
【0006】回転手段10は、基板1の裏面を吸引して
保持するスピンチャック11と、スピンチャック11を
回転させるためのモータ12とを備える。また、光照射
手段20は、露光光線を発生させる光源(図示省略)
と、露光光線を伝達する光ファイバ23と、露光光線を
基板1の周辺部に照射する照射端21とを備えている。
照射端21は、支持アーム22の先端に固定されてい
る。支持アーム22は、移動手段(図示省略)によりX
方向およびこれに直交するY方向に移動可能に形成され
ている。The rotating means 10 comprises a spin chuck 11 for sucking and holding the back surface of the substrate 1, and a motor 12 for rotating the spin chuck 11. Further, the light irradiation means 20 is a light source (not shown) that generates an exposure light beam.
An optical fiber 23 for transmitting the exposure light beam, and an irradiation end 21 for irradiating the peripheral portion of the substrate 1 with the exposure light beam.
The irradiation end 21 is fixed to the tip of the support arm 22. The support arm 22 is moved by the moving means (not shown) to X.
It is formed so as to be movable in the direction and the Y direction orthogonal thereto.
【0007】基板位置検出器40は、基板1の上方に配
置される光源41と、光源41に対向して基板1の下面
側に配置されるCCDラインセンサ42とを有してい
る。CCDラインセンサ42には、基板1の半径方向に
沿って多数の受光セルが線状に配置されている。そし
て、CCDラインセンサ42の上方に対向して配置され
た光源41から照射された平行光がCCDラインセンサ
42の受光セルに入射すると、受光セルから出力される
信号はオン状態(受光状態)を示し、平行光が入射され
なかった受光セルから出力される信号はオフ状態(遮光
状態)を示す。The substrate position detector 40 has a light source 41 arranged above the substrate 1 and a CCD line sensor 42 arranged on the lower surface side of the substrate 1 so as to face the light source 41. In the CCD line sensor 42, a large number of light receiving cells are linearly arranged along the radial direction of the substrate 1. Then, when the parallel light emitted from the light source 41 arranged facing above the CCD line sensor 42 enters the light receiving cell of the CCD line sensor 42, the signal output from the light receiving cell is turned on (light receiving state). The signal output from the light receiving cell to which the parallel light is not incident indicates the off state (light shielding state).
【0008】CCDラインセンサ42からの出力信号
は、基板位置検出部(図示省略)に出力され、所定の位
置検出処理が行われる。基板1には、円板の一部を直線
的に切り欠いた直線切り欠き部(オリエンテーションフ
ラット;以下オリフラ部と略称する)Rが形成されてい
る。このため、基板1の外周縁に沿って一定の幅で周辺
露光を行うためには、基板1の円弧部および直線切り欠
き部の端縁位置を予め検出する必要がある。An output signal from the CCD line sensor 42 is output to a substrate position detecting section (not shown) and a predetermined position detecting process is performed. A linear cutout portion (orientation flat; hereinafter abbreviated as an orientation flat portion) R formed by linearly cutting a part of a disk is formed on the substrate 1. Therefore, in order to perform peripheral exposure with a constant width along the outer peripheral edge of the substrate 1, it is necessary to detect the edge positions of the arc portion and the linear cutout portion of the substrate 1 in advance.
【0009】そこで、従来の周辺露光装置では、周辺露
光を行う前に、基板位置検出器40および基板位置検出
部によって基板1の端縁位置の検出動作が行われる。以
下に、この基板端縁位置の検出動作について説明する。Therefore, in the conventional peripheral exposure apparatus, the edge position of the substrate 1 is detected by the substrate position detector 40 and the substrate position detector before performing the peripheral exposure. The operation of detecting the substrate edge position will be described below.
【0010】図7は、基板端縁位置の検出動作の説明図
である。ここで、基板としてはシリコンウエハ1aが用
いられ、その表面にレジスト2が塗布されているものと
する。FIG. 7 is an explanatory diagram of the detection operation of the edge position of the substrate. Here, it is assumed that a silicon wafer 1a is used as the substrate and a resist 2 is applied to the surface thereof.
【0011】図7に示すように、CCDラインセンサ4
2は、多数の受光セルがシリコンウエハ1aの周縁部の
内方から外方に向かうように線状に配置されている。そ
して、最も内方の受光セルが基準位置P0 に配置されて
いる。図6のスピンチャック11の回転中心軸PC から
基準位置P0 までの距離は予め定められている。As shown in FIG. 7, the CCD line sensor 4
2 has a large number of light-receiving cells arranged linearly from the inside to the outside of the peripheral edge of the silicon wafer 1a. The innermost light receiving cell is arranged at the reference position P 0 . The distance from the rotation center axis P C of the spin chuck 11 in FIG. 6 to the reference position P 0 is predetermined.
【0012】シリコンウエハ1aはスピンチャック11
に保持された状態で、その端縁部が光源41とCCDラ
インセンサ42との間に位置している。シリコンウエハ
1aは遮光性基板である。このため光源41から平行光
43を照射すると、シリコンウエハ1aの表面に照射さ
れた平行光43は遮断され、シリコンウエハ1aの下方
にある受光セルには平行光43が入射されない。このた
め、これらの受光セルからの出力信号はオフ状態とな
る。The silicon wafer 1a is a spin chuck 11.
The edge portion is located between the light source 41 and the CCD line sensor 42 while being held by the. The silicon wafer 1a is a light blocking substrate. Therefore, when the parallel light 43 is emitted from the light source 41, the parallel light 43 emitted to the surface of the silicon wafer 1a is blocked, and the parallel light 43 does not enter the light receiving cells below the silicon wafer 1a. Therefore, the output signals from these light receiving cells are turned off.
【0013】また、シリコンウエハ1aの端縁部よりも
外側にある領域を通過する平行光43はそのまま受光セ
ルに到達する。したがって、これらの受光セルからの出
力信号はオン状態となる。The parallel light 43 passing through the region outside the edge of the silicon wafer 1a reaches the light receiving cell as it is. Therefore, the output signals from these light receiving cells are turned on.
【0014】また、図7の下側の線図において、横軸は
受光セルの位置を示し、縦軸に各受光セルのオンオフ状
態を示している。基板位置検出部は、CCDラインセン
サ42から出力される信号を基準位置P 0 の受光セルか
ら検出終端位置Pe の受光セルに向う順に走査する。そ
して、各受光セルに対応する信号がオフ状態からオン状
態に初めて変化する位置を基板端縁位置PE として検出
する。In the lower diagram of FIG. 7, the horizontal axis is
The position of the light receiving cell is shown, and the vertical axis shows the on / off state of each light receiving cell.
The state is shown. The board position detector is a CCD line sensor.
The signal output from the controller 42 is used as the reference position P 0Is the light receiving cell of
Detection end position PeThe scanning is performed in the order of the light receiving cells. So
The signal corresponding to each light receiving cell from the off state to the on state.
The position that changes for the first time is the substrate edge position PEDetected as
I do.
【0015】そして基準位置P0 から基板端縁位置PE
までの距離(エッジ距離と称する)LA をその間の受光
セル数に基づいて算出する。エッジ距離LA が求められ
ると、予め設定された基準位置P0 と回転中心軸P
C (図6参照)との距離にエッジ距離LA を加算するこ
とにより、回転中心軸P C から基板端縁までの距離が求
められる。The reference position P0To substrate edge position PE
Distance to L (called edge distance) LAReceive light between
It is calculated based on the number of cells. Edge distance LAIs sought
Then, the preset reference position P0And rotation center axis P
C(See FIG. 6) Edge distance LACan be added
By, the rotation center axis P CTo the edge of the board
Can be
【0016】このように、従来の周辺露光装置では、C
CDラインセンサ42からの出力信号を遮光性基板の中
心側から外方側に向かって走査し、出力信号がオフ状態
から最初にオン状態に変化する位置を基板の端縁位置と
して検出している。As described above, in the conventional peripheral exposure apparatus, C
The output signal from the CD line sensor 42 is scanned outward from the center side of the light-shielding substrate, and the position where the output signal changes from the off state to the on state first is detected as the edge position of the substrate. .
【0017】[0017]
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年では、
例えば液晶表示装置等において、石英ウエハやリチウム
タンタレートウエハ等のように、可視光波長領域で透光
性を有する基板が用いられるようになってきている。そ
して、このような透光性基板においても、周辺露光によ
る不要なレジストの除去を行う必要性が指摘されるよう
になってきた。However, in recent years,
For example, in a liquid crystal display device or the like, a substrate having a light-transmitting property in a visible light wavelength region such as a quartz wafer or a lithium tantalate wafer has been used. It has been pointed out that it is necessary to remove unnecessary resist by peripheral exposure even with such a transparent substrate.
【0018】そこで、発明者らは、発明の過程におい
て、このような透光性基板に対して、従来の周辺露光装
置における端縁位置検出方法が適用可能か否かを検討し
た。図8〜図10は、透光性基板に対して従来の端縁位
置検出方法を適用した場合の端縁位置検出動作の説明図
である。Therefore, in the course of the invention, the inventors examined whether or not the conventional edge position detecting method in the peripheral exposure apparatus can be applied to such a transparent substrate. 8 to 10 are explanatory views of the edge position detecting operation when the conventional edge position detecting method is applied to the transparent substrate.
【0019】図8は、透光性基板1bの表面に遮光物が
形成されていない場合の端縁位置検出動作を示してい
る。光源41から出射された平行光43は、レジスト2
および透光性基板1bを透過して基準位置P0 から位置
P11の間のCCDラインセンサ42の受光セルに到達す
る。したがって、これらの受光セルからの出力信号はオ
ン状態を示す。FIG. 8 shows an edge position detecting operation when a light shield is not formed on the surface of the transparent substrate 1b. The parallel light 43 emitted from the light source 41 is reflected by the resist 2
Then, the light passes through the transparent substrate 1b and reaches the light receiving cells of the CCD line sensor 42 between the reference position P 0 and the position P 11 . Therefore, the output signals from these light receiving cells show the ON state.
【0020】また、位置P11から位置PE の間の受光セ
ルには平行光43が到達しない。すなわち、この間の透
光性基板1bの端面には面取りが施されており、この面
取り部においては、平行光43が反射され、下方のCC
Dラインセンサ42の受光セルには到達しないからであ
る。このため、透光性基板1bの面取り部に対応する受
光セルからの出力信号はオフ状態となる。Further, the parallel light 43 does not reach the light receiving cells between the positions P 11 and P E. That is, the end surface of the translucent substrate 1b in the meantime is chamfered, and the parallel light 43 is reflected at this chamfered portion, and the CC below
This is because it does not reach the light receiving cell of the D line sensor 42. Therefore, the output signal from the light receiving cell corresponding to the chamfered portion of the transparent substrate 1b is turned off.
【0021】従来の方法に従ってCCDラインセンサ4
2からの出力信号を基準位置P0 の受光セル側から検出
終端位置Pe の受光セル側に向かって走査すると、基準
位置P0 から位置P11に至るまではオン状態が検出され
る。また、透光性基板1bの面取り部を通過する位置P
11〜PE 間においては、オフ状態が検出される。さら
に、位置PE から検出終端位置Pe までの間ではオン状
態が検出される。The CCD line sensor 4 according to the conventional method
When the output signal from the 2 scans toward the light receiving cell side of the detection end position P e from the light receiving cell side of the reference position P 0, from the reference position P 0 up to the position P 11 is turned on is detected. In addition, a position P that passes through the chamfered portion of the transparent substrate 1b.
The off state is detected between 11 and P E. Further, the ON state is detected between the position P E and the detection end position P e .
【0022】従来の方法では、CCDラインセンサ42
からの出力信号が最初にオフ状態からオン状態に変化し
た位置を基板の端縁位置として判定する。このため、位
置P 11における信号の変化は無視され、位置PE におけ
る信号の変化によって位置P E が透光性基板1bの端縁
位置として検出される。そして、基準位置P0 からのエ
ッジ距離LA が正しく算出される。In the conventional method, the CCD line sensor 42 is used.
The output signal from the first transitions from the off state to the on state.
The determined position is determined as the edge position of the substrate. For this reason
Place P 11Changes in the signal atESmell
Position P EIs the edge of the transparent substrate 1b
Detected as a position. Then, the reference position P0From
Edge distance LAIs calculated correctly.
【0023】したがって、図8に示す場合には、透光性
基板1bであっても、正しい端縁位置を検出することが
できる。次に、図9および図10は、透光性基板1bの
表面上にアルミニウムやシリコン等からなる薄膜パター
ン3が形成されている場合の端縁位置検出動作を示して
いる。これらの薄膜パターン3は遮光領域となる。した
がって、薄膜パターン3が形成された透光性基板1bに
平行光43を照射すると、薄膜パターン3および基板端
縁の面取り部がそれぞれ遮光領域となる。Therefore, in the case shown in FIG. 8, the correct edge position can be detected even with the transparent substrate 1b. Next, FIG. 9 and FIG. 10 show the edge position detecting operation when the thin film pattern 3 made of aluminum, silicon, or the like is formed on the surface of the transparent substrate 1b. These thin film patterns 3 serve as light shielding regions. Therefore, when the light-transmissive substrate 1b on which the thin film pattern 3 is formed is irradiated with the parallel light 43, the thin film pattern 3 and the chamfered portion of the edge of the substrate serve as light shielding regions.
【0024】このため、まず図9に示す場合には、CC
Dラインセンサ42からの出力信号は、基準位置P0 〜
位置P21の間、および位置P22〜位置PE の間はオフ状
態を示し、残りの位置P21〜位置P22間および位置PE
〜位置Pe 間でオン状態を示す。Therefore, first, in the case shown in FIG. 9, CC
The output signal from the D line sensor 42 is the reference position P 0-
The OFF state is shown between the position P 21 and the position P 22 to the position P E , and the remaining position P 21 to the position P 22 and the position P E.
The ON state is shown between the position P e and the position P e .
【0025】この出力信号に対し、従来の方法を適用す
ると、基準位置P0 側から出力信号を走査し、最初に出
力信号がオフ状態からオン状態に変化した位置を基板端
縁位置として検出する。このため、図9に示す場合で
は、位置P21が透光性基板1bの端縁位置として誤って
検出されてしまう。したがって、誤ったエッジ距離LX
が算出される。When the conventional method is applied to this output signal, the output signal is scanned from the reference position P 0 side, and the position where the output signal changes from the OFF state to the ON state is detected as the substrate edge position first. . Therefore, in the case shown in FIG. 9, the position P 21 is erroneously detected as the edge position of the transparent substrate 1b. Therefore, the wrong edge distance L X
Is calculated.
【0026】また、図10に示す場合では、CCDライ
ンセンサ42からの出力信号は、位置P31〜位置P32の
間、および位置P33〜位置PE の間はオフ状態を示し、
残りの位置P0 〜位置P31間、位置P32〜位置P33の間
および位置PE 〜位置Pe 間がオン状態を示す。In the case shown in FIG. 10, the output signal from the CCD line sensor 42 is in the off state between the positions P 31 and P 32 and between the positions P 33 and P E.
The remaining positions P 0 to P 31 , the positions P 32 to P 33 , and the positions P E to P e show the ON state.
【0027】したがって、CCDラインセンサ42から
の出力信号がオフ状態から最初にオン状態に変化する位
置P32が透光性基板1bの端縁位置として誤って検出さ
れる。Therefore, the position P 32 at which the output signal from the CCD line sensor 42 changes from the OFF state to the ON state first is erroneously detected as the edge position of the transparent substrate 1b.
【0028】このような検討結果から、発明者らは、従
来の端縁位置検出方法では透光性基板1bに対して端縁
位置を誤って検出する場合が生じることを認識した。本
発明の目的は、透光性基板に対しても基板端縁位置を正
しく検出することが可能な端縁位置検出装置、周辺露光
装置および端縁位置検出方法を提供することである。From such examination results, the present inventors have recognized that the conventional edge position detecting method may erroneously detect the edge position with respect to the transparent substrate 1b. An object of the present invention is to provide an edge position detecting device, a peripheral exposure device and an edge position detecting method capable of correctly detecting the substrate edge position even on a transparent substrate.
【0029】[0029]
【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明に係る端縁位置検出装置は、基板の端縁位置を検出
する端縁位置検出装置であって、基板の一面側に配置さ
れ、基板の周縁部の外方から内方に渡る所定領域に光を
投射する投光手段と、基板の他面側に投光手段と対向す
るように配置され、所定領域からの透過光を受光し、所
定領域に対応する受光信号を出力する受光手段と、基板
の外方から内方に向かう方向において受光手段から出力
される受光信号が受光状態から最初に遮光状態に変化し
かつ遮光状態が所定の長さ以上連続するときに受光状態
から遮光状態への最初の変化点に基づいて基板の端縁位
置を検出する検出手段とを備えたものである。The edge position detecting device according to the first aspect of the invention is an edge position detecting device for detecting the edge position of a substrate, and is arranged on one surface side of the substrate. , A light projecting means for projecting light onto a predetermined area extending from the outer side to the inner side of the peripheral edge of the substrate, and arranged on the other surface side of the substrate so as to face the light projecting means, and receives the transmitted light from the predetermined area. However, the light receiving means for outputting the light receiving signal corresponding to the predetermined area and the light receiving signal output from the light receiving means in the direction from the outside to the inside of the substrate are changed from the light receiving state to the light shielding state first and the light shielding state is changed. And a detection means for detecting the edge position of the substrate based on the first change point from the light receiving state to the light shielding state when the light receiving state continues for a predetermined length or longer.
【0030】第2の発明に係る端縁位置検出装置は、第
1の発明に係る端縁位置検出装置の構成において、基板
が周縁部に面取り部を有し、所定の長さが面取り部の幅
に対応するものである。An edge position detecting apparatus according to a second aspect of the present invention is the edge position detecting apparatus according to the first aspect of the present invention, in which the substrate has a chamfered portion at a peripheral portion and a predetermined length is the chamfered portion. It corresponds to the width.
【0031】第3の発明に係る端縁位置検出装置は、第
1または第2の発明に係る端縁位置検出装置の構成にお
いて、投光手段が、所定の領域に光を投射する光源を含
み、受光手段が、所定領域に対応する位置に線状に配置
された複数の受光部を含むラインセンサを含むものであ
る。An edge position detecting device according to a third aspect of the present invention is the structure of the edge position detecting device according to the first or second aspect, wherein the light projecting means includes a light source for projecting light on a predetermined area. The light receiving means includes a line sensor including a plurality of light receiving portions linearly arranged at a position corresponding to the predetermined area.
【0032】第4の発明に係る周辺露光装置は、第1、
第2または第3の発明に係る端縁位置検出装置と、端縁
位置検出装置の検出結果に基づいて基板の周辺部を露光
する露光手段とを備えたものである。A peripheral exposure apparatus according to a fourth invention is the first,
It is provided with an edge position detecting device according to the second or third aspect of the invention, and an exposing means for exposing the peripheral portion of the substrate based on the detection result of the edge position detecting device.
【0033】第5の発明に係る端縁位置検出方法は、基
板の端縁位置を検出する端縁位置検出方法であって、基
板の一面側において基板の周縁部の外方から内方に渡る
所定領域に光を投射するステップと、基板の他面側にお
いて所定領域からの透過光を受光し、所定領域に対応す
る受光信号を出力するステップと、基板の外方から内方
に向かう方向において受光信号が受光状態から最初に遮
光状態に変化しかつ遮光状態が所定の長さ以上連続する
ときに受光状態から遮光状態への最初の変化点に基づい
て基板の端縁位置を検出するステップとを備えたもので
ある。An edge position detecting method according to a fifth aspect of the present invention is an edge position detecting method for detecting an edge position of a substrate, which extends from the outside to the inside of the peripheral portion of the substrate on one surface side of the substrate. In the direction from the outside to the inside of the substrate, the step of projecting light on the predetermined region, the step of receiving the transmitted light from the predetermined region on the other surface side of the substrate and outputting the light receiving signal corresponding to the predetermined region, Detecting the edge position of the substrate based on the first change point from the light receiving state to the light blocking state when the light receiving signal first changes from the light receiving state to the light blocking state and the light blocking state continues for a predetermined length or longer. It is equipped with.
【0034】第1〜第3の発明に係る端縁位置検出装置
および第5の発明に係る端縁位置検出方法においては、
通常、基板の周縁部には面取り部が設けられており、こ
の面取り部が、透光性基板あるいは遮光性基板に関わら
ず光を反射するため遮光領域とみなせることを利用して
いる。In the edge position detecting device according to the first to third inventions and the edge position detecting method according to the fifth invention,
Usually, a chamfered portion is provided in the peripheral portion of the substrate, and this chamfered portion reflects light regardless of whether the substrate is a light-transmissive substrate or a light-shielding substrate.
【0035】すなわち、基板の周縁部の外方から内方に
渡る所定領域に光を投射すると、基板の外方領域では光
が受光手段に到達するが、基板の周縁部の面取り部で
は、光を反射するため、受光手段に到達しない。That is, when light is projected onto a predetermined area extending from the outer side to the inner side of the peripheral edge of the substrate, the light reaches the light receiving means in the outer area of the substrate, while the light is emitted in the chamfered portion of the peripheral edge of the substrate. Since it reflects light, it does not reach the light receiving means.
【0036】したがって、受光手段からの受光信号を基
板の外方から内方に向かって走査すると、受光信号は基
板の端縁位置において受光状態から遮光状態に最初に変
化する。そして、基板の面取り部に相当する領域では受
光信号が遮光状態を維持する。そこで、検出手段は、こ
のような受光信号の変化を検出することにより、基板が
遮光性の場合のみならず、透光性であっても基板の端縁
位置を正しく検出することができる。Therefore, when the light receiving signal from the light receiving means is scanned from the outside to the inside of the substrate, the light receiving signal first changes from the light receiving state to the light shielding state at the edge position of the substrate. Then, in the region corresponding to the chamfered portion of the substrate, the light receiving signal maintains the light blocking state. Therefore, the detection unit can detect the edge position of the substrate not only when the substrate has a light-shielding property but also when the substrate has a light-transmitting property by detecting such a change in the received light signal.
【0037】特に、第2の発明に係る端縁位置検出装置
においては、所定の長さが基板の面取り部の幅に対応す
るので、ノイズの影響を受けずに基板の面取り部の位置
を判定することができる。In particular, in the edge position detecting device according to the second aspect of the invention, since the predetermined length corresponds to the width of the chamfered portion of the substrate, the position of the chamfered portion of the substrate can be determined without being affected by noise. can do.
【0038】特に、第3の発明に係る端縁位置検出装置
においては、光源とラインセンサとの組み合わせによっ
て、簡単な構成で所定領域における受光状態および遮光
状態を検出することができる。In particular, in the edge position detecting device according to the third aspect of the invention, the light receiving state and the light blocking state in the predetermined area can be detected with a simple structure by combining the light source and the line sensor.
【0039】特に、第4の発明に係る周辺露光装置は、
第1〜第3の発明に係る端縁位置検出装置を備えること
によって遮光性基板のみならず透光性基板についても、
正しく基板の端縁位置が検出でき、これによって透光性
基板の周辺露光処理を正確に行うことができる。In particular, the peripheral exposure apparatus according to the fourth invention is
By providing the edge position detection device according to the first to third inventions, not only the light-shielding substrate but also the light-transmitting substrate,
The edge position of the substrate can be correctly detected, and thereby the peripheral exposure processing of the transparent substrate can be accurately performed.
【0040】[0040]
【発明の実施の形態】図1は、本発明の一実施例による
周辺露光装置の構成斜視図である。この周辺露光装置
は、基板を保持して回転させるための基板回転部10、
基板の周辺部に光線を照射して露光する光照射部20、
光照射部20からの光線の照射位置を移動させるための
移動部30および基板位置検出器40を備えている。1 is a perspective view showing the structure of an edge exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. This peripheral exposure apparatus includes a substrate rotating unit 10 for holding and rotating a substrate,
A light irradiation unit 20 that irradiates a peripheral portion of the substrate with a light beam to expose it.
A moving unit 30 for moving the irradiation position of the light beam from the light irradiation unit 20 and a substrate position detector 40 are provided.
【0041】基板回転部10は、基板1の裏面を吸引し
て保持するスピンチャック11とスピンチャック11を
回転中心軸PC 周りに回転させるモータ12とから構成
されている。The substrate rotating unit 10 is composed of a spin chuck 11 for sucking and holding the back surface of the substrate 1 and a motor 12 for rotating the spin chuck 11 around a rotation center axis P C.
【0042】光照射部20は、露光光線となる紫外線を
発生するための露光光源28と、露光光源28からの紫
外線を伝達する光ファイバ23と、光ファイバ23の先
端に取付けられかつ基板1の表面に紫外線を照射する照
射端21とを備えている。露光光源28は、水銀キセノ
ンランプ25、楕円鏡26、紫外線透過フィルタ24お
よびシャッタ27から構成されている。The light irradiating section 20 is an exposure light source 28 for generating ultraviolet rays as an exposure light beam, an optical fiber 23 for transmitting the ultraviolet rays from the exposure light source 28, and is attached to the tip of the optical fiber 23 and of the substrate 1. An irradiation end 21 for irradiating the surface with ultraviolet rays is provided. The exposure light source 28 includes a mercury-xenon lamp 25, an elliptic mirror 26, an ultraviolet transmission filter 24, and a shutter 27.
【0043】移動部30は、照射端21を支持する支持
アーム22を図中のX方向およびY方向にそれぞれ変位
させるための半径方向変位部Mxおよび接線方向変位部
Myとから構成される。さらに、半径方向変位部Mxは
X方向に往復移動可能なXテーブル31とXテーブル3
1を移動させるためのモータ32とから構成されてい
る。また、接線方向変位部Myは、Y方向に移動可能な
Yテーブル33とYテーブル33を移動させるためのモ
ータ34とから構成されている。The moving section 30 is composed of a radial displacement section Mx and a tangential displacement section My for displacing the support arm 22 supporting the irradiation end 21 in the X and Y directions in the figure. Further, the radial displacement portion Mx is reciprocally movable in the X direction by the X table 31 and the X table 3.
And a motor 32 for moving 1. The tangential direction displacement portion My is composed of a Y table 33 movable in the Y direction and a motor 34 for moving the Y table 33.
【0044】基板位置検出器40は、基板1の上方に配
置される光源41と、基板1の下方において光源41に
対向して配置されるCCDラインセンサ42とを備え
る。CCDラインセンサ42は、スピンチャック11の
中心を通る回転中心軸PCから基板1の半径方向に沿っ
て線状に配置された多数の受光セルを有している。光源
41からの光線が受光セルに入射すると、その受光セル
の出力信号はオン状態となり、光源41からの光線が遮
光されると、その受光セルの出力信号は、オフ状態とな
る。The substrate position detector 40 comprises a light source 41 arranged above the substrate 1 and a CCD line sensor 42 arranged below the substrate 1 so as to face the light source 41. The CCD line sensor 42 has a large number of light receiving cells linearly arranged along the radial direction of the substrate 1 from the rotation center axis P C passing through the center of the spin chuck 11. When the light beam from the light source 41 enters the light receiving cell, the output signal of the light receiving cell is turned on, and when the light beam from the light source 41 is blocked, the output signal of the light receiving cell is turned off.
【0045】周辺露光装置の各部の動作は制御部により
制御される。図2は、周辺露光装置の機能ブロック図で
ある。制御部Dは中央演算処理装置から構成され、基板
端縁位置検出手段A、露光幅設定手段B、露光量設定手
段C、基板回転部10、光照射部20、半径方向変位部
Mxおよび接線方向変位部Myの各部の動作を制御す
る。The operation of each section of the peripheral exposure apparatus is controlled by the control section. FIG. 2 is a functional block diagram of the peripheral exposure apparatus. The control unit D is composed of a central processing unit, and includes substrate edge position detecting means A, exposure width setting means B, exposure amount setting means C, substrate rotating section 10, light irradiation section 20, radial displacement section Mx and tangential direction. The operation of each part of the displacement part My is controlled.
【0046】基板端縁位置検出手段Aは、CCDライン
センサ42からの出力信号および基板回転部10からの
モータ12の回転量データを受け取り、基板1の回転位
置と、その回転位置における基板1の端縁位置とを検出
する。The substrate edge position detecting means A receives the output signal from the CCD line sensor 42 and the rotation amount data of the motor 12 from the substrate rotating portion 10, and detects the rotation position of the substrate 1 and the substrate 1 at the rotation position. The edge position is detected.
【0047】露光幅設定手段Bは、基板1の端縁位置、
すなわち円弧部および直線切り欠き部(オリフラ部)R
の位置情報に基づいて、周辺露光を行うべき露光領域の
露光幅を設定する。露光量設定手段Cは、周辺露光を行
うべき領域への露光量を設定する。The exposure width setting means B is arranged at the edge position of the substrate 1,
That is, the circular arc portion and the straight cutout portion (orientation flat portion) R
The exposure width of the exposure area in which the peripheral exposure is to be performed is set based on the position information. The exposure amount setting means C sets the exposure amount to the area where the peripheral exposure is to be performed.
【0048】上記のような構成を有する周辺露光装置で
は、まず、基板1の端縁位置検出を行った後、周辺露光
処理が行われる。ここで、従来の技術の欄で説明したよ
うに、従来の基板の端縁位置検出動作では、基板が透光
性の場合には端縁位置を誤って検出する場合が生じるこ
とが発明者らの検討により判明している。そこで、本発
明の周辺露光装置では、遮光性基板のみならず、特に透
光性基板に対しても正しい端縁位置が検出できるように
構成されている。In the peripheral exposure apparatus having the above structure, first, the edge position of the substrate 1 is detected, and then the peripheral exposure processing is performed. Here, as described in the section of the related art, in the conventional edge position detecting operation of the substrate, the inventors may sometimes erroneously detect the edge position when the substrate is translucent. It has been revealed by examination. Therefore, the peripheral exposure apparatus of the present invention is configured so that the correct edge position can be detected not only on the light-shielding substrate but also on the light-transmitting substrate.
【0049】以下では、透光性基板の端縁位置検出動作
について説明する。図3は、透光性基板1bの端縁位置
検出動作の説明図である。なお、図3の上側の図は基板
位置検出器40の断面を示しており、図3の下側の線図
においては、横軸が受光セルの位置を示し、縦軸が各受
光セルのオンオフ状態を示している。The operation of detecting the edge position of the transparent substrate will be described below. FIG. 3 is an explanatory diagram of an edge position detection operation of the transparent substrate 1b. The upper diagram of FIG. 3 shows a cross section of the substrate position detector 40. In the lower diagram of FIG. 3, the horizontal axis indicates the position of the light receiving cell, and the vertical axis indicates on / off of each light receiving cell. It shows the state.
【0050】図3に示すように、CCDラインセンサ4
2の複数の受光セルのうち、透光性基板1bの周縁部か
ら外方側に最も離れた受光セルを基準位置P0 に設定す
る。この基準位置P0 と回転中心軸PC からの距離は予
め求められている。As shown in FIG. 3, the CCD line sensor 4
Of the two light receiving cells, the light receiving cell furthest outward from the peripheral portion of the transparent substrate 1b is set to the reference position P 0 . The distance from the reference position P 0 and the rotation center axis P C is obtained in advance.
【0051】(ステップ1)基板端縁位置検出手段A
(図2参照)は、CCDラインセンサ42の各受光セル
からの出力信号を受け取り、基準位置P0 側の受光セル
から順に回転中心軸P C 側の受光セルに向って出力信号
の走査を開始する。(Step 1) Substrate edge position detecting means A
(See FIG. 2) is each light receiving cell of the CCD line sensor 42.
The output signal from the reference position P0Side light receiving cell
Rotation center axis P in order from COutput signal toward the light receiving cell on the side
To start scanning.
【0052】(ステップ2)CCDラインセンサ42か
らの出力信号が最初にオン状態からオフ状態に変化した
受光セルの位置PE を透光性基板1bの端縁位置と仮に
定める。(Step 2) The position P E of the light receiving cell where the output signal from the CCD line sensor 42 first changes from the ON state to the OFF state is temporarily set as the edge position of the transparent substrate 1b.
【0053】(ステップ3)さらに、CCDラインセン
サ42の出力信号がオフ状態に変化した位置PE から再
びオン状態に戻る位置までの長さを算出し、このオフ領
域の長さが所定値に達した場合、このオフ領域が透光性
基板1bの面取り部を検出したものと判定する。(Step 3) Further, the length from the position P E where the output signal of the CCD line sensor 42 has changed to the OFF state to the position where it returns to the ON state again is calculated, and the length of this OFF region becomes a predetermined value. When it reaches, it is determined that the off region has detected the chamfered portion of the transparent substrate 1b.
【0054】ここで、透光性基板1bあるいは遮光性基
板において、面取り部の水平長さは少なくとも200μ
m以上に設定されている。従って、面取り部を判定する
ための所定値としては200μmに設定されている。Here, in the transparent substrate 1b or the light-shielding substrate, the chamfered portion has a horizontal length of at least 200 μm.
It is set to m or more. Therefore, the predetermined value for determining the chamfered portion is set to 200 μm.
【0055】面取り部を検出すると、上記ステップ2に
おいて仮に定めた位置PE を透光性基板1bの端縁位置
PE に設定する。そして、端縁位置PE と基準位置P0
との距離を求めてエッジ距離LE を算出する。When the chamfered portion is detected, the position P E provisionally determined in step 2 is set as the edge position P E of the transparent substrate 1b. Then, the edge position P E and the reference position P 0
And the edge distance L E is calculated.
【0056】また、オフ領域の長さが所定値に満たない
場合には、オフ状態を示す信号がノイズによるものであ
るとして再度ステップ2の処理を継続する。 (ステップ4)エッジ距離LE が求められると、予め定
められた基準位置P0 と回転中心軸P C との距離を用い
て、回転中心軸PC から透光性基板1bの端縁までの距
離を算出する。The length of the off region is less than the predetermined value.
In this case, the signal indicating the off state is due to noise.
Then, the process of step 2 is continued again. (Step 4) Edge distance LEIs determined in advance,
Set reference position P0And rotation center axis P CUsing the distance to
Rotation center axis PCTo the edge of the transparent substrate 1b
Calculate the distance.
【0057】以上のような手順により、透光性基板1b
の端縁位置が検出される。また、図4は、透光性基板1
b上に遮光性の薄膜パターン3が形成された場合の端縁
位置検出方法を示す説明図である。この場合において
も、薄膜パターン3によるCCDラインセンサ42の出
力信号のオンオフ状態に関わらず、基板の端縁位置は位
置PE であると判定される。Through the above procedure, the transparent substrate 1b
The edge position of is detected. In addition, FIG. 4 shows a transparent substrate 1.
It is explanatory drawing which shows the edge position detection method in case the light-shielding thin film pattern 3 is formed on b. Also in this case, the edge position of the substrate is determined to be the position P E regardless of the ON / OFF state of the output signal of the CCD line sensor 42 by the thin film pattern 3.
【0058】上記の方法では、透光性基板1bの端縁部
に面取り部が形成され、かつ面取り部が遮光領域である
ことを利用している。面取り部が遮光領域となること
は、基板が透光性であっても遮光性であっても共通して
いる。したがって、透光性基板1bに対しては、図3に
示すように透光性基板1bの表面上に薄膜パターンなど
による遮光領域がない場合のみならず、図4に示すよう
に遮光性の薄膜パターン3が形成されている場合におい
ても同様の検出方法で透光性基板1bの端縁位置を正し
く検出することができる。The above method utilizes the fact that the chamfered portion is formed at the edge of the transparent substrate 1b and the chamfered portion is a light-shielding region. The fact that the chamfered portion serves as a light-shielding region is common whether the substrate has a light-transmitting property or a light-shielding property. Therefore, for the transparent substrate 1b, not only when there is no light-shielding region such as a thin film pattern on the surface of the transparent substrate 1b as shown in FIG. 3, but also as shown in FIG. Even when the pattern 3 is formed, the edge position of the transparent substrate 1b can be correctly detected by the same detection method.
【0059】図5は、本実施例の端縁位置検出方法の一
例を具体的に示したフローチャートである。以下、図3
を参照しつつ、図5に示す端縁位置検出方法を説明す
る。図5において、iは基準位置P0 の受光セルを1と
した場合の各受光セルの配置順番を示す変数であり、N
OFF は、オフ状態を示す信号を出力した受光セルの個数
を示す変数である。FIG. 5 is a flow chart specifically showing an example of the edge position detecting method of this embodiment. Hereinafter, FIG.
The edge position detecting method shown in FIG. 5 will be described with reference to FIG. In FIG. 5, i is a variable indicating the arrangement order of the light receiving cells when the light receiving cell at the reference position P 0 is 1, and N
OFF is a variable indicating the number of light-receiving cells that output a signal indicating the OFF state.
【0060】検出動作の初期において、変数iが0に設
定される(ステップS2)。さらに、変数NOFF も0に
設定される(ステップS4)。次に、変数iを増分し
て、検出対象となる受光セルの順番iを設定する。最初
は1番目の受光セルを示す値に設定される(ステップS
6)。At the beginning of the detection operation, the variable i is set to 0 (step S2). Further, the variable N OFF is also set to 0 (step S4). Next, the variable i is incremented to set the order i of the light receiving cells to be detected. First, it is set to a value indicating the first light receiving cell (step S
6).
【0061】基板端縁位置検出手段Aは、CCDライン
センサ42の出力信号からi番目の受光セルに対応する
出力信号を検出する(ステップS8)。そして、その出
力信号がオン状態を示しているかオフ状態を示している
かを判定する。The substrate edge position detecting means A detects the output signal corresponding to the i-th light receiving cell from the output signal of the CCD line sensor 42 (step S8). Then, it is determined whether the output signal indicates the on state or the off state.
【0062】例えば、図3において、i=1では平行光
43が透光性基板1bによって遮光されないため、i番
目の受光セルからの出力信号はオン状態を示す。したが
って、ステップS4に戻り、次の受光セルの出力信号を
検出する(ステップS10)。For example, in FIG. 3, when i = 1, the parallel light 43 is not shielded by the transparent substrate 1b, so that the output signal from the i-th light receiving cell shows the ON state. Therefore, the process returns to step S4, and the output signal of the next light receiving cell is detected (step S10).
【0063】このステップS4〜S10の動作は、位置
PE の受光セルまで繰り返し行われる。そして、位置P
E の受光セルからの出力信号がオフ状態と判定されると
(ステップS10)、次のステップに進む。The operations of steps S4 to S10 are repeated until the light receiving cell at the position P E. And the position P
When the output signal from the light receiving cell of E is determined to be in the off state (step S10), the process proceeds to the next step.
【0064】次のステップでは、オフ状態を示す受光セ
ルが何個連続するかをカウントする。すなわち、オフ状
態の受光セル数を示す変数NOFF を1増分する(ステッ
プS12)。In the next step, the number of light-receiving cells that are in the off state is counted. That is, the variable N OFF indicating the number of light receiving cells in the off state is incremented by 1 (step S12).
【0065】そして、オフ状態の受光セルを示す変数N
OFF が透光性基板1bの面取り部を検出する基準となる
受光セルの所定個数N0 より多いか否かを判定する(ス
テップS14)。Then, a variable N indicating the light receiving cell in the off state
It is determined whether OFF is greater than a predetermined number N 0 of light receiving cells serving as a reference for detecting the chamfered portion of the transparent substrate 1b (step S14).
【0066】多ければ、基準位置P0 から(i−
NOFF )番目までの受光セル数に基づいて基準位置P0
からの距離を算出し、この距離を透光性基板1bの端縁
までの距離(エッジ距離)LE として算出する(ステッ
プS16)。[0066] The more, from the reference position P 0 (i-
N OFF ) The reference position P 0 based on the number of light receiving cells up to
Is calculated, and this distance is calculated as the distance (edge distance) L E to the edge of the transparent substrate 1b (step S16).
【0067】なお、変数NOFF が所定個数N0 以下であ
ればステップS6に戻り、次の受光セルの出力信号を検
出する。さらに、ステップS10において、次のセルか
らの出力信号がオン状態に変化した場合、それ以前のオ
フ状態の信号はノイズによるものとみなす。そして、再
度ステップS4に戻り、オフ状態の信号を出力する受光
セルの個数を示す変数N OFF をリセットする。そして、
ステップS6以下の検出動作を繰り返す。The variable NOFFIs the predetermined number N0Below
If so, the process returns to step S6 to detect the output signal of the next light receiving cell.
Put out. Further, in step S10, whether the next cell
If the output signal from those
The signal in the full state is considered to be due to noise. And re
Once again returns to step S4 and outputs the off-state signal
Variable N indicating the number of cells OFFReset. And
The detection operation after step S6 is repeated.
【0068】以上のような手順により、透光性基板1b
の端縁位置が正しく検出される。また、本実施例の周辺
露光装置では、上記のような方法によって透光性基板1
bの端縁位置が検出されると、端縁位置の情報に基づい
て、図2に示す露光幅設定手段Bが透光性基板1b周辺
の露光領域の露光幅を算出し、露光量設定手段Cが露光
量を設定する。Through the above procedure, the transparent substrate 1b
The edge position of is correctly detected. Further, in the peripheral exposure apparatus of this embodiment, the transparent substrate 1 is formed by the above method.
When the edge position of b is detected, the exposure width setting means B shown in FIG. 2 calculates the exposure width of the exposure area around the transparent substrate 1b based on the information of the edge position, and the exposure amount setting means. C sets the exposure amount.
【0069】そして、露光幅のデータに基づいて半径方
向変位部Mxおよび接線方向変位部Myが光照射部20
の照射端21を移動させて透光性基板1bの円弧部分お
よび直線切り欠き部の周辺部分を露光する。Then, the radial displacement portion Mx and the tangential displacement portion My are set to the light irradiation portion 20 based on the exposure width data.
The irradiation end 21 is moved to expose the circular arc portion of the transparent substrate 1b and the peripheral portion of the linear cutout portion.
【0070】なお、上記実施例において、透光性基板1
bの面取り部を判定するための長さ(上記の例では20
0μm)の値は任意に設定することができる。また、上
記のような基板位置検出器40および基板端縁位置検出
部Aの検出方法は、直線切欠き部を有する基板のみなら
ず、直線切欠き部がない円板状の基板に対しても適用す
ることができる。さらに、液晶表示等の角形基板の周縁
位置を検出することも可能である。In the above embodiment, the transparent substrate 1
The length for determining the chamfered portion of b (20 in the above example)
The value of 0 μm) can be set arbitrarily. Further, the method of detecting the substrate position detector 40 and the substrate edge position detecting portion A as described above is applied not only to a substrate having a linear cutout portion but also to a disc-shaped substrate having no linear cutout portion. Can be applied. Furthermore, it is also possible to detect the peripheral position of a rectangular substrate such as a liquid crystal display.
【図1】本発明の実施例による周辺露光装置の構成斜視
図である。FIG. 1 is a configuration perspective view of a peripheral exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1に示す周辺露光装置の機能ブロック図であ
る。FIG. 2 is a functional block diagram of the peripheral exposure apparatus shown in FIG.
【図3】基板の端縁位置検出動作の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of an edge position detection operation of a substrate.
【図4】他の基板の端縁位置検出動作の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of an edge position detection operation of another substrate.
【図5】基板の端縁位置を検出する手順を示すフローチ
ャートである。FIG. 5 is a flowchart showing a procedure for detecting an edge position of a substrate.
【図6】従来の周辺露光装置の構成斜視図である。FIG. 6 is a configuration perspective view of a conventional peripheral exposure apparatus.
【図7】図6に示す周辺露光装置における基板端縁位置
検出方法の説明図である。7 is an explanatory diagram of a substrate edge position detecting method in the peripheral exposure apparatus shown in FIG.
【図8】従来の端縁位置検出方法を透光性基板に適用し
た場合の検出動作の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a detection operation when a conventional edge position detection method is applied to a transparent substrate.
【図9】従来の端縁検出方法を他の透光性基板に適用し
た場合の検出動作の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of a detection operation when the conventional edge detection method is applied to another transparent substrate.
【図10】従来の端縁検出方法を他の透光性基板に適用
した場合の検出動作の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a detection operation when the conventional edge detection method is applied to another transparent substrate.
1 基板 1b 透光性基板 2 レジスト 10 基板回転部 11 スピンチャック 12 モーター 20 光照射部 21 照射端 30 移動部 40 基板位置検出器 41 光源 42 CCDラインセンサ 43 平行光 P0 基準位置 PE 基板端縁位置 LE エッジ距離1 substrate 1b translucent substrate 2 resist 10 substrate rotating unit 11 spin chuck 12 motor 20 light irradiation unit 21 irradiation end 30 moving unit 40 substrate position detector 41 light source 42 CCD line sensor 43 parallel light P 0 reference position P E substrate end Edge position L E Edge distance
Claims (5)
装置であって、 前記基板の一面側に配置され、前記基板の周縁部の外方
から内方に渡る所定領域に光を投射する投光手段と、 前記基板の他面側に前記投光手段と対向するように配置
され、前記所定領域からの透過光を受光し、前記所定領
域に対応する受光信号を出力する受光手段と、 前記基板の外方から内方に向かう方向において前記受光
手段から出力される受光信号が受光状態から最初に遮光
状態に変化しかつ前記遮光状態が所定の長さ以上連続す
るときに前記受光状態から遮光状態への最初の変化点に
基づいて前記基板の端縁位置を検出する検出手段とを備
えたことを特徴とする端縁位置検出装置。1. An edge position detecting device for detecting an edge position of a substrate, wherein the edge position detecting device is arranged on one surface side of the substrate and projects light onto a predetermined region extending from the outer side to the inner side of a peripheral portion of the substrate. And a light receiving unit that is disposed on the other surface side of the substrate so as to face the light projecting unit, receives light transmitted from the predetermined region, and outputs a light reception signal corresponding to the predetermined region. The light receiving state when the light receiving signal output from the light receiving means changes from the light receiving state to the light shielding state first in the direction from the outside to the inside of the substrate and the light shielding state continues for a predetermined length or more. And an edge position detecting device that detects an edge position of the substrate based on a first change point from the light shielding state to the light shielding state.
記所定の長さは前記面取り部の幅に対応することを特徴
とする請求項1記載の端縁位置検出装置。2. The edge position detecting device according to claim 1, wherein the substrate has a chamfered portion at a peripheral edge thereof, and the predetermined length corresponds to a width of the chamfered portion.
投射する光源を含み、 前記受光手段は、前記所定領域に対応する位置に線状に
配置された複数の受光部を含むラインセンサを含むこと
を特徴とする請求項1または2記載の端縁位置検出装
置。3. The light projecting unit includes a light source that projects light onto the predetermined region, and the light receiving unit includes a line that includes a plurality of light receiving units linearly arranged at positions corresponding to the predetermined region. The edge position detecting device according to claim 1 or 2, further comprising a sensor.
出装置と、 前記端縁位置検出装置の検出結果に基づいて前記基板の
周辺部を露光する露光手段とを備えたことを特徴とする
周辺露光装置。4. An edge position detecting device according to claim 1, 2 or 3, and an exposing means for exposing a peripheral portion of the substrate based on a detection result of the edge position detecting device. Peripheral exposure device.
方法であって、 前記基板の一面側において前記基板の周縁部の外方から
内方に渡る所定領域に光を投射するステップと、 前記基板の他面側において前記所定領域からの透過光を
受光し、前記所定領域に対応する受光信号を出力するス
テップと、 前記基板の外方から内方に向かう方向において前記受光
信号が受光状態から最初に遮光状態に変化しかつ前記遮
光状態が所定の長さ以上連続するときに前記受光状態か
ら遮光状態への最初の変化点に基づいて前記基板の端縁
位置を検出するステップとを備えたことを特徴とする端
縁位置検出方法。5. An edge position detecting method for detecting an edge position of a substrate, which comprises: projecting light on a predetermined area extending from outside to inside of a peripheral portion of the substrate on one surface side of the substrate. Receiving the transmitted light from the predetermined area on the other surface side of the substrate and outputting a light reception signal corresponding to the predetermined area; and the light reception signal being received in the direction from the outside to the inside of the substrate. Detecting the edge position of the substrate based on the first change point from the light receiving state to the light shielding state when the state first changes to the light shielding state and the light shielding state continues for a predetermined length or longer. A method for detecting an edge position, characterized by being provided.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7468196A JPH09266156A (en) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | End position detector, peripheral exposure apparatus and end position detection method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7468196A JPH09266156A (en) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | End position detector, peripheral exposure apparatus and end position detection method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266156A true JPH09266156A (en) | 1997-10-07 |
Family
ID=13554223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7468196A Pending JPH09266156A (en) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | End position detector, peripheral exposure apparatus and end position detection method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09266156A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014062406A1 (en) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate orienter chamber |
| JP2018029154A (en) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | 住友金属鉱山株式会社 | Apparatus for inspecting wafer abnormality and inspection method thereof |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP7468196A patent/JPH09266156A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014062406A1 (en) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate orienter chamber |
| JP2018029154A (en) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | 住友金属鉱山株式会社 | Apparatus for inspecting wafer abnormality and inspection method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4441250A (en) | Apparatus for registering a mask pattern in a photo-etching apparatus for semiconductor devices | |
| JPH09266156A (en) | End position detector, peripheral exposure apparatus and end position detection method | |
| JPH08316290A (en) | Rotary substrate processing equipment | |
| JP2537543B2 (en) | Circuit pattern inspection device for printed wiring boards | |
| JP3466730B2 (en) | Pattern evaluation apparatus and pattern evaluation method | |
| JP2503919B2 (en) | Foreign matter inspection device | |
| JPH07161622A (en) | Projection exposure device | |
| JPH04291914A (en) | Exposing method for unnecessary resist on wafer | |
| JP2889300B2 (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
| JPH10135106A (en) | Rim aligner | |
| JP4293343B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JPS627481B2 (en) | ||
| JPS61128522A (en) | Focussing device | |
| JPH04291938A (en) | Aligner and exposure method for inessential resist on wafer | |
| JPH04128605A (en) | Orientation flat detecting apparatus | |
| JP2001267235A (en) | Exposure apparatus and photomask alignment method in the exposure apparatus | |
| JPS63103949A (en) | Foreign object inspection device | |
| JP3218726B2 (en) | Foreign matter inspection device | |
| JPH01295421A (en) | Peripheral exposure apparatus | |
| JP2011033388A (en) | Coating film formation irregularity inspection device | |
| JPH1195410A (en) | Method and device for inspecting defect of photomask | |
| JP2544665B2 (en) | Wafer edge exposure method | |
| JP2936644B2 (en) | Foreign matter inspection device | |
| JP2891580B2 (en) | Substrate thickness discrimination mechanism | |
| JP2565274B2 (en) | Height measuring device |