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JPH09212918A - INFORMATION RECORDING MEDIUM, ITS INITIALIZATION METHOD, AND INITIALIZATION DEVICE - Google Patents

INFORMATION RECORDING MEDIUM, ITS INITIALIZATION METHOD, AND INITIALIZATION DEVICE

Info

Publication number
JPH09212918A
JPH09212918A JP8023664A JP2366496A JPH09212918A JP H09212918 A JPH09212918 A JP H09212918A JP 8023664 A JP8023664 A JP 8023664A JP 2366496 A JP2366496 A JP 2366496A JP H09212918 A JPH09212918 A JP H09212918A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording medium
initialization
information recording
information
initializing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8023664A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasushi Miyauchi
靖 宮内
Motoyasu Terao
元康 寺尾
Makoto Miyamoto
真 宮本
Akemi Hirotsune
朱美 廣常
Yoshihiro Shiroishi
芳博 城石
Hiroyuki Awano
博之 粟野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Maxell Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Maxell Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Maxell Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP8023664A priority Critical patent/JPH09212918A/en
Publication of JPH09212918A publication Critical patent/JPH09212918A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】書き換え可能な相変化光記録媒体の従来の初期
化では、オーバーライト回数によって再生信号波形歪み
の程度が大きく変化した。 【解決手段】高出力半導体レーザあるいはフラッシュ、
あるいはストロボ光源から出射されたビームスポット形
状が記録膜面上で長円形となるようにビームを成形し、
さらにこの長円スポットの長軸方向を記録トラック方向
に対してほぼ直角方向になるように配置した状態でビー
ムを照射して、記録膜の少なくとも一部を少なくとも一
度は融解する。 【効果】初期化による記録膜の融解により記録膜中の各
元素の結合が安定状態となり、オーバーライト回数によ
らず良好な特性が得られた。
(57) Abstract: In the conventional initialization of a rewritable phase change optical recording medium, the degree of distortion of a reproduced signal waveform largely changed depending on the number of overwrites. A high-power semiconductor laser or flash,
Alternatively, the beam is shaped so that the shape of the beam spot emitted from the strobe light source becomes an ellipse on the recording film surface,
Further, a beam is irradiated in a state in which the major axis direction of the elliptical spot is arranged to be substantially perpendicular to the recording track direction, and at least a part of the recording film is melted at least once. [Effect] Due to the melting of the recording film due to the initialization, the bond of each element in the recording film became stable, and good characteristics were obtained regardless of the number of overwrites.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はレーザ光等の記録用
ビームによって、たとえば映像や音声などのアナログ符
号をFM変調したものや、たとえば電子計算機のデータ
や、ファクシミリ信号やディジタルオーディオ信号など
のディジタル情報を、リアルタイムで記録することが可
能な情報の記録媒体とその初期化方法及び記録・再生装
置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a signal obtained by FM-modulating an analog code such as video and audio by a recording beam such as a laser beam, digital data such as computer data, facsimile signals and digital audio signals. The present invention relates to an information recording medium capable of recording information in real time, an initialization method thereof, and a recording / reproducing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】結晶−非晶質間の相変化を利用して情報
の記録を行う相変化型光ディスクにおいて、記録するレ
−ザ照射時間とほぼ同じ程度の時間で結晶化が行える高
速消去が可能な記録膜を用いた場合には、1つのエネル
ギ−ビ−ムのパワ−を、いずれも読み出しパワ−レベル
より高い2つのレベル、すなわち高いパワ−レベルと中
間のパワ−レベルとの間で変化させることにより、既存
の情報を消去しながら新しい情報を記録する、いわゆる
オ−バ−ライト(重ね書きによる書き換え)が可能であ
る。このような記録膜を真空蒸着法およびスパッタリン
グ法などで形成した直後(as depo.状態)は少なくとも
一部分が非晶質状態となっているか、または準安定な結
晶状態となっている。このようなas depo.状態は通常、
反射率が低く、オートフォーカスやトラッキングが不安
定になりやすい。そこで、記録膜を予め初期化してい
る。従来は、この初期化の手段の一つとして、特公平2
−45247のように、例えば、アルゴンレーザのレー
ザビームを長円形の光スポットとして、その長手方向が
記録媒体の半径方向にほぼ一致するようにして照射し、
記録膜を結晶化温度以上融点以下の温度範囲になるよう
して結晶化させていた。
2. Description of the Related Art In a phase-change type optical disk for recording information by utilizing a phase change between a crystal and an amorphous phase, high-speed erasing in which crystallization can be performed in substantially the same time as the laser irradiation time for recording. When a possible recording film is used, the power of one energy beam is changed between two levels higher than the read power level, that is, between a high power level and an intermediate power level. By changing, it is possible to perform so-called overwriting (rewriting by overwriting) in which new information is recorded while erasing existing information. Immediately after such a recording film is formed by a vacuum deposition method, a sputtering method or the like (as depo. State), at least a part thereof is in an amorphous state or in a metastable crystalline state. Such an as depo. Condition is usually
The reflectivity is low and auto focus and tracking tend to be unstable. Therefore, the recording film is initialized in advance. Conventionally, as one of the means for this initialization,
-45247, for example, a laser beam of an argon laser is emitted as an elliptical light spot so that its longitudinal direction substantially coincides with the radial direction of the recording medium,
The recording film has been crystallized in a temperature range from the crystallization temperature to the melting point.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来技術を用いて情報
の記録媒体の初期化を行なった場合には、記録膜を融点
より低い400〜500℃で結晶化させているため結晶
粒が全体に小さく、初期オーバーライト後の結晶化速度
はやや遅く、約100回のオーバーライトによる書き換
えで結晶化速度が速くなり、徐々に定常状態に達する。
このため、定常状態に達した後、最適の記録・再生が行
えるように記録波形を定めると、初期のオーバーライト
では再生信号波形の、特に記録マークの後端位置に対応
する部分の時間軸方向のシフトやゆらぎ(ジッター)が
大きく、2〜5回のオーバーライトで最大になり約10
0回までに小さくなってその後定常状態に達する。従っ
て、オーバーライト回数2〜100回で、場合によって
は読みだしエラーを起こしてしまうことになる。このよ
うな結晶化速度の変化は、製膜し、結晶化させただけの
記録膜には原子間結合の乱れが多く、結晶化速度が制限
され、記録時に膜が融解することにより乱れが徐々に少
なくなるために起こると考えられる。さらに、従来技術
の装置では、Arレーザから出されたレーザビームを2
つのスポットに分離して初期化を行うなど、装置が複雑
になるという問題があった。
When the information recording medium is initialized by using the conventional technique, the recording film is crystallized at 400 to 500 ° C., which is lower than the melting point, so that the crystal grains are entirely dispersed. The crystallization speed is small and the crystallization speed after the initial overwriting is slightly slow, and the crystallization speed is increased by rewriting by overwriting 100 times and gradually reaches a steady state.
Therefore, if the recording waveform is determined so that optimum recording / reproduction can be performed after the steady state is reached, in the initial overwrite, the reproduction signal waveform, especially in the time axis direction of the portion corresponding to the trailing end position of the recording mark Shifts and fluctuations (jitter) are large, and it becomes maximum after overwriting 2 to 5 times
It becomes smaller by 0 times and then reaches a steady state. Therefore, if the number of overwrites is 2 to 100, a read error may occur in some cases. Such a change in the crystallization rate is often caused by disorder of interatomic bonds in a recording film that has just been formed and crystallized, and the crystallization rate is limited. It is thought to happen because it is less. Furthermore, in the prior art device, the laser beam emitted from the Ar laser is
There is a problem that the device becomes complicated, for example, it is separated into two spots for initialization.

【0004】従って、本発明の目的は、上記従来技術に
おける問題点を解決し、オーバーライト回数によらず情
報の記録が確実に行えるための情報の記録媒体の初期化
方法及び初期化装置を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to solve the above problems in the prior art and to provide an information recording medium initialization method and an initialization device for reliably recording information regardless of the number of overwrites. To do.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上述した従来技術におけ
る問題点を解決するために、本発明の初期化方法におい
ては、例えば初期化用の高出力レーザ(出力2W程度)
を用い、この高出力レーザから出射された単一のビーム
スポット形状が記録膜面上で長円形となるようにビーム
を成形し、さらにこの長円スポットの長軸方向(長手方
向)を記録トラック方向に対してほぼ直角方向になるよ
うに配置した状態で記録媒体を回転または移動させなが
ら記録膜上に焦点を合わせて照射する。そして、初期化
用ビームを記録媒体の半径方向に移動させて初期化を行
なう。本発明では記録膜の少なくとも一部分が、初期化
用エネルギー源から出射され、ディスク上のビームスポ
ットの最大幅が記録トラックピッチより大きい特に高パ
ワーのエネルギービームの照射により融解過程を経てい
ることが特徴である。高パワーのエネルギービームとし
ては、キセノンランプ等の光源から発生するフラッシュ
光、ストロボ光(繰り返しパルス光フラッシュ光)を、
光の一部を通過させるマスク(スリット)、レンズ、反
射鏡のうちの一つ以上を用いて、記録媒体の全面でな
く、面積を1/3以下、より好ましくは1/10の領域
に当たるようにビーム状にしたものを用いても良い。レ
ーザを用いる利点は、ビームを十分に集光できるので1
回当たりの照射時間が短く、記録媒体の熱によるダメー
ジを避けられることである。ただし、初期化装置の価格
は高い。
In order to solve the above-mentioned problems in the prior art, in the initialization method of the present invention, for example, a high power laser for initialization (output about 2 W) is used.
A beam is shaped so that the single beam spot shape emitted from this high-power laser becomes an ellipse on the recording film surface, and the major axis direction (longitudinal direction) of this elliptical spot is recorded on the recording track. The recording medium is rotated or moved while being arranged so as to be substantially perpendicular to the direction, and irradiation is performed while focusing on the recording film. Then, the initialization beam is moved in the radial direction of the recording medium to perform initialization. In the present invention, at least a part of the recording film is emitted from the energy source for initialization, and the melting process is performed by irradiation with an energy beam of a particularly high power, in which the maximum width of the beam spot on the disk is larger than the recording track pitch. Is. As high-energy energy beams, flash light generated from a light source such as a xenon lamp, strobe light (repeated pulsed light flash light),
Use one or more of a mask (slit), a lens, and a reflecting mirror that allows a part of light to pass therethrough, so that the area of the recording medium is 1/3 or less, more preferably 1/10, rather than the entire surface. A beam-shaped one may be used. The advantage of using a laser is that the beam can be focused sufficiently.
The irradiation time per time is short, and damage due to heat of the recording medium can be avoided. However, the price of the initialization device is high.

【0006】一方、フラッシュ光やストロボ光の場合に
は、膜に欠陥があるとクラックなどを生じやすいが、初
期化装置を安価にすることが容易である。ここで、レー
ザ照射等により記録膜の温度が融点以上に達し、記録膜
が融解し、その後冷却される。これにより、記録膜の原
子配列は安定状態となり、初回のオーバーライトから良
好な特性が得られた。ここで、記録膜の冷却速度がディ
スクの記録時の冷却速度よりも小さいので記録膜の融解
後は少なくとも部分的に再結晶化して結晶状態となる。
結晶成長速度が小さい記録膜で再結晶化領域が小さい場
合には、更に結晶化温度以上融点以下の温度範囲のレー
ザビーム照射や、フラッシュ光、ストロボ光照射等を行
ない、記録膜を結晶化させてもよい。この時、記録膜が
融解後再結晶化した方が、ディスク全面にわたって一様
な最大幅が0.1μm以上の粗大結晶粒径(記録マーク
消去後の結晶粒形よりも大きい)の結晶状態となる可能
性があり好ましい。この時の初期化エネルギービームの
1回照射に対応する粗大結晶粒領域の幅は記録トラック
幅よりも広くなっている。
On the other hand, in the case of flash light or strobe light, if the film is defective, cracks and the like are likely to occur, but it is easy to make the initialization device inexpensive. Here, the temperature of the recording film reaches the melting point or higher due to laser irradiation or the like, the recording film is melted, and then cooled. Thereby, the atomic arrangement of the recording film became stable, and good characteristics were obtained from the first overwriting. Here, since the cooling rate of the recording film is lower than the cooling rate at the time of recording on the disk, after the recording film is melted, it is at least partially recrystallized into a crystalline state.
If the recrystallized region is small in a recording film with a low crystal growth rate, laser beam irradiation in the temperature range from the crystallization temperature to the melting point, flash light, strobe light irradiation, etc. is performed to crystallize the recording film. May be. At this time, when the recording film is melted and then recrystallized, a crystalline state of a coarse crystal grain size with a uniform maximum width of 0.1 μm or more (larger than the crystal grain form after erasing the recording mark) is obtained over the entire surface of the disc. There is a possibility that The width of the coarse crystal grain region corresponding to one irradiation of the initialization energy beam at this time is wider than the recording track width.

【0007】上記のような初期化のうち、高出力レーザ
による初期化において、熱によるダメージを少なくする
ために、本発明の一例で用いた長円スポットは、初期化
装置内の光学系で整形することにより、短軸方向(短手
方向)の光強度がガウス分布に近く、長軸方向(長手方
向)の光強度分布の断面形状が台形(頂点が平坦)に近
い形状となっている。そしてこの長円スポットの長軸方
向(長手方向)を記録トラック方向に対してほぼ直角方
向になるように配置した状態でディスクを回転させ記録
膜上にビーム焦点があうようにして連続光(DC光)照
射による初期化を行った。記録トラック方向(短軸方
向)のスポット幅は狭く、記録・再生装置のスポット幅
と大差ないため、急熱急冷が可能であり、熱によるダメ
ージが少ない。更に、ディスク上の初期化用ビームスポ
ットの最大幅を記録トラックピッチより大きくすること
により、初期化に要する時間が少なくなる。例えば、短
時間で大面積の初期化を可能とするために、ビームスポ
ットの形状が記録膜面上で約1.5μm×100μm程
度の長円スポットの高出力レーザ(パルス出力2W程
度)を用いた。そしてこの長円スポットの長軸方向(長
手方向)を記録トラック方向に対してほぼ直角方向(デ
ィスクの半径方向)になるように配置した状態で連続的
にビームを照射することにより、ディスク1回転で最大
100μmの送りピッチで初期化することができる。
Of the above-mentioned initializations, the elliptical spot used in the example of the present invention is shaped by the optical system in the initialization device in order to reduce the damage due to heat in the initialization by the high-power laser. By doing so, the light intensity in the short-axis direction (short-side direction) is close to a Gaussian distribution, and the cross-sectional shape of the light-intensity distribution in the long-axis direction (longitudinal direction) is close to a trapezoid (the vertex is flat). The disc is rotated with the major axis direction (longitudinal direction) of the elliptical spot arranged substantially perpendicular to the recording track direction so that the beam is focused on the recording film and continuous light (DC) is generated. Light) irradiation was used for initialization. Since the spot width in the recording track direction (short axis direction) is narrow and does not differ much from the spot width of the recording / reproducing device, rapid heating and quenching are possible and less damage due to heat. Furthermore, by making the maximum width of the initialization beam spot on the disk larger than the recording track pitch, the time required for the initialization is reduced. For example, in order to enable initialization of a large area in a short time, a high-power laser (pulse output of about 2 W) with an elliptical spot whose beam spot shape is about 1.5 μm × 100 μm on the recording film surface is used. I was there. By continuously irradiating a beam in a state where the major axis direction (longitudinal direction) of this elliptical spot is substantially perpendicular to the recording track direction (radial direction of the disk), one disk rotation is performed. Can be initialized at a feed pitch of 100 μm at maximum.

【0008】例えば、直径5インチのディスクを180
0rpmで回転させ、半径30mmから外周に向かって
半径60mmまで、送りピッチ100μmでビームを移
動させながら初期化を行ったとすると、約10秒で初期
化が完了することになる。この場合には、ディスク全面
を確実に初期化するために内周から外周に向かってビー
ムの照射パワーを大きくすれば良い。また、初期化時間
は長くなるが、送りピッチを100μmより短くして、
記録媒体上の同一場所への照射回数を多くした方が確実
に初期化が行なえる場合もある。更に、初期化時の記録
媒体の線速度は、4m/s以上30m/s以下が好まし
い。特に、6m/s以上15m/s以下が好ましい。ま
た、初期化時の線速度をディスクの半径方向の位置によ
らず一定にすれば、初期化後の状態が一様になってより
好ましい。また、記録膜への熱的ダメージを小さくする
ためには、高出力レーザ光の場合、照射を連続光としな
いでパルス的に照射する方が好ましい。この場合には、
ビームのパワーレベルとして少なくとも3つのレベルを
設定し、記録膜の結晶化速度および記録膜の冷却速度に
合わせて、各パワーレベルの値、ビームのパルス照射周
波数やデューティー比やディスクの線速度などを変化さ
せれば良い。たとえば、初期化用ビームのそれぞれのパ
ワーレベルを、 高いパワーレベル(PH):ビームスポットの中心で記
録膜が融解するパワーレベル以上、 中間のパワーレベル(PM):記録媒体の線速度が速く
なるほど高い。(PH>PM>PLの関係) 低いパワーレベル(PL):再生パワーレベル。
For example, a disc having a diameter of 5 inches is 180
If initialization is performed by rotating the beam at 0 rpm and moving the beam at a feed pitch of 100 μm from a radius of 30 mm to a radius of 60 mm toward the outer periphery, the initialization will be completed in about 10 seconds. In this case, the beam irradiation power may be increased from the inner circumference to the outer circumference in order to securely initialize the entire surface of the disk. Also, although the initialization time becomes longer, the feed pitch is shorter than 100 μm,
In some cases, initialization can be performed more reliably by increasing the number of irradiations to the same location on the recording medium. Further, the linear velocity of the recording medium at the time of initialization is preferably 4 m / s or more and 30 m / s or less. Particularly, 6 m / s or more and 15 m / s or less are preferable. Further, it is more preferable that the linear velocity at the time of initialization be constant regardless of the position in the radial direction of the disk so that the state after initialization becomes uniform. Further, in order to reduce the thermal damage to the recording film, in the case of high-power laser light, it is preferable to perform pulsed irradiation instead of continuous light irradiation. In this case,
At least three levels are set as the power level of the beam, and the value of each power level, the pulse irradiation frequency of the beam, the duty ratio, the linear velocity of the disk, etc. are set according to the crystallization speed of the recording film and the cooling speed of the recording film. Just change it. For example, the power level of each beam for initialization is set to a high power level (PH): a power level equal to or higher than the power level at which the recording film melts at the center of the beam spot, an intermediate power level (PM): as the linear velocity of the recording medium increases. high. (Relationship of PH>PM> PL) Low power level (PL): playback power level.

【0009】の条件を満たした条件で初期化を行なえば
よい。そして、初期化時の記録媒体の線速度をv、初期
化用ビームの記録トラック方向の半値幅をx、初期化用
ビームのパルス照射周波数をfとすると、 f≧(v/x) の条件を満たした条件で初期化を行なうことにより、初
期化領域全体にわたって一様な状態で初期化が行なえ
る。このようなパルス照射による初期化の場合には、少
なくとも初期化を行なった領域と初期化を行なわない領
域との境界部分の粗大結晶粒領域の片側の縁が、円弧の
一部が多数集まった形状である。
It suffices to perform the initialization under the condition satisfying the condition of. When the linear velocity of the recording medium at the time of initialization is v, the half width of the initialization beam in the recording track direction is x, and the pulse irradiation frequency of the initialization beam is f, the condition of f ≧ (v / x) is satisfied. By performing the initialization under the condition that satisfies, the initialization can be performed in a uniform state over the entire initialization area. In the case of such initialization by pulse irradiation, a large number of arcs are gathered at least on one side edge of the coarse grain region at the boundary between the initialized region and the uninitialized region. The shape.

【0010】また、記録媒体によっては、まず最初に記
録膜の融点より低い温度となるようなビームパワーを照
射し、その後で記録膜が融解する融点以上の温度となる
ビームパワーの少なくとも2段階の照射を行なった方が
良い場合がある。また、逆に最初に記録膜が融解する融
点以上の温度となるビームパワーで照射し、次に記録膜
の融点より低い温度となるようなビームパワーで照射し
て初期化しても良い。また、長円ビームの高出力レーザ
を用いなくても、実際に記録を行なうビーム形状とほぼ
同じ形状のレーザビームの照射により、記録膜の融解過
程を経る初期化を行なったり、実際に記録を行なうレー
ザビームで記録膜の融解過程を経る初期化を行なっても
良いが、初期化に用いる装置1台で1日に初期化できる
ディスク枚数は少なくなる。
Further, depending on the recording medium, first, the beam power is irradiated so that the temperature is lower than the melting point of the recording film, and thereafter, the beam power having at least two stages of the beam power at which the temperature is higher than the melting point at which the recording film melts. It may be better to irradiate. Alternatively, the irradiation may be initialized by first irradiating with beam power having a temperature equal to or higher than the melting point of the recording film, and then irradiating with beam power having a temperature lower than the melting point of the recording film. Even if a high-power laser with an elliptical beam is not used, by irradiating with a laser beam having a shape almost the same as the beam shape for actual recording, the recording film is initialized through the melting process, or the actual recording is performed. Although the initialization may be performed by melting the recording film with the laser beam to be performed, the number of disks that can be initialized per day by one device used for the initialization decreases.

【0011】初期化を行なうレーザの波長と、実際に情
報の読み出しを行なうレーザ波長とが異なる場合があ
る。この時は、初期化を行なうレーザの波長におけるas
depo.状態の反射率あるいは非晶質状態での反射率が、
実際に情報の読み出しを行なうレーザの波長におけるas
depo.状態の反射率あるいは非晶質状態での反射率の3
倍以下とした記録媒体を用いることにより、確実な初期
化及び良好な記録特性が得られた。特に1.5倍以下と
した方が好ましい。この時、初期化用レーザ波長でのas
depo.状態の反射率が低いため、初期化用レーザのビー
ムの焦点があいにくい時には、初期化用レーザによる初
期化の前に弱いフラッシュ光照射を行ない、ディスクの
反射率を高くした後、初期化用レーザ光照射による結晶
化を行なえばよい。また、as depo.状態の反射率が低い
場合でも、焦点をあわせるための初期化用レーザのリー
ド光のパワーを、初期化を行う時のパワーに近くするこ
とにより、焦点をあわせようとする動作の途中で焦点が
あった瞬間に記録膜が結晶化し、それによって反射率が
上昇するため、その後は安定に焦点をあわせることがで
きる場合がある。
There are cases where the wavelength of the laser for initialization and the laser wavelength for actual reading of information are different. At this time, as at the wavelength of the laser to be initialized
The reflectance in the depo. state or the reflectance in the amorphous state is
As at the wavelength of the laser that actually reads information
3 of reflectance in depo. state or reflectance in amorphous state
By using the recording medium with a double or less, reliable initialization and good recording characteristics were obtained. In particular, it is preferably 1.5 times or less. At this time, as at the laser wavelength for initialization
When the initializing laser beam is difficult to focus due to the low reflectance in the depo. state, weak flash light irradiation is performed before initialization by the initializing laser to increase the reflectance of the disk, then Crystallization may be performed by irradiation with a laser beam for chemical conversion. Even if the reflectivity in the as depo. State is low, the power of the read light of the initialization laser for focusing is made close to the power at the time of initialization to try to focus. Since the recording film is crystallized at the moment when the focal point is reached in the middle of the process, and the reflectance is increased thereby, it may be possible to focus stably thereafter.

【0012】ビームスポット内に光透過量が減少する領
域を生じさせるマスク層を設けて高密度再生または記録
を可能する光ディスク媒体を初期化する場合にも、本発
明が適用できる。例えばマスク層として色素を用いた場
合や、低融点の無機物層を用いた場合などである。さら
に、ビームスポット内に光透過量が減少する領域を生じ
させるマスク層を設けて高密度再生または記録を可能す
る光ディスク媒体を初期化する場合にも、本発明が適用
できる。例えばマスク層としてナフタロシアニンなどの
色素を用いた場合や、低融点の無機物層を用いた場合な
どである。
The present invention can also be applied to the case of initializing an optical disk medium capable of high-density reproduction or recording by providing a mask layer which causes a region where the amount of light transmission decreases in the beam spot. For example, when a dye is used as the mask layer or when an inorganic layer having a low melting point is used. Further, the present invention can be applied to a case where a mask layer for generating a region where the amount of light transmission decreases in a beam spot is provided to initialize an optical disk medium capable of high-density reproduction or recording. For example, when a dye such as naphthalocyanine is used as the mask layer, or when an inorganic layer having a low melting point is used.

【0013】本発明に用いる初期化装置は、初期化用エ
ネルギービームを出射する手段、記録媒体を回転または
移動させる手段、初期化用ビームの焦点を記録膜上に合
わせる手段、初期化用ビームの記録媒体上の位置を動か
す手段、初期化ビームのパワーレベル及び照射時間を制
御し記録膜を一時的に融解させる手段を少なくとも有し
ている。さらに、エネルギー源から出射されたビーム
を、そのスポット形状が記録膜面上で短軸方向の光強度
分布がガウス分布に近く、長軸方向の光強度分布の断面
形状が台形(頂点が平坦)の長円スポットに整形する手
段、該長円スポットの長軸方向を記録トラック方向に対
してほぼ直角方向に配置する記録ヘッドの位置決め手
段、記録媒体の回転または移動とエネルギービームの記
録媒体の半径方向の移動の相互の関係を制御する手段、
フラッシュ光を照射する手段、フラッシュ光照射とエネ
ルギービーム照射の照射順序を決定する手段のうちの少
なくとも1つ以上を有している。
The initialization device used in the present invention includes means for emitting an initialization energy beam, means for rotating or moving a recording medium, means for focusing the initialization beam on a recording film, and an initialization beam. It has at least means for moving the position on the recording medium, means for controlling the power level and irradiation time of the initialization beam to temporarily melt the recording film. Furthermore, the beam emitted from the energy source has a spot shape on the recording film surface with a light intensity distribution in the minor axis direction close to a Gaussian distribution, and a cross-sectional shape of the light intensity distribution in the major axis direction is trapezoidal (the vertex is flat). Of the elliptical spot, positioning means of the recording head for arranging the major axis direction of the elliptical spot in a direction substantially perpendicular to the recording track direction, rotation or movement of the recording medium and radius of the energy beam recording medium Means for controlling the mutual relationship of directional movement,
It has at least one or more of a means for irradiating with flash light and a means for deciding the irradiation order of flash light irradiation and energy beam irradiation.

【0014】本発明では、少なくとも基板上に保護層、
光記録膜、中間層、反射層の順に形成した記録媒体を用
いる。この時、各層の膜厚を以下の範囲にすることによ
り良好な特性が得られた。まず、保護層の膜厚は、50
nm以上150nm以下が好ましく、特に60nm以上
130nm以下が好ましい。光記録膜の膜厚は、10n
m以上50nm以下が好ましく、特に12nm以上40
nm以下が好ましい。中間層の膜厚は、5nm以上50
nm以下が好ましく、特に10nm以上30nm以下が
好ましい。反射層の膜厚は、30nm以上300nm以
下が好ましく、特に50nm以上200nm以下が好ま
しい。用いる記録膜としては、高速結晶化が可能な結晶
−非晶質相変化光記録膜や、非晶質−非晶質間変化を利
用する記録膜、結晶系や結晶粒径の変化などの結晶−結
晶間相変化記録膜が好ましいが、他の記録膜を用いても
よい。特に、Ge-Sb-Te系記録膜やAg-In-Sb
-Te系記録膜などの相変化を利用した記録膜などを用
いれば良い。また、記録膜中に主成分材料よりも高融点
であるCr2Te3などの高融点材料を添加した記録膜、
反射層を2層にした記録媒体などを用いれば、記録膜の
流動による記録膜膜厚変化を抑制することができ好まし
い。ここで反射層を2層にした場合の第1層目の膜厚
は、20nm以上300nm以下が好ましく、特に50
nm以上100nm以下が好ましい。第2層目の膜厚
は、30nm以上300nm以下が好ましく、特に50
nm以上200nm以下が好ましい。
In the present invention, at least a protective layer on the substrate,
A recording medium having an optical recording film, an intermediate layer, and a reflective layer formed in this order is used. At this time, good characteristics were obtained by setting the thickness of each layer in the following range. First, the thickness of the protective layer is 50
The thickness is preferably from 150 nm to 150 nm, particularly preferably from 60 nm to 130 nm. The thickness of the optical recording film is 10 n
m to 50 nm, preferably 12 nm to 40 nm.
nm or less is preferable. The thickness of the intermediate layer is 5 nm or more and 50
nm or less, preferably 10 nm or more and 30 nm or less. The thickness of the reflective layer is preferably 30 nm or more and 300 nm or less, and particularly preferably 50 nm or more and 200 nm or less. As a recording film to be used, a crystal-amorphous phase-change optical recording film capable of high-speed crystallization, a recording film utilizing an amorphous-amorphous change, a crystal such as a change in a crystal system or a crystal grain size, etc. -An intercrystalline phase change recording film is preferred, but other recording films may be used. In particular, Ge-Sb-Te based recording films and Ag-In-Sb
A recording film using a phase change, such as a -Te recording film, may be used. In addition, a recording film in which a high melting point material such as Cr 2 Te 3 having a higher melting point than the main component material is added to the recording film,
It is preferable to use a recording medium having two reflective layers, because it is possible to suppress a change in the thickness of the recording film due to the flow of the recording film. Here, when the number of the reflective layers is two, the thickness of the first layer is preferably 20 nm or more and 300 nm or less, more preferably 50 nm or less.
It is preferably not less than 100 nm and not more than 100 nm. The thickness of the second layer is preferably 30 nm or more and 300 nm or less, and particularly 50
It is preferably not less than 200 nm and not more than 200 nm.

【0015】記録膜を融解させる動作は、基板上に記録
膜等の各層を形成し、少なくとも例えば紫外線硬化樹脂
の保護コートをした後で行う方が記録膜へのダメージが
少なくて好ましい。特に、紫外線硬化樹脂の保護層を塗
布した構造の光記録媒体と保護板とを紫外線硬化樹脂等
の接着剤あるいはホットメルト法などにより密着貼りあ
わせを行なった後に、基板側からレーザ光照射やフラッ
シュ光照射を行なうのが好ましい。また、前記光記録媒
体同志の密着貼りあわせを行なって両面記録媒体とした
後で両面に照射を行ってもよい。
It is preferable that the operation of melting the recording film is performed after forming each layer such as the recording film on the substrate and at least performing a protective coating of, for example, an ultraviolet curable resin, since the recording film is less damaged. In particular, after the optical recording medium having a structure coated with a protective layer of an ultraviolet curable resin and the protective plate are adhered to each other by an adhesive such as an ultraviolet curable resin or a hot melt method, laser irradiation or flashing is performed from the substrate side. It is preferable to perform light irradiation. Alternatively, irradiation may be performed on both surfaces after the optical recording media are adhered to each other to form a double-sided recording medium.

【0016】本発明の初期化においては、記録膜の少な
くとも一部は一度はエネルギービームの照射による融解
過程を経ているが、この記録膜を融解させるエネルギー
源としては、半導体レーザ、Arレーザ、Krレーザ、
あるいは電子線等が使用できる。このうち、装置の小型
化や冷却水が不要な半導体レーザが好ましい。エネルギ
ー源が光源の場合、その主たる波長は記録媒体の記録・
再生の波長の少なくとも一方との波長差が100nm以
下が好ましく、50nm以下が特に好ましい。また、キ
セノンランプ等のフラッシュ光やストロボ光照射のみで
も記録膜の少なくとも一部を融解できれば使用できる。
また、記録膜の融点の少し下(融点の下100℃以内)
の温度でも、1ヵ所の照射回数を2倍以上に増やせば融
解した場合に近い効果が得られた。特に、フラッシュ光
やストロボ光の場合には照射時間が長いので、融点より
下でも効果を得ることはできる。エネルギービーム照射
前に記録膜は非晶質状態にあるので、実際には明確な融
点は無く、急冷した場合は結晶化しないで結晶の融点の
少し下の温度から軟化する。微細結晶が昇温中にできた
場合は、通常知られている融点(大きな結晶の融点)よ
り少し低い温度で融解する。このため、融点より少し下
でも効果があると考えられる。このような温度に達すれ
ば通常、冷却中に粗大結晶が生成することから知ること
ができる。
In the initialization of the present invention, at least a part of the recording film has once undergone a melting process by irradiation with an energy beam, and as an energy source for melting the recording film, a semiconductor laser, an Ar laser, Kr is used. laser,
Alternatively, an electron beam or the like can be used. Among these, a semiconductor laser is preferable because it does not require downsizing of the device or cooling water. When the energy source is a light source, its main wavelength is
The wavelength difference from at least one of the reproduction wavelengths is preferably 100 nm or less, and particularly preferably 50 nm or less. Further, it can be used if at least a part of the recording film can be melted only by irradiation with flash light or strobe light from a xenon lamp or the like.
A little below the melting point of the recording film (within 100 ° C below the melting point)
Even at this temperature, if the number of irradiations at one location was doubled or more, an effect similar to that obtained when melting was obtained. In particular, in the case of flash light or strobe light, since the irradiation time is long, the effect can be obtained even below the melting point. Since the recording film is in an amorphous state before the irradiation with the energy beam, there is actually no clear melting point, and when it is rapidly cooled, it does not crystallize but softens from a temperature slightly below the melting point of the crystal. When fine crystals are formed during the temperature rise, they melt at a temperature slightly lower than the melting point (melting point of large crystals) which is usually known. Therefore, it is considered that the effect is effective even just below the melting point. It can be known from the fact that when such a temperature is reached, coarse crystals are usually formed during cooling.

【0017】また記録膜を融解させる動作は、記録媒体
のサーティファイ(読み出しによる欠陥検査)と同時、
あるいはその前後に行えば良い。そして、記録膜を融解
させる上記の動作は、メーカーが記録媒体を製造した段
階(製造方法に関する)、あるいは実際に情報を記録再
生する装置で試し書きを行う前(前処理方法に関する)
に行えばよい。
The operation of melting the recording film is performed at the same time as certifying the recording medium (defect inspection by reading).
Alternatively, it may be performed before or after that. The above-described operation of melting the recording film is performed at the stage when the manufacturer manufactures the recording medium (related to the manufacturing method) or before the trial writing is performed by the device that actually records / reproduces information (related to the pretreatment method).
You can go to

【0018】また、本発明は、ディスク状のみならず、
カード状などの他の形態の記録媒体にも適用可能であ
る。
Further, the present invention is not limited to a disk shape,
The present invention is also applicable to other forms of recording medium such as a card.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を実施例を用
いて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of the present invention will be described below using embodiments.

【0020】実施例1 図1は、本実施例に用いる案内溝を有する書き換え型光
ディスクの構造断面図を示したものである。まず直径1
20mm,厚さ0.6mmの案内溝(トラックピッチ1.
48μm、U字型溝)を有するポリカーボネート基板1
上に,マグネトロンスパッタリング法によって厚さ約1
10nmのZnS−SiO2保護層2を形成した。次
に,Cr2Ge20Sb22Te56の組成の記録膜3を約2
5nmの膜厚に形成した。次にZnS−SiO2中間層
4を約20nmの膜厚に形成した。そして,更にSi層
(第1反射層)5を80nm,Al−Ti層(第2反射
層)6を約100nm形成した。これらの膜形成は同一
スパッタリング装置内で順次行った。その後,この上に
紫外線硬化樹脂層7を塗布した後,2液混合室温効果型
接着剤8で,同じ構造のもう一枚のディスクとの密着貼
りあわせを行った。
Embodiment 1 FIG. 1 is a structural sectional view of a rewritable optical disk having a guide groove used in this embodiment. First, the diameter 1
20mm, 0.6mm thick guide groove (track pitch 1.
Polycarbonate substrate 1 having 48 μm, U-shaped groove)
On top, the thickness is about 1 by magnetron sputtering.
A ZnS-SiO 2 protective layer 2 having a thickness of 10 nm was formed. Next, the recording film 3 having a composition of Cr 2 Ge 20 Sb 22 Te 56 is applied to about 2
It was formed to a thickness of 5 nm. Then was formed ZnS-SiO 2 intermediate layer 4 to a thickness of approximately 20 nm. Then, a Si layer (first reflection layer) 5 having a thickness of 80 nm and an Al-Ti layer (second reflection layer) 6 having a thickness of about 100 nm were formed. These films were formed sequentially in the same sputtering apparatus. After that, an ultraviolet curable resin layer 7 was applied on this, and then a two-liquid mixed room temperature effect adhesive 8 was used to adhere and adhere to another disk of the same structure.

【0021】上記のようにして作製したディスクの初期
化は次のようにして行った。まず、出力約2Wの高出力
半導体レーザ(波長約810nm)から出射されたビー
ムのスポット形状が記録膜面で約1.5μm×100μ
mの長円スポットになるようにビーム成形し、図2に示
すようにこの長円スポット9の長軸方向を記録トラック
10方向に対してほぼ直角方向に配置した。そして、デ
ィスクを線速度8m/sで回転させ、記録膜面上で約1
50mWの連続光(DC光)を照射し、自動焦点合わせ
を行った。次に、長円スポット9をディスクの外周から
内周に一定速度で移動させながら、レーザパワーを記録
膜が融解するパワーに上昇させてパルス照射を行なっ
た。初期化条件は、ディスクの線速度8m/s、初期化
パルス周波数9MHz、初期化パルスのデューティー比
50%、高いパワーレベル(Ph)と中間のパワーレベ
ル(Pm)とのパワー比を2:1に固定し、ディスク上
の半径方向の2つの領域でそれぞれ高いパワーレベルを
900mWと1800mWにした条件で初期化を行なっ
た。比較のために、DC光(パルス変調していない光)
700mWの初期化も行なった。そして、記録は、レー
ザ波長680nm、NA0.55の記録装置を用い、図
3に示した3値波形でオーバーライトを行なった。ここ
では、記録パワー9mW、消去パワー4mW、読み出し
パワー1mWとした。図4は、各初期化領域での、ジッ
ターのオーバーライト回数依存性を調べた結果を示した
ものである。この図から、初期化パワーがDC光700
mWおよびパルス光900mWの場合には、オーバーラ
イト回数が少ないところでジッターが大きくなっている
ことがわかる。この原因として、初期化パワーが小さい
場合には記録膜が融解するまでの温度に達しておらず、
記録膜はas depo.状態から融解を経ずに結晶化した為に
オーバーライトにより記録膜の構造が徐々に変化したも
のと考えられる。これに対して、初期化パワーが180
0mWと高い場合には、記録膜温度が融点まで達し、一
旦記録膜が融解した後、冷却中に再結晶化して大部分が
結晶状態となったために初回オーバーライトから良好な
特性が得られていると考えられる。この時に粗大結晶粒
が形成された場合には、この粗大結晶粒領域の幅は記録
トラック幅よりも広くなっている。
Initialization of the disk manufactured as described above was performed as follows. First, the spot shape of a beam emitted from a high-power semiconductor laser (wavelength: about 810 nm) with an output of about 2 W is about 1.5 μm × 100 μ on the recording film surface.
Beam shaping was performed so as to form an oval spot of m, and the long axis direction of the oval spot 9 was arranged substantially at right angles to the recording track 10 direction as shown in FIG. Then, the disk was rotated at a linear velocity of 8 m / s, and about 1 was recorded on the recording film surface.
A continuous light (DC light) of 50 mW was irradiated to perform automatic focusing. Next, while the elliptical spot 9 was moved from the outer circumference to the inner circumference of the disc at a constant speed, the laser power was increased to the power for melting the recording film and pulse irradiation was performed. The initialization conditions are a linear velocity of the disk of 8 m / s, an initialization pulse frequency of 9 MHz, a duty ratio of the initialization pulse of 50%, and a power ratio of a high power level (Ph) to an intermediate power level (Pm) of 2: 1. And the initialization was performed under the conditions that the high power levels were set to 900 mW and 1800 mW in two radial regions on the disk, respectively. For comparison, DC light (light without pulse modulation)
Initialization of 700 mW was also performed. Then, the recording was performed by using a recording device with a laser wavelength of 680 nm and an NA of 0.55, and overwriting was performed with the ternary waveform shown in FIG. Here, the recording power was 9 mW, the erasing power was 4 mW, and the reading power was 1 mW. FIG. 4 shows the results of examining the dependence of jitter on the number of overwrites in each initialization region. From this figure, the initialization power is DC light 700
It can be seen that in the case of mW and pulsed light of 900 mW, the jitter is large when the number of overwrites is small. The reason for this is that when the initialization power is low, the temperature until the recording film melts has not reached,
It is considered that the structure of the recording film gradually changed due to overwriting because the recording film was crystallized from the as depo. State without melting. On the other hand, the initialization power is 180
When it is as high as 0 mW, the recording film temperature reaches the melting point, and once the recording film has melted, it was recrystallized during cooling and became mostly in a crystalline state. Therefore, good characteristics were obtained from the first overwrite. It is believed that If coarse crystal grains are formed at this time, the width of the coarse crystal grain region is wider than the recording track width.

【0022】本発明では、記録膜の結晶化速度および記
録膜の冷却速度に合わせて、各パワーレベルの値および
そのパワー比、ビームのパルス照射周波数やディスクの
線速度などを変化させれば良い。たとえば、初期化用ビ
ームのそれぞれのパワーレベルを、 高いパワーレベル(PH):ビームスポットの中心で記
録膜が融解するパワーレベル以上、 中間のパワーレベル(PM):記録媒体の線速度が速く
なるほど高い。(PH>PM>PLの関係) 低いパワーレベル(PL):再生パワーレベル以下。
In the present invention, the value of each power level and its power ratio, the pulse irradiation frequency of the beam, the linear velocity of the disk, etc. may be changed according to the crystallization speed of the recording film and the cooling speed of the recording film. . For example, the power level of each beam for initialization is set to a high power level (PH): a power level equal to or higher than the power level at which the recording film melts at the center of the beam spot, an intermediate power level (PM): as the linear velocity of the recording medium increases. high. (Relationship of PH>PM> PL) Low Power Level (PL): Below Reproduction Power Level.

【0023】の条件を満たした条件で初期化を行なえば
よい。本実施例では、PHは記録膜が融解するパワーレ
ベル(1200mW)よりも高い1800mW、PMは
PH>PM>PLの範囲にある900mW,そして、P
Lは再生パワーレベルの150mWの各条件とした。
It suffices to perform the initialization under the condition satisfying the condition of. In this embodiment, PH is 1800 mW, which is higher than the power level (1200 mW) at which the recording film melts, PM is 900 mW in the range of PH>PM> PL, and P
L is each condition of the reproducing power level of 150 mW.

【0024】また、初期化時のビームの照射周波数の値
によって、初期化ビームの進行方向に記録膜が融解する
領域が重ならなくなり反射率にムラが生じる可能性があ
る。その為に初期化領域の場所によって特性が異ってし
まう。そこで、初期化時の記録媒体の線速度をv[m/
s]、初期化用ビームの記録トラック方向の半値幅をx
[μm]、初期化用ビームのパルス照射周波数をf[M
Hz]とすると、 f≧(v/x) の条件を満たすようにして初期化を行なった。これによ
り、初期化領域全体にわたって一様な状態で初期化が行
なえた。
Further, depending on the irradiation frequency value of the beam at the time of initialization, the regions where the recording films are melted do not overlap in the traveling direction of the initialization beam, and the reflectance may be uneven. Therefore, the characteristics vary depending on the location of the initialization area. Therefore, the linear velocity of the recording medium at the time of initialization is set to v [m /
s], the half-width of the initialization beam in the recording track direction is x
[Μm], the pulse irradiation frequency of the initialization beam is f [M
Hz], the initialization was performed so that the condition of f ≧ (v / x) was satisfied. As a result, initialization can be performed in a uniform state over the entire initialization area.

【0025】本実施例の初期化方法では、初期化パルス
周波数が高いパルス照射を行なった場合には、パルス光
が僅かな距離をおいて続けて照射されるために記録膜の
冷却速度が遅くなり再結晶化による粗大結晶が初期化領
域全体にわたって形成される。パルス初期化の場合に
は、少なくとも初期化を行なった領域と初期化を行なわ
ない領域との境界部分の粗大結晶粒領域の片側の縁が、
円弧の一部が多数集まった形状となる。
In the initialization method of the present embodiment, when pulse irradiation with a high initialization pulse frequency is performed, pulsed light is continuously irradiated at a short distance, so the cooling rate of the recording film is slow. Coarse crystals are formed over the entire initialization region by recrystallization. In the case of pulse initialization, at least one edge of the coarse crystal grain region at the boundary between the initialized region and the non-initialized region is
It becomes a shape where a large number of arcs are gathered.

【0026】また、初期化時間は長くなるが、送りピッ
チを100μmより短くして、記録媒体上の同一場所へ
の照射回数を多くした方が確実に初期化が行なえる場合
もある。更に、初期化時の記録媒体の線速度としては、
4m/s以下では、熱の蓄積によるダメージが大きくな
り、30m/s以上では、初期化が不十分になる。そこ
で、初期化時の記録媒体の線速度としては、4m/s以
上30m/s以下が好ましい。特に、初期化マージンが
広くなる6m/s以上15m/s以下が好ましい。
In addition, although the initialization time becomes longer, there are cases where the initialization can be surely performed by setting the feed pitch shorter than 100 μm and increasing the number of irradiations to the same place on the recording medium. Furthermore, as the linear velocity of the recording medium at the time of initialization,
At 4 m / s or less, damage due to heat accumulation becomes large, and at 30 m / s or more, initialization becomes insufficient. Therefore, the linear velocity of the recording medium at initialization is preferably 4 m / s or more and 30 m / s or less. In particular, it is preferably 6 m / s or more and 15 m / s or less, which widens the initialization margin.

【0027】また、記録媒体によっては、まず最初に記
録膜の融点以下の温度となるようなビームのパワーを照
射し、その後で記録膜が融解する融点以上の温度となる
ビームのパワーの少なくとも2段階の照射を行なった方
が良い場合がある。また、逆に最初に記録膜が融解する
融点以上の温度となるビームパワーを照射し、次に記録
膜の融点以下の温度となるようなビームパワーを照射し
て初期化しても良い。記録膜が融解した後再結晶化をし
た場合には、粗大結晶粒が生じる。ここでの粗大結晶粒
の最大幅は0.1μm以上となるような記録媒体及び初
期化方法とすることにより、良好な記録・再生特性が得
られた。より好ましくは、実際のオーバーライト時に形
成される粗大結晶粒の最大幅に近い0.3μm以上であ
る。また、長円ビームの高出力半導体レーザを用いなく
ても、実際に記録を行なうビーム形状とほぼ同じ形状の
半導体レーザビームの照射により、記録膜の融解過程を
経る初期化を行なったり、実際に記録を行なう半導体レ
ーザビームで記録膜の融解過程を経る初期化を行なって
も良い。この場合には、初期化に用いる装置1台で1日
に初期化できるディスク枚数は少なくなる。キセノンラ
ンプからのフラッシュ光、あるいはストロボ光を、エネ
ルギービームとして使用しても良い。この場合、ディス
ク全面に同時に照射しても良いがクラック発生等の熱的
ダメージが起こりやすい。そこで、ランプの後に凹面反
射鏡、前に光の一部を通過させるスリットとレンズを配
置し、ディスクを2000rpmで回転させながらディ
スク上の一部にビームを照射したところ、良好な初期化
が行なえた。
Depending on the recording medium, the beam power is first irradiated so that the temperature is equal to or lower than the melting point of the recording film, and then the beam power is at least 2 which is equal to or higher than the melting point at which the recording film is melted. It may be better to perform a stepwise irradiation. On the contrary, the initialization may be performed by first irradiating with beam power having a temperature equal to or higher than the melting point of the recording film, and then irradiating with beam power having a temperature equal to or lower than the melting point of the recording film. When the recording film is recrystallized after melting, coarse crystal grains are generated. Good recording / reproducing characteristics were obtained by setting the recording medium and the initialization method such that the maximum width of the coarse crystal grains was 0.1 μm or more. More preferably, it is 0.3 μm or more, which is close to the maximum width of coarse crystal grains formed during actual overwriting. Even if a high-power semiconductor laser with an elliptical beam is not used, by irradiating a semiconductor laser beam with a beam shape that is almost the same as the beam shape for actual recording, the recording film is initialized through the melting process, Initialization may be performed through a melting process of the recording film with a semiconductor laser beam for recording. In this case, the number of discs that can be initialized in one day by one device used for initialization decreases. Flash light from a xenon lamp or strobe light may be used as the energy beam. In this case, the entire surface of the disk may be irradiated at the same time, but thermal damage such as crack generation is likely to occur. Therefore, after arranging a concave reflecting mirror after the lamp, a slit and a lens for passing a part of the light in front, and irradiating a beam on a part of the disk while rotating the disk at 2000 rpm, good initialization can be performed. It was

【0028】記録や再生ビームスポット内に光透過量が
減少する領域を生じさせるマスク層を設けて高密度再生
または記録を可能する光ディスク媒体を初期化する場合
にも、本発明が適用できる。例えばマスク層として色素
を用いた場合や、低融点の無機物層を用いた場合などで
ある。さらに、ビームスポット内にレーザビームが記録
膜まで透過しない領域を生じさせるマスク層を設けて高
密度記録情報の再生または記録を可能する光ディスク媒
体を初期化する場合にも、本発明が適用できる。例えば
マスク層としてフタロシアニンなどの色素を用いた場合
や、低融点の無機物層を用いた場合などである。
The present invention can also be applied to the case of initializing an optical disk medium capable of high-density reproduction or recording by providing a mask layer which causes a region where the amount of light transmission decreases in the recording or reproduction beam spot. For example, when a dye is used as the mask layer or when an inorganic layer having a low melting point is used. Furthermore, the present invention can be applied to the case of initializing an optical disk medium capable of reproducing or recording high density recording information by providing a mask layer that causes a region where the laser beam does not penetrate to the recording film in the beam spot. For example, when a pigment such as phthalocyanine is used as the mask layer, or when an inorganic layer having a low melting point is used.

【0029】本実施例に用いた初期化装置は、初期化用
エネルギービームを出射する手段、記録媒体を回転させ
る手段、初期化用ビームの焦点を記録膜上に合わせる手
段、初期化用ビームの記録媒体上の位置を動かす手段、
初期化ビームのパワーレベル及び照射時間を最適に制御
し記録膜を一時的に融解させる手段、エネルギー源から
出射されたビームを、そのスポット形状が記録膜面上で
短軸方向の光強度分布がガウス分布に近く、長軸方向の
光強度分布の断面形状が台形(頂点が平坦)の長円スポ
ットに整形する手段、該長円スポットの長軸方向を記録
トラック方向に対してほぼ直角方向に配置する記録ヘッ
ドの位置決め手段、記録媒体の回転または移動とエネル
ギービームの記録媒体の半径方向の移動の相互の関係を
制御する手段を有している。ただし、フラッシュ光源や
ストロボ光源を用いる場合は、焦点を合わせる必要はな
く、ビームを記録膜上に導くだけで良い。また、長円形
や長方形の光スポットに整形しても良いが、短軸方向の
光強度をガウス分布にする必要は無い。
The initialization device used in the present embodiment comprises means for emitting an initialization energy beam, means for rotating the recording medium, means for focusing the initialization beam on the recording film, and initialization beam. Means for moving the position on the recording medium,
A means for temporarily controlling the power level and irradiation time of the initialization beam to melt the recording film temporarily, and the beam emitted from the energy source has a spot shape with a light intensity distribution in the short axis direction on the recording film surface. Means for shaping an elliptical spot having a trapezoidal (vertical flat) cross-sectional shape of the light intensity distribution in the major axis direction, which is close to a Gaussian distribution, and the major axis direction of the elliptical spot is substantially perpendicular to the recording track direction. It has a positioning means for the recording head to be arranged, and means for controlling the mutual relationship between the rotation or movement of the recording medium and the movement of the energy beam in the radial direction of the recording medium. However, when using a flash light source or a strobe light source, it is not necessary to focus the light, and the beam may be guided onto the recording film. Further, the light intensity may be shaped into an oval or rectangular light spot, but it is not necessary to make the light intensity in the minor axis direction a Gaussian distribution.

【0030】高出力半導体レーザによる初期結晶化にお
いては、熱によるダメージを少なくする必要がある。そ
こで、本発明で用いた長円スポットは、短軸方向(短手
方向)には回折限界まで集光し、ガウス分布に近くなっ
ている。さらに、大面積を一度に一様に初期化するため
に長軸方向(長手方向)の光強度分布の断面形状を台形
に近くしている。すなわち、光強度分布の頂点が平坦部
を有しているのである。この時、頂点の平坦部より10
%程度低いパワーにおける長軸方向の長さを、短軸方向
の強度分布の1/e2のパワーでスライスしたときの長
軸方向の長さの約70%以上にしている。本実施例で
は、長円スポットの短軸方向は約1.5μm(1/e2
で、長軸方向は約100μmである。この長円スポット
の長軸方向を記録トラック方向に対してほぼ直角方向に
なるように配置した状態でディスクを回転させ記録膜上
にビーム焦点があうようにして初期結晶化を行う。この
場合の記録トラック方向(短軸方向)の光強度分布はガ
ウス分布をしているため、急熱急冷が可能となり熱によ
るダメージが少ない。
In the initial crystallization by the high power semiconductor laser, it is necessary to reduce the damage due to heat. Therefore, the elliptical spot used in the present invention converges to the diffraction limit in the short-axis direction (short-side direction) and has a Gaussian distribution. Further, in order to uniformly initialize a large area at one time, the cross-sectional shape of the light intensity distribution in the major axis direction (longitudinal direction) is close to a trapezoid. That is, the apex of the light intensity distribution has a flat portion. At this time, 10 from the flat part of the apex
%, The length in the major axis direction is set to about 70% or more of the length in the major axis direction when sliced at a power of 1 / e 2 of the intensity distribution in the minor axis direction. In this embodiment, the elliptical spot has a short axis of about 1.5 μm (1 / e 2 ).
The major axis direction is about 100 μm. Initial crystallization is carried out by rotating the disk in a state in which the major axis direction of the elliptical spot is arranged substantially perpendicular to the recording track direction so that the beam is focused on the recording film. In this case, since the light intensity distribution in the recording track direction (short axis direction) has a Gaussian distribution, rapid heating and rapid cooling are possible and damage due to heat is small.

【0031】以上のように、高出力半導体レーザ(出力
2W程度)を用い、この高出力半導体レーザから出射さ
れたビームスポット形状が記録膜面上で長円形となるよ
うにビームを整形し、さらにこの長円スポットの長軸方
向を記録トラック方向に対してほぼ直角方向になるよう
に配置した状態でビームをパルス照射することにより、
照射回数10回(光ヘッドの送り量:10μm/回
転)、高いパワー1800mW、中間のパワー900m
W、線速8m/sの条件で初期結晶化を行い、直径12
0mmのディスク1枚を約100秒でオーバーライト回
数による再生信号のジッターの変化が小さい初期化が可
能となり、従来方法(溝上および溝間とも記録トラック
毎に初期化)に比べて、10倍以上の初期化時間の短縮
ができた。ここで、高出力半導体レーザの出力が1Wの
場合は、長円スポットの形状を、短軸方向を約1.5μ
m(1/e2)、長軸方向を約50μmにビーム整形す
ることにより、初期化時間の短縮程度は小さくなるが同
様な効果が得られた。
As described above, using a high-power semiconductor laser (output of about 2 W), the beam is shaped so that the beam spot shape emitted from this high-power semiconductor laser becomes an ellipse on the surface of the recording film. By irradiating the beam with a pulse in a state where the major axis direction of this elliptical spot is arranged so as to be substantially perpendicular to the recording track direction,
Irradiation number 10 times (optical head feed amount: 10 μm / revolution), high power 1800 mW, intermediate power 900 m
Initial crystallization was performed under the conditions of W and linear velocity of 8 m / s, and the diameter was 12
It is possible to initialize a 0 mm disc in about 100 seconds with little change in the jitter of the reproduced signal due to the number of overwrites, which is more than 10 times that of the conventional method (initialization for each recording track on the groove and between grooves). The initialization time was shortened. Here, when the output of the high-power semiconductor laser is 1 W, the shape of the elliptical spot should be approximately
By beam-shaping m (1 / e 2 ) in the major axis direction to about 50 μm, the same effect was obtained although the shortening of the initialization time was reduced.

【0032】本発明では、少なくとも基板上に保護層、
光記録膜、中間層、反射層の順に形成した記録媒体を用
いる。この時、各層の膜厚を以下の範囲に設定した。ま
ず、保護層の膜厚は、50nmよりも薄いとオーバーラ
イトによる記録膜流動が起こりやすくなり、150nm
よりも厚いと記録時の熱によるダメージが大きくなるた
め、50nm以上150nm以下が好ましく、特に初期
化用のレーザでの吸収率を大きく取ることができる60
nm以上130nm以下が好ましい。光記録膜の膜厚
は、10nm以下では信号レベルを大きく取ることがで
きず、また50nm以上ではオーバーライトによる記録
膜流動が起こりやすくなるため、10nm以上50nm
以下が好ましく、特にオーバーライト特性が良好な12
nm以上40nm以下が好ましい。中間層の膜厚は、5
nm以下ではオーバーライト時に変形したり記録膜と反
射層の間で拡散が生じる可能性があり、50nm以上で
は徐冷構造となり消去比のパワーマージンが狭くなるた
め、5nm以上50nm以下が好ましく、特に記録膜流
動が起こりにくい10nm以上30nm以下が好まし
い。反射層の膜厚は、30nm以下では反射層としての
効果が少なく、300nm以上では膜が剥がれやすくな
るため、30nm以上300nm以下が好ましく、特に
熱的及び機械的効果の大きい50nm以上200nm以
下が好ましい。用いる記録膜としては、高速結晶化が可
能な結晶−非晶質相変化光記録膜や、非晶質−非晶質間
変化を利用する記録膜、結晶系や結晶粒径の変化などの
結晶−結晶間相変化記録膜が好ましいが、他の記録膜を
用いてもよい。特に、Ge-Sb-Te系記録膜やAg-
In-Sb-Te系記録膜などの相変化を利用した記録膜
などを用いれば良い。また、記録膜中に主成分材料より
も高融点であるCr2Te3などの高融点材料を添加した
記録膜、本実施例のように反射層を2層にした記録媒体
などを用いれば、記録膜の流動による記録膜膜厚変化を
抑制することができ好ましい。ここで反射層を2層にし
た場合の第1層目の膜厚は、20nm以上300nm以
下が好ましく、特に50nm以上100nm以下が好ま
しい。第2層目の膜厚は、30nm以下では記録膜の流
動による記録膜膜厚変化を抑制するのが難しくなり、3
00nm以上では徐冷構造となり消去比のパワーマージ
ンが狭くなるため、30nm以上300nm以下が好ま
しく、特にオーバーライトによる記録膜流動が起こりに
くい50nm以上200nm以下が好ましい。
In the present invention, at least a protective layer on the substrate,
A recording medium having an optical recording film, an intermediate layer, and a reflective layer formed in this order is used. At this time, the film thickness of each layer was set within the following range. First, if the thickness of the protective layer is less than 50 nm, the recording film tends to flow due to overwriting, and
If it is thicker than 50 nm, damage by heat during recording becomes large. Therefore, the thickness is preferably 50 nm or more and 150 nm or less, and in particular, a large absorption rate with a laser for initialization can be taken.
It is preferably not less than nm and not more than 130 nm. When the film thickness of the optical recording film is 10 nm or less, a large signal level cannot be obtained. When the film thickness is 50 nm or more, the flow of the recording film due to overwriting tends to occur.
The following are preferable, and particularly, 12 with good overwrite characteristics
It is preferably not less than 40 nm and not more than 40 nm. The thickness of the intermediate layer is 5
If it is less than 50 nm, it may be deformed at the time of overwriting or diffusion may occur between the recording film and the reflective layer. If it is 50 nm or more, a slow cooling structure is formed and the power margin of the erasing ratio becomes narrow. The thickness is preferably 10 nm or more and 30 nm or less, in which the recording film hardly flows. When the thickness of the reflective layer is 30 nm or less, the effect as a reflective layer is small, and when the thickness is 300 nm or more, the film is easily peeled. Therefore, the thickness is preferably 30 nm or more and 300 nm or less, and particularly preferably 50 nm or more and 200 nm or less, which have large thermal and mechanical effects. . As a recording film to be used, a crystal-amorphous phase-change optical recording film capable of high-speed crystallization, a recording film utilizing an amorphous-amorphous change, a crystal such as a change in a crystal system or a crystal grain size, etc. -An intercrystalline phase change recording film is preferred, but other recording films may be used. In particular, Ge-Sb-Te-based recording films and Ag-
A recording film utilizing a phase change, such as an In-Sb-Te recording film, may be used. Further, if a recording film in which a high melting point material such as Cr 2 Te 3 having a higher melting point than the main component material is added to the recording film, or a recording medium having two reflective layers as in this embodiment is used, This is preferable because a change in the thickness of the recording film due to the flow of the recording film can be suppressed. Here, when the number of the reflective layers is two, the thickness of the first layer is preferably from 20 nm to 300 nm, and particularly preferably from 50 nm to 100 nm. When the film thickness of the second layer is 30 nm or less, it is difficult to suppress the change of the recording film thickness due to the flow of the recording film.
When the thickness is 00 nm or more, the structure has a gradual cooling and the power margin of the erasing ratio is narrowed. Therefore, the thickness is preferably 30 nm or more and 300 nm or less, and particularly preferably 50 nm or more and 200 nm or less in which the recording film flow due to overwriting does not easily occur.

【0033】記録膜を融解させる動作は、本実施例のよ
うに2枚のディスクを張り合わせた後で行う方が確実に
行えるため好ましいが、少なくとも保護コートをした後
で行えば記録膜へのダメージが少なくてよい。
It is preferable that the operation of melting the recording film is performed after the two discs are adhered to each other as in this embodiment, but it is preferable that the operation is performed at least after the protective coat is applied to the recording film. May be less.

【0034】下部保護層の膜厚を変えて読み出し、ある
いは記録波長での光反射率を下げ、最大の再生信号強度
が得られるようにすると、他の波長の反射率が上がって
初期化パワー不足状態になるので、初期化レーザの波長
は記録または読み出し波長から±50nm以内の範囲に
するのが好ましい。高出力レーザの作りやすさも考慮す
ると、波長680nm±30nmの高出力半導体レーザ
を用いるのが特に好ましい。
When the thickness of the lower protective layer is changed to read or reduce the light reflectance at the recording wavelength to obtain the maximum reproduction signal intensity, the reflectance at other wavelengths increases and the initialization power is insufficient. Therefore, the wavelength of the initialization laser is preferably within a range of ± 50 nm from the recording or reading wavelength. Considering the ease of making a high-power laser, it is particularly preferable to use a high-power semiconductor laser having a wavelength of 680 nm ± 30 nm.

【0035】本実施例では、記録膜の融解は、ディスク
のサーティファイ(読み出しによる欠陥検査)の後に行
ったが、ディスクのサーティファイと同時あるいはサー
ティファイの前に行っても同様な効果が得られた。
In this embodiment, the melting of the recording film was performed after certifying the disc (defect inspection by reading). However, the same effect can be obtained by performing the certifying of the disc at the same time or before the certifying.

【0036】以上の説明は、エネルギービームの照射に
よって情報の書き換えが可能な情報の記録媒体の製造方
法(メーカーが記録媒体を製造した段階)に関しての説
明であるが、実際に本発明の記録媒体に情報を記録再生
する装置で試し書きを行う前(前処理方法に関する)に
行う場合においても上記の効果が得られた。
Although the above description is about the method of manufacturing the information recording medium (the stage in which the manufacturer manufactures the recording medium) in which the information can be rewritten by the irradiation of the energy beam, the recording medium of the present invention is actually used. The above-mentioned effect can be obtained even in the case of performing the trial writing (related to the preprocessing method) in the apparatus for recording / reproducing information.

【0037】実施例2 本実施例に用いる書き換え型光ディスクの構造は図1と
基本的に同じである。ただ、各層の膜厚が異なる。まず
直径120mm,厚さ0.6mmの案内溝(トラックピ
ッチ1.48μm、U字型溝)を有するポリカーボネー
ト基板上に,マグネトロンスパッタリング法によって厚
さ約80nmのZnS−SiO2保護層を形成した。次
に,Cr3Ge21Sb20Te56の組成の記録膜を約25
nmの膜厚に形成した。次にZnS−SiO2中間層を
約20nmの膜厚に形成した。そして,更にSi層(第
1反射層)を50nm,Al−Ti層(第2反射層)を
約100nm形成した。これらの膜形成は同一スパッタ
リング装置内で順次行った。その後,この上に紫外線硬
化樹脂層を塗布した後,ホットメルト接着剤で,同じ構
造のもう一枚のディスクとの密着貼りあわせを行った。
Embodiment 2 The structure of the rewritable optical disk used in this embodiment is basically the same as that of FIG. However, the film thickness of each layer is different. First, a ZnS—SiO 2 protective layer having a thickness of about 80 nm was formed by a magnetron sputtering method on a polycarbonate substrate having a guide groove (track pitch 1.48 μm, U-shaped groove) having a diameter of 120 mm and a thickness of 0.6 mm. Next, a recording film having a composition of Cr 3 Ge 21 Sb 20 Te 56 is used for about 25
It was formed to a film thickness of nm. Then was formed ZnS-SiO 2 intermediate layer to a thickness of approximately 20 nm. Then, a Si layer (first reflective layer) of 50 nm and an Al-Ti layer (second reflective layer) of about 100 nm were further formed. These films were formed sequentially in the same sputtering apparatus. After that, an ultraviolet-curing resin layer was applied on this, and then a hot-melt adhesive was used to adhere and adhere to another disk of the same structure.

【0038】上記のようにして作製したディスクの初期
化は実施例1とほぼ同じであるが、このディスクは、読
み出し波長において結晶状態と非晶質状態の反射率差を
大きくとるためにas depo.状態の反射率を低くした構造
としている。そのために、記録・消去・読み出しに用い
ている半導体レーザの波長である680nm付近では、
as depo.状態での反射率が5%と低く、自動焦点合わせ
が非常にかかりにくい状態である。そこで、本実施例で
は、高出力半導体レーザによる初期結晶化の前に、作製
したディスクの反射率を焦点が合う程度に上げるため、
まず融点より少し低い温度になるフラッシュ光照射を行
なった。このフラッシュ光照射パワーは約2ジュール/
cm2とした。これにより反射率が13%と高くなり、
安定に焦点が合うようになった。また、フラッシュ光照
射を行なわなくても焦点をあわせるための高出力半導体
レーザのリード光のパワーを、約500mWと大きくす
ることにより、焦点をあわせようとする動作の途中で焦
点があった瞬間に記録膜が結晶化し、それによって反射
率が上昇するため、その後は安定に焦点をあわせること
ができる場合がある。
Initialization of the disk manufactured as described above is almost the same as that of the first embodiment, but this disk uses as depo in order to obtain a large reflectance difference between the crystalline state and the amorphous state at the reading wavelength. The structure has a low reflectance in the state. Therefore, in the vicinity of 680 nm which is the wavelength of the semiconductor laser used for recording / erasing / reading,
The reflectance is as low as 5% in the as depo. state, and automatic focusing is very difficult to apply. Therefore, in this embodiment, in order to raise the reflectance of the manufactured disk to the extent of focusing before the initial crystallization by the high-power semiconductor laser,
First, flash light irradiation was performed at a temperature slightly lower than the melting point. This flash light irradiation power is about 2 joules /
cm 2 . This increases the reflectance to 13%,
The focus is on stability. In addition, by increasing the power of the read light of the high-power semiconductor laser for focusing without flash light irradiation to about 500 mW, the moment when there is a focus during the operation of focusing. Since the recording film is crystallized to increase the reflectance, it may be possible to focus stably thereafter.

【0039】本実施例のように初期化を行なう半導体レ
ーザの波長(810nm)と実際に情報の読み出しを行
なう半導体レーザの波長(680nm)とが異なる場合
がある。この時は、初期化を行なう半導体レーザの波長
におけるas depo.状態の反射率が、実際に情報の読み出
しを行なう半導体レーザの波長におけるas depo.状態の
反射率の3倍以下とした記録媒体を用いることにより、
確実な初期化及び良好な記録特性が得られた。特に、各
波長でのas depo.状態の反射率差を1.5倍以下とする
ことにより効果が大きかった。
In some cases, the wavelength (810 nm) of the semiconductor laser for initialization as in this embodiment is different from the wavelength (680 nm) of the semiconductor laser for actually reading information. At this time, a recording medium in which the reflectance in the as depo. State at the wavelength of the semiconductor laser to be initialized is 3 times or less than the reflectance in the as depo. State at the wavelength of the semiconductor laser to actually read information is used. By using
Reliable initialization and good recording characteristics were obtained. In particular, the effect was great when the reflectance difference in the as depo. State at each wavelength was 1.5 times or less.

【0040】本実施例に用いた初期化装置は、初期化用
エネルギービームを出射する手段、記録媒体を回転また
は移動させる手段、初期化用ビームの焦点を記録膜上に
合わせる手段、初期化用ビームの記録媒体上の位置を動
かす手段、初期化ビームのパワーレベル及び照射時間を
制御し記録膜を一時的に融解させる手段、エネルギー源
から出射されたビームを、そのスポット形状が記録膜面
上で短軸方向の光強度分布がガウス分布に近く、長軸方
向の光強度分布の断面形状が台形(頂点が平坦)の長円
スポットに整形する手段、該長円スポットの長軸方向を
記録トラック方向に対してほぼ直角方向に配置する記録
ヘッドの位置決め手段、記録媒体の回転または移動とエ
ネルギービームの記録媒体の半径方向の移動の相互の関
係を制御する手段、フラッシュ光を照射する手段、フラ
ッシュ光照射とエネルギービーム照射の照射順序を決定
する手段を有している。
The initialization device used in the present embodiment includes means for emitting an initialization energy beam, means for rotating or moving the recording medium, means for focusing the initialization beam on the recording film, and initialization means. A means for moving the position of the beam on the recording medium, a means for temporarily melting the recording film by controlling the power level and irradiation time of the initialization beam, and a beam emitted from the energy source whose spot shape is on the recording film surface. The means for shaping the light intensity distribution in the short-axis direction close to the Gaussian distribution and the cross-sectional shape of the light intensity distribution in the long-axis direction into a trapezoidal (flat top) flattened spot, the long-axis direction of the spot is recorded. Positioning means for the recording head, which is arranged substantially perpendicular to the track direction, and means for controlling the mutual relationship between the rotation or movement of the recording medium and the radial movement of the energy beam of the recording medium. Means for irradiating a flash light, and has a means for determining the irradiation sequence of the flash light irradiation and energy beam irradiation.

【0041】[0041]

【発明の効果】本発明によれば、初期化に高出力エネル
ギービームを用い、ビームスポット形状が記録膜面上で
長円形あるいは長方形となるようにビームを成形し、更
にこの長円スポットの長軸方向を記録トラック方向に対
してほぼ直角方向になるように配置した状態でビームを
照射して、記録膜を少なくとも部分的に融解させること
により、オーバーライト回数の違いによる特性変化を小
さくすることができた。
According to the present invention, a high output energy beam is used for initialization, and the beam is shaped so that the beam spot shape becomes an ellipse or a rectangle on the surface of the recording film. By irradiating the beam with the axial direction almost perpendicular to the recording track direction and at least partially melting the recording film, the change in characteristics due to the difference in the number of overwrites can be reduced. I was able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明におけるディスク構造の断面図。FIG. 1 is a sectional view of a disk structure according to the present invention.

【図2】本発明における長円ビームの配置図。FIG. 2 is a layout view of an elliptical beam according to the present invention.

【図3】本発明における3値記録波形。FIG. 3 is a ternary recording waveform according to the present invention.

【図4】本発明におけるジッターのオーバーライト回数
依存性。
FIG. 4 shows the dependence of jitter on the number of overwrites in the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1’ ポリカーボネート基板 2,2’ ZnS−SiO2誘電体層 3,3’ 記録膜(Cr2Ge20Sb22Te56) 4,4’ ZnS−SiO2誘電体層 5,5’ Si反射層 6,6’ Al−Ti合金反射層 7,7’ 紫外線硬化樹脂保護層 8 ホットメルト接着層 9 長円スポット 10 記録トラック。1,1 'polycarbonate substrate 2, 2' ZnS-SiO 2 dielectric layer 3,3 'recording layer (Cr 2 Ge 20 Sb 22 Te 56) 4,4' ZnS-SiO 2 dielectric layer 5,5 'Si reflective Layer 6,6 ′ Al—Ti alloy reflective layer 7,7 ′ UV curable resin protective layer 8 Hot melt adhesive layer 9 Elliptical spot 10 Recording track.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮本 真 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所映像情報メディア事業部 内 (72)発明者 廣常 朱美 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 城石 芳博 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 粟野 博之 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shin Miyamoto 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa, Ltd. Hitachi, Ltd. Video Information Media Division (72) Inventor Akemi Hirotsune 1-chome, East Koikeku, Kokubunji, Tokyo 280 In Hitachi Central Research Laboratory (72) Inventor Yoshihiro Shiroishi 1-chome Higashi Koikeku, Kokubunji, Tokyo 280 Address Central Research Laboratory Hitachi, Ltd. (72) Hiroyuki Awano 1-280 Higashi Koikeku, Kokubunji, Tokyo Hitachi Central Research Laboratory

Claims (27)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】エネルギービームの照射によって情報の記
録が可能な光記録媒体において、その記録膜の少なくと
も一部分が、初期化用エネルギー源から出射され、ディ
スク上のビームスポットの最大幅が記録トラックピッチ
より大きいエネルギービームの照射により融解過程を経
ていることを特徴とする情報の記録媒体。
1. An optical recording medium capable of recording information by irradiation with an energy beam, at least a part of a recording film of which is emitted from an energy source for initialization, and the maximum width of a beam spot on a disk is a recording track pitch. An information recording medium, characterized in that it undergoes a melting process by irradiation with a larger energy beam.
【請求項2】請求項1記載の情報の記録媒体において、
エネルギー源から出射されたビームがパルス状に照射さ
れていることを特徴とする情報の記録媒体。
2. The information recording medium according to claim 1, wherein
A recording medium for information, characterized in that a beam emitted from an energy source is irradiated in pulses.
【請求項3】請求項1記載の情報の記録媒体において、
初期化後の結晶粒の最大幅が0.1μm以上である(粗
大結晶粒)ことを特徴とする情報の記録媒体。
3. The information recording medium according to claim 1,
An information recording medium characterized in that the maximum width of crystal grains after initialization is 0.1 μm or more (coarse crystal grains).
【請求項4】請求項3記載の情報の記録媒体において、
粗大結晶粒領域の幅が記録トラック幅よりも広いことを
特徴とする情報の記録媒体。
4. The information recording medium according to claim 3,
An information recording medium characterized in that the width of the coarse crystal grain region is wider than the recording track width.
【請求項5】請求項3記載の情報の記録媒体において、
少なくとも初期化を行なった領域と初期化を行なわない
領域との境界部分の粗大結晶領域の片側の縁が、円弧の
一部が多数集まった形状であることを特徴とする情報の
記録媒体。
5. The information recording medium according to claim 3,
An information recording medium, characterized in that at least one edge of a coarse crystal region at a boundary between an initialized region and a non-initialized region has a shape in which a large number of arcs are gathered.
【請求項6】請求項1記載の情報の記録媒体において、
初期化に用いるエネルギービームの波長におけるas dep
o.状態での反射率が、情報の読み出しに用いるエネルギ
ービームの波長におけるas depo.状態での反射率の3倍
以下であることを特徴とする情報の記録媒体。
6. The information recording medium according to claim 1, wherein
As dep at the wavelength of the energy beam used for initialization
An information recording medium characterized in that the reflectance in the o. state is 3 times or less than the reflectance in the as depo. state at the wavelength of the energy beam used for reading information.
【請求項7】請求項1記載の情報の記録媒体において、
少なくとも基板上に保護層、光記録膜、中間層、反射層
を有し、該保護層の膜厚は、50nm以上150nm以
下であることを特徴とする情報の記録媒体。
7. The information recording medium according to claim 1, wherein
An information recording medium having at least a protective layer, an optical recording film, an intermediate layer, and a reflective layer on a substrate, the protective layer having a thickness of 50 nm or more and 150 nm or less.
【請求項8】請求項1記載の情報の記録媒体において、
少なくとも基板上に保護層、光記録膜、中間層、反射層
を有し、該光記録膜の膜厚は、10nm以上50nm以
下であることを特徴とする情報の記録媒体。
8. The information recording medium according to claim 1, wherein
An information recording medium having at least a protective layer, an optical recording film, an intermediate layer, and a reflective layer on a substrate, the thickness of the optical recording film being 10 nm or more and 50 nm or less.
【請求項9】請求項1記載の情報の記録媒体において、
少なくとも基板上に保護層、光記録膜、中間層、反射層
を有し、該中間層の膜厚は、5nm以上50nm以下で
あることを特徴とする情報の記録媒体。
9. The information recording medium according to claim 1, wherein
An information recording medium having at least a protective layer, an optical recording film, an intermediate layer, and a reflective layer on a substrate, the thickness of the intermediate layer being 5 nm or more and 50 nm or less.
【請求項10】請求項1記載の情報の記録媒体におい
て、少なくとも基板上に保護層、光記録膜、中間層、反
射層を有し、該反射層の膜厚は、30nm以上300n
m以下であることを特徴とする情報の記録媒体。
10. The information recording medium according to claim 1, wherein a protective layer, an optical recording film, an intermediate layer and a reflective layer are provided on at least the substrate, and the thickness of the reflective layer is 30 nm or more and 300 n or more.
An information recording medium characterized by being m or less.
【請求項11】請求項1記載の情報の記録媒体におい
て、少なくとも基板上に保護層、光記録膜、中間層、第
1反射層、第2反射層を有し、該第2反射層の膜厚は、
20nm以上300nm以下であることを特徴とする情
報の記録媒体。
11. The information recording medium according to claim 1, comprising a protective layer, an optical recording film, an intermediate layer, a first reflective layer and a second reflective layer on at least a substrate, and the film of the second reflective layer. The thickness is
An information recording medium having a thickness of 20 nm or more and 300 nm or less.
【請求項12】エネルギービームの照射によって情報の
記録が可能な光記録媒体を最初に記録可能な状態にする
情報の記録媒体の初期化方法において、初期化用エネル
ギー源から出射され、ディスク上のビームスポットの最
大幅が記録トラックピッチより大きいエネルギービーム
の照射により融解過程を経ていることを特徴とする情報
の記録媒体の初期化方法。
12. A method of initializing an information recording medium, wherein an optical recording medium capable of recording information by irradiating an energy beam is first brought into a recordable state. An initialization method for an information recording medium, characterized in that a melting process is performed by irradiation of an energy beam having a maximum width of a beam spot larger than a recording track pitch.
【請求項13】請求項12記載の情報の初期化方法にお
いて、エネルギー源が光源であり、その主たる波長は記
録媒体の記録・再生の波長の少なくとも一方との波長差
が100nm以下であることを特徴とする情報の記録媒
体の初期化方法。
13. The information initializing method according to claim 12, wherein the energy source is a light source, and the main wavelength thereof has a wavelength difference of 100 nm or less with at least one of the recording and reproducing wavelengths of the recording medium. A method for initializing a recording medium of characteristic information.
【請求項14】請求項12記載の情報の初期化方法にお
いて、単一のビームスポットにより初期化を行うことを
特徴とする情報の記録媒体の初期化方法。
14. The method for initializing an information recording medium according to claim 12, wherein the initialization is performed by a single beam spot.
【請求項15】請求項12記載の情報の初期化方法にお
いて、記録膜が融解した後冷却中に記録膜が再結晶化す
る条件で初期化を行なうことを特徴とする情報の記録媒
体の初期化方法。
15. The information initializing method according to claim 12, wherein the recording film is initialized under the condition that the recording film is recrystallized during cooling after the recording film is melted. Method.
【請求項16】請求項12記載の情報の記録媒体の初期
化方法において、エネルギー源から出射されたビームス
ポット形状が記録膜面上で長円形または長方形となるよ
うにビーム成形し、この光スポットの長軸方向を記録ト
ラック方向に対してほぼ直角方向に配置した状態で記録
媒体を回転させながら該光スポットを記録媒体の半径方
向に移動させることによって初期化を行うことを特徴と
する情報の記録媒体の初期化方法。
16. The information recording medium initialization method according to claim 12, wherein the beam spot emitted from the energy source is shaped into an ellipse or a rectangle on the surface of the recording film, and the light spot is formed. The information is characterized in that initialization is performed by moving the light spot in the radial direction of the recording medium while rotating the recording medium with the long axis direction of the recording medium being arranged substantially perpendicular to the recording track direction. Recording medium initialization method.
【請求項17】請求項12記載の情報の記録媒体の初期
化方法において、記録媒体の線速度を4m/s以上30
m/s以下とした条件で初期化を行なうことを特徴とす
る情報の記録媒体の初期化方法。
17. The method for initializing the information recording medium according to claim 12, wherein the linear velocity of the recording medium is 4 m / s or more.
An initialization method for an information recording medium, characterized in that initialization is performed under conditions of m / s or less.
【請求項18】請求項12記載の情報の記録媒体の初期
化方法において、エネルギー源から出射しエネルギービ
ームを記録媒体上でパルス状に照射させることを特徴と
する情報の記録媒体の初期化方法。
18. The method for initializing an information recording medium according to claim 12, wherein the energy beam emitted from the energy source is irradiated in pulses on the recording medium. .
【請求項19】請求項18記載の情報の記録媒体の初期
化方法において、初期化用ビームのパワーレベルを、高
いパワーレベル(PH)、中間のパワーレベル(P
M)、低いパワーレベル(PL)の少なくとも3つのレ
ベルに設定した状態で初期化を行なうことを特徴とする
情報の記録媒体の初期化方法。
19. An information recording medium initialization method according to claim 18, wherein the power level of the initialization beam is set to a high power level (PH) and an intermediate power level (P).
M), a method for initializing an information recording medium, characterized in that initialization is performed in a state of being set to at least three levels of a low power level (PL).
【請求項20】請求項19記載の情報の記録媒体の初期
化方法において、初期化用ビームのそれぞれのパワーレ
ベルが、 高いパワーレベル(PH):ビームスポットの中心で記
録膜が融解するパワーレベル以上、 中間のパワーレベル(PM):記録媒体の線速度が速く
なるほど高い。(PH>PM>PLの関係) 低いパワーレベル(PL):再生パワーレベル。 の条件を満たした条件で初期化を行なうことを特徴とす
る情報の記録媒体の初期化方法。
20. The information recording medium initialization method according to claim 19, wherein each power level of the initialization beam has a high power level (PH): a power level at which the recording film melts at the center of the beam spot. As described above, the intermediate power level (PM): the higher the linear velocity of the recording medium, the higher. (Relationship of PH>PM> PL) Low power level (PL): playback power level. The method for initializing an information recording medium, characterized in that the initialization is performed under the condition satisfying the condition of.
【請求項21】請求項19記載の情報の記録媒体の初期
化方法において、初期化時の記録媒体の線速度をv、初
期化用ビームの記録トラック方向の半値幅をx、初期化
用ビームのパルス照射周波数をfとすると、 f≧(v/x) の条件を満たした条件で初期化を行なうことを特徴とす
る情報の記録媒体の初期化方法。
21. The method for initializing an information recording medium according to claim 19, wherein the linear velocity of the recording medium at the time of initialization is v, the half width of the initialization beam in the recording track direction is x, and the initialization beam is An initialization method of an information recording medium is characterized in that initialization is performed under the condition that f ≧ (v / x) is satisfied, where f is the pulse irradiation frequency.
【請求項22】請求項12記載の情報の記録媒体の初期
化方法において、まず最初にフラッシュ光照射を行い、
次にエネルギー源から出射されたビームスポット形状が
記録膜面上で長円形または長方形となるようにビーム成
形し、この光スポットの長軸方向を記録トラック方向に
対してほぼ直角方向に配置した状態で記録媒体を回転さ
せながら該光スポットを記録媒体の半径方向に移動させ
ることによって初期化を行うことを特徴とする情報の記
録媒体の初期化方法。
22. The method for initializing an information recording medium according to claim 12, wherein flash light irradiation is first performed,
Next, the beam spot emitted from the energy source is shaped so that the shape of the beam spot becomes elliptical or rectangular on the surface of the recording film, and the long axis direction of this light spot is arranged almost at right angles to the recording track direction. An initialization method of an information recording medium, wherein the initialization is performed by moving the light spot in the radial direction of the recording medium while rotating the recording medium.
【請求項23】請求項12記載の情報の記録媒体の初期
化方法において、該光スポットの短軸方向の光強度分布
がガウス分布に近く、長軸方向の光強度分布の断面形状
が台形(頂点が平坦)に近いことを特徴とする情報の記
録媒体の初期化方法。
23. The information recording medium initialization method according to claim 12, wherein the light intensity distribution of the light spot in the minor axis direction is close to a Gaussian distribution, and the cross-sectional shape of the light intensity distribution in the major axis direction is trapezoidal ( A method for initializing an information recording medium, characterized in that the vertices are close to flat.
【請求項24】請求項12記載の情報の記録媒体の初期
化方法において、最初に融点より低く、結晶化しやすい
温度となるパワーで照射を行ない、次に、記録膜の少な
くとも一部が融解するパワーで照射を行なうことを特徴
とする情報の記録媒体の初期化方法。
24. The method for initializing an information recording medium according to claim 12, wherein irradiation is first performed with a power that is lower than a melting point and is a temperature that facilitates crystallization, and then at least a part of the recording film is melted. A method for initializing an information recording medium, characterized in that irradiation is performed with power.
【請求項25】請求項12記載の情報の記録媒体の初期
化方法において、最初に記録膜の少なくとも一部が融解
するパワーで照射を行ない、次に、記録の融点より低
く、結晶化しやすい温度となるパワーで照射を行なうこ
とを特徴とする情報の記録媒体の初期化方法。
25. The method for initializing an information recording medium according to claim 12, wherein irradiation is first performed with a power that melts at least a part of the recording film, and then a temperature lower than the melting point of recording and easily crystallized. And a method for initializing an information recording medium, characterized in that irradiation is performed with a power of
【請求項26】エネルギービームの照射によって情報の
記録が可能な光記録媒体を最初に記録可能な状態にする
情報の記録媒体の初期化装置において、初期化用エネル
ギービームを出射する手段、記録媒体を回転または移動
させる手段、初期化用のビームの焦点を記録膜上に合わ
せる手段、初期化用ビームの記録媒体上の位置を動かす
手段、初期化ビームのパワーレベル及び照射時間を制御
し記録膜の少なくとも一部を一時的に融解させる手段を
少なくとも有することを特徴とする情報の記録媒体の初
期化装置。
26. An information recording medium initializing device for initially recording an optical recording medium capable of recording information by irradiation of an energy beam, a means for emitting an initializing energy beam, and a recording medium. Means for rotating or moving the beam, means for focusing the beam for initialization on the recording film, means for moving the position of the beam for initialization on the recording medium, control of the power level and irradiation time of the beam for recording, and the recording film An apparatus for initializing an information recording medium, comprising at least a means for temporarily melting at least a part of the above.
【請求項27】請求項25記載の情報の記録媒体の初期
化装置において、エネルギー源から出射されたビームの
スポット形状が記録膜面上で長円形となるように集光す
る手段、該長円スポットの長軸方向を記録トラック方向
に対してほぼ直角方向に配置する記録ヘッドの位置決め
手段、記録媒体の回転または移動とエネルギービームの
記録媒体の半径方向の移動の相互の関係を制御する手
段、融点より低く、結晶化しやすい温度で結晶化させる
ためのフラッシュ光を照射する手段、フラッシュ光照射
とエネルギービーム照射の照射順序を決定する手段、長
円スポットの短軸方向の光強度分布がガウス分布に近
く、長軸方向の光強度分布の断面形状が台形(頂点が平
坦)の長円スポットに整形する手段のうち少なくとも1
つ以上の手段を有することを特徴とする情報の記録媒体
の初期化装置。 【請求項27】請求項25記載の情報の記録媒体の初期
化装置において、エネルギー源が光源であり、その主た
る波長は記録媒体の記録・再生の波長の少なくとも一方
との波長差が100nm以下であることを特徴とする情
報の記録媒体の初期化装置。
27. The information recording medium initialization device according to claim 25, wherein the means for condensing the spot shape of the beam emitted from the energy source into an ellipse on the surface of the recording film, said ellipse. Positioning means of the recording head for arranging the major axis direction of the spot in a direction substantially perpendicular to the recording track direction, means for controlling the mutual relation between the rotation or movement of the recording medium and the movement of the energy beam in the radial direction of the recording medium, A means to irradiate flash light for crystallization at a temperature lower than the melting point and a temperature at which it easily crystallizes, a means to determine the irradiation order of flash light irradiation and energy beam irradiation, and a Gaussian distribution of the light intensity distribution in the minor axis direction of the elliptical spot. Of at least one of means for shaping an elliptical spot having a trapezoidal (flat top) cross-sectional shape in the light intensity distribution in the major axis direction close to
An information recording medium initialization device, characterized by comprising one or more means. 27. The information recording medium initialization device according to claim 25, wherein the energy source is a light source, and a main wavelength thereof is 100 nm or less with respect to at least one of recording and reproducing wavelengths of the recording medium. An initialization device for an information recording medium characterized by being present.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP1160773A1 (en) * 2000-05-24 2001-12-05 Pioneer Corporation Initializing optical multilayer recording
WO2005029479A1 (en) * 2003-09-18 2005-03-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Recording/reproducing method and recording/reproducing device

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