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JPH09211908A - Image forming method and device therefor - Google Patents

Image forming method and device therefor

Info

Publication number
JPH09211908A
JPH09211908A JP8037544A JP3754496A JPH09211908A JP H09211908 A JPH09211908 A JP H09211908A JP 8037544 A JP8037544 A JP 8037544A JP 3754496 A JP3754496 A JP 3754496A JP H09211908 A JPH09211908 A JP H09211908A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pulse width
exposure
potential
photoconductor
latent image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8037544A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomoshi Hirota
智志 広田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
Priority to JP8037544A priority Critical patent/JPH09211908A/en
Publication of JPH09211908A publication Critical patent/JPH09211908A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Fax Reproducing Arrangements (AREA)
  • Color, Gradation (AREA)
  • Laser Beam Printer (AREA)
  • Control Or Security For Electrophotography (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve gradation property of a low resolution area, while minimizing power consumption and the deterioration of a photoreceptor, by using a photoreceptor provided with the high-γ property. SOLUTION: This device is provided with potential detecting means 8 or density detecting means 13 for detecting the latent image potential or the developing density corresponding to respective pulse width on the photoreceptor 1 formed by detection image forming means 7 and 12. Threshold pulse width deciding means 9 and 14 determine the threshold pulse width WL of exposing means 3 corresponding to the low potential side point inflection in a rapid potential attenuation part of the photoreceptor 1, based on the latent image potential or the developing density being detected. Then, at the time of the image forming cycle, pulse width deciding means 10 and 15 decide whether the pulse width of multi-level image data is smaller than the threshold pulse width WL, if it is judged smaller than the threshold pulse width WL, exposure strength controlling means 11 and 16 set the exposure strength larger than the normal exposure strength, and the latent image potential level in the low resolution area provided with the pulse width smaller than the threshold pulse width WL, is changed to the developing possible level.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、電子写真方式を
用いて感光体上に画像を形成する複写機、静電記録装
置、ファクシミリ、伝送装置、レーザプリンタ等の画像
形成装置に係り、特に、所謂High−γ特性の感光体
を用いたタイプの画像形成装置の改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image forming apparatus such as a copying machine, an electrostatic recording apparatus, a facsimile, a transmission apparatus and a laser printer, which forms an image on a photosensitive member by using an electrophotographic method, and more particularly, The present invention relates to improvement of an image forming apparatus of a type using a photoconductor having a so-called High-γ characteristic.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子写真技術は、画像形成速度の迅速
性、乾式現像であること、記録密度が高いこと等の特徴
を生かし、現在普通紙複写機、レーザプリンタ、ファク
シミリ等の画像形成装置として実用化されている。電子
写真プロセスは、帯電、露光、現像、転写、定着、クリ
ーニングの基本過程により構成されるが、感光体はこの
中で帯電、露光による潜像形成を担う重要な部品であ
る。
2. Description of the Related Art Electrophotographic technology is currently used as an image forming apparatus for plain paper copying machines, laser printers, facsimiles, etc., because of its features such as rapid image forming speed, dry development, and high recording density. It has been put to practical use. The electrophotographic process is composed of the basic processes of charging, exposing, developing, transferring, fixing and cleaning, and the photoconductor is an important part responsible for latent image formation by charging and exposing.

【0003】電子写真用感光体に求められる特性には帯
電性、光導電性等が求められ、これらは電子写真プロセ
スにおける潜像形成の支配的要因である。電子写真にお
ける像形成は、均一に帯電し感光体表面の電荷を、光照
射により選択的に消失させることにより達成される。
The characteristics required of the electrophotographic photoreceptor are chargeability, photoconductivity, and the like, which are the dominant factors for latent image formation in the electrophotographic process. Image formation in electrophotography is achieved by uniformly charging and selectively eliminating the charge on the photoreceptor surface by light irradiation.

【0004】現在まで実用化された代表的な電子写真用
感光体は大きく分けてアモルファスセレン及びその合
金を含むアモルファスカルコゲナイド系材料、酸化亜
鉛、硫化カドミウムなどのII−IV属無機化合物系材
料、高分子ならびに低分子有機化合物の樹脂分散系等
の有機光導電体(OPC:Organic Photoconductor)、
アモルファスシリコン系材料が挙げられる。1970
年代までは感光体は無機系で独占されていたが、197
0年前半からのOPCの出現により電子写真用感光体は
大きな転換点を迎え、従来の無機系感光体の殆どがOP
Cに置き換わる方向に進み始めた。このOPCの特徴的
なものとしては分光感度設計が容易であるため、レーザ
プリンタの出現により新たに要求されるところとなっ
た。すなわち、記録光源の主流が半導体レーザであるた
め、感光体が780mm単色光感度に優れることが挙げ
られる。
Typical electrophotographic photoreceptors which have been put into practical use until now are roughly classified into amorphous chalcogenide materials containing amorphous selenium and its alloys, II-IV group inorganic compound materials such as zinc oxide and cadmium sulfide, and Organic photoconductor (OPC) such as resin dispersion system of molecules and low molecular weight organic compounds,
Amorphous silicon materials can be used. 1970
Until the 1960s, photoconductors were monopolized by inorganic materials, but in 197
With the advent of OPC from the first half of the year, electrophotographic photoconductors have reached a major turning point, and most of the conventional inorganic photoconductors are OP.
It started to move in the direction of replacing C. A characteristic of this OPC is that it is easy to design the spectral sensitivity, and it has become a new requirement with the advent of laser printers. That is, since the mainstream of the recording light source is a semiconductor laser, the photoconductor has excellent monochromatic light sensitivity of 780 mm.

【0005】この因子がなぜ重要であるかを説明する。
従来、電子写真技術はアナログ光学系を光源に用いた普
通紙複写機としてのみ実用化されていた。しかし、19
80年代に入るとコンピュータの出力機器としてこの技
術が盛んに応用され始めた。これに加えて普通紙のデジ
タル化、カラー化が急速に進展するところとなった。こ
れらのシステムでは、デジタル光学系を使用するので、
このシステムに使用される光源に対応した十分な感度を
持つことが感光体に要求される。つまり特定な波長の単
色光に対して十分な感度を有することが重要となる。特
に、デジタル用光源としては半導体レーザが多く用いら
れており、その多くは安価で量産性に優れた700〜9
00nmの間にピークを持つ単色光に大きな感度を持つ
感光体が開発されてきた。この結果デジタル光学系を用
いた電子写真システム用の感光体としてOPCが多く占
められるようになった。
Explain why this factor is important.
Conventionally, electrophotographic technology has been put into practical use only as a plain paper copying machine using an analog optical system as a light source. But 19
In the 1980s, this technology began to be actively applied as a computer output device. In addition to this, the digitization and colorization of plain paper has come to the forefront. Since these systems use digital optics,
The photoreceptor is required to have sufficient sensitivity corresponding to the light source used in this system. That is, it is important to have sufficient sensitivity to monochromatic light of a specific wavelength. In particular, a semiconductor laser is often used as a light source for digital use, and most of them are 700 to 9 that are inexpensive and excellent in mass productivity.
Photoconductors having a large sensitivity to monochromatic light having a peak in the range of 00 nm have been developed. As a result, OPC has come to be widely used as a photoconductor for an electrophotographic system using a digital optical system.

【0006】現在主流となっているOPCは電荷輸送材
を高濃度で樹脂中に溶解した電荷輸送層と電荷発生顔料
を高濃度で樹脂中に分散した電荷発生層とからなる、積
層型OPCである。この型のOPCは、感光体の光導電
性の基本機能を分割独立させたもので、材料の選択に余
裕が広がり、結果として感光体性能の飛躍的向上を達成
した。特にに無金属フタロシアニン、銅フタロシアニ
ン、チタニルフタロシアニン、マグネシュウムフタロシ
アニン、バナジルフタロシアニンなどのフタロシアニン
顔料を用いた有機感光体はデジタル用に適するものとし
て知られている。
The OPC currently in the mainstream is a laminated OPC comprising a charge transport layer in which a charge transport material is dissolved in a resin in a high concentration and a charge generation layer in which a charge generating pigment is dispersed in a resin in a high concentration. is there. In this type of OPC, the photoconductive basic function of the photoreceptor is divided and independent, and the selection of materials is expanded, and as a result, the performance of the photoreceptor is dramatically improved. In particular, organic photoreceptors using phthalocyanine pigments such as metal-free phthalocyanine, copper phthalocyanine, titanyl phthalocyanine, magnesium phthalocyanine, and vanadyl phthalocyanine are known to be suitable for digital applications.

【0007】しかし、この積層型のOPCの大きな問題
点は帯電特性が負帯電であることにある。負帯電型OP
Cは利用するシステムからの大量なオゾン発生という問
題点を抱える。このため、正帯電型のOPCも例えば
「T.NakagaWa et al, JapanHardcopy′88 l.Ozawa
et al,Japan Hardcopy′88等」のように研究され始め、
1980年代後半に普通複写機用OPCとして実用化さ
れた。
However, a major problem with this laminated OPC is that the charging characteristic is negative charging. Negatively charged OP
C has a problem that a large amount of ozone is generated from the system used. For this reason, positively charged OPCs are also described in, for example, “T. NakagaWa et al, Japan Hardcopy′88 l. Ozawa.
et al, Japan Hardcopy '88 etc. "
It was put to practical use as an OPC for ordinary copying machines in the latter half of the 1980s.

【0008】また、正帯電単層型OPCの研究もなさ
れ、新たな特性を持つものが例えば「S.Johnson et a
l.,IS&T′s Seventh International congress on Adva
nces in Non-impact Printing Technologies ,'91 S.
Tsuchiya et al.,ibit,'91」のように提案されてきた。
これらは共に感光層中に電荷輸送剤を含まない、顔料を
樹脂中に分散した感光体である。したがって、従来の積
層型に比べて層形成の点で低価格になる。また、これら
は正帯電型であることを最大の特徴としている。更に、
これらの感光体のもう一つの大きな特徴にHigh−γ
特性を挙げることができる。このHigh−γ特性と
は、感光体の電位減衰曲線中の直線的電位減衰部分の傾
きが大きいことを表しており、この特性がデジタル方式
による画像形成に特に有利であると提案されている。
Further, studies on positively charged single layer type OPC have been made, and those having new characteristics are described in, for example, "S. Johnson et a.
l., IS & T ′s Seventh International congress on Adva
nces in Non-impact Printing Technologies, '91 S.
Tsuchiya et al., Ibit, '91 ”.
These are both photoconductors in which a pigment is dispersed in a resin without a charge transporting agent in the photosensitive layer. Therefore, the price is lower than that of the conventional laminated type in terms of layer formation. Further, the most characteristic of these is that they are positively charged. Furthermore,
Another major feature of these photoconductors is High-γ
The characteristics can be mentioned. The High-γ characteristic means that the slope of the linear potential decay portion in the potential decay curve of the photoconductor is large, and it is proposed that this characteristic is particularly advantageous for digital image formation.

【0009】従来ドット露光を行うスポット光の光エネ
ルギ分布は裾長のガウス分布となる。この裾長のエネル
ギ分布を有するドット露光を入射光量に応じて電位減衰
が開始される感光体上に照射して像形成を行えば、裾長
のドット露光がそのまま再現され、ドット周辺にぼけを
生じ、解像力の悪いドット画像が形成される。そこで、
例えば特開平1−169454号公報には弱露光時には
殆ど電位減衰が現れず、光量を増やしある光量になると
急峻な電位減衰特性を示す所謂High−γ感光体が提
案されている。前記公報ではドット露光が裾長のガウス
分布であっても、シャープなドット状の潜像が形成され
ることが記載されている。
Conventionally, the light energy distribution of spot light used for dot exposure is a Gaussian distribution with a skirt length. If dot exposure with this hem length energy distribution is applied to the photoconductor where the potential decay starts according to the amount of incident light to form an image, the hem length dot exposure will be reproduced as it is, and blurring will occur around the dots. Occurs, and a dot image with poor resolution is formed. Therefore,
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-169454 proposes a so-called High-γ photoconductor that shows almost no potential attenuation during weak exposure and shows steep potential attenuation characteristics when the amount of light increases and reaches a certain amount of light. It is described in the above-mentioned publication that a sharp dot-shaped latent image is formed even if the dot exposure has a Gaussian distribution with a hem length.

【0010】また、単層型OPCにHigh−γ特性が
出現する現象は以前よりインダクション効果として知ら
れている。このインダクション効果とは、図22に示す
ように、感光体への光照射後、電位減衰までに時間遅れ
を生じる現象であり、樹脂分散型感光体固有の特性であ
る。この現象は、露光初期において、発生したキャリア
がトラップに捕獲されるため電位減衰にあまり寄与しな
いが、その後発生キャリア数が多くなるに従ってトラッ
プが埋めつくされ、キャリアの輸送が急激に起こり大き
な電位減衰が生じるためと推察される。この結果、高い
ガンマ値を示すことになる。従来にあっては、前記イン
ダクション効果はリニアな感光特性を得ようとする場合
には不適と考えられていたため、インダクション効果を
低減化するという開発がなされていたが、最近、前述し
たように、インダクション効果(感光体を帯電、露光し
た時の表面電位の減衰過程が露光量増加に対して始めは
緩やかに減衰するが次第に露光量を増加させていくと急
激な電位減衰を示すという点)を積極的に利用し、デジ
タル方式(二値化)による画像形成を行なおうとする動
きが出てきた。
Further, the phenomenon that the High-γ characteristic appears in the single layer type OPC has been known as an induction effect from before. As shown in FIG. 22, the induction effect is a phenomenon in which there is a time delay until the potential decays after the photoconductor is irradiated with light, and is a characteristic peculiar to the resin dispersion type photoconductor. This phenomenon does not contribute much to potential decay because generated carriers are trapped in traps at the beginning of exposure, but traps are filled up as the number of generated carriers increases thereafter, and carrier transport rapidly occurs and large potential decay occurs. It is presumed that this occurs. As a result, a high gamma value is exhibited. In the past, the induction effect was considered unsuitable when trying to obtain a linear photosensitivity, so there was a development to reduce the induction effect, but recently, as mentioned above, Induction effect (the point that the decay process of the surface potential when the photoreceptor is charged and exposed is gradually attenuated with the increase of the exposure amount, but shows a rapid potential decrease as the exposure amount is gradually increased). There has been a movement to actively use and form images by digital methods (binarization).

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】確かに、層形成の点
で、低価格でオゾン発生量が少ない正帯電型であること
を最大の特徴としているHigh−γ特性の単層型OP
Cを電子写真プロセスに適用すると、従来の積層型OP
Cに比べ、露光したドット周辺がシャープに解像され
る。しかしながら、High−γ特性を持つ感光体は、
潜像形成をオン/オフ的(スイッチング的)な挙動で行
うので、露光により、急激に電位が減衰を起こした後、
急激な電位減衰部分の低電位側変曲点における低変曲点
電位VL付近に達する光量に達しないと、感光体上の安
定した潜像形成が行われない。このため、High−γ
特性を持つ感光体を用いた画像形成装置でパルス幅変調
を行った階調方式を採用すると、所定の閾値WL以下の
パルス幅にて変調された光量では電位減衰が起こらない
か十分な量に達せず、感光体上に潜像形成が行われない
という事態が生ずる。従って、高階調性を実現するに
は、閾値WL以下のパルス幅にて変調された光量でも電
位減衰が低変曲点電位VL付近に達することが必要であ
る。そこで、露光用のビーム光量全体を大きく設定し、
高階調性を実現することが考えられるが、ビーム光量全
体を大きく設定すれば、消費電力が大きくなる上、感光
体の耐久性も落ちるため、ビーム光量全体を持ち上げる
ことは好ましいものではない。
Certainly, from the viewpoint of layer formation, a single layer type OP having a High-γ characteristic, which is most characterized by being a positively charged type which is low in price and produces a small amount of ozone.
When C is applied to the electrophotographic process, the conventional laminated OP
Compared with C, the exposed dots are sharply resolved. However, the photoreceptor having the High-γ characteristic is
Since latent image formation is performed with an on / off-like (switching) behavior, after the potential is rapidly attenuated by exposure,
A stable latent image is not formed on the photosensitive member unless the amount of light reaches near the low inflection point potential VL at the inflection point on the low potential side of the abrupt potential decay portion. Therefore, High-γ
If the gradation method in which the pulse width is modulated is adopted in the image forming apparatus using the photoconductor having the characteristics, if the light quantity modulated with the pulse width less than or equal to the predetermined threshold value WL does not cause the potential attenuation or becomes a sufficient quantity. There is a situation in which the latent image is not formed on the photoconductor without reaching the target. Therefore, in order to realize a high gradation, it is necessary that the potential attenuation reaches near the low inflection point potential VL even with the light amount modulated with the pulse width equal to or less than the threshold value WL. Therefore, set the total amount of beam light for exposure to a large value,
Although it is possible to realize high gradation, it is not preferable to raise the total beam light amount because if the overall beam light amount is set to a large value, power consumption increases and durability of the photoconductor also decreases.

【0012】この発明は、以上の技術的課題を解決する
ためになされたものであって、High−γ特性の感光
体を電子写真プロセスに適用するとき、消費電力、感光
体の劣化を最小限に抑えながら、低解像領域の階調性を
高め、高階調な画像形成方法及びその装置を提供するこ
とを目的としている。
The present invention has been made to solve the above technical problems, and when a high-γ characteristic photoconductor is applied to an electrophotographic process, power consumption and deterioration of the photoconductor are minimized. It is an object of the present invention to provide a high-gradation image forming method and an apparatus thereof, in which the gradation of a low resolution region is enhanced while suppressing the above.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】すなわち、この発明は、
図1に示すように、一様帯電された表面電位VPがある
露光量A0を境として急激に減衰する電位減衰特性の感
光体1を用い、帯電工程にて帯電された感光体1に対し
露光工程による露光にて画像パターンに応じた潜像を書
き込み、現像工程にて前記潜像を可視像化する画像形成
方法において、多階調画像データに応じたパルス幅が露
光工程による潜像形成若しくは現像工程による現像形成
可能なレベルである閾値パルス幅WL以上か否かを判別
するパルス幅判別工程と、このパルス幅判別工程にて前
記パルス幅が閾値パルス幅WL以上であると判別された
条件下では、照射ビームが通常の露光強度による露光を
行なう高解像領域用露光工程と、前記パルス幅判別工程
にて前記パルス幅が閾値パルス幅WL未満であると判別
された条件下では、照射ビームが通常の露光強度よりも
大きく設定され、閾値パルス幅WL)未満の低解像領域
の潜像電位レベルが現像可能レベルになる露光を行なう
低解像領域用露光工程とを備えたことを特徴とする。
That is, the present invention provides:
As shown in FIG. 1, the uniformly charged surface potential VP is used to expose the photosensitive body 1 charged in the charging process by using the photosensitive body 1 having a potential attenuation characteristic that abruptly attenuates at a certain exposure amount A0. In the image forming method in which a latent image according to an image pattern is written by exposure in the process and the latent image is visualized in the developing process, a latent image is formed in the exposure process with a pulse width corresponding to multi-tone image data. Alternatively, a pulse width determination step of determining whether or not the threshold pulse width WL is a level capable of developing and forming in the development step, and the pulse width is determined to be the threshold pulse width WL or more in this pulse width determination step. Under the condition, under the high-resolution region exposure step in which the irradiation beam performs exposure with a normal exposure intensity, and the condition in which the pulse width is determined to be less than the threshold pulse width WL in the pulse width determination step, Irradiation And an exposure step for a low-resolution area in which the latent image potential level of the low-resolution area is set to be larger than the normal exposure intensity and less than the threshold pulse width WL) to a developable level. Is characterized by.

【0014】また、このような方法発明を具現化する装
置発明は、図1に示すように、一様帯電された表面電位
VPがある露光量A0を境として急激に減衰する電位減衰
特性の感光体1を用い、帯電手段2にて帯電された感光
体1に対し露光手段3による露光にて画像パターンに応
じた潜像を書き込み、現像手段4にて前記潜像を可視像
化する画像形成装置において、前記露光手段3には、多
階調画像データに応じて照射ビームのパルス幅を変調す
るパルス幅可変手段5と、照射ビームの露光強度を可変
設定する露光強度可変手段6とを設け、通常の画像形成
サイクルと異なる感光体特性検査サイクル時に前記パル
ス幅可変手段5にて露光手段3からパルス幅の異なる複
数のビームを照射させ、感光体1上に複数のパルス幅の
ビーム露光による潜像を段階的に作成する検査用像作成
手段7と、この検査用像作成手段7にて作成された感光
体1上の各パルス幅に対応する潜像電位を検出する電位
検出手段8と、この電位検出手段8にて検出された潜像
電位のうち、感光体1の急激な電位減衰部分の低電位側
変曲点における低変曲点電位VLに対応する露光手段3
の閾値パルス幅WLを求める閾値パルス幅判別手段9
と、画像形成サイクル時にパルス幅可変手段5にて可変
設定される多階調画像データのパルス幅が前記閾値パル
ス幅判別手段9にて判別された閾値パルス幅WLよりも
小さいか否かを判断するパルス幅判断手段10と、この
パルス幅判断手段10にて多階調画像データのパルス幅
が閾値パルス幅WLよりも小さいと判断された状況下
で、露光強度可変手段6による露光強度を閾値パルス幅
WL以上の時に比べて大きく設定し、閾値パルス幅WL未
満の低解像領域の潜像電位レベルを現像可能レベルに変
更する露光強度制御手段11とを備えたことを特徴とす
るものである。
Further, as shown in FIG. 1, the apparatus invention embodying such a method invention is a photosensitive material having a potential attenuation characteristic that abruptly attenuates at a certain exposure amount A0 having a uniformly charged surface potential VP. An image in which a latent image corresponding to an image pattern is written on the photosensitive member 1 charged by the charging unit 2 by the exposure unit 3 by using the body 1, and the latent image is visualized by the developing unit 4. In the forming apparatus, the exposure unit 3 includes a pulse width changing unit 5 that modulates the pulse width of the irradiation beam according to the multi-tone image data, and an exposure intensity changing unit 6 that variably sets the exposure intensity of the irradiation beam. When a photoconductor characteristic inspection cycle different from a normal image forming cycle is provided, the exposure means 3 irradiates a plurality of beams having different pulse widths on the photoconductor characteristic inspection cycle to expose the photoconductor 1 with a beam having a plurality of pulse widths. by An inspection image forming means 7 for forming an image stepwise, and a potential detecting means 8 for detecting a latent image potential corresponding to each pulse width on the photoconductor 1 formed by the inspection image forming means 7, Of the latent image potentials detected by the potential detecting means 8, the exposing means 3 corresponding to the low inflection point potential VL at the inflection point on the low potential side of the abrupt potential decay portion of the photoconductor 1.
Threshold pulse width determining means 9 for obtaining the threshold pulse width WL of
And whether the pulse width of the multi-tone image data variably set by the pulse width varying means 5 in the image forming cycle is smaller than the threshold pulse width WL determined by the threshold pulse width determining means 9. And the pulse width determining means 10 determines the exposure intensity by the exposure intensity varying means 6 under the condition that the pulse width determining means 10 determines that the pulse width of the multi-tone image data is smaller than the threshold pulse width WL. An exposure intensity control means 11 is provided, which is set to be larger than that when the pulse width is WL or more and changes the latent image potential level in the low resolution area less than the threshold pulse width WL to a developable level. is there.

【0015】更に、前記方法発明を具現化する他の装置
発明は、図1に示すように、前述した装置発明と同様な
構成要素1〜6(感光体1〜露光強度可変手段6)を備
えるほか、通常の画像形成サイクルと異なる感光体特性
検査サイクル時に前記パルス幅可変手段5にて露光手段
3からパルス幅の異なる複数のビームを照射させ、感光
体1上に複数のパルス幅のビーム露光による潜像を段階
的に作成すると共に、各潜像を現像手段4にて可視像化
する検査用像作成手段12と、検査用像作成手段12に
て作成された感光体1上の各パルス幅に対応する現像像
の濃度情報を検出する濃度検出手段13と、この濃度検
出手段13にて検出される濃度情報に基づいて、現像像
が形成可能な下限レベルの濃度情報に対応する閾値パル
ス幅WLを求める閾値パルス幅判別手段14と、画像形
成サイクル時にパルス幅可変手段5にて可変設定される
多階調画像データのパルス幅が前記閾値パルス幅判別手
段14にて判別された閾値パルス幅WLよりも小さいか
否かを判断するパルス幅判断手段15と、このパルス幅
判断手段15にて多階調画像データのパルス幅が閾値パ
ルス幅WLよりも小さいと判断された状況下で、露光強
度可変手段6による露光強度を閾値パルス幅WL以上の
時に比べて大きく設定し、閾値パルス幅WL未満の低解
像領域の潜像電位レベルを現像可能レベルに変更する露
光強度制御手段16とを備えたことを特徴とするもので
ある。
Further, as shown in FIG. 1, another apparatus invention embodying the method invention comprises the same constituent elements 1 to 6 (photoconductor 1 to exposure intensity varying means 6) as in the apparatus invention described above. In addition, during the photoconductor characteristic inspection cycle different from the normal image forming cycle, the pulse width varying means 5 irradiates the exposure means 3 with a plurality of beams having different pulse widths to expose the photoconductor 1 with a plurality of pulse widths. In addition to forming latent images by stepwise, the developing means 4 visualizes each latent image, and the inspection image forming means 12 and each of the photoreceptor 1 formed by the inspection image forming means 12. A density detecting means 13 for detecting density information of the developed image corresponding to the pulse width, and a threshold value corresponding to the density information of the lower limit level capable of forming a developed image based on the density information detected by the density detecting means 13. Threshold for finding pulse width WL The pulse width of the multi-gradation image data variably set by the value pulse width determination means 14 and the pulse width varying means 5 during the image forming cycle is larger than the threshold pulse width WL determined by the threshold pulse width determination means 14. A pulse width judging means 15 for judging whether or not it is small, and an exposure intensity varying means under the condition that the pulse width judging means 15 judges that the pulse width of the multi-tone image data is smaller than the threshold pulse width WL. And an exposure intensity control means 16 for changing the latent image potential level of the low resolution area of less than the threshold pulse width WL to a developable level. It is characterized by.

【0016】このような技術的手段において、感光体1
としては、ある露光量A0を境として急激に電位減衰す
る電位減衰特性を備えたものであれば全て適用対象であ
り、例えばX型無金属フタロシアニンとバインダ樹脂か
らなる単層型有機正帯電感光体などが挙げられる。ま
た、感光体1の形態についてもドラム状、ベルト状を問
わない。また、本発明の画像形成装置は、帯電手段2、
露光手段3、現像手段4にて感光体1上にトナー像を可
視像化するものであればよく、感光体1上のトナー像を
記録媒体に直接転写するものであってもよいし、あるい
は、感光体1上のトナー像を中間転写体に一次転写した
後に、記録媒体に二次転写するものなど各種タイプを包
含する。
With such technical means, the photosensitive member 1
Any material having a potential attenuation characteristic that abruptly attenuates the potential at a certain exposure amount A0 is applicable, for example, a single-layer type organic positively charged photoreceptor including an X-type metal-free phthalocyanine and a binder resin. And so on. Also, the form of the photoreceptor 1 may be a drum shape or a belt shape. Further, the image forming apparatus of the present invention includes the charging unit 2,
It is only necessary that the toner image on the photoconductor 1 is visualized by the exposing means 3 and the developing means 4, and the toner image on the photoconductor 1 may be directly transferred to the recording medium. Alternatively, various types such as one in which the toner image on the photosensitive member 1 is primarily transferred to the intermediate transfer member and then secondarily transferred to the recording medium are included.

【0017】また、露光手段3は、パルス幅可変手段5
及び露光強度可変手段6を具備したものであれば、レー
ザ走査装置に限られるものではなく、適宜選定すること
ができる。そして、露光手段3については、特定の露光
ユニットでパルス幅変調、露光強度変調を行なうように
してもよいし、例えばパルス幅変調用の露光ユニットと
露光強度変調用の露光ユニットとを機能分離させるよう
にしてもよい。特に、露光手段3によるビームドット径
については任意のものを使用することは可能であるが、
低解像領域の潜像形成性を良好に保つという観点からす
れば、感光体1上に照射するビームドット径として主走
査方向の径寸法を副走査方向の径寸法に比べて小さく設
定したものであることが好ましい。
Further, the exposure means 3 is a pulse width varying means 5
The laser scanning device is not limited as long as it has the exposure intensity varying means 6 and can be appropriately selected. The exposure unit 3 may perform pulse width modulation and exposure intensity modulation in a specific exposure unit. For example, the exposure unit for pulse width modulation and the exposure unit for exposure intensity modulation may be functionally separated. You may do it. In particular, it is possible to use an arbitrary beam dot diameter by the exposure means 3,
From the viewpoint of maintaining a good latent image forming property in the low resolution area, the diameter of the beam dot irradiated on the photoconductor 1 is set to be smaller in the main scanning direction than in the sub scanning direction. Is preferred.

【0018】また、検査用像作成手段7,12は、通常
の画像形成サイクルと異なる感光体特性検査サイクル時
に動作させればよく、例えば電源投入時や、所定の画像
形成サイクル数毎に定期的に行なうようにすればよい。
更に、検査用像作成手段7,12については、基本的に
閾値パルス幅WLに対応した潜像の近傍において複数段
階の潜像を形成するようにすればよく、全パルス幅に亘
って潜像を段階的に作成する必要はない。
Further, the inspection image forming means 7 and 12 may be operated during a photoreceptor characteristic inspection cycle different from the normal image forming cycle. For example, when the power is turned on or every predetermined number of image forming cycles. You can do it to.
Further, with respect to the inspection image forming means 7 and 12, basically, a latent image of a plurality of steps may be formed in the vicinity of the latent image corresponding to the threshold pulse width WL, and the latent image is formed over the entire pulse width. Need not be created in stages.

【0019】更に、閾値パルス幅判別手段9,14につ
いては、例えば、電位検出手段8若しくは濃度検出手段
13からの検出データと、潜像が形成可能な下限レベル
(低変曲点電位VLに相当)若しくは現像像が形成可能
な下限レベルという基準データとを比較し、検出データ
のうち基準データに達しない基準データに限りなく近い
検出データを求め、この検出データに対応する多階調画
像データのパルス幅から閾値パルス幅WLを判別するよ
うにしてもよいし、逆に、検出データのうち基準データ
を超え基準データに限りなく近い検出データを求め、こ
の検出データに対応する多階調画像データのパルス幅か
ら閾値パルス幅WLを判別する等、適宜のアルゴリズム
を用いることが可能である。
Further, regarding the threshold pulse width determination means 9 and 14, for example, the detection data from the potential detection means 8 or the density detection means 13 and the lower limit level (corresponding to the low inflection point potential VL) at which a latent image can be formed. ) Or the reference data, which is the lower limit level at which a developed image can be formed, is compared, and the detection data that is as close as possible to the reference data that does not reach the reference data among the detection data is obtained, and the multi-gradation image data corresponding to this detection data is obtained. The threshold pulse width WL may be determined from the pulse width, or conversely, the detection data that exceeds the reference data and is as close as possible to the reference data in the detection data is obtained, and the multi-gradation image data corresponding to this detection data is obtained. It is possible to use an appropriate algorithm such as discriminating the threshold pulse width WL from the pulse width.

【0020】また、露光強度制御手段11,16につい
ては、閾値パルス幅WL未満の場合の露光強度を閾値パ
ルス幅WL以上の場合の露光強度より大きくするよう
に、基本的には露光強度を2段階に切り替えるようにす
ればよいが、閾値パルス幅WL未満の場合の露光強度を
数段階に切り替え、発生パルス幅と露光強度とを反比例
の形で対応させ、低解像領域の階調性をより良好にする
ことが可能である。
In the exposure intensity control means 11 and 16, basically, the exposure intensity is set to 2 so that the exposure intensity when the threshold pulse width WL is less than the exposure intensity when the threshold pulse width WL is greater than or equal to the threshold intensity. The exposure intensity when the pulse width is less than the threshold pulse width WL is switched to several stages, and the generated pulse width and the exposure intensity are made to correspond in inverse proportion to each other, and the gradation of the low resolution area is improved. It can be better.

【0021】次に、上述した技術的手段のうち装置発明
を例に挙げてその作用について説明する。先ず、構成要
素1〜11を備えた画像形成装置について説明すると、
図1において、検査用像作成手段7は、通常の画像形成
サイクルと異なる感光体特性検査サイクル時にパルス幅
可変手段5にて露光手段3からパルス幅の異なる複数の
ビームを照射させ、感光体1上に複数のパルス幅のビー
ム露光による潜像を段階的に作成する。すると、電位検
出手段8は、前記検査用像作成手段7にて作成された感
光体1上の各パルス幅に対応する潜像電位を検出する。
そして、閾値パルス幅判別手段9は電位検出手段8にて
検出された潜像電位のうち、感光体1の急激な電位減衰
部分の低電位側変曲点における低変曲点電位VLに対応
する露光手段3の閾値パルス幅WLを求める。この状態
において、通常の画像形成サイクルが行なわれると、パ
ルス幅判断手段10は、パルス幅可変手段5にて可変設
定される多階調画像データのパルス幅が閾値パルス幅W
Lよりも小さいか否かを判断する。
Next, the operation of the above-mentioned technical means will be described by taking the apparatus invention as an example. First, an image forming apparatus including the components 1 to 11 will be described.
In FIG. 1, the inspection image forming means 7 irradiates a plurality of beams having different pulse widths from the exposure means 3 by the pulse width varying means 5 during a photoreceptor characteristic inspection cycle different from the normal image forming cycle, and the photoreceptor 1 A latent image is created in stages by beam exposure with a plurality of pulse widths. Then, the potential detecting means 8 detects the latent image potential corresponding to each pulse width on the photoconductor 1 created by the inspection image creating means 7.
Then, the threshold pulse width determination means 9 corresponds to the low inflection point potential VL at the low potential side inflection point of the abrupt potential decay portion of the photoconductor 1 among the latent image potentials detected by the potential detection means 8. The threshold pulse width WL of the exposure means 3 is obtained. In this state, when a normal image forming cycle is carried out, the pulse width judging means 10 determines that the pulse width of the multi-tone image data variably set by the pulse width varying means 5 is the threshold pulse width W.
Judge whether it is smaller than L.

【0022】そして、パルス幅判断手段10が多階調画
像データのパルス幅W=W1を閾値パルス幅WL以上であ
ると判断すると、露光強度制御手段11は通常の露光強
度をそのまま維持する制御信号を露光強度可変手段6へ
送出する。このため、露光手段3は、図2(a)に示す
ように、通常の露光強度P1でパルス幅W1のパルス幅変
調を行ない、感光体1上に潜像電位レベルが現像可能レ
ベルである潜像ZIM(W1)を形成する。一方、パルス
幅判断手段10が多階調画像データのパルス幅W=W2
を閾値パルス幅WL未満であると判断すると、露光強度
制御手段11は露光強度を通常の露光強度よりも大きく
設定し、閾値パルス幅WL未満の低解像領域の潜像電位
レベルを現像可能レベルに変更する。このため、露光手
段3は、図2(b)に示すように、通常の露光強度P1
よりも大きい露光強度P2でパルス幅W2のパルス幅変調
を行ない、感光体1上に潜像電位レベルが現像可能レベ
ルである潜像ZIM(W2)を形成する。
When the pulse width judging means 10 judges that the pulse width W = W1 of the multi-gradation image data is equal to or larger than the threshold pulse width WL, the exposure intensity control means 11 keeps the normal exposure intensity as it is. To the exposure intensity varying means 6. Therefore, as shown in FIG. 2A, the exposure unit 3 performs pulse width modulation of the pulse width W1 with the normal exposure intensity P1 and the latent image potential level on the photoconductor 1 is a developable level. The image ZIM (W1) is formed. On the other hand, the pulse width determination means 10 causes the pulse width W = W2 of the multi-gradation image data.
Is less than the threshold pulse width WL, the exposure intensity control means 11 sets the exposure intensity higher than the normal exposure intensity, and the latent image potential level in the low resolution area less than the threshold pulse width WL is the developable level. Change to. Therefore, as shown in FIG. 2 (b), the exposure means 3 has a normal exposure intensity P1.
Pulse width modulation of the pulse width W2 is performed with a larger exposure intensity P2 to form a latent image ZIM (W2) on the photoconductor 1 whose latent image potential level is a developable level.

【0023】また、構成要素1〜6,12〜16を備え
た画像形成装置について説明すると、検査用像作成手段
12は、通常の画像形成サイクルと異なる感光体特性検
査サイクル時にパルス幅可変手段5にて露光手段3から
パルス幅の異なる複数のビームを照射させ、感光体1上
に複数のパルス幅のビーム露光による潜像を段階的に作
成すると共に、各潜像を現像手段4にて可視像化する。
すると、濃度検出手段13は検査用像作成手段12にて
作成された感光体1上の各パルス幅に対応する現像像の
濃度情報を検出する。そして、閾値パルス幅判別手段1
4は、濃度検出手段13にて検出される濃度情報に基づ
いて、現像像が形成可能な下限レベルの濃度情報に対応
する閾値パルス幅WLを求める。この状態において、通
常の画像形成サイクルが行なわれると、パルス幅判断手
段15はパルス幅可変手段5にて可変設定される多階調
画像データのパルス幅が閾値パルス幅WLよりも小さい
か否かを判断する。そして、露光強度制御手段16は、
パルス幅判断手段15にて多階調画像データのパルス幅
が閾値パルス幅WL以上であると判断された状況下で
は、露光強度可変手段6による露光強度を通常レベルに
維持し、一方、パルス幅判断手段15にて多階調画像デ
ータのパルス幅が閾値パルス幅WLよりも小さいと判断
された状況下で、前記露光強度を閾値パルス幅WL以上
の時に比べて大きく設定し、閾値パルス幅WL未満の低
解像領域の潜像電位レベルを現像可能レベルに変更す
る。従って、このタイプにおいても、高解像領域(W≧
WL)、低解像領域(W<WL)の潜像は、いずれも図2
(a)(b)に示すように、現像可能なレベルの電位状
態にて形成される。
The image forming apparatus having the constituent elements 1 to 6 and 12 to 16 will be described. The inspection image forming means 12 includes the pulse width varying means 5 during the photoconductor characteristic inspection cycle different from the normal image forming cycle. The irradiation means 3 irradiates a plurality of beams having different pulse widths to form a latent image on the photoconductor 1 stepwise by beam exposure with a plurality of pulse widths, and each latent image can be developed by the developing means 4. Visualize.
Then, the density detecting means 13 detects density information of the developed image corresponding to each pulse width on the photoconductor 1 created by the inspection image creating means 12. Then, the threshold pulse width determination means 1
Reference numeral 4 obtains a threshold pulse width WL corresponding to the density information of the lower limit level at which a developed image can be formed, based on the density information detected by the density detecting means 13. In this state, when a normal image forming cycle is performed, the pulse width judging means 15 determines whether the pulse width of the multi-tone image data variably set by the pulse width varying means 5 is smaller than the threshold pulse width WL. To judge. Then, the exposure intensity control means 16
Under the situation where the pulse width determination means 15 determines that the pulse width of the multi-tone image data is greater than or equal to the threshold pulse width WL, the exposure intensity by the exposure intensity varying means 6 is maintained at the normal level, while the pulse width is maintained. Under the situation where the judgment means 15 judges that the pulse width of the multi-tone image data is smaller than the threshold pulse width WL, the exposure intensity is set to be larger than that when it is equal to or larger than the threshold pulse width WL, and the threshold pulse width WL is set. The latent image potential level in the low resolution area below is changed to a developable level. Therefore, even in this type, a high resolution region (W ≧
2), the latent images in the low resolution region (W <WL) are both shown in FIG.
As shown in (a) and (b), it is formed in a potential state of a developable level.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、添付図面に示す実施の形態
に基づいてこの発明を詳細に説明する。 ◎実施の形態1 図3はこの発明が適用された画像形成装置の実施の形態
1を示す。同図において、符号21はある露光量を境と
して急激に電素減衰する電位減衰特性(High−γ特
性)を持つ単層型有機感光体、22は感光体21を正帯
電する帯電装置、23は帯電された感光体21上に光照
射して静電潜像(本実施の形態では画像部露光のネガ潜
像)を形成する光書き込み装置(露光装置)であり、例
えば半導体レーザとポリゴンミラーを内蔵するレーザ光
発生器が用いられる。また、符号24は感光体21上に
形成された静電潜像を感光体21の帯電極性と同じ極性
電荷を持つトナーで可視像化する現像装置、25は感光
体21上のトナー像を記録紙26に転写させるコロトロ
ンなどの転写装置、27は感光体21に静電吸着した記
録紙26を剥離するコロトロンなどの用紙剥離装置、2
8は記録紙26上の未定着トナー像を定着する定着装
置、29は感光体21上の残留トナーなどの残留物を除
去するクリーナ、30は感光体21上の残留電荷を除去
する除電装置である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described below in detail based on the embodiments shown in the accompanying drawings. First Embodiment FIG. 3 shows a first embodiment of an image forming apparatus to which the present invention is applied. In the figure, reference numeral 21 is a single-layer organic photoconductor having a potential decay characteristic (High-γ characteristic) in which an element is rapidly attenuated at a certain exposure amount, 22 is a charging device for positively charging the photoconductor 21, and 23 Is an optical writing device (exposure device) that irradiates the charged photoconductor 21 with light to form an electrostatic latent image (in the present embodiment, a negative latent image for image exposure), such as a semiconductor laser and a polygon mirror. A laser light generator with a built-in is used. Further, reference numeral 24 is a developing device that visualizes the electrostatic latent image formed on the photoconductor 21 with toner having the same polarity charge as that of the photoconductor 21, and 25 is a toner image on the photoconductor 21. A transfer device such as a corotron that transfers the recording paper 26 to the recording paper 26; a paper peeling device 27 such as a corotron that peels the recording paper 26 electrostatically attracted to the photoconductor 21;
Reference numeral 8 is a fixing device for fixing an unfixed toner image on the recording paper 26, 29 is a cleaner for removing residues such as residual toner on the photoconductor 21, and 30 is a static eliminator for removing residual charges on the photoconductor 21. is there.

【0025】本実施の形態において、感光体21として
は、X型無金属フタロシアニンをバインダ樹脂に分散さ
せた単層型有機感光体が用いられている。具体的にはX
型無金属フタロシアニン(大日本インキ(株)製)、フ
ァーストゲンブルー(Fastgen Blue)を感材とした正帯
電単層型感光体を試作した。上記感光体の詳細に関して
は既に特開平3−287171号公報に開示されてい
る。また、本実施の形態において、感光体形状はアルミ
ニウム製のドラム本体を用い、ドラム状に製作した。こ
のように構成された単層型感光体21では、電荷移動の
主体はホールなので表面を正帯電して使用する。
In the present embodiment, a single-layer organic photoconductor in which X-type non-metallic phthalocyanine is dispersed in a binder resin is used as the photoconductor 21. Specifically, X
A positively charged single-layer type photoconductor was prepared by using a type metal-free phthalocyanine (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) and Fastgen Blue as a photosensitive material. The details of the photoreceptor have already been disclosed in JP-A-3-287171. Further, in the present embodiment, the photosensitive member was manufactured in a drum shape using an aluminum drum main body. In the single-layer type photoreceptor 21 configured as described above, since charges are mainly transferred by holes, the surface is positively charged before use.

【0026】この樹脂分散単層型感光体21の電位減衰
特性を図4(a)(b)に示す。図4(a)の実線は樹
脂分散単層型感光体21の明減衰特性を示すもので、帯
電した後、光照射した際、表面電位の露光量による光減
衰過程が初めは徐々に緩やかな減衰を示し、さらに光量
を増加すると緩やかな減衰間に続いて急激に表面電位が
減衰するというカーブになっている。一方、図4(b)
の実線は樹脂分散単層型感光体21の暗減衰特性を示す
もので、所定電位に帯電した後の経時的変化が初めは緩
やかな減衰を示し、続いて時間経過に従って急激な減衰
を示し表面電位が降下していくというカーブになってい
る。
The potential attenuation characteristics of this resin-dispersed single-layer type photosensitive member 21 are shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b). The solid line in FIG. 4A shows the light attenuation characteristic of the resin-dispersed single-layer type photoconductor 21. When light is irradiated after charging, the light attenuation process due to the exposure amount of the surface potential is gradually gradual at first. Attenuation is shown, and when the light quantity is further increased, the surface potential is rapidly attenuated during the gentle attenuation. On the other hand, FIG.
The solid line indicates the dark decay characteristics of the resin-dispersed single-layer photoreceptor 21. The change over time after charging to a predetermined potential shows a gradual decay at first, followed by a rapid decay with the passage of time. The curve shows that the potential drops.

【0027】ここで、従来の積層型感光体の明暗減衰特
性(図4(a)(b)で点線で示す)と本実施の形態に
用いた樹脂分散単層型感光体21の明暗減衰特性と比較
する。なお、積層型感光体は表面電位が負帯電に帯電さ
れ、樹脂分散単層型感光体21は正帯電に帯電される
為、図4の積層型感光体においては絶対値としての電位
を用いた。図4から分かるように、従来の積層型感光体
の感度特性は照射光に対して感度領域が比較的全領域反
応するのに対し、本実施の形態に係る単層型感光体で
は、ある照射光量までは露光しても表面電位が緩やかに
減衰し、ある照射光量を境にして光量が増加すると表面
電位が急激に減衰する状態になっていることが理解され
る。
Here, the light and dark decay characteristics of the conventional laminated type photoreceptor (shown by dotted lines in FIGS. 4A and 4B) and the light and dark decay characteristics of the resin dispersion single layer type photoreceptor 21 used in the present embodiment. Compare with. Since the surface potential of the layered photoreceptor is negatively charged and the resin-dispersed single layer photoreceptor 21 is positively charged, the potential as an absolute value is used in the layered photoreceptor of FIG. . As can be seen from FIG. 4, the sensitivity characteristics of the conventional laminated-type photoconductor have a relatively entire sensitivity region response to irradiation light, whereas the single-layer photoconductor according to the present embodiment has a certain irradiation range. It is understood that the surface potential is gradually attenuated even after exposure up to the light amount, and that the surface potential is rapidly attenuated when the light amount increases at a certain irradiation light amount as a boundary.

【0028】前記のような明減衰特性及び暗減衰特性が
S字カーブ状に変曲点を持ってオンオフ的に変化する感
度特性である感光体としては、酸化亜鉛を樹脂分散させ
た単層型感光体やフタロシアニンを樹脂分散させた有機
感光体でも報告されているが、露光時の感光体表面電位
が減衰を始める緩和時間が長いことや、帯電に必要な電
荷が多く必要で有ったり、繰り返し使用時の電位保持性
能や感度の変化が大きく、実用に適さないものであっ
た。そこで、本実施の形態では、これらの諸問題を克服
し、実用レベルでの感度特性を有するものとして、X型
無金属フタロシアニンを樹脂に分散させた単層型感光体
を使用することにした。
As the photoconductor having the above-described light attenuation characteristic and dark attenuation characteristic, which are sensitivity characteristics in which an S-shaped curve has an inflection point and changes on and off, a single layer type in which zinc oxide is dispersed in a resin is used. It has been reported that the photoconductor or the organic photoconductor in which phthalocyanine is resin-dispersed, but the relaxation time that the photoconductor surface potential starts to decay at the time of exposure is long, and a large amount of charge required for charging is required, It was not suitable for practical use due to large changes in potential holding performance and sensitivity during repeated use. Therefore, in the present embodiment, a single-layer type photoconductor in which an X-type non-metallic phthalocyanine is dispersed in a resin is used as a type which overcomes these problems and has a sensitivity characteristic at a practical level.

【0029】また、本実施の形態で用いられる光書き込
み装置23の半導体レーザ231(図3参照)の特性
(レーザの駆動電流と出力光量との関係)を図5に示
す。更に、レーザ出力光量である露光量と感光体表面電
位との関係を図6に示す。これらにおいて、露光量A
(レーザ駆動電流A’に対応)は半導体レーザ231の
標準使用出力レベルを示し、露光量B(レーザ駆動電流
B’に対応)は最大出力レベルを示し、露光量Cは零レ
ベルを示し、更に、露光量Dは感光体の急激な電位減衰
部分の低電位側変曲点における低変曲点電位VLの得ら
れるレベルを示すものである。従って、露光量Aでパル
ス幅変調なしに使えば感光体上で潜像が形成されるが、
パルス幅変調により、例えばD未満の露光量しか得られ
ず、感光体の電位減衰も低変曲点電位VL未満しか得ら
れないのであれば、感光体上で潜像形成が行なわれない
ことになる。そこで、本実施の形態では、パルス幅が閾
値パルス幅WL、すなわち、標準使用出力レベルAの露
光量でパルス幅変調したときに露光量がDになるパルス
幅WL未満になった場合、露光量がDを超えるレベルに
なるように半導体レーザ231の出力光量をAよりも大
きく設定する手法が採用されている。
FIG. 5 shows the characteristics of the semiconductor laser 231 (see FIG. 3) of the optical writing device 23 used in this embodiment (relationship between the laser drive current and the output light intensity). Further, FIG. 6 shows the relationship between the exposure amount, which is the laser output light amount, and the photosensitive member surface potential. In these, the exposure amount A
(Corresponding to the laser drive current A ′) indicates the standard use output level of the semiconductor laser 231, exposure amount B (corresponding to the laser drive current B ′) indicates the maximum output level, exposure amount C indicates the zero level, and The exposure amount D indicates the level at which the low inflection point potential VL can be obtained at the inflection point on the low potential side in the portion where the potential is rapidly attenuated on the photoreceptor. Therefore, if the exposure amount A is used without pulse width modulation, a latent image is formed on the photoconductor.
If, for example, the exposure amount of less than D is obtained by the pulse width modulation and the potential attenuation of the photoconductor is also less than the low inflection point potential VL, the latent image is not formed on the photoconductor. Become. Therefore, in the present embodiment, when the pulse width is less than the threshold pulse width WL, that is, when the exposure amount becomes D when the pulse width is modulated with the exposure amount of the standard use output level A, the exposure amount is Is set so that the output light amount of the semiconductor laser 231 is set to be larger than A so that the value exceeds D.

【0030】次に、本実施の形態で用いられる露光制御
系を図7,8に基づいて説明する。図7は半導体レーザ
(LD)を駆動制御する露光制御系のブロック図であ
る。同図において、符号40は多階調画像データを出力
するデジタルデータ出力装置であり、DA変換器41は
デジタルデータ出力装置40からデジタルデータをアナ
ログビデオ信号に変換する。また、符号42は1画素周
期の三角波発生器、43は三角波発生器42からの三角
波とDA変換器41からのアナログビデオ信号とを比較
してデジタルデータに対応するパルス幅の変調信号を生
成する比較回路、44は比較回路43からの変調信号に
基づいて所定の光量で半導体レーザ231を駆動するレ
ーザ(LD)駆動回路、45はレーザ駆動回路44のレ
ーザ光量設定値を切替える光量切替回路である。更に、
符号46は感光体21上の潜像電位を検出する電位検出
センサ、47は電位検出センサ46で検出された電位か
らレーザ光量設定値の切り替えを判断する切替光量判断
回路である。
Next, the exposure control system used in this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a block diagram of an exposure control system that drives and controls a semiconductor laser (LD). In the figure, reference numeral 40 is a digital data output device for outputting multi-gradation image data, and a DA converter 41 converts the digital data from the digital data output device 40 into an analog video signal. Further, reference numeral 42 is a triangular wave generator having a period of one pixel, and 43 is a comparison between the triangular wave from the triangular wave generator 42 and the analog video signal from the DA converter 41 to generate a modulation signal having a pulse width corresponding to the digital data. Reference numeral 44 is a laser (LD) drive circuit that drives the semiconductor laser 231 with a predetermined light amount based on the modulation signal from the comparison circuit 43, and 45 is a light amount switching circuit that switches the laser light amount set value of the laser drive circuit 44. . Furthermore,
Reference numeral 46 is a potential detection sensor that detects the latent image potential on the photoconductor 21, and reference numeral 47 is a switching light amount determination circuit that determines switching of the laser light amount setting value from the potential detected by the potential detection sensor 46.

【0031】また、図8は切替光量判断回路47の詳細
を示す説明図である。同図において、切替光量判断回路
47は、通常の画像形成サイクルと異なる感光体特性検
査サイクル(感光体特性の変化を定期的に検査するサイ
クル)時に動作するものであり、アナログビデオ信号を
格納する第1のメモリ471と、前記アナログビデオ信
号に対応して感光体21上に形成される潜像電位を格納
する第2のメモリ472と、潜像形成に必要な電位であ
る低変曲点電位VLを格納した低変曲点電位メモリ47
3とを備えている。また、符号474は前記第2のメモ
リ472に格納された潜像電位と低変曲点電位メモリ4
73の低変曲点電位VLとを比較し、第2メモリ472
内の電位が低変曲点電位VLに到達せず低変曲点電位VL
に限りなく近い条件下で第2のメモリ472内の電位と
そのアドレスを第1のメモリ471に送出し、その電位
を発生させたアナログビデオ信号を第1のメモリ471
内から取して光量切替回路45へ渡すための比較器であ
る。尚、本実施の形態において、感光体特性検査サイク
ルは、電源投入時又は予め決められた所定画像形成枚数
毎に行われるようになっている。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing the details of the switching light amount judgment circuit 47. In the figure, the switching light amount determination circuit 47 operates during a photoconductor characteristic inspection cycle (a cycle for periodically inspecting changes in the photoconductor characteristic) different from the normal image forming cycle, and stores an analog video signal. A first memory 471, a second memory 472 for storing a latent image potential formed on the photoconductor 21 corresponding to the analog video signal, and a low inflection point potential which is a potential required for latent image formation. Low inflection point potential memory 47 storing VL
3 is provided. The reference numeral 474 designates the latent image potential and the low inflection point potential memory 4 stored in the second memory 472.
The low inflection point potential VL of 73 is compared with the second memory 472.
Potential does not reach the low inflection point potential VL
Under a condition that is extremely close to, the potential and its address in the second memory 472 are sent to the first memory 471, and the analog video signal that generated the potential is sent to the first memory 471.
It is a comparator for taking it from inside and passing it to the light amount switching circuit 45. In the present embodiment, the photoconductor characteristic inspection cycle is performed when the power is turned on or after every predetermined number of image formations.

【0032】次に、本実施の形態に係る画像形成装置の
作動について説明する。 ●感光体特性検査サイクル 本実施の形態において、感光体特性検査サイクルは、感
光体21の特性が経時後変動し、ビームの露光量に対す
る電位の変換時の感度が変動する事態を補正するサイク
ルである。先ず、デジタルデータ出力装置40からパル
ス幅が数段階に振られたデジタルデータ(標準条件時に
おける低変曲点電位VLに対応するデジタルデータの前
後範囲で選択)を順次出力し、DA変換器41、比較回
路43を経てレーザ(LD)駆動回路44にて発生した
レーザ光により感光体21上に数段階の静電潜像を形成
する。この状態において、各パルス幅の潜像電位を電位
検出センサ46にて検出し、アナログビデオ信号とそれ
によって発生した感光体21上の潜像電位とを切替光量
判断回路47の第1のメモリ471、第2のメモリ47
2にそれぞれ格納する。そして、第2のメモリ472に
格納された潜像電位と潜像形成に必要な電位を格納した
低変曲点電位VLとを比較して、初めて低変曲点電位VL
に到達しない電位とそのアドレスとを第1のメモリ47
1に返し、その電位に対応するアナログビデオ信号を第
1のメモリ471中から取り出し、これを光量切替閾値
信号として光量切替回路45に渡す。
Next, the operation of the image forming apparatus according to this embodiment will be described. Photoconductor Characteristic Inspection Cycle In the present embodiment, the photoconductor characteristic inspection cycle is a cycle for correcting a situation in which the characteristics of the photoreceptor 21 fluctuate over time and the sensitivity at the time of conversion of the potential with respect to the beam exposure amount fluctuates. is there. First, the digital data output device 40 sequentially outputs digital data whose pulse width is varied in several steps (selected in the front and rear range of the digital data corresponding to the low inflection point potential VL under the standard condition), and the DA converter 41. A laser (LD) drive circuit 44 passes through the comparison circuit 43 to form an electrostatic latent image of several stages on the photoconductor 21 by the laser light. In this state, the latent image potential of each pulse width is detected by the potential detection sensor 46, and the analog video signal and the latent image potential on the photoconductor 21 generated thereby are switched. The first memory 471 of the light amount determination circuit 47. , The second memory 47
2 respectively. Then, the latent image potential stored in the second memory 472 is compared with the low inflection point potential VL in which the potential required for latent image formation is compared, and the low inflection point potential VL is first shown.
To the first memory 47 and its potential not reaching
1, the analog video signal corresponding to the potential is taken out from the first memory 471 and is passed to the light amount switching circuit 45 as a light amount switching threshold signal.

【0033】●画像形成サイクル 通常の画像形成サイクルにおいて、デジタルデータ出力
装置40から多階調画像データからなるデジタル信号が
出力され、DA変換器41にてアナログビデオ信号に変
換されると、このアナログビデオ信号は比較回路43を
経てレーザ(LD)駆動回路44へ送出され、所定のパ
ルス幅変調信号として出力される。このとき、アナログ
ビデオ信号が前記光量切替閾値信号より大きい場合に
は、光量切替回路45はレーザ駆動回路44に光量切替
信号を送出せず、レーザ駆動回路44のレーザ光量設定
値を通常の設定値のままに維持するが、アナログビデオ
信号が前記光量切替閾値信号以下である場合には、光量
切替回路45はレーザ駆動回路44に光量切替信号を送
出し、レーザ駆動回路44のレーザ光量設定値を切り替
え、低解像領域において現像可能なレベルのビーム露光
量に切り替える。本実施の形態においては、低解像領域
において切り替えられるビーム露光量は一定でもよい
が、光量切替閾値信号以下の場合のレーザ光量設定値
(露光強度)を数段階に切り替え、発生パルス幅と露光
強度とを反比例の形で対応させ、低解像領域の階調性を
より良好にすることが好ましい。
Image Forming Cycle In a normal image forming cycle, when a digital signal consisting of multi-gradation image data is output from the digital data output device 40 and converted into an analog video signal by the DA converter 41, this analog signal is output. The video signal is sent to the laser (LD) drive circuit 44 through the comparison circuit 43 and output as a predetermined pulse width modulation signal. At this time, when the analog video signal is larger than the light amount switching threshold signal, the light amount switching circuit 45 does not send the light amount switching signal to the laser drive circuit 44, and the laser light amount set value of the laser drive circuit 44 is set to the normal set value. However, when the analog video signal is equal to or less than the light amount switching threshold signal, the light amount switching circuit 45 sends a light amount switching signal to the laser drive circuit 44 to set the laser light amount set value of the laser drive circuit 44. The beam exposure amount is switched so that it can be developed in the low resolution area. In the present embodiment, the beam exposure amount that can be switched in the low resolution region may be constant, but the laser light amount set value (exposure intensity) in the case of the light amount switching threshold signal or less is switched in several steps to generate the generated pulse width and exposure. It is preferable that the intensity and the intensity are inversely proportional to each other to improve the gradation of the low resolution region.

【0034】このような画像形成過程においては、後述
する実施例からも確認されるように、高解像領域のみな
らず、低解像領域の潜像についても確実に可視像化さ
れ、画像の高階調性が達成された。
In such an image forming process, as will be confirmed from the examples described later, not only the high resolution area but also the latent image in the low resolution area is surely visualized to form an image. Of high gradation was achieved.

【0035】◎実施の形態2 本実施の形態に係る画像形成装置の基本的構成は実施の
形態1と略同様であるが、実施の形態1と異なる図9に
示すような露光制御系を有している。同図において、露
光制御系は、実施の形態1で用いられた電位検出センサ
46に代わって濃度検出センサ56を感光体21の表面
近傍に取り付け、切替光量判断回路57にて前記濃度検
出センサ56で検出された濃度からレーザ光量設定値の
切り替えを判断するようにしたものである。尚、実施の
形態1と同様な構成要素については実施の形態1と同様
の符号を付してここではその詳細な説明を省略する。
Second Embodiment Although the basic structure of the image forming apparatus according to the present embodiment is substantially the same as that of the first embodiment, it has an exposure control system as shown in FIG. 9 different from the first embodiment. doing. In the figure, in the exposure control system, a density detection sensor 56 is attached in the vicinity of the surface of the photoconductor 21 in place of the potential detection sensor 46 used in the first embodiment, and the switching light amount judgment circuit 57 uses the density detection sensor 56. The switching of the laser light amount set value is determined based on the density detected in (1). Note that components similar to those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those of the first embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.

【0036】また、図10は切替光量判断回路57の詳
細を示す説明図である。同図において、切替光量判断回
路57は、通常の画像形成サイクルと異なる感光体特性
検査サイクル(実施の形態1と同様)時に動作するもの
であり、アナログビデオ信号を格納する第1のメモリ5
71と、前記アナログビデオ信号に対応して感光体21
上に形成される潜像の現像濃度を格納する第2のメモリ
572と、可視像化する上で必要な基準濃度(実施の形
態1の低変曲点電位VLに相当)を格納した基準濃度メ
モリ573とを備えている。また、符号574は前記第
2のメモリ572に格納された現像濃度と基準濃度メモ
リ573の基準濃度とを比較し、第2メモリ572内の
現像濃度が基準濃度に到達せず基準濃度に限りなく近い
条件下で第2のメモリ572内の現像濃度とそのアドレ
スを第1のメモリ571に送出し、その現像濃度を発生
させたアナログビデオ信号を第1のメモリ571内から
取して光量切替回路45へ渡すための比較器である。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing the details of the switching light amount judgment circuit 57. In the figure, the switching light amount determination circuit 57 operates during a photoconductor characteristic inspection cycle different from the normal image forming cycle (similar to the first embodiment), and the first memory 5 for storing analog video signals.
71 and the photoconductor 21 corresponding to the analog video signal.
A second memory 572 that stores the development density of the latent image formed above, and a reference that stores the reference density (corresponding to the low inflection point potential VL of the first embodiment) necessary for visualizing the image. And a density memory 573. Further, reference numeral 574 compares the development density stored in the second memory 572 with the reference density of the reference density memory 573, and the development density in the second memory 572 does not reach the reference density and the reference density is unlimited. Under similar conditions, the development density in the second memory 572 and its address are sent to the first memory 571, and the analog video signal that has generated the development density is taken from the first memory 571 and the light amount switching circuit It is a comparator for passing to 45.

【0037】従って、本実施の形態にあっては、以下の
ような感光体特性検査サイクルと画像形成サイクルとが
行われる。 ●感光体特性検査サイクル 先ず、デジタルデータ出力装置40からパルス幅が数段
階に振られたデジタルデータ(標準条件時における基準
濃度に対応するデジタルデータの前後範囲で選択)を順
次出力し、DA変換器41、比較回路43を経てレーザ
(LD)駆動回路44にて発生したレーザ光により感光
体21上に数段階の静電潜像を形成すると共に、現像装
置24にて現像する。この状態において、各パルス幅の
現像濃度を濃度検出センサ56にて検出し、アナログビ
デオ信号とそれによって発生した感光体21上の現像濃
度とを切替光量判断回路57の第1のメモリ571、第
2のメモリ572にそれぞれ格納する。そして、第2の
メモリ572に格納された現像濃度と基準濃度とを比較
して、初めて基準濃度に到達しない現像濃度とそのアド
レスとを第1のメモリ571に返し、その現像濃度に対
応するアナログビデオ信号を第1のメモリ571中から
取り出し、これを光量切替閾値信号として光量切替回路
45に渡す。
Therefore, in the present embodiment, the following photoreceptor characteristic inspection cycle and image forming cycle are performed. ● Photoconductor characteristic inspection cycle First, the digital data output device 40 sequentially outputs the digital data whose pulse width has been changed in several steps (selected in the front-back range of the digital data corresponding to the reference density under standard conditions), and performs DA conversion. An electrostatic latent image of several stages is formed on the photoconductor 21 by the laser light generated by the laser (LD) drive circuit 44 through the container 41 and the comparison circuit 43, and is developed by the developing device 24. In this state, the development density of each pulse width is detected by the density detection sensor 56, and the analog video signal and the development density on the photoconductor 21 generated thereby are switched. 2 memories 572 respectively. Then, the development density stored in the second memory 572 is compared with the reference density, and the development density which does not reach the reference density for the first time and its address are returned to the first memory 571, and the analog corresponding to the development density is obtained. The video signal is taken out from the first memory 571 and passed to the light amount switching circuit 45 as a light amount switching threshold signal.

【0038】●画像形成サイクル 通常の画像形成サイクルにおいて、デジタルデータ出力
装置40から多階調画像データからなるデジタル信号が
出力され、DA変換器41にてアナログビデオ信号に変
換されると、実施の形態1と同様に、アナログビデオ信
号が前記光量切替閾値信号より大きい場合には、光量切
替回路45はレーザ駆動回路44に光量切替信号を送出
せず、レーザ駆動回路44のレーザ光量設定値を通常の
設定値のままに維持するが、アナログビデオ信号が前記
光量切替閾値信号以下である場合には、光量切替回路4
5はレーザ駆動回路44に光量切替信号を送出し、レー
ザ駆動回路44のレーザ光量設定値を切り替え、低解像
領域において現像可能なレベルのビーム露光量に切り替
える。
Image Forming Cycle In a normal image forming cycle, when a digital signal consisting of multi-gradation image data is output from the digital data output device 40 and converted into an analog video signal by the DA converter 41, it is executed. Similar to the first embodiment, when the analog video signal is larger than the light amount switching threshold signal, the light amount switching circuit 45 does not send the light amount switching signal to the laser drive circuit 44, and the laser light amount set value of the laser drive circuit 44 is normally set. However, if the analog video signal is equal to or less than the light amount switching threshold signal, the light amount switching circuit 4
Reference numeral 5 sends a light amount switching signal to the laser drive circuit 44 to switch the laser light amount set value of the laser drive circuit 44 to switch the beam exposure amount to a level at which development is possible in the low resolution area.

【0039】この形態においても、高解像領域のみなら
ず、低解像領域の潜像についても確実に可視像化され、
画像の高階調性が達成された。
Also in this embodiment, not only the high-resolution area but also the latent image in the low-resolution area can be surely visualized,
High gradation of the image was achieved.

【0040】[0040]

【実施例】【Example】

◎実施例1 本実施例は解像度400spiの画素に対して適応した
ものであり、レーザビーム半径を主走査方向は20μ
m、副走査方向を30μmとし、ビームパワーを0.4
mW、また、光書き込み装置23として、走査速度が1
000m/sであるROS(Raster Output Scanner)
を用いた。そして、パルス幅を変調すると共に、低解像
領域でビームパワーを増大させた場合の階調性の変化に
ついてシミュレート実験した。尚、本実施例で用いられ
るHigh−γ特性の感光体のPIDC(Photoinduced
Discharge Curve)を図11に、また、単位画素あたり
のROS点灯時間とビームパワー(露光量)との関係を
図12に夫々示す。
Example 1 This example is applied to a pixel having a resolution of 400 spi, and the laser beam radius is set to 20 μm in the main scanning direction.
m, the sub-scanning direction is 30 μm, and the beam power is 0.4
mW, and the optical writing device 23 has a scanning speed of 1
ROS (Raster Output Scanner) of 000 m / s
Was used. Then, a simulation experiment was carried out on the change in gradation when the pulse width was modulated and the beam power was increased in the low resolution region. The PIDC (Photoinduced) of the high-γ photoconductor used in this embodiment is used.
11 shows the discharge curve), and FIG. 12 shows the relationship between the ROS lighting time per unit pixel and the beam power (exposure amount).

【0041】図13はパルス幅WL(本実施例ではWL=
30%)以下でビームパワーを増大させた場合の、RO
S点灯時間(パルス幅変調0〜100%)を10%刻み
で行ったときのROS点灯時間と露光量との関係を示
し、図14は図13と同様な条件下におけるROS点灯
時間と感光体上の潜像電位分布との関係を示す。尚、図
13,14の横軸の長さ(FS方向)は主走査方向の画
素幅寸法を示す。本実施例では、ビームパワーの増大幅
は20%時が0.4mWから0.5mW、10%時が
0.4mWから0.8mWとした。
FIG. 13 shows a pulse width WL (WL = WL in this embodiment).
RO when the beam power is increased below 30%)
FIG. 14 shows the relationship between the ROS lighting time and the exposure amount when the S lighting time (pulse width modulation 0 to 100%) is performed in steps of 10%. FIG. 14 shows the ROS lighting time and the photoconductor under the same conditions as in FIG. The relationship with the above latent image potential distribution is shown. Note that the horizontal axis lengths (FS direction) in FIGS. 13 and 14 represent pixel width dimensions in the main scanning direction. In this example, the increase width of the beam power was set to 0.4 mW to 0.5 mW at 20% and 0.4 mW to 0.8 mW at 10%.

【0042】本実施例において、高解像性は現像電位
(ここでは300V)で切ったときの潜像電位幅が変調
パルス幅毎に一定間隔となっているときに良好であると
判断した。図13、図14によれば、パルス幅WL以下
でビームパワーを増大させた場合は、0〜30%間でも
高解像性を維持でき、カラー画像に多い低解像部分の階
調をビームパワーを変調しない比較例1(図15、図1
6参照)に比べ、より長い範囲で取ることができ、安定
したハーフトーン画像を得ることができる。
In the present embodiment, high resolution was judged to be good when the latent image potential width at the time of cutting at the developing potential (here, 300 V) was a constant interval for each modulation pulse width. According to FIG. 13 and FIG. 14, when the beam power is increased with the pulse width WL or less, the high resolution can be maintained even between 0 and 30%, and the gradation of the low resolution portion that is often included in the color image is reduced to the beam. Comparative Example 1 in which power is not modulated (FIGS. 15 and 1)
6)), a longer range can be obtained, and a stable halftone image can be obtained.

【0043】◎比較例1 ビームパワーを0.4mW一定とし、それ以外を実施例
1と同様の条件下においてパルス幅変調して、階調性の
変化についてシミュレート実験した。図15はパルス幅
WL(本実施例ではWL=30%)以下でビームパワーを
変えない場合の、ROS点灯時間Cin(パルス幅変調0
〜100%)を10%刻みで行ったときのROS点灯時
間と露光量との関係を示し、図16は図15と同様な条
件下におけるROS点灯時間と感光体上の潜像電位分布
との関係を示す。図15、図16によれば、ビームパワ
ーを変えない場合、ROS点灯時間(変調パルス幅)C
inが30%を下回ると解像性が落ち、20%を下回ると
感光体上に潜像を形成しないことが確認された。このた
め、低解像部分の階調をとるためにパルス幅20〜30
%の領域を極めて狭い範囲で使わなければならない。
Comparative Example 1 A beam width was kept constant at 0.4 mW and pulse width modulation was carried out under the same conditions as in Example 1 except for the above conditions, and a simulation experiment was carried out for changes in gradation. FIG. 15 shows the ROS lighting time Cin (pulse width modulation 0 when the beam power is not changed within the pulse width WL (WL = 30% in this embodiment).
FIG. 16 shows the relationship between the ROS lighting time and the latent image potential distribution on the photoconductor under the same conditions as in FIG. Show the relationship. According to FIGS. 15 and 16, when the beam power is not changed, the ROS lighting time (modulation pulse width) C
It was confirmed that when in was less than 30%, the resolution was poor, and when it was less than 20%, a latent image was not formed on the photoreceptor. Therefore, in order to obtain the gradation of the low resolution portion, the pulse width is 20 to 30
% Area must be used in a very narrow range.

【0044】◎比較例2 実施例1は感光体上の主走査方向のビーム径が副走査方
向に比べて小さくなっている場合について述べた。次
に、レーザビーム半径を主走査方向は30μm、副走査
方向を30μmとし、ビームパワーを0.6mW、ま
た、ROSの走査速度は1000m/sで同様のシミュ
レート実験を行った。図17はパルス幅WL以下でビー
ムパワーを変えない場合の、ROS点灯時間(パルス幅
変調を0〜100%)を10%刻みで行ったときの感光
体上の潜像電位分布である。また、パルス幅WL以下で
ビームパワーを増大させ、低解像領域の階調性を高める
ため、パルス幅20%の時のビームパワーを0.85m
Wに上げた時の電位分布をパルス幅30%時の電位分布
と合わせた図を図18に示す。
Comparative Example 2 In Example 1, the case where the beam diameter on the photoconductor in the main scanning direction is smaller than that in the sub scanning direction was described. Next, a similar simulation experiment was conducted with a laser beam radius of 30 μm in the main scanning direction and 30 μm in the sub-scanning direction, a beam power of 0.6 mW, and a ROS scanning speed of 1000 m / s. FIG. 17 shows a latent image potential distribution on the photoconductor when the ROS lighting time (pulse width modulation is 0 to 100%) is performed in 10% increments when the beam power is not changed within the pulse width WL. Further, in order to increase the beam power below the pulse width WL and enhance the gradation of the low resolution area, the beam power at the pulse width of 20% is 0.85 m.
FIG. 18 shows a diagram in which the potential distribution when the pulse width is increased to W and the potential distribution when the pulse width is 30% are combined.

【0045】図17及び図18から分かるように、パル
ス幅WL以下でビームパワーを増大させた場合、パルス
幅20%の電位分布とパルス幅30%時の電位分布のグ
ラフとが重なってきてしまうことが把握される。このこ
とから、ビームの主走査方向のビーム径が副走査方向の
ビーム系と同等だと、パルス幅WL以下でビームパワー
を増大させても、現像電位付近で見たときの幅も増大
し、低解像領域の階調性を高める効果を起こさないこと
があることが理解される。それゆえ、主走査方向のビー
ム径が副走査方向に比べて小さくなっている場合に、パ
ルス幅WL以下の低解像領域で潜像形成を行い、高階調
性を達成できる効果を有効に働かせることが可能である
ことが確認される。
As can be seen from FIGS. 17 and 18, when the beam power is increased below the pulse width WL, the potential distribution graph with a pulse width of 20% and the potential distribution graph with a pulse width of 30% overlap. Be understood. From this, if the beam diameter of the beam in the main scanning direction is equivalent to that of the beam system in the sub-scanning direction, even if the beam power is increased below the pulse width WL, the width when viewed near the developing potential also increases, It is understood that the effect of enhancing the gradation of the low resolution area may not occur. Therefore, when the beam diameter in the main scanning direction is smaller than that in the sub-scanning direction, latent images are formed in a low resolution area of a pulse width WL or less, and the effect of achieving high gradation can be effectively exerted. It is confirmed that it is possible.

【0046】◎比較例3 この比較例は、積層型感光体を用い、ビームパワーを
0.28mW一定とし、それ以外を実施例1と同様の条
件下においてパルス幅変調して、階調性の変化について
シミュレート実験した。図19は本比較例で用いた積層
型感光体のPIDCを示し、図20はビームパワーを変
えない場合の、ROS点灯時間Cin(パルス幅変調0〜
100%)を10%刻みで行ったときのROS点灯時間
と露光量との関係を示し、図21は図20と同様な条件
下におけるROS点灯時間と感光体上の潜像電位分布と
の関係を示す。この比較例によれば、本実施例に係るH
igh−γ特性の感光体において、図21に相当するR
OS点灯時間と感光体上の潜像電位分布との関係が得ら
れていることが確認される。
Comparative Example 3 In this comparative example, a laminated photoconductor was used, the beam power was kept constant at 0.28 mW, and the pulse width was modulated under the same conditions as in Example 1 except that the gradation power was changed. A simulated experiment was conducted on the changes. FIG. 19 shows the PIDC of the laminated photoconductor used in this comparative example, and FIG. 20 shows the ROS lighting time Cin (pulse width modulation 0 to 0 when the beam power is not changed).
FIG. 21 shows the relationship between the ROS lighting time and the latent image potential distribution on the photoconductor under the same conditions as in FIG. 20, when the ROS lighting time and the exposure amount are measured in 10% increments. Indicates. According to this comparative example, H according to the present example
In a photoreceptor having a high-γ characteristic, R corresponding to FIG.
It is confirmed that the relationship between the OS lighting time and the latent image potential distribution on the photoconductor is obtained.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、スイッチング的に電位減衰する感度曲線を持つHi
gh−γ特性の感光体において、電位減衰するレベルの
閾値未満のパルス幅にて変調された光量のビームパワー
を、前記閾値以上のパルス幅にて変調された光量のビー
ムパワーに比べて大きく設定することにより、前記閾値
未満の低解像領域での潜像形成を行うようにしたので、
High−γ特性の感光体を用いて、高解像領域のみな
らず、低解像領域までの階調性を確実に達成できる。こ
のため、High−γ特性の感光体を電子写真プロセス
に適用するとき、消費電力、感光体の劣化を最小限に抑
えながら、低解像領域の階調性を高め、高階調な画像形
成を確実に実現することができる。
As described above, according to the present invention, a Hi curve having a sensitivity curve in which the potential is switched is attenuated.
In the photoconductor having the gh-γ characteristic, the beam power of the light quantity modulated by the pulse width less than the threshold value of the potential attenuation level is set to be larger than the beam power of the light quantity modulated by the pulse width more than the threshold value. By doing so, since the latent image is formed in the low resolution area below the threshold,
By using the photoreceptor having the High-γ characteristic, it is possible to surely achieve not only the high resolution region but also the gradation property in the low resolution region. For this reason, when a high-γ characteristic photoconductor is applied to an electrophotographic process, it is possible to enhance the gradation of a low-resolution area and form a high-gradation image while minimizing power consumption and deterioration of the photoconductor. It can certainly be realized.

【0048】また、本発明において、感光体の経時変化
や環境変化による電位減衰するレベルの閾値変化を定期
的に求め、求められた閾値未満の低解像領域についてビ
ームパワーを増大させるようにすれば、感光体の経時変
化や環境変化に影響されることなく、低解像領域の階調
性を高め、高階調な画像形成を確実に実現することがで
きる。
Further, in the present invention, the threshold value change of the potential attenuation level due to the time-dependent change of the photoconductor or the environment change is periodically obtained, and the beam power is increased in the low resolution region below the obtained threshold value. For example, it is possible to enhance the gradation of the low-resolution area and surely realize the high-gradation image formation without being affected by the temporal change of the photoconductor or the environmental change.

【0049】更に、本発明において、感光体上に照射す
るビームドット径として主走査方向の径寸法を副走査方
向の径寸法に比べて小さく設定するようにすれば、低解
像領域の階調性を確実に高めることができる。
Further, in the present invention, if the diameter of the beam dot irradiated on the photoconductor is set smaller in the main scanning direction than in the sub scanning direction, the gradation of the low resolution region Sex can be surely enhanced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 この発明に係る画像形成方法及びその装置の
構成を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a configuration of an image forming method and an apparatus thereof according to the present invention.

【図2】 この発明に係る画像形成原理を示す説明図で
ある。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an image forming principle according to the present invention.

【図3】 実施の形態1に係る画像形成装置の概要を示
す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing an outline of the image forming apparatus according to the first embodiment.

【図4】 (a)は実施の形態1で用いられる感光体ド
ラムの明減衰特性を示す説明図、(b)は実施の形態1
で用いられる感光体ドラムの暗減衰特性を示す説明図で
ある。
FIG. 4A is an explanatory diagram showing a light attenuation characteristic of the photosensitive drum used in the first embodiment, and FIG. 4B is a first embodiment.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing dark attenuation characteristics of a photoconductor drum used in FIG.

【図5】 実施の形態1で用いられるレーザの出力特性
を示すグラフ図である。
FIG. 5 is a graph showing the output characteristics of the laser used in the first embodiment.

【図6】 実施の形態1で用いられるレーザ出力光量で
ある露光量と感光体表面電位との関係を示すグラフ図で
ある。
FIG. 6 is a graph showing a relationship between an exposure amount, which is a laser output light amount used in the first embodiment, and a photosensitive member surface potential.

【図7】 実施の形態1で用いられる露光制御系を示す
ブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram showing an exposure control system used in the first embodiment.

【図8】 図7の切替光量判断回路の詳細を示すブロッ
ク図である。
8 is a block diagram showing details of a switching light amount determination circuit of FIG.

【図9】 実施の形態2で用いられる露光制御系を示す
ブロック図である。
FIG. 9 is a block diagram showing an exposure control system used in the second embodiment.

【図10】 図9の切替光量判断回路の詳細を示すブロ
ック図である。
10 is a block diagram showing details of a switching light amount determination circuit in FIG.

【図11】 実施例1で用いられる感光体のPIDCを
示すグラフ図である。
FIG. 11 is a graph showing PIDC of the photoconductor used in Example 1.

【図12】 実施例1で用いられる感光体の単位画素あ
たりのROS点灯時間と露光量との関係を示すグラフ図
である。
FIG. 12 is a graph showing the relationship between ROS lighting time and exposure amount per unit pixel of the photoconductor used in Example 1.

【図13】 実施例1において、パルス幅WL以下でビ
ームパワーを増大させた場合の、ROS点灯時間(パル
ス幅変調0〜100%)を10%刻みで行ったときのR
OS点灯時間と露光量との関係を示すグラフ図である。
FIG. 13 is a graph showing R when the ROS lighting time (pulse width modulation 0 to 100%) is increased by 10% when the beam power is increased below the pulse width WL in the first embodiment.
It is a graph figure which shows the relationship between OS lighting time and exposure amount.

【図14】 図13と同様な条件下におけるROS点灯
時間と感光体上の潜像電位分布との関係を示すグラフ図
である。
FIG. 14 is a graph showing the relationship between the ROS lighting time and the latent image potential distribution on the photoconductor under the same conditions as in FIG.

【図15】 比較例1において、パルス幅WL以下でビ
ームパワーを変えない場合の、ROS点灯時間(パルス
幅変調0〜100%)を10%刻みで行ったときのRO
S点灯時間と露光量との関係を示すグラフ図である。
FIG. 15 shows RO in Comparative Example 1 when the ROS lighting time (pulse width modulation 0 to 100%) is performed in 10% increments when the beam power is not changed below the pulse width WL.
It is a graph which shows the relationship between S lighting time and exposure amount.

【図16】 図15と同様な条件下におけるROS点灯
時間と感光体上の潜像電位分布との関係を示すグラフ図
である。
FIG. 16 is a graph showing the relationship between the ROS lighting time and the latent image potential distribution on the photoconductor under the same conditions as in FIG.

【図17】 比較例2において、パルス幅WL以下でビ
ームパワーを変えない場合の、ROS点灯時間(パルス
幅変調を0〜100%)を10%刻みで行ったときの感
光体上の潜像電位分布である。
FIG. 17 is a latent image on the photoconductor in Comparative Example 2 when the ROS lighting time (pulse width modulation is 0 to 100%) is performed in 10% increments when the beam power is not changed below the pulse width WL. It is a potential distribution.

【図18】 比較例2において、パルス幅20%の時の
ビームパワーを0.85mWに上げた時の電位分布をパ
ルス幅30%時の電位分布と合わせたグラフ図である。
FIG. 18 is a graph showing the potential distribution when the beam power is increased to 0.85 mW when the pulse width is 20% and the potential distribution when the pulse width is 30% in Comparative Example 2.

【図19】 比較例3で用いられる積層型感光体のPI
DCを示すグラフ図である。
FIG. 19 is a diagram showing the PI of the laminated photoconductor used in Comparative Example 3.
It is a graph which shows DC.

【図20】 比較例3に係るビームパワーを変えない場
合の、ROS点灯時間(パルス幅変調0〜100%)を
10%刻みで行ったときのROS点灯時間と露光量との
関係を示すグラフ図である。
FIG. 20 is a graph showing the relationship between the ROS lighting time and the exposure amount when the ROS lighting time (pulse width modulation 0 to 100%) is performed in 10% increments when the beam power is not changed according to Comparative Example 3. It is a figure.

【図21】 図20と同様な条件下におけるROS点灯
時間と感光体上の潜像電位分布との関係を示すグラフ図
である。
FIG. 21 is a graph showing the relationship between the ROS lighting time and the latent image potential distribution on the photoconductor under the same conditions as in FIG.

【図22】 単層型感光体のインダクション効果による
電位減衰特性を示すグラフ図である。
FIG. 22 is a graph showing potential decay characteristics of a single-layer type photoconductor due to an induction effect.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…感光体,2…帯電手段,3…露光手段,4…現像手
段,5…パルス幅可変手段,6…露光強度可変手段,
7,12…検査用像作成手段,8…電位検出手段,9,
14…閾値パルス幅判別手段,10,15…パルス幅判
断手段,11,16…露光強度制御手段,13…濃度検
出手段,21…感光体,22…帯電装置,23…光書き
込み装置,24…現像装置,40…デジタルデータ出力
装置,41…DA変換器,42…三角波発生器,43…
比較回路,44…レーザ(LD)駆動回路,45…光量
切替回路,46…電位検出センサ,47,57…切替光
量判断回路,56…濃度検出センサ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Photoconductor, 2 ... Charging means, 3 ... Exposure means, 4 ... Developing means, 5 ... Pulse width varying means, 6 ... Exposure intensity varying means,
7, 12 ... Image forming means for inspection, 8 ... Potential detecting means, 9,
14 ... Threshold pulse width determination means, 10, 15 ... Pulse width determination means, 11, 16 ... Exposure intensity control means, 13 ... Density detection means, 21 ... Photoconductor, 22 ... Charging device, 23 ... Optical writing device, 24 ... Developing device, 40 ... Digital data output device, 41 ... DA converter, 42 ... Triangular wave generator, 43 ...
Comparing circuit, 44 ... Laser (LD) drive circuit, 45 ... Light quantity switching circuit, 46 ... Potential detection sensor, 47, 57 ... Switching light quantity judging circuit, 56 ... Density detection sensor

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一様帯電された表面電位(VP)がある
露光量(A0)を境として急激に減衰する電位減衰特性
の感光体(1)を用い、帯電工程にて帯電された感光体
(1)に対し露光工程による露光にて画像パターンに応
じた潜像を書き込み、現像工程にて前記潜像を可視像化
する画像形成方法において、 多階調画像データに応じたパルス幅が露光工程による潜
像形成若しくは現像工程による現像形成可能なレベルで
ある閾値パルス幅(WL)以上か否かを判別するパルス
幅判別工程と、 このパルス幅判別工程にて前記パルス幅が閾値パルス幅
(WL)以上であると判別された条件下では、照射ビー
ムが通常の露光強度による露光を行なう高解像領域用露
光工程と、 前記パルス幅判別工程にて前記パルス幅が閾値パルス幅
(WL)未満であると判別された条件下では、照射ビー
ムが通常の露光強度よりも大きく設定され、閾値パルス
幅(WL)未満の低解像領域の潜像電位レベルが現像可
能レベルになる露光を行なう低解像領域用露光工程とを
備えたことを特徴とする画像形成方法。
1. A photoconductor charged in a charging step by using a photoconductor (1) having a potential decay characteristic that abruptly decays at a certain exposure amount (A0) with a uniformly charged surface potential (VP). In contrast to (1), in the image forming method in which a latent image corresponding to an image pattern is written by exposure in the exposure step and the latent image is visualized in the developing step, a pulse width corresponding to multi-tone image data is A pulse width determining step of determining whether or not a threshold pulse width (WL) which is a level capable of forming a latent image in the exposure step or development forming in the developing step, and the pulse width in the pulse width determining step. Under the condition of being determined to be (WL) or more, the exposure process for the high resolution region in which the irradiation beam performs exposure with a normal exposure intensity, and the pulse width in the pulse width determination process is the threshold pulse width (WL ) Less than Under the above conditions, the irradiation beam is set to be larger than the normal exposure intensity, and the latent image potential level of the low resolution area less than the threshold pulse width (WL) becomes the developable level. An image forming method comprising: an exposure step.
【請求項2】 一様帯電された表面電位(VP)がある
露光量(A0)を境として急激に減衰する電位減衰特性
の感光体(1)を用い、帯電手段(2)にて帯電された
感光体(1)に対し露光手段(3)による露光にて画像
パターンに応じた潜像を書き込み、現像手段(4)にて
前記潜像を可視像化する画像形成装置において、 前記露光手段(3)には、多階調画像データに応じて照
射ビームのパルス幅を変調するパルス幅可変手段(5)
と、照射ビームの露光強度を可変設定する露光強度可変
手段(6)とを設け、 通常の画像形成サイクルと異なる感光体特性検査サイク
ル時に前記パルス幅可変手段(5)にて露光手段(3)
からパルス幅の異なる複数のビームを照射させ、感光体
(1)上に複数のパルス幅のビーム露光による潜像を段
階的に作成する検査用像作成手段(7)と、 この検査用像作成手段(7)にて作成された感光体
(1)上の各パルス幅に対応する潜像電位を検出する電
位検出手段(8)と、 この電位検出手段(8)にて検出された潜像電位のう
ち、感光体(1)の急激な電位減衰部分の低電位側変曲
点における低変曲点電位(VL)に対応する露光手段
(3)の閾値パルス幅(WL)を求める閾値パルス幅判
別手段(9)と、 画像形成サイクル時にパルス幅可変手段(5)にて可変
設定される多階調画像データのパルス幅が前記閾値パル
ス幅判別手段(9)にて判別された閾値パルス幅(W
L)よりも小さいか否かを判断するパルス幅判断手段
(10)と、 このパルス幅判断手段(10)にて多階調画像データの
パルス幅が閾値パルス幅(WL)よりも小さいと判断さ
れた状況下で、露光強度可変手段(6)による露光強度
を閾値パルス幅(WL)以上の時に比べて大きく設定
し、閾値パルス幅(WL)未満の低解像領域の潜像電位
レベルを現像可能レベルに変更する露光強度制御手段
(11)とを備えたことを特徴とする画像形成装置。
2. A uniformly charged surface potential (VP) is charged by a charging means (2) by using a photoconductor (1) having a potential decay characteristic that abruptly decays at a certain exposure amount (A0). In the image forming apparatus, the latent image corresponding to the image pattern is written on the photoconductor (1) by the exposure unit (3) and the latent image is visualized by the developing unit (4). The means (3) includes pulse width varying means (5) for modulating the pulse width of the irradiation beam according to the multi-tone image data.
And an exposure intensity varying means (6) for variably setting the exposure intensity of the irradiation beam, and the pulse width varying means (5) exposes the exposure means (3) at the photoconductor characteristic inspection cycle different from the normal image forming cycle.
From a plurality of beams having different pulse widths from each other to form a latent image stepwise on the photoconductor (1) by beam exposure with a plurality of pulse widths, and an inspection image forming means (7). Potential detecting means (8) for detecting the latent image potential corresponding to each pulse width on the photoconductor (1) created by the means (7), and the latent image detected by this potential detecting means (8) A threshold pulse for obtaining the threshold pulse width (WL) of the exposing means (3) corresponding to the low inflection point potential (VL) at the inflection point on the low potential side of the sharp potential decay portion of the photoconductor (1) among the potentials. The pulse width of the multi-tone image data that is variably set by the pulse width varying means (5) during the image forming cycle and the threshold width determined by the threshold pulse width determining means (9). Width (W
Pulse width determining means (10) for determining whether or not the pulse width of the multi-gradation image data is smaller than the threshold pulse width (WL). Under such a situation, the exposure intensity by the exposure intensity varying means (6) is set to be larger than that when the threshold pulse width (WL) is equal to or more than the threshold pulse width (WL), and the latent image potential level in the low resolution area less than the threshold pulse width (WL) is set. An image forming apparatus comprising: an exposure intensity control unit (11) for changing to a developable level.
【請求項3】 一様帯電された表面電位(VP)がある
露光量(A0)を境として急激に減衰する電位減衰特性
の感光体(1)を用い、帯電手段(2)にて帯電された
感光体(1)に対し露光手段(3)による露光にて画像
パターンに応じた潜像を書き込み、現像手段(4)にて
前記潜像を可視像化する画像形成装置において、 前記露光手段(3)には、多階調画像データに応じて照
射ビームのパルス幅を変調するパルス幅可変手段(5)
と、照射ビームの露光強度を可変設定する露光強度可変
手段(6)とを設け、 通常の画像形成サイクルと異なる感光体特性検査サイク
ル時に前記パルス幅可変手段(5)にて露光手段(3)
からパルス幅の異なる複数のビームを照射させ、感光体
(1)上に複数のパルス幅のビーム露光による潜像を段
階的に作成すると共に、各潜像を現像手段(4)にて可
視像化する検査用像作成手段(12)と、 この検査用像作成手段(12)にて作成された感光体
(1)上の各パルス幅に対応する現像像の濃度情報を検
出する濃度検出手段(13)と、 この濃度検出手段(13)にて検出される濃度情報に基
づいて、現像像が形成可能な下限レベルの濃度情報に対
応する閾値パルス幅(WL)を求める閾値パルス幅判別
手段(14)と、 画像形成サイクル時にパルス幅可変手段(5)にて可変
設定される多階調画像データのパルス幅が前記閾値パル
ス幅判別手段(14)にて判別された閾値パルス幅(W
L)よりも小さいか否かを判断するパルス幅判断手段
(15)と、 このパルス幅判断手段(15)にて多階調画像データの
パルス幅が閾値パルス幅(WL)よりも小さいと判断さ
れた状況下で、露光強度可変手段(6)による露光強度
を閾値パルス幅(WL)以上の時に比べて大きく設定
し、閾値パルス幅(WL)未満の低解像領域の潜像電位
レベルを現像可能レベルに変更する露光強度制御手段
(16)とを備えたことを特徴とする画像形成装置。
3. A uniformly charged surface potential (VP) is charged by a charging means (2) by using a photoconductor (1) having a potential attenuation characteristic which is rapidly attenuated at a certain exposure amount (A0). In the image forming apparatus, the latent image corresponding to the image pattern is written on the photoconductor (1) by the exposure unit (3) and the latent image is visualized by the developing unit (4). The means (3) includes pulse width varying means (5) for modulating the pulse width of the irradiation beam according to the multi-tone image data.
And an exposure intensity varying means (6) for variably setting the exposure intensity of the irradiation beam, and the pulse width varying means (5) exposes the exposure means (3) at the photoconductor characteristic inspection cycle different from the normal image forming cycle.
Are irradiated with a plurality of beams having different pulse widths to form a latent image stepwise on the photoconductor (1) by beam exposure with a plurality of pulse widths, and each latent image is visualized by the developing means (4). Inspection image forming means (12) for forming an image, and density detection for detecting density information of a developed image corresponding to each pulse width on the photoconductor (1) formed by the inspection image forming means (12) Means (13) and threshold pulse width determination for obtaining a threshold pulse width (WL) corresponding to the density information of the lower limit level capable of forming a developed image, based on the density information detected by the density detecting means (13) Means (14) and the pulse width of the multi-gradation image data that is variably set by the pulse width varying means (5) during the image forming cycle. W
Pulse width determining means (15) for determining whether the pulse width is smaller than L), and the pulse width determining means (15) determines that the pulse width of the multi-tone image data is smaller than the threshold pulse width (WL). Under such a situation, the exposure intensity by the exposure intensity varying means (6) is set to be larger than that when the threshold pulse width (WL) is equal to or more than the threshold pulse width (WL), and the latent image potential level in the low resolution area less than the threshold pulse width (WL) is set. An image forming apparatus comprising: an exposure intensity control unit (16) for changing to a developable level.
【請求項4】 請求項2又は3いずれかに記載のものに
おいて、露光手段(3)は、感光体(1)上に照射する
ビームドット径として主走査方向の径寸法を副走査方向
の径寸法に比べて小さく設定したものであることを特徴
とする画像形成装置。
4. The exposure means (3) according to claim 2 or 3, wherein the diameter of the beam dot irradiated on the photoconductor (1) in the main scanning direction is the diameter of the beam dot in the sub scanning direction. An image forming apparatus characterized in that the size is set smaller than the size.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008076562A (en) * 2006-09-19 2008-04-03 Ricoh Co Ltd Image forming apparatus

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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