JPH09211403A - 光制御素子 - Google Patents
光制御素子Info
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- JPH09211403A JPH09211403A JP8016360A JP1636096A JPH09211403A JP H09211403 A JPH09211403 A JP H09211403A JP 8016360 A JP8016360 A JP 8016360A JP 1636096 A JP1636096 A JP 1636096A JP H09211403 A JPH09211403 A JP H09211403A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度変化による分極率の変化等に伴う電荷の
発生を防止し、動作特性の安定した光制御素子を提供す
ること。 【解決手段】 自発分極を有するＬＮ基板１の一の面の
表面近傍に光導波路２を形成し、さらに該ＬＮ基板１の
一の面上にバッファ層３及び電圧印加用の電極４を形成
してなる光制御素子において、ＬＮ基板１と同じ材質及
び大きさを備えた分極調整板２１を、ＬＮ基板１の他の
面側にその分極方向がＬＮ基板１と逆になるよう配置す
ることにより、温度変化による分極率の変化等に伴って
ＬＮ基板１の一の面側の表面に発生しようとする電荷
を、分極調整板２１で発生しようとする同一符号の電荷
によって抑制する。
発生を防止し、動作特性の安定した光制御素子を提供す
ること。 【解決手段】 自発分極を有するＬＮ基板１の一の面の
表面近傍に光導波路２を形成し、さらに該ＬＮ基板１の
一の面上にバッファ層３及び電圧印加用の電極４を形成
してなる光制御素子において、ＬＮ基板１と同じ材質及
び大きさを備えた分極調整板２１を、ＬＮ基板１の他の
面側にその分極方向がＬＮ基板１と逆になるよう配置す
ることにより、温度変化による分極率の変化等に伴って
ＬＮ基板１の一の面側の表面に発生しようとする電荷
を、分極調整板２１で発生しようとする同一符号の電荷
によって抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光の変調や光路の
切り替えを行う能動的な光デバイスとしての光制御素
子、特に基板内に設けられた光導波路を用いて制御を行
う光制御素子に関するものである。
切り替えを行う能動的な光デバイスとしての光制御素
子、特に基板内に設けられた光導波路を用いて制御を行
う光制御素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光通信システムにおいては、
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ：ＬＮ）等の電気光学
効果を有する強誘電体を利用して、電気信号により光の
変調やスイッチングあるいは偏波制御を行う光変調器や
光スイッチあるいは偏波制御器のような光制御素子が用
いられている。
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ：ＬＮ）等の電気光学
効果を有する強誘電体を利用して、電気信号により光の
変調やスイッチングあるいは偏波制御を行う光変調器や
光スイッチあるいは偏波制御器のような光制御素子が用
いられている。
【０００３】図１は従来の光制御素子、ここではマッハ
ツェンダ型光強度変調器の一例を示すもので、同図(a)
は平面図、同図(b) は同図(a) 中のＡ−Ａ´線矢視方向
の断面図である。
ツェンダ型光強度変調器の一例を示すもので、同図(a)
は平面図、同図(b) は同図(a) 中のＡ−Ａ´線矢視方向
の断面図である。
【０００４】図１において、１は電気光学効果を有する
ｚカットＬＮ基板であり、その一の面（−ｚ面）の表面
近傍にはＴｉ拡散法により、途中がマッハツェンダ干渉
計を構成する如く２本（２ａ，２ｂ）に分岐された光導
波路２が形成されている。また、ＬＮ基板１の一の面上
にはＳｉＯ2 等の誘電体からなるバッファ層３が形成さ
れ（一般に、光導波路近傍に金属が存在すると、光の伝
搬損失が大きくなるため）、さらに光導波路２の屈折率
を制御するための３つの部分４ａ，４ｂ，４ｃからなる
電圧印加用の電極４が形成されている。また、前記電極
４ａと４ｂ，４ｃとの間には変調用のマイクロ波電圧５
が供給されている。
ｚカットＬＮ基板であり、その一の面（−ｚ面）の表面
近傍にはＴｉ拡散法により、途中がマッハツェンダ干渉
計を構成する如く２本（２ａ，２ｂ）に分岐された光導
波路２が形成されている。また、ＬＮ基板１の一の面上
にはＳｉＯ2 等の誘電体からなるバッファ層３が形成さ
れ（一般に、光導波路近傍に金属が存在すると、光の伝
搬損失が大きくなるため）、さらに光導波路２の屈折率
を制御するための３つの部分４ａ，４ｂ，４ｃからなる
電圧印加用の電極４が形成されている。また、前記電極
４ａと４ｂ，４ｃとの間には変調用のマイクロ波電圧５
が供給されている。
【０００５】ここで、強度が一定の入射光６を光導波路
２に入射すると、該光は２本の光導波路２ａ，２ｂにそ
のパワーが分配されて伝搬するが、光導波路２と電極４
に給電された電圧とが相互作用する領域で各光導波路２
ａ，２ｂの屈折率、即ち光の位相が前記電圧に応じて変
化するため、合波された光は干渉し合い、強度変調され
た出射光７となる。
２に入射すると、該光は２本の光導波路２ａ，２ｂにそ
のパワーが分配されて伝搬するが、光導波路２と電極４
に給電された電圧とが相互作用する領域で各光導波路２
ａ，２ｂの屈折率、即ち光の位相が前記電圧に応じて変
化するため、合波された光は干渉し合い、強度変調され
た出射光７となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＬｉＮｂＯ
3 結晶のような自発分極を有する結晶においては、一般
に、温度によって分極率が変化する。図１の例では分極
方向が＋ｚ軸であるため、図２(a) に示すように、温度
変化があると分極率の変化に応じて基板の一の面側の表
面に電荷１１，１２が発生する（これを焦電効果とい
う。）。そして、図２(b) に示すように、前記電荷１１
（１１´），１２を打ち消すようにアースから電荷１
３，１４，１５が電極４ａ，４ｂ，４ｃに供給される。
3 結晶のような自発分極を有する結晶においては、一般
に、温度によって分極率が変化する。図１の例では分極
方向が＋ｚ軸であるため、図２(a) に示すように、温度
変化があると分極率の変化に応じて基板の一の面側の表
面に電荷１１，１２が発生する（これを焦電効果とい
う。）。そして、図２(b) に示すように、前記電荷１１
（１１´），１２を打ち消すようにアースから電荷１
３，１４，１５が電極４ａ，４ｂ，４ｃに供給される。
【０００７】ここで、電荷１３，１４，１５の量をＱc
，Ｑg1，Ｑg2とすると、これらの差分｜Ｑg1＋Ｑg2−
Ｑc ｜に相当する電圧が印加されたことになるため、図
３に示すように変調素子の動作特性が変化してしまう
（これを温度ドリフトという。）という問題があった。
，Ｑg1，Ｑg2とすると、これらの差分｜Ｑg1＋Ｑg2−
Ｑc ｜に相当する電圧が印加されたことになるため、図
３に示すように変調素子の動作特性が変化してしまう
（これを温度ドリフトという。）という問題があった。
【０００８】また、一般に、ＬＮ基板１とバッファ層３
あるいは電極４との熱膨脹係数は異なるため、温度変化
によりＬＮ基板１等に歪みや応力が発生する。この時、
ＬＮ基板１は圧電効果を有するため、基板表面に電荷が
発生することになり、前記同様に動作特性が変化してし
まうという問題があった。
あるいは電極４との熱膨脹係数は異なるため、温度変化
によりＬＮ基板１等に歪みや応力が発生する。この時、
ＬＮ基板１は圧電効果を有するため、基板表面に電荷が
発生することになり、前記同様に動作特性が変化してし
まうという問題があった。
【０００９】本発明の目的は、温度変化による分極率の
変化等に伴う電荷の発生を防止し、動作特性の安定した
光制御素子を提供することにある。
変化等に伴う電荷の発生を防止し、動作特性の安定した
光制御素子を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の請求項１では、自発分極を有し一の面側の
表面近傍に少なくとも１本の光導波路が形成された基板
と、該光導波路の近傍に配置された電極とを備えた光制
御素子において、分極方向を有する分極調整板を前記基
板の他の面側にその分極方向が該基板と逆になるよう配
置した。
め、本発明の請求項１では、自発分極を有し一の面側の
表面近傍に少なくとも１本の光導波路が形成された基板
と、該光導波路の近傍に配置された電極とを備えた光制
御素子において、分極方向を有する分極調整板を前記基
板の他の面側にその分極方向が該基板と逆になるよう配
置した。
【００１１】前記構成によれば、温度変化による分極率
の変化等に伴って基板の一の面側の表面に発生しようと
する電荷が、その分極方向が逆になるよう配置された分
極調整板で発生しようとする同一符号の電荷によって抑
制されるため、温度が変化しても安定した動作を行うこ
とができる。
の変化等に伴って基板の一の面側の表面に発生しようと
する電荷が、その分極方向が逆になるよう配置された分
極調整板で発生しようとする同一符号の電荷によって抑
制されるため、温度が変化しても安定した動作を行うこ
とができる。
【００１２】この際、分極調整板を、基板の他の面に近
接もしくは接触するように配置し、または基板の他の面
に直接接合して配置し、あるいは接着層を介して基板の
他の面側に配置することができる。
接もしくは接触するように配置し、または基板の他の面
に直接接合して配置し、あるいは接着層を介して基板の
他の面側に配置することができる。
【００１３】また、基板と同等の材質からなる分極調整
板を用いれば、前述した電荷の抑制が容易となる。ま
た、分極調整板の基板に対向する面と反対の面側に応力
を調整するための膜を配置すれば、温度変化により基板
とその一の面側に配置される電極等との間に発生する歪
みや応力が、分極調整板と膜との間に発生する逆方向の
歪みや応力によって抑制される。さらにこの時、基板の
一の面側に配置されるものと同等の材質・形状の膜を用
いれば、素子全体の歪みや応力を打ち消し合わせること
ができ、熱歪みや熱応力によって生じる電荷も調整でき
る。
板を用いれば、前述した電荷の抑制が容易となる。ま
た、分極調整板の基板に対向する面と反対の面側に応力
を調整するための膜を配置すれば、温度変化により基板
とその一の面側に配置される電極等との間に発生する歪
みや応力が、分極調整板と膜との間に発生する逆方向の
歪みや応力によって抑制される。さらにこの時、基板の
一の面側に配置されるものと同等の材質・形状の膜を用
いれば、素子全体の歪みや応力を打ち消し合わせること
ができ、熱歪みや熱応力によって生じる電荷も調整でき
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１５】図４は本発明の光制御素子の第１の実施の
形態、ここでは従来例と同様なマッハツェンダ型光強度
変調器の例を示すもので、同図(a) は平面図、同図(b)
は同図(a) 中のＢ−Ｂ´線矢視方向の断面図である。図
中、従来例と同一構成部分は同一符号をもって表す。即
ち、１はｚカットＬＮ基板、２は光導波路、３はバッフ
ァ層、４は電極、５はマイクロ波電圧、２１は分極調整
板である。なお、光導波路２の幅は５〜１０μｍであ
る。
形態、ここでは従来例と同様なマッハツェンダ型光強度
変調器の例を示すもので、同図(a) は平面図、同図(b)
は同図(a) 中のＢ−Ｂ´線矢視方向の断面図である。図
中、従来例と同一構成部分は同一符号をもって表す。即
ち、１はｚカットＬＮ基板、２は光導波路、３はバッフ
ァ層、４は電極、５はマイクロ波電圧、２１は分極調整
板である。なお、光導波路２の幅は５〜１０μｍであ
る。
【００１６】分極調整板２１はＬＮ基板１と同じ材質及
び大きさを備え、ＬＮ基板１の他の面（＋ｚ面）側にそ
の分極方向がＬＮ基板１と逆になるよう、具体的には＋
ｚ面がＬＮ基板１の＋ｚ面と対向する如く配置される。
び大きさを備え、ＬＮ基板１の他の面（＋ｚ面）側にそ
の分極方向がＬＮ基板１と逆になるよう、具体的には＋
ｚ面がＬＮ基板１の＋ｚ面と対向する如く配置される。
【００１７】前記構成において、変調器全体の温度が変
化すると、ＬＮ基板１や分極調整板２１の自発分極の温
度依存性により、表面に電荷が生じようとする。しか
し、ＬＮ基板１と分極調整板２１との対向する面におけ
る電荷は同じ符号であるため、発生そのものが抑制さ
れ、ＬＮ基板１と分極調整板２１に発生した電荷量の差
分のみが最終的に発生する電荷量となる。従って、この
電荷量がＬＮ基板１及び分極調整板２１の−ｚ面に発生
する電荷量（符号は逆）となる。
化すると、ＬＮ基板１や分極調整板２１の自発分極の温
度依存性により、表面に電荷が生じようとする。しか
し、ＬＮ基板１と分極調整板２１との対向する面におけ
る電荷は同じ符号であるため、発生そのものが抑制さ
れ、ＬＮ基板１と分極調整板２１に発生した電荷量の差
分のみが最終的に発生する電荷量となる。従って、この
電荷量がＬＮ基板１及び分極調整板２１の−ｚ面に発生
する電荷量（符号は逆）となる。
【００１８】ここで、ＬＮ基板１と分極調整板２１に発
生しようとする電荷量が全く等しいならば、−ｚ面に発
生する電荷量は０となり、変調器に温度変化が生じても
動作特性の変化はなくなる。
生しようとする電荷量が全く等しいならば、−ｚ面に発
生する電荷量は０となり、変調器に温度変化が生じても
動作特性の変化はなくなる。
【００１９】図５は本発明の光制御素子の第２の実施の
形態を示すもので、ここでは第１の形態において分極調
整板の基板に対向する面と反対の面側に応力を調整する
ための膜を配置した一例を示す。即ち、図中、２２はＬ
Ｎ基板１の一の面側に配置されたバッファ層３と同等の
材質及び形状を有する応力調整膜であり、分極調整板２
１のＬＮ基板１に対向する面と反対の面側に配置され
る。
形態を示すもので、ここでは第１の形態において分極調
整板の基板に対向する面と反対の面側に応力を調整する
ための膜を配置した一例を示す。即ち、図中、２２はＬ
Ｎ基板１の一の面側に配置されたバッファ層３と同等の
材質及び形状を有する応力調整膜であり、分極調整板２
１のＬＮ基板１に対向する面と反対の面側に配置され
る。
【００２０】前記構成によれば、ＬＮ基板１とバッファ
層３との熱膨脹率の差によって生じる歪みや応力を、分
極調整板２１と応力調整膜２２との熱膨脹率の差によっ
て生じる、前記とは逆方向の歪みや応力により打ち消し
合わせることができ、素子全体の歪みや応力を調整で
き、熱歪みや熱応力によって生じる電荷も調整できる。
なお、その他の構成・効果は第１の実施の形態と同様で
ある。
層３との熱膨脹率の差によって生じる歪みや応力を、分
極調整板２１と応力調整膜２２との熱膨脹率の差によっ
て生じる、前記とは逆方向の歪みや応力により打ち消し
合わせることができ、素子全体の歪みや応力を調整で
き、熱歪みや熱応力によって生じる電荷も調整できる。
なお、その他の構成・効果は第１の実施の形態と同様で
ある。
【００２１】図６は本発明の光制御素子の第３の実施の
形態を示すもので、ここでは第１の形態において分極調
整板の基板に対向する面と反対の面側に応力を調整する
ための膜を配置した他の例を示す。即ち、図中、２２は
ＬＮ基板１の一の面側に配置されたバッファ層３と同等
の材質及び形状を有する応力調整膜、２３はＬＮ基板１
の一の面側に配置された電極４と同等の材質及び形状を
有する応力調整膜であり、分極調整板２１のＬＮ基板１
に対向する面と反対の面側に、バッファ層３及び電極４
と対称的に配置される。
形態を示すもので、ここでは第１の形態において分極調
整板の基板に対向する面と反対の面側に応力を調整する
ための膜を配置した他の例を示す。即ち、図中、２２は
ＬＮ基板１の一の面側に配置されたバッファ層３と同等
の材質及び形状を有する応力調整膜、２３はＬＮ基板１
の一の面側に配置された電極４と同等の材質及び形状を
有する応力調整膜であり、分極調整板２１のＬＮ基板１
に対向する面と反対の面側に、バッファ層３及び電極４
と対称的に配置される。
【００２２】前記構成によれば、ＬＮ基板１とバッファ
層３及び電極４との熱膨脹率の差によって生じる歪みや
応力を、分極調整板２１と応力調整膜２２及び２３との
熱膨脹率の差によって生じる、前記とは逆方向の歪みや
応力により打ち消し合わせることができ、素子全体の歪
みや応力を調整でき、熱歪みや熱応力によって生じる電
荷も調整できる。なお、その他の構成・効果は第１の実
施の形態と同様である。
層３及び電極４との熱膨脹率の差によって生じる歪みや
応力を、分極調整板２１と応力調整膜２２及び２３との
熱膨脹率の差によって生じる、前記とは逆方向の歪みや
応力により打ち消し合わせることができ、素子全体の歪
みや応力を調整でき、熱歪みや熱応力によって生じる電
荷も調整できる。なお、その他の構成・効果は第１の実
施の形態と同様である。
【００２３】なお、ＬＮ基板１と分極調整板２１とは、
応力や歪みに対して剥離を生じない十分な耐久性をもっ
て配置することが望ましく、実際には適当な熱処理や圧
力処理を行って直接接合することが望ましい。
応力や歪みに対して剥離を生じない十分な耐久性をもっ
て配置することが望ましく、実際には適当な熱処理や圧
力処理を行って直接接合することが望ましい。
【００２４】図７は本発明の光制御素子の第４の実施の
形態を示すもので、ここでは第１の形態において分極調
整板を接着層を介して基板の他の面側に配置した例を示
す。即ち、図中、２４は接着層であり、ＬＮ基板１と分
極調整板２３との間に、これらを接着するように配置さ
れる。
形態を示すもので、ここでは第１の形態において分極調
整板を接着層を介して基板の他の面側に配置した例を示
す。即ち、図中、２４は接着層であり、ＬＮ基板１と分
極調整板２３との間に、これらを接着するように配置さ
れる。
【００２５】この構成によれば、ＬＮ基板１と分極調整
板２１とを直接接合することなく、応力や歪みに対して
剥離を生じない十分な耐久性をもって配置することがで
きる。なお、その他の構成・効果は第１の実施の形態と
同様である。
板２１とを直接接合することなく、応力や歪みに対して
剥離を生じない十分な耐久性をもって配置することがで
きる。なお、その他の構成・効果は第１の実施の形態と
同様である。
【００２６】なお、分極調整板の大きさは前述した実施
の形態に限定されるものではなく、基板に発生する電荷
量に応じて決定すれば良い。また、応力調整膜の材質や
大きさも前述した実施の形態に限定されるものではな
く、生じる歪みや応力の大きさに応じて決定すれば良
い。
の形態に限定されるものではなく、基板に発生する電荷
量に応じて決定すれば良い。また、応力調整膜の材質や
大きさも前述した実施の形態に限定されるものではな
く、生じる歪みや応力の大きさに応じて決定すれば良
い。
【００２７】また、基板や分極調整板の材料、光導波路
の材料、バッファ層の材料や形状、電極の形状について
も前述した実施の形態に限定されるものではなく、基板
や分極調整板の材料として、自発分極を有するＬｉＴａ
Ｏ3 、ＢａＴｉＯ3 等の強誘電体、有機材料等を用いる
ことができる。また、電極形状としては高速化に適した
進行波形の電極、集積化あるいは低駆動電圧化に適した
電極等を用いることができる。
の材料、バッファ層の材料や形状、電極の形状について
も前述した実施の形態に限定されるものではなく、基板
や分極調整板の材料として、自発分極を有するＬｉＴａ
Ｏ3 、ＢａＴｉＯ3 等の強誘電体、有機材料等を用いる
ことができる。また、電極形状としては高速化に適した
進行波形の電極、集積化あるいは低駆動電圧化に適した
電極等を用いることができる。
【００２８】なお、本発明は前述した実施の形態に限定
されるものではなく、光の位相を制御することを利用す
る種々の光制御素子、例えば方向性結合器の光スイッチ
やバランスブリッジ形の光強度変調器等にも適用でき
る。
されるものではなく、光の位相を制御することを利用す
る種々の光制御素子、例えば方向性結合器の光スイッチ
やバランスブリッジ形の光強度変調器等にも適用でき
る。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
自発分極を有し一の面側の表面近傍に少なくとも１本の
光導波路が形成された基板と、該光導波路の近傍に配置
された電極とを備えた光制御素子において、分極方向を
有する分極調整板を前記基板の他の面側にその分極方向
が該基板と逆になるよう配置したため、温度変化による
分極率の変化等に伴って基板の一の面側の表面に発生し
ようとする電荷を、その分極方向が逆になるよう配置さ
れた分極調整板で発生しようとする同一符号の電荷によ
って抑制でき、温度が変化しても安定した動作を行うこ
とができる。
自発分極を有し一の面側の表面近傍に少なくとも１本の
光導波路が形成された基板と、該光導波路の近傍に配置
された電極とを備えた光制御素子において、分極方向を
有する分極調整板を前記基板の他の面側にその分極方向
が該基板と逆になるよう配置したため、温度変化による
分極率の変化等に伴って基板の一の面側の表面に発生し
ようとする電荷を、その分極方向が逆になるよう配置さ
れた分極調整板で発生しようとする同一符号の電荷によ
って抑制でき、温度が変化しても安定した動作を行うこ
とができる。
【００３０】この際、分極調整板を、基板の他の面に近
接もしくは接触するように配置し、または基板の他の面
に直接接合して配置し、あるいは接着層を介して基板の
他の面側に配置することができ、また、基板と同等の材
質からなる分極調整板を用いれば、前述した電荷の抑制
が容易となる。また、分極調整板の基板に対向する面と
反対の面側に応力を調整するための膜を配置すれば、温
度変化により基板とその一の面側に配置される電極等と
の間に発生する歪みや応力が、分極調整板と膜との間に
発生する逆方向の歪みや応力によって抑制される。さら
にこの時、基板の一の面側に配置されるものと同等の材
質・形状の膜を用いれば、素子全体の歪みや応力を打ち
消し合わせることができ、熱歪みや熱応力によって生じ
る電荷も調整できる等の利点がある。
接もしくは接触するように配置し、または基板の他の面
に直接接合して配置し、あるいは接着層を介して基板の
他の面側に配置することができ、また、基板と同等の材
質からなる分極調整板を用いれば、前述した電荷の抑制
が容易となる。また、分極調整板の基板に対向する面と
反対の面側に応力を調整するための膜を配置すれば、温
度変化により基板とその一の面側に配置される電極等と
の間に発生する歪みや応力が、分極調整板と膜との間に
発生する逆方向の歪みや応力によって抑制される。さら
にこの時、基板の一の面側に配置されるものと同等の材
質・形状の膜を用いれば、素子全体の歪みや応力を打ち
消し合わせることができ、熱歪みや熱応力によって生じ
る電荷も調整できる等の利点がある。
【図１】従来の光制御素子の一例を示す構成図
【図２】図１の光制御素子における温度変化に伴う電荷
の発生のようすを示す図
の発生のようすを示す図
【図３】図１の光制御素子における温度ドリフトに伴う
特性変化のようすを示す図
特性変化のようすを示す図
【図４】本発明の光制御素子の第１の実施の形態を示す
構成図
構成図
【図５】本発明の光制御素子の第２の実施の形態を示す
構成図
構成図
【図６】本発明の光制御素子の第３の実施の形態を示す
構成図
構成図
【図７】本発明の光制御素子の第４の実施の形態を示す
構成図
構成図
１…ｚカットＬＮ基板、２…光導波路、３…バッファ
層、４…電極、５…マイクロ波電圧、２１…分極調整
板、２２，２３…応力調整膜、２４…接着層。
層、４…電極、５…マイクロ波電圧、２１…分極調整
板、２２，２３…応力調整膜、２４…接着層。
Claims (7)
- 【請求項１】 自発分極を有し一の面側の表面近傍に少
なくとも１本の光導波路が形成された基板と、該光導波
路の近傍に配置された電極とを備えた光制御素子におい
て、 分極方向を有する分極調整板を前記基板の他の面側にそ
の分極方向が該基板と逆になるよう配置したことを特徴
とする光制御素子。 - 【請求項２】 分極調整板を基板の他の面に近接もしく
は接触するように配置したことを特徴とする請求項１記
載の光制御素子。 - 【請求項３】 分極調整板を基板の他の面に直接接合し
て配置したことを特徴とする請求項１記載の光制御素
子。 - 【請求項４】 分極調整板を接着層を介して基板の他の
面側に配置したことを特徴とする請求項１記載の光制御
素子。 - 【請求項５】 基板と同等の材質からなる分極調整板を
用いたことを特徴とする請求項１乃至４いずれか記載の
光制御素子。 - 【請求項６】 分極調整板の基板に対向する面と反対の
面側に応力を調整するための膜を配置したことを特徴と
する請求項１乃至５いずれか記載の光制御素子。 - 【請求項７】 基板の一の面側に配置されるものと同等
の材質・形状の膜を用いたことを特徴とする請求項６記
載の光制御素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8016360A JPH09211403A (ja) | 1996-02-01 | 1996-02-01 | 光制御素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8016360A JPH09211403A (ja) | 1996-02-01 | 1996-02-01 | 光制御素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09211403A true JPH09211403A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11914181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8016360A Pending JPH09211403A (ja) | 1996-02-01 | 1996-02-01 | 光制御素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09211403A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006284963A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
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-
1996
- 1996-02-01 JP JP8016360A patent/JPH09211403A/ja active Pending
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