JPH09211402A - 広帯域光変調素子 - Google Patents
広帯域光変調素子Info
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- JPH09211402A JPH09211402A JP8013672A JP1367296A JPH09211402A JP H09211402 A JPH09211402 A JP H09211402A JP 8013672 A JP8013672 A JP 8013672A JP 1367296 A JP1367296 A JP 1367296A JP H09211402 A JPH09211402 A JP H09211402A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気光学効果を利用した広帯域光変調素子に
関し、ＳｉＯ2バッファ層の存在による変調効率の悪化
を改善する。 【解決手段】 光導波路２を備えたＬｉＮｂＯ3基板１
上に、中心導体４とアース電極５からなるＣＰＷ電極を
形成する。これを空気層６を形成するように凹部を設け
た支持基板８で支持する。このためＬｉＮｂＯ3基板１
を薄くでき、基板１両側の空気層によってマイクロ波の
実効屈折率を低下させる。これにより電界を減少させる
ＳｉＯ2バッファ層が必要なくなり、駆動電圧を低くで
きる。
関し、ＳｉＯ2バッファ層の存在による変調効率の悪化
を改善する。 【解決手段】 光導波路２を備えたＬｉＮｂＯ3基板１
上に、中心導体４とアース電極５からなるＣＰＷ電極を
形成する。これを空気層６を形成するように凹部を設け
た支持基板８で支持する。このためＬｉＮｂＯ3基板１
を薄くでき、基板１両側の空気層によってマイクロ波の
実効屈折率を低下させる。これにより電界を減少させる
ＳｉＯ2バッファ層が必要なくなり、駆動電圧を低くで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学効果を利
用した広帯域光変調素子に関するものである。
用した広帯域光変調素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気光学効果を利用した光変調素子を広
帯域化するには、進行波電極線路を伝搬するマイクロ波
と、光導波路を伝搬する光との位相速度整合や、前記マ
イクロ波と外部回路とのインピーダンス整合を図ること
が重要となる。このため従来より、ＳｉＯ2バッファ層
と、厚膜電極とを組み合わせて構成することが有効であ
ると考えられている。
帯域化するには、進行波電極線路を伝搬するマイクロ波
と、光導波路を伝搬する光との位相速度整合や、前記マ
イクロ波と外部回路とのインピーダンス整合を図ること
が重要となる。このため従来より、ＳｉＯ2バッファ層
と、厚膜電極とを組み合わせて構成することが有効であ
ると考えられている。
【０００３】このような光変調素子として、例えば特開
平４−２６９７０６号公報に記載されたものを図６及び
図７に示す。図６はその平面図であり、図７は図６に示
すＢ−Ｂ線での断面図である。
平４−２６９７０６号公報に記載されたものを図６及び
図７に示す。図６はその平面図であり、図７は図６に示
すＢ−Ｂ線での断面図である。
【０００４】図において、マッハツェンダー干渉形の光
導波路２をその表面近傍に埋設したｚカットのＬｉＮｂ
Ｏ3基板１は、少なくとも１００μｍの厚さを有してい
る。このＬｉＮｂＯ3基板１の表面には、ＳｉＯ2バッフ
ァ層３を介して、中心導体４とアース導体５からなるＣ
ＰＷ（コプレーナウェーブガイド）進行波電極が形成さ
れている。これらＣＰＷ電極上には、空気層６を形成す
るようにシールド電極７が設けられ、アース導体５と接
続している。
導波路２をその表面近傍に埋設したｚカットのＬｉＮｂ
Ｏ3基板１は、少なくとも１００μｍの厚さを有してい
る。このＬｉＮｂＯ3基板１の表面には、ＳｉＯ2バッフ
ァ層３を介して、中心導体４とアース導体５からなるＣ
ＰＷ（コプレーナウェーブガイド）進行波電極が形成さ
れている。これらＣＰＷ電極上には、空気層６を形成す
るようにシールド電極７が設けられ、アース導体５と接
続している。
【０００５】以上のように構成された広帯域光変調素子
の動作を説明する。外部のマイクロ波発信源から、Ｌｉ
ＮｂＯ3基板１上のＣＰＷ電極に駆動電力を供給する
と、中心導体４とアース導体５の間に電界が発生し、Ｌ
ｉＮｂＯ3基板１は、電気光学効果によってその屈折率
が変化する。これにより２本に分岐した光導波路２の伝
搬光に位相差が発生するため、合波部でこらの光が干渉
し、ここでの位相差量の変化に応じて光強度を変調する
ことができる。
の動作を説明する。外部のマイクロ波発信源から、Ｌｉ
ＮｂＯ3基板１上のＣＰＷ電極に駆動電力を供給する
と、中心導体４とアース導体５の間に電界が発生し、Ｌ
ｉＮｂＯ3基板１は、電気光学効果によってその屈折率
が変化する。これにより２本に分岐した光導波路２の伝
搬光に位相差が発生するため、合波部でこらの光が干渉
し、ここでの位相差量の変化に応じて光強度を変調する
ことができる。
【０００６】この光変調素子を広帯域化するためには、
進行波電極線路を伝搬するマイクロ波と、光導波路を伝
搬する光との位相速度整合が必要である。このためには
伝搬するマイクロ波の実効屈折率と、伝搬する光の実効
屈折率とを等しくすれば良い。そこで上記従来の構成に
おいては、低誘電率のＳｉＯ2バッファ層３と、シール
ド電極７，中心導体４，アース導体５で挟まれた空気層
６とによって、マイクロ波の実効屈折率を低下させて位
相速度を向上させ、光導波路を伝搬する光との位相速度
整合を図っている。
進行波電極線路を伝搬するマイクロ波と、光導波路を伝
搬する光との位相速度整合が必要である。このためには
伝搬するマイクロ波の実効屈折率と、伝搬する光の実効
屈折率とを等しくすれば良い。そこで上記従来の構成に
おいては、低誘電率のＳｉＯ2バッファ層３と、シール
ド電極７，中心導体４，アース導体５で挟まれた空気層
６とによって、マイクロ波の実効屈折率を低下させて位
相速度を向上させ、光導波路を伝搬する光との位相速度
整合を図っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の光変調素子
は、その強度すなわち剛性を保つために、ＬｉＮｂＯ3
基板を厚くして、その基板の上部にＣＰＷ電極を形成し
た構成となっている。このようにＬｉＮｂＯ3基板が厚
い構成において、マイクロ波の実効屈折率を低下させる
ためには、ＬｉＮｂＯ3基板とＣＰＷ電極との間に、１
μ余りの膜厚のＳｉＯ2バッファ層を形成することが必
要不可欠であった。
は、その強度すなわち剛性を保つために、ＬｉＮｂＯ3
基板を厚くして、その基板の上部にＣＰＷ電極を形成し
た構成となっている。このようにＬｉＮｂＯ3基板が厚
い構成において、マイクロ波の実効屈折率を低下させる
ためには、ＬｉＮｂＯ3基板とＣＰＷ電極との間に、１
μ余りの膜厚のＳｉＯ2バッファ層を形成することが必
要不可欠であった。
【０００８】しかしながらＳｉＯ2バッファ層は、その
内部で電界を減少させるため、ＣＰＷ電極に加える電力
を大きくしてやらなければならず、変調効率が低下する
という問題があった。
内部で電界を減少させるため、ＣＰＷ電極に加える電力
を大きくしてやらなければならず、変調効率が低下する
という問題があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、光導波路と進行波電極線路とを形成した電
気光学材料基板を、凹部を形成した支持基板により支持
することにより、前記電気光学材料基板と支持基板との
間に、前記凹部による空気層を形成するとともに、前記
電気光学材料基板の他表面は、空気中に開放されるよう
構成したことを特徴としている。
に本発明は、光導波路と進行波電極線路とを形成した電
気光学材料基板を、凹部を形成した支持基板により支持
することにより、前記電気光学材料基板と支持基板との
間に、前記凹部による空気層を形成するとともに、前記
電気光学材料基板の他表面は、空気中に開放されるよう
構成したことを特徴としている。
【００１０】これにより電気光学材料基板を薄く構成し
て、ＳｉＯ2バッファ層による電界の減少という問題を
改善し、動作電圧の低い効率的な広帯域光変調素子を実
現することを目的とする。
て、ＳｉＯ2バッファ層による電界の減少という問題を
改善し、動作電圧の低い効率的な広帯域光変調素子を実
現することを目的とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、光導波路とマイクロ波を伝搬する進行波電極線路と
を形成した電気光学材料基板と、前記光導波路及び進行
波電極線路に対向する位置に凹部を形成した支持基板と
を有し、前記電気光学材料基板は、前記支持基板との間
に前記凹部による空気層が形成されるよう支持され、前
記電気光学材料基板の他表面は空気中に開放されるよう
構成したことを特徴とするものである。
は、光導波路とマイクロ波を伝搬する進行波電極線路と
を形成した電気光学材料基板と、前記光導波路及び進行
波電極線路に対向する位置に凹部を形成した支持基板と
を有し、前記電気光学材料基板は、前記支持基板との間
に前記凹部による空気層が形成されるよう支持され、前
記電気光学材料基板の他表面は空気中に開放されるよう
構成したことを特徴とするものである。
【００１２】この構成により、光変調素子の強度すなわ
ち剛性を支持基板により保つ様にしているので、電気光
学材料基板を薄く構成することができる。このため電気
光学材料基板の両側に存在する空気層により、マイクロ
波の実効屈折率を低下させることができる。よってＳｉ
Ｏ2バッファ層を設けなくとも、あるいはバッファ層を
設けたとしても従来に比べ非常に薄くすることができ、
このバッファ層による電界の減少の問題を改善すること
ができる。
ち剛性を支持基板により保つ様にしているので、電気光
学材料基板を薄く構成することができる。このため電気
光学材料基板の両側に存在する空気層により、マイクロ
波の実効屈折率を低下させることができる。よってＳｉ
Ｏ2バッファ層を設けなくとも、あるいはバッファ層を
設けたとしても従来に比べ非常に薄くすることができ、
このバッファ層による電界の減少の問題を改善すること
ができる。
【００１３】本発明の請求項２に記載の発明は、電気光
学材料基板を単結晶成長による単結晶薄膜とし、支持基
板を、その基板上で前記単結晶成長による単結晶薄膜の
形成が可能となるように格子整合を行った単結晶支持基
板で構成したことを特徴とする請求項１記載の広帯域光
変調素子にある。この構成によれば、上記請求項１のも
のに比べ、電気光学効果を持つ単結晶基板の厚さを上述
のものよりさらに薄くできることから、動作電圧をさら
に低くできるという作用を有する。
学材料基板を単結晶成長による単結晶薄膜とし、支持基
板を、その基板上で前記単結晶成長による単結晶薄膜の
形成が可能となるように格子整合を行った単結晶支持基
板で構成したことを特徴とする請求項１記載の広帯域光
変調素子にある。この構成によれば、上記請求項１のも
のに比べ、電気光学効果を持つ単結晶基板の厚さを上述
のものよりさらに薄くできることから、動作電圧をさら
に低くできるという作用を有する。
【００１４】以下に、本発明の請求項１に記載された本
発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。図
１は、本発明の一実施の形態における広帯域光変調素子
の断面図を示しており、図２（ａ），（ｂ）はこの広帯
域光変調素子を構成する２枚の基板の平面図をそれぞれ
示しており、図２のＡ−Ａ線及びＡ’−Ａ’線の位置が
図１の断面図に対応している。
発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。図
１は、本発明の一実施の形態における広帯域光変調素子
の断面図を示しており、図２（ａ），（ｂ）はこの広帯
域光変調素子を構成する２枚の基板の平面図をそれぞれ
示しており、図２のＡ−Ａ線及びＡ’−Ａ’線の位置が
図１の断面図に対応している。
【００１５】図において、ｘカットのＬｉＮｂＯ3基板
１の表面近傍には、光導波路２を埋設してあり、またそ
の表面には、ＣＰＷ電極を構成する中心導体４と、アー
ス導体５とを形成している。このＬｉＮｂＯ3基板１の
平面図は、図２（ａ）に示す通りとなる。
１の表面近傍には、光導波路２を埋設してあり、またそ
の表面には、ＣＰＷ電極を構成する中心導体４と、アー
ス導体５とを形成している。このＬｉＮｂＯ3基板１の
平面図は、図２（ａ）に示す通りとなる。
【００１６】８は例えばガラスからなる支持基板であ
り、その中央部には、ＬｉＮｂＯ3基板１との間に空気
層６を形成するための凹部１２を設けている。この凹部
１２の表面にはシールド電極７を形成している。この支
持基板８表面の一側方には、図２（ｂ）の平面図にも示
すように、ＬｉＮｂＯ3基板１を対向して貼り合わせた
ときに、その中心導体４及びアース導体５にそれぞれ接
続される中心導体９及びアース導体１０を形成してい
る。また他側方には、ＬｉＮｂＯ3基板１と貼り合わせ
たときのスペーサとなる金属膜１１を形成している。な
お１３は、ＬｉＮｂＯ3基板１と支持基板８のそれぞれ
の電極間の接続を保ちながら、両基板を接着するための
接着剤である。
り、その中央部には、ＬｉＮｂＯ3基板１との間に空気
層６を形成するための凹部１２を設けている。この凹部
１２の表面にはシールド電極７を形成している。この支
持基板８表面の一側方には、図２（ｂ）の平面図にも示
すように、ＬｉＮｂＯ3基板１を対向して貼り合わせた
ときに、その中心導体４及びアース導体５にそれぞれ接
続される中心導体９及びアース導体１０を形成してい
る。また他側方には、ＬｉＮｂＯ3基板１と貼り合わせ
たときのスペーサとなる金属膜１１を形成している。な
お１３は、ＬｉＮｂＯ3基板１と支持基板８のそれぞれ
の電極間の接続を保ちながら、両基板を接着するための
接着剤である。
【００１７】上記構成においては、支持基板８により光
変調素子の強度すなわち剛性を保っており、ＬｉＮｂＯ
3基板１は、支持基板８に貼り合わせた後に、研磨する
などして薄く構成している。このため進行波電極線路を
伝搬するマイクロ波は、支持基板８との間の空気層６
と、ＬｉＮｂＯ3基板１上方の空気とにより、実効屈折
率を低下させて、光導波路を伝搬する光との位相速度の
整合を達成することができる。
変調素子の強度すなわち剛性を保っており、ＬｉＮｂＯ
3基板１は、支持基板８に貼り合わせた後に、研磨する
などして薄く構成している。このため進行波電極線路を
伝搬するマイクロ波は、支持基板８との間の空気層６
と、ＬｉＮｂＯ3基板１上方の空気とにより、実効屈折
率を低下させて、光導波路を伝搬する光との位相速度の
整合を達成することができる。
【００１８】このように本実施の形態によれば、従来の
ようにＳｉＯ2バッファ層を用いず、空気層によりマイ
クロ波の実効屈折率を低下させているため、上記バッフ
ァ層により電界が減少するという問題は生じない。この
ためＣＰＷ電極に加える電力も小さくてよく、変調効率
が向上する。
ようにＳｉＯ2バッファ層を用いず、空気層によりマイ
クロ波の実効屈折率を低下させているため、上記バッフ
ァ層により電界が減少するという問題は生じない。この
ためＣＰＷ電極に加える電力も小さくてよく、変調効率
が向上する。
【００１９】参考のため、図３にＬｉＮｂＯ3基板１の
厚さに対する、ＣＰＷ進行波電極を伝搬するマイクロ波
の実効屈折率と、特性インピーダンスの理論計算結果の
一例を示す。上側の実線が実効屈折率ｎmを、下側の破
線が特性インピーダンスＺcを示している。ここではＣ
ＰＷ電極の中心導体幅ｗを１４μｍ、導体間隔ｓを２５
μｍ、支持基板８の凹部の深さｄを１２μｍ、各電極の
厚さを全て１μｍとして計算している。
厚さに対する、ＣＰＷ進行波電極を伝搬するマイクロ波
の実効屈折率と、特性インピーダンスの理論計算結果の
一例を示す。上側の実線が実効屈折率ｎmを、下側の破
線が特性インピーダンスＺcを示している。ここではＣ
ＰＷ電極の中心導体幅ｗを１４μｍ、導体間隔ｓを２５
μｍ、支持基板８の凹部の深さｄを１２μｍ、各電極の
厚さを全て１μｍとして計算している。
【００２０】図から判るように、ＬｉＮｂＯ3基板１の
厚さｔが７μｍのときに、マイクロ波の実効屈折率ｎm
が光導波路を伝搬する光の実効屈折率ｎ0と一致し、特
性インピーダンスも５０Ωとなることが判る。つまりこ
の時マイクロ波と光の速度整合が達成でき、ＳｉＯ2バ
ッファ層の無い広帯域光変調器を実現できる。
厚さｔが７μｍのときに、マイクロ波の実効屈折率ｎm
が光導波路を伝搬する光の実効屈折率ｎ0と一致し、特
性インピーダンスも５０Ωとなることが判る。つまりこ
の時マイクロ波と光の速度整合が達成でき、ＳｉＯ2バ
ッファ層の無い広帯域光変調器を実現できる。
【００２１】図４は、ＬｉＮｂＯ3基板１の厚さを０か
ら５００μｍまで変化させた場合のマイクロ波の実効屈
折率ｎmと特性インピーダンスＺcの理論計算結果であ
る。ＬｉＮｂＯ3基板１の厚さが１００〜５００μｍの
間では、マイクロ波の実効屈折率ｎm及び特性インピー
ダンスＺcは共に殆ど変化しないが、１００μｍ以下で
は急激に変化している。つまり、基板１の厚さが１００
μｍ以下において、本発明の構成の効果が現れることが
判る。
ら５００μｍまで変化させた場合のマイクロ波の実効屈
折率ｎmと特性インピーダンスＺcの理論計算結果であ
る。ＬｉＮｂＯ3基板１の厚さが１００〜５００μｍの
間では、マイクロ波の実効屈折率ｎm及び特性インピー
ダンスＺcは共に殆ど変化しないが、１００μｍ以下で
は急激に変化している。つまり、基板１の厚さが１００
μｍ以下において、本発明の構成の効果が現れることが
判る。
【００２２】なお上述の構成ではシールド電極７を備え
た構成を示しているが、これは必ずしも必要ではなく、
ＣＰＷ電極の中心導体幅ｗや導体間隔ｓ、ＬｉＮｂＯ3
基板１の厚さｔ、支持基板８の凹部の深さｄを調整する
ことによって、マイクロ波と光の速度整合を達成するこ
とができる。
た構成を示しているが、これは必ずしも必要ではなく、
ＣＰＷ電極の中心導体幅ｗや導体間隔ｓ、ＬｉＮｂＯ3
基板１の厚さｔ、支持基板８の凹部の深さｄを調整する
ことによって、マイクロ波と光の速度整合を達成するこ
とができる。
【００２３】また、ｚカットＬｉＮｂＯ3基板であって
も同様に構成することができる。この場合は、光導波路
を伝搬する光が電極によって減衰することを抑制するた
め、基板と電極間に少なくとも０．１５μｍ程度のＳｉ
Ｏ2バッファ層を介在させることが必要となる。しかし
ながらこのバッファ層の厚さは、従来のものに比べ１／
１０程度と大幅に薄いので、動作電圧を大きく低下させ
ることができ、変調効率を改善することができる。
も同様に構成することができる。この場合は、光導波路
を伝搬する光が電極によって減衰することを抑制するた
め、基板と電極間に少なくとも０．１５μｍ程度のＳｉ
Ｏ2バッファ層を介在させることが必要となる。しかし
ながらこのバッファ層の厚さは、従来のものに比べ１／
１０程度と大幅に薄いので、動作電圧を大きく低下させ
ることができ、変調効率を改善することができる。
【００２４】次に本発明の他の実施の形態を図５に示
す。１４は電気光学材料により、単結晶成長を行って形
成したＬｉＮｂＯ3単結晶薄膜であり、１５はＬｉＮｂ
Ｏ3単結晶成長が可能となるように格子整合を行ったＬ
ｉＴａＯ3単結晶支持基板である。
す。１４は電気光学材料により、単結晶成長を行って形
成したＬｉＮｂＯ3単結晶薄膜であり、１５はＬｉＮｂ
Ｏ3単結晶成長が可能となるように格子整合を行ったＬ
ｉＴａＯ3単結晶支持基板である。
【００２５】この光変調素子の作成手順は、単結晶支持
基板１５上にＬｉＮｂＯ3単結晶薄膜１４の単結晶成長
を行い、さらにリッジ加工等の手法で光導波路２を作成
する。そしてＣＰＷ電極４，５をスパッタリングや蒸着
によって形成した後、光導波路２下方のＬｉＴａＯ3単
結晶支持基板１５をエッチングすることにより空気層６
を形成している。
基板１５上にＬｉＮｂＯ3単結晶薄膜１４の単結晶成長
を行い、さらにリッジ加工等の手法で光導波路２を作成
する。そしてＣＰＷ電極４，５をスパッタリングや蒸着
によって形成した後、光導波路２下方のＬｉＴａＯ3単
結晶支持基板１５をエッチングすることにより空気層６
を形成している。
【００２６】この構成によれば、電気光学効果を持つ単
結晶基板の厚さを上述のものよりさらに薄くできること
から、ＣＰＷ電極の導体間隔を小さくすることができ、
動作電圧をさらに低くすることができる。
結晶基板の厚さを上述のものよりさらに薄くできること
から、ＣＰＷ電極の導体間隔を小さくすることができ、
動作電圧をさらに低くすることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上の様に本発明によれば、ＳｉＯ2バ
ッファ層を無くすことができ、あるいは介在させるとし
ても従来のものに比べて非常に薄くてよいため、電界の
減少という問題を改善でき、動作電圧の低い効率的な光
変調素子を実現できる。またＳｉＯ2バッファ層を介在
させないことにより、これに起因するＤＣドリフトの問
題も無くなる。さらに従来のように電極を厚膜に構成し
なくても、光とマイクロ波の位相整合を行えるので、電
極形成がより簡単になる。
ッファ層を無くすことができ、あるいは介在させるとし
ても従来のものに比べて非常に薄くてよいため、電界の
減少という問題を改善でき、動作電圧の低い効率的な光
変調素子を実現できる。またＳｉＯ2バッファ層を介在
させないことにより、これに起因するＤＣドリフトの問
題も無くなる。さらに従来のように電極を厚膜に構成し
なくても、光とマイクロ波の位相整合を行えるので、電
極形成がより簡単になる。
【図１】本発明の実施の形態を示す広帯域光変調素子の
断面図
断面図
【図２】同素子を構成する各基板の平面図
【図３】マイクロ波の実効屈折率及び特性インピーダン
スを示すグラフ
スを示すグラフ
【図４】マイクロ波の実効屈折率及び特性インピーダン
スを示すグラフ
スを示すグラフ
【図５】本発明の他の実施の形態を示す広帯域光変調素
子の断面図
子の断面図
【図６】従来の広帯域光変調素子を示す平面図
【図７】同素子の断面図
１ ＬｉＮｂＯ3基板 ２ 光導波路 ３ ＳｉＯ2バッファ層 ４，９ 中心導体 ５，１０ アース導体 ６ 空気層 ７ シールド電極 ８ 支持基板 １２ 凹部 １４ ＬｉＮｂＯ3単結晶薄膜 １５ ＬｉＴａＯ3単結晶支持基板
Claims (2)
- 【請求項１】光導波路とマイクロ波を伝搬する進行波電
極線路とを形成した電気光学材料基板と、前記光導波路
及び進行波電極線路に対向する位置に凹部を形成した支
持基板とを有し、前記電気光学材料基板は、前記支持基
板との間に前記凹部による空気層が形成されるよう支持
され、前記電気光学材料基板の他表面は空気中に開放さ
れるよう構成したことを特徴とする広帯域光変調素子。 - 【請求項２】電気光学材料基板を単結晶成長による単結
晶薄膜とし、支持基板を、その基板上で前記単結晶成長
による単結晶薄膜の形成が可能となるように格子整合を
行った単結晶支持基板で構成したことを特徴とする請求
項１記載の広帯域光変調素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8013672A JPH09211402A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 広帯域光変調素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8013672A JPH09211402A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 広帯域光変調素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09211402A true JPH09211402A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11839693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8013672A Pending JPH09211402A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 広帯域光変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09211402A (ja) |
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