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JPH0921816A - 原子間力顕微鏡 - Google Patents

原子間力顕微鏡

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Publication number
JPH0921816A
JPH0921816A JP7169392A JP16939295A JPH0921816A JP H0921816 A JPH0921816 A JP H0921816A JP 7169392 A JP7169392 A JP 7169392A JP 16939295 A JP16939295 A JP 16939295A JP H0921816 A JPH0921816 A JP H0921816A
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JP
Japan
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cantilever
signal
atomic force
electrodes
force microscope
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Application number
JP7169392A
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English (en)
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JP3608009B2 (ja
Inventor
Shunji Watanabe
俊二 渡辺
Toru Fujii
藤井  透
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP16939295A priority Critical patent/JP3608009B2/ja
Priority to US08/674,867 priority patent/US5723775A/en
Publication of JPH0921816A publication Critical patent/JPH0921816A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3608009B2 publication Critical patent/JP3608009B2/ja
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q10/00Scanning or positioning arrangements, i.e. arrangements for actively controlling the movement or position of the probe
    • G01Q10/04Fine scanning or positioning
    • G01Q10/045Self-actuating probes, i.e. wherein the actuating means for driving are part of the probe itself, e.g. piezoelectric means on a cantilever probe
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q10/00Scanning or positioning arrangements, i.e. arrangements for actively controlling the movement or position of the probe
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    • G01Q10/06Circuits or algorithms therefor
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
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    • Y10S977/849Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
    • Y10S977/85Scanning probe control process
    • Y10S977/851Particular movement or positioning of scanning tip
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 軸方向駆動用アクチュエータを含めたカンチ
レバーの質量を減らして、高速な帰還制御を可能にする
ことにあり、且つ質量を減らすことにより発生する欠点
を補うこと。 【構成】 試料台に保持された試料表面に近接させてカ
ンチレバーの探針を2次元走査し、探針と試料表面との
間の原子間力または距離に対応する信号を用いて試料表
面の形状を観察する、いわゆる原子間力顕微鏡におい
て、前記カンチレバー1上には、一対の電極6,8に挟
持された圧電膜7が設けられており、該圧電膜7は、前
記電極6,8に信号電圧が印加されると、d31逆圧電効
果により前記カンチレバー1を所定方向に変位させるこ
とを特徴とする原子間力顕微鏡。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、微細な表面形状観察に
利用可能な原子間力顕微鏡に関する。
【0002】
【従来の技術】走査プローブ顕微鏡は、被観察表面と探
針との相互作用により生じる信号を帰還信号として、被
観察表面と探針間の間隔を一定に保ちながら走査するこ
とにより、被観察表面にダメージを与えることなく、ナ
ノメートルからサブナノメートルの高分解能にて表面観
察が可能な顕微鏡である。
【0003】その中でも原子間力顕微鏡(AFM)は、
非導電性表面に対しても、条件によっては原子分解能に
て表面観察が可能であり、とりわけ注目されている。図
6に、従来の原子間力顕微鏡(AFM)の概略構成(一
例)を示す。カンチレバー101は、Siから形成され
ており、先端に探針用の窒化珪素(Si3N4) 針が作製さ
れている。該カンチレバーは、基台102と同一部材に
エッチング技術で作り付けてあり、基台102には、カ
ンチレバー励振用圧電素子103が接着されている。
【0004】一方、観察用の試料104はX、Y、Z軸
を独立で駆動可能な粗動ステージ(不図示)上の微動ス
テージ107上に保持されており、該ステージ107は
4枚の圧電材料からなるアクチュエータにより、X、
Y、Z軸方向に独立に駆動することができる。これら相
互のZ軸方向における変位は、以下の方法により制御さ
れている。
【0005】カンチレバー101の先端部に向かって、
上方のレーザー光源109からレーザー光を照射し、そ
の先端部により反射された前記レーザー光を二分割フォ
トダイオード108により検出する。この二分割フォト
ダイオード108の上下二つのフォトダイオードの信号
は、カンチレバー先端部のたわみ量と等価であり、その
信号をロックインアンプに入力し、フィードバックシス
テムを経由して微動ステージ107のZ軸方向駆動用ア
クチュエータのフィードバック電圧として印加する。
【0006】このフィードバック電圧を帰還信号とする
ことで、試料表面とカンチレバーの探針とが常に同じ距
離を保持するように制御することができる。但し、以上
の制御は、微動ステージ上の試料をX軸又はY軸方向に
スキャンしながら実施される。なお、この方式のもの
は、いわゆる光テコ方式原子間力顕微鏡である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】前記のように、微動ス
テージの位置決めのために使用する軸方向駆動用アクチ
ュエータの帰還制御は、通常、チタン酸ジルコン酸鉛
(PZT)からなる、長さが数十ミリメートル程度のチ
ューブ型アクチュエータを用いて行うのが一般的であ
る。
【0008】しかしながら、このような従来方式の原子
間力顕微鏡(AFM)には、高速で帰還制御ができず、
試料の表面形状の観察に時間が掛かり、操作性が悪いと
いう欠点があった。本発明者らは、原子間力顕微鏡の前
記欠点を補うべく鋭意研究した結果、高速帰還制御をす
るためには、軸方向駆動用アクチュエータを含めたカン
チレバーの質量が大きすぎる点を見いだした。
【0009】本発明の解決すべき課題(本発明の目的)
は、軸方向駆動用アクチュエータを含めたカンチレバー
の質量を減らして、高速な帰還制御を可能にすることに
あり、且つ質量を減らすことにより発生する欠点を補う
点にある。
【0010】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に「試料台に保持された試料表面に近接させてカンチレ
バーの探針を2次元走査し、探針と試料表面との間の原
子間力または距離に対応する信号を用いて試料表面の形
状を観察する、いわゆる原子間力顕微鏡において 前記
カンチレバー上には、一対の電極に挟持された圧電膜が
設けられており、該圧電膜は、前記電極に信号電圧が印
加されると、d31逆圧電効果により前記カンチレバーを
所定方向に変位させることを特徴とする原子間力顕微鏡
(請求項1)」を提供する。
【0011】また、本発明は第二に「前記試料台の移動
機構、前記カンチレバーを励振させる振動機構、前記原
子間力または距離に対応する信号を検出する検出系、該
信号から試料表面の微細構造に対応する高周波信号成分
と試料表面のうねりや傾き等に対応する低周波信号成分
を分離する信号処理系、前記高周波信号成分を高速帰還
信号として前記電極に印加し、かつ前記低周波信号成分
を低速帰還信号として前記移動機構に印加する制御系を
備えたことを特徴とする請求項1記載の原子間力顕微鏡
(請求項2)」を提供する。
【0012】また、本発明は第三に、「前記検出系は、
前記カンチレバーに向けてレーザー光を照射する照射光
学系、該カンチレバーからの反射光を受光するフォトセ
ンサーを備え、該フォトセンサーからの信号を前記原子
間力または距離に対応する信号として検出することを特
徴とする請求項2記載の原子間力顕微鏡(請求項3)」
を提供する。
【0013】また、本発明は第四に「前記検出系は、前
記カンチレバー上に設けた圧電膜用電極からの信号を前
記原子間力または距離に対応する信号として検出するこ
とを特徴とする請求項2記載の原子間力顕微鏡(請求項
4)」を提供する。また、本発明は第五に「前記カンチ
レバー上に設けた一対の圧電膜用電極の一方は、分割さ
れた複数の電極からなり、前記検出系は、該分割電極の
一部からの信号を前記原子間力または距離に対応する信
号として検出することを特徴とする請求項4記載の原子
間力顕微鏡(請求項5)」を提供する。
【0014】また、本発明は第六に「前記制御系は、前
記信号から分離された高周波信号成分を高速帰還信号と
して、前記圧電膜用電極の別の分割電極に印加すること
により前記カンチレバーを所定方向に変位させることを
特徴とする請求項5記載の原子間力顕微鏡(請求項
6)」を提供する。また、本発明は第七に「前記圧電膜
は、前記電極に高速帰還信号が印加されると、d31逆圧
電効果により前記カンチレバーを所定方向に変位させ、
前記移動機構は、前記低速帰還信号が印加されると、前
記試料台を所定方向に変位させることを特徴とする請求
項2〜6記載の原子間力顕微鏡(請求項7)」を提供す
る。
【0015】また、本発明は第八に「前記移動機構は、
前記カンチレバー上に設けた圧電膜よりも大型の圧電膜
及び該圧電膜を挟持する一対の電極を備え、該電極に前
記低速帰還信号が印加されると、d31逆圧電効果により
前記試料台を所定方向に変位させることを特徴とする請
求項7記載の原子間力顕微鏡(請求項8)」を提供す
る。
【0016】
【作用】従来の原子間力顕微鏡は、数十ミリメートルも
ある大型のアクチュエータとそれに付随したカンチレバ
ーを高速で帰還制御することにより、試料表面とカンチ
レバー間の変位を制御しようとしたところに問題があっ
たことを考慮して、本発明では、高速帰還制御が必要な
所定方向(例えばZ軸方向)への極微小駆動(極微小変
位制御)に、カンチレバー上に設けた比較的小型の圧電
薄膜(一対の電極により挟持されている)を使用した。
【0017】そのため、本発明によれば、所定方向(例
えばZ軸方向)への極微小駆動用圧電薄膜を含めたカン
チレバーの質量が小さく、極微小駆動(高周波信号によ
る極微小変位制御)の高速な帰還制御が可能となった。
なお、所定方向(例えばZ軸方向)への極微小駆動では
対応できない比較的大きな変位の制御(低周波信号によ
る微小変位制御)には、従来と同様の大型アクチュエー
タ(試料台の移動機構の一例)を使用すればよい。
【0018】以下、本発明の一態様を示す(図1、2参
照)。シリコン単結晶ウエハの方向性を利用してエッチ
ングにより作製されたカンチレバー上に、下部電極6、
圧電薄膜7、上部電極8を形成して、本発明にかかるカ
ンチレバー1とする。該カンチレバー1の基台部2に
は、カンチレバー励振用の振動子(振動機構の一例)1
0を取付け、該カンチレバー1を励振させる。
【0019】数十ミリメーターの大きさのZ軸駆動用ア
クチュエター(試料台移動機構の一例)11により駆動
される微動ステージ(試料台の一例)上に保持した観察
試料14に近接させて2次元走査中の前記カンチレバー
1上に、レーザー光源16からレーザー光を照射し、反
射したレーザー光を二分割フォトダイオード(検出系の
一例)15で検知する。
【0020】このフォトダイオード15の信号を帰還信
号(試料表面及び探針間の原子間力または距離に対応す
る信号)とし、信号処理系を用いて、該帰還信号を試料
表面の微細構造に対応する高周波信号成分と、試料表面
のうねりや傾き等に対応する低周波信号成分に分離す
る。そして、制御系を用いて、高周波成分の信号をフィ
ードバック電圧として前記圧電薄膜7の電極6、8に印
加して高速処理を行うと共に、低周波成分の信号(例え
ば、大きなうねり信号)を前記Z軸駆動用アクチュエー
タ(試料台移動機構の一例)11に印加して、フィード
バックをかける。
【0021】次に、本発明の別の態様を示す(図2、3
参照)。この態様では、第1態様のカンチレバー1に設
けた圧電薄膜7の電極8から帰還信号を得る。該カンチ
レバー1は励振用振動子20の励振周波数で駆動されて
おり、前記圧電薄膜7の電極8からは、カンチレバー1
の運動に応じた信号を得ることができる。そして、カン
チレバー1の探針を試料14の表面に近づけると、圧電
薄膜7の電極8から、試料表面及び探針間の原子間力ま
たは距離に応じた変調信号を検出することができる。
【0022】従って、圧電薄膜7の電極8からの信号を
帰還信号とすることが可能であり、この帰還信号の出力
波形から高周波信号と低周波信号を抽出する。高周波信
号は、圧電薄膜7の電極6、8にフィードバック電圧と
して印加し、低周波信号は、Z軸駆動用アクチュエター
(試料台移動機構の一例)21に印加する。なお、試料
の狭い観察範囲における、試料表面の凹凸が小さい表面
観察(計測)では、高周波の帰還信号によるカンチレバ
ーの変位制御のみで十分であることは言うまでもない。
【0023】本態様においては、圧電薄膜の電極からの
信号を帰還信号とするので、第1態様において使用した
レーザー及び二分割フォトダイオードが不要となる。次
に、さらに別の態様を示す(図5参照)。この態様で
は、圧電薄膜37の上部電極39を複数の分割電極とす
る。該複数の分割電極の少なくとも一つを帰還信号取り
出し用の電極とし、他の分割電極は、前記帰還信号から
抽出した高周波信号のフィードバック電圧を印加する電
極として使用することで、高速の帰還処理を行う。ま
た、前記帰還信号から抽出した低周波信号は、Z軸駆動
用アクチュエター(試料台移動機構の一例)にフィード
バックする。
【0024】以上の態様では、カンチレバーの基台に振
動子を取り付けてカンチレバーを励振させているが、前
記圧電薄膜の分割電極の一部を用いてカンチレバーを励
振させることもできる。また、以上の態様は、本発明の
例を示すものであり、本発明はこれらの態様に限定され
るものではない。
【0025】前述したように、本発明にかかるカンチレ
バー上に形成された圧電薄膜は、一対の電極で挟まれた
構造を成しており、カンチレバー振動機構(例えば、励
振用振動子)により振動する。ここで、カンチレバーの
探針が試料表面から原子間力を受けると、カンチレバー
の振幅と位相が変化する。それに伴って、カンチレバー
上の圧電薄膜用電極から前記原子間力を反映した、探針
及び試料表面間の距離に関する情報を得ることができ
る。即ち、従来のAFMと同様な動作が可能である。
【0026】圧電薄膜用電極からの信号には、帰還制御
により変化したカンチレバーの歪み信号も重畳するが、
この信号は励振周波数よりも低周波であるため、分離す
ることができる。この分離は、ロックインアンプのみで
可能であるが、励振周波数付近のバンドパスフィルター
を用いると、より安定した信号を得ることができるので
好ましい。
【0027】試料表面の微細な形状変化による変調は、
高周波成分として圧電薄膜の電極にフィードバックされ
る。そこで、該圧電薄膜に高周波信号と等価の電圧を印
加して、カンチレバーを上下に変調成分を帳消しにする
ように高速に動かすことにより、表面の形状を高速に計
測できる事になる。また、試料表面の大きなうねりや試
料表面が斜めになっている場合などは、低周波成分とし
て変調される事になり、その部分を取り出してフィード
バックを試料台移動機構(例えば、Z軸駆動用アクチュ
エター)にかけることにより補正ができ、表面形状が測
定できる。
【0028】圧電薄膜は、高周波信号の高速帰還にのみ
使用しても良く、そのときは、高速の帰還信号を取り出
すための機構(例えば光テコ)の利用が必要である。カ
ンチレバー上の電極は、リソグラフィ技術を用いて、1
個のみならず複数個の分割電極に形成可能である。前述
したように、その際は、少なくとも1つの分割電極を帰
還信号の取り出し用として、他方の分割電極を高速帰還
のフィードバック電圧印加用として使用すれば、圧電薄
膜(及び電極)を信号取り出し用、及び高速な帰還駆動
用として使用できる。
【0029】圧電薄膜としては、例えばZnO等が使用
可能であるが、圧電定数の点で質のよいPZT膜が特に
好ましい。以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明はこれらの例に限定されるものではな
い。
【0030】
【実施例1】図1は本実施例のAFMを示す概略構成図
である。AFMの測定原理は、X,Y軸方向の走査中
に、試料表面とカンチレバーの探針との間に作用する原
子間力を一定にするようにカンチレバーをZ軸方向に駆
動させ、その際のZ軸の変位を計測することにより、試
料表面の形状を計測することにある。
【0031】本実施例で使用するカンチレバーを図2を
用いてまず説明する。カンチレバー1は基体部2から飛
び出して(突出して)おり、いずれもシリコンの単結晶
ウエハからエッチング技術を用いて作製される。シリコ
ン単結晶ウエハから作製されたカンチレバーシリコン基
体3とシリコン基台4の上面に、窒化珪素(Si
3 4 )膜5をCVD法により形成する。その上に、下
部電極として白金(Pt)膜6をスパッタリング法によ
り形成し、さらにカンチレバーの上面全体とシリコン基
台4のカンチレバー接続部に延長される一部に圧電薄膜
(PZT膜)7をスパッタリング法により形成する。
【0032】最後に、該圧電薄膜7上に上部電極8を、
カンチレバーの長さ方向に平行となるように、略中央部
に一本形成する。なお、カンチレバーシリコン基体3の
先端部には、下向きに窒化珪素(Si3 4 )の探針9
を予め形成しておく。作製されたカンチレバー1全体
は、長さ0.85mm、幅0.2 mm、厚さ20μmである。
【0033】図1において、カンチレバー1のシリコン
基台2の下部には、励振用振動子10が貼り付けてあ
る。励振用振動子10は、両面に電極が形成され、厚み
方向に分極処理を施した一枚の小型PZT板10であ
る。このPZT板10の電極に約40kHzの周波数の
電圧を印加し、PZT板10を励起させる事によりカン
チレバー1を振動させる。
【0034】観察する試料14は、X,Y,Zの各軸方
向に駆動可能な長さ約50mmのPZT中空アクチュエ
ータ(Z軸駆動用アクチュエータ)11上の微動ステー
ジ上に配置される。中空アクチュエーター11は図示し
ない粗動ステージ上に配置され、該ステージはX,Y,
Z軸を独立に駆動できるようになっている。カンチレバ
ー1のX軸、Y軸方向の走査は、微動ステージを駆動さ
せることで行う。中空アクチュエーター11は通常、チ
ューブスキャナーと呼ばれ、X,Y,Z軸の3次元の走
査、位置決めが可能である。中空アクチュエーター11
は一般に、粗動ステージ上に配置され、このステージに
より粗い位置決めをする。
【0035】カンチレバー1の先端部上面には、上方の
レーザー光源16からHe−Neレーザー光が照射さ
れ、該先端部によって反射されたレーザー光は、二分割
フォトダイオード15に入射される。前記したカンチレ
バー1のZ軸方向の変位は、二分割フォトダイオード1
5によって検知される。一方、二分割フォトダイオード
15からのZ軸の変位に関する信号はロックインアンプ
に入力され、フィードバックシステムを経由してZ軸方
向の帰還信号として取り出される。
【0036】その帰還信号は、さらに試料14の表面形
状を示す信号のうち、微細構造を反映する高周波用信号
と、表面のうねりや傾き等を反映する低周波用信号とに
分離される。高周波用信号は、微細な表面の構造に敏感
に応答し、カンチレバー1上の圧電薄膜7を挟む電極
6、8にフィードバック電圧として印加され、忠実に原
子間力が同じになるように、即ち微細構造にならってカ
ンチレバー1の先端針(探針)9が一定距離を確保する
ようにフィードバックされる。
【0037】一方、表面の大きい傾き等は、圧電薄膜7
の変位では補正できないため、低周波信号としてZ軸駆
動用アクチュエータ11の側面に形成された電極に印加
され、傾きによっても探針9と試料表面の距離が一定に
なるように制御される。Z軸方向に駆動可能なPZT膜
7を形成したカンチレバー1の質量は、Z軸駆動用の中
空アクチュエター11を含んだ駆動系に比してまさに微
々たるものであり、そのため、表面の微細な構造に関し
ては抜群の感度を示す。
【0038】しかし、PZT膜7の電極6、8に電圧を
印加して補正できる距離は、長さ0.85mmのカンチレバ
ーで1μm程度である。このため、表面の傾きや大きな
うねり等により、この幅を超えてしまう場合には、これ
らの信号は低周波にてフィードバックすれば良いことか
ら、該低周波信号をZ軸駆動用アクチュエータ11にフ
ィードバックし、探針9と試料14の間隔を補正する。
【0039】以上の原子間力顕微鏡により試料の被測定
表面の微細構造を、長い距離に渡って高感度で計測する
事ができる。なお、2分割フォトダイオード15の出力
は、直流成分を検出可能なため、コンタクトモードに使
用することが可能である。コンタクトモード時は、カン
チレバーの共振周波数は表面との接触により、自由時か
ら向上しQ値も低減するので、さらに帰還帯域を広く取
ることができる。よって、本発明の効果をさらに大きく
用いることが可能である。
【0040】
【実施例2】図3に本実施例のAFM(概略構成)を示
す。実施例1では、カンチレバー1の変位(Z軸方向)
検出を、カンチレバー先端部にレーザー光を照射し、反
射光を二分割フォトダイオード15で受光する事により
行ったが、本実施例は上記レーザー並びに受光素子(二
分割フォトダイオード)を不要にした例である。
【0041】なお、カンチレバーには、実施例1と同じ
構造のカンチレバー1を使用する。また、観察用の試料
14は、実施例1と同様に、Z軸駆動用の中空アクチュ
エータ21の上部の微動ステージ上に設置し、該中空ア
クチュエータ21は、X−Y面走査が可能な粗動ステー
ジ(不図示)上に設置される。励振用振動子20により
励振された状態にて、カンチレバー1の探針9が試料1
4に近接すると、試料表面と探針9との間に原子間力が
作用する。この状態においてX−Y平面でカンチレバー
1が走査されると、探針9と試料表面に働く原子間力が
一定になるようにカンチレバーをZ軸方向に駆動させ、
その際のZ軸方向の変位を計測する事により試料の表面
形状を計測することができる。
【0042】なお、カンチレバー1上に設けた圧電薄膜
7の上部電極8からは、Z軸の変位に起因する信号と励
振用に入力された高周波信号の帰還信号が出力される
が、変位に起因する信号が40kHz付近なのに対し、
高周波信号は最大20kHzなので2つを分離すること
ができる。分離して入手した信号は、ロックインアン
プ、フィードバックシステムを経由して帰還信号とな
し、該帰還信号を試料表面の微細構造に起因する高周波
信号と大きなうねりや傾きに起因する低周波信号に分別
する。
【0043】そして、高周波信号を電極6、8に印加す
ることにより、カンチレバー1を高速で動作させ、表面
形状に従って追従させる。また、低周波信号をZ軸駆動
用アクチュエータ21の側面電極に印加することによ
り、Z軸方向に変位させて、うねり、傾きを補正するこ
とができる。以上のように、本実施例ではレーザー及び
受光素子の光学系が不要となり、構造が非常に簡単にな
る。また、本実施例において、カンチレバー1に設けた
PZT膜7は、大きな出力が得ることができる。そのた
め、高価なロックインアンプに替えて、構成が簡単なダ
イオードによる整流回路を用いることができる。
【0044】
【実施例3】図4は本実施例のAFM(概略構成)であ
る。この実施例も、Z軸方向の変位を光学的なセンサー
を用いないで、カンチレバー31上の電極からの信号と
して得る方法である。本実施例で使用するカンチレバー
31を図5を用いて説明する。
【0045】カンチレバー31は、基台32から飛び出
した(突出した)構造をしており、各基体33、34
は、シリコン単結晶ウエハからエッチング技術を用いて
作製される。同技術により作製した基体33、34上
に、窒化珪素(Si3 4 )膜35をCVD法により形
成し、該膜35上に下部電極膜36として白金(Pt)
膜をスパッタリング法により形成する。
【0046】さらにその上のカンチレバー31の全面及
び基台34のカンチレバーとの接続部から延長される一
部に、圧電薄膜(ZnO膜)37をスパッタリング法に
より形成する。そして、該ZnO膜37上に、互いに平
行に且つカンチレバー31の長さ方向に対して平行に、
二本の電極38、39を形成する。なお、前実施例と同
様に、カンチレバー31の先端下部には窒化珪素(Si
34 )による探針40を予め形成しておく。作製した
カンチレバー31の大きさは、前実施例と同じく、長さ
0.85mm、幅0.2 mm、厚み20μmである。
【0047】また、前実施例と同様に、カンチレバー基
台34の下には、一対の電極により挟持し、かつ厚み方
向に分極処理を施した一枚の小型PZT板30を貼り付
け、該PZT板30の電極に周波数が約40kHzの電
圧を印加することにより、PZT板30を励起振動させ
てカンチレバー31を振動させる。観察用試料は、Z軸
方向に駆動可能な長さ約50mmのPZT中空アクチュ
エータ41の微動ステージ上に配置される。微動ステー
ジは、さらに粗動ステージ(不図示)上に配置され、X
軸、Y軸、Z軸方向の駆動が可能になっている。カンチ
レバー31のX−Y走査は、前記粗動ステージを駆動さ
せる事により実施する。
【0048】AFMの測定原理は、前実施例と同じであ
り、X−Y走査中に探針40と試料表面に働く原子間力
が一定になるようにカンチレバー31をZ軸方向に駆動
させ、その際のZ軸方向の変位を計測する事により試料
の表面形状を計測する。本実施例において、カンチレバ
ー31に設けた(形成した)ZnO膜上の上部電極のう
ち、電極38は帰還信号の取り出し用とし、電極39は
高周波信号のフィードバック電圧の印加用とし、この電
圧印加によりZ軸方向に高速で変位させる。 電極38
より入手した信号は、ロックインアンプ、フィードバッ
クシステムを経由して帰還信号となし、該帰還信号を試
料表面の微細構造に起因する高周波信号と、大きなうね
りや傾きに起因する低周波信号に分別する。
【0049】そして、高周波信号を電極38に印加する
ことにより、カンチレバー31を高速にで動作させ、表
面形状に従って追従させる。また、低周波信号をZ軸駆
動用アクチュエータ41の側面電極に印加することによ
りZ方向に変位させて、うねり、傾きを補正する。本実
施例では実施例2と同様に、レーザー及び受光素子の光
学系が不要となり、構造が非常に簡単になる。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、試
料表面の微細構造に起因する形状測定を、帰還信号に基
づいてカンチレバー上の圧電薄膜を駆動させることによ
り、カンチレバーを高速動作させて行うことができる。
従って、産業界において、走査型プローブ顕微鏡の測定
時間短縮が大きな課題であったが、本発明はこれに大き
く貢献する。
【0051】更に、本発明によれば、帰還信号にカンチ
レバーの圧電薄膜の電極からの信号を用いる事により、
光学的方法等の計測装置が不要になり、原子間力顕微鏡
自体の構造を簡単にする事ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1のAFMを示す概略構成図。
【図2】実施例1において使用されるカンチレバーの構
造を示す斜視図。
【図3】実施例2のAFMを示す概略構成図。
【図4】実施例3のAFMを示す概略構成図。
【図5】実施例3において使用されるカンチレバーの構
造を示す斜視図。
【図6】従来のAFMを示す概略構成図。
【符号の説明】
1、31、101 カンチレバー 2、32、102 カンチレバー基台 3、33 カンチレバーシリコン基体 4、34 シリコン基台 5、35 窒化珪素膜(可とう性膜の一例) 6、36 下部電極 7、37 圧電薄膜 8、38、39 上部電極 9、40 探針 10、20、30、103 励振用振動子(カンチレバ
ー振動機構の一例) 11、21、41 Z軸駆動用アクチュエータ(チュー
ブスキャナー、試料台移動機構の一例) 14、104 試料 15、108 二分割フォトダイオード(検出系の一
例) 16、109 レーザー光源(検出系の一例) 以 上

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料台に保持された試料表面に近接させ
    てカンチレバーの探針を2次元走査し、探針と試料表面
    との間の原子間力または距離に対応する信号を用いて試
    料表面の形状を観察する、いわゆる原子間力顕微鏡にお
    いて、 前記カンチレバー上には、一対の電極に挟持された圧電
    膜が設けられており、該圧電膜は、前記電極に信号電圧
    が印加されると、d31逆圧電効果により前記カンチレバ
    ーを所定方向に変位させることを特徴とする原子間力顕
    微鏡。
  2. 【請求項2】 前記試料台の移動機構、前記カンチレバ
    ーを励振させる振動機構、前記原子間力または距離に対
    応する信号を検出する検出系、該信号から試料表面の微
    細構造に対応する高周波信号成分と試料表面のうねりや
    傾き等に対応する低周波信号成分を分離する信号処理
    系、前記高周波信号成分を高速帰還信号として前記電極
    に印加し、かつ前記低周波信号成分を低速帰還信号とし
    て前記移動機構に印加する制御系を備えたことを特徴と
    する請求項1記載の原子間力顕微鏡。
  3. 【請求項3】 前記検出系は、前記カンチレバーに向け
    てレーザー光を照射する照射光学系、該カンチレバーか
    らの反射光を受光するフォトセンサーを備え、該フォト
    センサーからの信号を前記原子間力または距離に対応す
    る信号として検出することを特徴とする請求項2記載の
    原子間力顕微鏡。
  4. 【請求項4】 前記検出系は、前記カンチレバー上に設
    けた圧電膜用電極からの信号を前記原子間力または距離
    に対応する信号として検出することを特徴とする請求項
    2記載の原子間力顕微鏡。
  5. 【請求項5】 前記カンチレバー上に設けた一対の圧電
    膜用電極の一方は、分割された複数の電極からなり、前
    記検出系は、該分割電極の一部からの信号を前記原子間
    力または距離に対応する信号として検出することを特徴
    とする請求項4記載の原子間力顕微鏡。
  6. 【請求項6】 前記制御系は、前記信号から分離された
    高周波信号成分を高速帰還信号として、前記圧電膜用電
    極の別の分割電極に印加することにより前記カンチレバ
    ーを所定方向に変位させることを特徴とする請求項5記
    載の原子間力顕微鏡。
  7. 【請求項7】 前記圧電膜は、前記電極に高速帰還信号
    が印加されると、d31逆圧電効果により前記カンチレバ
    ーを所定方向に変位させ、前記移動機構は、前記低速帰
    還信号が印加されると、前記試料台を所定方向に変位さ
    せることを特徴とする請求項2〜6記載の原子間力顕微
    鏡。
  8. 【請求項8】 前記移動機構は、前記カンチレバー上に
    設けた圧電膜よりも大型の圧電膜及び該圧電膜を挟持す
    る一対の電極を備え、該電極に前記低速帰還信号が印加
    されると、d31逆圧電効果により前記試料台を所定方向
    に変位させることを特徴とする請求項7記載の原子間力
    顕微鏡。
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