JPH0916901A - 着磁方法及び磁気ディスク - Google Patents
着磁方法及び磁気ディスクInfo
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- JPH0916901A JPH0916901A JP16530695A JP16530695A JPH0916901A JP H0916901 A JPH0916901 A JP H0916901A JP 16530695 A JP16530695 A JP 16530695A JP 16530695 A JP16530695 A JP 16530695A JP H0916901 A JPH0916901 A JP H0916901A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 サーボピット部等が凹凸パターンとして形成
されたエンボス型の磁気ディスクに対して着磁を行うに
際して、、再生波形の着磁電流依存特性図上の振幅許容
範囲によって決まる電流値の範囲をIamp0〜Iam
p1、時間許容範囲によって決まる電流値の範囲をIi
nt0〜Iint1としたときに、Iamp0またはI
int0のいずれか小さい方の電流値を着磁電流の下限
とし、Iamp1またはIint1のいずれか大きい方
の電流値を着磁電流の上限として着磁を行う。 【効果】 その再生システムで最適な再生波形が得られ
るように磁気ディスクを磁化することができる。したが
って、エンボス型の磁気ディスクのエラーレートの低減
に多いに貢献できる。
されたエンボス型の磁気ディスクに対して着磁を行うに
際して、、再生波形の着磁電流依存特性図上の振幅許容
範囲によって決まる電流値の範囲をIamp0〜Iam
p1、時間許容範囲によって決まる電流値の範囲をIi
nt0〜Iint1としたときに、Iamp0またはI
int0のいずれか小さい方の電流値を着磁電流の下限
とし、Iamp1またはIint1のいずれか大きい方
の電流値を着磁電流の上限として着磁を行う。 【効果】 その再生システムで最適な再生波形が得られ
るように磁気ディスクを磁化することができる。したが
って、エンボス型の磁気ディスクのエラーレートの低減
に多いに貢献できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、エンボス型の磁気ディ
スク及びその着磁方法に関する。
スク及びその着磁方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えばコンピュータ等の記憶媒体として
は、ランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが
広く用いられており、なかでも応答性に優れること等か
ら、基板にガラス板、プラスチック板、あるいは表面に
Ni−Pメッキ,アルマイト処理が施されたAl合金板
等の硬質材料を用いた磁気ディスク(いわゆるハードデ
ィスク)が使用されるようになっている。
は、ランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが
広く用いられており、なかでも応答性に優れること等か
ら、基板にガラス板、プラスチック板、あるいは表面に
Ni−Pメッキ,アルマイト処理が施されたAl合金板
等の硬質材料を用いた磁気ディスク(いわゆるハードデ
ィスク)が使用されるようになっている。
【0003】この磁気ディスクへの記録再生には、通
常、浮上型の磁気ヘッドが用いられる。この浮上型の磁
気ヘッドを、回転しているディスク面に対して微小距離
をあけて浮上させ、この浮上状態の磁気ヘッドを径方向
に移動操作することで所定のデータトラック上を走査す
るようにし、磁気信号の記録及び再生を行う。
常、浮上型の磁気ヘッドが用いられる。この浮上型の磁
気ヘッドを、回転しているディスク面に対して微小距離
をあけて浮上させ、この浮上状態の磁気ヘッドを径方向
に移動操作することで所定のデータトラック上を走査す
るようにし、磁気信号の記録及び再生を行う。
【0004】このような磁気ディスクの記録再生システ
ムでは、近年、装置の小型化、高密度記録化が進行して
いる。このうち、磁気ディスクの高密度記録化は、信号
の線密度を増大させたり、トラック幅を狭小化し、ディ
スク1枚当たりのデータトラック本数を増やすことで行
われる。
ムでは、近年、装置の小型化、高密度記録化が進行して
いる。このうち、磁気ディスクの高密度記録化は、信号
の線密度を増大させたり、トラック幅を狭小化し、ディ
スク1枚当たりのデータトラック本数を増やすことで行
われる。
【0005】しかしながら、例えばディスクのトラック
幅を余り狭くすると、信号再生に際して、隣接データト
ラックに記録された磁気信号からの干渉(クロストー
ク)を受け易くなり、S/N比が劣化する。
幅を余り狭くすると、信号再生に際して、隣接データト
ラックに記録された磁気信号からの干渉(クロストー
ク)を受け易くなり、S/N比が劣化する。
【0006】そこで、このようなクロストークが抑えら
れる磁気ディスクとして、基板表面に、データトラック
やサーボピット部,クロックマークが凹凸パターンとし
て形成された、エンボス型の磁気ディスクが提案されて
いる。
れる磁気ディスクとして、基板表面に、データトラック
やサーボピット部,クロックマークが凹凸パターンとし
て形成された、エンボス型の磁気ディスクが提案されて
いる。
【0007】このエンボス型の磁気ディスクでは、基板
表面の凹凸形状が磁性層表面に反映され、磁性層が基板
表面で形成されているのと同じ凹凸パターンを呈した表
面形状になっており、さらに凹部と凸部が互いに逆向き
の磁化方向で着磁される。
表面の凹凸形状が磁性層表面に反映され、磁性層が基板
表面で形成されているのと同じ凹凸パターンを呈した表
面形状になっており、さらに凹部と凸部が互いに逆向き
の磁化方向で着磁される。
【0008】したがって、凸部をデータトラックとした
ときには、このデータトラック同士は、間に凹部が介在
していることから磁気的に分断される。そのため、隣接
するデータトラックに記録された磁気信号の影響を受け
難く、トラック幅が比較的狭く設定されている場合で
も、S/N比の高い再生信号が得られることになる。
ときには、このデータトラック同士は、間に凹部が介在
していることから磁気的に分断される。そのため、隣接
するデータトラックに記録された磁気信号の影響を受け
難く、トラック幅が比較的狭く設定されている場合で
も、S/N比の高い再生信号が得られることになる。
【0009】ここで、このようなエンボス型の磁気ディ
スクにおいて、凹部と凸部とを逆向きに磁化するための
着磁は以下のようにして行われる。
スクにおいて、凹部と凸部とを逆向きに磁化するための
着磁は以下のようにして行われる。
【0010】すなわち、比較的大きな磁界が発生できる
永久磁石によって記録磁性層側から磁界を印加し、この
永久磁石をトラック方向に走査させる。これによって、
ディスク全面が、凹部凸部を問わず一方向に磁化される
(第1の磁化工程)。
永久磁石によって記録磁性層側から磁界を印加し、この
永久磁石をトラック方向に走査させる。これによって、
ディスク全面が、凹部凸部を問わず一方向に磁化される
(第1の磁化工程)。
【0011】次に、比較的小さな磁界を発生する磁気ヘ
ッドによって上記永久磁石とは逆向きの磁界を記録磁性
層側から印加し、この磁気ヘッドをトラック方向に走査
させる。このとき、この磁気ヘッドは発生する磁界が小
さいことから、当該磁気ヘッドから離れた位置にある凹
部ではスペーシングロスによって磁化反転が起こらず、
もとの磁化方向が維持される。一方、磁気ヘッドから近
い位置にある凸部では印加された磁界によって磁化反転
が起こり、先の磁化方向とは逆向きに磁化された状態に
なる(第2の磁化工程)。
ッドによって上記永久磁石とは逆向きの磁界を記録磁性
層側から印加し、この磁気ヘッドをトラック方向に走査
させる。このとき、この磁気ヘッドは発生する磁界が小
さいことから、当該磁気ヘッドから離れた位置にある凹
部ではスペーシングロスによって磁化反転が起こらず、
もとの磁化方向が維持される。一方、磁気ヘッドから近
い位置にある凸部では印加された磁界によって磁化反転
が起こり、先の磁化方向とは逆向きに磁化された状態に
なる(第2の磁化工程)。
【0012】以上の磁化工程によって、凹部と凸部での
磁化方向が逆向きとなった磁気ディスクが得られる。
磁化方向が逆向きとなった磁気ディスクが得られる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】ところで、エンボス型
の磁気ディスクでは、基板にサーボピット等として形成
される凸部の形状は、立ち上がり角90°の矩形状であ
るのが理想的である。しかし、射出成形で作製される基
板の場合、凸部は立ち上がり角が45°程度の台形状に
形成されてしまうのが通常である。
の磁気ディスクでは、基板にサーボピット等として形成
される凸部の形状は、立ち上がり角90°の矩形状であ
るのが理想的である。しかし、射出成形で作製される基
板の場合、凸部は立ち上がり角が45°程度の台形状に
形成されてしまうのが通常である。
【0014】このような台形状の凸部では、この凸部上
を磁気ヘッドで走査したときに得られる再生波形が着磁
に際する第2の磁化工程で印加した磁界の強さによって
異なる現象が見られる。
を磁気ヘッドで走査したときに得られる再生波形が着磁
に際する第2の磁化工程で印加した磁界の強さによって
異なる現象が見られる。
【0015】図7に、磁気ディスクに形成された凸部
と、その再生波形の典型例を示す。なお、図7(b)に
おいて、横軸は時間、縦軸は電流値である。
と、その再生波形の典型例を示す。なお、図7(b)に
おいて、横軸は時間、縦軸は電流値である。
【0016】図7(a)に示すように、この磁気ディス
クでは台形状の凸部が形成されており、凸部と凹部がそ
れぞれm1,m2なる大きさで磁化されている。このよう
な磁気ディスクの凸部上を、図中D方向に磁気ヘッドで
走査すると、図7(b)に示すように、磁気ディスク上
で磁化方向が反転していると考えられる境界位置、この
場合は凸部両側の勾配上でそれぞれ互いに逆向きの振幅
が観測される。
クでは台形状の凸部が形成されており、凸部と凹部がそ
れぞれm1,m2なる大きさで磁化されている。このよう
な磁気ディスクの凸部上を、図中D方向に磁気ヘッドで
走査すると、図7(b)に示すように、磁気ディスク上
で磁化方向が反転していると考えられる境界位置、この
場合は凸部両側の勾配上でそれぞれ互いに逆向きの振幅
が観測される。
【0017】ここで、この場合に対して、第2の磁化工
程で磁気ディスクに印加する磁界の強さ、つまり磁気ヘ
ッドに与える電流値(以下、着磁電流と称する)を変化
させると、磁気ディスク上で磁化方向が反転する境界位
置が変化する。着磁電流がより小さい場合には磁化方向
が反転する境界位置はより内側になり、逆に、着磁電流
がより大きい場合には磁化方向が反転する境界位置はよ
り外側になる。このように磁気ディスク上で磁化方向が
反転する境界位置が変動すると、再生波形上では、この
境界位置の変動に対応して振幅の時間間隔Tが変動し、
また振幅の大きさAが変化する。したがって、その再生
システムにおいて適正な再生波形を得るには、第2の磁
化工程での着磁電流を、このような再生波形の着磁電流
に依存した変化を考慮して設定する必要がある。通常
は、再生波形の振幅Aが最も大きくなる電流値が着磁電
流として採用されている。
程で磁気ディスクに印加する磁界の強さ、つまり磁気ヘ
ッドに与える電流値(以下、着磁電流と称する)を変化
させると、磁気ディスク上で磁化方向が反転する境界位
置が変化する。着磁電流がより小さい場合には磁化方向
が反転する境界位置はより内側になり、逆に、着磁電流
がより大きい場合には磁化方向が反転する境界位置はよ
り外側になる。このように磁気ディスク上で磁化方向が
反転する境界位置が変動すると、再生波形上では、この
境界位置の変動に対応して振幅の時間間隔Tが変動し、
また振幅の大きさAが変化する。したがって、その再生
システムにおいて適正な再生波形を得るには、第2の磁
化工程での着磁電流を、このような再生波形の着磁電流
に依存した変化を考慮して設定する必要がある。通常
は、再生波形の振幅Aが最も大きくなる電流値が着磁電
流として採用されている。
【0018】しかしながら、磁気ディスクの凹凸パター
ンからサーボ信号等を生成する各種再生システムにおい
ては、再生波形の振幅は確かに大きい方が好ましいが、
振幅の時間間隔についてもそれぞれのシステムで最適値
が存在する。すなわち、再生波形の振幅が最大となるこ
とが、必ずしもその再生システムにおいて最適な条件で
あるとは限らず、再生波形の振幅と振幅の時間間隔がそ
の再生システムの規格に合ったものとなされていること
が必要である。したがって、再生波形での振幅のみから
設定された着磁電流で着磁がなされた磁気ディスクから
は、良好な再生信号を得るのが難しいのが実情である。
ンからサーボ信号等を生成する各種再生システムにおい
ては、再生波形の振幅は確かに大きい方が好ましいが、
振幅の時間間隔についてもそれぞれのシステムで最適値
が存在する。すなわち、再生波形の振幅が最大となるこ
とが、必ずしもその再生システムにおいて最適な条件で
あるとは限らず、再生波形の振幅と振幅の時間間隔がそ
の再生システムの規格に合ったものとなされていること
が必要である。したがって、再生波形での振幅のみから
設定された着磁電流で着磁がなされた磁気ディスクから
は、良好な再生信号を得るのが難しいのが実情である。
【0019】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、磁気ディスクを、その再
生システム上で最適な再生波形が生成されるように着磁
することが可能な着磁方法を提供することを目的とす
る。また、そのような着磁方法を用いることで、その再
生システム上で最適な再生波形が生成できる磁気ディス
クを提供することを目的とする。
鑑みて提案されたものであり、磁気ディスクを、その再
生システム上で最適な再生波形が生成されるように着磁
することが可能な着磁方法を提供することを目的とす
る。また、そのような着磁方法を用いることで、その再
生システム上で最適な再生波形が生成できる磁気ディス
クを提供することを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の着磁方法は、凹凸パターンが形成された
非磁性基板上に記録磁性層が形成されてなる磁気ディス
クに対して、記録磁性層の凹部と凸部とを互いに逆向き
の磁化方向で着磁するに際して、凹凸パターンにおける
再生波形の着磁電流依存特性図上の、振幅許容範囲によ
って決まる電流値の範囲をIamp0〜Iamp1、時
間許容範囲によって決まる電流値の範囲をIint0〜
Iint1としたときに、Iamp0またはIint0
のいずれか小さい方の電流値を着磁電流の下限とし、I
amp1またはIint1のいずれか大きい方の電流値
を着磁電流の上限として着磁を行うことを特徴とするも
のである。
めに、本発明の着磁方法は、凹凸パターンが形成された
非磁性基板上に記録磁性層が形成されてなる磁気ディス
クに対して、記録磁性層の凹部と凸部とを互いに逆向き
の磁化方向で着磁するに際して、凹凸パターンにおける
再生波形の着磁電流依存特性図上の、振幅許容範囲によ
って決まる電流値の範囲をIamp0〜Iamp1、時
間許容範囲によって決まる電流値の範囲をIint0〜
Iint1としたときに、Iamp0またはIint0
のいずれか小さい方の電流値を着磁電流の下限とし、I
amp1またはIint1のいずれか大きい方の電流値
を着磁電流の上限として着磁を行うことを特徴とするも
のである。
【0021】また、凹凸パターンが形成された非磁性基
板上に記録磁性層が形成されてなる磁気ディスクであっ
て、記録磁性層の凹部と凸部とが請求項1記載の着磁方
法によって互いに逆向きの磁化方向で着磁されているこ
とを特徴とするものである。
板上に記録磁性層が形成されてなる磁気ディスクであっ
て、記録磁性層の凹部と凸部とが請求項1記載の着磁方
法によって互いに逆向きの磁化方向で着磁されているこ
とを特徴とするものである。
【0022】
【作用】サーボピット部等が凹凸パターンとして形成さ
れたエンボス型の磁気ディスクに対して、再生波形の着
磁電流依存特性図上の振幅許容範囲によって決まる電流
値の範囲をIamp0〜Iamp1、時間許容範囲によ
って決まる電流値の範囲をIint0〜Iint1とし
たときに、Iamp0またはIint0のいずれか小さ
い方の電流値を着磁電流の下限とし、Iamp1または
Iint1のいずれか大きい方の電流値を着磁電流の上
限として着磁を行うと、当該磁気ディスクが、その再生
波形の振幅及び振幅の時間間隔が許容範囲内に収まるよ
うに磁化される。このようにして着磁された磁気ディス
クでは、良好なサーボ信号が得られるのでエラレーレー
トが小さく抑えられる。
れたエンボス型の磁気ディスクに対して、再生波形の着
磁電流依存特性図上の振幅許容範囲によって決まる電流
値の範囲をIamp0〜Iamp1、時間許容範囲によ
って決まる電流値の範囲をIint0〜Iint1とし
たときに、Iamp0またはIint0のいずれか小さ
い方の電流値を着磁電流の下限とし、Iamp1または
Iint1のいずれか大きい方の電流値を着磁電流の上
限として着磁を行うと、当該磁気ディスクが、その再生
波形の振幅及び振幅の時間間隔が許容範囲内に収まるよ
うに磁化される。このようにして着磁された磁気ディス
クでは、良好なサーボ信号が得られるのでエラレーレー
トが小さく抑えられる。
【0023】
【実施例】本発明の好適な実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【0024】本実施例では、データトラックやサーボピ
ット部,クロックマークが凹凸パターンとして形成され
た非磁性基板上に記録磁性層が形成されてなる磁気ディ
スクに対して、記録磁性層の凹部と凸部とを互いに逆向
きの磁化方向で着磁する。
ット部,クロックマークが凹凸パターンとして形成され
た非磁性基板上に記録磁性層が形成されてなる磁気ディ
スクに対して、記録磁性層の凹部と凸部とを互いに逆向
きの磁化方向で着磁する。
【0025】この着磁が行われる磁気ディスクにおい
て、非磁性基板は、高分子材料を、基板に形成すべき凹
凸パターンの反転パターンが形成されたスタンパ金型を
用いて射出成形することで作製されるものである。この
高分子材料としては、ポリカーボネート、ポリエチレン
テレフタレート,ポリブチレンテレフタレート等が挙げ
られる。
て、非磁性基板は、高分子材料を、基板に形成すべき凹
凸パターンの反転パターンが形成されたスタンパ金型を
用いて射出成形することで作製されるものである。この
高分子材料としては、ポリカーボネート、ポリエチレン
テレフタレート,ポリブチレンテレフタレート等が挙げ
られる。
【0026】また、記録磁性層は、CoやCo−Pt,
Co−Ni,Co−Ni−Cr,Co−Cr,Co−C
r−Ta等のCo系合金よりなる金属薄膜である。これ
ら薄膜は、スパッタ法等の真空薄膜形成技術によって、
非磁性基板の凹凸パターンが形成された側の面に、この
凹凸パターンを反映した表面形状を呈して形成される。
Co−Ni,Co−Ni−Cr,Co−Cr,Co−C
r−Ta等のCo系合金よりなる金属薄膜である。これ
ら薄膜は、スパッタ法等の真空薄膜形成技術によって、
非磁性基板の凹凸パターンが形成された側の面に、この
凹凸パターンを反映した表面形状を呈して形成される。
【0027】本実施例では、このような磁気ディスクに
対して、記録磁性層の凹部と凸部とが互いに逆向きの磁
化方向となるように着磁する。この着磁を行うための着
磁装置を図1に示す。
対して、記録磁性層の凹部と凸部とが互いに逆向きの磁
化方向となるように着磁する。この着磁を行うための着
磁装置を図1に示す。
【0028】この着磁装置は、スピンドル6上に、ディ
スク固定装置10によって固定された磁気ディスク5に
対して、比較的大きな磁界を印加する永久磁石4と、比
較的小さい磁界を印加するとともにこの磁気ディスク5
から再生波形を生成する磁気ヘッド1を有して構成され
ている。
スク固定装置10によって固定された磁気ディスク5に
対して、比較的大きな磁界を印加する永久磁石4と、比
較的小さい磁界を印加するとともにこの磁気ディスク5
から再生波形を生成する磁気ヘッド1を有して構成され
ている。
【0029】上記永久磁石4は、磁極が磁気ディスク5
側に向くように当該磁気ディスク5のディスク面に対し
て微小距離を空けて支持され、ディスクの径方向に移動
操作されるようになされている。したがって、磁気ディ
スク5を回転させながら、この永久磁石4をディスクの
径方向に移動操作することで、この永久磁石4によって
ディスク全面に磁界が印加される。なお、ここでは、こ
の磁気ディスク5に大きな磁界を印加する磁石として永
久磁石を用いるが、その代わりに電磁石あるいは磁気ヘ
ッドを用いるようにしても良い。
側に向くように当該磁気ディスク5のディスク面に対し
て微小距離を空けて支持され、ディスクの径方向に移動
操作されるようになされている。したがって、磁気ディ
スク5を回転させながら、この永久磁石4をディスクの
径方向に移動操作することで、この永久磁石4によって
ディスク全面に磁界が印加される。なお、ここでは、こ
の磁気ディスク5に大きな磁界を印加する磁石として永
久磁石を用いるが、その代わりに電磁石あるいは磁気ヘ
ッドを用いるようにしても良い。
【0030】一方、上記磁気ヘッド1は、磁気ギャップ
が磁気ディスク5側を向くように当該磁気ディスク5の
ディスク面に対して微小距離を空けて支持され、ディス
クの径方向に移動操作されるようになされている。
が磁気ディスク5側を向くように当該磁気ディスク5の
ディスク面に対して微小距離を空けて支持され、ディス
クの径方向に移動操作されるようになされている。
【0031】ここで、この磁気ヘッド1は、磁気ディス
ク5に対して任意の大きさで磁界を印加する着磁モード
と、磁気ディスクから再生波形を生成する再生モードが
選択されるようになっており、これらのモードで機能す
るアンプ7,A/D変換装置8,コントローラ部9が接
続されている。
ク5に対して任意の大きさで磁界を印加する着磁モード
と、磁気ディスクから再生波形を生成する再生モードが
選択されるようになっており、これらのモードで機能す
るアンプ7,A/D変換装置8,コントローラ部9が接
続されている。
【0032】上記アンプ7は、着磁モードにおいて、磁
気ヘッド1に供給される電流値(着磁電流)を任意に変
化させるためものであり、この着磁電流を変化させるこ
とで磁気ヘッド1から発生する磁界の大きさが変化す
る。
気ヘッド1に供給される電流値(着磁電流)を任意に変
化させるためものであり、この着磁電流を変化させるこ
とで磁気ヘッド1から発生する磁界の大きさが変化す
る。
【0033】一方、上記A/D変換装置8は、再生モー
ドにおいて、再生波形を検出するためのものであり、例
えばデジタルオシロスコープ等が用いられる。この検出
された再生波形の振幅の大きさ及び振幅の時間間隔等
は、このA/D変換装置8に接続されたコントローラ部
9によって数値化される。
ドにおいて、再生波形を検出するためのものであり、例
えばデジタルオシロスコープ等が用いられる。この検出
された再生波形の振幅の大きさ及び振幅の時間間隔等
は、このA/D変換装置8に接続されたコントローラ部
9によって数値化される。
【0034】したがって、この磁気ヘッド1をディスク
の径方向に移動操作することで、着磁モードではこの磁
気ヘッド1によってディスク全面に任意の大きさの磁界
が印加され、また再生モードではその着磁がなされたデ
ィスク上から再生波形が検出されることになる。
の径方向に移動操作することで、着磁モードではこの磁
気ヘッド1によってディスク全面に任意の大きさの磁界
が印加され、また再生モードではその着磁がなされたデ
ィスク上から再生波形が検出されることになる。
【0035】このような着磁装置によって着磁を行うに
は、着磁すべき磁気ディスク5を記録磁性層が形成され
た側が上側になるようにスピンドル6上に固定し、図2
に示すように上記永久磁石4によって磁界を印加する。
この印加された磁界によって、磁気ディスク5の記録磁
性層は凹部凸部を問わず一方向にm2なる大きさで磁化
される(第1の磁化工程)。
は、着磁すべき磁気ディスク5を記録磁性層が形成され
た側が上側になるようにスピンドル6上に固定し、図2
に示すように上記永久磁石4によって磁界を印加する。
この印加された磁界によって、磁気ディスク5の記録磁
性層は凹部凸部を問わず一方向にm2なる大きさで磁化
される(第1の磁化工程)。
【0036】次に、磁気ヘッド1を着磁モードとして、
図3(a)で示すように、当該磁気ヘッド1に任意の着
磁電流を供給し、上記永久磁石4とは逆向きの磁界を発
生させる。この磁気ヘッド1は発生する磁界が小さいこ
とから、磁気ヘッド1から離れた位置にある凹部ではス
ペーシングロスによって磁化反転が起こらず、もとの磁
化方向が維持される。一方、磁気ヘッドから近い位置に
ある凸部では印加された磁界によって磁化反転が起こ
り、先の磁化方向とは逆向きにm1なる大きさで磁化さ
れた状態になる(第2の磁化工程)。
図3(a)で示すように、当該磁気ヘッド1に任意の着
磁電流を供給し、上記永久磁石4とは逆向きの磁界を発
生させる。この磁気ヘッド1は発生する磁界が小さいこ
とから、磁気ヘッド1から離れた位置にある凹部ではス
ペーシングロスによって磁化反転が起こらず、もとの磁
化方向が維持される。一方、磁気ヘッドから近い位置に
ある凸部では印加された磁界によって磁化反転が起こ
り、先の磁化方向とは逆向きにm1なる大きさで磁化さ
れた状態になる(第2の磁化工程)。
【0037】次に、このようにして凸部,凹部がそれぞ
れm1,m2なる大きさで磁化された磁気ディスクから、
サーボピットやクロックマーク等の再生波形を観測する
には、これらピットに対応する凸部上を磁気ヘッドに走
査させる。磁気ヘッドに凸部上を走査させると、A/D
変換器において、図3(b)に示すように磁気ディスク
上で磁化が反転している考えられる境界位置に対応して
それぞれ互いに逆向きの振幅を有する再生波形が観測さ
れる。なお、図3(b)において、横軸は時間、縦軸は
電流値である。そして、この再生波形の振幅の大きさA
と振幅同士の時間間隔Tが、コントロール部によって数
値化される(再生波形生成工程)。
れm1,m2なる大きさで磁化された磁気ディスクから、
サーボピットやクロックマーク等の再生波形を観測する
には、これらピットに対応する凸部上を磁気ヘッドに走
査させる。磁気ヘッドに凸部上を走査させると、A/D
変換器において、図3(b)に示すように磁気ディスク
上で磁化が反転している考えられる境界位置に対応して
それぞれ互いに逆向きの振幅を有する再生波形が観測さ
れる。なお、図3(b)において、横軸は時間、縦軸は
電流値である。そして、この再生波形の振幅の大きさA
と振幅同士の時間間隔Tが、コントロール部によって数
値化される(再生波形生成工程)。
【0038】磁気ディスクへの着磁及び再生波形の観測
は、基本的には以上の工程で行われる。
は、基本的には以上の工程で行われる。
【0039】ここで、特定の再生システムにおいて適切
な再生波形が得られるように磁気ディスクを着磁するに
は、この第2の磁化工程における着磁電流の設定が重要
となる。
な再生波形が得られるように磁気ディスクを着磁するに
は、この第2の磁化工程における着磁電流の設定が重要
となる。
【0040】本実施例では、この着磁電流を、再生波形
の振幅の大きさと振幅の時間間隔の着磁電流依存特性を
調べ、これに基づいて設定することとする。この振幅の
大きさと振幅の時間間隔の着磁電流依存特性は、先の第
2の磁化工程と再生波形の生成工程を、着磁電流を変化
させながら繰り返し行うことで求められる。
の振幅の大きさと振幅の時間間隔の着磁電流依存特性を
調べ、これに基づいて設定することとする。この振幅の
大きさと振幅の時間間隔の着磁電流依存特性は、先の第
2の磁化工程と再生波形の生成工程を、着磁電流を変化
させながら繰り返し行うことで求められる。
【0041】このようにして測定される再生波形の振幅
の大きさと振幅の時間間隔を、着磁電流を横軸にしてプ
ロットした特性図を図4,図5に示す。なお、図4と図
5とは、サンプルとなる磁気ディスクが異なる場合の例
である。
の大きさと振幅の時間間隔を、着磁電流を横軸にしてプ
ロットした特性図を図4,図5に示す。なお、図4と図
5とは、サンプルとなる磁気ディスクが異なる場合の例
である。
【0042】ここで、このようにいずれの特性図におい
ても、再生波形の振幅の大きさは、着磁電流がある値ま
ではその着磁電流に依存して増加し、それ以降は着磁電
流に依存して減少するといった変化を示す。この振幅が
最大になる着磁電流をIampとする。
ても、再生波形の振幅の大きさは、着磁電流がある値ま
ではその着磁電流に依存して増加し、それ以降は着磁電
流に依存して減少するといった変化を示す。この振幅が
最大になる着磁電流をIampとする。
【0043】一方、振幅の時間間隔Tは、着磁電流に依
存して3次関数的に増加する。ここで、再生システムに
は、それぞれ振幅の時間間隔の最適値が存在する。振幅
の時間間隔がこの最適値となる着磁電流をIintとす
る。なお、ここでは、この最適時間間隔を約300ns
であると想定する。
存して3次関数的に増加する。ここで、再生システムに
は、それぞれ振幅の時間間隔の最適値が存在する。振幅
の時間間隔がこの最適値となる着磁電流をIintとす
る。なお、ここでは、この最適時間間隔を約300ns
であると想定する。
【0044】ここで、まず、図4の場合では、振幅が最
大になる着磁電流Iampと振幅の時間間隔Tが最適値
となる着磁電流Iintとが一致している。このような
場合には、このIamp(すなわちIint)を着磁電
流として、第2の磁化工程を行えば良い。
大になる着磁電流Iampと振幅の時間間隔Tが最適値
となる着磁電流Iintとが一致している。このような
場合には、このIamp(すなわちIint)を着磁電
流として、第2の磁化工程を行えば良い。
【0045】これに対して、図5においてはIampが
Iintよりも小さい値になっており、これらの値が一
致していない。このような場合には、再生システムにお
ける再生波形の振幅許容範囲と振幅の時間許容範囲を考
慮して着磁電流を設定することが必要である。なお、こ
の許容範囲は、サーボ信号を生成した後のサーボ信号品
質によって決まる範囲、すなわちこの信号品質がある値
以上に確保できる振幅範囲,時間間隔範囲であり、再生
システムによって異なる。この許容範囲を考慮した着磁
電流の設定方法を図6を参照しながら説明する。
Iintよりも小さい値になっており、これらの値が一
致していない。このような場合には、再生システムにお
ける再生波形の振幅許容範囲と振幅の時間許容範囲を考
慮して着磁電流を設定することが必要である。なお、こ
の許容範囲は、サーボ信号を生成した後のサーボ信号品
質によって決まる範囲、すなわちこの信号品質がある値
以上に確保できる振幅範囲,時間間隔範囲であり、再生
システムによって異なる。この許容範囲を考慮した着磁
電流の設定方法を図6を参照しながら説明する。
【0046】すなわち、図6は、一般的な再生波形の着
磁電流依存特性を模式的に示している。図6中、Iam
p0は、再生波形の振幅が再生システムの振幅許容範囲
の下限に相当する大きさとなる着磁電流であり、Iam
p1は、再生波形の振幅が再生システムの振幅許容範囲
の上限に相当する大きさとなる着磁電流である。
磁電流依存特性を模式的に示している。図6中、Iam
p0は、再生波形の振幅が再生システムの振幅許容範囲
の下限に相当する大きさとなる着磁電流であり、Iam
p1は、再生波形の振幅が再生システムの振幅許容範囲
の上限に相当する大きさとなる着磁電流である。
【0047】また、Iint0は、振幅の時間間隔が再
生システムの時間許容範囲の下限に相当する大きさとな
る着磁電流であり、Iint1は、振幅の時間間隔が、
再生システムの時間許容範囲の上限に相当する大きさと
なる着磁電流である。
生システムの時間許容範囲の下限に相当する大きさとな
る着磁電流であり、Iint1は、振幅の時間間隔が、
再生システムの時間許容範囲の上限に相当する大きさと
なる着磁電流である。
【0048】ここで、この特性図では、Iint0<I
amp0<Iint1<Iamp1といった大小関係に
なっている。このような場合にはIint0〜Iamp
1の範囲、より好ましくはIint0〜Iint1とI
amp0〜Iamp1の重なる範囲、すなわちIamp
0〜Iint1の範囲で着磁電流を選択する。そのよう
な着磁電流で着磁を行うことにより、磁気ディスクが、
再生波形の振幅の大きさ、振幅同士の間隔がともにその
再生システムの許容範囲内あるいは許容範囲に近い値と
なるように磁化されることになる。
amp0<Iint1<Iamp1といった大小関係に
なっている。このような場合にはIint0〜Iamp
1の範囲、より好ましくはIint0〜Iint1とI
amp0〜Iamp1の重なる範囲、すなわちIamp
0〜Iint1の範囲で着磁電流を選択する。そのよう
な着磁電流で着磁を行うことにより、磁気ディスクが、
再生波形の振幅の大きさ、振幅同士の間隔がともにその
再生システムの許容範囲内あるいは許容範囲に近い値と
なるように磁化されることになる。
【0049】なお、図6に示す振幅許容範囲及び時間許
容範囲は一例であり、Iint0,Iint1,Iam
p0,Iamp1が上述のような大小関係になるとは限
らない。磁気ディスクや再生システムによっては、図6
とは、Iint0とIamp0、Iint1とIamp
1の大小関係が逆転している場合もある。いずれにして
も、Iint0またはIamp0のいずれか小さい方の
電流値を着磁電流の下限とし、Iint1またはIam
p1のいずれか大きい方の電流値を着磁電流の上限とす
れば、同様に、磁気ディスクが、再生波形の振幅の大き
さ、振幅同士の間隔がともにその再生システムの許容範
囲内あるいは許容範囲に近い値となるように磁化される
ことになる。
容範囲は一例であり、Iint0,Iint1,Iam
p0,Iamp1が上述のような大小関係になるとは限
らない。磁気ディスクや再生システムによっては、図6
とは、Iint0とIamp0、Iint1とIamp
1の大小関係が逆転している場合もある。いずれにして
も、Iint0またはIamp0のいずれか小さい方の
電流値を着磁電流の下限とし、Iint1またはIam
p1のいずれか大きい方の電流値を着磁電流の上限とす
れば、同様に、磁気ディスクが、再生波形の振幅の大き
さ、振幅同士の間隔がともにその再生システムの許容範
囲内あるいは許容範囲に近い値となるように磁化される
ことになる。
【0050】以上は再生システム一般に適用し得る着磁
電流の設定範囲であるが、再生システムには、再生波形
の振幅の大きさを優先するシステム、振幅の時間間隔を
優先するシステム、また再生波形の振幅の大きさと振幅
の時間間隔とがそれぞれある重みで重視されるシステム
等がある。このような重み付けが明かである場合には、
その重み付けに合わせて着磁電流を設定するとより好ま
しい。
電流の設定範囲であるが、再生システムには、再生波形
の振幅の大きさを優先するシステム、振幅の時間間隔を
優先するシステム、また再生波形の振幅の大きさと振幅
の時間間隔とがそれぞれある重みで重視されるシステム
等がある。このような重み付けが明かである場合には、
その重み付けに合わせて着磁電流を設定するとより好ま
しい。
【0051】たとえば、再生波形の振幅の大きさを優先
するシステムの着磁電流の最適値Ioptは、Iint
0<Iamp<Iint1である場合ではIopt=I
amp、Iamp<Iint0且つIamp1>Iin
t0である場合ではIopt=Iint0、Iamp>
Iint1且つIamp0<Iint1である場合では
Iopt=Iint1である。
するシステムの着磁電流の最適値Ioptは、Iint
0<Iamp<Iint1である場合ではIopt=I
amp、Iamp<Iint0且つIamp1>Iin
t0である場合ではIopt=Iint0、Iamp>
Iint1且つIamp0<Iint1である場合では
Iopt=Iint1である。
【0052】また、振幅の時間間隔を優先する系の着磁
電流の最適値Ioptは、Iamp0<Iint<Ia
mp1である場合ではIopt=Iint、Iint<
Iamp0且つIint1>Iamp0である場合では
Iopt=Iamp0Iint>Iamp1且つIin
t0<Iamp1である場合ではIopt=Iamp1
である。
電流の最適値Ioptは、Iamp0<Iint<Ia
mp1である場合ではIopt=Iint、Iint<
Iamp0且つIint1>Iamp0である場合では
Iopt=Iamp0Iint>Iamp1且つIin
t0<Iamp1である場合ではIopt=Iamp1
である。
【0053】さらに、再生波形の振幅の大きさと振幅の
時間間隔とがそれぞれある重みで重視される系の着磁電
流の最適値Ioptは、 Iopt=(mIamp+nIint)/(m+n) (但し、m,nは整数である)から求められる。ここ
で、mは再生波形の振幅の大きさの重み付け、nは振幅
の時間間隔の重み付けであり、再生システムに応じて設
定される。
時間間隔とがそれぞれある重みで重視される系の着磁電
流の最適値Ioptは、 Iopt=(mIamp+nIint)/(m+n) (但し、m,nは整数である)から求められる。ここ
で、mは再生波形の振幅の大きさの重み付け、nは振幅
の時間間隔の重み付けであり、再生システムに応じて設
定される。
【0054】このように着磁電流は、再生システムにお
ける再生波形の振幅の大きさと振幅の時間間隔のそれぞ
れの重み付け、再生波形の着磁電流依存特性図上におけ
るIamp0,Iamp,Iamp1,Iint0,I
int,Iint1の大小関係が決まれば、ある特定の
値に決定することができる。したがって、例えば上記着
磁装置のコントロール部に、以上のような条件付けに応
じた最適着磁電流の導出を行う判断回路を組み込み、こ
の導き出された電流値情報に応じてアンプを制御するよ
うにすれば、磁気ディスクに対して最適着磁電流で自動
的に着磁を行わせることも可能である。
ける再生波形の振幅の大きさと振幅の時間間隔のそれぞ
れの重み付け、再生波形の着磁電流依存特性図上におけ
るIamp0,Iamp,Iamp1,Iint0,I
int,Iint1の大小関係が決まれば、ある特定の
値に決定することができる。したがって、例えば上記着
磁装置のコントロール部に、以上のような条件付けに応
じた最適着磁電流の導出を行う判断回路を組み込み、こ
の導き出された電流値情報に応じてアンプを制御するよ
うにすれば、磁気ディスクに対して最適着磁電流で自動
的に着磁を行わせることも可能である。
【0055】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の着磁方法では、サーボピット部等が凹凸パターンと
して形成されたエンボス型の磁気ディスクに対して、再
生波形の着磁電流依存特性図上の振幅許容範囲によって
決まる電流値の範囲をIamp0〜Iamp1、時間許
容範囲によって決まる電流値の範囲をIint0〜Ii
nt1としたときに、Iamp0またはIint0のい
ずれか小さい方の電流値を着磁電流の下限とし、Iam
p1またはIint1のいずれか大きい方の電流値を着
磁電流の上限として着磁を行うので、その再生システム
で最適な再生波形が得られるように磁気ディスクを磁化
することができる。したがって、エンボス型の磁気ディ
スクのエラーレートの低減に多いに貢献できる。
明の着磁方法では、サーボピット部等が凹凸パターンと
して形成されたエンボス型の磁気ディスクに対して、再
生波形の着磁電流依存特性図上の振幅許容範囲によって
決まる電流値の範囲をIamp0〜Iamp1、時間許
容範囲によって決まる電流値の範囲をIint0〜Ii
nt1としたときに、Iamp0またはIint0のい
ずれか小さい方の電流値を着磁電流の下限とし、Iam
p1またはIint1のいずれか大きい方の電流値を着
磁電流の上限として着磁を行うので、その再生システム
で最適な再生波形が得られるように磁気ディスクを磁化
することができる。したがって、エンボス型の磁気ディ
スクのエラーレートの低減に多いに貢献できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の着磁方法を実施するための着磁装置の
一例を示す模式図である。
一例を示す模式図である。
【図2】上記着磁装置での第1の磁化工程を説明するた
めの模式図である。
めの模式図である。
【図3】上記着磁装置での第2の磁化工程を説明するた
めのものであり、(a)は磁気ディスクの磁化状態を示
す模式図であり、(b)は磁化された磁気ディスクから
得られる再生波形を示す特性図である。
めのものであり、(a)は磁気ディスクの磁化状態を示
す模式図であり、(b)は磁化された磁気ディスクから
得られる再生波形を示す特性図である。
【図4】再生波形の着磁電流依存特性の一例を示す特性
図である。
図である。
【図5】再生波形の着磁電流依存特性の他の例を示す特
性図である。
性図である。
【図6】振幅許容範囲によって決まる電流値の範囲Ia
mp0〜Iamp1、時間許容範囲によって決まる電流
値の範囲Iint0〜Iint1を説明するための模式
図である。
mp0〜Iamp1、時間許容範囲によって決まる電流
値の範囲Iint0〜Iint1を説明するための模式
図である。
【図7】再生波形を説明するためのものであり、(a)
は磁気ディスクの磁化状態を示す模式図であり、(b)
は磁化された磁気ディスクから得られる再生波形を示す
特性図である。
は磁気ディスクの磁化状態を示す模式図であり、(b)
は磁化された磁気ディスクから得られる再生波形を示す
特性図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 凹凸パターンが形成された非磁性基板上
に記録磁性層が形成されてなる磁気ディスクに対して、
記録磁性層の凹部と凸部とを互いに逆向きの磁化方向で
着磁するに際して、 凹凸パターンにおける再生波形の着磁電流依存特性図上
の、振幅許容範囲によって決まる電流値の範囲をIam
p0〜Iamp1、時間許容範囲によって決まる電流値
の範囲をIint0〜Iint1としたときに、 Iamp0またはIint0のいずれか小さい方の電流
値を着磁電流の下限とし、Iamp1またはIint1
のいずれか大きい方の電流値を着磁電流の上限として着
磁を行うことを特徴とする着磁方法。 - 【請求項2】 凹凸パターンが形成された非磁性基板上
に記録磁性層が形成されてなる磁気ディスクであって、
記録磁性層の凹部と凸部とが請求項1記載の着磁方法に
よって互いに逆向きの磁化方向で着磁されていることを
特徴とする磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16530695A JPH0916901A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 着磁方法及び磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16530695A JPH0916901A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 着磁方法及び磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0916901A true JPH0916901A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15809835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16530695A Withdrawn JPH0916901A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 着磁方法及び磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0916901A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2002332312B2 (en) * | 2001-09-27 | 2009-03-05 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Paper packaging material for liquid food and method for production thereof |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP16530695A patent/JPH0916901A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2002332312B2 (en) * | 2001-09-27 | 2009-03-05 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Paper packaging material for liquid food and method for production thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020903 |