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JPH09165289A - 単結晶インゴット把持装置および把持方法 - Google Patents

単結晶インゴット把持装置および把持方法

Info

Publication number
JPH09165289A
JPH09165289A JP7346826A JP34682695A JPH09165289A JP H09165289 A JPH09165289 A JP H09165289A JP 7346826 A JP7346826 A JP 7346826A JP 34682695 A JP34682695 A JP 34682695A JP H09165289 A JPH09165289 A JP H09165289A
Authority
JP
Japan
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single crystal
crystal ingot
gripping
ingot
arms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7346826A
Other languages
English (en)
Inventor
Ayumi Suda
歩 須田
Yoshinobu Hiraishi
吉信 平石
Kuraichi Shimomura
庫一 下村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumco Techxiv Corp
Original Assignee
Komatsu Electronic Metals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Electronic Metals Co Ltd filed Critical Komatsu Electronic Metals Co Ltd
Priority to JP7346826A priority Critical patent/JPH09165289A/ja
Priority to TW085112698A priority patent/TW364026B/zh
Priority to US08/762,583 priority patent/US5824153A/en
Publication of JPH09165289A publication Critical patent/JPH09165289A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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    • Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣＺ法で育成した単結晶インゴットに対する
把持アームの芯合わせを自動化した単結晶インゴット把
持装置および把持方法を提供する。 【解決手段】 移動自在の台車に設けた上下動ベース
に、少なくとも１対の把持アーム５，６と、各把持アー
ムをそれぞれ独立に駆動するエアシリンダ１５，１５と
を設ける。把持アーム５，６は、単結晶インゴット１４
から所定の距離に近接したときこれを検出する光センサ
の発光部２１、受光部２２を有する。単結晶インゴット
１４を挟むおおまかな位置に把持アーム５，６を移動さ
せ、単結晶インゴットの方向に駆動させる。左右いずれ
かの把持アームが単結晶インゴットから所定の距離に近
接したとき、光センサの検出信号に基づいて制御装置７
が該当するエアシリンダを停止させ、すべての把持アー
ムが単結晶インゴットから所定の距離に達した後、同時
に駆動させて単結晶インゴットを把持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体単結晶引き
上げ装置によって引き上げられた単結晶インゴットを前
記装置から取り出して搬送するための、単結晶インゴッ
ト把持装置および把持方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の基板には主として高純度の
単結晶シリコンが用いられているが、その製造方法の一
つとして、るつぼ内の原料融液から円柱状の単結晶シリ
コンを引き上げるチョクラルスキー法（以下ＣＺ法とい
う）が知られている。ＣＺ法においては、半導体単結晶
引き上げ装置のメインチャンバ内に設置したるつぼに原
料であるポリシリコンを充填し、前記るつぼの周囲に設
けたヒータによって原料を加熱溶解して融液とした上、
シードチャックに取り付けた種結晶を融液に浸漬し、シ
ードチャックおよびるつぼを互いに同方向または逆方向
に回転しつつシードチャックを引き上げながら単結晶シ
リコンを成長させる。
【０００３】メインチャンバの上部には、引き上げられ
た単結晶インゴットを収容するプルチャンバが接続され
ている。単結晶インゴットはプルチャンバから半導体単
結晶引き上げ装置の外に取り出され、外周研削、スライ
ス加工等が施される。
【０００４】ＣＺ法によって引き上げられる単結晶イン
ゴットは年々大型化され、８インチ単結晶インゴットの
重量は６０〜１００ｋｇになっている。これに対し単結
晶インゴットの上部を形成するシード部は、転位を防止
して完全な単結晶を成長させるため直径２〜５ｍｍに絞
られる。従って、単結晶インゴットを取り出す際に単結
晶インゴットがなんらかの要因で揺れると、シード部で
折れてしまい、メインチャンバ内に落下するおそれがあ
る。落下した場合には、作業者に対する危険の他に半導
体単結晶引き上げ装置や、単結晶インゴットを破損させ
るおそれがある。
【０００５】また、シード部を切断して単結晶インゴッ
トを半導体単結晶引き上げ装置から搬出する場合、単結
晶インゴットが落下したり倒れたりしないように手で支
える必要があるが、滑りやすい重量物の取扱いを人手で
行うことは労働安全上好ましくない。
【０００６】更に、半導体単結晶引き上げ装置から取り
出した単結晶インゴットを床上に降ろす作業も危険で、
かつ、多大な労力を要し、誤って落下、転倒させた場合
は高価な単結晶インゴットが破損し、作業者が負傷する
危険性がある。また、大重量で熱容量の大きい単結晶イ
ンゴットは、十分に冷却しないとハンドリング作業を行
うことができない。このため、半導体単結晶引き上げ装
置の停止時間が長くなり、装置稼働率が著しく低下す
る。
【０００７】そこで、プルチャンバに引き上げた単結晶
インゴットを人手によらずに取り出すことができる搬出
装置が、実公昭４７−４２５１３号公報、特公平５−５
７２３４号公報、特開平３−２１８９３３号公報で開示
されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実公昭
４７−４２５１３号公報で開示されている搬出装置は、
半導体単結晶引き上げ装置に組み込まれて同装置の一部
を構成しているため、半導体単結晶引き上げ装置が大型
化し、構造が複雑化する上、取り出した単結晶インゴッ
トは台車に移し換えて移動しなければならないため、作
業能率が低下する。また、特公平５−５７２３４号公報
で開示されている搬出装置は、半導体単結晶引き上げ装
置１台ごとに１つずつ設置する必要があるとともに、取
り出した単結晶インゴットは台車に移し換えて移動しな
ければならない。更に、前記実公昭４７−４２５１３号
公報、特公平５−５７２３４号公報、特開平３−２１８
９３３号公報で開示された搬出装置は、いずれも単結晶
インゴットに対する搬出装置の芯合わせを正確に行った
上でないと把持できない。前記芯合わせ作業は熟練を要
し、芯合わせの精度が悪いと前述した単結晶インゴット
上端のシード部が把持直前に折れて単結晶インゴットが
墜落する危険性がある。
【０００９】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、既存の半導体単結晶引き上げ装置を改修す
る必要がなく、独立に存在し、引き上げられた単結晶イ
ンゴットに対する芯合わせ機能と把持機能とを併せ持
ち、かつ、これらの機能を自動化することにより、作業
性がよく、効率的で安全に単結晶インゴットを把持する
ことができる単結晶インゴット把持装置および把持方法
を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る単結晶インゴット把持装置は、半導体
単結晶引き上げ装置によって引き上げられた単結晶イン
ゴットを、前記引き上げ装置から取り出して搬送する単
結晶インゴット把持装置において、移動自在の台車と、
台車に垂直に立設したガイドフレームと、ガイドフレー
ムに昇降自在に装着した上下動ベースと、上下動ベース
の先端に設けた少なくとも１対の把持アームと、各把持
アームをそれぞれ独立に駆動する駆動手段と、各把持ア
ームに設けられ、前記把持アームの把持面が単結晶イン
ゴットの外周面から所定の距離に近接したときこれを検
出するセンサと、前記センサの検出信号に基づいて把持
アームを停止または駆動させる制御手段とを備える構成
とした。
【００１１】上記単結晶インゴット把持装置は、各把持
アームをそれぞれ独立に駆動する流体圧シリンダおよび
電磁式方向切換弁と、圧力スイッチと、逆止め弁と、バ
ッファタンクと、レギュレータとを上下動ベースに備え
ている。
【００１２】また、本発明に係る単結晶インゴットの把
持方法は、単結晶インゴットを挟む位置に少なくとも１
対の把持アームを移動させ、駆動手段により把持アーム
を単結晶インゴットの方向に駆動し、前記把持アームの
把持面が単結晶インゴットの外周面から所定の距離に近
接したとき、センサの検出信号に基づいて把持アームを
いったん停止させ、すべての把持アームの把持面と単結
晶インゴットの外周面とが所定の距離に達した後、各把
持アームを同時に駆動させて単結晶インゴットを把持す
ることを特徴としている。
【００１３】
【発明の実施の形態および実施例】上記のように構成さ
れた単結晶インゴットの把持装置は、半導体単結晶引き
上げ装置から独立した移動自在の台車上に設けられてい
るので、既存の半導体単結晶引き上げ装置を改修する必
要がない。また、単結晶インゴットを把持する各把持ア
ームはそれぞれ独立に駆動し、把持面が単結晶インゴッ
トの外周面から所定の距離に近接した把持アームはセン
サが検出して停止させる。各把持アームについて前記操
作が行われると、単結晶インゴットに対する把持装置の
芯合わせが自動的に完了する。その後、すべての把持ア
ームを再駆動させれば、単結晶インゴットは偏荷重を受
けずに把持され、シード部が折れることはない。
【００１４】また、本発明に係る単結晶インゴット把持
装置は、電磁式方向切換弁の切換操作により伸縮する流
体圧シリンダを用いて把持アームを駆動するが、上下動
ベース上に圧力スイッチ、逆止め弁、バッファタンクを
設置したので、把持装置の上下動により万一流体圧配管
が外れたり、あるいは流体圧発生源が故障した場合でも
把持アームに作用する駆動圧が低下せず、把持した単結
晶インゴットの落下を防止する。
【００１５】本発明に係る単結晶インゴット把持方法
は、少なくとも１対の把持アームで単結晶インゴットを
挟むように台車を移動させた後、把持アームを単結晶イ
ンゴットの方向に駆動させるが、把持アームの把持面が
単結晶インゴットの外周面から所定の距離に達したと
き、センサがこれを検出して把持アームをいったん停止
させる。この動作が各把持アームについて実施されるの
で、単結晶インゴットに対する把持装置の芯合わせは自
動的に完了する。その後、すべての把持アームを同時に
駆動させれば、単結晶インゴットに偏荷重を加えること
なく把持することができる。
【００１６】次に、本発明に係る単結晶インゴット把持
装置および把持方法の実施例について、図面を参照して
説明する。図１は単結晶インゴット把持装置の側面図、
図２は図１のＺ視図である。これらの図において、単結
晶インゴット把持装置１は、台車２と、台車２に垂直に
立設されたガイドフレーム３と、ガイドフレーム３に昇
降自在に装着された上下動ベース４と、上下動ベース４
の先端に装着された４対の把持アーム５，６と、台車２
に搭載された制御装置７とによって構成されている。台
車２は前後に車輪８ａ，８ｂを有し、自由に移動するこ
とができる。また、ガイドフレーム３には駆動源（電動
機）９によって正逆回転するねじ軸１０が取り付けら
れ、上下動ベース４はねじ軸１０に沿って滑動するボー
ルねじ１１により昇降する。上下動ベース４は、半導体
単結晶引き上げ装置１２のプルチャンバ１３に収納され
た単結晶インゴット１４を把持する高さに上昇させるこ
とができる。なお、本実施例では把持アームを４対とし
たが、これに限定されるものではない。
【００１７】図３は上記把持装置１における１対の把持
アームの平面図、図４は図３のＺ視図である。上下動ベ
ースの先端部分の上下面には、それぞれ２個のエアシリ
ンダ１５，１５と、１対の把持アーム５，６とを取り付
けたプレート１６が取着されている。２個のエアシリン
ダ１５，１５はピストンロッド１７の先端が互いに外側
を指すように一直線上に取り付けられ、ピストンロッド
１７の先端と把持アーム５，６の基部とは連結部材１８
で連結されている。前記プレート１６上には把持アーム
５，６の基部に係合するリニアガイド１９が設けられ、
把持アーム５，６は、エアシリンダ１５の伸縮に伴って
リニアガイド１９上を摺動する。また、把持アーム５，
６の対向する面には耐熱性に富むゴム製の把持部材２
０，２０が取着され、これらの把持部材２０，２０の両
側に光センサの発光部２１と受光部２２とが取着されて
いる。前記発光部２１から受光部２２に至る光センサの
軸線ＹL −ＹL およびＹR −ＹR は、把持部材２０の端
面よりも約５ｍｍ突出している。
【００１８】図５は把持アームの駆動を制御する回路図
である。同図において鎖線で囲まれた部分が上下動ベー
スに装着されている。エアシリンダ１５を駆動するエア
は、図１に示した台車２に搭載されたエアコンプレッサ
または外部の空圧源から供給される。エアは、圧力スイ
ッチ２３、逆止め弁２４、バッファタンク２５、レギュ
レータ２６および電磁式方向切換弁２７または電磁式方
向切換弁２８を経てエアシリンダ１５に到達する。ま
た、把持アーム５，６に取り付けた光センサの発光部２
１、受光部２２、電磁式方向切換弁２７のソレノイド２
７ａ，２７ｂおよび電磁式方向切換弁２８のソレノイド
２８ａ，２８ｂと制御装置７とはそれぞれ電気配線で接
続されている。
【００１９】上記空圧回路は、上下動ベースの昇降など
によってエア配管が外れたり、エアコンプレッサが故障
した場合でも、圧力スイッチ２３、逆止め弁２４、バッ
ファタンク２５の作用により所定の圧力を維持し、把持
した単結晶インゴットの墜落を防止することができる。
【００２０】次に、単結晶インゴットの把持方法につい
て、図１、図５および図６を参照して説明する。 （１）図１に示すように、半導体単結晶引き上げ装置１
２を用いて製造した単結晶インゴット１４をプルチャン
バ１３に引き上げ、半導体単結晶引き上げ装置１２内を
冷却した後、プルチャンバ１３の扉を開く。 （２）台車２を半導体単結晶引き上げ装置１２に近づ
け、把持アーム５，６が単結晶インゴット１４の取り出
しに最適な高さとなるように上下動ベース４を上昇させ
る。 （３）把持アーム５，６が単結晶インゴット１４を挟む
位置に来るように、台車２の位置を調整する。 （４）制御装置７に設けられた図示しない把持スイッチ
を押すと、光センサおよびエア駆動源の異常の有無が自
動的に確認される。異常が無ければ図５に示した電磁式
方向切換弁２７のソレノイド２７ａおよび電磁式方向切
換弁２８のソレノイド２８ａが励磁され、図６（ａ）に
示すように左右のエアシリンダ１５，１５のヘッド側に
エアが供給される。把持アーム５，６は把持方向すなわ
ち内側に摺動する。 （５）図６（ｂ）に示すように、単結晶インゴット１４
の外周に左右いずれかの把持アームの光センサ軸線（図
６（ｂ）では左側の把持アーム５の光センサ軸線ＹL ）
が掛かると、把持アーム５に取り付けられた受光部２２
の出力信号が制御装置に入力され、図５に示した電磁式
方向切換弁２７のソレノイド２７ａが解磁される。これ
により、把持アーム５を駆動するエアシリンダ１５が停
止する。他側の把持アーム（図６（ｂ）では右側の把持
アーム６）は、光センサの軸線が単結晶インゴット１４
の外周に掛かるまで動く。 （６）図６（ｃ）に示すように、右側の把持アーム６の
光センサ軸線ＹR が単結晶インゴット１４の外周に掛か
ると、把持アーム６に取り付けられた受光部２２の出力
信号に基づいて図５に示した電磁式方向切換弁２８のソ
レノイド２８ａが解磁され、把持アーム６を駆動するエ
アシリンダ１５が停止する。この時点で、把持アーム
５，６の把持部材２０の端面は単結晶インゴット１４の
外周から等距離に位置し、その距離は約５ｍｍである。 （７）右側の把持アーム６が停止してから１〜２秒経過
すると制御装置のタイマが作動し、図５に示した電磁式
方向切換弁２７，２８のソレノイド２７ａ，２８ａが再
度励磁され、図６（ｄ）に示すように左右のエアシリン
ダ１５，１５のヘッド側にエアが供給される。これによ
り、単結晶インゴット１４の外周から等距離の位置に停
止していた把持アーム５，６は同時に摺動し、単結晶イ
ンゴット１４は静止状態を保ったまま把持部材２０，２
０によって両側から把持される。
【００２１】把持部材２０と単結晶インゴット１４の外
周面との摩擦係数をμ、把持部材２０が単結晶インゴッ
ト１４を押す推進力をＰとすると、把持力Ｆは、 Ｆ＝μ×Ｐ で表される。本実施例では摩擦係数の大きいゴム製の把
持部材２０を使用しているので、把持力を大きくするこ
とができる。
【００２２】把持装置１によって単結晶インゴット１４
が把持されたことを確認した後、図１に示したシード部
１４ａを切断する。そして、台車２を後退させてプルチ
ャンバ１３から単結晶インゴット１４を搬出し、単結晶
インゴット１４の搬送に適した高さまで上下動ベース４
を下降させ、単結晶インゴット１４を所定の場所に搬送
する。その後、制御装置７に設けられた図示しない把持
解除スイッチを押すと、図５に示した電磁式方向切換弁
２７，２８のソレノイド２７ｂ，２８ｂが励磁され、把
持アーム５，６が外側に摺動して単結晶インゴット１４
を解放する。単結晶インゴット１４の軸線を水平にして
保管する場合は、単結晶インゴット１４を所定の場所に
搬送した後、把持装置１を９０°回転させるが、この回
転機構は従来から用いられている公知の技術によるた
め、説明を省略する。
【００２３】本発明の単結晶インゴット把持方法によれ
ば、左右の把持アームの中央に単結晶インゴットが位置
するように台車の位置を正確に調節する必要がなく、把
持装置の芯合わせに熟練を必要としない。また、単結晶
インゴットの外周面に近接する所定の位置に停止した各
把持アームが同時に単結晶インゴットを把持するので、
プルチャンバ内に釣支された単結晶インゴットは軸心が
傾くことなく確実に把持される。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
の効果が得られる。 （１）把持装置を構成する左右の把持アームをそれぞれ
独立に駆動させ、把持アームが単結晶インゴットの外周
面から所定の距離に近接したとき把持アームをいったん
停止させ、すべての把持アームが単結晶インゴットの外
周面から等距離の位置に停止した後、すべての把持アー
ムを同時に再駆動させる制御装置を設けたので、従来の
単結晶インゴット取り出し装置のように単結晶インゴッ
トに対する把持装置の位置合わせを正確に行う必要がな
くなる。これにより、単結晶インゴットの取り出し作業
に習熟していない作業者でも容易に作業を遂行すること
が可能となり、作業能率が向上する。 （２）把持アームを備えた上下動ベースに、把持アーム
駆動用流体圧回路とともに単結晶インゴットの墜落防止
機能を設けているので、台車の移動、上下動ベースの上
下動などによって流体圧が低下した場合でも把持力が低
下せず、確実に単結晶インゴットを把持し続けることが
できる。 （３）熱くて重い単結晶インゴットを、安全、かつ能率
的に半導体単結晶引き上げ装置から取り出して所定の場
所に移動することができるとともに、半導体単結晶引き
上げ装置の停止時間が短縮されるので、半導体単結晶の
生産効率が向上する。 （４）この把持装置は半導体単結晶引き上げ装置から独
立した移動自在の台車上に設けられているので、既存の
半導体単結晶引き上げ装置を改修する必要がなく、半導
体単結晶引き上げ装置の大型化、構造の複雑化を招くこ
とがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】単結晶インゴットの把持装置の側面図である。
【図２】図１のＺ視図である。
【図３】把持装置における１対の把持アームの平面図で
ある。
【図４】図３のＺ視図である。
【図５】把持アームの駆動を制御する回路図である。
【図６】把持アームの作動を示す説明図で、（ａ）は作
動開始直後、（ｂ）は左側の把持アームが停止した状
態、（ｃ）は右側の把持アームが停止した状態、（ｄ）
は単結晶インゴットを把持した状態を示す。
【符号の説明】
１ 単結晶インゴット把持装置 ２ 台車 ３ ガイドフレーム ４ 上下動ベース ５，６ 把持アーム ７ 制御装置 １２ 半導体単結晶引き上げ装置 １４ 単結晶インゴット １５ エアシリンダ ２０ 把持部材 ２１ 発光部 ２２ 受光部 ２３ 圧力スイッチ ２４ 逆止め弁 ２５ バッファタンク ２６ レギュレータ ２７，２８ 電磁式方向切換弁

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体単結晶引き上げ装置によって引き
    上げられた単結晶インゴットを、前記引き上げ装置から
    取り出して搬送する単結晶インゴット把持装置におい
    て、移動自在の台車と、台車に垂直に立設したガイドフ
    レームと、ガイドフレームに昇降自在に装着した上下動
    ベースと、上下動ベースの先端に設けた少なくとも１対
    の把持アームと、各把持アームをそれぞれ独立に駆動す
    る駆動手段と、各把持アームに設けられ、前記把持アー
    ムの把持面が単結晶インゴットの外周面から所定の距離
    に近接したときこれを検出するセンサと、前記センサの
    検出信号に基づいて把持アームを停止または駆動させる
    制御手段とを備えたことを特徴とする単結晶インゴット
    把持装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の単結晶インゴット把持装
    置において、各把持アームをそれぞれ独立に駆動する流
    体圧シリンダおよび電磁式方向切換弁と、圧力スイッチ
    と、逆止め弁と、バッファタンクと、レギュレータとを
    上下動ベースに備えていることを特徴とする単結晶イン
    ゴット把持装置。
  3. 【請求項３】 単結晶インゴットを挟む位置に少なくと
    も１対の把持アームを移動させ、駆動手段により把持ア
    ームを単結晶インゴットの方向に駆動し、前記把持アー
    ムの把持面が単結晶インゴットの外周面から所定の距離
    に近接したとき、センサの検出信号に基づいて把持アー
    ムをいったん停止させ、すべての把持アームの把持面と
    単結晶インゴットの外周面とが所定の距離に達した後、
    各把持アームを同時に駆動させて単結晶インゴットを把
    持することを特徴とする単結晶インゴット把持方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002029883A (ja) * 2000-07-14 2002-01-29 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 結晶取出装置及び結晶取出方法
US8043995B2 (en) 2001-03-05 2011-10-25 Specialty Fertilizer Products, Llc Anionic polymers composed of dicarboxylic acids and uses thereof
KR101503145B1 (ko) * 2013-08-05 2015-03-16 주식회사 엘지실트론 잉곳 블록 이송 장치 및 이를 이용한 잉곳 블록 이송방법
CN107702271A (zh) * 2017-08-30 2018-02-16 青岛海尔空调器有限总公司 空调及其过冷管组的故障检测和处理方法
CN107747789A (zh) * 2017-08-30 2018-03-02 青岛海尔空调器有限总公司 空调及其过冷管组的故障检测和处理方法
JP2019156696A (ja) * 2018-03-15 2019-09-19 住友金属鉱山株式会社 単結晶運搬装置および単結晶運搬方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3964002B2 (ja) * 1997-06-02 2007-08-22 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 単結晶保持装置及び単結晶保持方法
JP4059639B2 (ja) * 2001-03-14 2008-03-12 株式会社荏原製作所 結晶の引上装置
JP3888608B2 (ja) * 2001-04-25 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板両面処理装置
GB0207530D0 (en) * 2002-04-02 2002-05-08 Univ Nottingham High field strength microwave production and microwave processing of materials e.g. weakening of multi-phase materials
JP2005059354A (ja) * 2003-08-11 2005-03-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウエハをスライスするための単結晶塊の製造方法
DE102007028905B3 (de) * 2007-06-22 2008-12-11 Siemens Ag Lagereinrichtung zur berührungsfreien Lagerung eines Rotors gegen einen Stator
TWI447835B (zh) * 2012-05-29 2014-08-01 Gigastorage Corp A ingot holding composition and a method of sandwiching the ingot
JP6596375B2 (ja) * 2016-03-31 2019-10-23 株式会社荏原製作所 ティーチング装置およびティーチング方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5089239A (en) * 1989-04-18 1992-02-18 Shin-Etsu Handotai Company Limited Wire vibration prevention mechanism for a single crystal pulling apparatus
US5104689A (en) * 1990-09-24 1992-04-14 International Business Machines Corporation Method and apparatus for automated solder deposition at multiple sites
JPH078495B2 (ja) * 1990-11-29 1995-02-01 信越半導体株式会社 単結晶引上装置の単結晶絞り部自動切断装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002029883A (ja) * 2000-07-14 2002-01-29 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 結晶取出装置及び結晶取出方法
US8043995B2 (en) 2001-03-05 2011-10-25 Specialty Fertilizer Products, Llc Anionic polymers composed of dicarboxylic acids and uses thereof
KR101503145B1 (ko) * 2013-08-05 2015-03-16 주식회사 엘지실트론 잉곳 블록 이송 장치 및 이를 이용한 잉곳 블록 이송방법
CN107702271A (zh) * 2017-08-30 2018-02-16 青岛海尔空调器有限总公司 空调及其过冷管组的故障检测和处理方法
CN107747789A (zh) * 2017-08-30 2018-03-02 青岛海尔空调器有限总公司 空调及其过冷管组的故障检测和处理方法
CN107747789B (zh) * 2017-08-30 2019-11-05 青岛海尔空调器有限总公司 空调及其过冷管组的故障检测和处理方法
JP2019156696A (ja) * 2018-03-15 2019-09-19 住友金属鉱山株式会社 単結晶運搬装置および単結晶運搬方法

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