JPH09143703A - 光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JPH09143703A JPH09143703A JP30746695A JP30746695A JPH09143703A JP H09143703 A JPH09143703 A JP H09143703A JP 30746695 A JP30746695 A JP 30746695A JP 30746695 A JP30746695 A JP 30746695A JP H09143703 A JPH09143703 A JP H09143703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- purity
- sputtering target
- protective film
- weight
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ビームを用いて情報の記録および消去を行
う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜を形
成するための硫化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなる光
記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供す
る。 【解決手段】 純度：９９．９９９重量％以上の高純度
二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが純
度：９９．９９９重量％以上の高純度硫化亜鉛からな
り、相対密度が９０％以上有する焼結体からなるスパッ
タリングターゲットにおいて、さらに、酸化アルミニウ
ムを１０〜１０００ｐｐｍ含有する。
う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜を形
成するための硫化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなる光
記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供す
る。 【解決手段】 純度：９９．９９９重量％以上の高純度
二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが純
度：９９．９９９重量％以上の高純度硫化亜鉛からな
り、相対密度が９０％以上有する焼結体からなるスパッ
タリングターゲットにおいて、さらに、酸化アルミニウ
ムを１０〜１０００ｐｐｍ含有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ビームを用いて情
報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メディア
に用いられる保護膜を形成するための硫化亜鉛−二酸化
ケイ素焼結体からなるスパッタリングターゲットに関す
るものである。
報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メディア
に用いられる保護膜を形成するための硫化亜鉛−二酸化
ケイ素焼結体からなるスパッタリングターゲットに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】光ビームを用いて情報の記録および消去
を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜
を形成するためのスパッタリングターゲットとして、純
度：９９．９９９重量％以上の高純度二酸化ケイ素と純
度：９９．９９９重量％以上の高純度硫化亜鉛からな
り、相対密度が９０％以上有する焼結体からなるスパッ
タリングターゲットは知られている（特開平６−６５７
２５号公報参照）。この従来の光記録保護膜形成用スパ
ッタリングターゲットは、純度：９９．９９９重量％以
上の高純度硫化亜鉛に対し、純度：９９．９９９重量％
以上の高純度二酸化ケイ素粉末：２０ｍｏｌ％添加し混
合して、得られた混合粉末を加圧後焼結することにより
製造することも知られている。
を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜
を形成するためのスパッタリングターゲットとして、純
度：９９．９９９重量％以上の高純度二酸化ケイ素と純
度：９９．９９９重量％以上の高純度硫化亜鉛からな
り、相対密度が９０％以上有する焼結体からなるスパッ
タリングターゲットは知られている（特開平６−６５７
２５号公報参照）。この従来の光記録保護膜形成用スパ
ッタリングターゲットは、純度：９９．９９９重量％以
上の高純度硫化亜鉛に対し、純度：９９．９９９重量％
以上の高純度二酸化ケイ素粉末：２０ｍｏｌ％添加し混
合して、得られた混合粉末を加圧後焼結することにより
製造することも知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来の光
記録保護膜形成用スパッタリングターゲットは、強度が
低いために５００Ｗ以上の高出力のスパッタを行うと、
スパッタリング中に割れが発生して作業を中断しなけれ
ばならず、低出力で成膜を行えば割れが発生することは
ないが、生産効率の低下をもたすなどの課題があった。
記録保護膜形成用スパッタリングターゲットは、強度が
低いために５００Ｗ以上の高出力のスパッタを行うと、
スパッタリング中に割れが発生して作業を中断しなけれ
ばならず、低出力で成膜を行えば割れが発生することは
ないが、生産効率の低下をもたすなどの課題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
機械的に高強度でかつ５００Ｗ以上の高出力スパッタリ
ングを行っても割れが発生することのない光記録保護膜
形成用スパッタリングターゲットを得るべく研究を行な
った結果、純度：９９．９９９重量％以上の高純度硫化
亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上の高純
度二酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％添加し、さら
に酸化アルミニウム粉末を１０〜１０００ｐｐｍを添加
し、これらを混合して得られた混合粉末をホットプレス
することにより得られたスパッタリングターゲットは、
焼結性が向上するために機械的強度が向上し、さらに高
出力のスパッタリングを行っても割れが発生することは
ないという知見を得たのである。
機械的に高強度でかつ５００Ｗ以上の高出力スパッタリ
ングを行っても割れが発生することのない光記録保護膜
形成用スパッタリングターゲットを得るべく研究を行な
った結果、純度：９９．９９９重量％以上の高純度硫化
亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上の高純
度二酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％添加し、さら
に酸化アルミニウム粉末を１０〜１０００ｐｐｍを添加
し、これらを混合して得られた混合粉末をホットプレス
することにより得られたスパッタリングターゲットは、
焼結性が向上するために機械的強度が向上し、さらに高
出力のスパッタリングを行っても割れが発生することは
ないという知見を得たのである。
【０００５】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、純度：９９．９９９重量％以上の高純
度二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが
純度：９９．９９９重量％以上の高純度硫化亜鉛からな
り、相対密度が９０％以上有する焼結体からなるスパッ
タリングターゲットにおいて、さらに、酸化アルミニウ
ムを１０〜１０００ｐｐｍ含有する光記録保護膜形成用
スパッタリングターゲットに特徴を有するものである。
たものであって、純度：９９．９９９重量％以上の高純
度二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが
純度：９９．９９９重量％以上の高純度硫化亜鉛からな
り、相対密度が９０％以上有する焼結体からなるスパッ
タリングターゲットにおいて、さらに、酸化アルミニウ
ムを１０〜１０００ｐｐｍ含有する光記録保護膜形成用
スパッタリングターゲットに特徴を有するものである。
【０００６】この発明の光記録保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットは、純度：９９．９９９重量％以上の高
純度硫化亜鉛に対し、純度：９９．９９９重量％以上の
高純度二酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％添加し、
さらに酸化アルミニウムを１０〜１０００ｐｐｍを添加
し、これらを均一に混合して得られた混合粉末をホット
プレスすることにより製造する。この発明の光記録保護
膜形成用スパッタリングターゲットに含まれる酸化アル
ミニウム量を１０〜１０００ｐｐｍに限定した理由は、
酸化アルミニウムの添加量が１０ｐｐｍ未満では焼結性
向上が十分でないために十分な機械的強度が得られず、
一方、１０００ｐｐｍを越えて含有すると、得られた光
記録保護膜の膜質が低下するので好ましくないことによ
るものである。この発明の光記録保護膜形成用スパッタ
リングターゲットに含まれる酸化アルミニウム量の一層
好ましい範囲は１５０〜４００ｐｐｍである。
ングターゲットは、純度：９９．９９９重量％以上の高
純度硫化亜鉛に対し、純度：９９．９９９重量％以上の
高純度二酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％添加し、
さらに酸化アルミニウムを１０〜１０００ｐｐｍを添加
し、これらを均一に混合して得られた混合粉末をホット
プレスすることにより製造する。この発明の光記録保護
膜形成用スパッタリングターゲットに含まれる酸化アル
ミニウム量を１０〜１０００ｐｐｍに限定した理由は、
酸化アルミニウムの添加量が１０ｐｐｍ未満では焼結性
向上が十分でないために十分な機械的強度が得られず、
一方、１０００ｐｐｍを越えて含有すると、得られた光
記録保護膜の膜質が低下するので好ましくないことによ
るものである。この発明の光記録保護膜形成用スパッタ
リングターゲットに含まれる酸化アルミニウム量の一層
好ましい範囲は１５０〜４００ｐｐｍである。
【０００７】
【発明の実施の形態】原料粉末として、平均粒径：５μ
ｍを有し純度：９９．９９９重量％以上の高純度ＺｎＳ
粉末、平均粒径：１０μｍを有し純度：９９．９９９重
量％以上の高純度ＳｉＯ2 素粉末および平均粒径：１μ
ｍを有し純度：９９．９９９重量％以上のＡｌ2 Ｏ3 粉
末を用意し、これら原料粉末を配合し、ポットミルにて
撹拌混合し、得られた混合粉末をホットプレスの黒鉛型
に充填し、アルゴン雰囲気中、圧力：１５０ｋｇ／ｃｍ
2 、温度：１０００℃の条件でホットプレスすることに
より、表１に示される成分組成を有し、直径：１２７ｍ
ｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の本発明ターゲ
ット１〜９、比較ターゲット１〜２および従来ターゲッ
トを製造した。
ｍを有し純度：９９．９９９重量％以上の高純度ＺｎＳ
粉末、平均粒径：１０μｍを有し純度：９９．９９９重
量％以上の高純度ＳｉＯ2 素粉末および平均粒径：１μ
ｍを有し純度：９９．９９９重量％以上のＡｌ2 Ｏ3 粉
末を用意し、これら原料粉末を配合し、ポットミルにて
撹拌混合し、得られた混合粉末をホットプレスの黒鉛型
に充填し、アルゴン雰囲気中、圧力：１５０ｋｇ／ｃｍ
2 、温度：１０００℃の条件でホットプレスすることに
より、表１に示される成分組成を有し、直径：１２７ｍ
ｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の本発明ターゲ
ット１〜９、比較ターゲット１〜２および従来ターゲッ
トを製造した。
【０００８】これら本発明ターゲット１〜９、比較ター
ゲット１〜２および従来ターゲットを直流マグネトロン
スパッタリング装置にセットし、基板温度：２５０℃、
圧力：５×１０-3ｔｏｒｒの条件に保持し、電力：５０
０Ｗでスパッタを行い、スパッタ終了までにターゲット
に割れが生じた否かを調べ、その結果を表１に示した。
ゲット１〜２および従来ターゲットを直流マグネトロン
スパッタリング装置にセットし、基板温度：２５０℃、
圧力：５×１０-3ｔｏｒｒの条件に保持し、電力：５０
０Ｗでスパッタを行い、スパッタ終了までにターゲット
に割れが生じた否かを調べ、その結果を表１に示した。
【０００９】さらに、本発明ターゲット１〜９、比較タ
ーゲット１〜２および従来ターゲットの製造条件と同じ
条件で幅：１０ｍｍ、厚さ：７ｍｍ、長さ：３０ｍｍの
試験片を作製し、これら試験片をスパン間距離：２０ｍ
ｍにて抗折試験を行い、抗折強度を測定し、その結果を
表１に示し、ターゲットの機械的強度を評価した。
ーゲット１〜２および従来ターゲットの製造条件と同じ
条件で幅：１０ｍｍ、厚さ：７ｍｍ、長さ：３０ｍｍの
試験片を作製し、これら試験片をスパン間距離：２０ｍ
ｍにて抗折試験を行い、抗折強度を測定し、その結果を
表１に示し、ターゲットの機械的強度を評価した。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【発明の効果】表１に示される結果から、Ａｌ2 Ｏ3 を
１０〜１０００ｐｐｍ含む本発明ターゲット１〜９は、
５００Ｗの高出力をかけてスパッタリングを行っても割
れが発生せず、したがって、成膜速度を早めることがで
きるが、この発明の条件から外れたＡｌ2 Ｏ3 を含有す
る比較ターゲット１（この発明の条件から外れている値
に＊印を付して示した）および従来ターゲットは、抗折
強度が低くて５００Ｗの高出力スパッタリングを行うと
割れが発生するところから高速成膜を行なうことができ
ず、一方、Ａｌ2 Ｏ3 含有量が１０００ｐｐｍを越えて
含有する比較ターゲット２は抗折強度が高くかつ高出力
スパッタリングによる割れが発生することはないが、ス
パッタリングにより形成される光記録保護膜の膜質が悪
くなって好ましくないことが分かる。
１０〜１０００ｐｐｍ含む本発明ターゲット１〜９は、
５００Ｗの高出力をかけてスパッタリングを行っても割
れが発生せず、したがって、成膜速度を早めることがで
きるが、この発明の条件から外れたＡｌ2 Ｏ3 を含有す
る比較ターゲット１（この発明の条件から外れている値
に＊印を付して示した）および従来ターゲットは、抗折
強度が低くて５００Ｗの高出力スパッタリングを行うと
割れが発生するところから高速成膜を行なうことができ
ず、一方、Ａｌ2 Ｏ3 含有量が１０００ｐｐｍを越えて
含有する比較ターゲット２は抗折強度が高くかつ高出力
スパッタリングによる割れが発生することはないが、ス
パッタリングにより形成される光記録保護膜の膜質が悪
くなって好ましくないことが分かる。
【００１２】上述のように、この発明は、高強度を有し
かつ高出力スパッタリングを行っても割れが発生するこ
とのない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
を提供することができるので、光メディア産業の発展に
大いに貢献し得るものである。
かつ高出力スパッタリングを行っても割れが発生するこ
とのない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
を提供することができるので、光メディア産業の発展に
大いに貢献し得るものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 純度：９９．９９９重量％以上の高純度
二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが純
度：９９．９９９重量％以上の高純度硫化亜鉛からな
り、相対密度が９０％以上有する焼結体からなるスパッ
タリングターゲットにおいて、 さらに、酸化アルミニウムを１０〜１０００ｐｐｍ含有
することを特徴とする光記録保護膜形成用スパッタリン
グターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30746695A JPH09143703A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30746695A JPH09143703A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09143703A true JPH09143703A (ja) | 1997-06-03 |
Family
ID=17969419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30746695A Pending JPH09143703A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09143703A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000013106A (ko) * | 1998-08-04 | 2000-03-06 | 구자홍 | 광 기록 매체 |
| WO2002083973A1 (en) * | 2001-04-13 | 2002-10-24 | Nikko Materials Company, Limited | Zns-sio2 sputtering target and optical recording medium having zns-sio2 protective film for phase change type optical disk formed by using said target |
| WO2007000867A1 (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 酸化ガリウム－酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜 |
| JP2007308804A (ja) * | 2007-06-15 | 2007-11-29 | Nikko Kinzoku Kk | ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲット |
| CN101326304B (zh) | 2005-12-08 | 2011-05-04 | Jx日矿日石金属株式会社 | 氧化镓-氧化锌类溅射靶、透明导电膜及其形成方法 |
-
1995
- 1995-11-27 JP JP30746695A patent/JPH09143703A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000013106A (ko) * | 1998-08-04 | 2000-03-06 | 구자홍 | 광 기록 매체 |
| WO2002083973A1 (en) * | 2001-04-13 | 2002-10-24 | Nikko Materials Company, Limited | Zns-sio2 sputtering target and optical recording medium having zns-sio2 protective film for phase change type optical disk formed by using said target |
| EP1380670A4 (en) * | 2001-04-13 | 2007-07-18 | Nippon Mining Co | CNS-SIO2-SPUTTERING-TARGET AND OPTICAL RECORDING MEDIUM WITH ANS-SIO2 PROTECTION FILM FOR A PHASE CHANGE TYPE OPTICAL PLATE BASED ON THE USE OF THE TARGET |
| WO2007000867A1 (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 酸化ガリウム－酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜 |
| CN101326304B (zh) | 2005-12-08 | 2011-05-04 | Jx日矿日石金属株式会社 | 氧化镓-氧化锌类溅射靶、透明导电膜及其形成方法 |
| JP2007308804A (ja) * | 2007-06-15 | 2007-11-29 | Nikko Kinzoku Kk | ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲット |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030304 |