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JPH09130165A - 電流ゲイン切り換え回路 - Google Patents

電流ゲイン切り換え回路

Info

Publication number
JPH09130165A
JPH09130165A JP7309723A JP30972395A JPH09130165A JP H09130165 A JPH09130165 A JP H09130165A JP 7309723 A JP7309723 A JP 7309723A JP 30972395 A JP30972395 A JP 30972395A JP H09130165 A JPH09130165 A JP H09130165A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
transistor
input
output
gain switching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP7309723A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Saito
匡史 斉藤
Yoshihisa Okada
佳久 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
Priority to JP7309723A priority Critical patent/JPH09130165A/ja
Publication of JPH09130165A publication Critical patent/JPH09130165A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 入力ダイナミックレンジを改善し且つ出力精
度を改善した、カレントミラー回路を用いた電流ゲイン
切り換え回路を提供する。 【解決手段】 コレクタとベースを入力端子1に接続し
たトランジスタQ1と、コレクタを出力端子2にベース
をトランジスタQ2のベースに接続したトランジスタQ
2と、各トランジスタQ1,Q2のエミッタとGNDと
の間にそれぞれ接続した抵抗R1,R2とからなるカレ
ントミラー回路と、コレクタとベースをカレントミラー
回路の入力端子1に接続し、エミッタとGNDとの間に
抵抗R3を接続したトランジスタQ3と、一端を電源端
子3に接続したコントロール電流源IC1と、該コントロ
ール電流源IC1の他端に一端を接続し他端をトランジス
タQ3のエミッタに接続したスイッチSW1とで、電流
ゲイン切り換え回路を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば集積回路
化されたカレントミラー回路を用いた電流ゲイン切り換
え回路において、特に入力ダイナミックレンジを改善
し、且つ出力精度を改善した電流ゲイン切り換え回路に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、カレントミラー回路を用いた電流
ゲイン切り換え回路としては、図6に示すような構成の
ものが知られている(青木英彦著「アナログICの機能
回路設計入門」、CQ出版社発行、第169 〜170 頁参
照)。図6において、Q11〜Q13はNPNトランジスタ
でカレントミラー回路を構成しており、それぞれのエミ
ッタとGND間には抵抗R11〜R13が接続され、トラン
ジスタQ11のコレクタとベースは電流源Iinに接続され
ている。またトランジスタQ13のエミッタには、同じく
カレントミラー回路を構成しているPNPトランジスタ
Q14,Q15の中のトランジスタQ14のコレクタが接続さ
れている。トランジスタQ14,Q15のそれぞれのエミッ
タと電源端子3間には抵抗R14,R15がそれぞれ接続さ
れ、トランジスタQ15のコレクタとベースはコントロー
ル電流源IC に接続されている。そして、トランジスタ
Q12,Q13ののコレクタより出力電流IO1,IO2がそれ
ぞれ出力されるようになっている。
【0003】次に、このように構成された電流ゲイン切
り換え回路の動作態様について説明する。この回路は2
つの出力電流IO1,IO2を取り出し、そのうち一方の出
力電流IO2をON/OFFするものである。まずコント
ロール電流源IC が0のときは、トランジスタQ14はO
FFしているので、トランジスタQ11〜Q13は通常のカ
レントミラー動作を行い、抵抗R11,R12,R13の値が
等しいとすると、IO1=IO2=Iinとなり、出力電流I
O2はONとなる。一方、コントロール電流源IC >0の
ときは、トランジスタQ14,Q15が通常のカレントミラ
ー動作を行い、トランジスタQ14に電流が流れ、トラン
ジスタQ14のコレクタ電流が抵抗R13に流れ込むので、
抵抗R13での電圧降下が大きくなる。Ic の値を適切に
設定しトランジスタQ13のベース・エミッタ間電圧を0
程度にすることで、トランジスタQ13はOFFし、IO1
=Iin,IO2=0となり、出力電流IO2はOFFとな
る。
【0004】次に、上記電流ゲイン切り換え回路の応用
例を図7に示す。この応用例はカレントミラー電流ゲイ
ン切り換えスイッチを複数個並べて構成した電流ゲイン
切り換え回路である。図7において、Q21〜Q23はNP
Nトランジスタでカレントミラー回路を構成しており、
それぞれのエミッタとGND間には抵抗R21〜R23が接
続されている。トランジスタQ21のコレクタとベースは
入力端子1に接続されており、トランジスタQ22,Q23
のコレクタは出力端子2に接続されている。トランジス
タQ23のエミッタはスイッチSWの一端に接続され、ス
イッチSWの他端は、一端が電源端子3に接続されたコ
ントロール電流源Ic の他端に接続されている。
【0005】この電流ゲイン切り換え回路は、スイッチ
SW1のON/OFFにより、入力端子1に入力される
入力電流を増幅するものであり、例えば、入力電流Iin
とし、各トランジスタQ21〜Q23のエミッタサイズの比
を次式(1)のように設定し、抵抗R21〜R23の抵抗値
21〜R23の比を次式(2)のように設定する。 Q21:Q22:Q23=6:1:5 ・・・・・・・・・・・・・・・(1) R21:R22:R23=1/6:1:1/5 ・・・・・・・・・・・(2) このように設定し、スイッチSWをOFFすると、トラ
ンジスタQ23はONし、出力電流IO =Iinとなる。ま
た、スイッチSWをONすると、トランジスタQ23はO
FFし、IO =Iin/6となる。このようにスイッチS
WをON/OFFすることにより、入力電流を可変増幅
し出力することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においては、例えば光磁気ディスク装置のリード
時とライト時でその電流値が数倍変わる光変換電流のよ
うな、電流値の変化が大きい入力電流における入力ダイ
ナミックレンジの改善、且つ出力精度の改善という観点
について考慮がなされていない。例えば、入力電流が10
μA程度(リード時の最小電流)と 600μA程度(ライ
ト時の最大電流)に変化するとし、出力精度を良くする
ため抵抗R21での電圧降下が 0.1V以上になるようにR
21を10KΩとすると、入力端子1の電圧Vinは、入力電
流が10μA程度と 600μA程度の場合で、ほぼ次式
(3),(4)のようになる。 Vin(Iin=10μA)=R21×Iin+VBEQ21 = 0.8V ・・・・(3) Vin(Iin= 600μA)=R21×Iin+VBEQ21 = 6.7V ・・・(4) ここでVinは入力端子1の電圧、Iinは入力電流、V
BEQ21 はトランジスタQ21のベース・エミッタ間電圧
で、VBEQ21 = 0.7Vとした。このように、入力電流の
値により抵抗R21〜R23での電圧降下により入力ダイナ
ミックレンジが悪くなる。また、抵抗R21〜R23をなく
して入力ダイナミックレンジを良くすると、トランジス
タの特性のバラツキにより出力のバラツキが決まるため
出力精度を良くできない。
【0007】本発明は、従来の電流ゲイン切り換え回路
における上記問題点を解消するためになされたもので、
電流値の変化が大きい入力電流における入力ダイナミッ
クレンジを改善し、且つ出力精度を改善した電流ゲイン
切り換え回路を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明は、カレントミラー回路の出力電流を切り換
えるカレントミラー回路を用いた電流ゲイン切り換え回
路において、入力端子に接続された入力用トランジスタ
と出力端子に直接又はベースを入力端子に接続したトラ
ンジスタを介して接続された出力用トランジスタと入力
用及び出力用トランジスタのエミッタと第1の電源との
間にそれぞれ接続された抵抗とを有するカレントミラー
回路と、コレクタとベースをカレントミラー回路の入力
端子に直接又はコレクタとベースを接続したトランジス
タを介して接続し、エミッタと第1の電源との間に抵抗
をそれぞれ接続した少なくとも1個のゲイン切り換え用
トランジスタと、一端を第2の電源に共通に接続した前
記ゲイン切り換え用トランジスタのそれぞれに対応させ
たコントロール電流源と、該コントロール電流源の他端
に一端を接続し他端をゲイン切り換え用トランジスタの
エミッタに接続した該ゲイン切り換え用トランジスタの
それぞれに対応させたスイッチとで電流ゲイン切り換え
回路を構成する。
【0009】このように構成された電流ゲイン切り換え
回路においては、上記カレントミラー回路を構成する入
力用及び出力用トランジスタのエミッタサイズとゲイン
切り換え用トランジスタのエミッタサイズを適切に設定
し、且つ上記入力用及び出力用トランジスタの各エミッ
タと第1の電源との間に接続した抵抗の抵抗値とゲイン
切り換え用トランジスタのエミッタと第1の電源との間
に接続した抵抗の抵抗値を適切に設定することにより、
入力端子へ入力される電流が小さいときにはスイッチを
ONすることによって、ゲイン切り換え用トランジスタ
をOFFし、カレントミラー回路の入力部に流れる電流
を入力電流と同等にし、一方、入力端子へ入力される電
流が小さいときのn倍(n>1)大きいときには、スイ
ッチをOFFすることによって、ゲイン切り換え用トラ
ンジスタをONし、カレントミラー回路の入力部に流れ
る電流を入力電流のn分の1にするので、上記カレント
ミラー回路を構成する入力用及び出力用トランジスタの
それぞれのエミッタと第1の電源との間に接続されてい
る抵抗における電圧降下が、入力電流によらず同等の値
になり、入力ダイナミックレンジを改善でき、且つ上記
カレントミラー回路を構成する入力用及び出力用トラン
ジスタのそれぞれのエミッタと一方の電源との間の抵抗
と上記ゲイン切り換え用トランジスタのエミッタと一方
の電源との間の抵抗により、出力精度を良くすることが
できる。
【0010】
【発明の実施の形態】次に、実施の形態について説明す
る。図1は本発明に係る電流ゲイン切り換え回路の第1
の実施の形態を示す回路構成図である。この実施の形態
は次のように構成されている。Q1,Q2はカレントミ
ラー回路を構成しているNPNトランジスタで、カレン
トミラー回路の入力部のトランジスタQ1のコレクタ及
びベースは入力端子1に接続され、カレントミラー回路
の出力部のトランジスタQ2のコレクタは出力端子2に
接続され、トランジスタQ2のベースはQ1のベースに
接続され、それぞれのエミッタとGND間には抵抗R
1,R2が接続されている。Q3はNPNトランジスタ
で、コレクタ及びベースは入力端子1に接続され、エミ
ッタ・GND間には抵抗R3が接続され、更にエミッタ
はスイッチSW1の一端に接続されており、スイッチS
W1の他端は、一端を電源端子3に接続されたコントロ
ール電流源IC1の他端に接続されている。
【0011】次に、この実施の形態の動作について説明
する。入力端子1への入力電流がI程度とn×I程度で
あるとし、各トランジスタQ1〜Q3のエミッタサイズ
の比を、次式(5)のように設定し、抵抗R1〜R3の
抵抗値R1 〜R3 の比を次式(6)のように設定する。 Q1:Q2:Q3=1:1:(n−1) ・・・・・・・・・・・(5) R1 :R2 :R3 =1:1:1/(n−1) ・・・・・・・・・(6)
【0012】入力電流がIである場合は、スイッチSW
1をONし、トランジスタQ3をOFFにする。これに
よりトランジスタQ1及びQ2は通常のカレントミラー
動作を行い、出力電流は入力電流Iに等しくなる。この
とき入力端子1の電圧Vinは、ほぼ次式(7)のように
なる。 Vin(Iin=I)=R1 ×I×VBEQ1 ・・・・・・・・・・・・(7) ここでIinは入力電流、VBEQ1はトランジスタQ1のベ
ース・エミッタ間電圧である。
【0013】次に、入力電流がn×Iである場合は、ス
イッチSW1をOFFし、トランジスタQ3をONにす
る。これによりトランジスタQ1とQ3には、1:(n
−1)の比率で電流が流れ込むので、トランジスタQ1
にはI,トランジスタQ3には(n−1)×Iが流れ込
む。トランジスタQ1及びQ2は通常のカレントミラー
動作を行うので、出力電流はトランジスタQ1への入力
電流Iに等しくなる。このとき入力端子1の電圧V
inは、ほぼ次式(8)のようになる。 Vin(Iin=n×I)=R1 ×I×VBEQ1 ・・・・・・・・・・(8)
【0014】このように、(7),(8)式より入力端
子1の電圧は入力電流の大小によらず一定であることに
なる。また、R1 ×Iの値が 0.1V程度になるようにR
1 を決めれば、出力精度も良くなる。よって、入力電流
がI程度で変動する場合と、そのn×I程度で変動する
場合でも、出力電流をI程度で変動するように電流ゲイ
ンを切り換えることができ、上記のように入力ダイナミ
ックレンジを改善し、且つ出力精度を改善した電流ゲイ
ン切り換え回路を実現できる。
【0015】なお、この実施の形態の構成は、当然、各
種の変形、変更が可能である。図2は、図1に示した実
施の形態におけるNPNトランジスタをPNPトランジ
スタに変え、更に電源端子とGNDとに対して逆に接続
して構成した電流ゲイン切り換え回路であり、その動作
は図1に示した実施の形態と同様であり、同様の効果が
得られる。なお、図2においては、図1に示した実施の
形態の構成要素に対応する部材には、全てダッシュを付
して示している。
【0016】図3は、本発明に係る電流ゲイン切り換え
回路の第2の実施の形態を示す回路構成図である。この
実施の形態は、図1に示した第1の実施の形態における
トランジスタQ3とスイッチSW1とコントロール電流
源IC1で構成する部分を、複数並列に並べて構成したも
のである。Q1,Q2はカレントミラー回路を構成して
いるNPNトランジスタで、カレントミラー回路の入力
部のトランジスタQ1のコレクタ及びベースは入力端子
1に接続され、カレントミラー回路の出力部のトランジ
スタQ2のコレクタは出力端子2に接続され、トランジ
スタQ2のベースはQ1のベースに接続され、それぞれ
のエミッタ・GND間には抵抗R1,R2が接続されて
いる。Q3〜Q5はNPNトランジスタで、それぞれの
コレクタ及びベースは入力端子1に接続され、それぞれ
のエミッタ・GND間には抵抗R3〜R5が接続され、
更にそれぞれのエミッタはスイッチSW1〜SW3の一
端に接続されており、スイッチSW1〜SW3の他端
は、それぞれ一端を電源端子3に共通に接続されたコン
トロール電流源IC1〜IC3の他端に接続されている。
【0017】次に、この実施の形態の動作について説明
する。入力端子1への入力電流がI,3I,4I,5I
・・・程度であるとし、各トランジスタQ1〜Q5のエ
ミッタサイズの比を次式(9)のように設定し、抵抗R
1〜R5の抵抗値R1 〜R5の比を次式(10)のように
設定する。 Q1:Q2:Q3:Q4:Q5=1:1:2:3:4 ・・・・・(9) R1 :R2 :R3 :R4 :R5 =1:1:1/2:1/3:1/4 ・・・・・・・(10)
【0018】入力電流がIのときは、スイッチSW1〜
SW3を全てONし、トランジスタQ3〜Q5をOFF
にする。これによりトランジスタQ1及びQ2は通常の
カレントミラー動作を行い、出力電流は入力電流Iに等
しくなる。入力電流が3Iのときは、スイッチSW1を
OFFし、SW2,SW3をONして、トランジスタQ
3をON、トランジスタQ4及びトランジスタQ5をO
FFにする。これによりトランジスタQ1とトランジス
タQ3には1:2の比率で電流が流れ込むので、トラン
ジスタQ1にはI、トランジスタQ3には2Iが流れ込
む。トランジスタQ1及びQ2は通常のカレントミラー
動作を行うので、出力電流はトランジスタQ1への入力
電流Iに等しくなる。
【0019】このように、上記設定の場合には各スイッ
チSW1〜SW3をON/OFFすることにより、入力
電流がI,3I,4I,5I,6I,7I程度で変動す
る各場合において、出力電流をI程度で変動するように
電流ゲインを切り換えることができる。よって、上記の
各入力電流に対してトランジスタQ1へ流れる電流はI
程度になるので、入力端子1の電圧Vinは上記の各入力
電流に対して、上記(7)式のようになる。つまり、入
力電流がI程度で変動する場合、3I程度で変動する場
合、4I程度で変動する場合と複数の値になる場合で
も、出力電流をI程度で変動するように電流ゲインを切
り換えることができ、上記のように入力ダイナミックレ
ンジを改善し、且つ出力精度を改善した電流ゲイン切り
換え回路を実現できる。
【0020】なお、この第2の実施の形態の構成におい
ても、当然、各種の変形、変更が可能である。図4は、
図3に示した実施の形態におけるNPNトランジスタを
PNPトランジスタに変え、更に電源端子とGNDとに
対して逆に接続して構成した電流ゲイン切り換え回路で
あり、その動作は図3に示した実施の形態と同様であ
り、同様の効果が得られる。なお、図4においては、図
3に示した実施の形態の構成要素に対応する部材には全
てダッシュを付して示している。
【0021】図5は、本発明に係る電流ゲイン切り換え
回路の第3の実施の形態を示す回路構成図である。この
実施の形態は、図1に示した第1の実施の形態における
カレントミラー回路をウイルソン形式のカレントミラー
回路にするものである。Q6,Q7,Q8はウイルソン
形式のカレントミラー回路を構成しているNPNトラン
ジスタで、トランジスタQ6のコレクタは入力端子1に
接続され、ベースはトランジスタQ7のコレクタ及びベ
ースに接続され、トランジスタQ7のコレクタ及びベー
スはトランジスタQ8のエミッタに接続され、トランジ
スタQ6,Q7のエミッタ・GND間にはそれぞれ抵抗
R6,R7が接続されている。トランジスタQ8のベー
スは入力端子1に接続され、コレクタは出力端子2に接
続されている。トランジスタQ9,Q10はNPNトラン
ジスタで、トランジスタQ10のコレクタ及びベースは入
力端子1に接続され、エミッタはトランジスタQ9のコ
レクタ及びベースに接続され、トランジスタQ9のエミ
ッタ・GND間には抵抗R8が接続され、更にエミッタ
はスイッチSW1の一端に接続されており、スイッチS
W1の他端は、一端を電源端子3に接続したコントロー
ル電流源IC1の他端に接続されている。
【0022】次に、この実施の形態の動作について説明
する。入力端子1への入力電流がI程度とn×I程度で
あるとし、各トランジスタQ6〜Q10のエミッタサイズ
の比を次式(11)のように設定し、抵抗R6〜R8の抵
抗値R6 〜R8 の比を次式(12)のように設定する。 Q6:Q7:Q8:Q9:Q10=1:1:(n−1):(n−1) ・・・・・・・(11) R6 :R7 :R8 =1:1:1/(n−1) ・・・・・・・・・(12)
【0023】入力電流がIである場合は、スイッチSW
1をONし、トランジスタQ9をOFFにする。これに
よりトランジスタQ6,Q7及びQ8は通常のカレント
ミラー動作を行い、出力電流は入力電流Iに等しくな
る。このとき入力端子1の電圧は、ほぼ次式(13)のよ
うになる。 Vin(Iin=I)=R6 ×I+VBEQ6+VBEQ8 ・・・・・・・・(13) ここでVinは入力端子1の電圧、Iinは入力電流、V
BEQ6,VBEQ8はトランジスタQ6,Q8のベース・エミ
ッタ間電圧である。
【0024】次に、入力電流がn×Iである場合は、ス
イッチSW1をOFFし、トランジスタQ9をONにす
る。これによりトランジスタQ6とQ10には、1:(n
−1)の比率で電流が流れ込むので、トランジスタQ6
にはI,トランジスタQ10には(n−1)×Iが流れ込
む。トランジスタQ6,Q7及びQ8は通常のカレント
ミラー動作を行うので、出力電流はトランジスタQ6へ
の入力電流Iに等しくなる。このとき入力端子1の電圧
は、ほぼ次式(14)のようになる。 Vin(Iin=n×I)=R6 ×I+VBEQ6+VBEQ8 ・・・・・・(14) このように、(13),(14)式より入力端子1の電圧は
入力電流の大小によらず一定であることになる。また、
6 ×Iの値が 0.1V程度になるようにR6 を決めれ
ば、出力精度も良くなる。
【0025】よって、特にトランジスタのβが小さく、
高精度の出力精度が必要であり、入力電流がI程度で変
動する場合とそのn倍のn×I程度で変動する場合とに
変わるときには、上記のような回路構成により、それぞ
れの入力電流において出力電流をI程度で変動するよう
に、電流ゲインを切り換えることができ、入力電流の値
に大小による入力ダイナミックレンジの悪化のない、高
出力精度の電流ゲイン切り換え回路を実現できる。
【0026】なお、この第3の実施の形態の構成におい
ても、当然、各種の変形、変更が可能である。例えば図
5に示した実施の形態におけるNPNトランジスタをP
NPトランジスタに変え、更に電源端子とGNDとに対
して逆に接続して構成した電流ゲイン切り換え回路とす
ることができる。この場合の動作は図5に示した実施の
形態と同様であり、同様の効果が得られる。
【0027】
【発明の効果】以上実施の形態に基づいて詳細に説明し
たように、本発明によれば、電流値の変化が大きい入力
電流における入力ダイナミックレンジを改善し、且つ出
力精度を改善した電流ゲイン切り換え回路を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電流ゲイン切り換え回路の第1の
実施の形態を示す回路構成図である。
【図2】図1に示した第1の実施の形態の変形例を示す
回路構成図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態を示す回路構成図で
ある。
【図4】図3に示した第2の実施の形態の変形例を示す
回路構成図である。
【図5】本発明の第3の実施の形態を示す回路構成図で
ある。
【図6】従来の電流ゲイン切り換え回路の構成例を示す
回路構成図である。
【図7】従来の電流ゲイン切り換え回路の他の構成例を
示す回路構成図である。
【符号の説明】
1,1′ 入力端子 2,2′ 出力端子 3,3′ 電源端子 IC1,IC2,IC3,IC1′,IC2′,IC3′ コントロ
ール電流源 SW1,SW2,SW3,SW1′,SW2′,SW
3′ スイッチ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 カレントミラー回路の出力電流を切り換
    えるカレントミラー回路を用いた電流ゲイン切り換え回
    路において、入力端子に接続された入力用トランジスタ
    と出力端子に直接又はベースを入力端子に接続したトラ
    ンジスタを介して接続された出力用トランジスタと入力
    用及び出力用トランジスタのエミッタと第1の電源との
    間にそれぞれ接続された抵抗とを有するカレントミラー
    回路と、コレクタとベースをカレントミラー回路の入力
    端子に直接又はコレクタとベースを接続したトランジス
    タを介して接続し、エミッタと第1の電源との間に抵抗
    をそれぞれ接続した少なくとも1個のゲイン切り換え用
    トランジスタと、一端を第2の電源に共通に接続した前
    記ゲイン切り換え用トランジスタのそれぞれに対応させ
    たコントロール電流源と、該コントロール電流源の他端
    に一端を接続し他端をゲイン切り換え用トランジスタの
    エミッタに接続した該ゲイン切り換え用トランジスタの
    それぞれに対応させたスイッチとを有する電流ゲイン切
    り換え回路。
JP7309723A 1995-11-06 1995-11-06 電流ゲイン切り換え回路 Withdrawn JPH09130165A (ja)

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JP7309723A JPH09130165A (ja) 1995-11-06 1995-11-06 電流ゲイン切り換え回路

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Country Status (1)

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JP (1) JPH09130165A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2015159730A1 (ja) * 2014-04-16 2017-04-13 ソニー株式会社 撮像素子、ゲイン制御方法、プログラム、および電子機器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPWO2015159730A1 (ja) * 2014-04-16 2017-04-13 ソニー株式会社 撮像素子、ゲイン制御方法、プログラム、および電子機器

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