JPH088174A - パターン位置検出方法 - Google Patents
パターン位置検出方法Info
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- JPH088174A JPH088174A JP6158128A JP15812894A JPH088174A JP H088174 A JPH088174 A JP H088174A JP 6158128 A JP6158128 A JP 6158128A JP 15812894 A JP15812894 A JP 15812894A JP H088174 A JPH088174 A JP H088174A
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- pattern
- pitch
- arbitrary
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- substrate
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】本発明は、パターン位置検出方法において、被
検査対象の基板上の任意の単位パターン近傍の領域の位
置指定を容易にする。 【構成】検出すべき位置の基準となる原点を基板5上に
設定すると共に、原点を基準とした2次元の座標系を設
定し、所定のピツチに基づいて、座標系内の第1方向の
第1ピツチXpと、第1方向と直交する第2方向の第2
ピツチYpとを設定し、原点から任意の単位パターン2
7Bまでの第1方向の単位パターン27Bの第1数量
と、第2方向の単位パターン27Aの第2数量とを計数
し、任意の単位パターン27B近傍の領域の位置を第1
数量及び第2数量と、第1ピツチXp及び第2ピツチY
pとに基づいて指定する。
検査対象の基板上の任意の単位パターン近傍の領域の位
置指定を容易にする。 【構成】検出すべき位置の基準となる原点を基板5上に
設定すると共に、原点を基準とした2次元の座標系を設
定し、所定のピツチに基づいて、座標系内の第1方向の
第1ピツチXpと、第1方向と直交する第2方向の第2
ピツチYpとを設定し、原点から任意の単位パターン2
7Bまでの第1方向の単位パターン27Bの第1数量
と、第2方向の単位パターン27Aの第2数量とを計数
し、任意の単位パターン27B近傍の領域の位置を第1
数量及び第2数量と、第1ピツチXp及び第2ピツチY
pとに基づいて指定する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はパターン位置検出方法に
関し、例えば投影露光装置で大型感光基板上に小面積の
パターンをつなぎ合わせて露光し、大面積の大型液晶表
示板を形成する際に適用し得る。
関し、例えば投影露光装置で大型感光基板上に小面積の
パターンをつなぎ合わせて露光し、大面積の大型液晶表
示板を形成する際に適用し得る。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の大型液晶表示板を形成す
る露光装置では、つなぎ合わせたパターンに重ねて他の
パターンを複数層露光することによつて、最終的に所望
するパターンを得ている。このようにパターンを重ねて
露光するときには、上層のパターンの露光位置を下層の
パターンの位置に応じて補正するため、下層のパターン
の位置が測定される。
る露光装置では、つなぎ合わせたパターンに重ねて他の
パターンを複数層露光することによつて、最終的に所望
するパターンを得ている。このようにパターンを重ねて
露光するときには、上層のパターンの露光位置を下層の
パターンの位置に応じて補正するため、下層のパターン
の位置が測定される。
【0003】下層のパターンの任意の露光領域の位置を
測定する際、感光基板の中心を原点とする座標を制御装
置等に入力することによつて、ユーザは任意の露光領域
の位置を指定していた。ユーザは、レチクルに形成され
た原画パターンの設計寸法値に基づいて、任意の露光領
域の座標を計算して求めて入力していた。
測定する際、感光基板の中心を原点とする座標を制御装
置等に入力することによつて、ユーザは任意の露光領域
の位置を指定していた。ユーザは、レチクルに形成され
た原画パターンの設計寸法値に基づいて、任意の露光領
域の座標を計算して求めて入力していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した従
来の位置の指定方法においては、実際上、測定ポイント
は複数設定され、それぞれの測定ポイント毎に座標を計
算する必要があつた。このため計算間違いによつて指定
位置が所望の位置と異なることがある。座標が間違つて
いた場合、ユーザは再度計算し直し、全ての座標を入力
し直さなければいけないことになる。また複数の測定ポ
イント毎に全て計算する必要があるため、測定までに時
間がかかり、製造のスループツトが低下するという問題
があつた。
来の位置の指定方法においては、実際上、測定ポイント
は複数設定され、それぞれの測定ポイント毎に座標を計
算する必要があつた。このため計算間違いによつて指定
位置が所望の位置と異なることがある。座標が間違つて
いた場合、ユーザは再度計算し直し、全ての座標を入力
し直さなければいけないことになる。また複数の測定ポ
イント毎に全て計算する必要があるため、測定までに時
間がかかり、製造のスループツトが低下するという問題
があつた。
【0005】また感光基板やパターンの形状、大きさ、
配置、つなぎ露光の回数等は様々である。このためそれ
ぞれに応じて計算して座標を入力する必要があり、煩雑
であるという欠点もあつた。
配置、つなぎ露光の回数等は様々である。このためそれ
ぞれに応じて計算して座標を入力する必要があり、煩雑
であるという欠点もあつた。
【0006】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、被検査対象の基板上の任意の単位パターン近傍の領
域の位置指定を容易にし得るパターン位置検出方法を提
案しようとするものである。
で、被検査対象の基板上の任意の単位パターン近傍の領
域の位置指定を容易にし得るパターン位置検出方法を提
案しようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、一実施例を表す図1〜図3とに対
応付けて説明すると、請求項1に記載の露光装置では、
所定の単位パターン(27)を所定のピツチで複数配列
した基板(5)を被検査対象とし、基板(5)上の任意
の単位パターン(27B)近傍の領域を位置検出手段
(17)に対して相対的に位置決めし、任意の単位パタ
ーン(27B)の基板(5)上での位置を検出するパタ
ーン位置検出方法において、検出すべき位置の基準とな
る原点を基板(5)上に設定すると共に、原点を基準と
した2次元の座標系を設定し、所定のピツチに基づい
て、座標系内の第1方向の第1ピツチ(Xp)と、座標
系内の第1方向と直交する第2方向の第2ピツチ(Y
p)とを設定し、原点から任意の単位パターン(27
B)までの第1方向の単位パターン(27B)の第1数
量と、第2方向の単位パターン(27A)の第2数量と
を計数し、任意の単位パターン(27B)近傍の領域の
位置を第1数量及び第2数量と、第1ピツチ(Xp)及
び第2ピツチ(Yp)とに基づいて指定することによつ
て相対的な位置決めを行う。
め本発明においては、一実施例を表す図1〜図3とに対
応付けて説明すると、請求項1に記載の露光装置では、
所定の単位パターン(27)を所定のピツチで複数配列
した基板(5)を被検査対象とし、基板(5)上の任意
の単位パターン(27B)近傍の領域を位置検出手段
(17)に対して相対的に位置決めし、任意の単位パタ
ーン(27B)の基板(5)上での位置を検出するパタ
ーン位置検出方法において、検出すべき位置の基準とな
る原点を基板(5)上に設定すると共に、原点を基準と
した2次元の座標系を設定し、所定のピツチに基づい
て、座標系内の第1方向の第1ピツチ(Xp)と、座標
系内の第1方向と直交する第2方向の第2ピツチ(Y
p)とを設定し、原点から任意の単位パターン(27
B)までの第1方向の単位パターン(27B)の第1数
量と、第2方向の単位パターン(27A)の第2数量と
を計数し、任意の単位パターン(27B)近傍の領域の
位置を第1数量及び第2数量と、第1ピツチ(Xp)及
び第2ピツチ(Yp)とに基づいて指定することによつ
て相対的な位置決めを行う。
【0008】請求項2に記載の露光装置では、被検査対
象は、複数の単位パターン(27)で構成される第1部
分パターン領域(24A)と、複数の単位パターン(2
7)で構成される第2部分パターン領域(24B)とを
互いにつなぎ合わせて又は重ね合わせて形成されてお
り、検出すべき任意の単位パターン(27B)として、
つなぎ合わせた又は重ね合わせた部分(25A)のパタ
ーン(27B)を指定する。
象は、複数の単位パターン(27)で構成される第1部
分パターン領域(24A)と、複数の単位パターン(2
7)で構成される第2部分パターン領域(24B)とを
互いにつなぎ合わせて又は重ね合わせて形成されてお
り、検出すべき任意の単位パターン(27B)として、
つなぎ合わせた又は重ね合わせた部分(25A)のパタ
ーン(27B)を指定する。
【0009】請求項3に記載の露光装置では、任意の単
位パターン(27B)の検出結果に基づいて、つなぎ合
わせて又は重ね合わせて形成する際の第1部分パターン
領域(24A)と第2部分パターン領域(24B)との
位置の補正量を決定する。
位パターン(27B)の検出結果に基づいて、つなぎ合
わせて又は重ね合わせて形成する際の第1部分パターン
領域(24A)と第2部分パターン領域(24B)との
位置の補正量を決定する。
【0010】
【作用】請求項1に記載の露光装置方法では、検出すべ
き位置の基準となる原点を基板(5)上に設定すると共
に、原点を基準とした2次元の座標系を設定し、所定の
ピツチに基づいて、座標系内の第1方向の第1ピツチ
(Xp)と、第1方向と直交する第2方向の第2ピツチ
(Yp)とを設定し、原点から任意の単位パターン(2
7B)までの第1方向の単位パターン(27B)の第1
数量と、第2方向の単位パターン(27A)の第2数量
とを計数し、任意の単位パターン(27B)近傍の領域
の位置を第1数量及び第2数量と、第1ピツチ(Xp)
及び第2ピツチ(Yp)とに基づいて指定することによ
つて、被検査対象の基板(5)上の任意の単位パターン
(27B)近傍の領域指定を容易にし得る。
き位置の基準となる原点を基板(5)上に設定すると共
に、原点を基準とした2次元の座標系を設定し、所定の
ピツチに基づいて、座標系内の第1方向の第1ピツチ
(Xp)と、第1方向と直交する第2方向の第2ピツチ
(Yp)とを設定し、原点から任意の単位パターン(2
7B)までの第1方向の単位パターン(27B)の第1
数量と、第2方向の単位パターン(27A)の第2数量
とを計数し、任意の単位パターン(27B)近傍の領域
の位置を第1数量及び第2数量と、第1ピツチ(Xp)
及び第2ピツチ(Yp)とに基づいて指定することによ
つて、被検査対象の基板(5)上の任意の単位パターン
(27B)近傍の領域指定を容易にし得る。
【0011】請求項2に記載の露光装置では、複数の単
位パターン(27)で構成される第1部分パターン領域
(24A)と、複数の単位パターン(27)で構成され
る第2部分パターン領域(24B)とを互いにつなぎ合
わせた又は重ね合わせた部分のパターンを被検査対象と
して指定することによつて、この合わせた又は重ね合わ
せた部分(25A)のパターンのずれ量を検出すること
ができる。
位パターン(27)で構成される第1部分パターン領域
(24A)と、複数の単位パターン(27)で構成され
る第2部分パターン領域(24B)とを互いにつなぎ合
わせた又は重ね合わせた部分のパターンを被検査対象と
して指定することによつて、この合わせた又は重ね合わ
せた部分(25A)のパターンのずれ量を検出すること
ができる。
【0012】請求項3に記載の露光装置では、任意の単
位パターンの検出結果に基づいて、つなぎ合わせて又は
重ね合わせて形成する際の第1部分パターン領域(24
A)と第2部分パターン領域(24B)との位置の補正
量を決定することによつて、この合わせた又は重ね合わ
せた部分(25A)の位置合わせ精度を高めることがで
きる。
位パターンの検出結果に基づいて、つなぎ合わせて又は
重ね合わせて形成する際の第1部分パターン領域(24
A)と第2部分パターン領域(24B)との位置の補正
量を決定することによつて、この合わせた又は重ね合わ
せた部分(25A)の位置合わせ精度を高めることがで
きる。
【0013】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【0014】(1)実施例の構成 (1−1)投影露光装置の全体構成 図1において、1は全体として画像処理でアライメント
する大型液晶表示板製造用の投影露光装置を示し、超高
圧水銀ランプ等の光源2から射出された露光光を楕円鏡
3によつて集光した後、オプテイカルインテグレータ等
を介してコンデンサレンズ系4に入射する。
する大型液晶表示板製造用の投影露光装置を示し、超高
圧水銀ランプ等の光源2から射出された露光光を楕円鏡
3によつて集光した後、オプテイカルインテグレータ等
を介してコンデンサレンズ系4に入射する。
【0015】コンデンサレンズ系4により適度に集光さ
れた露光光はほぼ均一な照度でレチクルRを照明する。
その露光光によつてレチクルRのパターンが投影光学系
PLを介して感光基板5上の各シヨツト領域に投影され
る。この後、感光基板5上に複数層の回路パターンを順
に重ねて露光することにより大型の液晶表示板を製造し
ている。
れた露光光はほぼ均一な照度でレチクルRを照明する。
その露光光によつてレチクルRのパターンが投影光学系
PLを介して感光基板5上の各シヨツト領域に投影され
る。この後、感光基板5上に複数層の回路パターンを順
に重ねて露光することにより大型の液晶表示板を製造し
ている。
【0016】感光基板5はZステージ6上に保持され、
Zステージ6はXYステージ7上に載置されている。X
Yステージ7は感光基板5を投影光学系PLの光軸(Z
軸)に垂直な平面(XY平面)内で位置決めし、Zステ
ージ6は感光基板5をZ軸方向に位置決めする。Zステ
ージ6と感光基板5との間には感光基板5を回転させる
θテーブル(図示せず)が介装されている。Zステージ
6上の感光基板5の近傍には種々のアライメント用マー
クが形成された基準マーク集合体8が固定されている。
基準マーク集合体8の近傍にはX方向およびY方向の距
離測定用の移動鏡9が固定されている。
Zステージ6はXYステージ7上に載置されている。X
Yステージ7は感光基板5を投影光学系PLの光軸(Z
軸)に垂直な平面(XY平面)内で位置決めし、Zステ
ージ6は感光基板5をZ軸方向に位置決めする。Zステ
ージ6と感光基板5との間には感光基板5を回転させる
θテーブル(図示せず)が介装されている。Zステージ
6上の感光基板5の近傍には種々のアライメント用マー
クが形成された基準マーク集合体8が固定されている。
基準マーク集合体8の近傍にはX方向およびY方向の距
離測定用の移動鏡9が固定されている。
【0017】移動鏡9にはレーザ干渉計10からレーザ
ビームが照射される。レーザ干渉計10は、移動鏡9の
鏡面で反射された反射光を受光してXYステージ6の位
置を常時計測し、位置信号S1を装置制御用コンピユー
タ11に送出する。装置制御用コンピユータ11は位置
信号S1に基づいた駆動信号S2を駆動装置12に送出
して、XYステージ7を駆動する。
ビームが照射される。レーザ干渉計10は、移動鏡9の
鏡面で反射された反射光を受光してXYステージ6の位
置を常時計測し、位置信号S1を装置制御用コンピユー
タ11に送出する。装置制御用コンピユータ11は位置
信号S1に基づいた駆動信号S2を駆動装置12に送出
して、XYステージ7を駆動する。
【0018】アライメント用顕微鏡13は、レチクルR
のアライメントのとき、アライメント光をミラー14を
介してレチクルRのパターン領域近傍のアライメントマ
ークRMに照射する。このアライメントマークRMから
の反射光がミラー14で反射されて顕微鏡13に戻され
る。例えばアライメント用顕微鏡13内部で再結像され
るアライメントマークRMの像の位置に基づいてレチク
ルRの位置を調整することによりレチクルRをアライメ
ントする。
のアライメントのとき、アライメント光をミラー14を
介してレチクルRのパターン領域近傍のアライメントマ
ークRMに照射する。このアライメントマークRMから
の反射光がミラー14で反射されて顕微鏡13に戻され
る。例えばアライメント用顕微鏡13内部で再結像され
るアライメントマークRMの像の位置に基づいてレチク
ルRの位置を調整することによりレチクルRをアライメ
ントする。
【0019】オートフオーカス検出系は送光系15およ
び受光系16からなり、送光系15は感光基板5に向け
てスリツトパターン等の検出パターンの像を投影光学系
PLの光軸AXに対して斜めに投影する。その検出パタ
ーンの像の反射光により受光系16内でその検出パター
ンの像が再結像される。その再結像された検出パターン
の像の位置ずれ量から感光基板5の露光面の高さが求め
られ、Zステージ6によりその感光基板5の露光面の高
さが投影光学系PLに対するベストフオーカス位置に設
定される。
び受光系16からなり、送光系15は感光基板5に向け
てスリツトパターン等の検出パターンの像を投影光学系
PLの光軸AXに対して斜めに投影する。その検出パタ
ーンの像の反射光により受光系16内でその検出パター
ンの像が再結像される。その再結像された検出パターン
の像の位置ずれ量から感光基板5の露光面の高さが求め
られ、Zステージ6によりその感光基板5の露光面の高
さが投影光学系PLに対するベストフオーカス位置に設
定される。
【0020】投影光学系PLの側方には画像処理用のア
ライメント光学系が配置されている。アライメント光学
系は感光基板5上の観察領域から反射された反射光を対
物レンズ17およびミラー18を介してリレーレンズ1
9に導く。そしてこの反射光を電荷結像型撮像素子(C
CD)を用いたCCDカメラ20の撮像面に集束し、撮
像面に観察領域のパターンの画像を結像する。
ライメント光学系が配置されている。アライメント光学
系は感光基板5上の観察領域から反射された反射光を対
物レンズ17およびミラー18を介してリレーレンズ1
9に導く。そしてこの反射光を電荷結像型撮像素子(C
CD)を用いたCCDカメラ20の撮像面に集束し、撮
像面に観察領域のパターンの画像を結像する。
【0021】パターンマツチング装置21は被処理画像
としてCCDカメラ20から出力される映像信号(撮像
信号)S3を取り込む。パターンマツチング装置21は
テンプレート画像をメモリに記憶しており、パターンマ
ツチングによつてテンプレートに一致するパターンの座
標を求める。パターンマツチング装置21はこの座標値
を表す座標信号S4を装置制御用コンピユータ11に送
出する。
としてCCDカメラ20から出力される映像信号(撮像
信号)S3を取り込む。パターンマツチング装置21は
テンプレート画像をメモリに記憶しており、パターンマ
ツチングによつてテンプレートに一致するパターンの座
標を求める。パターンマツチング装置21はこの座標値
を表す座標信号S4を装置制御用コンピユータ11に送
出する。
【0022】装置制御用コンピユータ11は、座標信号
S4に基づいてつなぎ露光のときや重ね露光のときに生
じたずれ量を求め、次回以降のパターン領域をつなぎ合
わせて又は重ね合わせて露光する際には駆動装置12に
補正パラメータとして与えることにより、位置合わせ精
度を高める。また装置制御用コンピユータ11は、ここ
で求められた補正パラメータを投影光学系PLの結像特
性の補正や、レチクルアライメント系にもフイードバツ
クし得る。
S4に基づいてつなぎ露光のときや重ね露光のときに生
じたずれ量を求め、次回以降のパターン領域をつなぎ合
わせて又は重ね合わせて露光する際には駆動装置12に
補正パラメータとして与えることにより、位置合わせ精
度を高める。また装置制御用コンピユータ11は、ここ
で求められた補正パラメータを投影光学系PLの結像特
性の補正や、レチクルアライメント系にもフイードバツ
クし得る。
【0023】因みに、テンプレート画像として記憶され
る画像は、感光基板5上に形成された画像パターンの一
部である。装置制御用コンピユータ11には、入力装置
(ここではキーボード)22及び出力装置(ここでは陰
極線管)23が接続されている。
る画像は、感光基板5上に形成された画像パターンの一
部である。装置制御用コンピユータ11には、入力装置
(ここではキーボード)22及び出力装置(ここでは陰
極線管)23が接続されている。
【0024】(1−2)感光基板上のパターンの構成 図2に示すように、感光基板5上には、4つのレチクル
パターン像24A、24B、24C、24Dが例えば第
1層目としてつなぎ露光されている。レチクルパターン
像24A及び24Bは、境界線25Aで接続されてい
る。同様に、レチクルパターン像24B及び24C、2
4C及び24D、24D及び24Aは、それぞれ境界線
25B、25C、25Dで接続されている。
パターン像24A、24B、24C、24Dが例えば第
1層目としてつなぎ露光されている。レチクルパターン
像24A及び24Bは、境界線25Aで接続されてい
る。同様に、レチクルパターン像24B及び24C、2
4C及び24D、24D及び24Aは、それぞれ境界線
25B、25C、25Dで接続されている。
【0025】レチクルパターン像24Aは、例えば図3
に示すように、感光基板5のX方向(図2及び図3の紙
面に向かつて左右方向)に延びる一連の画素パターン2
7がY方向(紙面に向かつて上下方向)に一定のピツチ
Ypで規則的に繰り返して配列されてなる。画素パター
ン27は、X方向に延びる幹部27Aと、幹部27Aよ
りY方向(紙面に向かつて上下方向)にわずかに突出す
る複数の枝部27Bとでなる。
に示すように、感光基板5のX方向(図2及び図3の紙
面に向かつて左右方向)に延びる一連の画素パターン2
7がY方向(紙面に向かつて上下方向)に一定のピツチ
Ypで規則的に繰り返して配列されてなる。画素パター
ン27は、X方向に延びる幹部27Aと、幹部27Aよ
りY方向(紙面に向かつて上下方向)にわずかに突出す
る複数の枝部27Bとでなる。
【0026】枝部27Bは、X方向に一定のピツチXp
で規則的に繰り返して配列している。レチクルパターン
像24B〜24Dは、レチクルパターン像24Aと同一
に形成されている。なおX及びY方向のピツチXp及び
Ypは、感光基板5上に拡大したときピツチXp及びY
pとなるように設計されてレチクルR上に形成された原
画パターンのX及びY方向のピツチの値と、原画パター
ンの拡大率とに基づいて決定される。
で規則的に繰り返して配列している。レチクルパターン
像24B〜24Dは、レチクルパターン像24Aと同一
に形成されている。なおX及びY方向のピツチXp及び
Ypは、感光基板5上に拡大したときピツチXp及びY
pとなるように設計されてレチクルR上に形成された原
画パターンのX及びY方向のピツチの値と、原画パター
ンの拡大率とに基づいて決定される。
【0027】(2)実施例の動作 以上の構成において、例えば境界線25A上の任意の枝
部27B近傍の領域を測定ポイントとして指定し、この
任意の枝部27Bをパターンマツチングで測定する際に
は、図4に示す測定手順ステツプSP0が実行される。
部27B近傍の領域を測定ポイントとして指定し、この
任意の枝部27Bをパターンマツチングで測定する際に
は、図4に示す測定手順ステツプSP0が実行される。
【0028】すなわちユーザは、ステツプSP1におい
て、任意の枝部27B近傍の領域の位置の基準となる原
点を例えばレチクルパターン像24Aの左上隅と決定す
ると、この位置を入力装置22より装置制御用コンピユ
ータ11に設定する。これにより装置制御用コンピユー
タ11は、レチクルパターン像24Aの左上隅を原点
(すなわち(X,Y)=(0,0))とするXY直交座
標系を感光基板5の面内に設定する。
て、任意の枝部27B近傍の領域の位置の基準となる原
点を例えばレチクルパターン像24Aの左上隅と決定す
ると、この位置を入力装置22より装置制御用コンピユ
ータ11に設定する。これにより装置制御用コンピユー
タ11は、レチクルパターン像24Aの左上隅を原点
(すなわち(X,Y)=(0,0))とするXY直交座
標系を感光基板5の面内に設定する。
【0029】続いて、ユーザはステツプSP2におい
て、X及びY方向のピツチXp及びYpを装置制御用コ
ンピユータ11に設定してステツプSP3に移る。ステ
ツプSP3において、ユーザは原点から任意の枝部27
Bまでの配列、すなわちX方向の枝部27Bの個数(以
下列数という)と、Y方向の幹部27Aの個数(以下行
数という)とを計数して、装置制御用コンピユータ11
に設定する。列数と行数とのみを計数することにより、
ユーザ自身が座標を計算して設定する場合に比して、装
置制御用コンピユータ11に設定するまでの時間を一段
と減少させることができる。
て、X及びY方向のピツチXp及びYpを装置制御用コ
ンピユータ11に設定してステツプSP3に移る。ステ
ツプSP3において、ユーザは原点から任意の枝部27
Bまでの配列、すなわちX方向の枝部27Bの個数(以
下列数という)と、Y方向の幹部27Aの個数(以下行
数という)とを計数して、装置制御用コンピユータ11
に設定する。列数と行数とのみを計数することにより、
ユーザ自身が座標を計算して設定する場合に比して、装
置制御用コンピユータ11に設定するまでの時間を一段
と減少させることができる。
【0030】装置制御用コンピユータ11はステツプS
P4において、列数とX方向のピツチXpとに基づいて
計算すると共に、行数とY方向のピツチYpとに基づい
て計算して、任意の枝部27Bの座標(X、Y)に変換
する。続いて、装置制御用コンピユータ11はこの座標
(X、Y)に応じた駆動信号S2を駆動装置12に送出
して、XYステージ7を駆動する。これにより任意の枝
部27B近傍の領域がアライメント光学系の光軸に対し
て相対的に位置決めされることになる。
P4において、列数とX方向のピツチXpとに基づいて
計算すると共に、行数とY方向のピツチYpとに基づい
て計算して、任意の枝部27Bの座標(X、Y)に変換
する。続いて、装置制御用コンピユータ11はこの座標
(X、Y)に応じた駆動信号S2を駆動装置12に送出
して、XYステージ7を駆動する。これにより任意の枝
部27B近傍の領域がアライメント光学系の光軸に対し
て相対的に位置決めされることになる。
【0031】ステツプSP5においてパターンマツチン
グ装置21は、任意の枝部27Bの座標をパターンマツ
チングによつて計測して、ステツプSP6に移り測定を
終了する。このようにして露光のときに生じた境界線2
5A上の任意の枝部27B近傍の領域のパターンのずれ
量が求められる。これにより次回以降のパターンを露光
する際には、このずれ量に応じた補正パラメータを使用
して境界線25A付近の位置合わせ精度を高めることが
できる。
グ装置21は、任意の枝部27Bの座標をパターンマツ
チングによつて計測して、ステツプSP6に移り測定を
終了する。このようにして露光のときに生じた境界線2
5A上の任意の枝部27B近傍の領域のパターンのずれ
量が求められる。これにより次回以降のパターンを露光
する際には、このずれ量に応じた補正パラメータを使用
して境界線25A付近の位置合わせ精度を高めることが
できる。
【0032】(3)実施例の効果 以上の構成によれば、任意の枝部27B近傍の領域の位
置の基準となる原点をレチクルパターン像24Aの左上
隅に設定すると共に、この原点を基準としたXY直交座
標系を設定し、原画パターンのX及びY方向のピツチに
基づいて、XY直交座標系内のX及びY方向のピツチX
p及びYpを設定し、原点から任意の枝部27Bまでの
列数及び行数を計数し、任意の枝部27B近傍の領域の
位置を列数及び行数と、ピツチXp及びYpとに基づい
て指定することによつて、感光基板5上の任意の枝部2
7B近傍の領域指定を容易にすることができる。
置の基準となる原点をレチクルパターン像24Aの左上
隅に設定すると共に、この原点を基準としたXY直交座
標系を設定し、原画パターンのX及びY方向のピツチに
基づいて、XY直交座標系内のX及びY方向のピツチX
p及びYpを設定し、原点から任意の枝部27Bまでの
列数及び行数を計数し、任意の枝部27B近傍の領域の
位置を列数及び行数と、ピツチXp及びYpとに基づい
て指定することによつて、感光基板5上の任意の枝部2
7B近傍の領域指定を容易にすることができる。
【0033】また測定ポイントの指定が列数及び行数の
計数だけで済み、ユーザによる計算が不要となることに
より、測定までの時間が一段と短縮されて、製造のスル
ープツトを向上させることができる。さらに測定ポイン
トの指定が列数及び行数を計数するだけで済むことによ
り、測定ポイントの設定変更が容易であり、かつ誤入力
を減少させることもできる。さらに測定ポイントの指定
が間違つていても、大部分が原点やピツチの変更のみで
済む。
計数だけで済み、ユーザによる計算が不要となることに
より、測定までの時間が一段と短縮されて、製造のスル
ープツトを向上させることができる。さらに測定ポイン
トの指定が列数及び行数を計数するだけで済むことによ
り、測定ポイントの設定変更が容易であり、かつ誤入力
を減少させることもできる。さらに測定ポイントの指定
が間違つていても、大部分が原点やピツチの変更のみで
済む。
【0034】(4)他の実施例 なお上述の実施例においては、4つのレチクルパターン
像24A、24B、24C、24Dをつなぎ合わせて露
光し、任意の枝部27Bの位置を検出する場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、大面積のレチクルパ
ターン像を1つ露光し、任意の枝部の位置を検出する場
合にも適用し得る。この場合にも上述と同様の効果を得
ることができる。
像24A、24B、24C、24Dをつなぎ合わせて露
光し、任意の枝部27Bの位置を検出する場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、大面積のレチクルパ
ターン像を1つ露光し、任意の枝部の位置を検出する場
合にも適用し得る。この場合にも上述と同様の効果を得
ることができる。
【0035】また上述の実施例においては、任意の枝部
27B近傍の領域の位置の基準となる原点をレチクルパ
ターン像24Aの左上隅に設定する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、例えばレチクルパターン像
24Bの右上隅、境界線25A〜25D上、基板5の中
央等、任意の位置に設定しても良い。
27B近傍の領域の位置の基準となる原点をレチクルパ
ターン像24Aの左上隅に設定する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、例えばレチクルパターン像
24Bの右上隅、境界線25A〜25D上、基板5の中
央等、任意の位置に設定しても良い。
【0036】さらに上述の実施例においては、液晶表示
装置を製造するための感光基板5に露光する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、例えばプラズマデ
イスプレイを製造するための感光基板や半導体基板等、
任意の露光対象に露光する場合にも広く適用できる。
装置を製造するための感光基板5に露光する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、例えばプラズマデ
イスプレイを製造するための感光基板や半導体基板等、
任意の露光対象に露光する場合にも広く適用できる。
【0037】
【発明の効果】上述のように、請求項1に記載のパター
ン位置検出方法では、検出すべき位置の基準となる原点
を基板上に設定すると共に、原点を基準とした2次元の
座標系を設定し、所定のピツチに基づいて、座標系内の
第1方向の第1ピツチと、第1方向と直交する第2方向
の第2ピツチとを設定し、原点から任意の単位パターン
までの第1方向の単位パターンの第1数量と、第2方向
の単位パターンの第2数量とを計数し、任意の単位パタ
ーン近傍の領域の位置を第1数量及び第2数量と、第1
ピツチ及び第2ピツチとに基づいて指定することによつ
て、被検査対象の基板上の任意の単位パターン近傍の領
域指定を容易にし得るパターン位置検出方法を実現でき
る。
ン位置検出方法では、検出すべき位置の基準となる原点
を基板上に設定すると共に、原点を基準とした2次元の
座標系を設定し、所定のピツチに基づいて、座標系内の
第1方向の第1ピツチと、第1方向と直交する第2方向
の第2ピツチとを設定し、原点から任意の単位パターン
までの第1方向の単位パターンの第1数量と、第2方向
の単位パターンの第2数量とを計数し、任意の単位パタ
ーン近傍の領域の位置を第1数量及び第2数量と、第1
ピツチ及び第2ピツチとに基づいて指定することによつ
て、被検査対象の基板上の任意の単位パターン近傍の領
域指定を容易にし得るパターン位置検出方法を実現でき
る。
【0038】請求項2に記載のパターン位置検出方法で
は、複数の単位パターンで構成される第1部分パターン
領域と、複数の単位パターンで構成される第2部分パタ
ーン領域とを互いにつなぎ合わせた又は重ね合わせた部
分のパターンを被検査対象として指定することによつ
て、この合わせた又は重ね合わせた部分のパターンのず
れ量を検出することができる。
は、複数の単位パターンで構成される第1部分パターン
領域と、複数の単位パターンで構成される第2部分パタ
ーン領域とを互いにつなぎ合わせた又は重ね合わせた部
分のパターンを被検査対象として指定することによつ
て、この合わせた又は重ね合わせた部分のパターンのず
れ量を検出することができる。
【0039】請求項3に記載のパターン位置検出方法で
は、任意の単位パターンの検出結果に基づいて、つなぎ
合わせて又は重ね合わせて形成する際の第1部分パター
ン領域と第2部分パターン領域との位置の補正量を決定
することによつて、この合わせた又は重ね合わせた部分
の位置合わせ精度を高めることができる。
は、任意の単位パターンの検出結果に基づいて、つなぎ
合わせて又は重ね合わせて形成する際の第1部分パター
ン領域と第2部分パターン領域との位置の補正量を決定
することによつて、この合わせた又は重ね合わせた部分
の位置合わせ精度を高めることができる。
【図1】投影露光装置の説明に供する全体構成図であ
る。
る。
【図2】つなぎ露光された感光基板を示す略線図であ
る。
る。
【図3】画素パターンを示す平面図である。
【図4】本発明によるパターン位置検出方法の一実施例
によるパターン位置の測定手順を示すフローチヤートで
ある。
によるパターン位置の測定手順を示すフローチヤートで
ある。
1……投影露光装置、2……光源、3……楕円鏡、4…
…コンデンサレンズ系、5……感光基板、6……Zステ
ージ、7……XYステージ、8……基準マーク集合体、
9……移動鏡、10……レーザ干渉計、11……装置制
御用コンピユータ、12……駆動装置、13……アライ
メント用顕微鏡、14……ミラー、15……送光系、1
6……受光系、17……対物レンズ、18……ミラー、
19……リレーレンズ、20……CCDカメラ、21…
…パターンマツチング装置、22……入力装置、23…
…出力装置、24A〜24D……レチクルパターン像、
25A〜25D……境界線、26A〜26D……バーニ
アパターン、27……画素パターン、27A……幹部、
27B……枝部、R……レチクル、PL……投影光学
系。
…コンデンサレンズ系、5……感光基板、6……Zステ
ージ、7……XYステージ、8……基準マーク集合体、
9……移動鏡、10……レーザ干渉計、11……装置制
御用コンピユータ、12……駆動装置、13……アライ
メント用顕微鏡、14……ミラー、15……送光系、1
6……受光系、17……対物レンズ、18……ミラー、
19……リレーレンズ、20……CCDカメラ、21…
…パターンマツチング装置、22……入力装置、23…
…出力装置、24A〜24D……レチクルパターン像、
25A〜25D……境界線、26A〜26D……バーニ
アパターン、27……画素パターン、27A……幹部、
27B……枝部、R……レチクル、PL……投影光学
系。
Claims (3)
- 【請求項1】所定の単位パターンを所定のピツチで複数
配列した基板を被検査対象とし、前記基板上の任意の前
記単位パターン近傍の領域を位置検出手段に対して相対
的に位置決めし、前記任意の単位パターンの前記基板上
での位置を検出するパターン位置検出方法において、 検出すべき前記位置の基準となる原点を前記基板上に設
定すると共に、前記原点を基準とした2次元の座標系を
設定し、 前記所定のピツチに基づいて、前記座標系内の第1方向
の第1ピツチと、前記座標系内の前記第1方向と直交す
る第2方向の第2ピツチとを設定し、 前記原点から前記任意の単位パターンまでの前記第1方
向の前記単位パターンの第1数量と、前記第2方向の前
記単位パターンの第2数量とを計数し、 前記任意の単位パターン近傍の領域の位置を前記第1数
量及び前記第2数量と、前記第1ピツチ及び第2ピツチ
とに基づいて指定することによつて前記相対的な位置決
めを行うことを特徴とするパターン位置検出方法。 - 【請求項2】前記被検査対象は、複数の前記単位パター
ンで構成される第1部分パターン領域と、複数の前記単
位パターンで構成される第2部分パターン領域とを互い
につなぎ合わせて又は重ね合わせて形成されており、前
記検出すべき任意の単位パターンとして、前記つなぎ合
わせた又は重ね合わせた部分のパターンを指定すること
を特徴とする請求項1に記載のパターン位置検出方法。 - 【請求項3】前記任意の単位パターンの検出結果に基づ
いて、前記つなぎ合わせて又は重ね合わせて形成する際
の前記第1部分パターン領域と第2部分パターン領域と
の位置の補正量を決定することを特徴とする請求項1又
は請求項2に記載のパターン位置検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6158128A JPH088174A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | パターン位置検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6158128A JPH088174A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | パターン位置検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088174A true JPH088174A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15664905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6158128A Pending JPH088174A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | パターン位置検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088174A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270483A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Nikon Corp | 露光方法および露光装置 |
| CN103092005A (zh) * | 2013-01-21 | 2013-05-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 玻璃基板的曝光对位方法 |
-
1994
- 1994-06-16 JP JP6158128A patent/JPH088174A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270483A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Nikon Corp | 露光方法および露光装置 |
| CN103092005A (zh) * | 2013-01-21 | 2013-05-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 玻璃基板的曝光对位方法 |
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