JPH088172A - 走査型露光装置及び露光方法 - Google Patents
走査型露光装置及び露光方法Info
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Abstract
て、マスク上の複数の領域の像を感光基板上に同時に投
影するとき、マスクや感光基板上のパターンの直交度誤
差を矯正して投影し得るようにする。 【構成】マスクや感光基板上のパターンに、走査方向に
向かうに従つて走査方向と直交する第1の方向に所定の
角度でずれる直交度誤差が存在するとき、マスクと感光
基板とを面内で相対的に回転して、それぞれのパターン
の座標系の一方の座標軸を第1の方向に合わせた後、第
1光学系を介して投影される像の位置と第2光学系を介
して投影される像の位置とを第1の方向に相対的に直交
度誤差分だけ変位し、かつマスク又は感光基板の走査方
向の位置に応じてマスクと感光基板との相対位置を第1
の方向に直交度誤差分だけ連続的に変位する。
Description
方法に関し、例えば液晶表示装置を製造するための感光
基板に大面積のパターンを露光するものに適用し得る。
する露光装置には、マスクの小さな転写像を単一の投影
光学系を介して感光基板に繰り返し投影するステツプア
ンドリピート方式のものや、円弧スリツト状照明光束で
得たマスクと等倍の転写像を単一の投影光学系を介して
感光基板に投影するミラープロジエクシヨン方式等の走
査型のものがある。
投影光学系を配するものが考えられる。すなわちこの露
光装置では、複数の照明光学系から射出した光束がマス
ク上の複数の小領域をそれぞれ照明する。これらの複数
の小領域の転写像は複数の投影光学系のそれぞれを介し
て感光基板に同時に投影される。
写像P1〜P5は、転写像P1、P3及びP5でなる第
1転写像列と、転写像P2及びP4でなる第2転写像列
とに分けて投影される。第1転写像列の方向はマスク及
び感光基板の走査方向(以下X方向という)にほぼ直交
しかつ感光基板の面内となるY方向に平行であり、転写
像P1、P3及びP5はそれぞれの中心間が間隔2Ly
となるように配されている。また第2転写像列の方向は
第1転写像列と平行であり、転写像P2及びP4は中心
間が間隔2Lyとなるように配されている。そして、こ
れら転写像P1〜P5は、X方向の走査により、Y方向
に一部重複して(接合しても可)転写されることにな
る。これによりマスク及び感光基板が同期して走査され
ると、大面積のパターンが感光基板上に投影されること
になる。
形成された原画パターン2のX方向に沿つた辺がX方向
に向かうに従つて角度α分だけY方向にずれる直交度誤
差αを有する場合を考える。この場合、図8に示すよう
に、マスクと感光基板とがX方向に同期して移動するに
従つて、マスクをY方向に連続的に変位すると、走査の
最初から最後まで原画パターン2が第1及び第2の転写
像列によつて感光基板上に投影され、直交度誤差αを取
り除いた正常な転写像が感光基板に投影されると考えら
れる。
列と第2の転写像列とは、光軸が相互に所定の列間距離
Dを有するように2列に分けられた複数の投影光学系よ
り投影されている。これにより第1の転写像列の中心と
第2の転写像列の中心との間には、投影光学系と同一の
列間距離Dが存在する。このためマスクと感光基板とが
X方向に同期して移動するに従つて、マスクをY方向に
連続的に変位すると、感光基板上に投影された転写像P
1〜P5の合成パターンは、原画パターン2を正しく再
現できないことになる。
中のY方向の移動により、例えば転写像P1とP2との
中心間隔(中心の軌跡の間隔)Lyが(Ly±D tan
α)となり、実際に感光基板に露光された転写像P1〜
P5の合成パターンには、原画パターン2に比して、直
交度誤差αに影響されてY方向に過剰な接合状態で露光
された部分(例えばP2とP3)と不足な接合状態で露
光された部分(例えばP1とP2)とが発生する。つま
りそれぞれの転写像P1〜P5の感光基板上での位置が
ずれることになり、露光領域の継ぎ目部分で感光基板に
対する露光量の過剰、もしくは露光不足が生じ、デバイ
スのパターンの線幅が所定の値から変化、もしくは断線
するという問題があつた。
で、マスク上の複数の領域の像を走査露光により感光基
板上に継ぎ合わせて投影するとき、マスクや感光基板上
のパターンの直交度誤差を矯正して投影し得る走査型露
光装置及び露光方法を提案しようとするものである。
め本発明においては、一実施例を表す図1に対応付けて
説明すると、請求項1に記載の走査型露光装置(3)で
は、パターン(2)が形成されたマスク(1)上の複数
の領域(M1〜M5)をそれぞれ照明する複数の照明光
学系(4A〜4E)と、第1の方向(Y)に沿つて一列
に光軸を配置した複数の投影光学系(6A、6C、6
E)を有する第1光学系(6A、6C、6E)と、第1
光学系(6A、6C、6E)と平行に、且つ所定間隔D
をおいて一列に光軸を配置した複数の投影光学系(6
B、6D)を有する第2光学系(6B、6D)とを有
し、複数の領域(M1〜M5)の像(P1〜P5)の一
部(P1、P3、P5)を第1光学系(6A、6C、6
E)を介して、また複数の領域(M1〜M5)の像(P
1〜P5)の他の一部(P2、P4)を第2光学系(6
B、6D)を介して同時に感光基板(8)上に投影する
と共に、第1の方向(Y)とほぼ直交し、且つ感光基板
(8)の面内の方向(X)にマスク(1)と感光基板
(8)とを同期して走査する走査型露光装置(3)にお
いて、マスク(1)と感光基板(8)とを、マスク
(1)若しくは感光基板(8)の面内で相対的に回転す
る回転手段(5及び10〜12)と、マスク(1)若し
くは感光基板(8)の走査方向(X)の位置に応じてマ
スク(1)と感光基板(8)との相対位置を第1の方向
(Y)に変位する位置変位手段(11、12)と、第1
光学系(6A、6C、6E)を介して投影される像(P
1、P3、P5)の位置と第2光学系(6B、6D)を
介して投影される像(P2、P4)の位置とを第1の方
向(Y)に相対的に変位する結像位置変更手段(9A〜
9E)とを設けるようにする。
は、結像位置変更手段(9A〜9E)は、マスク(1)
上に形成されたパターン(2)の配列に関する第1の座
標系の、走査の方向(X)と走査の方向(X)に直交す
る方向(Y)とで決定される第2の座標系に対する角度
の偏差(α)に基づいて相対的に変位する。
は、感光基板(8)は、予めマスク(1)のパターン
(2)の第1の像を形成してあり、結像位置変更手段
(9A〜9E)は、第1の像に重ね合わせてマスク
(1)のパターン(2)の第2の像を露光する場合、第
1の像の配列に関する第1の座標系の、走査の方向
(X)と走査の方向(X)に直交する方向(Y)とで決
定される第2の座標系に対する角度の偏差(α)に基づ
いて相対的に変位する。
は、感光基板(8)は、予めマスク(1)のパターン
(2)の第1の像を形成してあり、結像位置変更手段
(9A〜9E)は、第1の像に重ね合わせてマスク
(1)のパターン(2)の第2の像を露光する場合、マ
スク(1)のパターン(2)の配列に関する第1の座標
系の、第1の像の配列に関する第2の座標系に対する角
度の偏差(α)に基づいて相対的に変位する。
は、パターンが形成されたマスク(1)上の複数の領域
(M1〜M5)をそれぞれ照明する複数の照明光学系
(4A〜4E)と、第1の方向(Y)に沿つて一列に光
軸を配置した複数の投影光学系(6A、6C、6E)を
有する第1光学系(6A、6C、6E)と、第1光学系
(6A、6C、6E)と平行に、且つ所定間隔(D)を
おいて一列に光軸を配置した複数の投影光学系(6B、
6D)を有する第2光学系(6B、6D)とを有し、複
数の領域(M1〜M5)の像(P1〜P5)の一部(P
1、P3、P5)を第1光学系(6A、6C、6E)を
介して、また複数の領域(M1〜M5)の像(P1〜P
5)の他の一部(P2、P4)を第2光学系(6B、6
D)を介して感光基板(8)上に投影すると共に、第1
の方向(Y)とほぼ直交し、且つ感光基板(8)の面内
の方向(X)にマスク(1)と感光基板(8)とを同期
して走査する走査型露光装置(3)において、第1光学
系(6A、6C、6E)及び第2光学系(6B、6D)
を介して投影される像(P1〜P5)の配列方向を、第
1の方向(Y)に対して所定角度(β)だけ変更し、第
1光学系(6A、6C、6E)を介して投影される像
(P1、P3、P5)それぞれの間隔2Ly及び第2光
学系(6B、6D)を介して投影される像(P2、P
4)それぞれの間隔2Lyを変更すると共に、それぞれ
の像(P1〜P5)の光軸に関する回転方向の位置を変
更する結像位置変更手段(9A〜9E)を設けるように
する。
は、感光基板(8)は、予めマスク(1)のパターンの
第1の像を形成してあり、結像位置変更手段(9A〜9
E)は、第1の像に重ね合わせてマスク(1)のパター
ンの第2の像を露光する場合、第1の像の配列に関する
第1の座標系の、走査の方向(X)と走査の方向(X)
に直交する方向(Y)とで決定される第2の座標系に対
する角度の偏差(β)に基づいて配列方向の変更、像の
間隔2Lyの変更、及び回転方向の位置の変更を行う。
は、感光基板(8)は、予めマスク(1)のパターンの
第1の像を形成してあり、結像位置変更手段(9A〜9
E)は、第1の像に重ね合わせてマスク(1)のパター
ンの第2の像を露光する場合、マスク(1)のパターン
の配列に関する第1の座標系の、第1の像の配列に関す
る第2の座標系に対する角度の偏差(β)に基づいて配
列方向の変更、像の間隔2Lyの変更、及び回転方向の
位置の変更を行う。
(2)が形成されたマスク(1)上の複数の領域M1〜
M5をそれぞれ照明する複数の照明光学系(4A〜4
E)と、第1の方向(Y)に沿つて一列に光軸を配置し
た複数の投影光学系(6A、6C、6E)を有する第1
光学系(6A、6C、6E)と、第1光学系(6A、6
C、6E)と平行に、且つ所定間隔(D)をおいて一列
に光軸を配置した複数の投影光学系(6B、6D)を有
する第2光学系(6B、6D)とを有し、複数の領域
(M1〜M5)の像(P1〜P5)の一部(P1、P
3、P5)を第1光学系(6A、6C、6E)を介し
て、また複数の領域(M1〜M5)の像(P1〜P5)
の他の一部(P2、P4)を第2光学系(6B、6D)
を介して感光基板(8)上に投影すると共に、第1の方
向(Y)とほぼ直交し、且つ感光基板(8)の面内の方
向(X)にマスク(1)と感光基板(8)とを同期して
走査する露光方法において、マスク(1)と感光基板
(8)とを、マスク(1)若しくは感光基板(8)の面
内で相対的に回転する回転処理と、マスク(1)若しく
は感光基板(8)の走査方向(X)の位置に応じてマス
ク(1)と感光基板(8)との相対位置を第1の方向
(Y)に変位する位置変位処理と、第1光学系(6A、
6C、6E)を介して投影される像(P1、P3、P
5)の位置と第2光学系(6B、6D)を介して投影さ
れる像(P2、P4)の位置とを第1の方向(Y)に相
対的に変位する結像位置変更処理とを含む。
変更処理は、マスク(1)上に形成されたパターン
(2)の配列に関する第1の座標系の、走査の方向
(X)と走査の方向(X)に直交する方向(Y)とで決
定される第2の座標系に対する角度の偏差(α)に基づ
いて相対的に変位する。
板(8)は、予めマスク(1)のパターン(2)の第1
の像を形成してあり、結像位置変更処理は、第1の像に
重ね合わせてマスク(1)のパターン(2)の第2の像
を露光する場合、第1の像の配列に関する第1の座標系
の、走査の方向(X)と走査の方向(X)に直交する方
向(Y)とで決定される第2の座標系に対する角度の偏
差(α)に基づいて相対的に変位する。
板(8)は、予めマスク(1)のパターン(2)の第1
の像を形成してあり、結像位置変更処理は、第1の像に
重ね合わせてマスク(1)のパターン(2)の第2の像
を露光する場合、マスク(1)のパターン(2)の配列
に関する第1の座標系の、第1の像の配列に関する第2
の座標系に対する角度の偏差(α)に基づいて相対的に
変位する。
ンが形成されたマスク(1)上の複数の領域(M1〜M
5)をそれぞれ照明する複数の照明光学系(4A〜4
E)と、第1の方向(Y)に沿つて一列に光軸を配置し
た複数の投影光学系(6A、6C、6E)を有する第1
光学系(6A、6C、6E)と、第1光学系(6A、6
C、6E)と平行に、且つ所定間隔(D)をおいて一列
に光軸を配置した複数の投影光学系(6B、6D)を有
する第2光学系(6B、6D)とを有し、複数の領域
(M1〜M5)の像(P1〜P5)の一部(P1、P
3、P5)を第1光学系(6A、6C、6E)を介し
て、また複数の領域(M1〜M5)の像(P1〜P5)
の他の一部(P2、P4)を第2光学系(6B、6D)
を介して感光基板(8)上に投影すると共に、第1の方
向(Y)とほぼ直交し、且つ感光基板(8)の面内の方
向(X)にマスク(1)と感光基板(8)とを同期して
走査する露光方法において、第1光学系(6A、6C、
6E)及び第2光学系(6B、6D)を介して投影され
る像の配列方向を、第1の方向(Y)に対して所定角度
(β)だけ変更し、第1光学系(6A、6C、6E)を
介して投影される像(P1、P3、P5)それぞれの間
隔2Ly及び第2光学系(6B、6D)を介して投影さ
れる像(P2、P4)それぞれの間隔2Lyを変更する
と共に、それぞれの像(P1〜P5)の光軸に関する回
転方向の位置を変更する結像位置変更処理を含むように
する。
板(8)は、予めマスク(1)のパターンの第1の像を
形成してあり、結像位置変更処理は、第1の像に重ね合
わせてマスク(1)のパターンの第2の像を露光する場
合、第1の像の配列に関する第1の座標系の、走査の方
向(X)と走査の方向(X)に直交する方向(Y)とで
決定される第2の座標系に対する角度の偏差(β)に基
づいて配列方向の変更、像の間隔の変更、及び回転方向
の位置の変更を行う。
板(8)は、予めマスク(1)のパターンの第1の像を
形成してあり、前期結像位置変更処理は、第1の像に重
ね合わせてマスク(1)のパターンの第2の像を露光す
る場合、マスク(1)のパターンの配列に関する第1の
座標系の、第1の像の配列に関する第2の座標系に対す
る角度の偏差(β)に基づいて配列方向の変更、像の間
隔の変更、及び回転方向の位置の変更を行う。
マスク(1)や感光基板(8)上のパターン(2)に、
走査方向(X)に向かうに従つて走査方向(X)に直交
する方向(Y)に所定の角度(α)でずれる直交度誤差
(α)が存在するとき、これに応じて補正したマスク
(1)のパターン(2)を感光基板(8)上に露光する
ことができる。
は、マスク(1)上のパターン(2)に、走査方向
(X)に向かうに従つて走査方向(X)に直交する方向
(Y)に所定の角度(α)でずれる直交度誤差(α)が
存在するとき、これを補正したマスク(1)のパターン
(2)を感光基板(8)上に正しく露光することができ
る。
は、感光基板(8)に予め露光されたパターン(2)
に、走査方向(X)に向かうに従つて走査方向(X)に
直交する方向(Y)に所定の角度(α)でずれる直交度
誤差(α)が存在するとき、これに応じて補正したマス
ク(1)のパターン(2)を感光基板(8)上のパター
ン(2)に重ね合わせて露光することができる。
は、マスク(1)上のパターン(2)と感光基板(8)
に予め露光されたパターンとの間に、走査方向(X)に
向かうに従つて走査方向(X)に直交する方向(Y)に
所定の角度(α)でずれる直交度誤差(α)が相対的に
存在するとき、これに応じて補正したマスク(1)のパ
ターン(2)を感光基板(8)上のパターンに重ね合わ
せて露光することができる。
は、マスク(1)や感光基板(8)上のパターンに、走
査方向(X)に所定の角度(β)でずれる直交度誤差
(β)が存在するとき、これに応じて補正したマスク
(1)のパターンを感光基板(8)上に露光することが
できる。
は、感光基板(8)上に予め露光されたパターン(1
4)に、走査方向(X)に所定の角度(β)でずれる直
交度誤差(β)が存在するとき、これに応じて補正した
マスク(1)のパターンを感光基板(8)上のパターン
(14)に重ね合わせて露光することができる。
は、マスク(1)上のパターンと感光基板(8)上に予
め露光されたパターン(14)との間に、走査方向
(X)に所定の角度(β)でずれる直交度誤差(β)が
相対的に存在するとき、これに応じて補正したマスク
(1)のパターンを感光基板(8)上のパターン(1
4)に重ね合わせて露光することができる。
(1)や感光基板(8)上のパターン(2)に、走査方
向(X)に向かうに従つて走査方向(X)に直交する方
向(Y)に所定の角度(α)でずれる直交度誤差(α)
が存在するとき、これに応じて補正したマスク(1)の
パターン(2)を感光基板(8)上に露光することがで
きる。
(1)上のパターン(2)に、走査方向(X)に向かう
に従つて走査方向(X)に直交する方向(Y)に所定の
角度(α)でずれる直交度誤差(α)が存在するとき、
これを補正したマスク(1)のパターン(2)を感光基
板(8)上に正しく露光することができる。
板(8)に予め露光されたパターン(2)に、走査方向
(X)に向かうに従つて走査方向(X)に直交する方向
(Y)に所定の角度(α)でずれる直交度誤差(α)が
存在するとき、これに応じて補正したマスク(1)のパ
ターン(2)を感光基板(8)上のパターン(2)に重
ね合わせて露光することができる。
(1)上のパターン(2)と感光基板(8)に予め露光
されたパターンとの間に、走査方向(X)に向かうに従
つて走査方向(X)に直交する方向(Y)に所定の角度
(α)でずれる直交度誤差(α)が相対的に存在すると
き、これに応じて補正したマスク(1)のパターン
(2)を感光基板(8)上のパターンに重ね合わせて露
光することができる。
(1)や感光基板(8)上のパターンに、走査方向
(X)に所定の角度(β)でずれる直交度誤差(β)が
存在するとき、これに応じて補正したマスク(1)のパ
ターンを感光基板(8)上に露光することができる。
板(8)上に予め露光されたパターン(14)に、走査
方向(X)に所定の角度(β)でずれる直交度誤差
(β)が存在するとき、これに応じて補正したマスク
(1)のパターンを感光基板(8)上のパターン(1
4)に重ね合わせて露光することができる。
(1)上のパターンと感光基板(8)上に予め露光され
たパターン(14)との間に、走査方向(X)に所定の
角度(β)でずれる直交度誤差(β)が相対的に存在す
るとき、これに応じて補正したマスク(1)のパターン
を感光基板(8)上のパターン(14)に重ね合わせて
露光することができる。
する。
置を製造する感光基板に大面積のパターンを露光する走
査型露光装置を示す。複数の照明光学系4A〜4Eより
それぞれ射出された複数の光束L1A〜L1Eは、マス
クステージ5上に固定されたマスク1の複数の異なる小
領域M1〜M5をそれぞれ照明する。
1Eは、複数の投影光学系6A〜6Eのそれぞれを介し
て、キヤリツジ7上に載置された感光基板8を照射す
る。これにより原画パターン2のうち小領域M1〜M5
にそれぞれ対応した転写像P1〜P5が感光基板8上に
投影される。
〜P5をX方向及びY方向に移動させたり光軸に対して
回転方向に移動させる機構と、転写像P1〜P5の倍率
を調整する機構とでなる像シフト・回転・倍率調整機構
(以下調整機構という)9A〜9Eがそれぞれ配されて
いる。
は、図6に示すように、それぞれ台形状に整形されてい
る。それぞれの台形状の上辺は、転写像P1、P3及び
P5でなる第1転写像列と、転写像P2及びP4でなる
第2転写像列とが対向する側に向けられている。また隣
合う転写像P1〜P5(例えばP1及びP2、P2及び
P3)は、中心がX方向及びY方向にそれぞれ列間距離
D及び像間距離Lyだけ互いに隔てられ、三角形状の端
部がY方向に重複するようになされている。
数の転写像P1〜P5の中心の配置に対応して、X方向
及びY方向にそれぞれ列間距離D及び像間距離Lyだけ
互いに隔てられている。複数の照明光学系4A〜4E
は、マスク1上の複数の小領域M1〜M5の中心が複数
の転写像P1〜P5と同様の配置となるように配されて
いる。
されたキヤリツジ7の対向する2辺の部材のうち光束L
1A〜L1Eを通す4角穴が穿設されている側の部材上
に載置されている。またマスクステージ5は、3つの駆
動モータ10〜12によりX方向、Y方向と、投影光学
系6A〜6Eの光軸方向(Z方向)を軸とする回転方向
とに駆動される。
ステージ5とにはそれぞれ測長干渉計G1、G2が配さ
れており、これの出力に基づいてX方向の位置が別個に
制御される。また感光基板8を載置する基板ステージ1
3とマスクステージ5とのX方向の一方の端付近には1
対の測長干渉計G4が配されている。さらにX方向の他
方の端付近にも1対の測長干渉計G5が配されている。
これにより感光基板8に対するマスク1のY方向の位置
と回転量は、2対の測長干渉計G4及びG5でなる差動
干渉計が送出する出力G4 及びG5 より出力(G4 +G
5 )/2、(G4 −G5 )/2を得て、これに基づいて
それぞれ求められる。
すようなマスク1の直交度誤差αが予め判明しており、
この直交度誤差αを矯正して感光基板8上に正しく転写
する場合、図3に示すように制御装置(図示せず)は、
調整機構9B及び9Dを使用して、予め転写像P2、P
4をY方向にシフト量Δyだけシフトさせる。このシフ
ト量Δyは、列間距離Dを用いてΔy=D・ tanαで求
められる。更に制御装置は、図7に示すように、マスク
1のパターン2の4つの辺のうち走査開始側及び終了側
の2つの辺がY方向と平行になるように、駆動モータ1
0〜12を使用してマスクステージ5を回転させて、マ
スク1を設置する。
したマスク1と感光基板8のX方向の相対的な位置関係
を保つたまま、X方向に一定速度で走査して露光する。
これと同時に制御装置は、駆動モータ10〜12を使用
し、図8に示すマスク1の移動量に従つて、走査露光中
にマスク1を感光基板8に対して連続的にY方向にシフ
トさせる。
御することによつて、図3中の破線で示すように、転写
像P1及びP2、P2及びP3、P3及びP4、P4及
びP5の中心の間隔は常に等しくなる。これにより転写
像P1〜P5は精度良く接合される。また図7に示すパ
ターン2の直交度誤差αが矯正されて、原画パターン2
を感光基板8上に正しく転写することができる。
8とを面内で相対的に回転し、かつマスク1及び感光基
板8のX方向の位置に応じてマスク1と感光基板8との
相対位置をY方向に変位するマスクステージ5及び駆動
モータ10〜12と、投影光学系6A、6C及び6Eを
介して投影される転写像P1、P3及びP5の位置と投
影光学系6B及び6Dを介して投影される転写像P2及
びP4の位置とをY方向に相対的に変位する調整機構9
A〜9Eとを配したことにより、予め判明しているマス
ク1の原画パターン2の直交度誤差αは矯正されて原画
パターン2を感光基板8上に正しく転写することができ
る。
原画パターン2が有する直交度誤差αを矯正して感光基
板8上に正しく転写する場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、図7に示したマスク1の直交度誤差α
が補正されず原画パターン2がそのまま感光基板8上に
既に露光されており、かつこの原画パターン2に重ね合
わせて、例えば、直交度誤差のない第2のパターンを感
光基板8上に転写する場合にも適用できる。
のアライメントセンサ15A及び15Bを用いて、マス
ク1内のアライメント用のマークMA1及びMA2と感
光基板8内のアライメント用のマークPA1及びPA2
との位置関係を計測する。
との相対的な位置関係に基づいて、制御装置はX方向及
びY方向のシフト量Δx及びΔyと回転誤差とを求め
る。続いてシフト量Δx及びΔyと回転誤差とにより、
制御装置はマスクステージ5を駆動モータ10〜12を
使用して所定の位置に位置決めし、走査して露光する。
原画パターン2が有する直交度誤差αを矯正して感光基
板8上に正しく転写する場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、マスクの原画パターンと感光基板8に
既に露光されているパターンとの間に相対的に図7に示
すような直交度誤差αが存在する場合にも適用できる。
この場合も上述と同様の手順で、既に露光されているパ
ターンに重ね合わせて新しいパターンを感光基板8上に
転写することができる。
上に形成された原画パターン2がX方向に向かうに従つ
て角度α分だけY方向にずれる直交度誤差αを有する場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、図4に示
すように、既に露光されている感光基板8のパターンの
Y方向に沿つた辺が、角度β分だけX方向にずれる直交
度誤差βが存在し、このパターンに重ね合わせて新しい
パターンを感光基板8上に転写する場合にも適用でき
る。
5A及び15Bを用いて、3組以上のアライメント用マ
ークMA1、PA1、MA2、PA2、MA3、PA3
を計測することによつて直交度誤差βを得る。
Eを介して感光基板8上に結像する転写像P1〜P5の
相互の位置を、調整機構9A〜9Eを用いて設定する。
すなわち図5の破線で示すように、制御装置は、通常の
転写像P1〜P5の中心のY方向の位置を、第1及び第
2転写像列の中心のY方向の位置をそれぞれ0として、
それぞれ+2Ly、+Ly、0、−Ly、−2Lyに設
定している。
示すように、調整後の転写像P1〜P5の中心のY方向
の位置を、それぞれ+2Ly・ cosβ、+Ly・ cos
β、0、−Ly・ cosβ、−2Ly・ cosβに設定す
る。また制御装置は、転写像P1〜P5の中心のX方向
の位置を、第1及び第2転写像列の中心のX方向の位置
をそれぞれ0として、+2Ly・ sinβ、+Ly・ sin
β、0、−Ly・ sinβ、−2Ly・sin βに設定す
る。
6A〜6Eの調整機構9A〜9Eを用いて転写像P1〜
P5の位置がβだけ回転するように設定する。制御装置
は、この状態でマスク1をキヤリツジ7の走査方向(X
方向)に対して直交度誤差を与えない位置で保持したま
ま走査して露光する。これにより原画パターン2は直交
度誤差βを与えられて、感光基板8上に転写される。
という倍率誤差が発生する。これが問題となるときは、
調整機構9A〜9Eを用いてこの誤差を相殺すると共
に、各転写像P1〜P5の中心の間隔が等しく像間距離
Lyとなるように設定すれば良い。
8に既に露光されているパターンが図4に示す直交度誤
差βを有し、このパターンに重ね合わせて新しい原画パ
ターンを転写する場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、原画パターンと感光基板8に既に露光されて
いるパターンとの間に相対的に直交度誤差βが存在し、
このパターンに重ね合わせて新しい原画パターンを転写
する場合にも適用できる。
組み込んだ検出系(アライメントセンサ)を用いて計測
することによつて、マスク1の原画パターンの直交度誤
差αを全て自動的に補正できる。また感光基板8上に形
成されたパターン14上に投影された転写像P1〜P5
の位置を計測して補正量を求めるか、予め補正量を装置
に対して与えておくことにより、感光基板8の直交度誤
差αやβも補正することができる。さらに複数の感光基
板8のそれぞれに固有の直交度誤差αやβを補正するこ
ともできる。これにより複数の装置間での重ね合わせ精
度も向上させることができる。
画パターンを用いて露光した感光基板8上の転写像P1
〜P5の配置を測定し、得られた直交度誤差を装置固有
の誤差として管理し、走査露光動作の際に上述の方法で
補正することによつて、調整作業時間の短縮や上述の複
数の装置間での重ね合わせ精度を向上させることができ
る。
2、PA1及びPA2等を少なくとも3組以上配置し、
この計測結果を用いて最小2乗法等で演算することによ
り、直交度、スケーリング(倍率)の誤差成分について
も得て補正することができる。
光基板8を処理する場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、複数枚の感光基板8を連続して同一に処理
する場合には、上述の手順で感光基板8毎に原画パター
ン2の直交度誤差αやパターン14の直交度誤差βを算
出することに代えて、最初の数枚の感光基板8を用いて
計測した結果に基づいて、直交度誤差αやβを求めて以
降の感光基板8を処理しても良い。これにより、作業時
間の短縮を図ることができる。
露光装置では、マスクや感光基板上のパターンに、走査
方向に向かうに従つて走査方向に直交する方向に所定の
角度でずれる直交度誤差が存在するとき、これに応じて
補正したマスクのパターンを感光基板上に露光すること
ができる。
スク上のパターンに、走査方向に向かうに従つて走査方
向に直交する方向に所定の角度でずれる直交度誤差が存
在するとき、これを補正したマスクのパターンを感光基
板上に正しく露光することができる。
光基板に予め露光されたパターンに、走査方向に向かう
に従つて走査方向に直交する方向に所定の角度でずれる
直交度誤差が存在するとき、これに応じて補正したマス
クのパターンを感光基板上のパターンに重ね合わせて露
光することができる。
スク上のパターンと感光基板に予め露光されたパターン
との間に、走査方向に向かうに従つて走査方向に直交す
る方向に所定の角度でずれる直交度誤差が相対的に存在
するとき、これに応じて補正したマスクのパターンを感
光基板上のパターンに重ね合わせて露光することができ
る。
スクや感光基板上のパターンに、走査方向に所定の角度
でずれる直交度誤差が存在するとき、これに応じて補正
したマスクのパターンを感光基板上に露光することがで
きる。
光基板上に予め露光されたパターンに、走査方向に所定
の角度でずれる直交度誤差が存在するとき、これに応じ
て補正したマスクのパターンを感光基板上のパターンに
重ね合わせて露光することができる。
スク上のパターンと感光基板上に予め露光されたパター
ンとの間に、走査方向に所定の角度でずれる直交度誤差
が相対的に存在するとき、これに応じて補正したマスク
のパターンを感光基板上のパターンに重ね合わせて露光
することができる。
感光基板上のパターンに、走査方向に向かうに従つて走
査方向に直交する方向に所定の角度でずれる直交度誤差
が存在するとき、これに応じて補正したマスクのパター
ンを感光基板上に露光することができる。
のパターンに、走査方向に向かうに従つて走査方向に直
交する方向に所定の角度でずれる直交度誤差が存在する
とき、これを補正したマスクのパターンを感光基板上に
正しく露光することができる。
板に予め露光されたパターンに、走査方向に向かうに従
つて走査方向に直交する方向に所定の角度でずれる直交
度誤差が存在するとき、これに応じて補正したマスクの
パターンを感光基板上のパターンに重ね合わせて露光す
ることができる。
上のパターンと感光基板に予め露光されたパターンとの
間に、走査方向に向かうに従つて走査方向に直交する方
向に所定の角度でずれる直交度誤差が相対的に存在する
とき、これに応じて補正したマスクのパターンを感光基
板上のパターンに重ね合わせて露光することができる。
や感光基板上のパターンに、走査方向に所定の角度でず
れる直交度誤差が存在するとき、これに応じて補正した
マスクのパターンを感光基板上に露光することができ
る。
板上に予め露光されたパターンに、走査方向に所定の角
度でずれる直交度誤差が存在するとき、これに応じて補
正したマスクのパターンを感光基板上のパターンに重ね
合わせて露光することができる。
パターンと感光基板上に予め露光されたパターンとの間
に、走査方向に所定の角度でずれる直交度誤差が相対的
に存在するとき、これに応じて補正したマスクのパター
ンを感光基板上のパターンに重ね合わせて露光すること
ができる。
実施例による走査型露光装置の構成を示す斜視図であ
る。
置を示す斜視図である。
る。
形成されたパターンを示す略線図である。
ある。
を示す略線図である。
である。
光装置、4A〜4E……照明光学系、5……マスクステ
ージ、6A〜6E……投影光学系、7……キヤリツジ、
8……感光基板、9A〜9E……調整機構、10〜12
……駆動モータ、13……基板ステージ、15A、15
B……アライメントセンサ、P1〜P5……転写像、M
1〜M5……領域。
Claims (14)
- 【請求項1】パターンが形成されたマスク上の複数の領
域をそれぞれ照明する複数の照明光学系と、第1の方向
に沿つて一列に光軸を配置した複数の投影光学系を有す
る第1光学系と、前記第1光学系と平行に、且つ所定間
隔をおいて一列に光軸を配置した複数の投影光学系を有
する第2光学系とを有し、前記複数の領域の像の一部を
前記第1光学系を介して、また前記複数の領域の像の他
の一部を前記第2光学系を介して同時に感光基板上に投
影すると共に、前記第1の方向とほぼ直交し、且つ前記
感光基板の面内の方向に前記マスクと前記感光基板とを
同期して走査する走査型露光装置において、 前記マスクと前記感光基板とを、前記マスク若しくは前
記感光基板の面内で相対的に回転する回転手段と、 前記マスク若しくは前記感光基板の前記走査方向の位置
に応じて前記マスクと前記感光基板との相対位置を前記
第1の方向に変位する位置変位手段と、 前記第1光学系を介して投影される像の位置と前記第2
光学系を介して投影される像の位置とを前記第1の方向
に相対的に変位する結像位置変更手段とを具えることを
特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項2】前記結像位置変更手段は、前記マスク上に
形成された前記パターンの配列に関する第1の座標系
の、前記走査の方向と該走査の方向に直交する方向とで
決定される第2の座標系に対する角度の偏差に基づいて
前記相対的に変位することを特徴とする請求項1に記載
の走査型露光装置。 - 【請求項3】前記感光基板は、予め前記マスクのパター
ンの第1の像を形成してあり、 前記結像位置変更手段は、前記第1の像に重ね合わせて
前記マスクのパターンの第2の像を露光する場合、前記
第1の像の配列に関する第1の座標系の、前記走査の方
向と該走査の方向に直交する方向とで決定される第2の
座標系に対する角度の偏差に基づいて前記相対的に変位
することを特徴とする請求項1に記載の走査型露光装
置。 - 【請求項4】前記感光基板は、予め前記マスクのパター
ンの第1の像を形成してあり、 前記結像位置変更手段は、前記第1の像に重ね合わせて
前記マスクのパターンの第2の像を露光する場合、前記
マスクのパターンの配列に関する第1の座標系の、前記
第1の像の配列に関する第2の座標系に対する角度の偏
差に基づいて前記相対的に変位することを特徴とする請
求項1に記載の走査型露光装置。 - 【請求項5】パターンが形成されたマスク上の複数の領
域をそれぞれ照明する複数の照明光学系と、第1の方向
に沿つて一列に光軸を配置した複数の投影光学系を有す
る第1光学系と、前記第1光学系と平行に、且つ所定間
隔をおいて一列に光軸を配置した複数の投影光学系を有
する第2光学系とを有し、前記複数の領域の像の一部を
前記第1光学系を介して、また前記複数の領域の像の他
の一部を前記第2光学系を介して感光基板上に投影する
と共に、前記第1の方向とほぼ直交し、且つ前記感光基
板の面内の方向に前記マスクと前記感光基板とを同期し
て走査する走査型露光装置において、 前記第1光学系及び前記第2光学系を介して投影される
像の配列方向を、前記第1の方向に対して所定角度だけ
変更し、前記第1光学系を介して投影される像それぞれ
の間隔及び第2光学系を介して投影される像それぞれの
間隔を変更すると共に、前記それぞれの像の前記光軸に
関する回転方向の位置を変更する結像位置変更手段を具
えることを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項6】前記感光基板は、予め前記マスクのパター
ンの第1の像を形成してあり、 前記結像位置変更手段は、前記第1の像に重ね合わせて
前記マスクのパターンの第2の像を露光する場合、前記
第1の像の配列に関する第1の座標系の、前記走査の方
向と該走査の方向に直交する方向とで決定される第2の
座標系に対する角度の偏差に基づいて前記配列方向の変
更、前記像の間隔の変更、及び前記回転方向の位置の変
更を行うことを特徴とする請求項5に記載の走査型露光
装置。 - 【請求項7】前記感光基板は、予め前記マスクのパター
ンの第1の像を形成してあり、 前記結像位置変更手段は、前記第1の像に重ね合わせて
前記マスクのパターンの第2の像を露光する場合、前記
マスクのパターンの配列に関する第1の座標系の、前記
第1の像の配列に関する第2の座標系に対する角度の偏
差に基づいて前記配列方向の変更、前記像の間隔の変
更、及び前記回転方向の位置の変更を行うことを特徴と
する請求項5に記載の走査型露光装置。 - 【請求項8】パターンが形成されたマスク上の複数の領
域をそれぞれ照明する複数の照明光学系と、第1の方向
に沿つて一列に光軸を配置した複数の投影光学系を有す
る第1光学系と、前記第1光学系と平行に、且つ所定間
隔をおいて一列に光軸を配置した複数の投影光学系を有
する第2光学系とを有し、前記複数の領域の像の一部を
前記第1光学系を介して、また前記複数の領域の像の他
の一部を前記第2光学系を介して感光基板上に投影する
と共に、前記第1の方向とほぼ直交し、且つ前記感光基
板の面内の方向に前記マスクと前記感光基板とを同期し
て走査する露光方法において、 前記マスクと前記感光基板とを、前記マスク若しくは前
記感光基板の面内で相対的に回転する回転処理と、 前記マスク若しくは前記感光基板の前記走査方向の位置
に応じて前記マスクと前記感光基板との相対位置を前記
第1の方向に変位する位置変位処理と、 前記第1光学系を介して投影される像の位置と前記第2
光学系を介して投影される像の位置とを前記第1の方向
に相対的に変位する結像位置変更処理とを具えることを
特徴とする露光方法。 - 【請求項9】前記結像位置変更処理は、前記マスク上に
形成された前記パターンの配列に関する第1の座標系
の、前記走査の方向と該走査の方向に直交する方向とで
決定される第2の座標系に対する角度の偏差に基づいて
前記相対的に変位することを特徴とする請求項8に記載
の露光方法。 - 【請求項10】前記感光基板は、予め前記マスクのパタ
ーンの第1の像を形成してあり、 前記結像位置変更処理は、前記第1の像に重ね合わせて
前記マスクのパターンの第2の像を露光する場合、前記
第1の像の配列に関する第1の座標系の、前記走査の方
向と該走査の方向に直交する方向とで決定される第2の
座標系に対する角度の偏差に基づいて前記相対的に変位
することを特徴とする請求項8に記載の露光方法。 - 【請求項11】前記感光基板は、予め前記マスクのパタ
ーンの第1の像を形成してあり、 前記結像位置変更処理は、前記第1の像に重ね合わせて
前記マスクのパターンの第2の像を露光する場合、前記
マスクのパターンの配列に関する第1の座標系の、前記
第1の像の配列に関する第2の座標系に対する角度の偏
差に基づいて前記相対的に変位することを特徴とする請
求項8に記載の露光方法。 - 【請求項12】パターンが形成されたマスク上の複数の
領域をそれぞれ照明する複数の照明光学系と、第1の方
向に沿つて一列に光軸を配置した複数の投影光学系を有
する第1光学系と、前記第1光学系と平行に、且つ所定
間隔をおいて一列に光軸を配置した複数の投影光学系を
有する第2光学系とを有し、前記複数の領域の像の一部
を前記第1光学系を介して、また前記複数の領域の像の
他の一部を前記第2光学系を介して感光基板上に投影す
ると共に、前記第1の方向とほぼ直交し、且つ前記感光
基板の面内の方向に前記マスクと前記感光基板とを同期
して走査する露光方法において、 前記第1光学系及び前記第2光学系を介して投影される
像の配列方向を、前記第1の方向に対して所定角度だけ
変更し、前記第1光学系を介して投影される像それぞれ
の間隔及び第2光学系を介して投影される像それぞれの
間隔を変更すると共に、前記それぞれの像の前記光軸に
関する回転方向の位置を変更する結像位置変更処理を具
えることを特徴とする露光方法。 - 【請求項13】前記感光基板は、予め前記マスクのパタ
ーンの第1の像を形成してあり、 前記結像位置変更処理は、前記第1の像に重ね合わせて
前記マスクのパターンの第2の像を露光する場合、前記
第1の像の配列に関する第1の座標系の、前記走査の方
向と該走査の方向に直交する方向とで決定される第2の
座標系に対する角度の偏差に基づいて前記配列方向の変
更、前記像の間隔の変更、及び前記回転方向の位置の変
更を行うことを特徴とする請求項12に記載の露光方
法。 - 【請求項14】前記感光基板は、予め前記マスクのパタ
ーンの第1の像を形成してあり、 前期結像位置変更処理は、前記第1の像に重ね合わせて
前記マスクのパターンの第2の像を露光する場合、前記
マスクのパターンの配列に関する第1の座標系の、前記
第1の像の配列に関する第2の座標系に対する角度の偏
差に基づいて前記配列方向の変更、前記像の間隔の変
更、及び前記回転方向の位置の変更を行うことを特徴と
する請求項12に記載の露光方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15812694A JP3564735B2 (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 走査型露光装置及び露光方法 |
| US08/490,212 US5602620A (en) | 1994-06-16 | 1995-06-14 | Scanning exposure apparatus and exposure method |
| KR1019950015750A KR100330069B1 (ko) | 1994-06-16 | 1995-06-14 | 주사형노광장치및그의노광방법 |
| US09/247,857 USRE37762E1 (en) | 1994-04-12 | 1999-02-11 | Scanning exposure apparatus and exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15812694A JP3564735B2 (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 走査型露光装置及び露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088172A true JPH088172A (ja) | 1996-01-12 |
| JP3564735B2 JP3564735B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=15664863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15812694A Expired - Lifetime JP3564735B2 (ja) | 1994-04-12 | 1994-06-16 | 走査型露光装置及び露光方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5602620A (ja) |
| JP (1) | JP3564735B2 (ja) |
| KR (1) | KR100330069B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018522287A (ja) * | 2015-05-24 | 2018-08-09 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント(グループ)カンパニー リミティド | 露光装置 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729331A (en) | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
| JPH08130181A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-21 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JP3450509B2 (ja) * | 1995-04-13 | 2003-09-29 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及び該装置を用いて素子を製造する方法 |
| KR0174486B1 (ko) * | 1995-09-28 | 1999-02-01 | 이해규 | 노광 장비에서 시시디 카메라를 이용한 정렬 장치 |
| JPH09106941A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び露光方法 |
| US6172757B1 (en) * | 1996-09-25 | 2001-01-09 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Lever sensor for stepper field-by-field focus and leveling system |
| DE19757074A1 (de) | 1997-12-20 | 1999-06-24 | Zeiss Carl Fa | Projektionsbelichtungsanlage und Belichtungsverfahren |
| TW396395B (en) * | 1998-01-07 | 2000-07-01 | Nikon Corp | Exposure method and scanning-type aligner |
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| JP2001215718A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
| JP2001154371A (ja) | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Nikon Corp | 回路デバイスや表示デバイスの製造方法、及び大型ディスプレー装置 |
| EP1107064A3 (en) * | 1999-12-06 | 2004-12-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Exposure apparatus |
| US6327023B1 (en) | 1999-12-23 | 2001-12-04 | International Business Machines Corporation | Optimization of reticle rotation for critical dimension and overlay improvement |
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| US6794100B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-09-21 | Micron Technology, Inc. | Method for controlling radiation beam intensity directed to microlithographic substrates |
| US6784975B2 (en) * | 2001-08-30 | 2004-08-31 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for irradiating a microlithographic substrate |
| US6577379B1 (en) | 2001-11-05 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate |
| JP2004012902A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 描画装置及びこの描画装置を用いた描画方法 |
| US6894765B2 (en) * | 2003-10-14 | 2005-05-17 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling radiation beam characteristics for microlithographic processing |
| WO2006080285A1 (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-03 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法 |
| KR100869004B1 (ko) * | 2005-05-16 | 2008-11-17 | 엘지전자 주식회사 | 진공청소기 |
| US7446855B2 (en) * | 2005-07-25 | 2008-11-04 | Micron Technology, Inc | Methods and apparatuses for configuring radiation in microlithographic processing of workpieces using an adjustment structure |
| WO2007119466A1 (ja) * | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Nikon Corporation | 露光装置、デバイス製造方法、および露光方法 |
| US7932993B2 (en) * | 2006-09-16 | 2011-04-26 | Wenhui Mei | Divided sub-image array scanning and exposing system |
| US7838178B2 (en) | 2007-08-13 | 2010-11-23 | Micron Technology, Inc. | Masks for microlithography and methods of making and using such masks |
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| KR102397665B1 (ko) | 2019-11-04 | 2022-05-13 | 미라셀 주식회사 | 원심분리기용 댐퍼 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2646412B2 (ja) * | 1992-02-18 | 1997-08-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JPH07142325A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-06-02 | Nikon Corp | 位置合わせ装置 |
-
1994
- 1994-06-16 JP JP15812694A patent/JP3564735B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-06-14 KR KR1019950015750A patent/KR100330069B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-14 US US08/490,212 patent/US5602620A/en not_active Ceased
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| JP2018522287A (ja) * | 2015-05-24 | 2018-08-09 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント(グループ)カンパニー リミティド | 露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100330069B1 (ko) | 2002-11-27 |
| JP3564735B2 (ja) | 2004-09-15 |
| KR960001804A (ko) | 1996-01-25 |
| US5602620A (en) | 1997-02-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040518 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040531 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 9 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |