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JPH0881456A - 1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体の製造法 - Google Patents

1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体の製造法

Info

Publication number
JPH0881456A
JPH0881456A JP22001494A JP22001494A JPH0881456A JP H0881456 A JPH0881456 A JP H0881456A JP 22001494 A JP22001494 A JP 22001494A JP 22001494 A JP22001494 A JP 22001494A JP H0881456 A JPH0881456 A JP H0881456A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
tetrachloro
dihydroisobenzofuran
reaction
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22001494A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichiro Osada
伸一郎 長田
Toranori Yoshiyama
寅仙 吉山
Yoshimi Yamada
好美 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP22001494A priority Critical patent/JPH0881456A/ja
Publication of JPH0881456A publication Critical patent/JPH0881456A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【構成】 下記式〔I〕 〔式中、Rは反応に不活性な基または原子を表わし、n
は1〜4の整数を表わす。但し、nが2以上のとき、R
は同一でも相異なっていてもよい。〕で示されるフタリ
ド誘導体に三塩化リンおよび塩素を作用させる下記式
〔II〕 〔式中、Rおよびnは前記と同じ意味を表わす。〕で示
される1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒド
ロイソベンゾフラン誘導体の製造法。 【効果】 上記の方法により1,1,3,3−テトラク
ロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体を工業
的にも有利に製造することが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、農薬等の製造中間体等
として有用な1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−
ジヒドロイソベンゾフラン誘導体の製造法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、特開平 5-301860 号公報に式 化3
【化3】 で示されるある種のベンズイミダゾール化合物が優れた
殺菌活性を有すること、および、その製造中間体として
5−クロロ−1,1,3,3−テトラフルオロ−6−ニ
トロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフランが有用である
こと等が記載されており、該製造中間体化合物の有利な
製造法が望まれていた。
【0003】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な状況下、該製造中間体化合物等に導くことのできる下
記一般式 化5で示される1,1,3,3−テトラクロ
ロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体の製造法
について種々検討した結果、下記一般式 化4で示され
るフタリド誘導体に三塩化リンおよび塩素を作用させる
ことにより、下記一般式 化5で示される1,1,3,
3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン
誘導体を工業的にも有利に製造することができることを
見出し、本発明を完成させた。即ち、本発明は、一般式
化4
【化4】 〔式中、Rは反応に不活性な基または原子を表わし、n
は1〜4の整数を表わす。但し、nが2以上のとき、R
は同一でも相異なっていてもよい。〕で示されるフタリ
ド誘導体に三塩化リンおよび塩素を作用させることを特
徴とする、一般式 化5
【化5】 〔式中、Rおよびnは前記と同じ意味を表わす。〕で示
される1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒド
ロイソベンゾフラン誘導体の製造法を提供するものであ
る。
【0004】一般式 化4において、Rとしては、例え
ば、水素原子、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、
臭素原子等)、ニトロ基、シアノ基、C1 〜C4 アルキ
ル基(例えば、メチル基、エチル基等)、C1 〜C4
ルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基等)等が
あげられるが、必ずしもこれらに限定されるものではな
い。本発明に用いる原料化合物である一般式 化4で示
されるフタリド誘導体としては、例えばフタリド、4−
クロロフタリド、5−クロロフタリド、4,5−ジクロ
ロフタリド、3,4,5,6−テトラクロロフタリド、
4−フルオロフタリド、4,5−ジブロモフタリド、4
−クロロ−5−ニトロフタリド、3−ニトロフタリド、
4−ニトロフタリド、5−ニトロフタリド、6−ニトロ
フタリド、4−シアノフタリド、4−メチルフタリド、
4,5−ジメトキシフタリド等があげられる。
【0005】本発明において、塩素は、塩素ガスまたは
液化塩素、あるいはこの両者を併用して用い、塩素ガス
は反応液中に直接吹き込む方法、反応液の気相部へ通じ
る方法、反応液の気相部へ加圧する方法、またはこれら
の併用により作用させることができ、液化塩素は反応液
への滴下により作用させることができる。用いられる試
剤の量比は、一般式 化4のフタリド誘導体1モルに対
し、三塩化リンは通常2〜100モルの割合望ましくは
3〜10モルの割合であり、塩素は通常2〜10モルの
割合望ましくは3〜6モルの割合である。反応は、通常
0.2〜24時間かけて、通常0〜200℃の範囲内の温
度で行われ、望ましくは20〜100℃の範囲内の温度
で行われる。
【0006】反応は有機溶媒中で行ってもよく、必要に
応じて用いられる有機溶媒としては、例えばクロロホル
ム、四塩化炭素、1,2−ジクロルエタン、トリクロル
エチレン、テトラクロルエチレン等のハロゲン化炭化水
素溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素溶媒、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン等の
ハロゲン系芳香族炭化水素溶媒、オキシ塩化リン等及び
それらの混合物があげられる。反応終了後の反応液は、
そのまままたは三塩化リンや溶媒等を留去した後、冷水
または氷水へ徐々に加え、有機溶媒で抽出し、必要に応
じて有機層を水洗あるいは炭酸水素ナトリウム水溶液等
による洗浄を行い、濃縮等の通常の方法により生成物を
得る方法、あるいは水に加えた際に析出した結晶を濾過
等の操作により、目的とする一般式 化5で示される
1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソ
ベンゾフラン誘導体を単離することができる。必要であ
れば、蒸留、再結晶あるいはクロマトグラフィー等の操
作によりさらに精製することもできる。
【0007】本発明に用いる原料化合物である一般式
化4で示されるフタリド誘導体は、例えば下記反応式
化6
【化6】 〔式中、Rおよびnは前記と同じ意味を表わす。〕で示
される方法により得ることが出来る。
【0008】
【実施例】以下、本発明を実施例等によりさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの例のみに限定されるも
のではない。尚、場合により、得られた生成物の純度を
ガスクロマトグラフィーを用いた面積百分率法または内
部標準法(GC−IS法)により求めた。得られた生成
物の収率は、単離した生成物の重量または/およびガス
クロマトグラフィーを用いた面積百分率法またはGC−
IS法により求めた。GC−IS法では、単離した純粋
な目的物と内部標準物質との検出強度の比を求め、次に
反応終了後、処理して得られた生成物に一定量の内部標
準物質を加え、ガスクロマトグラフィーの検出強度比に
より純度を算出した。使用したガスクロマトグラフィー
カラムはメガボアーのキャピラリーカラムDB−17
(J&Wサイエンティフィック株式会社製)0.53mm×3
0mを用い、キャリアーはヘリウム5ml/min である。
【0009】実施例1 フタリド5gを三塩化リン100gに加え、常温で30
分間攪拌後、60℃まで昇温させた。この液中に塩素ガ
ス 7.9gを約30分かけて吹き込んだ。この際、反応熱
により反応液の温度は70℃前後まで上昇した。塩素ガ
ス吹き込み終了後は、反応液の温度を80〜83℃に保
ちながら2時間攪拌を続けた。次に反応液中の三塩化リ
ン70gを蒸留により留去し、蒸留釜残を、冷却後、氷
水100gに徐々に注加した。これをクロロホルム50
gで2回抽出し、クロロホルム層を合わせて、1%炭酸
水素ナトリウム水溶液100gおよび水100gで順次
洗浄した。クロロホルム層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、溶媒を減圧下に留去し、淡黄色油状の1,1,
3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフ
ラン8.66g〔収率70%(後記純度より補正済みの
値)〕を得た。ガスクロマトグラフィーの分析結果より
純度は78%であった。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :7.3 〜7.9(4H,m) mass(FD):m/e、親ピーク 221〔−Cl+
【0010】実施例2 4,5−ジクロロフタリド14gを1,2−ジクロロエ
タン150g中に加え、これに三塩化リン28.4gを加え
た後、50℃まで昇温させた。この液中に塩素ガス15.2
gを約1時間かけて吹き込んだ。反応熱により反応液の
温度は70℃前後まで上昇した。塩素ガス吹き込み終了
後は、反応液の温度を75〜80℃に保ちながらさらに
1時間攪拌した。反応液を冷却後、氷水200gに徐々
に注加し、分液した。この油層と、水層を1,2−ジク
ロロエタン100gで抽出した。油層を合わせて、1%
炭酸水素ナトリウム水溶液150gおよび水150gで
順次洗浄した。油層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、
1,2−ジクロロエタンを減圧下に留去し、白色結晶の
1,1,3,3,5,6−ヘキサクロロ−1,3−ジヒ
ドロイソベンゾフラン 20.78g〔収率85%(後記純度
より補正済みの値)〕を得た。ガスクロマトグラフィー
の分析結果より純度は92%であった。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :7.8(2H,s) mass(FD):m/e、親ピーク 324
【0011】実施例3 5−クロロ−4−ニトロフタリド25gをオキシ塩化リ
ン250gに加え、これに三塩化リン80.3gを加えた
後、70℃まで昇温させた。この液中に塩素ガス41.5g
を約1時間かけて吹き込んだ。反応熱により反応液の温
度は90℃前後まで上昇した。塩素ガス吹き込み終了後
は、反応液の温度を95〜100℃に保ちながらさらに
2時間攪拌した。次に反応液中のオキシ塩化リン約20
0gを蒸留により留去し、蒸留釜残を冷却後、クロロホ
ルム200gで希釈し、これを氷水200gに徐々に注
加した。分液したクロロホルム層と、水層をクロロホル
ム100gで抽出したクロロホルム層を合わせて、1%
炭酸水素ナトリウム水溶液200gおよび水200gで
順次洗浄し、クロロホルム層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。クロロホルム層を減圧下に留去し、橙白色結
晶の5−クロロ−1,1,3,3−テトラクロロ−6−
ニトロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン32.9g〔収
率73%(後記純度より補正済みの値)〕を得た。ガス
クロマトグラフィーの分析結果より純度は88%であっ
た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.1(1H,s) 、7.9(1
H,s) mass(FD):m/e、親ピーク 335
【0012】次に、本発明において原料化合物として用
いられる一般式 化4で示されるフタリド誘導体の製造
例を示す。 参考例1 4,5−ジクロロフタル酸90g、無水酢酸58gおよ
びトルエン810gを約2時間加熱還流後、減圧下で濃
縮することにより、4,5−ジクロロフタル酸無水物8
2.8g(収率99%)を白色固体として得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.11(2H,s) 4,5−ジクロロフタル酸無水物82.8gおよびN,N−
ジメチルホルムアミド414gを仕込み、そこへ水素化
ホウ素ナトリウム28.8gをN,N−ジメチルホルムアミ
ド331gに溶解した溶液を内温25〜50℃の範囲内
でゆっくり滴下した。その後、65℃で約2時間攪拌し
た。その後、室温まで冷却し、10%塩酸水を331g
滴下した後、100℃で1時間攪拌した。冷却後、析出
した固体を濾別乾燥して、4,5−ジクロロフタリド6
2.8g(収率81%)を得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :5.29(2H,s)、7.63
(1H,s)、8.00(1H,s)
【0013】参考例2 4−クロロフタル酸無水物20gをN,N−ジメチルホ
ルムアミド80gに溶解し、これに常温で水素化ホウ素
ナトリウム 8.3gのN,N−ジメチルホルムアミド80
gの溶液を滴下した。その後、反応液を65℃で1時間
攪拌し、次に20℃まで冷却後、10%塩酸125gを
注加した。この混合液を100℃に昇温し、加熱還流
下、1時間攪拌を続けた後、冷却によって析出した結晶
を濾過、水洗し、さらに減圧下乾燥させて白色結晶の5
−クロロフタリド 8.3g(収率45%)を得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.1 〜7.4(3H,m)
、5.3(2H,s) 次に、濃硫酸64mlに5−クロロフタリド 7.0gを添加
し、0℃に冷却した状態で攪拌下、濃硝酸7mlを30分
かけて滴下した。その後、反応液を25℃まで昇温し、
1時間攪拌を続けた後、氷水500mlに注加した。これ
を酢酸エチル150mlで2回抽出し、油層を合わせて、
飽和食塩水100mlで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥させた。酢酸エチルを減圧下に留去し、淡黄色結晶
の5−クロロ−4−ニトロフタリド63.4g(収率65
%)を得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.4(1H,s) 、7.8(1
H,dd)、5.4(2H,s)
【0014】次に、本発明の方法で製造される一般式
化5で示される1,1,3,3−テトラクロロ−1,3
−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体から5−クロロ−
1,1,3,3−テトラフルオロ−6−ニトロ−1,3
−ジヒドロイソベンゾフランへの変換例を示す。 参考例3 5−クロロ−1,1,3,3−テトラクロロ−6−ニト
ロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン10gを1,4
−ジオキサン100gに加え、これによく乾燥させた三
フッ化アンチモン(SbF3 )18.6gを添加した後、加
温し、1,4−ジオキサンを留去させながら150℃ま
で昇温させた。その後、50℃まで冷却し、クロロホル
ム200gで希釈した反応液をセライトを助剤として濾
過した。濾残をさらにクロロホルム100gで洗浄し、
濾液及び洗液を水200gで洗浄した。分液後の有機層
をさらに 0.5%水酸化カルシウム水溶液で洗浄後有機層
を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機溶媒を減圧下
に留去し、茶褐色結晶の5−クロロ−1,1,3,3−
テトラフルオロ−6−ニトロ−1,3−ジヒドロイソベ
ンゾフラン 6.9g(収率86%)を得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.4(1H,s) 、8.1(1
H,s) mass(FD):m/e、親ピーク 271
【0015】参考例4 1,1,3,3,5,6−ヘキサクロロ−1,3−ジヒ
ドロイソベンゾフラン56.3gおよび1,4−ジオキサン
563gを仕込み、これに三フッ化アンチモン(SbF
3 )110gを添加し、150℃まで昇温し、1,4−
ジオキサンを除いた。150℃で約30分攪拌後、冷却
したクロロホルム200gで希釈して、セライト濾過し
た。得られた濾液を減圧下に濃縮後、そのまま減圧下で
得られた生成物を昇華させて、1,1,3,3−テトラ
フルオロ−5,6−ジクロロ−1,3−ジヒドロイソベ
ンゾフラン31g(収率71%)を白色固体として得
た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :7.79(2H,s) 50ml三ツ口フラスコに、1,1,3,3−テトラフル
オロ−5,6−ジクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾ
フラン 2.0g、亜硝酸カリウム2.62g、塩化第一銅(C
uCl)0.16gおよびN,N−ジメチルホルムアミド2
0gを仕込み、窒素気流下125℃で約6時間激しく攪
拌した。その後、反応液をトルエン20gおよび10%
NaOH水溶液30gに注加し、分液した。水層をトル
エン20gで2回洗浄後、水層を塩酸でpH2〜4に
し、トルエン40gで抽出した。抽出液を濃縮し、目的
とする1,1,3,3−テトラフルオロ−5−ヒドロキ
シ−6−ニトロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン
1.5g(収率77%)を得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :1.61(1H,brs)、7.4
9(1H,s)、8.49(1H,s) mass(FD):m/e、親ピーク 253 1,1,3,3−テトラフルオロ−5−ヒドロキシ−6
−ニトロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン3.72
gを塩化チオニル22.5gに加え、これにN,N−ジ
メチルホルムアミド2.89gを攪拌下、30℃以下に
冷却しながら加えた。その後、85〜87℃で3時間攪
拌し、次に、過剰の塩化チオニルを蒸留留去した後、冷
却した。これにトルエン100gおよび水100gを加
え、抽出、分液し、トルエン層を7%炭酸水素ナトリウ
ム水溶液100gおよび水100gで順次洗浄した。ト
ルエン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、トルエンを
減圧下留去し、茶褐色結晶の5−クロロ−1,1,3,
3−テトラフルオロ−6−ニトロ−1,3−ジヒドロイ
ソベンゾフラン4.03g〔収率91%(後記純度より
補正済みの値)〕を得た。ガスクロマトグラフィーの分
析結果より純度は90%であった。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.1(1H,s) 、7.9(1
H,s) mass(FD):m/e、親ピーク 271
【0016】
【発明の効果】本発明により、一般式 化5で示される
1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソ
ベンゾフラン誘導体を工業的にも有利に製造することが
出来る。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 化1 【化1】 〔式中、Rは反応に不活性な基または原子を表わし、n
    は1〜4の整数を表わす。但し、nが2以上のとき、R
    は同一でも相異なっていてもよい。〕で示されるフタリ
    ド誘導体に三塩化リンおよび塩素を作用させることを特
    徴とする、一般式 化2 【化2】 〔式中、Rおよびnは前記と同じ意味を表わす。〕で示
    される1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒド
    ロイソベンゾフラン誘導体の製造法。
  2. 【請求項2】式 化1のRn が4,5−ジクロロ基また
    は5−クロロ−4−ニトロ基である(式 化2のRn
    5,6−ジクロロ基または5−クロロ−6−ニトロ基で
    ある)請求項1記載の製造法。
JP22001494A 1994-09-14 1994-09-14 1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体の製造法 Pending JPH0881456A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003034688A (ja) * 2001-07-19 2003-02-07 Kanto Denka Kogyo Co Ltd 新規な1,1,3,3−テトラハロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン化合物及びそれらの製造方法
JP2003519218A (ja) * 1999-12-30 2003-06-17 ハー・ルンドベック・アクチエゼルスカベット シタロプラムの製造方法
CN108947945A (zh) * 2018-08-28 2018-12-07 曲阜师范大学 一种1,3-二氢异苯并呋喃衍生物及其合成方法和应用

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