JPH0881456A - 1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体の製造法 - Google Patents
1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体の製造法Info
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- JPH0881456A JPH0881456A JP22001494A JP22001494A JPH0881456A JP H0881456 A JPH0881456 A JP H0881456A JP 22001494 A JP22001494 A JP 22001494A JP 22001494 A JP22001494 A JP 22001494A JP H0881456 A JPH0881456 A JP H0881456A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】 下記式〔I〕
〔式中、Rは反応に不活性な基または原子を表わし、n
は1〜4の整数を表わす。但し、nが2以上のとき、R
は同一でも相異なっていてもよい。〕で示されるフタリ
ド誘導体に三塩化リンおよび塩素を作用させる下記式
〔II〕 〔式中、Rおよびnは前記と同じ意味を表わす。〕で示
される1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒド
ロイソベンゾフラン誘導体の製造法。 【効果】 上記の方法により1,1,3,3−テトラク
ロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体を工業
的にも有利に製造することが出来る。
は1〜4の整数を表わす。但し、nが2以上のとき、R
は同一でも相異なっていてもよい。〕で示されるフタリ
ド誘導体に三塩化リンおよび塩素を作用させる下記式
〔II〕 〔式中、Rおよびnは前記と同じ意味を表わす。〕で示
される1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒド
ロイソベンゾフラン誘導体の製造法。 【効果】 上記の方法により1,1,3,3−テトラク
ロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体を工業
的にも有利に製造することが出来る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、農薬等の製造中間体等
として有用な1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−
ジヒドロイソベンゾフラン誘導体の製造法に関するもの
である。
として有用な1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−
ジヒドロイソベンゾフラン誘導体の製造法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、特開平 5-301860 号公報に式 化3
来、特開平 5-301860 号公報に式 化3
【化3】 で示されるある種のベンズイミダゾール化合物が優れた
殺菌活性を有すること、および、その製造中間体として
5−クロロ−1,1,3,3−テトラフルオロ−6−ニ
トロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフランが有用である
こと等が記載されており、該製造中間体化合物の有利な
製造法が望まれていた。
殺菌活性を有すること、および、その製造中間体として
5−クロロ−1,1,3,3−テトラフルオロ−6−ニ
トロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフランが有用である
こと等が記載されており、該製造中間体化合物の有利な
製造法が望まれていた。
【0003】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な状況下、該製造中間体化合物等に導くことのできる下
記一般式 化5で示される1,1,3,3−テトラクロ
ロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体の製造法
について種々検討した結果、下記一般式 化4で示され
るフタリド誘導体に三塩化リンおよび塩素を作用させる
ことにより、下記一般式 化5で示される1,1,3,
3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン
誘導体を工業的にも有利に製造することができることを
見出し、本発明を完成させた。即ち、本発明は、一般式
化4
な状況下、該製造中間体化合物等に導くことのできる下
記一般式 化5で示される1,1,3,3−テトラクロ
ロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体の製造法
について種々検討した結果、下記一般式 化4で示され
るフタリド誘導体に三塩化リンおよび塩素を作用させる
ことにより、下記一般式 化5で示される1,1,3,
3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン
誘導体を工業的にも有利に製造することができることを
見出し、本発明を完成させた。即ち、本発明は、一般式
化4
【化4】 〔式中、Rは反応に不活性な基または原子を表わし、n
は1〜4の整数を表わす。但し、nが2以上のとき、R
は同一でも相異なっていてもよい。〕で示されるフタリ
ド誘導体に三塩化リンおよび塩素を作用させることを特
徴とする、一般式 化5
は1〜4の整数を表わす。但し、nが2以上のとき、R
は同一でも相異なっていてもよい。〕で示されるフタリ
ド誘導体に三塩化リンおよび塩素を作用させることを特
徴とする、一般式 化5
【化5】 〔式中、Rおよびnは前記と同じ意味を表わす。〕で示
される1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒド
ロイソベンゾフラン誘導体の製造法を提供するものであ
る。
される1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒド
ロイソベンゾフラン誘導体の製造法を提供するものであ
る。
【0004】一般式 化4において、Rとしては、例え
ば、水素原子、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、
臭素原子等)、ニトロ基、シアノ基、C1 〜C4 アルキ
ル基(例えば、メチル基、エチル基等)、C1 〜C4 ア
ルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基等)等が
あげられるが、必ずしもこれらに限定されるものではな
い。本発明に用いる原料化合物である一般式 化4で示
されるフタリド誘導体としては、例えばフタリド、4−
クロロフタリド、5−クロロフタリド、4,5−ジクロ
ロフタリド、3,4,5,6−テトラクロロフタリド、
4−フルオロフタリド、4,5−ジブロモフタリド、4
−クロロ−5−ニトロフタリド、3−ニトロフタリド、
4−ニトロフタリド、5−ニトロフタリド、6−ニトロ
フタリド、4−シアノフタリド、4−メチルフタリド、
4,5−ジメトキシフタリド等があげられる。
ば、水素原子、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、
臭素原子等)、ニトロ基、シアノ基、C1 〜C4 アルキ
ル基(例えば、メチル基、エチル基等)、C1 〜C4 ア
ルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基等)等が
あげられるが、必ずしもこれらに限定されるものではな
い。本発明に用いる原料化合物である一般式 化4で示
されるフタリド誘導体としては、例えばフタリド、4−
クロロフタリド、5−クロロフタリド、4,5−ジクロ
ロフタリド、3,4,5,6−テトラクロロフタリド、
4−フルオロフタリド、4,5−ジブロモフタリド、4
−クロロ−5−ニトロフタリド、3−ニトロフタリド、
4−ニトロフタリド、5−ニトロフタリド、6−ニトロ
フタリド、4−シアノフタリド、4−メチルフタリド、
4,5−ジメトキシフタリド等があげられる。
【0005】本発明において、塩素は、塩素ガスまたは
液化塩素、あるいはこの両者を併用して用い、塩素ガス
は反応液中に直接吹き込む方法、反応液の気相部へ通じ
る方法、反応液の気相部へ加圧する方法、またはこれら
の併用により作用させることができ、液化塩素は反応液
への滴下により作用させることができる。用いられる試
剤の量比は、一般式 化4のフタリド誘導体1モルに対
し、三塩化リンは通常2〜100モルの割合望ましくは
3〜10モルの割合であり、塩素は通常2〜10モルの
割合望ましくは3〜6モルの割合である。反応は、通常
0.2〜24時間かけて、通常0〜200℃の範囲内の温
度で行われ、望ましくは20〜100℃の範囲内の温度
で行われる。
液化塩素、あるいはこの両者を併用して用い、塩素ガス
は反応液中に直接吹き込む方法、反応液の気相部へ通じ
る方法、反応液の気相部へ加圧する方法、またはこれら
の併用により作用させることができ、液化塩素は反応液
への滴下により作用させることができる。用いられる試
剤の量比は、一般式 化4のフタリド誘導体1モルに対
し、三塩化リンは通常2〜100モルの割合望ましくは
3〜10モルの割合であり、塩素は通常2〜10モルの
割合望ましくは3〜6モルの割合である。反応は、通常
0.2〜24時間かけて、通常0〜200℃の範囲内の温
度で行われ、望ましくは20〜100℃の範囲内の温度
で行われる。
【0006】反応は有機溶媒中で行ってもよく、必要に
応じて用いられる有機溶媒としては、例えばクロロホル
ム、四塩化炭素、1,2−ジクロルエタン、トリクロル
エチレン、テトラクロルエチレン等のハロゲン化炭化水
素溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素溶媒、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン等の
ハロゲン系芳香族炭化水素溶媒、オキシ塩化リン等及び
それらの混合物があげられる。反応終了後の反応液は、
そのまままたは三塩化リンや溶媒等を留去した後、冷水
または氷水へ徐々に加え、有機溶媒で抽出し、必要に応
じて有機層を水洗あるいは炭酸水素ナトリウム水溶液等
による洗浄を行い、濃縮等の通常の方法により生成物を
得る方法、あるいは水に加えた際に析出した結晶を濾過
等の操作により、目的とする一般式 化5で示される
1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソ
ベンゾフラン誘導体を単離することができる。必要であ
れば、蒸留、再結晶あるいはクロマトグラフィー等の操
作によりさらに精製することもできる。
応じて用いられる有機溶媒としては、例えばクロロホル
ム、四塩化炭素、1,2−ジクロルエタン、トリクロル
エチレン、テトラクロルエチレン等のハロゲン化炭化水
素溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素溶媒、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン等の
ハロゲン系芳香族炭化水素溶媒、オキシ塩化リン等及び
それらの混合物があげられる。反応終了後の反応液は、
そのまままたは三塩化リンや溶媒等を留去した後、冷水
または氷水へ徐々に加え、有機溶媒で抽出し、必要に応
じて有機層を水洗あるいは炭酸水素ナトリウム水溶液等
による洗浄を行い、濃縮等の通常の方法により生成物を
得る方法、あるいは水に加えた際に析出した結晶を濾過
等の操作により、目的とする一般式 化5で示される
1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソ
ベンゾフラン誘導体を単離することができる。必要であ
れば、蒸留、再結晶あるいはクロマトグラフィー等の操
作によりさらに精製することもできる。
【0007】本発明に用いる原料化合物である一般式
化4で示されるフタリド誘導体は、例えば下記反応式
化6
化4で示されるフタリド誘導体は、例えば下記反応式
化6
【化6】 〔式中、Rおよびnは前記と同じ意味を表わす。〕で示
される方法により得ることが出来る。
される方法により得ることが出来る。
【0008】
【実施例】以下、本発明を実施例等によりさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの例のみに限定されるも
のではない。尚、場合により、得られた生成物の純度を
ガスクロマトグラフィーを用いた面積百分率法または内
部標準法(GC−IS法)により求めた。得られた生成
物の収率は、単離した生成物の重量または/およびガス
クロマトグラフィーを用いた面積百分率法またはGC−
IS法により求めた。GC−IS法では、単離した純粋
な目的物と内部標準物質との検出強度の比を求め、次に
反応終了後、処理して得られた生成物に一定量の内部標
準物質を加え、ガスクロマトグラフィーの検出強度比に
より純度を算出した。使用したガスクロマトグラフィー
カラムはメガボアーのキャピラリーカラムDB−17
(J&Wサイエンティフィック株式会社製)0.53mm×3
0mを用い、キャリアーはヘリウム5ml/min である。
に説明するが、本発明はこれらの例のみに限定されるも
のではない。尚、場合により、得られた生成物の純度を
ガスクロマトグラフィーを用いた面積百分率法または内
部標準法(GC−IS法)により求めた。得られた生成
物の収率は、単離した生成物の重量または/およびガス
クロマトグラフィーを用いた面積百分率法またはGC−
IS法により求めた。GC−IS法では、単離した純粋
な目的物と内部標準物質との検出強度の比を求め、次に
反応終了後、処理して得られた生成物に一定量の内部標
準物質を加え、ガスクロマトグラフィーの検出強度比に
より純度を算出した。使用したガスクロマトグラフィー
カラムはメガボアーのキャピラリーカラムDB−17
(J&Wサイエンティフィック株式会社製)0.53mm×3
0mを用い、キャリアーはヘリウム5ml/min である。
【0009】実施例1 フタリド5gを三塩化リン100gに加え、常温で30
分間攪拌後、60℃まで昇温させた。この液中に塩素ガ
ス 7.9gを約30分かけて吹き込んだ。この際、反応熱
により反応液の温度は70℃前後まで上昇した。塩素ガ
ス吹き込み終了後は、反応液の温度を80〜83℃に保
ちながら2時間攪拌を続けた。次に反応液中の三塩化リ
ン70gを蒸留により留去し、蒸留釜残を、冷却後、氷
水100gに徐々に注加した。これをクロロホルム50
gで2回抽出し、クロロホルム層を合わせて、1%炭酸
水素ナトリウム水溶液100gおよび水100gで順次
洗浄した。クロロホルム層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、溶媒を減圧下に留去し、淡黄色油状の1,1,
3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフ
ラン8.66g〔収率70%(後記純度より補正済みの
値)〕を得た。ガスクロマトグラフィーの分析結果より
純度は78%であった。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :7.3 〜7.9(4H,m) mass(FD):m/e、親ピーク 221〔−Cl+ 〕
分間攪拌後、60℃まで昇温させた。この液中に塩素ガ
ス 7.9gを約30分かけて吹き込んだ。この際、反応熱
により反応液の温度は70℃前後まで上昇した。塩素ガ
ス吹き込み終了後は、反応液の温度を80〜83℃に保
ちながら2時間攪拌を続けた。次に反応液中の三塩化リ
ン70gを蒸留により留去し、蒸留釜残を、冷却後、氷
水100gに徐々に注加した。これをクロロホルム50
gで2回抽出し、クロロホルム層を合わせて、1%炭酸
水素ナトリウム水溶液100gおよび水100gで順次
洗浄した。クロロホルム層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、溶媒を減圧下に留去し、淡黄色油状の1,1,
3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフ
ラン8.66g〔収率70%(後記純度より補正済みの
値)〕を得た。ガスクロマトグラフィーの分析結果より
純度は78%であった。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :7.3 〜7.9(4H,m) mass(FD):m/e、親ピーク 221〔−Cl+ 〕
【0010】実施例2 4,5−ジクロロフタリド14gを1,2−ジクロロエ
タン150g中に加え、これに三塩化リン28.4gを加え
た後、50℃まで昇温させた。この液中に塩素ガス15.2
gを約1時間かけて吹き込んだ。反応熱により反応液の
温度は70℃前後まで上昇した。塩素ガス吹き込み終了
後は、反応液の温度を75〜80℃に保ちながらさらに
1時間攪拌した。反応液を冷却後、氷水200gに徐々
に注加し、分液した。この油層と、水層を1,2−ジク
ロロエタン100gで抽出した。油層を合わせて、1%
炭酸水素ナトリウム水溶液150gおよび水150gで
順次洗浄した。油層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、
1,2−ジクロロエタンを減圧下に留去し、白色結晶の
1,1,3,3,5,6−ヘキサクロロ−1,3−ジヒ
ドロイソベンゾフラン 20.78g〔収率85%(後記純度
より補正済みの値)〕を得た。ガスクロマトグラフィー
の分析結果より純度は92%であった。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :7.8(2H,s) mass(FD):m/e、親ピーク 324
タン150g中に加え、これに三塩化リン28.4gを加え
た後、50℃まで昇温させた。この液中に塩素ガス15.2
gを約1時間かけて吹き込んだ。反応熱により反応液の
温度は70℃前後まで上昇した。塩素ガス吹き込み終了
後は、反応液の温度を75〜80℃に保ちながらさらに
1時間攪拌した。反応液を冷却後、氷水200gに徐々
に注加し、分液した。この油層と、水層を1,2−ジク
ロロエタン100gで抽出した。油層を合わせて、1%
炭酸水素ナトリウム水溶液150gおよび水150gで
順次洗浄した。油層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、
1,2−ジクロロエタンを減圧下に留去し、白色結晶の
1,1,3,3,5,6−ヘキサクロロ−1,3−ジヒ
ドロイソベンゾフラン 20.78g〔収率85%(後記純度
より補正済みの値)〕を得た。ガスクロマトグラフィー
の分析結果より純度は92%であった。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :7.8(2H,s) mass(FD):m/e、親ピーク 324
【0011】実施例3 5−クロロ−4−ニトロフタリド25gをオキシ塩化リ
ン250gに加え、これに三塩化リン80.3gを加えた
後、70℃まで昇温させた。この液中に塩素ガス41.5g
を約1時間かけて吹き込んだ。反応熱により反応液の温
度は90℃前後まで上昇した。塩素ガス吹き込み終了後
は、反応液の温度を95〜100℃に保ちながらさらに
2時間攪拌した。次に反応液中のオキシ塩化リン約20
0gを蒸留により留去し、蒸留釜残を冷却後、クロロホ
ルム200gで希釈し、これを氷水200gに徐々に注
加した。分液したクロロホルム層と、水層をクロロホル
ム100gで抽出したクロロホルム層を合わせて、1%
炭酸水素ナトリウム水溶液200gおよび水200gで
順次洗浄し、クロロホルム層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。クロロホルム層を減圧下に留去し、橙白色結
晶の5−クロロ−1,1,3,3−テトラクロロ−6−
ニトロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン32.9g〔収
率73%(後記純度より補正済みの値)〕を得た。ガス
クロマトグラフィーの分析結果より純度は88%であっ
た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.1(1H,s) 、7.9(1
H,s) mass(FD):m/e、親ピーク 335
ン250gに加え、これに三塩化リン80.3gを加えた
後、70℃まで昇温させた。この液中に塩素ガス41.5g
を約1時間かけて吹き込んだ。反応熱により反応液の温
度は90℃前後まで上昇した。塩素ガス吹き込み終了後
は、反応液の温度を95〜100℃に保ちながらさらに
2時間攪拌した。次に反応液中のオキシ塩化リン約20
0gを蒸留により留去し、蒸留釜残を冷却後、クロロホ
ルム200gで希釈し、これを氷水200gに徐々に注
加した。分液したクロロホルム層と、水層をクロロホル
ム100gで抽出したクロロホルム層を合わせて、1%
炭酸水素ナトリウム水溶液200gおよび水200gで
順次洗浄し、クロロホルム層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。クロロホルム層を減圧下に留去し、橙白色結
晶の5−クロロ−1,1,3,3−テトラクロロ−6−
ニトロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン32.9g〔収
率73%(後記純度より補正済みの値)〕を得た。ガス
クロマトグラフィーの分析結果より純度は88%であっ
た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.1(1H,s) 、7.9(1
H,s) mass(FD):m/e、親ピーク 335
【0012】次に、本発明において原料化合物として用
いられる一般式 化4で示されるフタリド誘導体の製造
例を示す。 参考例1 4,5−ジクロロフタル酸90g、無水酢酸58gおよ
びトルエン810gを約2時間加熱還流後、減圧下で濃
縮することにより、4,5−ジクロロフタル酸無水物8
2.8g(収率99%)を白色固体として得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.11(2H,s) 4,5−ジクロロフタル酸無水物82.8gおよびN,N−
ジメチルホルムアミド414gを仕込み、そこへ水素化
ホウ素ナトリウム28.8gをN,N−ジメチルホルムアミ
ド331gに溶解した溶液を内温25〜50℃の範囲内
でゆっくり滴下した。その後、65℃で約2時間攪拌し
た。その後、室温まで冷却し、10%塩酸水を331g
滴下した後、100℃で1時間攪拌した。冷却後、析出
した固体を濾別乾燥して、4,5−ジクロロフタリド6
2.8g(収率81%)を得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :5.29(2H,s)、7.63
(1H,s)、8.00(1H,s)
いられる一般式 化4で示されるフタリド誘導体の製造
例を示す。 参考例1 4,5−ジクロロフタル酸90g、無水酢酸58gおよ
びトルエン810gを約2時間加熱還流後、減圧下で濃
縮することにより、4,5−ジクロロフタル酸無水物8
2.8g(収率99%)を白色固体として得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.11(2H,s) 4,5−ジクロロフタル酸無水物82.8gおよびN,N−
ジメチルホルムアミド414gを仕込み、そこへ水素化
ホウ素ナトリウム28.8gをN,N−ジメチルホルムアミ
ド331gに溶解した溶液を内温25〜50℃の範囲内
でゆっくり滴下した。その後、65℃で約2時間攪拌し
た。その後、室温まで冷却し、10%塩酸水を331g
滴下した後、100℃で1時間攪拌した。冷却後、析出
した固体を濾別乾燥して、4,5−ジクロロフタリド6
2.8g(収率81%)を得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :5.29(2H,s)、7.63
(1H,s)、8.00(1H,s)
【0013】参考例2 4−クロロフタル酸無水物20gをN,N−ジメチルホ
ルムアミド80gに溶解し、これに常温で水素化ホウ素
ナトリウム 8.3gのN,N−ジメチルホルムアミド80
gの溶液を滴下した。その後、反応液を65℃で1時間
攪拌し、次に20℃まで冷却後、10%塩酸125gを
注加した。この混合液を100℃に昇温し、加熱還流
下、1時間攪拌を続けた後、冷却によって析出した結晶
を濾過、水洗し、さらに減圧下乾燥させて白色結晶の5
−クロロフタリド 8.3g(収率45%)を得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.1 〜7.4(3H,m)
、5.3(2H,s) 次に、濃硫酸64mlに5−クロロフタリド 7.0gを添加
し、0℃に冷却した状態で攪拌下、濃硝酸7mlを30分
かけて滴下した。その後、反応液を25℃まで昇温し、
1時間攪拌を続けた後、氷水500mlに注加した。これ
を酢酸エチル150mlで2回抽出し、油層を合わせて、
飽和食塩水100mlで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥させた。酢酸エチルを減圧下に留去し、淡黄色結晶
の5−クロロ−4−ニトロフタリド63.4g(収率65
%)を得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.4(1H,s) 、7.8(1
H,dd)、5.4(2H,s)
ルムアミド80gに溶解し、これに常温で水素化ホウ素
ナトリウム 8.3gのN,N−ジメチルホルムアミド80
gの溶液を滴下した。その後、反応液を65℃で1時間
攪拌し、次に20℃まで冷却後、10%塩酸125gを
注加した。この混合液を100℃に昇温し、加熱還流
下、1時間攪拌を続けた後、冷却によって析出した結晶
を濾過、水洗し、さらに減圧下乾燥させて白色結晶の5
−クロロフタリド 8.3g(収率45%)を得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.1 〜7.4(3H,m)
、5.3(2H,s) 次に、濃硫酸64mlに5−クロロフタリド 7.0gを添加
し、0℃に冷却した状態で攪拌下、濃硝酸7mlを30分
かけて滴下した。その後、反応液を25℃まで昇温し、
1時間攪拌を続けた後、氷水500mlに注加した。これ
を酢酸エチル150mlで2回抽出し、油層を合わせて、
飽和食塩水100mlで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥させた。酢酸エチルを減圧下に留去し、淡黄色結晶
の5−クロロ−4−ニトロフタリド63.4g(収率65
%)を得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.4(1H,s) 、7.8(1
H,dd)、5.4(2H,s)
【0014】次に、本発明の方法で製造される一般式
化5で示される1,1,3,3−テトラクロロ−1,3
−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体から5−クロロ−
1,1,3,3−テトラフルオロ−6−ニトロ−1,3
−ジヒドロイソベンゾフランへの変換例を示す。 参考例3 5−クロロ−1,1,3,3−テトラクロロ−6−ニト
ロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン10gを1,4
−ジオキサン100gに加え、これによく乾燥させた三
フッ化アンチモン(SbF3 )18.6gを添加した後、加
温し、1,4−ジオキサンを留去させながら150℃ま
で昇温させた。その後、50℃まで冷却し、クロロホル
ム200gで希釈した反応液をセライトを助剤として濾
過した。濾残をさらにクロロホルム100gで洗浄し、
濾液及び洗液を水200gで洗浄した。分液後の有機層
をさらに 0.5%水酸化カルシウム水溶液で洗浄後有機層
を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機溶媒を減圧下
に留去し、茶褐色結晶の5−クロロ−1,1,3,3−
テトラフルオロ−6−ニトロ−1,3−ジヒドロイソベ
ンゾフラン 6.9g(収率86%)を得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.4(1H,s) 、8.1(1
H,s) mass(FD):m/e、親ピーク 271
化5で示される1,1,3,3−テトラクロロ−1,3
−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体から5−クロロ−
1,1,3,3−テトラフルオロ−6−ニトロ−1,3
−ジヒドロイソベンゾフランへの変換例を示す。 参考例3 5−クロロ−1,1,3,3−テトラクロロ−6−ニト
ロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン10gを1,4
−ジオキサン100gに加え、これによく乾燥させた三
フッ化アンチモン(SbF3 )18.6gを添加した後、加
温し、1,4−ジオキサンを留去させながら150℃ま
で昇温させた。その後、50℃まで冷却し、クロロホル
ム200gで希釈した反応液をセライトを助剤として濾
過した。濾残をさらにクロロホルム100gで洗浄し、
濾液及び洗液を水200gで洗浄した。分液後の有機層
をさらに 0.5%水酸化カルシウム水溶液で洗浄後有機層
を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機溶媒を減圧下
に留去し、茶褐色結晶の5−クロロ−1,1,3,3−
テトラフルオロ−6−ニトロ−1,3−ジヒドロイソベ
ンゾフラン 6.9g(収率86%)を得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.4(1H,s) 、8.1(1
H,s) mass(FD):m/e、親ピーク 271
【0015】参考例4 1,1,3,3,5,6−ヘキサクロロ−1,3−ジヒ
ドロイソベンゾフラン56.3gおよび1,4−ジオキサン
563gを仕込み、これに三フッ化アンチモン(SbF
3 )110gを添加し、150℃まで昇温し、1,4−
ジオキサンを除いた。150℃で約30分攪拌後、冷却
したクロロホルム200gで希釈して、セライト濾過し
た。得られた濾液を減圧下に濃縮後、そのまま減圧下で
得られた生成物を昇華させて、1,1,3,3−テトラ
フルオロ−5,6−ジクロロ−1,3−ジヒドロイソベ
ンゾフラン31g(収率71%)を白色固体として得
た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :7.79(2H,s) 50ml三ツ口フラスコに、1,1,3,3−テトラフル
オロ−5,6−ジクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾ
フラン 2.0g、亜硝酸カリウム2.62g、塩化第一銅(C
uCl)0.16gおよびN,N−ジメチルホルムアミド2
0gを仕込み、窒素気流下125℃で約6時間激しく攪
拌した。その後、反応液をトルエン20gおよび10%
NaOH水溶液30gに注加し、分液した。水層をトル
エン20gで2回洗浄後、水層を塩酸でpH2〜4に
し、トルエン40gで抽出した。抽出液を濃縮し、目的
とする1,1,3,3−テトラフルオロ−5−ヒドロキ
シ−6−ニトロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン
1.5g(収率77%)を得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :1.61(1H,brs)、7.4
9(1H,s)、8.49(1H,s) mass(FD):m/e、親ピーク 253 1,1,3,3−テトラフルオロ−5−ヒドロキシ−6
−ニトロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン3.72
gを塩化チオニル22.5gに加え、これにN,N−ジ
メチルホルムアミド2.89gを攪拌下、30℃以下に
冷却しながら加えた。その後、85〜87℃で3時間攪
拌し、次に、過剰の塩化チオニルを蒸留留去した後、冷
却した。これにトルエン100gおよび水100gを加
え、抽出、分液し、トルエン層を7%炭酸水素ナトリウ
ム水溶液100gおよび水100gで順次洗浄した。ト
ルエン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、トルエンを
減圧下留去し、茶褐色結晶の5−クロロ−1,1,3,
3−テトラフルオロ−6−ニトロ−1,3−ジヒドロイ
ソベンゾフラン4.03g〔収率91%(後記純度より
補正済みの値)〕を得た。ガスクロマトグラフィーの分
析結果より純度は90%であった。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.1(1H,s) 、7.9(1
H,s) mass(FD):m/e、親ピーク 271
ドロイソベンゾフラン56.3gおよび1,4−ジオキサン
563gを仕込み、これに三フッ化アンチモン(SbF
3 )110gを添加し、150℃まで昇温し、1,4−
ジオキサンを除いた。150℃で約30分攪拌後、冷却
したクロロホルム200gで希釈して、セライト濾過し
た。得られた濾液を減圧下に濃縮後、そのまま減圧下で
得られた生成物を昇華させて、1,1,3,3−テトラ
フルオロ−5,6−ジクロロ−1,3−ジヒドロイソベ
ンゾフラン31g(収率71%)を白色固体として得
た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :7.79(2H,s) 50ml三ツ口フラスコに、1,1,3,3−テトラフル
オロ−5,6−ジクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾ
フラン 2.0g、亜硝酸カリウム2.62g、塩化第一銅(C
uCl)0.16gおよびN,N−ジメチルホルムアミド2
0gを仕込み、窒素気流下125℃で約6時間激しく攪
拌した。その後、反応液をトルエン20gおよび10%
NaOH水溶液30gに注加し、分液した。水層をトル
エン20gで2回洗浄後、水層を塩酸でpH2〜4に
し、トルエン40gで抽出した。抽出液を濃縮し、目的
とする1,1,3,3−テトラフルオロ−5−ヒドロキ
シ−6−ニトロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン
1.5g(収率77%)を得た。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :1.61(1H,brs)、7.4
9(1H,s)、8.49(1H,s) mass(FD):m/e、親ピーク 253 1,1,3,3−テトラフルオロ−5−ヒドロキシ−6
−ニトロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン3.72
gを塩化チオニル22.5gに加え、これにN,N−ジ
メチルホルムアミド2.89gを攪拌下、30℃以下に
冷却しながら加えた。その後、85〜87℃で3時間攪
拌し、次に、過剰の塩化チオニルを蒸留留去した後、冷
却した。これにトルエン100gおよび水100gを加
え、抽出、分液し、トルエン層を7%炭酸水素ナトリウ
ム水溶液100gおよび水100gで順次洗浄した。ト
ルエン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、トルエンを
減圧下留去し、茶褐色結晶の5−クロロ−1,1,3,
3−テトラフルオロ−6−ニトロ−1,3−ジヒドロイ
ソベンゾフラン4.03g〔収率91%(後記純度より
補正済みの値)〕を得た。ガスクロマトグラフィーの分
析結果より純度は90%であった。1 H-NMR(CDCl3 /TMS) δ値(ppm) :8.1(1H,s) 、7.9(1
H,s) mass(FD):m/e、親ピーク 271
【0016】
【発明の効果】本発明により、一般式 化5で示される
1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソ
ベンゾフラン誘導体を工業的にも有利に製造することが
出来る。
1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソ
ベンゾフラン誘導体を工業的にも有利に製造することが
出来る。
Claims (2)
- 【請求項1】一般式 化1 【化1】 〔式中、Rは反応に不活性な基または原子を表わし、n
は1〜4の整数を表わす。但し、nが2以上のとき、R
は同一でも相異なっていてもよい。〕で示されるフタリ
ド誘導体に三塩化リンおよび塩素を作用させることを特
徴とする、一般式 化2 【化2】 〔式中、Rおよびnは前記と同じ意味を表わす。〕で示
される1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒド
ロイソベンゾフラン誘導体の製造法。 - 【請求項2】式 化1のRn が4,5−ジクロロ基また
は5−クロロ−4−ニトロ基である(式 化2のRn が
5,6−ジクロロ基または5−クロロ−6−ニトロ基で
ある)請求項1記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22001494A JPH0881456A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22001494A JPH0881456A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0881456A true JPH0881456A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16744586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22001494A Pending JPH0881456A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0881456A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003034688A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-07 | Kanto Denka Kogyo Co Ltd | 新規な1,1,3,3−テトラハロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン化合物及びそれらの製造方法 |
| JP2003519218A (ja) * | 1999-12-30 | 2003-06-17 | ハー・ルンドベック・アクチエゼルスカベット | シタロプラムの製造方法 |
| CN108947945A (zh) * | 2018-08-28 | 2018-12-07 | 曲阜师范大学 | 一种1,3-二氢异苯并呋喃衍生物及其合成方法和应用 |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP22001494A patent/JPH0881456A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003519218A (ja) * | 1999-12-30 | 2003-06-17 | ハー・ルンドベック・アクチエゼルスカベット | シタロプラムの製造方法 |
| JP2003034688A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-07 | Kanto Denka Kogyo Co Ltd | 新規な1,1,3,3−テトラハロ−1,3−ジヒドロイソベンゾフラン化合物及びそれらの製造方法 |
| CN108947945A (zh) * | 2018-08-28 | 2018-12-07 | 曲阜师范大学 | 一种1,3-二氢异苯并呋喃衍生物及其合成方法和应用 |
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