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JPH0874737A - 処理装置の真空排気システム - Google Patents

処理装置の真空排気システム

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Publication number
JPH0874737A
JPH0874737A JP6284391A JP28439194A JPH0874737A JP H0874737 A JPH0874737 A JP H0874737A JP 6284391 A JP6284391 A JP 6284391A JP 28439194 A JP28439194 A JP 28439194A JP H0874737 A JPH0874737 A JP H0874737A
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JP
Japan
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pump
pipe
valve
auxiliary
processing
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JP6284391A
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English (en)
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JP3501524B2 (ja
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Jiyunichi Arami
淳一 荒見
Mitsuaki Komino
光明 小美野
Masayuki Kitamura
昌幸 北村
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Tohoku Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Tohoku Ltd
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Publication date
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 システム全体の小型化及びコストダウンが図
れる処理装置の真空排気システムを提供する。 【構成】 処理室２に近接して接続された広域真空排気
能力及び大排気速度を有する主ポンプ２５と、この主ポ
ンプ２５の排気側に小径の補助配管２６を介して接続さ
れた小排気速度を有する補助ポンプ２７とを備えてい
る。このように処理室２に近接して広域真空排気能力及
び大排気速度を有する主ポンプ２５を接続したので、排
気特性の向上が図れると共に、主ポンプ２５以降の補助
配管２６の小径化及び補助ポンプ２７の小型化が図れ
る。また、そのように主ポンプ２５の排気側に小径の補
助配管２６を介して小排気速度を有する補助ポンプ２７
を接続したので、システム全体の小型化及びコストダウ
ンが図れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理装置の真空排気シ
ステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程では、被処理
体である半導体ウエハに所定の温度、所定の処理ガス及
び所定の減圧雰囲気下で成膜処理を行う減圧ＣＶＤ装置
等の各種の処理装置が用いられている。このような処理
装置においては、前記半導体ウエハを収容して所定の処
理を施すための処理室を備え、この処理室には内部を所
定の減圧雰囲気にするための真空排気システムが設けら
れている。
【０００３】図４は、従来の処理装置に設けられている
真空排気システムの一例を示している。この真空排気シ
ステムは、処理室２に主配管４１を介してメカニカルブ
ースタポンプ４２及びドライポンプ４３を接続してお
り、前記主配管４１には主弁４４及び圧力制御弁４５が
設けられている。前記主配管４１には、補助弁４６を有
する小径の粗引き用配管４７が前記主弁４４の前後を連
通すべく並列に接続されると共に、ターボ分子ポンプ
（又はモレキュラードラッグポンプ）４８及びその前後
の弁４９，５０を有する真空到達用配管５１が前記主弁
４４の前及び圧力制御弁４５の後とを連通すべく並列に
接続されている。図３中、３７は処理室２内の圧力を検
知する圧力センサ、１７は処理室２内に処理ガスを供給
する開閉弁１９を有する処理ガス供給管である。
【０００４】このように構成された真空排気システムに
おいては、先ず全ての弁１９，４４，４５，４６，４
９，５０を閉じた状態でドライポンプ４３を起動し、真
空到達用配管５１の後弁５０、粗引き用配管４７の補助
弁４６及び圧力制御弁４５を開いて処理室２内を急速な
圧力変化で凝縮や塵埃の飛散が生じないように小排気流
量で粗引きする。この粗引き排気により処理室２内の圧
力が例えば１０Ｔｏｒｒに達したなら、メカニカルブー
スタポンプ４２を起動し、補助弁４６を閉じ、主弁４４
を開いて処理室２内を更に減圧する。これにより、処理
室２内の圧力が例えば１Ｔｏｒｒに達したなら、ターボ
分子ポンプ４８を起動し、主弁４４を閉じ、真空到達用
配管５１の前弁４９を開いて処理室２内を到達真空度例
えば１０-6Ｔｏｒｒ位まで減圧し、処理室２の内壁等に
吸着した水分等の吸着分子を脱離させる。その後、真空
到達用配管５１の前後の弁４９，５０を閉じ、ターボ分
子ポンプ４８を停止し、主弁４４及び処理ガス供給管１
７の開閉弁１９を開いて、圧力制御弁４５により処理室
２内の圧力を所定の処理圧力（０．１〜５０Ｔｏｒｒ）
に調整しながら処理を実行する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記真空排
気システムにおいては、処理用及びターボ分子ポンプ４
８のバックアップ用としてのメカニカルブースタポンプ
４２が、クリーンルーム内に設けられた処理室２から離
れたユーティリティーボックス等のユーティリティーエ
リア内に設置されているため、処理室２からメカニカル
ブースタポンプ４２までの主配管４１の長さが長い。こ
のため、コンダクタンスを大きくするために主配管４１
の配管径を大きくとっており、また、必然的に排気速度
（排気量）の大きいポンプが必要となっており、システ
ム全体の大型化及びコストアップを招いていた。
【０００６】そこで、本発明の目的は、システム全体の
小型化及びコストダウンが図れる処理装置の真空排気シ
ステムを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に請求項１記載の処理装置の真空排気システムは、処理
室に近接して接続された広域真空排気能力及び大排気速
度を有する主ポンプと、この主ポンプの排気側に小径の
補助配管を介して接続された小排気速度を有する補助ポ
ンプとを備えたことを特徴とする。
【０００８】請求項２記載の処理装置の真空排気システ
ムは、前記主ポンプがモレキュラードラッグポンプであ
り、前記補助ポンプがドライポンプであることを特徴と
する。
【０００９】請求項３記載の処理装置の真空排気システ
ムは、処理室に第１弁を有する短い主配管を介し近接し
て接続されたモレキュラードラッグポンプと、このモレ
キュラードラッグポンプの排気側に前記主配管よりも小
径の補助配管を介して接続されたドライポンプと、前記
主配管の第１弁の前後を連通すべく並列に接続され、第
２弁及び圧力制御弁を有する処理用配管と、前記主配管
の第１弁の前と前記補助配管を連通すべく並列に接続さ
れ、第３弁を有する小径の粗引き用配管とを備えたこと
を特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１記載の処理装置の真空排気システムに
よれば、処理室に近接して広域真空排気能力及び大排気
速度を有する主ポンプを接続したので、排気特性の向上
が図れると共に、主ポンプ以降の補助配管の小径化及び
補助ポンプの小型化が図れる。また、そのように主ポン
プの排気側に小径の補助配管を介して小排気速度を有す
る補助ポンプを接続したので、システム全体の小型化及
びコストダウンが図れる。
【００１１】請求項２記載の処理装置の真空排気システ
ムによれば、前記主ポンプとしてモレキュラードラッグ
ポンプを用い、前記補助ポンプとしてドライポンプを用
いたので、市販のポンプを利用してシステムを容易に構
成することが可能となる。また、従来のシステムと比べ
て、補助ポンプの小容量化及び補助配管の小径化が可能
となることで、製造コスト及び運転コストの軽減が図れ
る。
【００１２】請求項３記載の処理装置の真空排気システ
ムによれば、システム全体の小型化及びコストダウンが
図れる他に、粗引き用配管を介した低真空の粗引き排
気、処理用配管を介した中真空の処理排気、及び主配管
を介した高真空の到達排気の３通りの排気が可能とな
り、簡単な構成で広領域の真空排気を実行することが可
能となる。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明の一実施例を添付図面に基づ
いて詳述する。図１において、１は処理装置としての枚
葉式ＣＶＤ装置であり、この枚葉式ＣＶＤ装置１は、被
処理体である半導体ウエハＷを収容して所定の処理を施
すための処理室２を備えている。この処理室２は、耐食
性金属例えばステンレススチール、アルミニウム等によ
り形成されており、図２に示すようにほぼ円筒状の側壁
３を有している。この側壁３の内側にはほぼ円筒状の支
持体４が同心円状に配置され、この支持体４の下端部と
前記側壁３の下端部との間に環状の周縁底板部５が設け
られている。また、支持体４の上側には中央底板部６が
設けられ、この中央底板部６にはこれを冷却するための
冷却媒体、例えば冷却水を循環させるための冷却通路７
が形成されている。
【００１４】前記中央底板部６の上部は半導体ウエハＷ
を水平に載置するための載置台８として形成され、この
載置台３には半導体ウエハＷを加熱するための加熱部
（ヒータ）９が設けられている。前記加熱部９は、抵抗
発熱材例えばカンタル線等を面状に配設してなり、半導
体ウエハを所定の処理温度、例えば７００〜１０００℃
程度に面内均一に加熱することができるように構成され
ている。なお、載置台８には後述する移載装置２４によ
り半導体ウエハＷの移載を行うに際して半導体ウエハＷ
を載置台８上から浮上させるための昇降機構が設けられ
ている（図示省略）。前記処理室２の側壁３と前記支持
体４との間には環状の空間部１１が形成されており、処
理室２の側壁３には前記環状空間部１１と連通して処理
室２内を所定の減圧雰囲気、例えば１００〜１０-6Ｔｏ
ｒｒ程度に真空引きするための後述の真空排気システム
１２が接続されている。
【００１５】前記処理室２の上端部には側壁３の上部開
口端を気密に閉塞する蓋体１３が設けられ、この蓋体１
３には前記加熱部８と対向して処理ガス、例えばシラン
系のガス（ＳｉＨ4）を処理室２内に供給するための処
理ガス供給部１４が設けられている。具体的には、前記
蓋体１３は、内部に中空部１５を有するように形成され
ると共に下面に中空部１５と連通する複数の処理ガス噴
出孔１６が形成され、いわゆるシャワーヘッド構造にな
っている。これにより、処理ガス供給部１４の処理ガス
噴出孔１６から処理室２内に処理ガスが均一な分布でシ
ャワー状に供給されるように構成されている。また、前
記蓋体１３には中空部１５と連通する処理ガス供給管１
７が接続され、この処理ガス供給管１７には流量調整装
置１８及び開閉弁１９を介して処理ガス供給源２０が接
続されている。
【００１６】前記処理室２の外方には、処理室２の側壁
３に設けられたゲートバルブ２１を介して気密に構成さ
れたロードロック室２２が設けられており、このロード
ロック室２２も前記処理室２と同様に真空排気システム
により所定の減圧雰囲気に制御されるように構成されて
いる。また、前記ロードロック室２２の内部には、図示
しないゲートバルブを介して隣接している図示しないカ
セット収納室内のカセットと、前記処理室２内の載置台
８との間で半導体ウエハＷの移載を行う移載アーム２３
を備えた移載装置２４が設けられている。
【００１７】前記真空排気システム１２は、減圧手段と
して、図１に示すように処理室２に近接して接続された
広域真空排気能力及び大排気速度を有する主ポンプとし
てのモレキュラードラッグポンプ２５と、このモレキュ
ラードラッグポンプ２５の排気側に小径の補助配管２６
を介して接続された小排気速度を有する補助ポンプとし
てのドライポンプ２７とを備えている。前記モレキュラ
ードラッグポンプ２５は、ネジ溝が切られた特殊ロータ
をハウジング内で回転させて真空引きを行う構造で、回
転羽根で分子を叩き出すターボ分子ポンプと異なり、処
理ガス成分物質の付着堆積が少なく、排気トラップを要
せずに処理室２に直付けすることが可能であると共に、
広域真空排気能力（例えば１００〜１０-5Ｔｏｒｒ程
度）及び大排気速度（例えば６０００リットル／分程
度）を有する。
【００１８】そして、前記モレキュラードラッグポンプ
２５を処理室２に近接して接続することにより、安定し
た排気特性が得られると共に、モレキュラードラッグポ
ンプ２５以降の補助配管２６の小径化及び補助ポンプで
あるドライポンプ２７の小容量化が図られている。具体
的には、前記モレキュラードラッグポンプ２５は第１弁
２８を有する短い所定口径例えば１００ｍｍ程度の主配
管２９を介して前記処理室２に近接して接続され、この
モレキュラードラッグポンプ２５の排気側に小径例えば
４０ｍｍ程度の補助配管２６を介して小排気流速例えば
７００リットル／分程度のドライポンプ２７が接続され
ている。
【００１９】前記ドライポンプ２７は、ハウジング内で
噛み合う対の回転子の回転により真空引きを行う構造
で、通常の油ポンプと異なり、半導体ウエハの汚染源と
なる潤滑油の逆流がないことから処理装置の補助ポンプ
として適する。このドライポンプ２７はクリーンルーム
内に設置された処理室２から離れたユーティリティーボ
ックス内に配置されているため、前記補助配管２６は長
さの長い例えば１０〜１２ｍ程度のものが使用されてい
る。前記ドライポンプ２７は、後述する如く到達排気な
いし処理排気を行う主ポンプたるモレキュラードラッグ
ポンプ２５の臨界背圧例えば３０Ｔｏｒｒ程度を確保す
るバックポンプとしての機能を有する他に、それ自身が
粗引き排気を行うポンプとしての機能をも併せ持つ。前
記ドライポンプ２７の排気側は排ガス処理装置を介して
工場排気系に接続されている（図示省略）。
【００２０】一方、前記主配管２９には第２弁３０及び
圧力制御弁３１を有する所定口径例えば２５ｍｍ程度の
処理用配管３２が第１弁２８の前後を連通すべく並列に
接続され、前記主配管２９及び前記補助配管２６には第
３弁３３を有する小径例えば１０ｍｍ程度の粗引き用配
管３４が前記主配管２９の第１弁２８の前と前記補助配
管２６とを連通すべく並列に接続されている。前記粗引
き用配管３４にはドライポンプ２７の駆動による粗引き
排気時の排気速度を更に抑制するためのオリフィス３５
が設けられている。従って、前記粗引き配管（粗引きラ
イン）３４を介して処理室２内を低排気速度でゆっくり
と低真空例えば２０Ｔｏｒｒ程度まで真空排気する粗引
き排気と、処理用配管（プロセスライン）３２を介して
処理室２内を中真空の処理圧力例えば１〜５０Ｔｏｒｒ
程度に真空排気する処理排気（プロセス排気）と、主配
管（イニシャルライン）２９を介して処理室２内を高真
空の到達真空度例えば１０-6Ｔｏｒｒ程度まで真空引き
する到達排気の３通りの真空排気が可能なように構成さ
れている。
【００２１】なお、前記補助配管２６における前記粗引
き用配管３４の接続部よりも上流には第４弁３６が設け
られている。前記第１〜第４弁２８，３０，３３，３６
は、開閉弁からなっている。また、処理室２には第１圧
力センサ３７が、主配管２９の第１弁２８よりも下流に
は第２圧力センサ３８が、補助配管２６の第４弁３６よ
りも下流には第３圧力センサ３９がそれぞれ設けられて
いる。前記処理ガス供給管１７の開閉弁１９、第１〜第
４弁２８，３０，３３，３６、モレキュラードラッグポ
ンプ２５及びドライポンプ２７等は、第１〜第３圧力セ
ンサ２８，３０，３３の検出値をフィードバックして予
め制御装置４０にインプットされた所定のプログラミン
グに従って制御されるように構成されている。
【００２２】次に、実施例の作用を述べる。処理を開始
するに際して、先ずゲートバルブ２１を含む全ての弁１
９，２８，３０，３１，３３，３６を閉じた状態で、ド
ライポンプ２７を起動し、補助配管２６の第３圧力セン
サ３９が設定圧力を検知することにより、補助配管２６
の第４弁３６を開き、次いで主配管２９の第２圧力セン
サ３８が設定圧力を検知することにより、粗引き用配管
３４の第３弁３３を開く。これにより、処理室２内が粗
引き用配管３４を介してドライポンプ２７により粗引き
排気される。この粗引き排気は、処理室２内の圧力が所
定の圧力例えば２０Ｔｏｒｒになるまで行われる。
【００２３】そして、処理室２の第１圧力センサ３７が
２０Ｔｏｒｒを検知すると、モレキュラードラッグポン
プ２５を起動し、主配管２９の第１弁２８を開くと共
に、粗引き用配管３４の第３弁３３を閉じ、処理室２内
が主配管２９を介して主排気（到達排気）される。この
主排気（到達排気）は、処理室２内の圧力が到達真空度
例えば１０-6Ｔｏｒｒになるまで行われる。処理室２の
第１圧力センサ３７が１０-6Ｔｏｒｒを検知した時点
で、到達排気（イニシャライズ）が完了する。
【００２４】到達排気が完了したなら、予めカセット収
納室内のカセットからロードロック室２２内に移載装置
２４の移載アーム２３により搬入されている処理前の半
導体ウエハＷを、ロードロック室２２内の圧力が処理室
２内の圧力と同程度に減圧された時点で開放されるゲー
トバルブ２１を介して処理室２内の載置台８上に移載し
た後、ゲートバルブ２１を閉じ、処理工程に移行する。
この場合、前記処理用配管３２の第２弁３０及び圧力制
御弁３１を開くと共に、主配管２９の第１弁２８を閉
じ、処理ガス供給管１７の開閉弁１９を開いて処理を開
始する。
【００２５】前記処理室２内の圧力が圧力制御弁３１に
より所定の圧力に維持された状態で、所定の処理を所定
時間実行する。処理が完了したなら、処理ガス供給管１
７の開閉弁１９及び処理用配管３２の第２弁３０及び圧
力制御弁３１を閉じ、主配管２９の第１弁２８を開いて
処理室２内の到達排気を行い、処理後の半導体ウエハＷ
を処理室２からロードロック室２２を介してカセット収
納室内のカセットに移載し、そのカセットから次の半導
体ウエハＷをロードロック室２２を介して処理室２内の
載置台８上に移載し、前述の手順で半導体ウエハを１枚
ずつ順次処理して行く。
【００２６】このように構成された枚葉式ＣＶＤ装置１
の真空排気システム１２によれば、処理室２に近接して
広域真空排気能力及び大排気速度を有する主ポンプたる
モレキュラードラッグポンプ２５を接続したので、排気
特性の向上が図れると共に、モレキュラードラッグポン
プ２５以降の補助配管２６の小径化及び補助ポンプたる
ドライポンプ２７の小型化が図れる。また、そのように
モレキュラードラッグポンプ２５の排気側に小径の補助
配管２６を介して小排気速度を有するドライポンプ２７
を接続したので、システム全体の小型化及びコストダウ
ンが図れる。
【００２７】また、主ポンプとしてモレキュラードラッ
グポンプ２５を用い、補助ポンプとしてドライポンプ２
７を用いたので、市販のポンプを利用してシステムを容
易に構成することができ、また、従来のシステムと比べ
て、ポンプの使用台数の削減、補助ポンプの小容量化及
び補助配管２６の小径化が図れ、製造コスト及び運転コ
ストの軽減が図れる。更に、前記真空排気システム１２
によれば、粗引き用配管３４を介した低真空の粗引き排
気、処理用配管３２を介した中真空の処理排気、及び主
配管２９を介した高真空の到達排気の３通りの排気が可
能となり、簡単な構成で広領域の真空排気を実行するこ
とができる。
【００２８】図３は本発明の他の実施例を示す構成図で
ある。本実施例の真空排気システム１２は、処理室２に
第１弁２８を有する短い主配管２９を介し近接して接続
されたモレキュラードラッグポンプ２５と、このモレキ
ュラードラッグポンプ２５の排気側に前記主配管２９よ
りも小径の補助配管２６を介して接続されたドライポン
プ２７と、前記主配管２９の第１弁２８の前後を連通す
べく並列に接続され、第２弁としての内部に粗引き用弁
を有する複合弁６０及び圧力制御弁３１を有する処理用
配管３２とにより主要部が構成されている。その他の部
分は、前記実施例と同じであるため、同一参照符号を付
して説明を略す。
【００２９】本実施例の真空排気システム１２は、前記
実施例のそれと異なり、粗引き用配管３４を具備してお
らず、その代りに処理用配管３２を利用しての粗引き排
気を可能とするために処理用配管３２に複合弁６０を設
けている。
【００３０】本実施例の真空排気システム１２において
は、先ずゲートバルブ２１を含む全ての弁２８，３９，
６０を閉じた状態で、ドライポンプ２７を起動し、第４
弁３６及び複合弁６０の粗引き用弁を開作動させること
により処理用配管３２を介して処理室２内の粗引き排気
を行う。粗引き排気が収容したら、モレキュラードラッ
グポンプ２５を起動し、前記複合弁６０の粗引き用弁を
閉じると共に主配管２９の第１弁２８を開くことにより
主配管２９を介して処理室２内の到達排気を行う。到達
排気が終了したら、主配管２９の第１弁２８を閉じると
共に処理用配管３２の複合弁６０を開作動させ、処理用
配管３２の圧力制御弁３１を介して処理室２内を所定の
圧力に制御しつつ処理を行えばよい。
【００３１】従って、本実施例の真空排気システム１２
によれば、処理用配管３２に複合弁６０を設けることに
より処理用配管３２を介した粗引き排気が可能になるた
め、粗引き用配管３４が不要になり、その分だけ更にシ
ステム全体の小型化及びコストダウンが図れる。また、
本実施例の真空排気システム１２においては、第４弁３
６及び圧力センサ３９は必ずしも必要とされるものでは
ない。
【００３２】なお、本発明は、前記実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、前記実施例の加熱部９は、抵抗
発熱材を同心円状等に配設することにより、半導体ウエ
ハＷを面内均一な温度で加熱するだけでなく、例えば半
導体ウエハＷの面に沿って適宜の温度勾配を生じさるな
どの任意の温度制御が可能なように構成してもよい。ま
た、本発明が適用される処理装置としては、枚葉式ＣＶ
Ｄ装置以外に、例えばバッチ式ＣＶＤ装置、酸化装置、
拡散装置、エッチング装置、アッシング装置等が適用可
能である。また、被処理体としては、半導体ウエハＷ以
外に、例えばＬＣＤ基板等が適用可能である。
【００３３】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。
【００３４】（１）請求項１記載の処理装置の真空排気
システムによれば、処理室に近接して広域真空排気能力
及び大排気速度を有する主ポンプを接続したので、排気
特性の向上が図れると共に、主ポンプ以降の補助配管の
小径化及び補助ポンプの小型化が図れ、また、そのよう
に主ポンプの排気側に小径の補助配管を介して小排気速
度を有する補助ポンプを接続したことにより、システム
全体の小型化及びコストダウンが図れる。
【００３５】（２）請求項２記載の処理装置の真空排気
システムによれば、前記主ポンプとしてモレキュラード
ラッグポンプを用い、前記補助ポンプとしてドライポン
プを用いたので、市販のポンプを利用してシステムを容
易に構成することができ、従来のシステムと比べて、補
助ポンプの小容量化及び補助配管の小径化が可能となる
ことで、製造コスト及び運転コストの軽減が図れる。
【００３６】（３）請求項３記載の処理装置の真空排気
システムによれば、システム全体の小型化及びコストダ
ウンが図れる他に、粗引き用配管を介した低真空の粗引
き排気、処理用配管を介した中真空の処理排気、及び主
配管を介した高真空の到達排気の３通りの排気が可能で
あり、簡単な構成で広領域の真空排気を実行するができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を枚葉式ＣＶＤ装置に適用した一実施例
を示す構成図である。
【図２】図１の枚葉式ＣＶＤ装置の構成を示す断面図で
ある。
【図３】本発明の他の実施例を示す構成図である。
【図４】従来の真空排気システムの一例を示す構成図で
ある。
【符号の説明】
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 枚葉式ＣＶＤ装置（処理装置） ２ 処理室 ２５ モレキュラードラッグポンプ（主ポンプ） ２６ 補助配管 ２７ ドライポンプ（補助ポンプ） ２８ 第１弁 ２９ 主配管 ３０ 第２弁 ３１ 圧力制御弁 ３２ 処理用配管 ３３ 第３弁 ３４ 粗引き用配管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小美野 光明 東京都港区赤坂５丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内 (72)発明者 北村 昌幸 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理室に近接して接続された広域真空排
    気能力及び大排気速度を有する主ポンプと、この主ポン
    プの排気側に小径の補助配管を介して接続された小排気
    速度を有する補助ポンプとを備えたことを特徴とする処
    理装置の真空排気システム。
  2. 【請求項２】 前記主ポンプがモレキュラードラッグポ
    ンプであり、前記補助ポンプがドライポンプであること
    を特徴とする請求項１記載の処理装置の真空排気システ
    ム。
  3. 【請求項３】 処理室に第１弁を有する短い主配管を介
    し近接して接続されたモレキュラードラッグポンプと、
    このモレキュラードラッグポンプの排気側に前記主配管
    よりも小径の補助配管を介して接続されたドライポンプ
    と、前記主配管の第１弁の前後を連通すべく並列に接続
    され、第２弁及び圧力制御弁を有する処理用配管と、前
    記主配管の第１弁の前と前記補助配管とを連通すべく並
    列に接続され、第３弁を有する小径の粗引き用配管とを
    備えたことを特徴とする処理装置の真空排気システム。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003532283A (ja) * 2000-04-20 2003-10-28 アルカテル プロセスチャンバ内の雰囲気を調整する方法および装置
JP2007324478A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2008144766A (ja) * 2008-02-04 2008-06-26 Tadahiro Omi 真空装置
KR100964041B1 (ko) * 2007-01-31 2010-06-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2012165030A (ja) * 2012-06-06 2012-08-30 Tdk Corp 基板収納ポッドおよびその蓋部材並びに基板の処理装置
WO2016052200A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
JP2021025417A (ja) * 2019-07-31 2021-02-22 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 真空排気方法及び装置
JP2021034725A (ja) * 2019-08-15 2021-03-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、圧力制御装置及び基板処理システム
KR20230079022A (ko) 2020-10-06 2023-06-05 에드워즈 가부시키가이샤 진공 배기 시스템
WO2024069767A1 (ja) * 2022-09-27 2024-04-04 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置

Families Citing this family (134)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6022195A (en) * 1988-09-13 2000-02-08 Helix Technology Corporation Electronically controlled vacuum pump with control module
US6318093B2 (en) 1988-09-13 2001-11-20 Helix Technology Corporation Electronically controlled cryopump
US6902378B2 (en) 1993-07-16 2005-06-07 Helix Technology Corporation Electronically controlled vacuum pump
KR100407412B1 (ko) * 1995-02-10 2004-03-24 동경 엘렉트론 주식회사 열처리방법및그장치
US6217937B1 (en) * 1998-07-15 2001-04-17 Cornell Research Foundation, Inc. High throughput OMVPE apparatus
JP3606754B2 (ja) * 1998-11-27 2005-01-05 シーケーディ株式会社 真空圧力制御弁
US7077159B1 (en) * 1998-12-23 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Processing apparatus having integrated pumping system
US6174376B1 (en) * 1999-06-01 2001-01-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Apparatus for evacuating a process chamber
US6382249B1 (en) * 1999-10-04 2002-05-07 Ebara Corporation Vacuum exhaust system
JP3543949B2 (ja) * 1999-11-09 2004-07-21 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US6544869B1 (en) * 2000-06-23 2003-04-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for depositing semiconductor film and method for fabricating semiconductor device
JP3872952B2 (ja) * 2000-10-27 2007-01-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
US6770145B2 (en) * 2000-12-11 2004-08-03 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Low-pressure CVD apparatus and method of manufacturing a thin film
JP2003074468A (ja) * 2001-08-31 2003-03-12 Toshiba Corp 真空排気システム及びその監視・制御方法
WO2003023229A1 (fr) * 2001-09-06 2003-03-20 Ulvac, Inc. Systeme de pompe a vide et procede de fonctionnement d'un systeme de pompe a vide
KR100434493B1 (ko) * 2001-10-05 2004-06-05 삼성전자주식회사 원자층 증착 장치 및 그 구동 방법
JP2003158080A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置、半導体製造装置における堆積物除去方法、および半導体装置の製造方法
US6739840B2 (en) * 2002-05-22 2004-05-25 Applied Materials Inc Speed control of variable speed pump
KR100541814B1 (ko) * 2003-09-15 2006-01-11 삼성전자주식회사 화학기상증착장치
US7437944B2 (en) * 2003-12-04 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for pressure and mix ratio control
KR100830388B1 (ko) * 2004-03-29 2008-05-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 막 형성 장치 및 막 형성 방법
GB0418771D0 (en) * 2004-08-20 2004-09-22 Boc Group Plc Evacuation of a load lock enclosure
KR20060063188A (ko) * 2004-12-07 2006-06-12 삼성전자주식회사 화학기상증착장치 및 그를 이용한 화학기상증착방법
US8475624B2 (en) * 2005-09-27 2013-07-02 Lam Research Corporation Method and system for distributing gas for a bevel edge etcher
JP4943047B2 (ja) 2006-04-07 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP4961381B2 (ja) * 2008-04-14 2012-06-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
WO2010008021A1 (ja) * 2008-07-15 2010-01-21 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US8623141B2 (en) * 2009-05-18 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Piping system and control for semiconductor processing
JP5015280B2 (ja) * 2010-02-26 2012-08-29 Ｔｄｋ株式会社 基板収納ポッドおよびその蓋部材並びに基板の処理装置
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
KR101330856B1 (ko) * 2011-05-25 2013-11-18 주식회사 케이씨텍 배기부의 역류를 방지하는 원자층 증착장치
US10428807B2 (en) * 2011-12-09 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Pump power consumption enhancement
KR101995358B1 (ko) * 2012-06-28 2019-07-02 스털링 인더스트리 컨설트 게엠베하 챔버를 배기시키기 위한 방법 및 펌프 장치
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US20140311581A1 (en) * 2013-04-19 2014-10-23 Applied Materials, Inc. Pressure controller configuration for semiconductor processing applications
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9575494B2 (en) * 2013-11-14 2017-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for processing wafer
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
KR101594932B1 (ko) * 2014-04-01 2016-02-18 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
DE102015106279A1 (de) * 2015-04-23 2016-10-27 Mobilplan Industrie- Und Umwelttechnik Ventileinrichtung und Verfahren zum Betrieb der Ventileinrichtung
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
JP6727871B2 (ja) * 2016-03-18 2020-07-22 東京エレクトロン株式会社 排気システム及びこれを用いた基板処理装置
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US10950500B2 (en) 2017-05-05 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for filling a feature disposed in a substrate
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
JP7176860B6 (ja) 2017-05-17 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US11393703B2 (en) * 2018-06-18 2022-07-19 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling a flow process material to a deposition chamber
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
GB2579360A (en) * 2018-11-28 2020-06-24 Edwards Ltd Multiple chamber vacuum exhaust system
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
US11742188B2 (en) * 2019-08-15 2023-08-29 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, pressure control apparatus and substrate processing system
CN110408913B (zh) * 2019-08-26 2021-09-10 湖南红太阳光电科技有限公司 管式pecvd设备的压力控制装置
US12476122B2 (en) * 2020-01-17 2025-11-18 ATIK Co., Ltd. System for stabilizing flow of gas introduced into sensor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60170234A (ja) * 1984-02-15 1985-09-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 気相反応装置および気相反応被膜作製方法
JP2717236B2 (ja) * 1991-06-14 1998-02-18 株式会社 半導体エネルギー研究所 気相反応被膜作製方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003532283A (ja) * 2000-04-20 2003-10-28 アルカテル プロセスチャンバ内の雰囲気を調整する方法および装置
JP2007324478A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR100964041B1 (ko) * 2007-01-31 2010-06-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US8043659B2 (en) 2007-01-31 2011-10-25 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2008144766A (ja) * 2008-02-04 2008-06-26 Tadahiro Omi 真空装置
JP2012165030A (ja) * 2012-06-06 2012-08-30 Tdk Corp 基板収納ポッドおよびその蓋部材並びに基板の処理装置
WO2016052200A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
JPWO2016052200A1 (ja) * 2014-09-30 2017-08-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
JP2021025417A (ja) * 2019-07-31 2021-02-22 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 真空排気方法及び装置
JP2021034725A (ja) * 2019-08-15 2021-03-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、圧力制御装置及び基板処理システム
KR20230079022A (ko) 2020-10-06 2023-06-05 에드워즈 가부시키가이샤 진공 배기 시스템
WO2024069767A1 (ja) * 2022-09-27 2024-04-04 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置

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