JPH0862625A - 液晶表示基板の製造方法 - Google Patents
液晶表示基板の製造方法Info
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- JPH0862625A JPH0862625A JP19235794A JP19235794A JPH0862625A JP H0862625 A JPH0862625 A JP H0862625A JP 19235794 A JP19235794 A JP 19235794A JP 19235794 A JP19235794 A JP 19235794A JP H0862625 A JPH0862625 A JP H0862625A
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- drain line
- line
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ショート個所の判定を誤りなく正確に行な
う。 【構成】 液晶を介して互いに対向配置される透明基板
の少なくとも一方の透明基板の液晶側の面に、ｙ方向に
延在しＸ方向に並設されるゲート線群と、このゲート線
群と絶縁されてｘ方向に延在しｙ方向に並設されるドレ
イン線群とが形成され、後の工程で切断放棄される前記
透明基板の領域内で前記ゲート線群およびドレイン線群
とがそれぞれコモンゲート線およびコモンドレイン線に
よって共通接続されたものであって、前記コモンゲート
線とコモンドレイン線との間に電圧を印加するととも
に、赤外線を放出するゲート線とドレイン線の検出によ
ってそれらのゲート線とドレイン線とのショートを判定
する検査工程を含む液晶表示基板の製造方法において、
各ゲート線および各ドレイン線のそれぞれのコモンゲー
ト線およびコモンドレイン線に近接する部分に高抵抗の
部分を設けてなる。
う。 【構成】 液晶を介して互いに対向配置される透明基板
の少なくとも一方の透明基板の液晶側の面に、ｙ方向に
延在しＸ方向に並設されるゲート線群と、このゲート線
群と絶縁されてｘ方向に延在しｙ方向に並設されるドレ
イン線群とが形成され、後の工程で切断放棄される前記
透明基板の領域内で前記ゲート線群およびドレイン線群
とがそれぞれコモンゲート線およびコモンドレイン線に
よって共通接続されたものであって、前記コモンゲート
線とコモンドレイン線との間に電圧を印加するととも
に、赤外線を放出するゲート線とドレイン線の検出によ
ってそれらのゲート線とドレイン線とのショートを判定
する検査工程を含む液晶表示基板の製造方法において、
各ゲート線および各ドレイン線のそれぞれのコモンゲー
ト線およびコモンドレイン線に近接する部分に高抵抗の
部分を設けてなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示基板の製造方
法に係り、特に、液晶表示基板にいわゆるゲート線群お
よびドレイン線群を形成した段階で、ゲート線とドレイ
ン線とがショートしているか否かの検査を行なう工程が
含まれる液晶表示基板の製造方法に関する。
法に係り、特に、液晶表示基板にいわゆるゲート線群お
よびドレイン線群を形成した段階で、ゲート線とドレイ
ン線とがショートしているか否かの検査を行なう工程が
含まれる液晶表示基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、アクティブ・マトリックス方
式の液晶表示基板は、液晶を介在して互いに対向配置さ
れる透明基板のうち、一方の透明基板の液晶側の面に、
ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるゲート線群と、この
ゲート線群と絶縁されてｘ方向に延在しｙ方向に並設さ
れるドレイン線群とが形成されている。
式の液晶表示基板は、液晶を介在して互いに対向配置さ
れる透明基板のうち、一方の透明基板の液晶側の面に、
ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるゲート線群と、この
ゲート線群と絶縁されてｘ方向に延在しｙ方向に並設さ
れるドレイン線群とが形成されている。
【０００３】そして、これら互いに交差するゲート線群
とドレイン線群とで囲まれる各領域に、該ゲート線から
の走査信号によってオンするスイッチング素子と、該ド
レイン線からの映像信号が前記スイッチング素子を介し
て供給される画素電極とが形成されて、いわゆる画素が
構成されている。
とドレイン線群とで囲まれる各領域に、該ゲート線から
の走査信号によってオンするスイッチング素子と、該ド
レイン線からの映像信号が前記スイッチング素子を介し
て供給される画素電極とが形成されて、いわゆる画素が
構成されている。
【０００４】ところで、このような構成の液晶表示基板
の製造において、少なくともゲート線群とドレイン線群
とを形成した段階で、ゲート線とドレイン線とがショー
トしているか否かの検査がなされる。
の製造において、少なくともゲート線群とドレイン線群
とを形成した段階で、ゲート線とドレイン線とがショー
トしているか否かの検査がなされる。
【０００５】この検査では、たとえば、ゲート線群およ
びドレイン線群とが形成された同一の透明基板の周面
で、かつ後の工程で切断放棄される領域面に、該ゲート
線群を共通接続させたコモンゲート線、および該ドレイ
ン線群を共通接続させたコモンドレイン線を形成させて
おき、該コモンゲート線とコモンドレイン線との間に電
圧を印加するとともに、赤外線を放出するゲート線とド
レイン線の有無をたとえば赤外線カメラで判定する方法
が知られている。
びドレイン線群とが形成された同一の透明基板の周面
で、かつ後の工程で切断放棄される領域面に、該ゲート
線群を共通接続させたコモンゲート線、および該ドレイ
ン線群を共通接続させたコモンドレイン線を形成させて
おき、該コモンゲート線とコモンドレイン線との間に電
圧を印加するとともに、赤外線を放出するゲート線とド
レイン線の有無をたとえば赤外線カメラで判定する方法
が知られている。
【０００６】このような検査は、たとえば特開平１−１
８５４５４公報等で知られている。
８５４５４公報等で知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな検査は、ショート個所の判定に困難な場合があるこ
とが指摘されるに到った。
うな検査は、ショート個所の判定に困難な場合があるこ
とが指摘されるに到った。
【０００８】すなわち、ショート個所からコモンゲート
線およびコモンドレイン線にまで到るゲート線およびド
レイン線を熱源とし、この熱源から比較的広範囲に及ん
で容易に熱の伝導がなされ隣接する他のゲート線あるい
はドレイン線にまで加熱することになり、結果として、
きわだった赤外線の放射領域を検出することが困難であ
るということに原因していた。
線およびコモンドレイン線にまで到るゲート線およびド
レイン線を熱源とし、この熱源から比較的広範囲に及ん
で容易に熱の伝導がなされ隣接する他のゲート線あるい
はドレイン線にまで加熱することになり、結果として、
きわだった赤外線の放射領域を検出することが困難であ
るということに原因していた。
【０００９】それ故、本発明はこのような事情に基づい
てなされたものであり、その目的とするところのもの
は、ショート個所の判定を誤りなく正確に行なうことが
できる液晶表示基板の製造方法を提供することにある。
てなされたものであり、その目的とするところのもの
は、ショート個所の判定を誤りなく正確に行なうことが
できる液晶表示基板の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、次のような手段からなるものであ
る。
るために、本発明は、次のような手段からなるものであ
る。
【００１１】手段１．液晶を介して互いに対向配置され
る透明基板の少なくとも一方の透明基板の液晶側の面
に、ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるゲート線群と、
このゲート線群と絶縁されてｘ方向に延在しｙ方向に並
設されるドレイン線群とが形成され、後の工程で切断放
棄される前記透明基板の領域内で前記ゲート線群および
ドレイン線群とがそれぞれコモンゲート線およびコモン
ドレイン線によって共通接続されたものであって、前記
コモンゲート線とコモンドレイン線との間に電圧を印加
するとともに、赤外線を放出するゲート線とドレイン線
の検出によってそれらのゲート線とドレイン線とのショ
ートを判定する検査工程を含む液晶表示基板の製造方法
において、各ゲート線および各ドレイン線のそれぞれの
コモンゲート線およびコモンドレイン線に近接する部分
に高抵抗の部分を設けてなることを特徴とするものであ
る。
る透明基板の少なくとも一方の透明基板の液晶側の面
に、ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるゲート線群と、
このゲート線群と絶縁されてｘ方向に延在しｙ方向に並
設されるドレイン線群とが形成され、後の工程で切断放
棄される前記透明基板の領域内で前記ゲート線群および
ドレイン線群とがそれぞれコモンゲート線およびコモン
ドレイン線によって共通接続されたものであって、前記
コモンゲート線とコモンドレイン線との間に電圧を印加
するとともに、赤外線を放出するゲート線とドレイン線
の検出によってそれらのゲート線とドレイン線とのショ
ートを判定する検査工程を含む液晶表示基板の製造方法
において、各ゲート線および各ドレイン線のそれぞれの
コモンゲート線およびコモンドレイン線に近接する部分
に高抵抗の部分を設けてなることを特徴とするものであ
る。
【００１２】手段２．手段１記載の構成において、ゲー
ト線およびドレイン線のうち少なくとも一方は、透明導
電層を含む積層体から構成され、前記高抵抗の部分は前
記透明導電層のみの一層構造となっていることを特徴と
するものである。
ト線およびドレイン線のうち少なくとも一方は、透明導
電層を含む積層体から構成され、前記高抵抗の部分は前
記透明導電層のみの一層構造となっていることを特徴と
するものである。
【００１３】
【作用】手段１記載の構成によれば、従来と同様、たと
えばあるゲート線とドレイン線との間にショートが存在
していた場合、そのショート個所からコモンゲート線に
到るゲート線およびコモンドレイン線に到るドレイン線
がジュール熱によって発熱し、赤外線を放射することに
なる。
えばあるゲート線とドレイン線との間にショートが存在
していた場合、そのショート個所からコモンゲート線に
到るゲート線およびコモンドレイン線に到るドレイン線
がジュール熱によって発熱し、赤外線を放射することに
なる。
【００１４】この赤外線をたとえば赤外線カメラ等で検
知することで、前記ショート個所を判定することができ
るようになる。
知することで、前記ショート個所を判定することができ
るようになる。
【００１５】しかし、この場合、該ゲート線の高抵抗の
部分およびドレイン線の高抵抗の部分が特に発熱し、こ
この部分からの赤外線の放射量も多くなり、検知しよう
とするゲート線およびドレイン線の確認が極めて容易に
なる。
部分およびドレイン線の高抵抗の部分が特に発熱し、こ
この部分からの赤外線の放射量も多くなり、検知しよう
とするゲート線およびドレイン線の確認が極めて容易に
なる。
【００１６】したがって、従来、熱源から比較的広範囲
に及んで容易に熱の伝導がなされ隣接するゲート線ある
いはドレイン線にまで加熱することになり、結果とし
て、きわだった赤外線の放射領域を検出することが困難
であるといった弊害を除去できるようになる。
に及んで容易に熱の伝導がなされ隣接するゲート線ある
いはドレイン線にまで加熱することになり、結果とし
て、きわだった赤外線の放射領域を検出することが困難
であるといった弊害を除去できるようになる。
【００１７】このため、ショート個所の判定を誤りなく
正確に行なうことができるようになる。
正確に行なうことができるようになる。
【００１８】また、手段２記載の構成によれば、積層体
のうち透明導電層を除く他の材料層を該高抵抗の部分で
切断するパターンで形成できるので、製造工数を従来の
ままとし形成することができるようになる。
のうち透明導電層を除く他の材料層を該高抵抗の部分で
切断するパターンで形成できるので、製造工数を従来の
ままとし形成することができるようになる。
【００１９】
【実施例】図２は、液晶を介して互いに対向配置された
ガラス基板のうち一方のガラス基板を示す平面図であ
り、その製造過程の一工程におけるガラス基板を示した
ものである。
ガラス基板のうち一方のガラス基板を示す平面図であ
り、その製造過程の一工程におけるガラス基板を示した
ものである。
【００２０】同図において、ガラス基板１０がある。こ
のガラス基板１０の主表面には図中ｘ方向に延在しかつ
ｙ方向に並設されたゲート線１１からなるゲート線群が
形成されている。このゲート線群を構成する各ゲート線
１１はたとえばＡｌ層とＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層
との順次積層体から形成されている。
のガラス基板１０の主表面には図中ｘ方向に延在しかつ
ｙ方向に並設されたゲート線１１からなるゲート線群が
形成されている。このゲート線群を構成する各ゲート線
１１はたとえばＡｌ層とＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層
との順次積層体から形成されている。
【００２１】また、このゲート線群と交差するようにし
て、すなわちｙ方向に延在しかつｘ方向に並設されたド
レイン線１２からなるドレイン線群が形成されている。
このドレイン線群を構成する各ドレイン線１２もたとえ
ばＡｌ層とＩＴＯ層との順次積層体から形成されてい
る。
て、すなわちｙ方向に延在しかつｘ方向に並設されたド
レイン線１２からなるドレイン線群が形成されている。
このドレイン線群を構成する各ドレイン線１２もたとえ
ばＡｌ層とＩＴＯ層との順次積層体から形成されてい
る。
【００２２】各ゲート線１１と各ドレイン線１２とはそ
れぞれ層間絶縁膜（図示せず）によって絶縁され、これ
らは互いに接続されないものとなっている。
れぞれ層間絶縁膜（図示せず）によって絶縁され、これ
らは互いに接続されないものとなっている。
【００２３】そして、これら各ゲート線１１およびドレ
イン線１２とで囲まれる領域には、ゲート線１１からの
走査信号によってオンするスイッチング素子１３と、ド
レイン線１２からの映像信号が前記スイッチング素子１
３を介して供給される画素電極１４とが形成されてい
る。
イン線１２とで囲まれる領域には、ゲート線１１からの
走査信号によってオンするスイッチング素子１３と、ド
レイン線１２からの映像信号が前記スイッチング素子１
３を介して供給される画素電極１４とが形成されてい
る。
【００２４】スイッチング素子１３は、たとえば薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）からなるもので、たとえばそのゲ
ート電極はゲート線１１と同一工程で形成され、ゲート
絶縁膜は前記層間絶縁膜と同一工程で形成され、さらに
半導体層（Poly-Si）が形成された後に、ソースおよび
ドレイン電極はドレイン線１２と同一工程で形成される
ようになっている。
ランジスタ（ＴＦＴ）からなるもので、たとえばそのゲ
ート電極はゲート線１１と同一工程で形成され、ゲート
絶縁膜は前記層間絶縁膜と同一工程で形成され、さらに
半導体層（Poly-Si）が形成された後に、ソースおよび
ドレイン電極はドレイン線１２と同一工程で形成される
ようになっている。
【００２５】また、画素電極１４はＩＴＯ層から構成さ
れ、たとえばドレイン層１２を構成するＩＴＯ層と同一
工程で形成されるようになっている。
れ、たとえばドレイン層１２を構成するＩＴＯ層と同一
工程で形成されるようになっている。
【００２６】そして、このような表面加工がなされたガ
ラス基板１０は、その周辺部において後の工程で切断放
棄される領域１０Ａ（点線で示す枠の外方）を備えてお
り、ゲート線１１およびドレイン線１２はそれぞれ該領
域にて形成されたコモンゲート線１１Ａおよびコモンド
レイン線１２Ａにまで延在され接続されている。
ラス基板１０は、その周辺部において後の工程で切断放
棄される領域１０Ａ（点線で示す枠の外方）を備えてお
り、ゲート線１１およびドレイン線１２はそれぞれ該領
域にて形成されたコモンゲート線１１Ａおよびコモンド
レイン線１２Ａにまで延在され接続されている。
【００２７】なお、この実施例では、コモンドレイン線
１２Ａはｘ方向辺のそれぞれにおいて形成され、各ドレ
イン線１２は一つ置きにそれぞれのコモンドレイン線１
２Ａに接続されるようになっている。
１２Ａはｘ方向辺のそれぞれにおいて形成され、各ドレ
イン線１２は一つ置きにそれぞれのコモンドレイン線１
２Ａに接続されるようになっている。
【００２８】ここで、コモンゲート線１１Ａに接続され
る各ゲート線１１における該コモンゲート線１１Ａに近
接する部分には特に高抵抗となっている高抵抗部１１Ｒ
が形成されている。同様に、それぞれのコモンドレイン
線１２Ａに接続される各ドレイン線１２における該コモ
ンドレイン線１２Ａに近接する部分には特に高抵抗とな
っている高抵抗部１２Ｒが形成されている。
る各ゲート線１１における該コモンゲート線１１Ａに近
接する部分には特に高抵抗となっている高抵抗部１１Ｒ
が形成されている。同様に、それぞれのコモンドレイン
線１２Ａに接続される各ドレイン線１２における該コモ
ンドレイン線１２Ａに近接する部分には特に高抵抗とな
っている高抵抗部１２Ｒが形成されている。
【００２９】これら高抵抗部１１Ｒ、１２Ｒは、ドレイ
ン線１２の部分における高抵抗部１２Ｒを拡大した図１
に示すように、比較的面積の大きなＩＴＯ層のみで形成
されている。
ン線１２の部分における高抵抗部１２Ｒを拡大した図１
に示すように、比較的面積の大きなＩＴＯ層のみで形成
されている。
【００３０】このＩＴＯ層は、積層体からなるドレイン
線１２を構成しているＩＴＯ層と一体的に形成されてい
るものであり、たとえば次に示すように製造されてい
る。
線１２を構成しているＩＴＯ層と一体的に形成されてい
るものであり、たとえば次に示すように製造されてい
る。
【００３１】すなわち、ドレイン線１２を形成する際
に、まず、Ａｌ層を前記高抵抗部の部分で切断されたパ
ターンで形成し、さらに、Ａｌ層と積層させて形成する
ＩＴＯ層を前記高抵抗部１２Ｒの部分で比較的面積を大
きくしたパターンで形成する。
に、まず、Ａｌ層を前記高抵抗部の部分で切断されたパ
ターンで形成し、さらに、Ａｌ層と積層させて形成する
ＩＴＯ層を前記高抵抗部１２Ｒの部分で比較的面積を大
きくしたパターンで形成する。
【００３２】この場合、高抵抗部１２のパターンはどの
ような形状であってもよいが、図に示すように特殊な形
状とすることによって、後述のように赤外線をかいした
認識が容易になるという効果を奏するようになる。
ような形状であってもよいが、図に示すように特殊な形
状とすることによって、後述のように赤外線をかいした
認識が容易になるという効果を奏するようになる。
【００３３】なお、図において、ゲート線１１とドレイ
ン線１２との交差部には層間絶縁膜１５が配置され、こ
の層間絶縁膜１５に形成されたピンホール等によってゲ
ート線１１とドレイン線１２との間にショートが生じて
しまう場合がある。
ン線１２との交差部には層間絶縁膜１５が配置され、こ
の層間絶縁膜１５に形成されたピンホール等によってゲ
ート線１１とドレイン線１２との間にショートが生じて
しまう場合がある。
【００３４】次に、このように構成された液晶表示基板
において、ゲート線とドレイン線との間にショートがあ
るか否かの検査について説明する。
において、ゲート線とドレイン線との間にショートがあ
るか否かの検査について説明する。
【００３５】まず、この検査は、図１に示すように、コ
モンゲート線１１Ａとコモンドレイン線１２Ａにそれぞ
れプローブ２０Ａ、２０Ｂを当接させることによって電
圧を印加する。
モンゲート線１１Ａとコモンドレイン線１２Ａにそれぞ
れプローブ２０Ａ、２０Ｂを当接させることによって電
圧を印加する。
【００３６】これにより、たとえば、特に図３に示すゲ
ート線１１とドレイン線１２との間に層間絶縁膜を通し
てショートがなされている場合、電流の流れによって生
じるジュール熱が特に高抵抗となっているゲート線１１
の高抵抗部１１Ｒおよびドレイン線１２の高抵抗部１２
Ｒに発生することになる。このために、これら各高抵抗
部１１Ｒ、１２Ｒにおいて赤外線の放射が顕著となる。
ート線１１とドレイン線１２との間に層間絶縁膜を通し
てショートがなされている場合、電流の流れによって生
じるジュール熱が特に高抵抗となっているゲート線１１
の高抵抗部１１Ｒおよびドレイン線１２の高抵抗部１２
Ｒに発生することになる。このために、これら各高抵抗
部１１Ｒ、１２Ｒにおいて赤外線の放射が顕著となる。
【００３７】そして、この液晶表示基板は、図示しない
赤外線カメラで撮像され、その出力がディジタル化され
た映像情報は、図４に示すように、フレームメモリ３０
に格納されるようになっている。
赤外線カメラで撮像され、その出力がディジタル化され
た映像情報は、図４に示すように、フレームメモリ３０
に格納されるようになっている。
【００３８】フレームメモリ３０に格納された情報は、
赤外線が放射された前記高抵抗部１１Ｒ、１２Ｒの位置
に対応するアドレス（ｘ0、ｙ0）に高輝度の情報が格納
されるようになっている。
赤外線が放射された前記高抵抗部１１Ｒ、１２Ｒの位置
に対応するアドレス（ｘ0、ｙ0）に高輝度の情報が格納
されるようになっている。
【００３９】そして、このフレームメモリ３０の情報か
らは、ｘ方向に並設されたもの同士を加算して同図
（ｂ）に示す信号を取り出すとともに、ｙ方向に並設さ
れたもの同士を加算して同図（ｃ）に示す信号を取り出
すようになっている。
らは、ｘ方向に並設されたもの同士を加算して同図
（ｂ）に示す信号を取り出すとともに、ｙ方向に並設さ
れたもの同士を加算して同図（ｃ）に示す信号を取り出
すようになっている。
【００４０】これらの各信号はシフトレジスタに入力さ
れ、そのピーク点を検出するとともに、そのピーク点に
おける前記フレームメモリのアドレス（ｘ0、ｙ0）を検
出するようになっている。
れ、そのピーク点を検出するとともに、そのピーク点に
おける前記フレームメモリのアドレス（ｘ0、ｙ0）を検
出するようになっている。
【００４１】このアドレス（ｘ0、ｙ0）は、図３のゲー
ト線１１とドレイン線１２との交点の位置に対応し、こ
の点においてショートが生じていることが判定されるよ
うになる。
ト線１１とドレイン線１２との交点の位置に対応し、こ
の点においてショートが生じていることが判定されるよ
うになる。
【００４２】このように構成した液晶表示基板の製造方
法によれば、ゲート線１１の高抵抗部１１Ｒの部分およ
びドレイン線１２の高抵抗部１２Ｒの部分が特に発熱
し、ここの部分からの赤外線の放射量も多くなり、たと
えば赤外線カメラによって検知しようとするゲート線１
１およびドレイン線１２の確認が極めて容易になる。
法によれば、ゲート線１１の高抵抗部１１Ｒの部分およ
びドレイン線１２の高抵抗部１２Ｒの部分が特に発熱
し、ここの部分からの赤外線の放射量も多くなり、たと
えば赤外線カメラによって検知しようとするゲート線１
１およびドレイン線１２の確認が極めて容易になる。
【００４３】したがって、従来、熱源から比較的広範囲
に及んで容易に熱の伝導がなされ隣接するゲート線ある
いはドレイン線にまで加熱することになり、結果とし
て、きわだった赤外線の放射領域を検出することが困難
であるといった弊害を除去できるようになる。
に及んで容易に熱の伝導がなされ隣接するゲート線ある
いはドレイン線にまで加熱することになり、結果とし
て、きわだった赤外線の放射領域を検出することが困難
であるといった弊害を除去できるようになる。
【００４４】上述した実施例で説明すれば、図４
（ｂ）、（ｃ）に示すそれぞれの信号のピークが鮮明に
現れるようになり、従来に見られたようになだらかにな
ってしまうというようなことはなくなる。
（ｂ）、（ｃ）に示すそれぞれの信号のピークが鮮明に
現れるようになり、従来に見られたようになだらかにな
ってしまうというようなことはなくなる。
【００４５】このため、ショート個所の判定を誤りなく
正確に行なうことができるようになる。
正確に行なうことができるようになる。
【００４６】また、高抵抗部１１Ｒ、１２Ｒは、積層体
のうち透明導電層を除く他の材料層を該高抵抗の部分で
切断するパターンで形成していることから、製造工数を
従来のままとし形成することができるようになる。
のうち透明導電層を除く他の材料層を該高抵抗の部分で
切断するパターンで形成していることから、製造工数を
従来のままとし形成することができるようになる。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示基板の製造方法によれば、そのゲ
ート線とドレイン線とのショート検査において、ショー
ト個所の判定を誤りなく正確に行なうことができるよう
になる。
本発明による液晶表示基板の製造方法によれば、そのゲ
ート線とドレイン線とのショート検査において、ショー
ト個所の判定を誤りなく正確に行なうことができるよう
になる。
【図１】本発明による液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す拡大平面図である。
例を示す拡大平面図である。
【図２】本発明による液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す全体平面図である。
例を示す全体平面図である。
【図３】本発明による液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図４】本発明による液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
１１…………………ゲート線 １１Ａ………………コモンゲート線 １１Ｒ………………高抵抗部 １２…………………ドレイン線 １２Ａ………………コモンドレイン線 １２Ｒ………………高抵抗部
Claims (2)
- 【請求項１】 液晶を介して互いに対向配置される透明
基板の少なくとも一方の透明基板の液晶側の面に、ｙ方
向に延在しＸ方向に並設されるゲート線群と、このゲー
ト線群と絶縁されてｘ方向に延在しｙ方向に並設される
ドレイン線群とが形成され、後の工程で切断放棄される
前記透明基板の領域内で前記ゲート線群およびドレイン
線群とがそれぞれコモンゲート線およびコモンドレイン
線によって共通接続されたものであって、 前記コモンゲート線とコモンドレイン線との間に電圧を
印加するとともに、赤外線を放出するゲート線とドレイ
ン線の検出によってそれらのゲート線とドレイン線との
ショートを判定する検査工程を含む液晶表示基板の製造
方法において、 各ゲート線および各ドレイン線のそれぞれのコモンゲー
ト線およびコモンドレイン線に近接する部分に高抵抗の
部分を設けてなることを特徴とする液晶表示基板の製造
方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の発明において、ゲート線
およびドレイン線のうち少なくとも一方は、透明導電層
を含む積層体から構成され、前記高抵抗の部分は前記透
明導電層のみの一層構造となっていることを特徴とする
液晶表示基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19235794A JPH0862625A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 液晶表示基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19235794A JPH0862625A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 液晶表示基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862625A true JPH0862625A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16289938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19235794A Pending JPH0862625A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 液晶表示基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0862625A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100447459B1 (ko) * | 2000-09-28 | 2004-09-07 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 스캐닝선 및 공통선을 가진 액정표시장치 |
| US6812494B2 (en) * | 2000-05-08 | 2004-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2013178176A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Sharp Corp | 欠陥検出方法、欠陥検出装置、および半導体基板の製造方法 |
| JP2014025902A (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Sharp Corp | 欠陥検出方法、欠陥検出装置、および半導体基板の製造方法 |
-
1994
- 1994-08-16 JP JP19235794A patent/JPH0862625A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6812494B2 (en) * | 2000-05-08 | 2004-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| KR100447459B1 (ko) * | 2000-09-28 | 2004-09-07 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 스캐닝선 및 공통선을 가진 액정표시장치 |
| JP2013178176A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Sharp Corp | 欠陥検出方法、欠陥検出装置、および半導体基板の製造方法 |
| JP2014025902A (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Sharp Corp | 欠陥検出方法、欠陥検出装置、および半導体基板の製造方法 |
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