JPH0862443A - ガラス導波路素子の製造方法 - Google Patents
ガラス導波路素子の製造方法Info
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- JPH0862443A JPH0862443A JP19977494A JP19977494A JPH0862443A JP H0862443 A JPH0862443 A JP H0862443A JP 19977494 A JP19977494 A JP 19977494A JP 19977494 A JP19977494 A JP 19977494A JP H0862443 A JPH0862443 A JP H0862443A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板裏面に保護膜を形成することにより、製造
工程中の基板裏面への損傷を防止して、信頼性の高いガ
ラス導波路素子を得る。 【構成】石英ガラス基板１０にコアガラス膜１１を形成
した後、基板１０の裏面にスパッタリング法によりＳｉ
膜（保護膜）１２を形成する。その後、コアガラス膜１
１を加工してコア導波路部１３を形成し、さらに、多孔
質ガラス層１４を堆積し、これを透明ガラス化してクラ
ッド部１５を形成し、この基板１０を所定寸法にダイシ
ング装置によって切り出す。得られたチップ１６を混合
溶液１７に入れてチップ１６裏面のＳｉ膜１２を除去し
てガラス導波路素子１８を作成する。基板取扱い時に、
Ｓｉ膜１２が基板１０の裏面を有効に保護する。
工程中の基板裏面への損傷を防止して、信頼性の高いガ
ラス導波路素子を得る。 【構成】石英ガラス基板１０にコアガラス膜１１を形成
した後、基板１０の裏面にスパッタリング法によりＳｉ
膜（保護膜）１２を形成する。その後、コアガラス膜１
１を加工してコア導波路部１３を形成し、さらに、多孔
質ガラス層１４を堆積し、これを透明ガラス化してクラ
ッド部１５を形成し、この基板１０を所定寸法にダイシ
ング装置によって切り出す。得られたチップ１６を混合
溶液１７に入れてチップ１６裏面のＳｉ膜１２を除去し
てガラス導波路素子１８を作成する。基板取扱い時に、
Ｓｉ膜１２が基板１０の裏面を有効に保護する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信部品の分野に広
範囲な応用を持つガラス導波路素子の製造方法に関し、
特に導波路素子裏面への損傷を防止できるガラス導波路
素子の製造方法に関するものである。
範囲な応用を持つガラス導波路素子の製造方法に関し、
特に導波路素子裏面への損傷を防止できるガラス導波路
素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のガラス導波路素子の製造方法を図
２により説明する。まず、導波路を形成する石英ガラス
基板１に対して電子ビーム蒸着法によりコアガラス膜２
を形成する（図２（ａ））。次に、コアガラス膜２の不
要な部分を反応性イオンエッチングにより除去してコア
導波路部３を形成する（図２（ｂ））。コア導波路部３
を形成した後、火炎堆積法により多孔質ガラス層４を上
記コア導波路部３に堆積させ（図２（ｃ））、さらに電
気炉内で焼結して透明ガラス化させクラッド部５を形成
する（図２（ｄ））。その後、石英ガラス基板１を所定
の寸法にダイシング装置により切り出し、ガラス導波路
素子６を得る（図２（ｅ））。
２により説明する。まず、導波路を形成する石英ガラス
基板１に対して電子ビーム蒸着法によりコアガラス膜２
を形成する（図２（ａ））。次に、コアガラス膜２の不
要な部分を反応性イオンエッチングにより除去してコア
導波路部３を形成する（図２（ｂ））。コア導波路部３
を形成した後、火炎堆積法により多孔質ガラス層４を上
記コア導波路部３に堆積させ（図２（ｃ））、さらに電
気炉内で焼結して透明ガラス化させクラッド部５を形成
する（図２（ｄ））。その後、石英ガラス基板１を所定
の寸法にダイシング装置により切り出し、ガラス導波路
素子６を得る（図２（ｅ））。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような製造工程によりガラス導波路素子を製造する
と、多孔質ガラス層形成後の焼結工程や基板を所定の寸
法に切り出すダイシング工程等において、基板の裏面に
傷を生じさせやすかった。特に、ガラス導波路素子の基
板として上記のように石英ガラス基板を使用している場
合にあっては、基板裏面の傷がガラス導波路素子の割れ
やクラックの要因となり、信頼性に問題があった。
たような製造工程によりガラス導波路素子を製造する
と、多孔質ガラス層形成後の焼結工程や基板を所定の寸
法に切り出すダイシング工程等において、基板の裏面に
傷を生じさせやすかった。特に、ガラス導波路素子の基
板として上記のように石英ガラス基板を使用している場
合にあっては、基板裏面の傷がガラス導波路素子の割れ
やクラックの要因となり、信頼性に問題があった。
【０００４】本発明の目的は、前記した従来技術の欠点
を解消し、導波路素子の裏面に傷のない信頼性の高いガ
ラス導波路素子が得られるガラス導波路素子の製造方法
を提供することにある。
を解消し、導波路素子の裏面に傷のない信頼性の高いガ
ラス導波路素子が得られるガラス導波路素子の製造方法
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のガラス導波路素子の製造方法は、基板上
にコアガラス膜を形成し、コアガラス膜を加工してコア
導波路部を形成し、コア導波路部よりも低い屈折率を有
するクラッド部を形成した後、基板から所定の寸法にガ
ラス導波路素子を切り出してなるガラス導波路素子の製
造方法であって、前記基板上に前記コアガラス膜を形成
した後、コアガラス膜が形成された基板の裏面に金属等
の保護膜を形成し、その後、コアガラス膜を加工してコ
ア導波路部を形成し、コア導波路部上にクラッド部を形
成し、基板から所定の寸法にガラス導波路素子を切り出
した後、ガラス導波路素子の裏面に形成されている前記
保護膜をドライエッチングやウエットエッチングにより
除去するようにしたものである。
めに、本発明のガラス導波路素子の製造方法は、基板上
にコアガラス膜を形成し、コアガラス膜を加工してコア
導波路部を形成し、コア導波路部よりも低い屈折率を有
するクラッド部を形成した後、基板から所定の寸法にガ
ラス導波路素子を切り出してなるガラス導波路素子の製
造方法であって、前記基板上に前記コアガラス膜を形成
した後、コアガラス膜が形成された基板の裏面に金属等
の保護膜を形成し、その後、コアガラス膜を加工してコ
ア導波路部を形成し、コア導波路部上にクラッド部を形
成し、基板から所定の寸法にガラス導波路素子を切り出
した後、ガラス導波路素子の裏面に形成されている前記
保護膜をドライエッチングやウエットエッチングにより
除去するようにしたものである。
【０００６】また、本発明のガラス導波路素子の製造方
法は、上記保護膜として、電子ビーム蒸着法やスパッタ
リング法を用いてＷＳｉ，ＣｒあるいはＳｉの膜を形成
するようにしたものである。
法は、上記保護膜として、電子ビーム蒸着法やスパッタ
リング法を用いてＷＳｉ，ＣｒあるいはＳｉの膜を形成
するようにしたものである。
【０００７】
【作用】コアガラス膜を加工してコア導波路部を形成す
る導波路コア加工工程の前に、基板裏面を金属等の保護
膜で保護しているので、その後の基板裏面に傷を生じさ
せやすい工程、例えば多孔質ガラス層形成後の焼結工程
や基板を切り出すダイシング工程において、基板の裏面
への損傷を確実に防止できる。
る導波路コア加工工程の前に、基板裏面を金属等の保護
膜で保護しているので、その後の基板裏面に傷を生じさ
せやすい工程、例えば多孔質ガラス層形成後の焼結工程
や基板を切り出すダイシング工程において、基板の裏面
への損傷を確実に防止できる。
【０００８】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図１を用いて説
明する。
明する。
【０００９】まず、厚さ１mmで３インチ径の石英ガラス
基板１０上に電子ビーム蒸着法を用いて、厚さ８μｍの
ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 系のコアガラス膜１１を形成した
（図１（ａ））。次いで、コアガラス膜１１を形成した
石英ガラス基板１０の裏面にスパッタリング法により保
護膜として厚さ５μｍのＳｉ膜１２を形成した（図１
（ｂ））。
基板１０上に電子ビーム蒸着法を用いて、厚さ８μｍの
ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 系のコアガラス膜１１を形成した
（図１（ａ））。次いで、コアガラス膜１１を形成した
石英ガラス基板１０の裏面にスパッタリング法により保
護膜として厚さ５μｍのＳｉ膜１２を形成した（図１
（ｂ））。
【００１０】その後、コアガラス膜１１に対して、フォ
トリソグラフィ及び反応性イオンエッチングを用いて不
要な部分を除去してコア導波路部１３を形成した（図１
（ｃ））。次に、火炎堆積法により多孔質ガラス層１４
を石英ガラス基板１０のコア導波路部１３上に堆積させ
（図１（ｄ））、さらに、この多孔質ガラス層１４を電
気炉内で焼結して透明ガラス化させクラッド部１５を形
成した（図１（ｅ））。
トリソグラフィ及び反応性イオンエッチングを用いて不
要な部分を除去してコア導波路部１３を形成した（図１
（ｃ））。次に、火炎堆積法により多孔質ガラス層１４
を石英ガラス基板１０のコア導波路部１３上に堆積させ
（図１（ｄ））、さらに、この多孔質ガラス層１４を電
気炉内で焼結して透明ガラス化させクラッド部１５を形
成した（図１（ｅ））。
【００１１】次いで、この石英ガラス基板１０をダイシ
ング装置にセットし、所定の寸法に切断してチップ１６
を作製した（図１（ｆ））。さらに、これらチップ１６
の裏面に形成されている厚さ５μｍのＳｉ膜１２をフッ
酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3）の混合溶液１７に入れて
Ｓｉ膜１２を溶解させ（図１（ｇ））、その後、有機溶
剤で洗浄してガラス導波路素子１８を得た（図１
（ｈ））。得られたガラス導波路素子１８の裏面には、
従来法では存在した傷が全くなく、極めて信頼性の高い
ガラス導波路素子を作製できた。
ング装置にセットし、所定の寸法に切断してチップ１６
を作製した（図１（ｆ））。さらに、これらチップ１６
の裏面に形成されている厚さ５μｍのＳｉ膜１２をフッ
酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3）の混合溶液１７に入れて
Ｓｉ膜１２を溶解させ（図１（ｇ））、その後、有機溶
剤で洗浄してガラス導波路素子１８を得た（図１
（ｈ））。得られたガラス導波路素子１８の裏面には、
従来法では存在した傷が全くなく、極めて信頼性の高い
ガラス導波路素子を作製できた。
【００１２】なお、上記実施例においては、石英ガラス
基板１０の裏面に保護膜としてＳｉ膜を形成させたが、
基板裏面への損傷を防止できる強度を有し、エッチング
による除去などその取扱いに適したものならば、ＷＳｉ
やＣｒなどで保護膜を形成しても勿論よい。また、保護
膜の形成法としては、上記実施例のスパッタリング法に
限らず、電子ビーム蒸着法などを用いてもよい。さら
に、保護膜の除去は、ドライエッチングにより行っても
よい。また、基板は石英ガラスでなく、シリコン製の基
板でもよい。
基板１０の裏面に保護膜としてＳｉ膜を形成させたが、
基板裏面への損傷を防止できる強度を有し、エッチング
による除去などその取扱いに適したものならば、ＷＳｉ
やＣｒなどで保護膜を形成しても勿論よい。また、保護
膜の形成法としては、上記実施例のスパッタリング法に
限らず、電子ビーム蒸着法などを用いてもよい。さら
に、保護膜の除去は、ドライエッチングにより行っても
よい。また、基板は石英ガラスでなく、シリコン製の基
板でもよい。
【００１３】また、コアガラス膜１１から不要な部分を
除去する導波路コア加工工程中に、基板１１裏面の保護
膜としても使用できるＷＳｉ膜などをコアガラス膜１１
側にも施す場合には、基板１１の両面に相前後してＷＳ
ｉなどの膜形成を行えば、製造工程の手数や時間を軽減
できる。
除去する導波路コア加工工程中に、基板１１裏面の保護
膜としても使用できるＷＳｉ膜などをコアガラス膜１１
側にも施す場合には、基板１１の両面に相前後してＷＳ
ｉなどの膜形成を行えば、製造工程の手数や時間を軽減
できる。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、基板上のコアガラス膜を加工してコア導波路
部を形成する導波路コア加工工程前に、基板の裏面に金
属などの保護膜を設けることで、以降の工程における基
板取扱時に基板裏面に傷を付けることを防止でき、ガラ
ス導波路素子の割れやクラックの発生がなくなり、信頼
性の高いガラス導波路素子を歩留りよく製造することが
できる。
によれば、基板上のコアガラス膜を加工してコア導波路
部を形成する導波路コア加工工程前に、基板の裏面に金
属などの保護膜を設けることで、以降の工程における基
板取扱時に基板裏面に傷を付けることを防止でき、ガラ
ス導波路素子の割れやクラックの発生がなくなり、信頼
性の高いガラス導波路素子を歩留りよく製造することが
できる。
【図１】本発明のガラス導波路素子の製造方法の一実施
例を示す工程図である。
例を示す工程図である。
【図２】従来のガラス導波路素子の製造方法を示す工程
図である。
図である。
１０ 石英ガラス基板 １１ コアガラス膜 １２ Ｓｉ膜（保護膜） １３ コア導波路部 １４ 多孔質ガラス層 １５ クラッド部 １７ 混合溶液 １８ ガラス導波路素子
Claims (2)
- 【請求項１】基板上にコアガラス膜を形成し、コアガラ
ス膜を加工してコア導波路部を形成し、コア導波路部よ
りも低い屈折率を有するクラッド部を形成した後、基板
から所定の寸法にガラス導波路素子を切り出してなるガ
ラス導波路素子の製造方法において、前記基板上に前記
コアガラス膜を形成した後、コアガラス膜が形成された
基板の裏面に金属等の保護膜を形成し、その後、コアガ
ラス膜を加工してコア導波路部を形成し、コア導波路部
上にクラッド部を形成し、基板から所定の寸法にガラス
導波路素子を切り出した後、ガラス導波路素子の裏面に
形成されている前記保護膜をドライエッチングやウエッ
トエッチングにより除去するようにしたことを特徴とす
るガラス導波路素子の製造方法。 - 【請求項２】前記保護膜として、電子ビーム蒸着法やス
パッタリング法を用いてＷＳｉ，ＣｒあるいはＳｉの膜
を形成するようにしたことを特徴とする請求項１記載の
ガラス導波路素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19977494A JP3139300B2 (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | ガラス導波路素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19977494A JP3139300B2 (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | ガラス導波路素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862443A true JPH0862443A (ja) | 1996-03-08 |
| JP3139300B2 JP3139300B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=16413397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19977494A Expired - Fee Related JP3139300B2 (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | ガラス導波路素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3139300B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011048150A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 光電気フレキシブル配線板の製造方法 |
-
1994
- 1994-08-24 JP JP19977494A patent/JP3139300B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011048150A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 光電気フレキシブル配線板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3139300B2 (ja) | 2001-02-26 |
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Legal Events
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