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JPH086047A - Inspection method of active matrix substrate - Google Patents

Inspection method of active matrix substrate

Info

Publication number
JPH086047A
JPH086047A JP13742094A JP13742094A JPH086047A JP H086047 A JPH086047 A JP H086047A JP 13742094 A JP13742094 A JP 13742094A JP 13742094 A JP13742094 A JP 13742094A JP H086047 A JPH086047 A JP H086047A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data signal
signal
drive circuit
lines
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP13742094A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naoyuki Shimada
尚幸 島田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP13742094A priority Critical patent/JPH086047A/en
Publication of JPH086047A publication Critical patent/JPH086047A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To inspect the shorting defect between adjacent data signal lines within a display part, the shorting defect between adjacent pixel electrodes and the shorting defect between the pixel electrodes and the adjacent data signal lines prior to liquid crystal injection without using a costly inspection system and intricate measuring system. CONSTITUTION:Inspection signals are inputted to input terminals 18b, 18c of video signal input lines 16b, 16c to operate a data signal driving circuit 11. The potential or current generated at the input terminal 18a of the video signal input line 16a is then measured.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置等に用い
られるアクティブマトリクス基板の検査方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for inspecting an active matrix substrate used in a liquid crystal display device or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、液晶表示装置、EL表示装
置、プラズマ表示装置などの表示装置の駆動方式とし
て、マトリクス状に配列された画素電極の各々にスイッ
チング素子を接続して選択駆動することにより表示パタ
ーンを形成するアクティブマトリクス駆動方式が知られ
ている。このアクティブマトリクス駆動方式は、高コン
トラストな表示が可能であり、例えば、液晶テレビジョ
ン、ワードプロセッサ、コンピュータの端末表示装置な
どに実用化されている。また、画素電極を選択駆動する
スイッチング素子としては、TFT(薄膜トランジス
タ)素子、MIM(metal-insulator-metal)素子、M
OS(metal-oxide-semiconductor)トランジスタ素
子、ダイオード、バリスタなどが一般に知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a driving method of a display device such as a liquid crystal display device, an EL display device and a plasma display device, a switching element is connected to each of pixel electrodes arranged in a matrix and selectively driven. An active matrix driving method for forming a display pattern is known. This active matrix drive system is capable of high-contrast display, and has been put to practical use in, for example, liquid crystal televisions, word processors, and terminal display devices of computers. Further, as a switching element for selectively driving the pixel electrode, a TFT (thin film transistor) element, a MIM (metal-insulator-metal) element, an M
OS (metal-oxide-semiconductor) transistor elements, diodes, varistors, etc. are generally known.

【0003】アクティブマトリクス駆動方式の表示装置
に用いられるアクティブマトリクス基板は、画素電極と
画素電極を選択駆動するスイッチング素子とが形成され
た表示部と、表示部を駆動する駆動回路とを有する。従
来、この駆動回路は単結晶シリコンなどの集積回路をタ
ブボンドまたはCOG(チップオンガラス)ボンドなど
の方法により表示部が形成されたアクティブマトリクス
基板にボンディングして設けている。しかし、近年、表
示部と駆動回路とを同一基板上に同時に形成するドライ
バモノリシック型のアクティブマトリクス基板の研究が
盛んに行われている。通常のアクティブマトリクス基板
においては高価なドライバLSIを多数必要とするが、
ドライバモノリシック型のアクティブマトリクス基板に
おいては、ドライバ回路は表示部に形成されるスイッチ
ング素子と同時に形成され、表示装置の低コスト化を図
ることができる。また、表示部の周辺のわずか数mmの
領域に全ての周辺機能が集積化されるので、モジュール
全体をコンパクト化することができ、実装工程を簡略化
できるなど、アクティブマトリクス基板をドライバモノ
リシック化することによるメリットは大きい。
An active matrix substrate used in an active matrix drive type display device has a display section in which pixel electrodes and switching elements for selectively driving the pixel electrodes are formed, and a drive circuit for driving the display section. Conventionally, this drive circuit is provided by bonding an integrated circuit of single crystal silicon or the like to an active matrix substrate on which a display unit is formed by a method such as tab bonding or COG (chip on glass) bonding. However, in recent years, research on a driver monolithic active matrix substrate in which a display section and a drive circuit are simultaneously formed on the same substrate has been actively conducted. A normal active matrix substrate requires a large number of expensive driver LSIs,
In the driver monolithic type active matrix substrate, the driver circuit is formed at the same time as the switching element formed in the display portion, so that the cost of the display device can be reduced. Further, since all peripheral functions are integrated in an area of only a few mm around the display unit, the entire module can be made compact and the mounting process can be simplified. The merits of this are great.

【0004】図1に、ドライバモノリシック型のアクテ
ィブマトリクス基板を用いた液晶表示装置の一例を示
す。この液晶表示装置のアクティブマトリクス基板は、
複数の走査信号線6および複数のデータ信号線5が互い
に交差する状態で形成され、走査信号線およびデータ信
号線の交差部近傍にスイッチング素子としてのTFT7
と、TFT7のドレイン電極に接続された画素容量9お
よび画素電極が形成されて表示部となっている。
FIG. 1 shows an example of a liquid crystal display device using a driver monolithic active matrix substrate. The active matrix substrate of this liquid crystal display device is
The plurality of scanning signal lines 6 and the plurality of data signal lines 5 are formed in a state of intersecting each other, and the TFT 7 as a switching element is provided in the vicinity of the intersection of the scanning signal lines and the data signal lines.
Then, the pixel capacitor 9 and the pixel electrode connected to the drain electrode of the TFT 7 are formed to form a display section.

【0005】この基板上の表示部周辺には、TFT7の
駆動を制御する走査信号を走査信号線6に出力する走査
信号駆動回路(ゲート駆動回路)12と、データ信号線
5にデータ信号を出力するデータ信号駆動回路11とが
形成されている。データ信号駆動回路11はシフトレジ
スタ13、データ信号が入力される映像信号入力端子1
8a、18b、18cを各々備えた映像信号入力線16
a、16b、16c、および映像信号入力線とデータ信
号線5との間に介在し、シフトレジスタ13からの出力
によって制御されるアナログスイッチ14から構成され
ている。
A scan signal drive circuit (gate drive circuit) 12 for outputting a scan signal for controlling the drive of the TFT 7 to the scan signal line 6 and a data signal for output to the data signal line 5 are provided around the display portion on the substrate. And a data signal drive circuit 11 that operates. The data signal drive circuit 11 includes a shift register 13 and a video signal input terminal 1 to which a data signal is input.
Video signal input line 16 including 8a, 18b, and 18c, respectively
a, 16b, 16c, and an analog switch 14 interposed between the video signal input line and the data signal line 5 and controlled by the output from the shift register 13.

【0006】かかる構成のアクティブマトリクス基板に
対し、対向電極が形成された対向基板を対向させ、アク
ティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶が封入さ
れ、前記画素電極と対向電極との対向部分に、画素容量
9と並列に電気的容量として機能する画素8が形成され
る。また、各画素容量9の一方の端子およびデータ信号
線5の付加容量15の一方の端子は、画素容量共通配線
10を通じて画素容量接地端子17に接続されて対向基
板上の対向電極と共に接地される。
The counter substrate on which the counter electrode is formed is made to face the active matrix substrate having such a structure, liquid crystal is sealed between the active matrix substrate and the counter substrate, and the liquid crystal is sealed between the pixel electrode and the counter electrode. Pixels 8 functioning as electric capacitors are formed in parallel with the pixel capacitors 9. Further, one terminal of each pixel capacitor 9 and one terminal of the additional capacitor 15 of the data signal line 5 are connected to the pixel capacitor ground terminal 17 through the pixel capacitor common wiring 10 and grounded together with the counter electrode on the counter substrate. .

【0007】一般に、アクティブマトリクス基板におい
ては良品率が低く、その結果製造コストが高いことが問
題となる。ドライバモノリシック型のアクティブマトリ
クス基板の場合には駆動回路部よりも表示部の方が良品
率が低く、表示部の良品率の改善が大きな課題となって
いる。この良品率改善のためには欠陥の検査方法の開発
が不可欠である。特に、液晶注入前に検査を行って良品
と不良品とを振り分けることは、以後の工程でのコスト
削減および製造プロセスへの早期フィードバックにつな
がるので、重要な技術である。
In general, the active matrix substrate has a low non-defective rate, resulting in a high manufacturing cost. In the case of a driver monolithic type active matrix substrate, the non-defective product ratio of the display unit is lower than that of the drive circuit unit, and improvement of the non-defective product ratio of the display unit is a major issue. In order to improve the non-defective rate, it is essential to develop a defect inspection method. In particular, it is an important technique to perform inspection before liquid crystal injection to sort good products and defective products, because it leads to cost reduction in subsequent steps and early feedback to the manufacturing process.

【0008】表示部を液晶注入前に検査する方法とし
て、例えば特開平5−158056号公報には、画素容
量接地端子に直流または方形波の信号を入力し、映像信
号入力端子に出力される信号から画素容量の短絡などの
画素欠陥を検出する方法が開示されている。また、特開
昭57−38498号公報には、各画素の付加容量への
信号書き込みおよび保持特性を調べることによって点欠
陥まで含めた検査を行う方法が開示されている。さら
に、特開平2−72392号公報には、走査信号を入力
し、各データバスラインに流れる電流を測定することに
よって走査信号線とデータ信号線との間の短絡欠陥を検
査する方法が開示されている。
As a method of inspecting the display section before injecting liquid crystal, for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 158056/1993, a signal output from a video signal input terminal by inputting a DC or square wave signal into a pixel capacitance ground terminal. Discloses a method of detecting a pixel defect such as a short circuit of pixel capacitance. Further, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 57-38498 discloses a method of inspecting even a point defect by writing a signal to an additional capacitance of each pixel and examining a holding characteristic. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-72392 discloses a method of inspecting a short circuit defect between a scanning signal line and a data signal line by inputting a scanning signal and measuring a current flowing through each data bus line. ing.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述のアクティブマト
リクス基板を液晶注入前に検査する方法には、以下のよ
うな問題があった。
The method of inspecting the above-mentioned active matrix substrate before injecting the liquid crystal has the following problems.

【0010】特開平5−158056号公報に開示され
ている方法では、各画素の画素容量の短絡欠陥および表
示部のTFTのオープン/ショート欠陥は検査できる
が、隣接するデータ信号線間の短絡欠陥および隣接する
画素電極間の短絡欠陥を検査することができない。これ
らの欠陥モードは各々を構成する薄膜層のパターニング
時の異常によって高い頻度で発生するので検査項目とし
て重要であり、これらの欠陥モードを検出できないのは
大きな問題である。また、隣接するデータ信号線間で対
応する映像信号の極性を反転させる駆動法はフリッカを
抑制するのに有効であるが、この駆動方法を用いた場合
に隣接するデータ信号線間の短絡欠陥および隣接する画
素電極間の短絡欠陥があると、そこで映像信号がキャン
セルされる。このため、ノーマリホワイト表示において
は複数の信号線または複数の画素が輝線または輝点欠陥
なって、表示装置として致命的である。特開昭57−3
8498号公報に開示されている方法では、隣接するデ
ータ信号線間の短絡欠陥および隣接する画素電極間の短
絡欠陥をも含む全ての欠陥モードについての検査を行う
ことが原理的に可能である。しかし、ドライバモノリシ
ック型アクティブマトリクス基板においては映像信号線
の寄生容量が数10pFのオーダーで非常に大きく、検
出される信号が数mVという微小なものになるのでS/
Nを改善する必要がある。また、膨大な測定データを高
速で解析する必要があるので検査システムが非常に高価
なものになるという問題がある。特開平2−72392
号公報に開示されている方法では、各データバスライン
毎にプロービングして電流値の測定を行う必要があるの
で測定系が非常に複雑になる。また、バスラインのピッ
チが数10mmという高精細の液晶表示装置では、プロ
ービング自体が困難になるという問題がある。
According to the method disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-158056, the short circuit defect of the pixel capacitance of each pixel and the open / short circuit defect of the TFT of the display section can be inspected, but the short circuit defect between the adjacent data signal lines. Also, it is not possible to inspect for short circuit defects between adjacent pixel electrodes. These defect modes are important as inspection items because they occur at high frequencies due to abnormalities during patterning of the thin film layers forming each of them, and it is a serious problem that these defect modes cannot be detected. Further, a driving method of inverting the polarity of the corresponding video signal between adjacent data signal lines is effective in suppressing flicker. However, when this driving method is used, a short circuit defect between adjacent data signal lines and If there is a short circuit defect between adjacent pixel electrodes, the video signal is canceled there. Therefore, in normally white display, a plurality of signal lines or a plurality of pixels are defective in bright lines or bright spots, which is fatal as a display device. JP-A-57-3
In the method disclosed in Japanese Patent No. 8498, it is possible in principle to inspect all defect modes including a short circuit defect between adjacent data signal lines and a short circuit defect between adjacent pixel electrodes. However, in the driver monolithic active matrix substrate, the parasitic capacitance of the video signal line is very large on the order of several tens of pF, and the detected signal is as small as several mV.
N needs to be improved. Further, there is a problem that the inspection system becomes very expensive because it is necessary to analyze a huge amount of measurement data at high speed. JP-A-2-72392
In the method disclosed in the publication, it is necessary to probe each data bus line to measure the current value, which makes the measurement system very complicated. Further, in a high-definition liquid crystal display device having a bus line pitch of several tens of mm, there is a problem that probing itself becomes difficult.

【0011】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであり、高価な検査システムや複
雑な測定系を用いなくても、表示部内の隣接するデータ
信号線間の短絡欠陥、隣接する画素電極間の短絡欠陥、
および画素電極と該画素電極に隣接するデータ信号線と
の短絡欠陥を検査することができるアクティブマトリク
ス基板の検査方法を提供することを目的とする。他の目
的は、画素容量の短絡欠陥を検査することができるアク
ティブマトリクス基板の検査方法を提供することにあ
る。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and short-circuits between adjacent data signal lines in the display section without using an expensive inspection system or a complicated measurement system. Defects, short circuit defects between adjacent pixel electrodes,
Another object of the present invention is to provide an inspection method for an active matrix substrate, which can inspect a short circuit defect between a pixel electrode and a data signal line adjacent to the pixel electrode. Another object of the present invention is to provide a method of inspecting an active matrix substrate capable of inspecting a short circuit defect in pixel capacitance.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板の検査方法は、複数の走査信号線および複数
のデータ信号線が互いに交差する状態で形成され、該走
査信号線およびデータ信号線の交差部近傍にスイッチン
グ素子と該スイッチング素子に接続された画素電極およ
び画素容量とがマトリクス状に形成された基板上に、該
走査信号線にスイッチング素子を制御する走査信号を出
力する走査信号駆動回路と、該データ信号線にデータ信
号を出力するデータ信号駆動回路とが形成され、該デー
タ信号駆動回路にはデータ信号が入力される映像信号入
力端子を各々備えた映像信号入力線が複数本形成されて
いるアクティブマトリクス基板の検査方法であって、複
数の映像信号入力端子の一部に検査信号を入力してデー
タ信号駆動回路を動作させ、他の映像信号入力端子に生
じる電位または電流を測定することによりデータ信号線
間の短絡欠陥、画素電極間の短絡欠陥または画素電極と
該画素電極に隣接するデータ信号線との間の短絡欠陥を
検出するので、そのことにより上記目的が達成される。
According to an active matrix substrate inspection method of the present invention, a plurality of scanning signal lines and a plurality of data signal lines are formed so as to intersect with each other, and the scanning signal lines and the data signal lines intersect with each other. A scanning signal drive circuit for outputting a scanning signal for controlling the switching element to the scanning signal line on a substrate on which a switching element, a pixel electrode connected to the switching element, and a pixel capacitance are formed in a matrix shape in the vicinity of the area; A data signal drive circuit for outputting a data signal to the data signal line is formed, and the data signal drive circuit is formed with a plurality of video signal input lines each having a video signal input terminal to which a data signal is input. In the method for inspecting an active matrix substrate, an inspection signal is input to a part of a plurality of video signal input terminals to form a data signal drive circuit. And short circuit defect between data signal lines, short circuit defect between pixel electrodes or between the pixel electrode and the data signal line adjacent to the pixel electrode by measuring the potential or current generated in another video signal input terminal. Short circuit defects are detected, thereby achieving the above objective.

【0013】ある実施態様では、前記スイッチング素子
を全てオフ状態にして検査を行い、他の実施態様では、
前記スイッチング素子を全てオン状態にして検査を行
う。
In one embodiment, all of the switching elements are turned off for inspection, and in another embodiment,
All the switching elements are turned on and the inspection is performed.

【0014】ある実施態様では、前記データ信号駆動回
路と共に走査信号回路も駆動させて検査を行う。
In one embodiment, the inspection is performed by driving the scanning signal circuit together with the data signal driving circuit.

【0015】本発明のアクティブマトリクス基板の検査
方法は、複数の走査信号線および複数のデータ信号線が
互いに交差する状態で形成され、該走査信号線およびデ
ータ信号線の交差部近傍にスイッチング素子と該スイッ
チング素子に接続された画素電極および画素容量とがマ
トリクス状に形成された基板上に、該走査信号線にスイ
ッチング素子を制御する走査信号を出力する走査信号駆
動回路と、該データ信号線にデータ信号を出力するデー
タ信号駆動回路とが形成され、該データ信号駆動回路に
はデータ信号が入力される映像信号入力端子を各々備え
た映像信号入力線が複数本形成されているアクティブマ
トリクス基板の検査方法であって、複数の映像信号入力
端子の一部に検査信号を入力して走査信号駆動回路を動
作させ、他の映像信号入力端子に生じる電位または電流
を測定することによりデータ信号線間の短絡欠陥、画素
電極間の短絡欠陥または画素電極と該画素電極に隣接す
るデータ信号線との間の短絡欠陥を検出するので、その
ことにより上記目的が達成される。
According to the active matrix substrate inspection method of the present invention, a plurality of scanning signal lines and a plurality of data signal lines are formed so as to intersect with each other, and a switching element and a switching element are provided near the intersections of the scanning signal lines and the data signal lines. A scanning signal drive circuit that outputs a scanning signal for controlling the switching element to the scanning signal line and a data signal line on the substrate on which pixel electrodes and pixel capacitors connected to the switching element are formed in a matrix. A data signal drive circuit for outputting a data signal is formed, and the data signal drive circuit is provided with a plurality of video signal input lines each having a video signal input terminal to which a data signal is input. An inspection method, in which an inspection signal is input to a part of a plurality of video signal input terminals to operate a scanning signal drive circuit and another image is input. Since the short circuit defect between the data signal lines, the short circuit defect between the pixel electrodes or the short circuit defect between the pixel electrode and the data signal line adjacent to the pixel electrode is detected by measuring the potential or the current generated at the signal input terminal. Therefore, the above object is achieved.

【0016】ある実施態様では、前記データ信号駆動回
路内に設けられ、前記映像信号入力線と前記データ信号
線との間に介在するアナログスイッチを全てオン状態に
して検査を行う。
In one embodiment, the inspection is performed by turning on all analog switches provided in the data signal drive circuit and interposed between the video signal input line and the data signal line.

【0017】本発明のアクティブマトリクス基板の検査
方法は、複数の走査信号線および複数のデータ信号線が
互いに交差する状態で形成され、該走査信号線およびデ
ータ信号線の交差部近傍にスイッチング素子と該スイッ
チング素子に接続された画素電極および画素容量とがマ
トリクス状に形成された基板上に、該走査信号線にスイ
ッチング素子を制御する走査信号を出力する走査信号駆
動回路と、該データ信号線にデータ信号を出力するデー
タ信号駆動回路とが形成され、該データ信号駆動回路に
はデータ信号が入力される映像信号入力端子を備えた映
像信号入力線が形成されているアクティブマトリクス基
板の検査方法であって、該映像信号入力端子に抵抗を介
して検査信号を入力してデータ信号駆動回路または走査
信号駆動回路を動作させ、該映像信号入力端子に生じる
電位または電流を測定することにより画素容量の短絡欠
陥を検出するので、そのことにより上記目的が達成され
る。
According to the active matrix substrate inspection method of the present invention, a plurality of scanning signal lines and a plurality of data signal lines are formed in a state where they intersect with each other, and a switching element and a switching element are provided near the intersections of the scanning signal lines and the data signal lines. A scanning signal drive circuit that outputs a scanning signal for controlling the switching element to the scanning signal line and a data signal line on the substrate on which pixel electrodes and pixel capacitors connected to the switching element are formed in a matrix. A data signal driving circuit for outputting a data signal is formed, and the data signal driving circuit is formed with a video signal input line having a video signal input terminal for inputting a data signal. Therefore, the inspection signal is input to the video signal input terminal through a resistor to drive the data signal drive circuit or the scan signal drive circuit. It is, and detects the short defect of the pixel capacitor by measuring a potential or current generated in the video signal input terminal, the above-mentioned object can be achieved by it.

【0018】本発明のアクティブマトリクス基板の検査
方法は、複数の走査信号線および複数のデータ信号線が
互いに交差する状態で形成され、該走査信号線およびデ
ータ信号線の交差部近傍にスイッチング素子と該スイッ
チング素子に接続された画素電極および画素容量とがマ
トリクス状に形成された基板上に、該走査信号線にスイ
ッチング素子を制御する走査信号を出力する走査信号駆
動回路と、該データ信号線にデータ信号を出力するデー
タ信号駆動回路とが形成され、該データ信号駆動回路に
はデータ信号が入力される映像信号入力端子を各々備え
た映像信号入力線が複数本形成されているアクティブマ
トリクス基板の検査方法であって、複数の映像信号入力
端子の一部に抵抗を介して検査信号を入力してデータ信
号駆動回路または走査信号駆動回路を動作させ、該映像
信号入力端子および他の映像信号入力端子に生じる電位
または電流を測定することにより画素容量の短絡欠陥、
データ信号線間の短絡欠陥、画素電極間の短絡欠陥また
は画素電極と該画素電極に隣接するデータ信号線との間
の短絡欠陥を検出するので、そのことにより上記目的が
達成される。
According to the active matrix substrate inspection method of the present invention, a plurality of scanning signal lines and a plurality of data signal lines are formed in a state where they intersect with each other, and a switching element and a switching element are provided near the intersections of the scanning signal lines and the data signal lines. A scanning signal drive circuit that outputs a scanning signal for controlling the switching element to the scanning signal line and a data signal line on the substrate on which pixel electrodes and pixel capacitors connected to the switching element are formed in a matrix. A data signal drive circuit for outputting a data signal is formed, and the data signal drive circuit is provided with a plurality of video signal input lines each having a video signal input terminal to which a data signal is input. An inspection method, in which an inspection signal is input to a part of a plurality of video signal input terminals through resistors to drive a data signal drive circuit or Short defect of the pixel capacitor by scanning signal No. driving circuit is operated to measure the potential or current generated in the video signal input terminal and other video signal input terminal,
Since the short circuit defect between the data signal lines, the short circuit defect between the pixel electrodes, or the short circuit defect between the pixel electrode and the data signal line adjacent to the pixel electrode is detected, the above object is achieved thereby.

【0019】ある実施態様では、前記データ信号駆動回
路内のサンプリングパルスのパルス幅をサンプリング周
期の2倍以上にして検査を行う。
In one embodiment, the inspection is performed by setting the pulse width of the sampling pulse in the data signal drive circuit to twice the sampling period or more.

【0020】ある実施態様では、検査時の駆動周波数
を、実際に表示するときの駆動周波数以下、かつ、実際
に表示するときの駆動周波数の1/100以上にして検
査を行う。
In one embodiment, the inspection is performed by setting the drive frequency at the time of inspection to be equal to or lower than the drive frequency at the time of actual display and at least 1/100 of the drive frequency at the time of actual display.

【0021】ある実施態様では、前記映像信号入力端子
に1kΩ以上1MΩ以下の抵抗を接続して検査を行う。
In one embodiment, a test is conducted by connecting a resistance of 1 kΩ or more and 1 MΩ or less to the video signal input terminal.

【0022】[0022]

【作用】複数の映像信号入力端子の一部に検査信号を入
力し、他の映像信号入力端子の電位または電流を測定す
る。表示部に形成されるスイッチング素子を全てオン状
態または全てオフ状態にしてデータ信号駆動回路を動作
させると、短絡欠陥を起こしている画素に対応するデー
タ信号線が選択されたタイミングで欠陥に対応した信号
が出力される。データ信号駆動回路内に設けられ、映像
信号入力線とデータ信号線との間に介在するアナログス
イッチを全てオンにして走査信号駆動回路を動作させる
と、短絡欠陥を起こしている画素に対応する走査信号線
が選択されたタイミングで欠陥に対応した信号が出力さ
れる。データ信号駆動回路と走査信号駆動回路とを同時
に動作させると、短絡欠陥を起こしている画素に対応す
る走査信号線が選択され、かつ、その画素に対応するデ
ータ信号線が選択されたタイミングで欠陥に対応した信
号が出力される。よって、データ信号線間の短絡欠陥、
画素電極間の短絡欠陥または画素電極とこの画素電極に
隣接するデータ信号線との間の短絡欠陥を検出すること
ができる。
The inspection signal is input to a part of the plurality of video signal input terminals, and the potential or current of the other video signal input terminals is measured. When the data signal drive circuit is operated with all of the switching elements formed in the display section in the on state or all in the off state, the data signal line corresponding to the pixel causing the short circuit defect corresponds to the defect at the selected timing. The signal is output. When the scanning signal drive circuit is operated by turning on all the analog switches provided in the data signal drive circuit between the video signal input line and the data signal line, the scanning corresponding to the pixel causing the short circuit defect is performed. A signal corresponding to the defect is output at the timing when the signal line is selected. When the data signal drive circuit and the scan signal drive circuit are simultaneously operated, the scan signal line corresponding to the pixel having the short circuit defect is selected, and the data signal line corresponding to the pixel is defective at the selected timing. A signal corresponding to is output. Therefore, a short circuit defect between the data signal lines,
A short circuit defect between pixel electrodes or a short circuit defect between a pixel electrode and a data signal line adjacent to this pixel electrode can be detected.

【0023】映像信号入力端子(複数形成されている場
合にはその一部)に抵抗を介して検査信号を入力し、映
像信号入力端子に生じる電流または電位の降下を測定す
ると、画素容量の短絡欠陥、データ信号線間の短絡欠
陥、画素電極間の短絡欠陥または画素電極とこの画素電
極に隣接するデータ信号線との間の短絡欠陥を検出する
ことができる。
When a test signal is input to a video signal input terminal (if a plurality of them are formed) via a resistor and the drop in the current or potential generated at the video signal input terminal is measured, the pixel capacitance is short-circuited. A defect, a short circuit defect between data signal lines, a short circuit defect between pixel electrodes, or a short circuit defect between a pixel electrode and a data signal line adjacent to this pixel electrode can be detected.

【0024】データ信号駆動回路内のサンプリングパル
スのパルス幅をサンプリング周期の2倍以上にして検査
を行うと、短絡欠陥に対応するパルスが重なった場合に
出力信号レベルが高くなる。よってS/Nを改善するこ
とができる。
When the pulse width of the sampling pulse in the data signal drive circuit is set to be twice the sampling period or more and the inspection is performed, the output signal level becomes high when the pulses corresponding to the short circuit defect overlap. Therefore, the S / N can be improved.

【0025】データ信号駆動回路および走査信号駆動回
路の駆動周波数を、実際に表示するときの駆動周波数以
下にすることにより、S/Nを改善することができる。
また、実際に表示するときの駆動周波数の1/100以
上にすると測定時間を短かくすることができる。
The S / N can be improved by setting the drive frequencies of the data signal drive circuit and the scan signal drive circuit to be equal to or lower than the drive frequency for actual display.
Also, the measurement time can be shortened by setting it to 1/100 or more of the driving frequency for actual display.

【0026】映像信号入力端子に、1kΩ以上1MΩ以
下の抵抗を波形整形用抵抗として接続して検査を行う
と、アドレスの特定を困難にすることなく、S/Nを改
善することができる。
If a resistance of 1 kΩ or more and 1 MΩ or less is connected to the video signal input terminal as a waveform shaping resistance for inspection, the S / N can be improved without making it difficult to specify the address.

【0027】[0027]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0028】(実施例1)この実施例では、図1に示し
たドライバモノリシック型のアクティブマトリクス基上
の隣接するデータ信号線間の短絡欠陥21を検査する方
法について説明する。尚、この図において、液晶の封入
により形成される画素8および対向基板8bは、アクテ
ィブマトリクス基板の検査時には設けられていないもの
である。
(Embodiment 1) In this embodiment, a method of inspecting a short circuit defect 21 between adjacent data signal lines on the driver monolithic active matrix substrate shown in FIG. 1 will be described. In this figure, the pixels 8 and the counter substrate 8b formed by enclosing the liquid crystal are not provided at the time of inspection of the active matrix substrate.

【0029】このアクティブマトリクス基板は、データ
信号駆動回路11に3本の映像信号入力線16a、16
b、16cが並列に形成され、それぞれがシフトレジス
タ13から出力される制御信号X1、X2、X3、X
4、・・・によって制御されるアナログスイッチ14を
介して対応するデータ信号線5に接続されている。この
映像信号入力線16b、16cの映像信号入力端子18
b、18cに、画素容量接地端子17に入力されるGN
Dに対して+5Vの直流バイアスを検査信号として印加
する。一方、映像信号線16aの映像信号入力端子18
aには波形整形用の抵抗Rを介して接地し、プローブを
接続してその電位をモニターする。また、走査信号駆動
回路12は、全ての走査信号線6に対して非選択レベル
の信号を出力するようにされており、これにより表示部
の全てのTFT7がオフ状態となる。これは、例えば走
査信号駆動回路12にシフトレジスタを設けた構成の場
合には、スタート信号を非選択に対応したレベルのDC
信号とすることにより容易に実現することができる。こ
のようにTFT7を全てオフ状態とすると、仮りに隣接
する画素電極間の短絡欠陥22または画素電極と隣接す
るデータ信号線との短絡欠陥23が存在しても、これら
に対応する信号は出力されない。よって、検出される欠
陥を隣接するデータ信号線間の短絡欠陥21と特定する
ことができる。この状態でデータ信号駆動回路11を動
作させると、映像信号入力線16b、16cに対応する
データ信号線D2、D3、D5、D6、・・・には入力
した検査信号に対応するバイアスが書き込まれる。一
方、映像信号入力線16aは抵抗Rを介して接地されて
いるので正常な場合にはGNDとなり、対応するデータ
信号線D1、D4、・・・にはGNDが書き込まれる。
データ信号線D3とD4との間に短絡欠陥21がある場
合、制御信号X3によりデータ信号線D3に検査信号に
対応するバイアスが書き込まれると、同時にデータ信号
線D4にも同じバイアスが書き込まれる。このため制御
信号X4に対応するアナログスイッチ14が開いた時
に、データ信号線D4に保持されている電荷が映像信号
入力線16aに入力される。よって、映像信号入力線1
6aの電位をモニターすると、それに対応した信号が観
察される。
In this active matrix substrate, the data signal drive circuit 11 has three video signal input lines 16a and 16a.
b, 16c are formed in parallel, and control signals X1, X2, X3, X output from the shift register 13 are output.
Are connected to the corresponding data signal lines 5 via the analog switches 14 controlled by. The video signal input terminals 18 of the video signal input lines 16b and 16c
GN input to the pixel capacitance ground terminal 17 at b and 18c
A DC bias of +5 V with respect to D is applied as an inspection signal. On the other hand, the video signal input terminal 18 of the video signal line 16a
A is grounded via a waveform shaping resistor R, and a probe is connected to monitor the potential. Further, the scanning signal drive circuit 12 is adapted to output a signal of a non-selection level to all the scanning signal lines 6, whereby all the TFTs 7 in the display section are turned off. This is because, for example, in the case where the scan signal drive circuit 12 is provided with a shift register, the start signal has a DC level corresponding to non-selection.
It can be easily realized by using a signal. When all the TFTs 7 are turned off in this way, even if there is a short-circuit defect 22 between adjacent pixel electrodes or a short-circuit defect 23 between the pixel electrode and an adjacent data signal line, signals corresponding to these are not output. . Therefore, the detected defect can be specified as the short-circuit defect 21 between the adjacent data signal lines. When the data signal drive circuit 11 is operated in this state, a bias corresponding to the input inspection signal is written in the data signal lines D2, D3, D5, D6, ... Corresponding to the video signal input lines 16b, 16c. . On the other hand, since the video signal input line 16a is grounded via the resistor R, it becomes GND in the normal case, and GND is written in the corresponding data signal lines D1, D4, ....
When there is a short circuit defect 21 between the data signal lines D3 and D4, when the bias corresponding to the inspection signal is written to the data signal line D3 by the control signal X3, the same bias is written to the data signal line D4 at the same time. Therefore, when the analog switch 14 corresponding to the control signal X4 is opened, the charges held in the data signal line D4 are input to the video signal input line 16a. Therefore, the video signal input line 1
When the potential of 6a is monitored, the corresponding signal is observed.

【0030】制御信号(X1、X2、X3、X4、・・
・)の駆動タイミングおよび映像信号入力線16aに接
続されるプローブ波形の例を図2(a)に示す。また、
図2(b)に示すように、制御信号X1、X2、X3、
X4、・・・のパルス幅をサンプリング周期の2倍以上
としてもよい。図2(b)の駆動方法による場合、X3
とX4とが重なる時に短絡欠陥21を通じて映像信号入
力線16a、16b間にDCパスが形成される。よっ
て、図2(a)の駆動方法による場合に比べて出力信号
レベルが高まって、S/Nが改善されるという利点があ
る。
Control signals (X1, X2, X3, X4, ...
An example of the drive timing of () and the probe waveform connected to the video signal input line 16a is shown in FIG. Also,
As shown in FIG. 2B, the control signals X1, X2, X3,
The pulse width of X4, ... May be twice or more the sampling period. In the case of the driving method of FIG. 2B, X3
And X4 overlap, a DC path is formed between the video signal input lines 16a and 16b through the short-circuit defect 21. Therefore, there is an advantage that the output signal level is increased and the S / N is improved as compared with the case of the driving method of FIG.

【0031】この実施例では、実際の表示装置に用いら
れる場合の1/2の周波数でデータ信号駆動回路11を
駆動し、映像信号入力線16aにR=100kΩの波形
整形用抵抗を接続した。これにより、プローブ波形の出
力信号レベルを数100mVのオーダーにすることがで
き、安価なシステムを用いて信号を検出して短絡欠陥を
有するデータ信号線のアドレスを特定するのに十分なS
/Nを得ることができた。
In this embodiment, the data signal drive circuit 11 was driven at a frequency half that used in an actual display device, and a waveform shaping resistor of R = 100 kΩ was connected to the video signal input line 16a. As a result, the output signal level of the probe waveform can be set to the order of several hundred mV, and an S that is sufficient to detect the signal and specify the address of the data signal line having a short circuit defect using an inexpensive system.
/ N could be obtained.

【0032】上記実施例では電位をモニターして検査を
行っているが、本発明はこれに限らず、電流を測定して
も欠陥検査を行えることはもちろんである。このこと
は、以下の各実施例においても同様である。
In the above embodiment, the inspection is performed by monitoring the potential, but the present invention is not limited to this, and it goes without saying that the defect inspection can be performed even if the current is measured. This also applies to each of the following embodiments.

【0033】(実施例2)この実施例では、図1に示し
たドライバモノリシック型のアクティブマトリクス基上
の隣接するデータ信号線間の短絡欠陥21および隣接す
る画素電極間の短絡欠陥22について検査する方法を説
明する。
(Embodiment 2) In this embodiment, a short circuit defect 21 between adjacent data signal lines and a short circuit defect 22 between adjacent pixel electrodes on the driver monolithic active matrix substrate shown in FIG. 1 are inspected. The method will be described.

【0034】この検査においては、データ信号駆動回路
11と共に走査信号駆動回路12も動作させ、それ以外
は実施例1と同様にして行う。このように両駆動回路を
動作させてプローブの出力波形を調べると、短絡欠陥を
起こしている画素に対応する走査信号線が選択され、か
つ、その画素に対応するデータ信号線が選択されたタイ
ミングで、実施例1の場合と類似した信号が出力され
る。それによって、隣接するデータ信号線間の短絡欠陥
21および隣接する画素電極間の短絡欠陥22を検査す
ることができる。
In this inspection, the scanning signal drive circuit 12 is operated together with the data signal drive circuit 11, and the rest is the same as in the first embodiment. When the output waveforms of the probe are examined by operating both drive circuits in this way, the timing when the scanning signal line corresponding to the pixel having the short circuit defect is selected and the data signal line corresponding to the pixel is selected Then, a signal similar to that of the first embodiment is output. Thereby, the short-circuit defect 21 between the adjacent data signal lines and the short-circuit defect 22 between the adjacent pixel electrodes can be inspected.

【0035】この実施例の検査方法を用いて欠陥に対応
した信号が出力されるためには、表示部のTFT7を介
してデータ信号線5の付加容量15および信号線の寄生
容量を充電する必要がある。このため、実際の表示装置
に用いられる場合の駆動周波数で駆動して測定を行うと
充電が不十分となり、欠陥に対応した信号を十分検出す
ることができない。また、通常、表示部には数10万の
画素が形成されているので、その数10万のアドレスに
対して信号レベルを高速で調べることは容易ではない。
よって駆動周波数を低くして測定を行うのが望ましい。
In order to output a signal corresponding to a defect using the inspection method of this embodiment, it is necessary to charge the additional capacitance 15 of the data signal line 5 and the parasitic capacitance of the signal line via the TFT 7 of the display section. There is. For this reason, if driving is performed at the drive frequency used in an actual display device and measurement is performed, charging becomes insufficient, and a signal corresponding to a defect cannot be sufficiently detected. Moreover, since several hundred thousand pixels are usually formed in the display unit, it is not easy to check the signal level at high speed for several hundred thousand addresses.
Therefore, it is desirable to lower the drive frequency for measurement.

【0036】なお、本実施例で検査される短絡欠陥21
および22のうちどちらの欠陥であるかの特定について
は、実施例1に基づいて短絡欠陥21の特定がなされる
ことにより、短絡欠陥22のみの特定が可能である。
The short-circuit defect 21 inspected in this embodiment.
As to which of the two defects, 22 and 22, the short-circuit defect 21 is specified based on the first embodiment, it is possible to specify only the short-circuit defect 22.

【0037】この実施例では、隣接するデータ信号線間
の短絡欠陥21および隣接する画素電極22間の短絡欠
陥について検査したが、画素電極とこの画素電極に隣接
するデータ信号線との間の短絡欠陥23についても同様
の原理で検査することができる。その短絡欠陥23の検
査は具体的には以下のようにして行われる。図1におい
て、短絡欠陥23が存在する場合、映像信号入力端子1
8bにプローブを接続し、映像信号入力端子18cに検
査信号を入力する。すると、対応する走査信号線6が選
択レベルとなる場合に、短絡欠陥23およびTFT7を
通じてデータ信号線D3からD2へ充電され、画素電極
間の短絡欠陥22のときと同様の信号が検出される。
In this embodiment, the short-circuit defect 21 between the adjacent data signal lines and the short-circuit defect between the adjacent pixel electrodes 22 are inspected. However, the short circuit between the pixel electrode and the data signal line adjacent to the pixel electrode is short-circuited. The defect 23 can also be inspected by the same principle. Specifically, the inspection of the short-circuit defect 23 is performed as follows. In FIG. 1, when the short-circuit defect 23 exists, the video signal input terminal 1
The probe is connected to 8b, and the inspection signal is input to the video signal input terminal 18c. Then, when the corresponding scanning signal line 6 is at the selection level, the data signal lines D3 to D2 are charged through the short circuit defect 23 and the TFT 7, and the same signal as in the short circuit defect 22 between the pixel electrodes is detected.

【0038】(実施例3)この実施例では、図1に示し
たドライバモノリシック型のアクティブマトリクス基上
の隣接する画素電極間の短絡欠陥22または画素電極と
この画素電極に隣接するデータ信号線との間の短絡欠陥
23について検査する方法を説明する。
(Embodiment 3) In this embodiment, a short circuit defect 22 between adjacent pixel electrodes on the driver monolithic active matrix substrate shown in FIG. 1 or a pixel electrode and a data signal line adjacent to this pixel electrode are formed. A method for inspecting the short-circuit defect 23 between the two will be described.

【0039】この実施例では、走査信号駆動回路12を
全ての走査信号線6に対して選択レベルの信号を出力す
るように、表示部の全てのTFT7をオン状態として検
査を行う。これは、例えば走査信号駆動回路12にシフ
トレジスタを設けた構成の場合には、スタート信号をス
タートパルスのパルス時のレベルとすることにより容易
に実現することができる。このようにTFT7を全てオ
ン状態とすると、実施例2の検査方法のように表示部の
TFT7のインピーダンスが律速となるという問題は生
じない。
In this embodiment, all the TFTs 7 in the display section are turned on so that the scanning signal drive circuit 12 outputs a signal of a selection level to all the scanning signal lines 6, and an inspection is performed. This can be easily realized by setting the start signal to the level at the pulse of the start pulse when the scan signal drive circuit 12 is provided with a shift register, for example. When all the TFTs 7 are turned on in this way, there is no problem that the impedance of the TFT 7 in the display section becomes rate-determining as in the inspection method of the second embodiment.

【0040】この状態でデータ信号駆動回路を動作させ
てプローブでの出力波形を調べると、短絡欠陥を起こし
ている画素に対応するデータ信号線が選択されたタイミ
ングで、実施例1の場合と類似の信号が観察され、これ
により検査がなされる。但し、この検査方法では、隣接
するデータ信号線間の短絡欠陥21および隣接する画素
電極間の短絡欠陥22が検査される。隣接するデータ信
号線間の短絡欠陥21が生じた場合には実施例1の方法
により検出できるので、実施例1の検査方法で検出され
ずに実施例3の検査方法で検出されたものを、隣接する
画素電極間の短絡欠陥22または画素電極とこの画素電
極に隣接するデータ信号線との間の短絡欠陥23と特定
することができる。以上により短絡欠陥22または23
のX方向のアドレスが特定される。
When the data signal drive circuit is operated in this state and the output waveform of the probe is examined, it is similar to the case of the first embodiment at the timing when the data signal line corresponding to the pixel having the short circuit defect is selected. Signal is observed, which results in an inspection. However, in this inspection method, the short-circuit defect 21 between the adjacent data signal lines and the short-circuit defect 22 between the adjacent pixel electrodes are inspected. When the short-circuit defect 21 between the adjacent data signal lines occurs, it can be detected by the method of the first embodiment. Therefore, if the short circuit defect 21 is detected by the inspection method of the third embodiment without being detected by the inspection method of the first embodiment, It can be specified as a short circuit defect 22 between adjacent pixel electrodes or a short circuit defect 23 between a pixel electrode and a data signal line adjacent to this pixel electrode. Due to the above, the short-circuit defect 22 or 23
Is specified in the X direction.

【0041】次に、画素電極間の短絡欠陥22のY方向
のアドレスを特定する方法について説明する。ここで
は、データ信号駆動回路11の制御信号X1、X2、・
・・を全て選択レベルにしてアナログスイッチ14を全
てオン状態にする。
Next, a method of identifying the Y-direction address of the short-circuit defect 22 between the pixel electrodes will be described. Here, the control signals X1, X2, ...
.. are all set to the selection level and all the analog switches 14 are turned on.

【0042】この状態で走査信号駆動回路12を動作さ
せてプローブでの出力波形を調べると、短絡欠陥を起こ
している画素に対応する走査信号線6が選択されたタイ
ミングで、実施例1と同様な信号が観察されてY方向の
アドレスを特定することができる。この場合、表示部の
TFT7のインピーダンスが律速となるが、波形整形用
抵抗Rを10kΩ以上にすることによりS/Nを改善す
ることができた。また、Y方向のアドレスを特定する場
合には、調べるべきアドレスが少なく高々1000個程
度であるので、実施例2に比べて測定が容易である。こ
の実施例では、実際の表示装置に用いられる場合の約1
/5の周波数でデータ信号駆動回路11および走査信号
駆動回路12を駆動し、波形整形用抵抗R=100kΩ
で測定を行った。
When the scanning signal drive circuit 12 is operated in this state and the output waveform of the probe is examined, the scanning signal line 6 corresponding to the pixel causing the short circuit defect is selected at the same timing as in the first embodiment. Such a signal can be observed to identify the address in the Y direction. In this case, the impedance of the TFT 7 of the display section is rate-determining, but S / N could be improved by setting the waveform shaping resistance R to 10 kΩ or more. Further, when specifying the address in the Y direction, the number of addresses to be checked is small and about 1000 at most, so that the measurement is easier than in the second embodiment. In this embodiment, about 1 when used in an actual display device.
The data signal driving circuit 11 and the scanning signal driving circuit 12 are driven at a frequency of / 5, and the waveform shaping resistor R = 100 kΩ
Was measured.

【0043】この実施例の検査方法では、映像信号入力
線16a、16b間に画素電極の短絡欠陥が1個ある場
合には、その2次元アドレスを特定することができる
が、複数個ある場合には、それぞれの2次元アドレスを
完全に特定することができない。しかし、実際の製造工
程においては欠陥が少数個であればリペア等の対称とな
るためそのアドレスの特定が必要であるが、多数存在す
ればリペアによっても良品とすることができないので欠
陥の個数を知ることで十分実用的な検査となり得る。ま
た、この方法によりYアドレスを特定すれば、実施例2
においてそのYアドレス部分の信号のみを観測すればよ
いので、これらの方法の組み合わせにより効率的な検査
が可能である。
In the inspection method of this embodiment, when there is one pixel electrode short-circuit defect between the video signal input lines 16a and 16b, the two-dimensional address can be specified. Cannot completely specify each two-dimensional address. However, in the actual manufacturing process, if the number of defects is small, it is necessary to identify the address because it becomes symmetrical such as repair, but if there are many defects, it cannot be considered as a good product even by repair, so the number of defects is Knowing can be a sufficiently practical test. If the Y address is specified by this method, the second embodiment
Since it is necessary to observe only the signal of the Y address portion in, the efficient inspection is possible by combining these methods.

【0044】上記実施例1〜3においては、図1に示す
ようなデータ駆動回路のシフトレジスタから出力される
1つの制御信号が1つのデータ信号線に対応するアクテ
ィブマトリクス基板に対して検査を行ったが、本発明は
それに限られず、複数の映像信号入力線が形成された構
成のアクティブマトリクス基板に対しても検査が可能で
ある。例えば、図3に示すように、各々映像信号入力端
子18a、18b、18c、18dを有する複数の映像
信号入力線16a、16b、16c、16dが形成さ
れ、複数のアナログスイッチ14が1つのサンプリング
信号により制御されるアクティブマトリクス基板に対し
ても、同様に隣接するデータ信号線間の短絡欠陥、隣接
する画素電極間の短絡欠陥および画素電極と隣接するデ
ータ信号線との短絡欠陥を検出することができる。尚、
この図3において、画素8は、アクティブマトリクス基
板の検査時には設けられていないものである。
In the first to third embodiments described above, the active matrix substrate in which one control signal output from the shift register of the data driving circuit as shown in FIG. 1 corresponds to one data signal line is inspected. However, the present invention is not limited to this, and it is possible to inspect an active matrix substrate having a structure in which a plurality of video signal input lines are formed. For example, as shown in FIG. 3, a plurality of video signal input lines 16a, 16b, 16c, 16d each having a video signal input terminal 18a, 18b, 18c, 18d are formed, and a plurality of analog switches 14 make one sampling signal. Similarly, it is possible to detect a short-circuit defect between adjacent data signal lines, a short-circuit defect between adjacent pixel electrodes, and a short-circuit defect between a pixel electrode and an adjacent data signal line for an active matrix substrate controlled by. it can. still,
In FIG. 3, the pixel 8 is not provided during the inspection of the active matrix substrate.

【0045】また、上記実施例においては検出された短
絡欠陥が22であるか23であるかを決めることはでき
ないが、そのアドレスまでは解っているので、その部分
を顕微鏡で観察する等の方法によってどちらかの短絡欠
陥であるかを知ることは可能である。
In the above embodiment, it is not possible to determine whether the detected short-circuit defect is 22 or 23, but since the address is known, a method such as observing the portion with a microscope is used. It is possible to know which one is a short circuit defect.

【0046】(実施例4)この実施例では、図4に示し
たドライバモノリシック型のアクティブマトリクス基上
の画素容量9の短絡欠陥を検査する方法について説明す
る。尚、この図において、画素8は、アクティブマトリ
クス基板の検査時には設けられていないものである。
(Embodiment 4) In this embodiment, a method for inspecting a short circuit defect of the pixel capacitor 9 on the driver monolithic active matrix substrate shown in FIG. 4 will be described. In this figure, the pixel 8 is not provided during the inspection of the active matrix substrate.

【0047】このアクティブマトリクス基板は、データ
信号駆動回路11に、各々映像信号入力端子18a、1
8b、18c、18dを有する4本の映像信号入力線1
6a、16b、16c、16dが並列に形成され、複数
(図示例では4つ)の映像信号入力線に対してシフトレ
ジスタ13から出力される1つの制御信号Xによって制
御されるアナログスイッチ14を介し、各映像信号入力
線とこれらに対応するデータ信号線5とが接続されてい
る。
In this active matrix substrate, the data signal driving circuit 11 is provided with video signal input terminals 18a and 1a, respectively.
Four video signal input lines 1 having 8b, 18c and 18d
6a, 16b, 16c, 16d are formed in parallel, and via an analog switch 14 controlled by one control signal X output from the shift register 13 to a plurality of (four in the illustrated example) video signal input lines. , The video signal input lines and the corresponding data signal lines 5 are connected.

【0048】この基板に対する本実施例での検査は以下
のように行われる。映像信号入力線16dの映像信号入
力端子18dに、抵抗を介して検査信号を入力する。一
方、映像信号線16a、16b、16cの映像信号入力
端子18a、18b、18cは、前記画素容量接地端子
に接続される配線と同様に接地する。また、走査信号駆
動回路12は、全ての走査信号線6に対して選択レベル
の信号を出力するようにされており、これにより表示部
の全てのTFT7がオン状態となる。
The inspection of this substrate in this embodiment is performed as follows. The inspection signal is input to the video signal input terminal 18d of the video signal input line 16d via a resistor. On the other hand, the video signal input terminals 18a, 18b and 18c of the video signal lines 16a, 16b and 16c are grounded similarly to the wiring connected to the pixel capacitance ground terminal. Further, the scanning signal driving circuit 12 is adapted to output a signal of a selection level to all the scanning signal lines 6, whereby all the TFTs 7 in the display section are turned on.

【0049】この状態でデータ信号駆動回路11を動作
させる。このとき、短絡欠陥に対応するデータ信号線5
に接続されたアナログスイッチ14が開くと、短絡欠
陥、TFT7およびアナログスイッチ14を通るDCパ
スが形成されて電流が流れる。この電流またはそれによ
り生じる電位降下を映像信号入力線16dに接続された
プローブにより測定すると、短絡欠陥を検出することが
でき、これにより短絡欠陥のX方向のアドレスを特定す
ることができる。また、Y方向のアドレスについては、
実施例3と同様の方法により特定することができる。
In this state, the data signal drive circuit 11 is operated. At this time, the data signal line 5 corresponding to the short circuit defect
When the analog switch 14 connected to is opened, a short circuit defect, a DC path through the TFT 7 and the analog switch 14 is formed, and a current flows. When this current or the potential drop caused thereby is measured by the probe connected to the video signal input line 16d, the short-circuit defect can be detected, whereby the X-direction address of the short-circuit defect can be specified. Also, regarding the address in the Y direction,
It can be specified by the same method as in Example 3.

【0050】但し、この実施例の検査方法では、隣接す
るデータ信号線間の短絡欠陥21が生じた場合、隣接す
る画素電極間の短絡欠陥22が生じた場合、および画素
電極とこの画素電極に隣接するデータ信号線との間に短
絡欠陥23が生じた場合も、画素容量の短絡欠陥と同様
に検出される。よって、この実施例の検査方法を実施例
1〜3の検査方法と組み合わせることにより欠陥の種類
を特定することができる。
However, in the inspection method of this embodiment, a short circuit defect 21 between adjacent data signal lines, a short circuit defect 22 between adjacent pixel electrodes, and a pixel electrode and this pixel electrode are generated. Even when the short circuit defect 23 occurs between the adjacent data signal line, it is detected similarly to the short circuit defect of the pixel capacitance. Therefore, the type of defect can be specified by combining the inspection method of this embodiment with the inspection method of Embodiments 1 to 3.

【0051】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明はこれに限られず種々の変更が可能である。
Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this, and various modifications can be made.

【0052】上記実施例1〜4において、図2(b)に
示すように、データ信号駆動回路内のサンプリングパル
スのパルス幅をサンプリング周期の2倍以上にして検査
を行うと、短絡欠陥に対応するパルスが重なった場合に
出力信号レベルが高くなってS/Nを改善することがで
きる。
In the above-mentioned first to fourth embodiments, as shown in FIG. 2B, when the inspection is performed by setting the pulse width of the sampling pulse in the data signal drive circuit to be twice the sampling period or more, it is possible to detect a short circuit defect. When the pulses to be applied are overlapped, the output signal level is increased and the S / N can be improved.

【0053】データ信号駆動回路および走査信号駆動回
路の駆動周波数は、実際に表示するときの駆動周波数の
1/5にしたが、それ以外の周波数にしてもよい。S/
Nの観点からは実際に表示するときの駆動周波数以下に
するのが望ましく、また、測定時間の観点からは実際に
表示するときの駆動周波数の1/100以上にするのが
望ましい。
The driving frequency of the data signal driving circuit and the scanning signal driving circuit is set to ⅕ of the driving frequency at the time of actual display, but other frequencies may be used. S /
From the viewpoint of N, it is desirable to make it equal to or lower than the drive frequency at the time of actual display, and from the perspective of measurement time, it is desirable to make it to 1/100 or more of the drive frequency at the time of actual display.

【0054】映像信号入力端子に波形整形用抵抗として
10kΩまたは100kΩの抵抗を接続したが、それ以
外の抵抗を用いてもよい。但し、1MΩを超える抵抗を
用いると放電の時定数が大きくなってアドレスの特定が
困難になり、1kΩ未満の抵抗を用いると抵抗のインピ
ーダンスが低いために出力パルスの高さが小さくなるの
で望ましくない。
Although a resistance of 10 kΩ or 100 kΩ is connected as a waveform shaping resistance to the video signal input terminal, other resistance may be used. However, if a resistor with a resistance of more than 1 MΩ is used, the discharge time constant becomes large, making it difficult to specify the address. If a resistor of less than 1 kΩ is used, the impedance of the resistor is low, and the height of the output pulse becomes small, which is not desirable. .

【0055】検査信号としては5V程度の直流バイアス
を印加したが、それ以外の検査信号を印加してもよい。
Although a DC bias of about 5 V was applied as the inspection signal, other inspection signals may be applied.

【0056】欠陥による信号を検出する際に、電位を主
に測定するか電流を主に測定するかはS/Nと検出系の
感度とに応じて決定すればよく、プローブに直列に接続
される抵抗は適切な条件となるように設定することがで
きる。
When a signal due to a defect is detected, whether the potential is mainly measured or the current is mainly measured may be determined according to the S / N and the sensitivity of the detection system and is connected in series to the probe. The resistance can be set to meet the appropriate conditions.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、これまで高価な装置や複雑な測定系を用いな
ければ検出できなかった表示部内の隣接するデータ信号
線間の短絡欠陥、隣接する画素電極間の短絡欠陥、およ
び画素電極とこの画素電極に隣接するデータ信号線との
間の短絡欠陥を液晶注入前に容易に検査することがで
き、さらに画素容量の短絡欠陥も検査することができ
る。よって、アクティブマトリクス基板の良品率を改善
すると共に、検査時点で良品不良品とを振り分けて後工
程での製造コスト削減を行うことができる。また、欠陥
部分の特定を行って、そのデータを前工程へのフィード
バック情報として利用すると、欠陥の発生を未然に防止
することも可能となる。さらに、隣接するデータ信号線
間の短絡欠陥および隣接する画素電極間の短絡欠陥を検
出することができるので、隣接するデータ信号線間で対
応する映像信号の極性を反転させる駆動法を用いたノー
マリホワイト表示の液晶表示装置において、複数の信号
線または複数の画素が輝線または輝点欠陥となるのを防
ぐことができ、フリッカを抑制するのに有効である。
As is apparent from the above description, according to the present invention, a short circuit defect between adjacent data signal lines in a display section which could not be detected without using an expensive device or a complicated measuring system up to now. , A short circuit defect between adjacent pixel electrodes and a short circuit defect between the pixel electrode and a data signal line adjacent to this pixel electrode can be easily inspected before injecting liquid crystal, and further, a short circuit defect of a pixel capacitance is also inspected. can do. Therefore, it is possible to improve the non-defective product ratio of the active matrix substrate and to sort the non-defective product and non-defective product at the time of inspection to reduce the manufacturing cost in the post-process. In addition, when a defective portion is specified and the data is used as feedback information to the previous process, it is possible to prevent the occurrence of the defect. Furthermore, since it is possible to detect a short-circuit defect between adjacent data signal lines and a short-circuit defect between adjacent pixel electrodes, it is possible to detect a short circuit defect between adjacent data signal lines by using a driving method that inverts the polarity of the corresponding video signal between adjacent data signal lines. In a liquid crystal display device of mari-white display, it is possible to prevent a plurality of signal lines or a plurality of pixels from becoming a bright line or a bright point defect, and it is effective in suppressing flicker.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例であるアクティブマトリクス
基板の検査方法を説明するための液晶表示装置の構成図
である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a liquid crystal display device for explaining an inspection method of an active matrix substrate which is an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例であるアクティブマトリクス
基板の検査方法における駆動タイミングおよび欠陥に対
応する信号を示す概念図である。
FIG. 2 is a conceptual diagram showing drive timings and signals corresponding to defects in an active matrix substrate inspection method according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の他の実施例であるアクティブマトリク
ス基板の検査方法を説明するための液晶表示装置の構成
図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of a liquid crystal display device for explaining an inspection method of an active matrix substrate which is another embodiment of the present invention.

【図4】本発明の他の実施例であるアクティブマトリク
ス基板の検査方法を説明するための液晶表示装置の構成
図である。
FIG. 4 is a configuration diagram of a liquid crystal display device for explaining an inspection method of an active matrix substrate which is another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

5 データ信号線 6 走査信号線 7 TFT 8 画素 9 画素容量 10 画素容量共通配線 11 データ信号駆動回路 12 走査信号駆動回路(ゲート駆動回路) 13 シフトレジスタ 14 アナログスイッチ 15 付加容量 16a、16b、16c、16d 映像信号入力線 17 画素容量接地端子 18a、18b、18c、18d 映像信号入力端子 21 短絡欠陥 22 短絡欠陥 23 短絡欠陥 5 data signal line 6 scanning signal line 7 TFT 8 pixel 9 pixel capacitance 10 pixel capacitance common wiring 11 data signal drive circuit 12 scanning signal drive circuit (gate drive circuit) 13 shift register 14 analog switch 15 additional capacitance 16a, 16b, 16c, 16d Video signal input line 17 Pixel capacitance ground terminal 18a, 18b, 18c, 18d Video signal input terminal 21 Short circuit defect 22 Short circuit defect 23 Short circuit defect

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の走査信号線および複数のデータ信
号線が互いに交差する状態で形成され、該走査信号線お
よびデータ信号線の交差部近傍にスイッチング素子と該
スイッチング素子に接続された画素電極および画素容量
とがマトリクス状に形成された基板上に、該走査信号線
にスイッチング素子を制御する走査信号を出力する走査
信号駆動回路と、該データ信号線にデータ信号を出力す
るデータ信号駆動回路とが形成され、該データ信号駆動
回路にはデータ信号が入力される映像信号入力端子を各
々備えた映像信号入力線が複数本形成されているアクテ
ィブマトリクス基板の検査方法であって、 複数の映像信号入力端子の一部に検査信号を入力してデ
ータ信号駆動回路を動作させ、他の映像信号入力端子に
生じる電位または電流を測定することによりデータ信号
線間の短絡欠陥、画素電極間の短絡欠陥または画素電極
と該画素電極に隣接するデータ信号線との間の短絡欠陥
を検出するアクティブマトリクス基板の検査方法。
1. A plurality of scanning signal lines and a plurality of data signal lines are formed in a state of intersecting each other, and a switching element and a pixel electrode connected to the switching element near an intersection of the scanning signal line and the data signal line. A scan signal drive circuit that outputs a scan signal for controlling a switching element to the scan signal line and a data signal drive circuit that outputs a data signal to the data signal line on a substrate on which the pixel capacitances are formed in a matrix. And a plurality of video signal input lines each having a video signal input terminal to which a data signal is input are formed in the data signal drive circuit. Input a test signal to a part of the signal input terminal to operate the data signal drive circuit and measure the potential or current generated in other video signal input terminals. Method of inspecting an active matrix substrate for detecting short circuit defects between the data signal lines, the short-circuit defect between the data signal line adjacent to the short-circuit defective or the pixel electrode and the pixel electrodes between the pixel electrodes by.
【請求項2】 前記データ信号駆動回路と共に走査信号
回路も駆動させて検査を行う請求項1に記載のアクティ
ブマトリクス基板の検査方法。
2. The method for inspecting an active matrix substrate according to claim 1, wherein the inspection is performed by driving a scanning signal circuit together with the data signal driving circuit.
【請求項3】 複数の走査信号線および複数のデータ信
号線が互いに交差する状態で形成され、該走査信号線お
よびデータ信号線の交差部近傍にスイッチング素子と該
スイッチング素子に接続された画素電極および画素容量
とがマトリクス状に形成された基板上に、該走査信号線
にスイッチング素子を制御する走査信号を出力する走査
信号駆動回路と、該データ信号線にデータ信号を出力す
るデータ信号駆動回路とが形成され、該データ信号駆動
回路にはデータ信号が入力される映像信号入力端子を各
々備えた映像信号入力線が複数本形成されているアクテ
ィブマトリクス基板の検査方法であって、 複数の映像信号入力端子の一部に検査信号を入力して走
査信号駆動回路を動作させ、他の映像信号入力端子に生
じる電位または電流を測定することによりデータ信号線
間の短絡欠陥、画素電極間の短絡欠陥または画素電極と
該画素電極に隣接するデータ信号線との間の短絡欠陥を
検出するアクティブマトリクス基板の検査方法。
3. A plurality of scanning signal lines and a plurality of data signal lines are formed in a state of intersecting each other, and a switching element and a pixel electrode connected to the switching element near an intersection of the scanning signal line and the data signal line. A scan signal drive circuit that outputs a scan signal for controlling a switching element to the scan signal line and a data signal drive circuit that outputs a data signal to the data signal line on a substrate on which the pixel capacitances are formed in a matrix. And a plurality of video signal input lines each having a video signal input terminal to which a data signal is input are formed in the data signal drive circuit. Input the inspection signal to a part of the signal input terminal to operate the scanning signal drive circuit and measure the potential or current generated in other video signal input terminals. Method of inspecting an active matrix substrate for detecting short circuit defects between the data signal lines, the short-circuit defect between the data signal line adjacent to the short-circuit defective or the pixel electrode and the pixel electrodes between the pixel electrodes by the.
【請求項4】 前記データ信号駆動回路内に設けられ、
前記映像信号入力線と前記データ信号線との間に介在す
るアナログスイッチを全てオン状態にして検査を行う請
求項3に記載のアクティブマトリクス基板の検査方法。
4. The data signal driving circuit is provided in the circuit,
4. The method for inspecting an active matrix substrate according to claim 3, wherein all analog switches interposed between the video signal input line and the data signal line are turned on to perform the inspection.
【請求項5】 複数の走査信号線および複数のデータ信
号線が互いに交差する状態で形成され、該走査信号線お
よびデータ信号線の交差部近傍にスイッチング素子と該
スイッチング素子に接続された画素電極および画素容量
とがマトリクス状に形成された基板上に、該走査信号線
にスイッチング素子を制御する走査信号を出力する走査
信号駆動回路と、該データ信号線にデータ信号を出力す
るデータ信号駆動回路とが形成され、該データ信号駆動
回路にはデータ信号が入力される映像信号入力端子を備
えた映像信号入力線が形成されているアクティブマトリ
クス基板の検査方法であって、 該映像信号入力端子に抵抗を介して検査信号を入力して
データ信号駆動回路または走査信号駆動回路を動作さ
せ、該映像信号入力端子に生じる電位または電流を測定
することにより画素容量の短絡欠陥を検出するアクティ
ブマトリクス基板の検査方法。
5. A plurality of scanning signal lines and a plurality of data signal lines are formed in a state of intersecting each other, and a switching element and a pixel electrode connected to the switching element near an intersection of the scanning signal line and the data signal line. A scan signal drive circuit that outputs a scan signal for controlling a switching element to the scan signal line and a data signal drive circuit that outputs a data signal to the data signal line on a substrate on which the pixel capacitances are formed in a matrix. And a video signal input line having a video signal input terminal to which a data signal is input is formed in the data signal drive circuit. A test signal is input through a resistor to operate the data signal drive circuit or the scan signal drive circuit, and the potential generated at the video signal input terminal or Method of inspecting an active matrix substrate that detects a short defect of the pixel capacitor by measuring the flow.
【請求項6】 複数の走査信号線および複数のデータ信
号線が互いに交差する状態で形成され、該走査信号線お
よびデータ信号線の交差部近傍にスイッチング素子と該
スイッチング素子に接続された画素電極および画素容量
とがマトリクス状に形成された基板上に、該走査信号線
にスイッチング素子を制御する走査信号を出力する走査
信号駆動回路と、該データ信号線にデータ信号を出力す
るデータ信号駆動回路とが形成され、該データ信号駆動
回路にはデータ信号が入力される映像信号入力端子を各
々備えた映像信号入力線が複数本形成されているアクテ
ィブマトリクス基板の検査方法であって、 複数の映像信号入力端子の一部に抵抗を介して検査信号
を入力してデータ信号駆動回路または走査信号駆動回路
を動作させ、該映像信号入力端子および他の映像信号入
力端子に生じる電位または電流を測定することにより画
素容量の短絡欠陥、データ信号線間の短絡欠陥、画素電
極間の短絡欠陥または画素電極と該画素電極に隣接する
データ信号線との間の短絡欠陥を検出するアクティブマ
トリクス基板の検査方法。
6. A plurality of scanning signal lines and a plurality of data signal lines are formed in a state of intersecting each other, and a switching element and a pixel electrode connected to the switching element in the vicinity of an intersection of the scanning signal line and the data signal line. A scan signal drive circuit that outputs a scan signal for controlling a switching element to the scan signal line and a data signal drive circuit that outputs a data signal to the data signal line on a substrate on which the pixel capacitances are formed in a matrix. And a plurality of video signal input lines each having a video signal input terminal to which a data signal is input are formed in the data signal drive circuit. An inspection signal is input to a part of the signal input terminal via a resistor to operate the data signal driving circuit or the scanning signal driving circuit, and the video signal input terminal By measuring the potential or current generated in the other video signal input terminal, the pixel capacitance short circuit defect, the data signal line short circuit defect, the pixel electrode short circuit defect or the pixel electrode and the data signal line adjacent to the pixel electrode. A method of inspecting an active matrix substrate for detecting a short circuit defect between the substrate and the substrate.
JP13742094A 1994-06-20 1994-06-20 Inspection method of active matrix substrate Withdrawn JPH086047A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100379605B1 (en) * 1999-09-06 2003-04-10 샤프 가부시키가이샤 Active-matrix-type liquid crystal display device, data signal line driving circuit, and liquid crystal display device driving method
JP2006267416A (en) * 2005-03-23 2006-10-05 Victor Co Of Japan Ltd Inspection method of active matrix substrate

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