JPH0830817B2 - Image display device manufacturing method - Google Patents
Image display device manufacturing methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、液晶を用いた画像表示装置の製造方法に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an image display device using liquid crystal.
従来の技術 近年、液晶を用いた画像表示装置は、軽量，薄型，低
消費電力等の特徴を有しており、超小型表示やプロジェ
クション化による超大型表示が可能であるため非常に応
用範囲の広い画像表示装置として大なる注目を集めてい
る。2. Description of the Related Art In recent years, image display devices using liquid crystals have features such as light weight, thinness, and low power consumption. Since they are capable of ultra-small display and ultra-large display by projection, they have a very wide range of applications. It has attracted great attention as a wide image display device.
以下、図面を参照しながら、上述したような従来の液
晶を用いた画像表示装置に用いられるボンディングパッ
ド部の製造方法について説明する。Hereinafter, with reference to the drawings, a method of manufacturing the bonding pad portion used in the image display device using the conventional liquid crystal as described above will be described.
第４図は、従来の液晶を用いた画像表示装置の最終製
造工程の直前のものの平面図、第５図は、ボンディング
パッド部の平面図、第６図は、第５図のE-F線における
断面図である。第４図，第５図，第６図において、１は
石英基板、２はAlボンディングパッド、３はNSG膜、５
はCr膜、６はCrによる共通アース線であり、７は走査回
路、８は画像表示部、９は上面ガラス板、10は共通アー
ス線エッチング用窓である。FIG. 4 is a plan view of a conventional image display device using a liquid crystal immediately before the final manufacturing process, FIG. 5 is a plan view of a bonding pad portion, and FIG. 6 is a cross section taken along line EF of FIG. It is a figure. In FIGS. 4, 5, and 6, 1 is a quartz substrate, 2 is an Al bonding pad, 3 is an NSG film, 5
Is a Cr film, 6 is a common ground line made of Cr, 7 is a scanning circuit, 8 is an image display unit, 9 is a top glass plate, and 10 is a common ground line etching window.
このように共通アース線６を設け、各ボンディングパ
ッド２間を短絡させることにより、液晶配向膜ラビング
工程等において発生する静電気によって、走査回路7,画
像表示部８を構成するMOS素子が静電破壊されることを
防いでいる。そして最終工程において、共通アース線エ
ッチング用窓10を通して共通アース線６をエッチング
し、各ボンディングパッド２を独立分離させることによ
り、液晶画像表示装置として動作可能な状態とするもの
である。By thus providing the common ground line 6 and short-circuiting the bonding pads 2, the static electricity generated in the rubbing process of the liquid crystal alignment film or the like causes electrostatic damage to the MOS elements constituting the scanning circuit 7 and the image display unit 8. Is being prevented. Then, in the final step, the common ground line 6 is etched through the common ground line etching window 10 and the respective bonding pads 2 are independently separated so that the liquid crystal image display device can be operated.
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のような構成では、最終工程で初
めてボンディングパッドが独立分離されるため、工程途
中において、走査回路7,画像表示部８を構成する諸回路
の動作特性を検査することは不可能であるという欠点を
有していた。However, in the above-described configuration, since the bonding pads are independently separated for the first time in the final process, the operating characteristics of the circuits that configure the scanning circuit 7 and the image display unit 8 are changed during the process. It had the drawback of being impossible to inspect.
本発明は上記欠点に鑑み、液晶工程において発生する
静電気から諸回路を保護することができ、しかも、工程
途中において諸回路の検査が可能であるような画像表示
装置の製造方法を提供するものである。In view of the above-mentioned drawbacks, the present invention provides a method of manufacturing an image display device capable of protecting various circuits from static electricity generated in a liquid crystal process and capable of inspecting the various circuits during the process. is there.
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明の画像表示装置の
製造方法は、ガラス基板上に金属パッドを形成した後、
第１の絶縁膜で覆った後、ホトリソグラフィにより金属
パッド上の第１の絶縁膜だけを除去し、次に、第１の絶
縁膜に比較して容易にエッチングできる第２の絶縁膜を
全面に被着し、液晶工程を行なった後に、第２の絶縁膜
を選択的にエッチングして、金属パッドを露出させる工
程から構成されている。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the method for manufacturing an image display device of the present invention, after forming a metal pad on the glass substrate,
After covering with the first insulating film, only the first insulating film on the metal pad is removed by photolithography, and then the second insulating film, which can be easily etched as compared with the first insulating film, is formed on the entire surface. And the liquid crystal step is performed, and then the second insulating film is selectively etched to expose the metal pad.
作用 この構成によれば、液晶工程前に第２の絶縁膜を形成
することにより、ボンディングパッドは液晶工程におい
て電気的に絶縁されることになり、液晶工程において発
生する静電気により諸回路が静電破壊されることを防
ぎ、かつ、各ボンディングパッドが共通アース線によっ
て短絡されていないため、検査が可能となる。Operation According to this configuration, by forming the second insulating film before the liquid crystal process, the bonding pad is electrically insulated in the liquid crystal process, and static electricity generated in the liquid crystal process causes various circuits to become electrostatic. It can be inspected because it is prevented from being destroyed and each bonding pad is not short-circuited by the common ground line.
実施例 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は、本発明の実施例におけるボンディングパッ
ド部の平面図、第２図は、製造工程の流れを第１図のC-
Dにおける断面について描いた図、第３図は、液晶を用
いた画像表示装置の全体平面図である。FIG. 1 is a plan view of a bonding pad portion in an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a flow chart of a manufacturing process at C- of FIG.
FIG. 3 and FIG. 3 drawn on the cross section at D are overall plan views of an image display device using liquid crystal.
図において、１は石英基板、２はボンディングパッ
ド、３は絶縁膜Ａ、４は絶縁膜Ｂ、７は走査回路、８は
画像表示部、９は上面ガラス板、11はレジストマスクで
ある。In the figure, 1 is a quartz substrate, 2 is a bonding pad, 3 is an insulating film A, 4 is an insulating film B, 7 is a scanning circuit, 8 is an image display portion, 9 is a top glass plate, and 11 is a resist mask.
先ず、第２図ａに示すように、石英基板１上に、例え
ばスパッタ法により厚さ１〜２μｍのAl-Si合金を形成
し、ホトリソグラフィにより、ボンディングパッド２を
形成する。次に第２図ｂに示すように、絶縁膜A3として
例えば、プラズマCVD法により300〜350℃の成長温度で
厚さ1500〜3000ÅのSiN膜を形成し、ホトリソグラフィ
により第２図ｃに示すように、レジストマスク11を形成
し、例えばフロンガス（CF4）を用いたドライエッチン
グにより、ボンディングパッド２上のSiN膜３のみを除
去し、その後レジストを除去する。ここで検査を行なう
ことができる。First, as shown in FIG. 2A, an Al—Si alloy having a thickness of 1 to 2 μm is formed on a quartz substrate 1 by, for example, a sputtering method, and a bonding pad 2 is formed by photolithography. Next, as shown in FIG. 2b, as the insulating film A3, for example, a SiN film having a thickness of 1500 to 3000 Å is formed at a growth temperature of 300 to 350 ° C. by a plasma CVD method, and shown in FIG. 2c by photolithography. Thus, the resist mask 11 is formed, and only the SiN film 3 on the bonding pad 2 is removed by dry etching using, for example, Freon gas (CF 4 ), and then the resist is removed. An inspection can be performed here.
そして、絶縁膜B4として例えばプラズマCVD法によ
り、150〜170℃の低温で厚さ1000〜1500ÅのSiN膜を第
２図ｄに示すように、ボンディングパド２を完全に覆う
ように一様に形成する。ただし絶縁膜A3として用いるSi
N膜は、絶縁膜B4として用いるSiN膜よりも高温で形成
し、より耐エッチング性に優れている。その後、第２図
ｅの液晶工程において、液晶配向膜ラビング等を行なっ
た後上面ガラス板９を、石英基板１と例えば、エポキシ
系樹脂により画像表示部８を覆うように接着させ、液晶
の封入を行なう。液晶工程終了後、第２図ｆに示すよう
に、最終工程において例えば、フッ化アンモニウムと酢
酸、体積比2:1の混合液により、上面ガラス板９に覆わ
れていない領域の絶縁膜B4のSiN膜のみを絶縁膜A3のSiN
膜に対して選択的にエッチングする。このようにして、
ボンディングパッド部が出来る。Then, as the insulating film B4, a SiN film having a thickness of 1000 to 1500Å at a low temperature of 150 to 170 ° C. is uniformly formed so as to completely cover the bonding pad 2 as shown in FIG. To do. However, Si used as the insulating film A3
The N film is formed at a higher temperature than the SiN film used as the insulating film B4 and has more excellent etching resistance. Then, in the liquid crystal process of FIG. 2e, the upper glass plate 9 after rubbing the liquid crystal alignment film is adhered to the quartz substrate 1 with, for example, an epoxy resin so as to cover the image display portion 8, and liquid crystal is sealed. Do. After the liquid crystal process is completed, as shown in FIG. 2f, in the final process, for example, by a mixed solution of ammonium fluoride and acetic acid in a volume ratio of 2: 1, the insulating film B4 in a region not covered by the upper glass plate 9 is formed. SiN of insulating film A3 only SiN film
Etch selectively with respect to the film. In this way,
Bonding pad can be formed.
以上のように、絶縁膜A3と、エッチング選択性のある
絶縁膜B4を静電破壊防止用膜として液晶工程に入る前に
形成することにより、液晶工程において発生する静電気
によって各回路が静電破壊されることを防ぐことができ
るとともに、各ボンディングパッドが短絡されていない
ために検査が実施できる。As described above, by forming the insulating film A3 and the insulating film B4 having etching selectivity as the electrostatic breakdown preventing film before entering the liquid crystal process, each circuit is electrostatically destroyed by the static electricity generated in the liquid crystal process. The bonding pad can be prevented and the inspection can be performed because the bonding pads are not short-circuited.
なお、本実施例では、絶縁膜A,Bとしてそれぞれ、300
〜350℃の高温で形成するSiN膜および、150〜180℃の低
温で形成するSiN膜を用いたが、両者間にエッチング選
択性が存在することが重要であり、他の組み合わせとし
て、例えば、絶縁膜Ａとして常圧CVD法により420℃で形
成したNSG膜、絶縁膜ＢとしてプラズマCVD法により300
℃で形成したSiN膜を用いることも可能であることは言
うまでもない。この場合には、絶縁膜ＢのSiN膜を除去
する１つの方法としてCF4を用いたドライエッチング法
を用いることができる。In this example, each of the insulating films A and B was 300
The SiN film formed at a high temperature of ˜350 ° C. and the SiN film formed at a low temperature of 150 ° C. to 180 ° C. were used, but it is important that etching selectivity exists between them, and as another combination, for example, The insulating film A is an NSG film formed at 420 ° C. by atmospheric pressure CVD method, and the insulating film B is 300 by plasma CVD method.
It goes without saying that it is also possible to use a SiN film formed at ℃. In this case, as one method for removing the SiN film of the insulating film B, a dry etching method using CF 4 can be used.
発明の効果 以上のように本発明によれは、共通アース線を設けず
エッチング選択性を有する二種類の絶縁膜を用いてボン
ディングパッド部を形成すれば、液晶工程において発生
する静電気による回路の静電破壊を防止でき、かつ、工
程途中において、検査が実施できるその実用的効果は大
なるものがある。As described above, according to the present invention, if the bonding pad portion is formed by using two types of insulating films having etching selectivity without providing a common ground line, static electricity of the circuit caused by static electricity generated in the liquid crystal process can be eliminated. There is a great practical effect that electric breakdown can be prevented and an inspection can be performed in the middle of the process.
第１図は本発明の一実施例におけるボンディングパッド
部の平面図、第２図は製造工程図、第３図は液晶画像表
示装置の全体図、第４図は従来の液晶画像表示装置の平
面図、第５図はそのボンディングパッド部の平面図、第
６図はボンディングパッド部の断面図である。 １……石英基板、２……ボンディングパッド、３……絶
縁膜Ａ、４……絶縁膜Ｂ、７……走査回路、８……画像
表示部、９……上面ガラス板。FIG. 1 is a plan view of a bonding pad portion in one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a manufacturing process drawing, FIG. 3 is an overall view of a liquid crystal image display device, and FIG. 4 is a plan view of a conventional liquid crystal image display device. 5 and 5 are plan views of the bonding pad portion, and FIG. 6 is a sectional view of the bonding pad portion. 1 ... Quartz substrate, 2 ... Bonding pad, 3 ... Insulating film A, 4 ... Insulating film B, 7 ... Scanning circuit, 8 ... Image display part, 9 ... Top glass plate.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江本 文昭 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電子 工業株式会社内 (72)発明者 中村 晃 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電子 工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Fumiaki Emoto 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electronics Industrial Co., Ltd. (72) Akira Nakamura 1006, Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electronics Industrial Co., Ltd.
Claims (1)
と、前記ガラス基板上の全面を第１の絶縁膜で覆う工程
と、前記金属パッド部の上の前記第１の絶縁膜だけを除
去する工程と、前記第１の絶縁膜の上にさらに第２の絶
縁膜を覆う工程と、液晶工程を行なった後に、前記第２
の絶縁膜を選択的に除去して、前記金属パッドの表面を
露出する工程とを含むことを特徴とする画像表示装置の
製造方法。1. A step of forming a metal pad on a glass substrate, a step of covering the entire surface of the glass substrate with a first insulating film, and a step of removing only the first insulating film on the metal pad portion. And a step of further covering the second insulating film on the first insulating film, and a liquid crystal step, and then performing the second step.
Selectively removing the insulating film of, and exposing the surface of the metal pad, the method for manufacturing an image display device.
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