JPH08307160A - Temperature compensation circuit - Google Patents
Temperature compensation circuitInfo
- Publication number
- JPH08307160A JPH08307160A JP7108515A JP10851595A JPH08307160A JP H08307160 A JPH08307160 A JP H08307160A JP 7108515 A JP7108515 A JP 7108515A JP 10851595 A JP10851595 A JP 10851595A JP H08307160 A JPH08307160 A JP H08307160A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- control voltage
- circuit
- voltage
- thermistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子を含む回路の温度による特性変化
を補償することにある。
【構成】 回路11は半導体素子を含み温度によって特
性変化が生じ、演算増幅器12の出力に誤差が発生す
る。そこで温度補償用の制御電圧17を出力する分圧抵
抗の一方に2個のサーミスタ13,14の直列接続回路
を用い、サーミスタ13,14間から分圧した制御電圧
17を取り出す。制御電圧17は温度によって抵抗変化
するサーミスタ13,14と固定抵抗18の分圧によっ
て発生し、温度上昇したがって制御電圧17は増大す
る。また、2個のサーミスタ13,14はその抵抗温度
特性に伴なう誤差が互の変化で調整され、制御電圧17
は温度変化に高精度に対応する。そして、この制御電圧
17を演算増幅器12に基準電圧として加えることによ
り温度補償された増幅出力が得られる。
(57) [Abstract] [Purpose] To compensate for characteristic changes due to temperature in circuits that include semiconductor elements. [Structure] The circuit 11 includes a semiconductor element, and changes in characteristics due to temperature, causing an error in the output of the operational amplifier 12. Therefore, a series connection circuit of two thermistors 13 and 14 is used for one of the voltage dividing resistors that output the control voltage 17 for temperature compensation, and the divided control voltage 17 is taken out between the thermistors 13 and 14. The control voltage 17 is generated by the partial pressure of the thermistors 13 and 14 and the fixed resistor 18 whose resistance changes with temperature, and the control voltage 17 increases as the temperature rises. Further, the two thermistors 13 and 14 are adjusted by the mutual change in the error associated with the resistance temperature characteristic, and the control voltage 17
Responds to temperature changes with high accuracy. Then, by applying the control voltage 17 to the operational amplifier 12 as a reference voltage, a temperature-compensated amplified output can be obtained.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は温度検出素子を使用した
温度補償回路に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a temperature compensating circuit using a temperature detecting element.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、半導体素子を使用した回路での温
度特性の補償は、図3あるいは図4に示すように温度検
出素子を1個使用して半導体素子回路の温度補償をして
いる。半導体素子回路31,41の特性が温度に対して
変化する場合、図3の温度検出素子32あるいは図4の
温度検出素子42を制御電圧を出力する分圧抵抗33,
43回路に入れ、温度検出素子の周囲温度の検出によっ
て半導体素子回路31,41の温度特性を補正する。温
度検出素子が負特性サーミスタであれば、サーミスタの
抵抗値は数1で表わされる。2. Description of the Related Art Conventionally, temperature compensation of a circuit using a semiconductor element is performed by using one temperature detecting element as shown in FIG. 3 or FIG. When the characteristics of the semiconductor element circuits 31, 41 change with temperature, the voltage dividing resistor 33 for outputting the control voltage to the temperature detecting element 32 of FIG. 3 or the temperature detecting element 42 of FIG.
The temperature characteristic of the semiconductor element circuits 31 and 41 is corrected by detecting the ambient temperature of the temperature detecting element. If the temperature detecting element is a negative characteristic thermistor, the resistance value of the thermistor is expressed by the equation 1.
【0003】[0003]
【数1】 [Equation 1]
【0004】R0は周囲温度T0での抵抗値,Rは周囲温
度Tでの抵抗値である。この数1式から、周囲温度とサ
ーミスタの抵抗値には指数関数の関係がある。R 0 is the resistance value at the ambient temperature T 0 , and R is the resistance value at the ambient temperature T. From the equation (1), there is an exponential relationship between the ambient temperature and the resistance value of the thermistor.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図3又
は図4のようにサーミスタ1個を使用した温度補償回路
では、補償する回路の温度特性にある程度しか近づける
ことができない。However, in the temperature compensating circuit using one thermistor as shown in FIG. 3 or FIG. 4, the temperature characteristic of the compensating circuit can only be approximated to some extent.
【0006】すなわち、図3の回路では、温度上昇に対
応してサーミスタ32が抵抗変化し、サーミスタ32と
固定抵抗33との分圧による制御電圧が増大し、また図
4の回路では、サーミスタ42により温度上昇に対応し
て固定抵抗43との分圧による制御電圧が減少するが、
サーミスタは、一般に抵抗温度特性が指数関数曲線にな
り、使用温度範囲で許容できない誤差を生じる欠点があ
る。That is, in the circuit of FIG. 3, the resistance of the thermistor 32 changes in response to the temperature rise, and the control voltage due to the voltage division between the thermistor 32 and the fixed resistor 33 increases, and in the circuit of FIG. 4, the thermistor 42. As a result, the control voltage due to the voltage division with the fixed resistor 43 decreases in response to the temperature rise,
The thermistor generally has an exponential curve in the resistance temperature characteristic, and has a drawback of causing an unacceptable error in the operating temperature range.
【0007】本発明の目的は、上記欠点を解決した温度
補償回路の提供にある。An object of the present invention is to provide a temperature compensation circuit that solves the above drawbacks.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的は、温度補償
用の制御電圧を出力する分圧抵抗の一方に、周囲温度に
対応して負あるいは正特性の抵抗温度特性を有する温度
検出素子を少なくとも2個直列に接続した回路を設け、
該直列回路を形成する温度検出素子間より上記制御電圧
を取り出す回路を設けた、ことによって達成される。The above object is to provide a temperature detecting element having a resistance temperature characteristic of a negative or positive characteristic corresponding to an ambient temperature to one of the voltage dividing resistors for outputting a control voltage for temperature compensation. Provide at least two circuits connected in series,
This is achieved by providing a circuit for extracting the control voltage from between the temperature detecting elements forming the series circuit.
【0009】[0009]
【作用】上記手段を用いれば、直列回路を形成する一方
の温度検出素子の抵抗温度特性によって温度上昇すると
分圧電圧は増大し、直列回路の他方の温度検出素子の抵
抗温度特性によっては温度上昇すると分圧電圧が減少す
る。したがって、この2つの温度検出素子間の出力電圧
は互の変化によって微妙に調整され、温度検出素子の抵
抗温度特性の指数関数特性による誤差が補正される。そ
して、この温度検出素子の直列回路が分圧抵抗の一方に
設けられたことにより、周囲温度の変化に対応して変化
する分圧電圧を制御電圧取り出し回路に出力することが
できる。With the above means, when the temperature rises due to the resistance-temperature characteristic of one of the temperature detecting elements forming the series circuit, the divided voltage increases, and depending on the resistance-temperature characteristic of the other temperature detecting element of the series circuit, the temperature rises. Then, the divided voltage decreases. Therefore, the output voltage between the two temperature detecting elements is finely adjusted by the mutual changes, and the error due to the exponential function characteristic of the resistance temperature characteristic of the temperature detecting element is corrected. Since the series circuit of the temperature detecting elements is provided in one of the voltage dividing resistors, the divided voltage that changes according to the change in ambient temperature can be output to the control voltage extracting circuit.
【0010】[0010]
【実施例】以下本発明を実施例によって説明する。図1
は、本発明の一実施例で、半導体素子回路11の直流出
力電圧を演算増幅器12で基準電圧と比較増幅する回路
である。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples. FIG.
Is a circuit for comparing and amplifying the DC output voltage of the semiconductor element circuit 11 with the reference voltage by the operational amplifier 12 in the embodiment of the present invention.
【0011】回路11は半導体を含むため温度による特
性変化が生じ、出力レベルが温度によって変動する。そ
のため温度変化に応じて比較基準電圧をオフセットする
必要がある。この場合の比較基準電圧は分圧抵抗の分圧
出力を利用する。分圧抵抗の一方に、2個のサーミスタ
13,14を直列に接続した回路を設け、サーミスタ1
3,14間より分圧による制御電圧17を取り出し、こ
れを比較基準電圧として演算増幅器12に加え、回路1
1の温度特性に追従させる。Since the circuit 11 includes a semiconductor, the characteristic changes with temperature, and the output level changes with temperature. Therefore, it is necessary to offset the comparison reference voltage according to the temperature change. In this case, the comparison reference voltage uses the divided voltage output of the voltage dividing resistor. A circuit in which two thermistors 13 and 14 are connected in series is provided on one side of the voltage dividing resistor.
A control voltage 17 by dividing the voltage is taken out from between 3 and 14, and this is added to the operational amplifier 12 as a reference voltage for comparison.
Follow the temperature characteristics of 1.
【0012】分圧抵抗回路を構成するサーミスタ13で
は周囲温度の上昇によって出力する制御電圧17が増大
し、サーミスタ14では反対に、温度上昇にしたがって
制御電圧17が減少するように働く。この2つのサーミ
スタ13及び14の抵抗温度特性がほぼ等しいものであ
れば、その指数関数特性に伴なう誤差が互の変化で調整
される。In the thermistor 13 constituting the voltage dividing resistor circuit, the control voltage 17 to be output increases as the ambient temperature rises, and conversely in the thermistor 14, the control voltage 17 works so as to decrease as the temperature rises. If the resistance temperature characteristics of the two thermistors 13 and 14 are substantially equal to each other, the error associated with the exponential function characteristics is adjusted by the mutual change.
【0013】そして、この周囲温度によって抵抗値が変
化するサーミスタ13,14と固定抵抗18による分圧
出力の制御電圧17は温度上昇に対応して電圧増大し、
温度変化に高精度に対応したものとなり、これを演算増
幅器12の比較基準電圧とすることにより、回路11の
温度変化に高精度に追従させることができ、したがって
演算増幅器12の出力は温度補償され温度変化が無い場
合と同様な高精度の増幅出力を発生させることができ
る。The control voltage 17 of the divided output by the thermistors 13 and 14 and the fixed resistor 18 whose resistance value changes according to the ambient temperature increases in accordance with the temperature increase.
The temperature change of the circuit 11 becomes highly accurate, and by using this as the comparison reference voltage of the operational amplifier 12, it is possible to follow the temperature change of the circuit 11 with high accuracy. Therefore, the output of the operational amplifier 12 is temperature-compensated. It is possible to generate a highly accurate amplified output similar to the case where there is no temperature change.
【0014】また、サーミスタ13,14には、並列又
は直列に抵抗15,16を接続することによって、サー
ミスタ13,14の温度特性の誤差を補正すると同時に
抵抗変化量の平均化を図ることができ、回路11の温度
特性に、より適切に追従させることができる。By connecting the resistors 15 and 16 in parallel or in series to the thermistors 13 and 14, it is possible to correct an error in the temperature characteristics of the thermistors 13 and 14 and at the same time to average the amount of resistance change. , The temperature characteristics of the circuit 11 can be made to follow more appropriately.
【0015】図2は、本発明の他の実施例で、半導体回
路21に温度変化による制御電圧を直接加えて温度によ
る回路特性の変化を補償するようにしたものである。FIG. 2 shows another embodiment of the present invention in which a control voltage due to temperature change is directly applied to the semiconductor circuit 21 to compensate for changes in circuit characteristics due to temperature.
【0016】制御電圧27は、分圧固定抵抗22と、2
個のサーミスタ23,24の分圧電圧であり、サーミス
タ23,24間により出力する。サーミスタ23では周
囲温度の上昇によって出力する制御電圧27は増大し、
サーミスタ24では周囲温度の上昇によって出力制御電
圧27が減少するように作用するから、この2つのサー
ミスタ23,24によって抵抗温度特性の指数関数特性
に伴なう誤差が調整される。The control voltage 27 consists of a fixed voltage dividing resistor 22 and 2
It is a divided voltage of the thermistors 23 and 24, and is output between the thermistors 23 and 24. In the thermistor 23, the control voltage 27 output increases as the ambient temperature rises,
In the thermistor 24, the output control voltage 27 decreases as the ambient temperature rises. Therefore, the two thermistors 23 and 24 adjust the error associated with the exponential function characteristic of the resistance temperature characteristic.
【0017】そして、この周囲温度によって抵抗値が変
化するサーミスタ23,24と固定抵抗22による分圧
出力の制御電圧27は、温度上昇に伴なって電圧が低下
し、温度変化に高精度に対応したものとなる。この制御
電圧27を半導体回路21に加えて制御することによ
り、半導体素子の温度変化による特性変化を補償し追従
制御することができる。これにより通常の使用温度範囲
での誤差は極めて小さく、許容できるようになる。The control voltage 27 of the divided voltage output by the thermistors 23 and 24 and the fixed resistor 22 whose resistance value changes depending on the ambient temperature decreases as the temperature rises, and corresponds to the temperature change with high accuracy. It will be what you did. By controlling the control voltage 27 in addition to the semiconductor circuit 21, it is possible to compensate the characteristic change due to the temperature change of the semiconductor element and perform follow-up control. As a result, the error in the normal operating temperature range is extremely small and can be tolerated.
【0018】また、この実施例においても、サーミスタ
23,24に並列抵抗25,26を接続しているが、こ
れによる作用は前記図1の実施例のものと同様である。Also in this embodiment, the parallel resistors 25 and 26 are connected to the thermistors 23 and 24, and the operation by this is the same as that of the embodiment of FIG.
【0019】なお、図2の回路において、検出した制御
電圧27を増幅し、あるいは信号変換等任意に調整制御
してから半導体回路21に加えることができる。In the circuit of FIG. 2, the detected control voltage 27 can be added to the semiconductor circuit 21 after being amplified or subjected to arbitrary adjustment control such as signal conversion.
【0020】以上の実施例では、周囲温度の検出素子と
して負特性の抵抗温度特性を有するサーミスタを使用し
たが、正特性の抵抗温度特性を有する検出素子を用いる
こともできる。In the above embodiments, the thermistor having the negative resistance temperature characteristic is used as the ambient temperature detecting element, but a detecting element having the positive resistance temperature characteristic may be used.
【0021】[0021]
【発明の効果】以上のように、本発明を実施することに
より、複雑な温度特性を有する回路の温度補償を高精度
に行なうことができる。As described above, by carrying out the present invention, temperature compensation of a circuit having a complicated temperature characteristic can be performed with high accuracy.
【図1】本発明の一実施例回路構成図である。FIG. 1 is a circuit configuration diagram of an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の他の実施例回路構成図である。FIG. 2 is a circuit configuration diagram of another embodiment of the present invention.
【図3】従来の回路構成図である。FIG. 3 is a conventional circuit configuration diagram.
【図4】従来の回路構成図である。FIG. 4 is a conventional circuit configuration diagram.
11…半導体素子回路、12…演算増幅器、13…サー
ミスタ、14…サーミスタ、15,16…抵抗。11 ... Semiconductor element circuit, 12 ... Operational amplifier, 13 ... Thermistor, 14 ... Thermistor, 15, 16 ... Resistor.
Claims (1)
償する回路において、温度補償用の制御電圧を出力する
分圧抵抗の一方に、周囲温度に対応して抵抗変化する抵
抗温度特性を有する温度検出素子を少なくとも2個直列
に接続した回路を設け、該直列回路を形成する温度検出
素子間より上記制御電圧を取り出す出力回路を設けたこ
とを特徴とする温度補償回路。1. In a circuit for temperature compensating an electric circuit using a semiconductor element, one of the voltage dividing resistors that outputs a control voltage for temperature compensation has a temperature that has a resistance-temperature characteristic in which the resistance changes in accordance with the ambient temperature. A temperature compensating circuit comprising a circuit in which at least two detection elements are connected in series, and an output circuit for extracting the control voltage from between the temperature detection elements forming the series circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7108515A JPH08307160A (en) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | Temperature compensation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7108515A JPH08307160A (en) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | Temperature compensation circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08307160A true JPH08307160A (en) | 1996-11-22 |
Family
ID=14486753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7108515A Pending JPH08307160A (en) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | Temperature compensation circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08307160A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012249062A (en) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Japan Radio Co Ltd | Satellite communication receiver modem with temperature compensation circuit |
| CN111930171A (en) * | 2020-09-27 | 2020-11-13 | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 | Low-temperature-drift precision voltage output circuit |
| JP2020202606A (en) * | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 三菱電機株式会社 | Power conversion device |
-
1995
- 1995-05-02 JP JP7108515A patent/JPH08307160A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012249062A (en) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Japan Radio Co Ltd | Satellite communication receiver modem with temperature compensation circuit |
| JP2020202606A (en) * | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 三菱電機株式会社 | Power conversion device |
| CN111930171A (en) * | 2020-09-27 | 2020-11-13 | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 | Low-temperature-drift precision voltage output circuit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3967188A (en) | Temperature compensation circuit for sensor of physical variables such as temperature and pressure | |
| JPS6116026B2 (en) | ||
| JPH08510549A (en) | Strain gauge sensor with integrated temperature signal output | |
| JP4438222B2 (en) | Physical quantity detection device | |
| WO1988006719A1 (en) | Transducer signal conditioner | |
| US5534773A (en) | Method for compensating an offset voltage temperature drift in a semiconductor strain gage sensor | |
| US5726564A (en) | Temperature-compensating method for a resistance bridge circuit, resistance bridge circuit with temperature-compensating circuit, and acceleration sensor using the same | |
| JPH08307160A (en) | Temperature compensation circuit | |
| US10671103B2 (en) | Voltage supply apparatus | |
| JPH02120621A (en) | Flow rate measuring circuit | |
| JP3153463B2 (en) | Hall element drive circuit | |
| JPH11194061A (en) | Pressure sensor drive circuit | |
| JPH0529841A (en) | Amplifier circuit with temperature compensation | |
| JPS5832646B2 (en) | pressure transmitter | |
| JP2576414B2 (en) | AC level detection circuit | |
| JPH1096675A (en) | Temperature compensation circuit and temperature compensation method | |
| JPH07139985A (en) | Thermal air flow measuring instrument | |
| JP2000214030A (en) | Pressure sensor circuit | |
| JPH05164721A (en) | Humidity detection circuit | |
| JPH05249128A (en) | Wind velocity sensor | |
| JP2690964B2 (en) | Thermal air flow meter | |
| JP2948958B2 (en) | Transducer circuit | |
| JPH042170A (en) | Temperature compensation method for span voltage of semiconductor diffused resistor type of pressure sensor | |
| US20210381917A1 (en) | Sensor drive circuit | |
| JP2855974B2 (en) | Wind speed sensor |