JPH0827974B2

JPH0827974B2 - Optical information recording medium and optical information recording method thereof

Info

Publication number: JPH0827974B2
Application number: JP1219738A
Authority: JP
Inventors: 恵美子浜田; 雄治新井; 有明辛; 隆石黒
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1988-08-26
Filing date: 1989-08-26
Publication date: 1996-03-21
Anticipated expiration: 2011-03-21
Also published as: JPH02139733A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、透明な基板上に少なくとも光吸収層と反射
層を有する書き込み可能な光情報記録媒体とその記録方
法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a writable optical information recording medium having at least a light absorbing layer and a reflecting layer on a transparent substrate, and a recording method thereof.

［従来の技術］レーザ光の照射により、データを記録することができ
る、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒体は、Te、B
i、Mn等の金属層や、シアニン、メロシアニン、フタロ
シアニン等の色素層等からなる記録層を有し、レーザ光
の照射により、上記記録層を変形、昇華、蒸発或は変性
させる等の手段で、ピットを形成し、データを記録す
る。この記録層を有する光情報記録媒体では、ピットを
形成する際の記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を容
易にするため、記録層の背後に空隙を設けることが一般
に行なわれている。具体的には例えば、空間部を挟んで
２枚の基板を積層する、いわゆるエアサンドイッチ構造
と呼ばれる積層構造がとられる。[Prior Art] A so-called writable optical information recording medium capable of recording data by irradiation with laser light is Te, B
It has a recording layer composed of a metal layer such as i and Mn and a dye layer such as cyanine, merocyanine, and phthalocyanine, and is capable of being deformed, sublimated, evaporated, or modified by irradiation with laser light. , Pits are formed and data is recorded. In an optical information recording medium having this recording layer, a void is generally provided behind the recording layer in order to facilitate deformation, sublimation, evaporation or modification of the recording layer when forming pits. . Specifically, for example, a so-called air sandwich structure, in which two substrates are stacked with a space therebetween, is used.

この光情報記録媒体では、上記透光性を有する基板１
側からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、
記録したデータを再生するときは、上記基板１側から記
録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピットと
それ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みと
る。In this optical information recording medium, the translucent substrate 1 is used.
Laser light is irradiated from the side to form pits. And
When the recorded data is reproduced, the substrate 1 side is irradiated with a laser beam having a power weaker than that at the time of recording, and a signal is read due to a difference in reflected light between the pit and other portions.

一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き
込みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持た
ず、記録データを再生するためのピットを予めプレス等
の手段で透光性の基板の上に形成し、この上にAu、Ag、
Cu、Al等の金属膜からなる反射層を形成し、さらにこの
上を保護層で覆ったものである。On the other hand, a so-called ROM type optical information recording medium in which data is recorded in advance and the data cannot be written or erased thereafter has already been widely put to practical use in the information processing and audio departments. This kind of optical information recording medium does not have a recording layer as described above, and pits for reproducing recorded data are previously formed on a translucent substrate by a means such as a press, and Au, Ag,
A reflective layer made of a metal film of Cu, Al or the like is formed, and a protective layer is further covered on the reflective layer.

このROM型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再生信
号の仕様は、いわゆるCD規格として規格化され、これに
準拠する再生装置は、コンパクトディスクプレーヤ（CD
プレーヤ）として極めて広く普及している。The most typical of these ROM type optical information recording media is a compact disc, which is widely used in the audio sector and the information processing sector, so-called CD, and the specifications of the recording and reproducing signals of this CD are the so-called CD standard. A playback device conforming to this standard is a compact disc player (CD
It is extremely widespread as a player).

［発明が解決しようとする課題］上記書き込み可能な光情報記録媒体は、やはりCDと同
じレーザ光を用いる記録手段であるため、再生に際し、
既に広く普及したCDに準拠することが強く望まれる。[Problems to be Solved by the Invention] Since the writable optical information recording medium is also a recording means that uses the same laser light as CD,
It is strongly desired to comply with the already widespread CD.

しかしながら、上記のエアサンドウィッチ構造のよう
な書き込み可能光情報記録媒体は、基板にではなく、記
録層にピットを形成して記録する手段がとられ、しか
も、この記録層にピットを形成するのを容易にするため
に、空隙層等を有するため、厚み（表面から裏面までの
厚みを意味し、以下「全厚」という。）が厚くなってし
まう。そのため、CD規格に規定する全厚を満足すること
が困難であった。また、基板上に記録層および反射層を
設けた光情報記録媒体も既に提案されているが、CD規格
が要求する変調度を満足できる再生信号が得られる光情
報記録媒体は未だ提供されていなかった。However, the writable optical information recording medium such as the air sandwich structure described above has a means for recording by forming pits in the recording layer, not on the substrate, and moreover, it is necessary to form the pits in this recording layer. Since it has a void layer or the like for simplification, the thickness (meaning the thickness from the front surface to the back surface, hereinafter referred to as “total thickness”) becomes thick. Therefore, it was difficult to satisfy the total thickness specified in the CD standard. Further, an optical information recording medium having a recording layer and a reflective layer provided on a substrate has already been proposed, but an optical information recording medium capable of obtaining a reproduction signal satisfying the modulation degree required by the CD standard has not yet been provided. It was

本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされた
もので、CD規格に規定する範囲の全厚を有し、データの
再生に際し、70％以上の高い反射率を有し、かつ、CD規
格に準拠する変調度の出力信号が得られるピットが形成
可能な光情報記録媒体および該光情報記録媒体に好適な
光情報記録方法を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, has a total thickness in the range specified in the CD standard, has a high reflectance of 70% or more when reproducing data, and a CD An object of the present invention is to provide an optical information recording medium capable of forming pits from which an output signal having a modulation degree conforming to the standard can be formed, and an optical information recording method suitable for the optical information recording medium.

［課題を解決するための手段］すなわち、上記目的を達成するため、本発明において
採用した手段の要旨は、透光性基板の上に直接または他
の層を介してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸
収層の上に直接または他の層を介して反射層と硬質層が
設けられ、上記透光性基板側の光吸収層に接する部分の
ロックウェル硬度ASTM D785がM90以下であることを特徴
とする光情報記録媒体および該光情報記録媒体を用いた
光情報記録方法である。[Means for Solving the Problem] That is, in order to achieve the above-mentioned object, the gist of the means adopted in the present invention is that a light absorbing material that absorbs laser light directly or through another layer on the transparent substrate. A layer and a reflection layer and a hard layer are provided directly or through another layer on the light absorption layer, and the Rockwell hardness ASTM D785 of the portion in contact with the light absorption layer on the transparent substrate side is M90 or less. An optical information recording medium and an optical information recording method using the optical information recording medium.

さらに、上記光情報記録媒体において、光吸収層の複
素屈折率の実数部n_absと膜厚d_absと再生光の波長λとで
与えられるρ＝n_abs・d_abs／λが、0.05≦ρ≦0.6であ
り、かつ光吸収層の複素屈折率の虚部k_absが0.3以下で
あることが望ましい。Further, in the above optical information recording medium, ρ = n _abs · d _abs / λ given by the real part n _abs of the complex refractive index of the light absorption layer, the film thickness d _abs and the wavelength λ of the reproduction light is 0.05 ≦ ρ It is desirable that ≦ 0.6 and that the imaginary part _kabs of the complex refractive index of the light absorption layer is 0.3 or less.

［作用］上記本発明の光情報記録媒体によれば、透光性基板側
から光吸収層にレーザ光を照射することにより、光吸収
層にエネルギーが与えられると、光吸収層と接する基板
側の部分が一部変形する。このとき、変形する部分の硬
度が低いとその変形度はより大きなものになるため、変
形しない領域と変形した領域との光路長の差が大きくな
る。その結果、再生する時の再生光の光学的位相差が大
きくなり、変調度を大きくとることができる。[Operation] According to the optical information recording medium of the present invention, when energy is applied to the light absorbing layer by irradiating the light absorbing layer with laser light from the transparent substrate side, the substrate side in contact with the light absorbing layer The part of is deformed. At this time, if the hardness of the deformed portion is low, the degree of deformation thereof becomes larger, so that the difference in optical path length between the undeformed region and the deformed region becomes large. As a result, the optical phase difference of the reproduction light at the time of reproduction becomes large, and the modulation degree can be made large.

本発明者らによる実験およびシミュレーションによれ
ば、本発明による光情報記録媒体の構造において、CD規
格に準拠した変調度の再生信号を得ることができるピッ
トが形成されるためには、透光性基板側の光吸収層に接
する部分の硬度がロックウェル硬度ASTM D785においてM
90以下であることが必要であることを見出だした。According to the experiments and simulations by the present inventors, in the structure of the optical information recording medium according to the present invention, pits capable of obtaining a reproduction signal having a modulation degree conforming to the CD standard are formed, and therefore, the light transmission property is high. The hardness of the part in contact with the light absorption layer on the substrate side is M in Rockwell hardness ASTM D785.
We have found that it needs to be 90 or less.

第８図は、ポリカーボネート基板上に変形層を設け、
さらにその上にシアニン色素からなる光吸収層を設け、
その上に金の反射層を設け、その上にUV硬化樹脂の硬質
層（硬度はロックウェル硬度ASTM D785においてM90）を
設けた光情報記録媒体において、分子量および組成を変
化させることによって透光性基板側の光吸収層と接する
部分の硬度を変化させたときの、同部分の硬度と再生信
号の変調度の関係を示すグラフである。FIG. 8 shows that a deformation layer is provided on a polycarbonate substrate,
Furthermore, a light absorbing layer made of a cyanine dye is provided on it,
An optical information recording medium with a gold reflective layer on top of it, and a hard layer of UV curable resin on it (hardness is M90 in Rockwell hardness ASTM D785), is translucent by changing the molecular weight and composition. 6 is a graph showing the relationship between the hardness of a portion of the substrate that is in contact with the light absorption layer and the degree of modulation of a reproduction signal when the hardness of the portion is changed.

第８図から分かるように、CD規格を満足する変調度が
得られるための透光性基板側の光吸収層と接する部分の
硬度はロックウェル硬度ASTM D785においてM90以下であ
ることが必要であり、望ましくは、M85以下、さらに望
ましくはM75以下である。As can be seen from FIG. 8, the hardness of the portion in contact with the light absorption layer on the transparent substrate side for obtaining the modulation degree satisfying the CD standard needs to be M90 or less in Rockwell hardness ASTM D785. , Preferably M85 or less, and more preferably M75 or less.

また、本発明による光情報記録媒体には反射層側に硬
質層が設けられているため、ピットは反射層側の層より
も透光性基板側に、より明確に形成することができる。
従って、反射層側に形成された変形部分に起因する二次
的な反射光が生じないため、再生波形の歪みを押さえる
ことができ、CD規格に規定するブロックエラーレートを
低く押さえることができる。Further, since the optical information recording medium according to the present invention is provided with the hard layer on the reflective layer side, the pits can be formed more clearly on the translucent substrate side than on the reflective layer side layer.
Therefore, secondary reflected light due to the deformed portion formed on the reflective layer side is not generated, so that the distortion of the reproduced waveform can be suppressed and the block error rate specified in the CD standard can be suppressed low.

さらに、本発明による光情報記録媒体では、基板に少
なくとも、光吸収層、反射層、硬質層等の薄膜が設けら
れて構成されるため、CD規格に規定する全厚の範囲に容
易に収めることができる。Further, in the optical information recording medium according to the present invention, at least the thin film such as the light absorption layer, the reflection layer, and the hard layer is provided on the substrate, so that it can be easily accommodated within the range of the total thickness specified in the CD standard. You can

本発明による光情報記録媒体によって形成されたピッ
トは、CDのような予めプレス等の手段によって基板表面
に形成されたピットと同様の機能をする。そのため、CD
と同様の再生波形を容易に得ることができる。The pits formed by the optical information recording medium according to the present invention have the same function as the pits previously formed on the substrate surface by means such as a press such as a CD. Therefore, the CD
A reproduced waveform similar to that can be easily obtained.

また、本発明者らは、本発明による光情報記録媒体に
よってCD規格に準拠した反射率70％以上という出力信号
が得られるためには、光情報記録媒体の光吸収層の複素
屈折率の実数部n_absとその膜厚d_absと、再生光の波長λ
とで与えられるρ＝n_abs・d_abs／λが非常に重要なパラ
メーターであることに着目し、実験およびシミュレーシ
ョンを行った結果、第９図のような関係を得ることがで
きた。第９図は、再生光として、波長λ＝780nmの半導
体レーザを用いた場合に、光情報記録媒体の光吸収層の
複素屈折率の実数部n_absとその膜厚d_absと、再生光の波
長λとで与えられるρ＝n_abs・d_abs／λと、基板側から
入射させた光の反射率との関係を示すグラフである。In addition, the inventors of the present invention need to obtain a real number of complex refractive index of the light absorption layer of the optical information recording medium in order for the optical information recording medium of the present invention to obtain an output signal having a reflectance of 70% or more in accordance with the CD standard. Part n _abs and its film thickness d _abs, and the reproduction light wavelength λ
Paying attention to the fact that ρ = n _abs · d _abs / λ given by and is a very important parameter, and conducting experiments and simulations, we were able to obtain the relationship shown in FIG. FIG. 9 shows the real part n _abs of the complex refractive index of the light absorption layer of the optical information recording medium and its film thickness d _abs when the semiconductor laser of wavelength λ = 780 nm is used as the reproduction light. 6 is a graph showing the relationship between ρ = n _abs · d _abs / λ given by the wavelength λ and the reflectance of light incident from the substrate side.

このグラフを見ると、ρが0.6よりも小さいときに
は、ほぼ確実に反射率が70％以上を確保できることがわ
かる。ρが0.05に満たない領域や、0.6を越える領域で
あっても70％以上の反射率が得られる場合がある。しか
し、ρが0.05に満たない領域の場合は、光吸収層の膜厚
d_absを0.05μｍ以下と、相当薄くしなければならないた
め、データの記録のためのピットを形成するのが困難と
なり、上記のような再生信号が得られない。また、0.6
を越える領域の場合は、均一な膜厚に制御することが困
難になり、記録特性にばらつきが生じ、I3/I_topが0.3に
満たなかったり、ジッターエラーが増大したりする等の
実用上の問題が生じる。すなわち、ρを0.05〜0.6とす
ることにより、反射率をCD規格に規定する70％以上とす
ることができることがわかる。From this graph, it can be seen that when ρ is smaller than 0.6, it is almost certain that the reflectance of 70% or more can be secured. A reflectance of 70% or more may be obtained even in a region where ρ is less than 0.05 or a region in which ρ exceeds 0.6. However, if ρ is less than 0.05, the thickness of the light absorption layer
Since it is necessary to make the _dabs 0.05 μm or less, which is considerably thin, it is difficult to form pits for recording data, and the above-mentioned reproduction signal cannot be obtained. Also, 0.6
If it exceeds the range, it will be difficult to control the film thickness to a uniform value, and the recording characteristics will fluctuate, and I3 / I _top will be less than 0.3, and jitter error will increase. The problem arises. That is, it can be seen that the reflectance can be set to 70% or more specified in the CD standard by setting ρ to 0.05 to 0.6.

本発明者らはこれらの結果をさらに検討した結果、ρ
を0.05〜0.6の範囲内に設定しただけでは必ずしもCD規
格に規定されたような出力信号を安定して得られるわけ
ではなく、光吸収層の複素屈折率の虚部k_absが重要なパ
ラメーターであることを見出だした。第10図は、反射層
にAu膜を用いた光情報記録媒体において、シアニン系色
素からなる光吸収層の透光性を変え、ρを一定にしなが
ら、その虚部k_absを０に近い値から2.0まで変化させた
ときの反射率の変化を示すグラフである。The present inventors further examined these results and found that ρ
It is not always possible to stably obtain an output signal as specified in the CD standard by setting the value in the range of 0.05 to 0.6, and the imaginary part k _abs of the complex refractive index of the light absorption layer is an important parameter. I found something. FIG. 10 shows that in an optical information recording medium using an Au film as a reflective layer, the transmissivity of a light absorbing layer made of a cyanine dye is changed and ρ is kept constant while the imaginary part k _abs of the value is close to 0. It is a graph which shows the change of the reflectance when changing from 1 to 2.0.

このグラフをみると、k_absが０に近づけば近づくほど
反射率が高くなることがわかる。本発明者らは、実験お
よびシミュレーションの結果より、ρが0.05〜0.6の範
囲内で安定して高い反射率を維持するためには、光吸収
層の透光性が十分高くなければならず、同層の複素屈折
率の虚部k_absが0.3以下である必要があることを見出だ
した。ρが0.05〜0.6の範囲内であっても、k_absが0.3よ
りも大きいと反射率70％以上を確保することは困難であ
る。From this graph, it can be seen that the reflectance increases as k _abs approaches 0. From the results of experiments and simulations, the present inventors have determined that ρ should be sufficiently high in translucency in order to maintain a stable high reflectance within the range of 0.05 to 0.6, It has been found that the imaginary part k _abs of the complex index of the same layer needs to be 0.3 or less. Even ρ is in the range of 0.05 to 0.6, it is difficult for k _abs is to ensure greater than 70% reflectivity than 0.3.

これらの結果より、第11図のような結果を得ることが
できる。第11図は、ρとk_absとの値においてCD規格に準
拠する組み合わせの臨界値を示すグラフである。From these results, the results shown in FIG. 11 can be obtained. FIG. 11 is a graph showing the critical values of the combination of ρ and k _abs in accordance with the CD standard.

このグラフからわかるように、CD規格に準拠する記録
信号を得ることができる光情報記録媒体を提供するため
には、ρ＝n_abs・d_abs／λが0.05〜0.6の範囲で、かつk
_absが0.3以下であることが必要であることがわかる。As can be seen from this graph, in order to provide an optical information recording medium capable of obtaining a recording signal conforming to the CD standard, ρ = n _abs · d _abs / λ is in the range of 0.05 to 0.6, and k
_It can be seen that _abs needs to be 0.3 or less.

さらにいえば、ρ＝n_abs・d_abs／λは0.05〜0.6の範
囲が望ましいが、十分な変調度をとるためには、0.1以
上の範囲が望ましく、変調度の大きい安定した記録特性
を得るためには、0.45±0.1の範囲が最も望ましい。More, although _{_{ρ = n abs · d abs /}} λ in the range of 0.05 to 0.6 is desirable, in order to take a sufficient degree of modulation is desirably in the range of 0.1 or more, to obtain a large stable recording characteristics of modulation index Therefore, the range of 0.45 ± 0.1 is most desirable.

他方、k_absは、0.3以下であれば、０に近づけば近づ
くほど反射率は向上する。従って、この範囲が最も望ま
しい。しかし、０に近づけば近づくほど記録感度が悪く
なるため、０より大きいことが必要である。具体的に
は、0.1以下の範囲が望ましく、実際には、0.05前後が
望ましい。On the other hand, if k _abs is 0.3 or less, the reflectance improves as the value approaches 0. Therefore, this range is the most desirable. However, the closer it is to 0, the worse the recording sensitivity becomes, and therefore it is necessary to be larger than 0. Specifically, a range of 0.1 or less is desirable, and actually, a range of about 0.05 is desirable.

なお、本発明は、既に述べた層以外の層がある場合に
おいても適用が可能である。たとえば、基板と光吸収層
との間に透明層（たとえばSiO₂等のエンハンス層、下引
き層等）を設けた場合には、この層を基板の一部として
上記の安定を扱っても良く、光吸収層と反射層との間に
層（たとえば、接着層、硬質層等）を設けた場合には、
これらの層を第二の吸収層として考え、ρ＝（n₁・d₁＋
n₂・d₂）／λとして扱い、多数層になる場合には、ρ＝
Σ（n_i・d_i）／λ（但し、ｉは整数）とすれば、上記と
同様に扱うことができる。The present invention can be applied even when there are layers other than the layers already described. For example, when a transparent layer (for example, an enhancement layer such as SiO ₂ or an undercoat layer) is provided between the substrate and the light absorption layer, this layer may be used as a part of the substrate to handle the above stability. When a layer (for example, an adhesive layer, a hard layer, etc.) is provided between the light absorption layer and the reflection layer,
Considering these layers as the second absorption layer, ρ = (n ₁ · d ₁ +
n ₂ · d ₂ ) / λ, and if there are multiple layers, ρ =
If Σ (n _i · d _i ) / λ (where i is an integer), it can be handled in the same manner as above.

また、ｋが、０でない場合には、膜厚の比率によって
平均値としてのｋを、ｋ＝Σd_ik_i／Σd_iとして求めれば
単層の場合と同様に扱うことができる。Further, when k is not 0, if k as a mean value is obtained as k = Σd _i k _i / Σd _i according to the film thickness ratio, it can be treated in the same manner as in the case of a single layer.

また、基板にグルーブが系成されている場合には、d
_absは、グルーブ内の光吸収層の膜厚とランド部の光吸
収層の膜厚の全面積の平均値であらわされる。If the substrate has grooves, d
_Abs is represented by the average value of the total area of the film thickness of the light absorbing layer in the groove and the film thickness of the light absorbing layer in the land portion.

［実施例］次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について
詳細に説明する。[Embodiment] Next, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、
第１図〜第７図に示す。同図において、１は、透光性基
板、２は、その上に形成された光吸収層で、照射された
レーザ光を吸収し、それに接する層にピットを形成する
作用を有する層である。第４図〜第７図においてのみ示
された６の符号は、透光性基板１と光吸収層２の間に存
在する中間層で、これが存在する場合は、光吸収層にエ
ネルギーが与えられることにより、第５図に示すよう
に、中間層６が変形し、ピット５が形成される。また、
中間層６の膜厚が比較的薄い場合には、第７図で示すよ
うに、変形が基板１に及ぶことがある。さらに、このよ
うな中間層６が存在しない場合には、第３図で示すよう
に、基板１の界面が変形され、そこにピット５が形成さ
れる。また３は、その上に形成された反射層、４は、そ
の外側に設けられた保護層を示す。An example of a schematic structure of the optical information recording medium according to the present invention,
It is shown in FIGS. In the figure, 1 is a translucent substrate, and 2 is a light absorption layer formed thereon, which is a layer having a function of absorbing irradiated laser light and forming pits in a layer in contact therewith. Reference numeral 6 shown only in FIGS. 4 to 7 denotes an intermediate layer existing between the light-transmissive substrate 1 and the light absorbing layer 2, and when this is present, energy is applied to the light absorbing layer. As a result, the intermediate layer 6 is deformed and the pits 5 are formed, as shown in FIG. Also,
When the thickness of the intermediate layer 6 is relatively thin, the substrate 1 may be deformed as shown in FIG. Furthermore, when such an intermediate layer 6 does not exist, the interface of the substrate 1 is deformed and pits 5 are formed therein as shown in FIG. Further, 3 indicates a reflective layer formed on the reflective layer, and 4 indicates a protective layer provided on the outer side.

第２図、第４図及び第６図は、レーザ光による記録前
の状態を、第３図、第５図及び第７図は、レーザ光によ
る記録後の状態、すなわち、ピット５が形成された状態
を模式的に示す。2, FIG. 4 and FIG. 6 show the state before recording with laser light, and FIG. 3, FIG. 5 and FIG. 7 show the state after recording with laser light, that is, pit 5 is formed. The state is shown schematically.

透光性基板１の材料は、レーザー光に対する屈折率が
1.4〜1.6の範囲の透明度の高い材料で、耐衝撃性に優れ
た樹脂が望ましい。具体的には、ポリカーボネート、ア
クリル等が例示できるが、これらに限られるわけではな
い。The material of the transparent substrate 1 has a refractive index for laser light.
A highly transparent material in the range of 1.4 to 1.6, and a resin with excellent impact resistance is desirable. Specific examples thereof include polycarbonate and acryl, but the invention is not limited thereto.

上記のような材料を用いて、基板１は例えば射出成形
等の手段により成形される。The substrate 1 is molded by using a material such as the above by means such as injection molding.

このような基板１に、スパイラル状にプリグルーブが
形成されていてもよい。プリグルーブは、通常考えられ
る条件のものであればどのような条件のものでもよい
が、50〜250nmの深さが好適であり、さらに望ましくは8
0〜180nmの深さであることが望ましい。A pre-groove may be spirally formed on such a substrate 1. The pregroove may be under any conditions that are usually considered, but a depth of 50 to 250 nm is preferable, and more preferably 8
It is desirable that the depth is 0 to 180 nm.

プリグローブは、基板１の射出成形時のスタンパを押
し当てることにより形成されるのが通常であるが、レー
ザーによってカッティングすることや2P法によって作ら
れるものでもよい。The pre-groove is usually formed by pressing a stamper at the time of injection molding of the substrate 1, but it may be formed by cutting with a laser or the 2P method.

光吸収層２と接する中間層６は、ポリカーボネート、
アクリル、エポキシ等が例示でき、分子量、組成を変化
させることにより硬度を調節する。なお、既に説明した
ように、中間層６が無くて、光吸収層６に直接透光性基
板１が接していてもよく、また、中間層６が複数層存在
していてもよい。The intermediate layer 6 in contact with the light absorption layer 2 is polycarbonate,
Acrylics, epoxies, etc. can be exemplified, and the hardness is adjusted by changing the molecular weight and composition. As already described, the light transmissive substrate 1 may be in direct contact with the light absorption layer 6 without the intermediate layer 6, or there may be a plurality of intermediate layers 6.

基板１と光吸収層１との間に、上記中間層６以外に、
SiO₂等の耐溶剤層やエンハンス層をコーティングしてお
いてもよい。Between the substrate 1 and the light absorption layer 1, other than the intermediate layer 6,
A solvent resistant layer such as SiO ₂ or an enhancement layer may be coated.

光吸収層２の材料は、光吸収性の有機色素が望まし
く、シアニン色素、ポリメチン色素、トリアリールメタ
ン色素、ピリリウム色素、フェナンスレン色素、テトラ
デヒドロコリン色素、トリアリールアミン色素、スクア
リリウム色素、クロコニックメチン色素等が例示できる
が、これらに限定されるものではなく、公知の低融点金
属等の記録材料でも本発明の効果を得ることが可能であ
る。The material of the light absorbing layer 2 is preferably a light absorbing organic dye, and is a cyanine dye, polymethine dye, triarylmethane dye, pyrylium dye, phenanthrene dye, tetradehydrocholine dye, triarylamine dye, squarylium dye, croconic methine dye. Examples thereof include dyes, but the present invention is not limited thereto, and the effects of the present invention can be obtained with known recording materials such as low melting point metals.

なお、光吸収層２には、他の色素、樹脂（例えばニト
ロセルロース等の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマ
ー）、液ゴム等を含んでいても良い。The light absorption layer 2 may contain other dyes, resins (for example, thermoplastic resins such as nitrocellulose, thermoplastic elastomers), liquid rubber, and the like.

光吸収層２は、上記の色素および任意の添加剤を公知
の有機溶媒（たとえばケトンアルコール、アセチルアセ
トン、メチルセロソルブ、トルエン等）で溶解したもの
をプリグルーブが形成された透光性基板、或はさらに基
板１上に他の層をコーティングした上に形成される。The light absorbing layer 2 is a translucent substrate having a pre-groove formed by dissolving the above-described dye and any additive in a known organic solvent (eg, ketone alcohol, acetylacetone, methyl cellosolve, toluene, etc.), or Further, it is formed on the substrate 1 by coating another layer.

この場合の形成手段としては、蒸着法、LB法、スピン
コート法等が挙げられるが、光吸収層の濃度、粘度、溶
剤の乾燥速度を調節することにより層厚を制御できるた
めに、スピンコート法が望ましい。Examples of the forming means in this case include a vapor deposition method, an LB method, a spin coating method, and the like. However, since the layer thickness can be controlled by adjusting the concentration, viscosity, and drying rate of the solvent of the light absorption layer, spin coating is performed. Law is desirable.

反射層３は、金属膜が望ましく、例えば、金、銀、ア
ルミニウムあるいはこれらを含む合金を、蒸着法、スパ
ッタ法等の手段により形成される。反射率が70％以上を
有することが必要であるため、金または金を含む合金を
主体とする金属で形成することが望ましい。また、反射
層の酸化を防止するための耐酸化層等の他の層を介在さ
せてもよい。The reflective layer 3 is preferably a metal film, and is formed of, for example, gold, silver, aluminum, or an alloy containing these by a method such as a vapor deposition method or a sputtering method. Since it is necessary to have a reflectance of 70% or more, it is desirable to form the metal mainly with gold or an alloy containing gold. Further, another layer such as an oxidation resistant layer for preventing oxidation of the reflective layer may be interposed.

なお、光吸収層２より反射層３側にある層は、基板１
側の層に比べて熱変形温度が高く、かつ硬度が高いこと
が望ましい。このように構成することによって記録信号
のブロックエラーレートの低減に効果が認められる。The layer on the reflection layer 3 side of the light absorption layer 2 is the substrate 1
It is desirable that the heat deformation temperature and the hardness are higher than those of the side layer. With this configuration, it is possible to recognize the effect of reducing the block error rate of the recording signal.

硬質層４は光吸収層２よりも反射層３側に設けられる
層であり、保護層としての機能を兼ねてもよい。硬度は
透光性基板１側の光吸収層２と接する部分と同じであっ
ても良いが、できればこれよりも高い硬度の材質である
ことが望ましく、そうすることにより、再生波形に歪み
ができ難くなる。具体的には、ロックウェル硬度ASTM D
75以上、えんぴつ硬度でHB以上であっても、他の条件と
の組み合わせ次第で本発明の効果を得ることが可能であ
る。ただ、ブロックエラーレートBLERを良くする点を考
慮すると、ロックウェル硬度ASTM D785においてM90以
上、えんぴつ硬度でＨ以上であることが望ましい。さら
に、硬質層４は耐衝撃性の優れた樹脂によって形成され
ることが望ましい。たとえば紫外線硬化樹脂をスピンコ
ート法により塗布し、紫外線を照射して硬化させること
により形成する。The hard layer 4 is a layer provided on the reflection layer 3 side of the light absorption layer 2 and may also function as a protective layer. The hardness may be the same as the portion in contact with the light absorbing layer 2 on the transparent substrate 1 side, but if possible, it is desirable that the material has a hardness higher than this, so that the reproduced waveform can be distorted. It will be difficult. Specifically, Rockwell hardness ASTM D
Even if the hardness is 75 or more and HB or more in pencil hardness, the effect of the present invention can be obtained depending on the combination with other conditions. However, considering the point that the block error rate BLER is improved, it is desirable that the Rockwell hardness is ASTM D785 or more and the pencil hardness is H or more. Furthermore, it is desirable that the hard layer 4 be formed of a resin having excellent impact resistance. For example, it is formed by applying an ultraviolet curable resin by a spin coating method and irradiating it with ultraviolet rays to cure it.

レーザー光を照射してデータが記録された光情報記録
媒体は、第３図、第５図及び第７図に模式的に示すよう
に、基板１側の光吸収層２と接する表面部分に、光吸収
層２側に凸となるピット５が確認でき、このようにして
形成されたピット５の再生波形は、CDのそれと同様のも
のであることがわかっている。An optical information recording medium on which data is recorded by irradiating a laser beam has a surface portion in contact with the light absorption layer 2 on the substrate 1 side, as schematically shown in FIGS. 3, 5, and 7. The pits 5 which are convex on the light absorption layer 2 side can be confirmed, and it is known that the reproduced waveform of the pits 5 thus formed is similar to that of the CD.

記録信号の再生は、基板側から読取りレーザーを照射
し、ピット部分の反射光とピット以外の部分の反射光の
光学的位相差を読み取ることにより行われる。The reproduction of the recording signal is performed by irradiating a reading laser from the substrate side and reading the optical phase difference between the reflected light of the pit portion and the reflected light of the portion other than the pit.

なお、本実施例においては、透光性基板１のほぼ全面
に光吸収層２を形成した場合のみ説明しているが、上記
光吸収層２は透光性基板上の一部の領域に形成し、同光
吸収層２の無い領域を予め信号再生用のピットが形成さ
れたROM領域とすることもできる。たとえば、透光性基
板１の表面のROM領域となる部分に信号再生用のピット
をスタンパ等で予め形成しておき、その外側の領域にの
み上記材料をコーティングして光吸収層２を形成するこ
とにより、透光性基板の外周寄りの一部にのみ光吸収層
２を形成し、ここを記録可能領域とし、それより内周側
の部分にROM領域を形成する等である。このようにROM領
域を設けることにより、一定のROM情報と個人の追記情
報を１つの記憶媒体に収めることができる。In this embodiment, only the case where the light absorbing layer 2 is formed on almost the entire surface of the transparent substrate 1 is described, but the light absorbing layer 2 is formed in a partial region on the transparent substrate. However, the area without the light absorption layer 2 may be a ROM area in which pits for signal reproduction are formed in advance. For example, signal reproducing pits are formed in advance on a portion of the surface of the transparent substrate 1 which will be the ROM region by a stamper or the like, and the above material is coated only on the outer region to form the light absorbing layer 2. As a result, the light absorption layer 2 is formed only on a part of the light transmissive substrate near the outer circumference, and this is used as a recordable area, and the ROM area is formed on the inner circumference side. By providing the ROM area in this way, it is possible to store certain ROM information and personal additional write information in one storage medium.

また、本発明による光情報記録媒体においては、ディ
スク状の記録媒体に限らず、カード形状の光情報記録媒
体においても同様に考えることができる。Further, the optical information recording medium according to the present invention is not limited to a disc-shaped recording medium, and can be similarly considered in a card-shaped optical information recording medium.

この構成の具体的実施例について、以下に説明する。 A specific example of this configuration will be described below.

（実施例１）表面に幅0.8μｍ、深さ0.08μｍ、ピッチ1.6μｍのス
パイラル状のプリグルーブ８が形成された厚さ1.2mm、
外径120mmφ、内径15mmφのポリカーボネート基板１を
射出成形法により成形した。このポリカーボネート基板
１のロックウェル硬度ASTM D785は、M75鉛筆硬度HBと
同等であり、熱変形温度ASTM D648は、4.6kg/cm²、121
℃であった。Example 1 A spiral pregroove 8 having a width of 0.8 μm, a depth of 0.08 μm and a pitch of 1.6 μm formed on the surface has a thickness of 1.2 mm,
A polycarbonate substrate 1 having an outer diameter of 120 mmφ and an inner diameter of 15 mmφ was molded by an injection molding method. Rockwell hardness ASTM D785 of this polycarbonate substrate 1 is equivalent to M75 pencil hardness HB, and heat distortion temperature ASTM D648 is 4.6 kg / cm ² , 121.
° C.

光吸収層２を形成するための有機色素として、0.65g
の1,1′ジブチル3,3,3′,3′テトラメチル4,5,4′,5′
ジベンゾインドジカーボシアニンパークロレート（日本
感光色素研究所製、品番NK3219）を、ジアセトンアルコ
ール溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板１の表面に、
スピンコート法により塗布し、膜厚130nmの感光色素膜
からなる光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素
屈折率の実数部n_absとその膜厚d_absと再生光の波長λと
で与えられるρ＝n_absd_abs／λは、0.45であり、かつ上
記複素屈折率の虚部k_absは0.05であった。As an organic dye for forming the light absorption layer 2, 0.65 g
1,1 'dibutyl 3,3,3', 3 'tetramethyl 4,5,4', 5 '
Dibenzoindodicarbocyanine perchlorate (manufactured by Japan Photosensitive Dye Research Institute, product number NK3219) was dissolved in 10 cc of diacetone alcohol solvent, and this was dissolved on the surface of the substrate 1 described above.
It was applied by spin coating to form a light absorbing layer 2 made of a photosensitive dye film having a film thickness of 130 nm. Ρ = n _abs d _abs / λ given by the real part n _abs of the complex index of refraction of the light absorption layer 2, its film thickness d _abs, and the wavelength λ of the reproduction light is 0.45, and the complex index of refraction The imaginary part k _abs was 0.05.

次に、このディスクの直径45〜118mmφの領域の全面
にスパッタリング法により、膜厚80nmのAu膜を成膜し、
反射層３を形成した。さらに、この反射層３の上に紫外
線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射し
て硬化させ、膜厚10μｍの保護層４を形成した。この保
護層４の硬化後のロックウェル硬度ASTM D785はM90で
あり、熱変形温度ASTM D648は、4.6kg/cm²、135℃であ
った。Next, an Au film having a film thickness of 80 nm was formed on the entire surface of a region having a diameter of 45 to 118 mmφ by a sputtering method,
The reflective layer 3 was formed. Further, an ultraviolet curable resin was spin-coated on the reflective layer 3 and irradiated with ultraviolet rays to be cured to form a protective layer 4 having a film thickness of 10 μm. The Rockwell hardness ASTM D785 after curing of the protective layer 4 was M90, and the heat distortion temperature ASTM D648 was 4.6 kg / cm ² , 135 ° C.

こうして得られた光ディスクに、波長780nmの半導体
レーザを線速1.2m/sec、記録パワー6.0mWで照射し、EFM
信号を記録した。その後、この光ディスクを、市販のCD
プレーヤ（Aurex XR−V73、再生光の波長λ＝780nm）で
再生したところ、半導体レーザの反射率が72％、I₁₁／I
_topが0.68、I₃／I_topが0.35、ブロックエラーレートBLE
Rが1.2×10^-2であった。また、この光ディスクの全厚
は、1.2mmであった。The optical disc thus obtained was irradiated with a semiconductor laser with a wavelength of 780 nm at a linear velocity of 1.2 m / sec and a recording power of 6.0 mW.
The signal was recorded. After that, copy this optical disc into a commercially available CD
When reproduced with a player (Aurex XR-V73, reproduction light wavelength λ = 780 nm), the semiconductor laser reflectance is 72%, I ₁₁ / I
_top is 0.68, I ₃ / I _top is 0.35, block error rate BLE
R was 1.2 × 10 ^-2 . The total thickness of this optical disk was 1.2 mm.

CD規格では、全厚が1.1〜1.5mm、反射率が70％以上、
I₁₁〜I_topが0.6以上、I₃／I_topが0.3〜0.7、ブロックエ
ラーレートBLERが３×10^-2以下と定められており、この
実施例による光ディスクは、この規格を満足している。According to the CD standard, the total thickness is 1.1 to 1.5 mm, the reflectance is 70% or more,
It is defined that I _{11 to} I _top are 0.6 or more, I ₃ / I _top is 0.3 to 0.7, and the block error rate BLER is 3 × 10 ⁻² or less, and the optical disc according to this embodiment satisfies this standard. .

さらにこの記録後の光ディスクの上記保護層４と光反
射層３とを剥離し、光吸収層２の表面を観察したところ
ピットの輪郭と思われる線状の微小な凹凸が見られた。
また、光吸収層２を溶剤で洗浄、除去し、基板１の表面
を観察したところ、そこに光学的に変性したピット５が
形成されているのが確認された。Further, when the protective layer 4 and the light reflecting layer 3 of the optical disc after the recording were peeled off and the surface of the light absorbing layer 2 was observed, linear minute irregularities which are considered to be the contours of the pits were observed.
Further, when the light absorption layer 2 was washed and removed with a solvent and the surface of the substrate 1 was observed, it was confirmed that optically modified pits 5 were formed therein.

この光ディスクの層構造を第２図に模式的に示し、そ
の光記録後の状態を第３図に模式的に示す。The layer structure of this optical disk is schematically shown in FIG. 2, and the state after the optical recording is schematically shown in FIG.

（実施例２）上記実施例１において、光吸収層２と光反射層３との
間に、エポキシ樹脂をスピンコートし、膜厚100nmの硬
質層を設けたこと以外は、上記実施例１と同様にして、
光ディスクを製作した。なお、このエポキシ樹脂硬化後
のロックウェル硬度ASTM D785はM90であり、熱変形温度
ASTM D648は、4.6kg/cm²、135℃であった。Example 2 The same as Example 1 except that a hard layer having a film thickness of 100 nm was provided between the light absorption layer 2 and the light reflection layer 3 by spin coating an epoxy resin. Similarly,
I made an optical disc. The Rockwell hardness ASTM D785 after curing this epoxy resin is M90, which is the heat distortion temperature.
ASTM D648 was 4.6 kg / cm ² , 135 ° C.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、上記実施例１と同
様の半導体レーザの反射率、再生信号出力特性、がえら
れ、さらにブロックエラーレートBLERは、3.0×10^-3で
あった。また、光ディスクの全厚は、1.2mmであった。An EFM signal was recorded on the optical disc thus obtained in the same manner as in Example 1 above, and then this optical disc was recorded.
When reproduced with a commercially available CD player, the same semiconductor laser reflectance and reproduction signal output characteristics as in Example 1 were obtained, and the block error rate BLER was 3.0 × 10 ⁻³ . The total thickness of the optical disc was 1.2 mm.

さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディ
スクの基板１の表面を観察したところ、そこにピット５
が形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the substrate 1 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 1 above, pits 5 were formed there.
Was confirmed to have been formed.

（実施例３）上記実施例１において、光吸収層２と光反射層３との
間であって、光吸収層２の上面に形成するエポキシ樹脂
に変えて膜厚100nmのシリコンアクリル樹脂の硬質層を
設け、この硬質層の上面にエポキシ樹脂からなる20nmの
結着層をそれぞれスピンコート法により形成したこと以
外は、上記実施例１と同様にして、光ディスクを製作し
た。なお、シリコンアクリル樹脂層の硬化後のロックウ
ェル硬度ASTM D785はM100であり、熱変形温度ASTM D648
は、4.6kg/cm²、100℃であった。(Embodiment 3) In the above-mentioned Embodiment 1, a hard resin of silicon acrylic resin having a thickness of 100 nm is used instead of the epoxy resin formed on the upper surface of the light absorption layer 2 between the light absorption layer 2 and the light reflection layer 3. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that layers were provided and a 20 nm binder layer made of epoxy resin was formed on the upper surface of each hard layer by spin coating. The Rockwell hardness ASTM D785 after curing of the silicone acrylic resin layer is M100, and the heat distortion temperature ASTM D648
Was 4.6 kg / cm ² and 100 ° C.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にして記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例１と同じCDプレーヤ（Aurex
XR−V73、再生光の波長780nmで再生したところ、半導体
レーザの反射率が75％、I₁₁／I_topが0.63、I₃／I_topが
0.35、ブロックエラーレートBLERが2.5×10^-3であっ
た。また、この光ディスクの全厚は、1.2mmであった。An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc with a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 1 above, and thereafter,
This optical disc is the same CD player (Aurex
When reproducing with XR-V73 and 780 nm wavelength of reproducing light, the semiconductor laser reflectivity is 75%, I ₁₁ / I _top is 0.63, I ₃ / I _top is
The block error rate BLER was 0.35 and 2.5 × 10 ^-3 . The total thickness of this optical disk was 1.2 mm.

（実施例４）上記実施例１において、光吸収層２の上に、光反射層
３として金とアンチモンとの9:1の割合の合金膜を真空
蒸着法で形成したこと、及びこの反射層３の上に、エポ
キシ樹脂からなる20nmの結着層を介して紫外線硬化樹脂
からなる保護層４を形成したこと以外は、上記実施例１
と同様にして、光ディスクを製作した。なお、上記光反
射層３は、鉛筆硬度として「Ｈ」以上の硬度を有する。(Example 4) In Example 1, the alloy film of 9: 1 of gold and antimony was formed as the light reflection layer 3 on the light absorption layer 2 by the vacuum deposition method, and this reflection layer Example 1 above except that a protective layer 4 made of an ultraviolet curable resin was formed on top of the No. 3 via a 20 nm binder layer made of an epoxy resin.
An optical disk was manufactured in the same manner as in. The light reflection layer 3 has a pencil hardness of “H” or higher.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にして記録パワー6.2mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例１と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が72％、I₁₁／I_topが
0.62、I₃／I_topが0.32、ブロックエラーレートBLERが3.
5×10^-3であった。また、この光ディスクの全厚は、1.2
mmであった。An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc with a recording power of 6.2 mW in the same manner as in Example 1, and thereafter,
When this optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 72%, and I ₁₁ / I _top was
0.62, I ₃ / I _top 0.32, block error rate BLER 3.
It was 5 × 10 ^-3 . The total thickness of this optical disk is 1.2.
It was mm.

（実施例５）上記実施例１において、ポリカーボネート基板１の光
入射側上に紫外線硬化型ハードコート樹脂をスピンコー
トし、厚さ１μｍの基板保護層を設け、プリグルーブを
設けた面上に光吸収層２を形成したこと、及びこの光吸
収層２の上に、光反射層３としてイリジウムと金との3:
1の割合の合金膜をスパッタリング法により形成したこ
と以外は、上記実施例１と同様にして、光ディスクを製
作した。なお、上記光反射層３は、鉛筆硬度として「5
H」以上の硬度を有する。(Example 5) In Example 1, the ultraviolet-curable hard coat resin was spin-coated on the light incident side of the polycarbonate substrate 1, a substrate protective layer having a thickness of 1 μm was provided, and the light was provided on the surface provided with the pre-groove. The absorption layer 2 is formed, and on the light absorption layer 2, as the light reflection layer 3, iridium and gold of 3:
An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the alloy film having a ratio of 1 was formed by the sputtering method. The light reflection layer 3 has a pencil hardness of "5".
It has a hardness of "H" or higher.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
上記実施例１と同じCDプレーヤで再生したところ、半導
体レーザの反射率が70％、I₁₁／I_topが0.62、I₃／I_top
が0.37、ブロックエラーレートBLERが3.7×10^-3であっ
た。また、この光ディスクの全厚は、1.2mmであった。An EFM signal was recorded on the optical disc thus obtained in the same manner as in Example 1 above, and then this optical disc was recorded.
When reproduced with the same CD player as in Example 1 above, the reflectance of the semiconductor laser was 70%, I ₁₁ / I _top was 0.62, and I ₃ / I _top.
Was 0.37 and the block error rate BLER was 3.7 × 10 ^-3 . The total thickness of this optical disk was 1.2 mm.

（実施例６）上記実施例１において、光反射層３を厚さ60nmの銀膜
で形成したこと、その上にシリコーン系ハードコート剤
をスピンコートし、これを加熱、硬化させて厚み３μｍ
の硬質保護層４を形成した以外は、上記実施例１と同様
にして、光ディスクを製作した。なお、上記保護層４
は、鉛筆硬度として「HB」以上の硬度を有する。(Example 6) In Example 1, the light reflecting layer 3 was formed of a silver film having a thickness of 60 nm, and a silicone-based hard coating agent was spin-coated thereon, and the coating was heated and cured to have a thickness of 3 μm.
An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the hard protective layer 4 was formed. The protective layer 4
Has a pencil hardness of "HB" or higher.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レ
ーザの反射率が71％、I₁₁／I_topが0.63、I₃／I_topが0.3
5、ブロックエラーレートBLERが2.8×10^-3であった。ま
た、この光ディスクの全厚は、1.2mmであった。An EFM signal was recorded on the optical disc thus obtained in the same manner as in Example 1 above, and then this optical disc was recorded.
When reproduced with the same CD player as in Example 1, the semiconductor laser reflectance was 71%, I ₁₁ / I _top was 0.63, and I ₃ / I _top was 0.3.
5, the block error rate BLER was 2.8 × 10 ^-3 . The total thickness of this optical disk was 1.2 mm.

（実施例７）上記実施例１において、膜厚50nmのAu膜を真空蒸着し
た光反射層３の上に、ジクリシジルエーテルで希釈した
ポリサルファイド添加エポキシ樹脂をスピンコートして
形成された30nmの結着層を介してシリコーン系ハードコ
ート剤をスピンコートし、これを加熱、硬化させて厚み
３μｍの硬質保護層４を形成した以外は、上記実施例１
と同様にして、光ディスクを製作した。Example 7 In Example 1, a 30 nm-thick layer formed by spin-coating a polysulfide-added epoxy resin diluted with diglycidyl ether on the light reflection layer 3 obtained by vacuum-depositing an Au film having a thickness of 50 nm. Example 1 described above except that a silicone-based hard coating agent was spin-coated through the adhesive layer and the hard protective layer 4 having a thickness of 3 μm was formed by heating and curing this.
An optical disk was manufactured in the same manner as in.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レ
ーザの反射率が72％、I₁₁／I_topが0.65、I₃／I_topが0.3
5、ブロックエラーレートBLERが2.5×10^-3であった。ま
た、この光ディスクの全厚は、1.2mmであった。An EFM signal was recorded on the optical disc thus obtained in the same manner as in Example 1 above, and then this optical disc was recorded.
When reproduced with the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 72%, I ₁₁ / I _top was 0.65, and I ₃ / I _top was 0.3.
5, the block error rate BLER was 2.5 × 10 ^-3 . The total thickness of this optical disk was 1.2 mm.

（実施例８）上記実施例１において、1,1′ジブチル３、3,3′,3′
テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカーボシアニ
ンパークロレートを用いて光吸収層２を形成したこと、
光反射層３の上にエポキシ樹脂からなる100nmの硬質層
を形成し、さらにこの上に紫外線硬化樹脂を10μｍ設け
て、保護層４を形成した以外は、上記実施例１と同様に
して、光ディスクを製作した。なお、この光吸収層２の
ρ＝n_abs・d_abs／λは0.44であり、k_absは0.03であっ
た。(Example 8) In the above-mentioned Example 1, 1,1 'dibutyl 3,3,3', 3 '
Forming the light absorption layer 2 using tetramethyl 5,5 ′ diethoxyindodicarbocyanine perchlorate,
An optical disc was prepared in the same manner as in Example 1 except that a 100 nm hard layer made of an epoxy resin was formed on the light reflection layer 3, and a UV curable resin was further provided thereon to a thickness of 10 μm to form a protective layer 4. Was produced. The light absorbing layer 2 had ρ = n _abs · d _abs / λ of 0.44 and k _abs of 0.03.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レ
ーザの反射率が74％、I₁₁／I_topが0.68、I₃／I_topが0.3
4、ブロックエラーレートBLERが8.3×10^-3であった。ま
た、この光ディスクの全厚は、1.2mmであった。An EFM signal was recorded on the optical disc thus obtained in the same manner as in Example 1 above, and then this optical disc was recorded.
When reproduced by the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 74%, I ₁₁ / I _top was 0.68, and I ₃ / I _top was 0.3.
4. The block error rate BLER was 8.3 × 10 ^-3 . The total thickness of this optical disk was 1.2 mm.

（実施例９）上記実施例１において使用したのと同じポリカーボネ
ート基板１の表面にジイソブチルケトンで溶解したアク
リル樹脂をスピンコートし、厚み40nmの中間層６を形成
した。この中間層６のロックウェル硬度ASTM D785は、M
85であり、熱変形温度ASTM D648は、4.6kg/cm²、100℃
であった。Example 9 An acrylic resin dissolved in diisobutyl ketone was spin-coated on the surface of the same polycarbonate substrate 1 used in Example 1 above to form an intermediate layer 6 having a thickness of 40 nm. The Rockwell hardness ASTM D785 of this mid layer 6 is M
85, heat distortion temperature ASTM D648 is 4.6 kg / cm ² , 100 ° C
Met.

光吸収層２を形成するための有機色素として、0.6gの
1,1′ジプロピル,3、3,3′,3′テトラメチル５、５′ジ
メトキシインドジカーボシアニンアイオダイドを、イソ
プロピルアルコール溶剤10ccに溶解し、これを上記の基
板１の表面に、スピンコート法により塗布し、膜厚120n
mの感光色素膜からなる光吸収層２を形成した。この光
吸収層２の複素屈折率の実数部n_absとその膜厚d_absとの
再生光の波長λとで与えられるρ＝n_absd_abs／λは、0.
41であり、かつ上記複素屈折率の虚部k_absは0.02であっ
た。As an organic dye for forming the light absorption layer 2, 0.6 g of
1,1'dipropyl, 3,3,3 ', 3'tetramethyl 5,5'dimethoxyindodicarbocyanine iodide was dissolved in 10 cc of isopropyl alcohol solvent, and this was spin-coated on the surface of the above substrate 1. Method to apply a film thickness of 120n
A light absorption layer 2 made of a photosensitive dye film of m was formed. Ρ = n _abs d _abs / λ given by the real part n _abs of the complex refractive index of the light absorption layer 2 and the wavelength λ of the reproduction light with the film thickness d _abs is 0.
41, and the imaginary part _kabs of the complex refractive index was 0.02.

次に、この上にシクロヘキサンに溶解したシリコンア
クリル樹脂をスピンコートし、厚さ100nm、鉛筆硬度2
H、熱変形温度ASTM D648 4.6kg/cm²、120℃のシリコン
アクリル樹脂層を形成し、その上にスパッタリング法に
より、膜厚50nmのAu膜を成膜し、反射層３を形成した。
さらに、この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピン
コートし、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μ
ｍの保護層４を形成した。この保護層４の硬化後のロッ
クウェル硬度ASTM D785はM90であり、熱変形温度ASTM D
648は、4.6kg/cm²、135℃であった。Next, spin-coat a silicon acrylic resin dissolved in cyclohexane on this, thickness 100 nm, pencil hardness 2
H, heat distortion temperature ASTM D648 4.6 kg / cm ² , a silicon acrylic resin layer having a temperature of 120 ° C. was formed, and an Au film having a film thickness of 50 nm was formed thereon by a sputtering method to form a reflective layer 3.
Further, an ultraviolet curable resin is spin-coated on the reflective layer 3 and is irradiated with ultraviolet rays to be cured to form a film having a thickness of 10 μm.
m protective layer 4 was formed. Rockwell hardness ASTM D785 after hardening of this protective layer 4 is M90, heat distortion temperature ASTM D
648 was 4.6 kg / cm ² , 135 ° C.

こうして得られた光ディスクに、波長780nmの半導
体レーザを線速1.2m/sec、記録パワー7.5mWで照射し、E
FM信号を記録した。その後、この光ディスクを、実施例
１と同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの
反射率が74％、I₁₁／I_topが0.62、I₃／I_topが0.31、ブ
ロックエラーレートBLERが4.0×10^-3であった。また、
この光ディスクの全厚は、1.2mmであった。The optical disc thus obtained was irradiated with a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm at a linear velocity of 1.2 m / sec and a recording power of 7.5 mW, and E
The FM signal was recorded. Then, when this optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 1, the semiconductor laser reflectance was 74%, I ₁₁ / I _top was 0.62, I ₃ / I _top was 0.31, and the block error rate BLER was 4.0 ×. It was 10 ^-3 . Also,
The total thickness of this optical disk was 1.2 mm.

さらに、この記録後の光ディスクの上記保護層４と光
反射層３とを剥離し、光吸収層２を溶剤で洗浄、除去
し、中間層６の表面を観察したところ、そこにピット５
が形成されているのが確認された。Further, the protective layer 4 and the light reflecting layer 3 of the optical disc after this recording were peeled off, the light absorbing layer 2 was washed and removed with a solvent, and the surface of the intermediate layer 6 was observed.
Was confirmed to have been formed.

（実施例10）上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコ
ート剤をスピンコートして、厚み0.01μｍのシリケート
層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと以外は、
上記実施例９と同様にして、光ディスクを製作した。Example 10 In Example 9, except that the silicon coating agent was spin-coated on the intermediate layer 6 to provide a silicate layer having a thickness of 0.01 μm, and the light absorption layer 2 was formed thereon.
An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 9 above.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.8mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が73％、I₁₁／I_topが
0.62、I₃／I_topが0.31、ブロックエラーレートBLERが3.
4×10^-3であった。また、この光ディスクの全厚は、1.2
mmであった。An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc with a recording power of 7.8 mW in the same manner as in Example 9 above, and thereafter,
When this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 9, the reflectance of the semiconductor laser was 73% and I ₁₁ / I _top was
0.62, I ₃ / I _top 0.31, block error rate BLER 3.
It was 4 × 10 ^-3 . The total thickness of this optical disk is 1.2.
It was mm.

さらに、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディ
スクの中間層６の表面を観察したところ、そこにピット
５が形成されているのが確認された。Further, when the surface of the intermediate layer 6 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 9, it was confirmed that the pits 5 were formed therein.

（実施例11）上記実施例９において、基板１としてガラス基板を用
いたこと、及び反射層の上に、トルエンとメチルエチル
ケトンの1:1の溶剤で溶解したイソシアネート樹脂をス
ピンコート法にて形成された厚さ20nmの結着層を形成し
たこと以外は、上記実施例９と同様にして、光ディスク
を製作した。Example 11 In Example 9, a glass substrate was used as the substrate 1, and an isocyanate resin dissolved in a 1: 1 solvent of toluene and methyl ethyl ketone was formed on the reflective layer by spin coating. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 9 except that a binding layer having a thickness of 20 nm was formed.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が72％、I₁₁／I_topが
0.65、I₃／I_topが0.33、ブロックエラーレートBLERが3.
6×10^-3であった。また、この光ディスクの全厚は、1.2
mmであった。An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 9, and then,
When this optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 9, the semiconductor laser reflectance was 72% and I ₁₁ / I _top was
0.65, I ₃ / I _top 0.33, block error rate BLER 3.
It was 6 × 10 ^-3 . The total thickness of this optical disk is 1.2.
It was mm.

（実施例12）上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコ
ート剤をスピンコートして、厚み0.01μｍのシリケート
層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、及び反
射の上に、ポリブタジエンをスピンコート法にて形成し
た厚さ20nmの結着層を形成したこと以外は、上記実施例
９と同様にして、光ディスクを製作した。Example 12 In Example 9, the silicon coating agent was spin-coated on the intermediate layer 6 to form a silicate layer having a thickness of 0.01 μm, and the light absorption layer 2 was formed on the silicate layer. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 9 except that a binder layer having a thickness of 20 nm formed of polybutadiene by a spin coating method was formed thereon.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が72％、I₁₁／I_topが
0.66、I₃／I_topが0.35、ブロックエラーレートBLERが3.
5×10^-3であった。また、この光ディスクの全厚は、1.2
mmであった。An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 9, and then,
When this optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 9, the semiconductor laser reflectance was 72% and I ₁₁ / I _top was
0.66, I ₃ / I _top 0.35, block error rate BLER 3.
It was 5 × 10 ^-3 . The total thickness of this optical disk is 1.2.
It was mm.

（実施例13）上記実施例９において、中間層６の厚みを20nmとした
こと、シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射
層３としてイリジウムと金との1:9の割合の合金膜をス
パッタリング法により形成したこと以外は、上記実施例
９と同様にして、光ディスクを製作した。なお、前記合
金膜の鉛筆硬度は2Hであった。(Example 13) In Example 9, the thickness of the intermediate layer 6 was set to 20 nm, the silicon acrylic resin layer was not provided, and the reflective layer 3 was formed by sputtering an alloy film of iridium and gold in a ratio of 1: 9. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 9 except that the optical disk was formed by the method. The pencil hardness of the alloy film was 2H.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が71％、I₁₁／I_topが
0.63、I₃／I_topが0.32、ブロックエラーレートBLERが3.
3×10^-3であった。また、この光ディスクの全厚は、1.2
mmであった。An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc with a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 9 above, and thereafter,
When this optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 9, the semiconductor laser reflectance was 71% and I ₁₁ / I _top was
0.63, I ₃ / I _top 0.32, block error rate BLER 3.
It was 3 × 10 ^-3 . The total thickness of this optical disk is 1.2.
It was mm.

さらに、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディ
スクの中間層６の表面を観察したところ、そこにピット
５が形成されているのが確認された。このピット５は、
中間層６の膜厚が薄いため、基板の表面にまで達して形
成されている。Further, when the surface of the intermediate layer 6 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 9, it was confirmed that the pits 5 were formed therein. This pit 5 is
Since the thickness of the intermediate layer 6 is small, the intermediate layer 6 reaches the surface of the substrate.

この光ディスクの層構造を第６図に模式的に示し、そ
の光記録後の状態を第７図に模式的に示す。The layer structure of this optical disk is schematically shown in FIG. 6, and the state after the optical recording is schematically shown in FIG.

（実施例14）上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコ
ート剤をスピンコートして、厚み0.01μｍのシリケート
層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、シリコ
ンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層３としてイ
リジウムと金との1:9の割合の合金膜をスパッタリング
法により形成したこと以外は、上記実施例９と同様にし
て、光ディスクを製作した。(Example 14) In Example 9, the silicon coating agent was spin-coated on the intermediate layer 6 to provide a silicate layer having a thickness of 0.01 µm, and the light absorption layer 2 was formed thereon. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 9 except that the resin layer was not provided and an alloy film of iridium and gold in the ratio of 1: 9 was formed as the reflective layer 3 by the sputtering method.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.8mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が71％、I₁₁／I_topが
0.64、I₃／I_topが0.32、ブロックエラーレートBLERが2.
8×10^-3であった。また、この光ディスクの全厚は、1.2
mmであった。An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc with a recording power of 7.8 mW in the same manner as in Example 9 above, and thereafter,
When this optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 9, the semiconductor laser reflectance was 71% and I ₁₁ / I _top was
0.64, I ₃ / I _top 0.32, block error rate BLER 2.
It was 8 × 10 ^-3 . The total thickness of this optical disk is 1.2.
It was mm.

（実施例15）上記実施例９において、シリコンアクリル樹脂層を設
けないこと及び反射層３としてイリジウムと金との1:9
の割合の合金膜をスパッタリング法により形成したこ
と、及び光反射層の上に、ポリイソプレンをスピンコー
トして、厚さ20nmの結着層を形成し、この上に紫外線硬
化性樹脂製の保護層４を形成したこと以外は、上記実施
例９と同様にして、光ディスクを製作した。Example 15 In Example 9, the silicon acrylic resin layer was not provided, and the reflective layer 3 was made of iridium and gold of 1: 9.
The alloy film of the ratio of was formed by the sputtering method, and polyisoprene was spin-coated on the light reflection layer to form a binder layer with a thickness of 20 nm, on which a protective film made of an ultraviolet curable resin was formed. An optical disc was produced in the same manner as in Example 9 except that the layer 4 was formed.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.4mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が72％、I₁₁／I_topが
0.64、I₃／I_topが0.32、ブロックエラーレートBLERが4.
1×10^-3であった。また、この光ディスクの全厚は、1.2
mmであった。An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.4 mW in the same manner as in Example 9 above, and thereafter,
When this optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 9, the semiconductor laser reflectance was 72% and I ₁₁ / I _top was
0.64, I ₃ / I _top 0.32, block error rate BLER 4.
It was 1 × 10 ^-3 . The total thickness of this optical disk is 1.2.
It was mm.

（実施例16）上記実施例９において、シリコンアクリル樹脂層を設
けないこと及び反射層３として厚さ50nmの銅膜を形成し
たこと、及び保護層４としてジグリシジルエーテル溶剤
に希釈したビスフェノール硬化型エポキシ樹脂をスピン
コートして厚さ50nmのエポキシ樹脂層を形成したこと以
外は、上記実施例９と同様にして、光ディスクを製作し
た。なお、上記保護層はロックウェル硬度ASTM D785が
M110であることから硬質層としての機能を有する。(Example 16) In Example 9, the silicon acrylic resin layer was not provided, a copper film having a thickness of 50 nm was formed as the reflective layer 3, and the protective layer 4 was a bisphenol curing type diluted with a diglycidyl ether solvent. An optical disk was produced in the same manner as in Example 9 except that the epoxy resin was spin-coated to form an epoxy resin layer having a thickness of 50 nm. The protective layer has a Rockwell hardness of ASTM D785.
Since it is M110, it has a function as a hard layer.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が75％、I₁₁／I_topが
0.64、I₃／I_topが0.33、ブロックエラーレートBLERが2.
9×10^-3であった。また、この光ディスクの全厚は、1.2
mmであった。An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc with a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 9 above, and thereafter,
When this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 9, the reflectance of the semiconductor laser was 75% and I ₁₁ / I _top was
0.64, I ₃ / I _top 0.33, block error rate BLER 2.
It was 9 × 10 ^-3 . The total thickness of this optical disk is 1.2.
It was mm.

（実施例17）上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコ
ート剤をスピンコートして、厚み0.01μｍのシリケート
層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、シリコ
ンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層３として厚
さ50nmの銅膜を形成したこと、及び保護層４としてジグ
リシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノール硬化型
エポキシ樹脂をスピンコートして厚さ50nmのエポキシ樹
脂層を形成したこと以外は、上記実施例９と同様にし
て、光ディスクを製作した。Example 17 In Example 9, the silicon coating agent was spin-coated on the intermediate layer 6 to form a silicate layer having a thickness of 0.01 μm, and the light absorption layer 2 was formed on the silicate layer. Epoxy resin having a thickness of 50 nm obtained by not providing a resin layer, forming a copper film having a thickness of 50 nm as the reflection layer 3, and spin-coating a bisphenol curing type epoxy resin diluted in a diglycidyl ether solvent as the protection layer 4. An optical disc was produced in the same manner as in Example 9 except that the layers were formed.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が74％、I₁₁／I_topが
0.64、I₃／I_topが0.33、ブロックエラーレートBLERが3.
5×10^-3であった。また、この光ディスクの全厚は、1.2
mmであった。An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc with a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 9 above, and thereafter,
When this optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 9, the reflectance of the semiconductor laser was 74%, and I ₁₁ / I _top was
0.64, I ₃ / I _top 0.33, block error rate BLER 3.
It was 5 × 10 ^-3 . The total thickness of this optical disk is 1.2.
It was mm.

（実施例18）上記実施例９において、シリコンアクリル樹脂層を設
けないこと及び反射層３として厚さ50nmの銅膜を真空蒸
着法で形成したこと、反射層の上に、トルエンとメチル
エチルケトンの6:4の溶剤で溶解したポリ酢酸ビニル樹
脂をスピンコートで形成した厚さ20nmの結着層を介して
保護層４を形成したこと、及び保護層４としてジグリシ
ジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノール硬化型エポ
キシ樹脂をスピンコートして厚さ50nmのエポキシ樹脂層
を形成したこと以外は、上記実施例９と同様にして、光
ディスクを製作した。Example 18 In Example 9, the silicon acrylic resin layer was not provided, and a copper film having a thickness of 50 nm was formed as the reflective layer 3 by a vacuum evaporation method. Toluene and methyl ethyl ketone 6 were formed on the reflective layer. The protective layer 4 was formed via a 20 nm-thick binder layer formed by spin coating a polyvinyl acetate resin dissolved in a solvent of: 4, and the protective layer 4 was a bisphenol curing type diluted with a diglycidyl ether solvent. An optical disk was produced in the same manner as in Example 9 except that the epoxy resin was spin-coated to form an epoxy resin layer having a thickness of 50 nm.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.4mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が74％、I₁₁／I_topが
0.64、I₃／I_topが0.33、ブロックエラーレートBLERが3.
6×10^-3であった。また、この光ディスクの全厚は、1.2
mmであった。An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.4 mW in the same manner as in Example 9 above, and thereafter,
When this optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 9, the reflectance of the semiconductor laser was 74%, and I ₁₁ / I _top was
0.64, I ₃ / I _top 0.33, block error rate BLER 3.
It was 6 × 10 ^-3 . The total thickness of this optical disk is 1.2.
It was mm.

（実施例19）幅0.5μｍ、深さ0.15μｍ、ピッチ1.6μｍのスパイラ
ル状のプレグルーブが形成された厚さ1.2mm、外径120mm
φ、内径15mmφのポリカーボネート基板１を射出成形法
により成形した。(Example 19) A width of 0.5 mm, a depth of 0.15 µm, a pitch of 1.6 µm in which spiral pregrooves were formed, a thickness of 1.2 mm, and an outer diameter of 120 mm
A polycarbonate substrate 1 having φ and an inner diameter of 15 mmφ was molded by an injection molding method.

光吸収層２を形成するための有機色素として、実施例
１と同じ色素0.065gとニトロセルロース0.005gを、イソ
プロピルアルコール溶剤10ccに溶解し、これを上記の基
板１の上にスピンコート法により塗布し、平均膜厚0.02
5μｍの色素膜からなる光吸収層２を形成した。この光
吸収層２の複素屈折率は、n_abs＝2.0、k_abs＝0.04であ
る。再生光の半導体レーザの波長λ＝780nmであり、ρ
＝n_abs・d_abs／λ＝0.064である。As the organic dye for forming the light absorption layer 2, 0.065 g of the same dye as in Example 1 and 0.005 g of nitrocellulose were dissolved in 10 cc of isopropyl alcohol solvent, and this was coated on the substrate 1 by spin coating. And average film thickness 0.02
The light absorption layer 2 made of a 5 μm dye film was formed. The complex refractive index of the light absorption layer 2 is n _abs = 2.0 and k _abs = 0.04. The wavelength of the reproduction light semiconductor laser is λ = 780 nm, and ρ is
= N _abs · d _abs /λ=0.064.

このディスクの全面に蒸着法により、膜厚500オング
ストロームのAu膜を成膜し、反射層３を形成した。この
反射層３の複素屈折率はn_ref＝0.16、k_ref＝4.67であ
る。さらに、この反射層３の上に実施例１と同様の紫外
線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射し
て硬化させ、厚み10μｍの保護層４を形成した。An Au film having a film thickness of 500 angstrom was formed on the entire surface of this disk by a vapor deposition method to form a reflective layer 3. The complex refractive index of this reflective layer 3 is n _ref = 0.16 and k _ref = 4.67. Further, an ultraviolet curable resin similar to that used in Example 1 was spin-coated on the reflective layer 3 and irradiated with ultraviolet rays to be cured to form a protective layer 4 having a thickness of 10 μm.

こうして得られた光ディスクに、実施例１と同様に波
長780nmの半導体レーザによって、EFM信号を記録し、市
販のCDプレーヤで再生した。An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disk by a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm, as in Example 1, and reproduced by a commercially available CD player.

この光ディスクの全厚は、1.2mm、反射率は82％、I₁₁
／I_topが0.63、I₃／I_topが0.31であり、この実施例によ
る光ディスクは、CD規格を満足している。The total thickness of this optical disk is 1.2 mm, the reflectance is 82%, I ₁₁
/ I _top is 0.63 and I ₃ / I _top is 0.31, and the optical disk according to this example satisfies the CD standard.

（実施例20）実施例１と同様に成型されたポリカーボネート基板１
に光吸収層２を形成するための有機色素として、1,1′
ジブチル3,3,3′,3′テトラメチル5,6,5′,6′テトラメ
トキシインドジカーボシアニンパークロレート0.050gと
ニトロセルロース0.0005gを、ジアセトンアルコール溶
剤10ccに溶解し、これを上記の基板１の上にスピンコー
ト法により塗布し、膜厚0.020μｍの色素膜からなる光
吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率は、
n_abs＝2.0、k_abs＝0.29である。再生光の半導体レーザ
の波長λ＝780mmであり、ρ＝n_abs・d_abs／λ＝0.051で
ある。(Example 20) Polycarbonate substrate 1 molded in the same manner as in Example 1
1,1 'as an organic dye for forming the light absorption layer 2 on
Dibutyl 3,3,3 ', 3' tetramethyl 5,6,5 ', 6' tetramethoxyindodicarbocyanine perchlorate 0.050 g and nitrocellulose 0.0005 g were dissolved in diacetone alcohol solvent 10 cc, The substrate 1 was coated by a spin coating method to form a light absorption layer 2 made of a dye film having a thickness of 0.020 μm. The complex refractive index of this light absorption layer 2 is
n _abs = 2.0 and k _abs = 0.29. A wavelength lambda = 780 mm semiconductor laser of the reproduction light is _{_{ρ = n abs · d abs /λ=0.051}} .

このディスクの全面に蒸着法により、膜厚500オング
ストロームのAu膜を成膜し、反射層３を形成し、さら
に、この反射層３の上に実施例１と同様の紫外線硬化性
樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化さ
せ、厚み10μｍの保護層４を形成した。An Au film having a film thickness of 500 angstrom is formed on the entire surface of this disk by a vapor deposition method to form a reflective layer 3, and the ultraviolet curable resin similar to that in Example 1 is spin-coated on the reflective layer 3. Then, this was irradiated with ultraviolet rays and cured to form a protective layer 4 having a thickness of 10 μm.

この光ディスクの全厚は、1.2mm、反射率は70％、I₁₁
／I_topが0.64、I₃／I_topが0.30であり、この実施例によ
る光ディスクは、CD規格を満足している。The total thickness of this optical disk is 1.2 mm, the reflectance is 70%, I ₁₁
/ I _top is 0.64 and I ₃ / I _top is 0.30, and the optical disc according to this example satisfies the CD standard.

（実施例21）幅0.7μｍ、深さ0.07μｍ、ピッチ1.6μｍのスパイラ
ル状のプリグループが形成された厚さ1.2mm、外径120mm
φ、内径15mmφのポリカーボネート基板１を射出成形法
により成形した。Example 21 A width of 0.7 μm, a depth of 0.07 μm, and a spiral pregroup having a pitch of 1.6 μm, in which a thickness of 1.2 mm and an outer diameter of 120 mm are formed.
A polycarbonate substrate 1 having φ and an inner diameter of 15 mmφ was molded by an injection molding method.

光吸収層２を形成するための有機色素として、実施例
１と同じ色素0.8gを、アセチルアセトン溶剤10ccに溶解
し、これを上記の基板１の上にスピンコート法により塗
布し、膜厚0.17μｍの色素膜からなる光吸収層２を形成
した。この光吸収層２の複素屈折率は、n_abs＝2.7、k
_abs＝0.05である。再生光の半導体レーザの波長λ＝780
nmであり、ρ＝n_abs・d_abs／λ＝0.59である。As an organic dye for forming the light absorbing layer 2, 0.8 g of the same dye as in Example 1 was dissolved in 10 cc of acetylacetone solvent, and this was coated on the above substrate 1 by spin coating to give a film thickness of 0.17 μm. The light absorption layer 2 made of the dye film of No. 3 was formed. The complex refractive index of the light absorption layer 2 is n _abs = 2.7, k
_abs = 0.05. Reproducing light wavelength of semiconductor laser λ = 780
nm, and ρ = n _abs · d _abs /λ=0.59.

このディスクの全面に蒸着法により、膜厚500オング
ストロームのAu膜を成膜し、反射層３を形成し、さら
に、この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコー
トし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み10μｍの
保護層４を形成した。An Au film with a film thickness of 500 angstrom is formed on the entire surface of this disk by a vapor deposition method to form a reflective layer 3, and further, an ultraviolet curable resin is spin-coated on the reflective layer 3 and is exposed to ultraviolet rays. It was irradiated and cured to form a protective layer 4 having a thickness of 10 μm.

この光ディスクの全厚は、1.2mm、反射率は72％、I₁₁
／I_topが0.62、I₃／I_topが0.32であり、この実施例によ
る光ディスクは、CD規格を満足している。This optical disc has a total thickness of 1.2 mm, a reflectance of 72%, and an I ₁₁
/ I _top is 0.62 and I ₃ / I _top is 0.32, and the optical disc according to this example satisfies the CD standard.

（実施例22）幅0.5μｍ、深さ0.18μｍ、ピッチ1.6μｍのスパイラ
ル状のプリグループが形成された厚さ1.2mm、外径120mm
φ、内径15mmφのポリカーボネート基板１を射出成形法
により成形した。(Example 22) A thickness of 1.2 mm and an outer diameter of 120 mm in which a spiral pregroup having a width of 0.5 μm, a depth of 0.18 μm and a pitch of 1.6 μm is formed.
A polycarbonate substrate 1 having φ and an inner diameter of 15 mmφ was molded by an injection molding method.

光吸収層２を形成するための有機色素として、1,1′
ジエチル3,3,3′,3′テトラメチル5,7,5′、７′メトキ
シインドジカーボシアニンパークロレート0.55gを、ジ
アセトンアルコール溶剤10ccに溶解し、これを上記の基
板１の上にスピンコート法により塗布し、平均膜厚120n
mの色素膜からなる光吸収層２を形成した。この光吸収
層２の複素屈折率は、n_abs＝2.9、k_abs＝0.20である。
再生光の半導体レーザの波長λ＝780nmであり、ρ＝n
_abs・d_abs／λ＝0.45である。As an organic dye for forming the light absorption layer 2, 1,1 '
Diethyl 3,3,3 ′, 3 ′ tetramethyl 5,7,5 ′, 7 ′ methoxyindodicarbocyanine perchlorate 0.55 g was dissolved in diacetone alcohol solvent 10 cc, and this was placed on the above substrate 1. Coated by spin coating method, average film thickness 120n
A light absorption layer 2 made of a dye film of m was formed. The complex refractive index of the light absorption layer 2 is n _abs = 2.9 and k _abs = 0.20.
The wavelength of the reproduction light semiconductor laser is λ = 780 nm, and ρ = n
It is an _{_abs} · d _{abs /λ=0.45.}

このディスクの全面に蒸着法により、膜厚500オング
ストロームのAu膜を成膜し、反射層３を形成しし、さら
に、この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコー
トし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み10μｍの
保護層４を形成した。An Au film with a film thickness of 500 angstrom is formed on the entire surface of this disk by a vapor deposition method, a reflective layer 3 is formed, and further, an ultraviolet curable resin is spin-coated on the reflective layer 3, and the ultraviolet ray is applied to this. Was irradiated and cured to form a protective layer 4 having a thickness of 10 μm.

この光ディスクの全厚は、1.2mm、反射率は70％、I₁₁
／I_topが0.70、I₃／I_topが0.40であり、この実施例によ
る光ディスクは、CD規格を満足している。The total thickness of this optical disk is 1.2 mm, the reflectance is 70%, I ₁₁
/ I _top is 0.70 and I ₃ / I _top is 0.40, and the optical disk according to this example satisfies the CD standard.

［発明の効果］以上説明した通り、本発明によれば、CD規格に規定す
る全厚1.1〜1.5mmの範囲でで、変調度として示されるI
₁₁／I_topが0.6以上、I₃／I_topが0.3〜0.7という再生波
形を得ることができる光情報記録媒体をとその記録方法
を提供することができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, in the total thickness range of 1.1 to 1.5 mm specified in the CD standard, the degree of modulation I
It is possible to provide an optical information recording medium and a recording method therefor capable of obtaining a reproduction waveform having ₁₁ / I _top of 0.6 or more and I ₃ / I _top of 0.3 to 0.7.

さらに、光吸収層におけるρ＝n_abs・d_abs／λを0.05
≦ρ≦0.6、かつk_absを0.3以下とすることにより、CD規
格に準拠した反射率70％以上の再生信号が得られる光情
報記録媒体を提供することができる。Furthermore, ρ = n _abs · d _abs / λ in the light absorption layer is 0.05
By setting ≦ ρ ≦ 0.6 and k _abs of 0.3 or less, it is possible to provide an optical information recording medium that can obtain a reproduction signal conforming to the CD standard and having a reflectance of 70% or more.

[Brief description of drawings]

第１図は、本発明の光情報記録媒体の構造の一例を示す
模式半断面斜視図、第２図は、第１図の記録前の光情報
記録媒体のトラックに沿って断面した部分断面拡大図、
第３図は、第１図の記録後の光情報記録媒体のトラック
に沿って断面した部分断面拡大図、第４図は、本発明の
光情報記録媒体において中間層が設けられた場合の記録
前の部分断面拡大図、第５図は、本発明の光情報記録媒
体において中間層が設けられた場合の記録後の部分断面
拡大図、第６図は、本発明の光情報記録媒体において中
間層が設けられた場合の記録前の部分断面拡大図、第７
図は、本発明の光情報記録媒体において中間層が設けら
れた変形層が２層の場合の記録後の部分断面拡大図、第
８図は、変形層の硬度と変調度の関係を示すグラフ、第
９図は、光情報記録媒体の光吸収層のρ＝n_abs・d_abs／
λと反射率との関係の例を示すグラフ、第10図は、光吸
収層の複素屈折率の虚部k_absと反射率との関係を示すグ
ラフ、第11図は、ρ＝n_abs・d_abs／λとk_absにおいて反
射率がCD規格を満たす領域を示すグラフである。１……基板、２……光吸収層、３……反射層、４……硬
質層、５……ピット、６……中間層、７……レーザ光、
８……ピックアップFIG. 1 is a schematic half cross-sectional perspective view showing an example of the structure of the optical information recording medium of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged partial sectional view taken along the track of the optical information recording medium before recording in FIG. Figure,
FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view taken along the track of the optical information recording medium of FIG. 1 after recording, and FIG. 4 is recording when an intermediate layer is provided in the optical information recording medium of the present invention. FIG. 5 is a partially enlarged sectional view of the optical information recording medium of the present invention in which an intermediate layer is provided, and FIG. 6 is an enlarged sectional view of the optical information recording medium of the present invention. Partial enlarged cross-sectional view before recording when a layer is provided, No. 7
FIG. 8 is an enlarged partial cross-sectional view after recording when the number of deformation layers provided with an intermediate layer in the optical information recording medium of the present invention is two, and FIG. 8 is a graph showing the relationship between the hardness of the deformation layer and the modulation degree. , FIG. 9 shows ρ = n _abs · d _abs / of the light absorption layer of the optical information recording medium.
A graph showing an example of the relationship between λ and the reflectance, FIG. 10 is a graph showing the relationship between the imaginary part k _abs of the complex refractive index of the light absorption layer and the reflectance, and FIG. 11 is ρ = n _abs · 6 is a graph showing a region where the reflectance satisfies the CD standard at d _abs / λ and k _abs . 1 ... Substrate, 2 ... Light absorption layer, 3 ... Reflection layer, 4 ... Hard layer, 5 ... Pit, 6 ... Intermediate layer, 7 ... Laser light,
8 ... Pickup

Claims

[Claims]

1. A light in which a light absorbing layer is provided directly on a transparent substrate or through another layer, and a reflective layer and a hard layer are provided directly on the light absorbing layer or through another layer. An optical information recording medium, characterized in that, in the information recording medium, the Rockwell hardness ASTM D785 of the portion in contact with the light absorbing layer on the transparent substrate side is M90 or less.

2. The light absorbing layer according to claim 1, wherein the light absorbing layer has a real part n _abs and a film thickness d _{abs of} a complex refractive index of the light absorbing layer.
And λ of reproduced light ρ = n _abs · d _abs / λ
Is 0.05 ≦ ρ ≦ 0.6, and the imaginary part _kabs of the complex refractive index of the light absorption layer is 0.3 or less.

3. A light absorbing layer which absorbs laser light directly or through another layer on a transparent substrate, and a reflection layer and a hard layer directly or through another layer on the light absorbing layer. Is provided,
Rockwell hardness of the part in contact with the light absorbing layer on the transparent substrate side ASTM D785 is an optical information recording medium having M90 or less, laser light is irradiated from the transparent substrate side to the light absorbing layer, the light absorbing layer An optical information recording method in which a portion of the transparent substrate side in contact with the light absorption layer is deformed by applying energy to form a pit in the portion.