JPH0821301B2 - Surface mount thin film fuse and method of manufacturing the same - Google Patents
Surface mount thin film fuse and method of manufacturing the sameInfo
- Publication number
- JPH0821301B2 JPH0821301B2 JP5168934A JP16893493A JPH0821301B2 JP H0821301 B2 JPH0821301 B2 JP H0821301B2 JP 5168934 A JP5168934 A JP 5168934A JP 16893493 A JP16893493 A JP 16893493A JP H0821301 B2 JPH0821301 B2 JP H0821301B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- thin film
- glass
- glass substrate
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Fuses (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、広く電気ヒューズに関
し、特に、薄膜技術を利用した表面実装型ヒューズおよ
びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates generally to electric fuses, and more particularly to a surface mount fuse using thin film technology and a method for manufacturing the same.
【0002】[0002]
【関連出願の相互参照】この出願は、1992年7月2
4日に出願された米国出願第920113号“Method o
f Making Thin Film Surface Mount Fuses”を一部継続
出願し、さらに当該一部継続出願を基礎として優先権主
張した出願である。なお、米国出願第920113号
は、1992年2月28日に出願された米国出願第84
6264号“Thin Film Surface Mount Fuses ”の分割
出願である。米国出願第846264号は特許され、米
国特許第5166656号として1992年11月24
日に特許証が発行されている。米国出願第846264
に関連する出願として、日本を指定国とするPCT出願
PCT/US93/01915がある。[Cross-reference of Related Applications] This application was filed on July 2, 1992.
US Application No. 920113, filed on the 4th, "Method o
f Making Thin Film Surface Mount Fuses ”is a continuation-in-part application and a priority claim based on the part-continuation application. US Application No. 920113 was filed on February 28, 1992. US Application No. 84
This is a divisional application of No. 6264 "Thin Film Surface Mount Fuses". U.S. Application No. 846264 was patented as U.S. Patent No. 5,166,656, November 24, 1992.
A patent certificate is issued every day. US Application No. 846264
As a related application, there is a PCT application PCT / US93 / 01915 whose designated country is Japan.
【0003】[0003]
【従来の技術】回路基板を組み立てる技術として表面実
装技術は広く用いられている。この表面実装に適用させ
るため、事実上すべての電子部品がリードレスに設計し
直しされたり、直されつつある。表面実装デバイス(S
MD)があらゆる種類の電子回路に急速に採用された結
果、表面実装型(SMD)ヒューズが要求されるように
なった。2. Description of the Related Art Surface mounting technology is widely used as a technology for assembling circuit boards. Virtually all electronic components have been or are being redesigned leadless for this surface mount application. Surface mount device (S
The rapid adoption of MD) in electronic circuits of all kinds has led to the demand for surface mount (SMD) fuses.
【0004】ヒューズは、多くの回路基板で不可欠な機
能を果たす。部分的な回路や特定の部品にヒューズを設
けることにより、局所的な部品の故障がシステム全体に
損傷を及ぼすことを防止することができる。このような
損傷のケースとして、例えば、タンタルコンデンサが故
障によるメインフレームコンピュータの焼損や、1枚の
回線カードの短絡による電話交換器全体の損傷がある。Fuses perform essential functions on many circuit boards. By providing a fuse in a partial circuit or a specific component, it is possible to prevent a local component failure from damaging the entire system. Examples of such damage include damage to the mainframe computer due to a failure of the tantalum capacitor, and damage to the entire telephone exchange due to a short circuit of one line card.
【0005】回路基板ヒューズには、小型で、低価格
で、正確に電流を検知でき、素早い反応つまりブロータ
イム(blow time )、タイムラグヒューズの場合はサー
ジ抵抗を示す能力といった特徴が要求される。Circuit board fuses are required to have features such as small size, low cost, accurate current detection, quick reaction or blow time, and, in the case of time lag fuses, ability to show surge resistance.
【0006】従来のチューブタイプやリードタイプヒュ
ーズは、SMDアセンブリ用に設計された回路基板上で
は大きな空間を占めてしまい、製造コストも大幅に嵩ん
でしまう。製造業者は、SMDアセンブリ技術にも適用
可能なヒューズの必要性を認識し、標準SMDアセンブ
リ用のリードレスモールドヒューズを提供するようにな
った。しかし、こうして提供されたデバイスでも、例え
ばパッケージサイズが約7×4×3mmといった具合に
未だ嵩が大きく、高価であり、性能も限定されている。
最も重要なことは、従来技術ではヒューズ特性を製造段
階で正確に管理できないことである。The conventional tube type and lead type fuses occupy a large space on the circuit board designed for the SMD assembly, and the manufacturing cost increases significantly. Manufacturers have recognized the need for fuses that are also applicable to SMD assembly technology and have come to provide leadless molded fuses for standard SMD assemblies. However, even the device provided in this way is still bulky, expensive, and limited in performance, such as a package size of about 7 × 4 × 3 mm.
Most importantly, the prior art does not allow accurate control of fuse characteristics during manufacturing.
【0007】例えば、前述の米国特許および出願に示さ
れる薄膜技術を用いれば、ヒューズの全ての要素を正確
に制御でき、様々な要求に応じられる標準ヒューズや特
注ヒューズを経済的に設計できることが明らかになっ
た。すなわち、薄膜技術は、電気特性および物理特性を
厳密に制御することのできるヒューズの開発を可能にし
たのである。特に、デザイン、ヒューズ特性の再現性
や、I2 tレットスルー(let-through )といった領域
で薄膜技術の利点が明らかとなっている。しかも、この
薄膜技術では、1μm未満のラインレソルーションや、
100オングストローム単位までの層厚さの管理を実現
するので、例えば1.6×0.8mmの標準パッケージ
サイズや、非標準パッケージサイズである小型のSMD
ヒューズが製作可能となった。For example, using the thin film technology shown in the aforementioned US patents and applications, it is clear that all elements of the fuse can be precisely controlled and economically design standard fuses or custom fuses to meet various requirements. Became. That is, thin film technology has enabled the development of fuses whose electrical and physical properties can be precisely controlled. In particular, the advantages of thin film technology have become clear in the areas of design, reproducibility of fuse characteristics, and I 2 t let-through. Moreover, with this thin film technology, line resolution of less than 1 μm and
Management of layer thickness up to 100 angstrom units is realized, so standard SMD with a standard package size of 1.6 x 0.8 mm or non-standard package size, for example.
The fuse can be manufactured.
【0008】また、前述の米国特許および出願が示す表
面実装型薄膜電気ヒューズの製造方法では、まず、スパ
ッタリングなどによってガラス等の絶縁基板の表面に均
一厚なアルミニウムの金属薄膜を蒸着させる。その膜厚
は、特に、ヒューズ定格によって決められる。次に、フ
ォトリソグラフィ技術によって金属薄膜の所定の部分を
除去し、特定のヒューズ素子を複数含む反復パターンを
形成する。各ヒューズ素子は、1対の接点部と、これら
接点部より幅狭であって接点部間を連結する溶断リンク
とを備える。次いで、この構成物をパッシベートし、エ
ポキシによってパッシベーション層上にガラス製絶縁被
覆層を接着する。次に、以上の工程によって形成された
アセンブリを基板表面に垂直な端面に沿ってストリップ
片に切断する。各ストリップ片は、横一列に並んだヒュ
ーズ素子を含む。この切断工程により、ストリップ片の
端面に沿った各接点部の縁を露出する。導電端子層を端
面上に蒸着すると、この端子層が接触部の露出した端と
電気的に接続される。最後に、ストリップ片を横方向に
切断し、個々のヒューズを得る。In the method of manufacturing the surface mount type thin film electric fuse disclosed in the above-mentioned US patents and applications, first, a metal thin film of aluminum having a uniform thickness is deposited on the surface of an insulating substrate such as glass by sputtering or the like. The film thickness is determined in particular by the fuse rating. Next, a predetermined portion of the metal thin film is removed by a photolithography technique to form a repeating pattern including a plurality of specific fuse elements. Each fuse element includes a pair of contact portions and a fusing link that is narrower than the contact portions and connects the contact portions. The composition is then passivated and a glass insulation coating is glued onto the passivation layer with epoxy. Next, the assembly formed by the above process is cut into strip pieces along the end face perpendicular to the substrate surface. Each strip piece includes fuse elements arranged in a row. By this cutting step, the edge of each contact portion along the end surface of the strip piece is exposed. When the conductive terminal layer is deposited on the end face, the terminal layer is electrically connected to the exposed end of the contact portion. Finally, the strip pieces are cut laterally to obtain individual fuses.
【0009】フォトリソグラフィによる製造方法を利用
すると、様々なヒューズ素子のデザインと、多種類の基
板とを組み合わせて、様々なヒューズチップを製造する
ことができる。その上、使用上の要件を最適に満足する
ように溶断速度等の重要な特性を設定することができ
る。最後に、封着用ガラス製被覆板によって密封された
薄膜ヒューズの密封構造は、環境変化に対する優れた信
頼性をもたらす。By utilizing the manufacturing method by photolithography, various fuse chips can be manufactured by combining various fuse element designs and various kinds of substrates. Moreover, important characteristics such as the fusing rate can be set so as to optimally satisfy the requirements for use. Finally, the sealing structure of the thin film fuse sealed by the sealing glass cover plate provides excellent reliability against environmental changes.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】前述の特許出願で説明
されているガラス/ヒューズ/ガラス層構造にはいくつ
かの問題がある。ガラスは、「クイック」定格の薄膜ヒ
ューズが必要とする好ましい熱特性を持っている反面壊
れやすく、ヒューズの電圧定格が例えば32ボルトに制
限される。なぜなら、高電圧が印加されると、ヒューズ
本体がひび割れるからである。ガラス/ヒューズ/ガラ
ス層構造の機械的曲げ強さはガラスの脆さによって制約
を受け、同様に、構造の熱サイクル特性も制約を受け
る。There are several problems with the glass / fuse / glass layer structure described in the aforementioned patent application. While glass has the favorable thermal properties required by "quick" rated thin film fuses, it is fragile, limiting the voltage rating of the fuse to, for example, 32 volts. This is because the fuse body is cracked when a high voltage is applied. The mechanical bending strength of the glass / fuse / glass layer structure is limited by the brittleness of the glass, as well as the thermal cycling properties of the structure.
【0011】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、「クイック」定格を維持しながらも従来より高い電
圧定格を達成することができる表面実装型薄膜ヒューズ
を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a surface mount type thin film fuse capable of achieving a higher voltage rating than before while maintaining a "quick" rating.
【0012】また、本発明は、機械的強度と信頼性、熱
サイクル特性を向上させた表面実装型薄膜ヒューズ構造
を提供することを目的とする。It is another object of the present invention to provide a surface mount type thin film fuse structure having improved mechanical strength, reliability and heat cycle characteristics.
【0013】さらに、本発明は、こうして改善された表
面実装型薄膜ヒューズの製造方法を提供することを目的
とする。A further object of the present invention is to provide a method for manufacturing the surface mount type thin film fuse thus improved.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第1発明によれば、絶縁基板の表面に金属薄膜を取
り付けるステップと、金属薄膜の特定部分を除去して、
1対の接点部と、これら接点部より幅狭であって接点部
間を連結する少なくとも1つの溶断リンクとを備えるヒ
ューズ素子を形成するステップと、以上のステップによ
って得られる構造に絶縁被覆を接着するステップと、絶
縁基板の裏面に、絶縁基板および絶縁被覆より機械的強
度が大きい材料からなる第1被覆層を接着するステップ
と、絶縁被覆の表面に、絶縁基板および絶縁被覆より機
械的強度が大きい材料からなる第2被覆層を接着するス
テップとを含むことを特徴とする表面実装型電気ヒュー
ズの製造方法が提供される。In order to achieve the above object, according to the first invention, a step of attaching a metal thin film to the surface of an insulating substrate, and removing a specific portion of the metal thin film,
Forming a fuse element having a pair of contact parts and at least one fusing link narrower than the contact parts and connecting the contact parts; and bonding an insulating coating to the structure obtained by the above steps And a step of adhering a first coating layer made of a material having a mechanical strength higher than that of the insulating substrate and the insulating coating to the back surface of the insulating substrate, and And a step of adhering a second coating layer of a large material.
【0015】また、第2発明によれば、平坦な表面、こ
の表面に直交する端面および平坦な裏面を有するほぼ方
形の絶縁基板と、蒸着によって絶縁基板の表面上に形成
され、絶縁基板の端面と面一に外縁を露出させる1対の
接点部と、これら接点部より幅狭であって接点部間を連
結する少なくとも1つの溶断リンクとを備えるヒューズ
素子を形成する導電薄膜と、絶縁基板と同様な広がりを
持って絶縁基板表面に接着され、絶縁基板の端面および
ヒューズ素子の外縁と協働して表面実装型ヒューズの相
対向する端面を形成する絶縁被覆と、絶縁基板および絶
縁被覆より大きな機械的強度を有し、絶縁被覆と同様な
広がりを持って絶縁被覆の表面に接着された第1被覆層
と、絶縁基板および絶縁被覆より大きな機械的強度を有
し、絶縁基板と同様な広がりを持って絶縁基板の裏面に
接着された第2被覆層と、表面実装型ヒューズの相対向
する端面を被覆し、ヒューズ素子の外縁のうち1つと電
気的に接続される導電性端子とを備え、各導電性端子
は、第1被覆層の表面に部分的に沿って延びる脚と、第
2被覆層の裏面に部分的に沿って延びる脚とを備えるこ
とを特徴とする表面実装型薄膜ヒューズが提供される。According to the second aspect of the invention, a substantially rectangular insulating substrate having a flat surface, an end surface orthogonal to the surface, and a flat back surface; and an end surface of the insulating substrate formed on the surface of the insulating substrate by vapor deposition. A conductive thin film forming a fuse element having a pair of contact portions whose outer edges are flush with each other and at least one fusing link which is narrower than the contact portions and connects the contact portions; and an insulating substrate. An insulating coating which is adhered to the surface of the insulating substrate with a similar spread, and which cooperates with the end face of the insulating substrate and the outer edge of the fuse element to form opposing end faces of the surface-mounted fuse, and is larger than the insulating substrate and the insulating coating The first coating layer having mechanical strength and being spread on the surface of the insulating coating with the same spread as the insulating coating, and the mechanical strength greater than that of the insulating substrate and the insulating coating, A second coating layer that is adhered to the back surface of the insulating substrate with a wide spread, and a conductive terminal that covers the opposite end surfaces of the surface-mounted fuse and is electrically connected to one of the outer edges of the fuse element. And each conductive terminal includes a leg that extends partially along a front surface of the first coating layer and a leg that extends partially along a back surface of the second coating layer. A thin film fuse is provided.
【0016】[0016]
【作用】本発明の好適な一例によると、薄いガラス基板
上にヒューズ素子を蒸着して製造された表面実装型薄膜
ヒューズが提供される。ガラス基板の背面すなわち下面
には薄いアルミナ被膜が接着される。ヒューズ素子層に
は薄いガラス被膜が接着され、そのガラス被膜の上面に
薄いアルミナ被膜が接着される。こうして得られたアル
ミナ/ガラス/ヒューズ/ガラス/アルミナ層構造によ
れば、従来のガラス/ヒューズ/ガラス層のヒューズ構
造による利点を備えるだけでなく、かかる構造の不利点
を縮小させ、パッケージサイズを維持することができ
る。ガラスの温度特性によってもたらされる「クイッ
ク」定格のヒューズ特性は維持され、薄い上下のアルミ
ナ層がヒューズの強度を著しく高める。その際、ヒュー
ズ速度に変化はない。しかも、電圧定格が実質的に向上
し、例えば32ボルトから63ボルト、さらにそれ以上
というように、かなり大きくなる。したがって、機械的
曲げ強さと熱サイクル特性が向上する。新しいヒューズ
構造は機械的強度が大きいため、プラスチック又はセラ
ミック基板上に形成された回路を保護するために使用で
きる。これは従来不可能であった。According to a preferred embodiment of the present invention, there is provided a surface mount type thin film fuse manufactured by depositing a fuse element on a thin glass substrate. A thin alumina coating is adhered to the back or bottom surface of the glass substrate. A thin glass film is adhered to the fuse element layer, and a thin alumina film is adhered to the upper surface of the glass film. The alumina / glass / fuse / glass / alumina layer structure thus obtained not only provides the advantages of the conventional glass / fuse / glass layer fuse structure, but also reduces the disadvantages of such a structure and reduces the package size. Can be maintained. The "quick" rated fuse characteristics provided by the temperature characteristics of the glass are maintained, and the thin upper and lower alumina layers significantly enhance the strength of the fuse. At that time, the fuse speed does not change. Moreover, the voltage rating is substantially improved, being considerably higher, for example from 32 volts to 63 volts and even higher. Therefore, mechanical bending strength and heat cycle characteristics are improved. Due to its high mechanical strength, the new fuse structure can be used to protect circuits formed on plastic or ceramic substrates. This has been impossible in the past.
【0017】[0017]
【実施例】図1および図2は本発明の好適な実施例に係
る積層薄膜SMDヒューズ10を示す。ただし、図に示
される各層の厚さは、わりやすさのために誇張されてお
り、実際の寸法には一般に比例していない。1 and 2 show a laminated thin film SMD fuse 10 according to a preferred embodiment of the present invention. However, the thickness of each layer shown in the figure is exaggerated for ease of understanding and is not generally proportional to the actual size.
【0018】ヒューズ10は絶縁基板12を備える。こ
の絶縁基板12としては、例えば、0.30mmの厚さ
を持った薄いガラス板がある基板12が好ましい。絶縁
基板12は、裏面14と、アルミニウム等の金属薄膜に
よりコーティングされた平坦な表面16とを有してい
る。金属薄膜は1個以上のヒューズ素子18を形成する
ように配置される。金属薄膜の厚さは、例えば、0.6
μmから4.5μm程度がよい。ヒューズ素子18は、
1対の接点部と、これらの接点部20よりかなり幅狭で
あって接点部間を連結する溶断リンク22とを備える。
例えば、0.2amp定格のヒューズ素子の場合、全長
は116mils、幅は51milsであり、溶断リン
クの長さは10mils、その幅は1mil程度とな
る。そのようなヒューズの金属薄膜の厚さは0.6μm
程度である。The fuse 10 has an insulating substrate 12. As the insulating substrate 12, for example, a substrate 12 having a thin glass plate having a thickness of 0.30 mm is preferable. The insulating substrate 12 has a back surface 14 and a flat surface 16 coated with a metal thin film such as aluminum. The metal thin film is arranged to form one or more fuse elements 18. The thickness of the metal thin film is, for example, 0.6.
About μm to 4.5 μm is preferable. The fuse element 18 is
A pair of contact points and a fusing link 22 that is considerably narrower than the contact points 20 and connects the contact points are provided.
For example, in the case of a fuse element rated at 0.2 amp, the total length is 116 mils, the width is 51 mils, the length of the fusing link is 10 mils, and the width thereof is about 1 mil. The thickness of the metal thin film of such a fuse is 0.6 μm
It is a degree.
【0019】シリカパッシベーション層24は、薄膜の
ヒューズ素子18およびその周囲の表面16を保護す
る。絶縁基板12と同様な広がりを持った絶縁被覆とし
ての薄いガラス被覆26は表面28を有する。このガラ
ス被覆26は、エポキシ層30によってパッシベーショ
ン層24に接着される。エポキシ層30はヒューズ素子
18を封止する役目も果たしている。ガラス被覆26の
厚さは、絶縁基板12と同様、0.30μm程度であ
る。The silica passivation layer 24 protects the thin film fuse element 18 and the surrounding surface 16. A thin glass coating 26 as an insulating coating having a similar extent to the insulating substrate 12 has a surface 28. The glass coating 26 is adhered to the passivation layer 24 by an epoxy layer 30. The epoxy layer 30 also serves to seal the fuse element 18. The thickness of the glass coating 26 is about 0.30 μm, like the insulating substrate 12.
【0020】絶縁基板12の裏面14には、エポキシ層
32によって薄いアルミナ被覆34が接着される。アル
ミナ被覆34の厚さは0.25mm程度に設定される。
グラス被覆26の表面にも、同様に、0.25mm程度
の厚さを持ったアルミナ被覆36がエポキシ層38によ
り接着される。ここで、アルミナとヒューズ層とを直接
接触させることはできない点に注意すべきである。なぜ
なら、アルミナが高い熱伝達特性を有しているため、ヒ
ューズの速度が速くなりすぎて電力損失が大きくなるか
らである。しかし、基本となるガラス/ヒューズ/ガラ
ス構造の上下面に薄いアルミナ層を接着させることによ
って、ヒューズの強度は著しく向上し、ヒューズ速度を
変えないで高電圧定格を実現することができる。本発明
に係るヒューズは、例えば、63Vや125Vといった
高い定格電圧を持つことができる。また、曲げ強さが大
きくなるため、許容たわみが従来の僅か1mmから3m
mに向上する。本発明の新しいヒューズは、従来の僅か
5熱サイクルの代わりに、例えば140熱サイクル(−
55°Cから+125°Cの速い温度サイクル)の特性
を有する。この強度および熱サイクル特性の向上によ
り、この発明のヒューズは、ガラスエポキシ基板上だけ
ではなく、プラスチックおよびセラミック基板上に形成
された回路を保護するためにも使用可能である。A thin alumina coating 34 is adhered to the back surface 14 of the insulating substrate 12 by an epoxy layer 32. The thickness of the alumina coating 34 is set to about 0.25 mm.
Similarly, the alumina coating 36 having a thickness of about 0.25 mm is adhered to the surface of the glass coating 26 by the epoxy layer 38. It should be noted here that the alumina and the fuse layer cannot be in direct contact with each other. This is because alumina has a high heat transfer characteristic, so that the speed of the fuse becomes too high and the power loss becomes large. However, by bonding a thin layer of alumina to the top and bottom surfaces of the underlying glass / fuse / glass structure, the fuse strength is significantly improved and high voltage ratings can be achieved without changing the fuse speed. The fuse according to the present invention can have a high rated voltage of, for example, 63V or 125V. Also, since the bending strength is large, the allowable deflection is only 1 mm to 3 m, which is the conventional value.
improve to m. The new fuse of the present invention is, for example, 140 heat cycles (-
It has the characteristics of 55 ° C to + 125 ° C (rapid temperature cycle). Due to this improved strength and thermal cycling properties, the fuse of the present invention can be used to protect circuits formed not only on glass epoxy substrates, but also on plastic and ceramic substrates.
【0021】以上説明したように、アルミナは引張り強
度、曲げ強さ等において優れた機械的特性を持っている
ため、最終的なヒューズ構造をかなり強化する。これら
の特性は、ガラスのものよりかなり優れている。アルミ
ナの代替品として他の強度の優れた絶縁材、例えばサフ
ァイアの使用が当業者には考えられるであろう。しか
し、アルミナには低コストという利点がある。As described above, alumina has excellent mechanical properties in tensile strength, flexural strength, etc., and therefore considerably strengthens the final fuse structure. These properties are considerably superior to those of glass. One of ordinary skill in the art will recognize the use of other high strength insulation materials, such as sapphire, as an alternative to alumina. However, alumina has the advantage of low cost.
【0022】前述のアルミナ/ガラス/ヒューズ/ガラ
ス/アルミナ積層ヒューズアセンブリは直方体であるこ
とが望ましい。直方体は、互いに平行な2つの端面40
と、端面40に接続された複数の隅部42を有してい
る。ヒューズ素子の接触部20の縁44は端面40の中
にある。The above-mentioned alumina / glass / fuse / glass / alumina laminated fuse assembly is preferably a rectangular parallelepiped. The rectangular parallelepiped has two end faces 40 parallel to each other.
And a plurality of corners 42 connected to the end face 40. The edge 44 of the fuse element contact 20 is within the end face 40.
【0023】端面40は導電端子46によって覆われ
る。各導電端子46は、ニッケル、クロム等の材質を有
する内部層48および外部半田被覆50から形成され
る。各内部層48は、一方の接触部20の縁44と接触
し、導電端子46とこれに対向するヒューズ素子18の
面を電気的に接続している。The end surface 40 is covered with a conductive terminal 46. Each conductive terminal 46 is formed of an inner layer 48 made of a material such as nickel or chromium and an outer solder coating 50. Each inner layer 48 contacts the edge 44 of the one contact portion 20 and electrically connects the conductive terminal 46 and the surface of the fuse element 18 facing the conductive terminal 46.
【0024】導電端子46は、隅部42に沿って曲が
り、アルミナ被覆34の裏面とアルミナ被覆36に沿っ
て部分的に延びるランド52を有している。The conductive terminal 46 has a land 52 that bends along the corner 42 and extends partially along the back surface of the alumina coating 34 and the alumina coating 36.
【0025】この発明の薄膜ヒューズは信頼性が高い。
保護被覆板は温度的に安定しており、ヒューズを密閉し
ているため、ヒューズが高温、高湿の環境に置かれてい
る時にヒューズ素子18を保護できる。保護被覆も、ヒ
ューズが動作する時の極端な条件においても電気的に安
定している。回路電圧が125ボルト(最大遮断電流5
0A)であっても、ヒューズ動作後に高い絶縁抵抗(>
1MΩ)が一貫して維持される。The thin film fuse of the present invention has high reliability.
Since the protective cover plate is temperature stable and seals the fuse, the fuse element 18 can be protected when the fuse is placed in a high temperature and high humidity environment. The protective coating is also electrically stable under extreme conditions when the fuse operates. Circuit voltage is 125 V (maximum breaking current 5
0A), high insulation resistance (>
1 MΩ) is consistently maintained.
【0026】前記特許および出願は、ガラス/ヒューズ
/ガラスのヒューズ構造の製造工程を説明したものであ
り、その工程は、この発明のヒューズ構造の製造に完全
に適用できる。前記特許および出願の前記工程に関連す
る内容は、本願明細書および図面において引用乃至記載
されている。The above patents and applications describe a process for manufacturing a glass / fuse / glass fuse structure, which process is fully applicable to the manufacture of the fuse structure of the present invention. The contents related to the steps of the patent and application are cited or described in the present specification and the drawings.
【0027】[0027]
【発明の効果】この発明によれば、ヒューズ素子の幅、
長さ、厚さ、導電率を非常に正確に限定又はプログラム
することができるため、ヒューズ特性のバラツキを最低
限に抑えられる。さらに、色々な種類のヒューズ素子の
設計、基板タイプを組み合わせて、ある範囲の速度特性
を有するヒューズを作ることができる。例えば、高速ヒ
ューズは、導電性の基板上に低い質量のヒューズ素子を
使用して製造できる。低速ヒューズ特性は、高い質量の
ヒューズ素子と断熱基板を組み合わせることによって得
ることができる。この発明による、独特の5積層ヒュー
ズコンポーネント構造はさらに、優れた機械的特性およ
び熱特性を持つため、より大きい電圧定格、より広範囲
の回路基板環境で使用できる「クイック」ヒューズを提
供する。According to the present invention, the width of the fuse element,
The length, thickness, and conductivity can be very accurately limited or programmed, thus minimizing variations in fuse characteristics. Furthermore, various types of fuse element designs and substrate types can be combined to create fuses with a range of speed characteristics. For example, high speed fuses can be manufactured using low mass fuse elements on a conductive substrate. Low speed fuse characteristics can be obtained by combining a high mass fuse element with an insulating substrate. The unique five-stack fuse component structure in accordance with the present invention further provides superior mechanical and thermal properties, thus providing a "quick" fuse that can be used in higher voltage ratings and in a wider range of circuit board environments.
【図1】 本発明に係るヒューズ断面の正面図である。FIG. 1 is a front view of a cross section of a fuse according to the present invention.
【図2】 図1のヒューズの2−2線に沿った断面図で
ある。2 is a cross-sectional view of the fuse of FIG. 1 taken along line 2-2.
10 ヒューズ、12 絶縁基板、14 裏面、16
表面、18 ヒューズ素子、20 接点部、22 溶断
リンク、24 シリカパッシベーション層、26 ガラ
ス被覆、28 表面、30,32,38 エポキシ層、
34,36 アルミナ被覆、40 端面、44 縁、4
2 隅部、46 導電端子、48 内部層、50 外部
半田被覆、52 ランド。10 fuse, 12 insulating substrate, 14 back surface, 16
Surface, 18 fuse element, 20 contact part, 22 fusing link, 24 silica passivation layer, 26 glass coating, 28 surface, 30, 32, 38 epoxy layer,
34,36 Alumina coating, 40 End face, 44 edges, 4
2 corners, 46 conductive terminals, 48 inner layers, 50 outer solder coating, 52 lands.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−170826(JP,A) 特表 平2−503969(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-63-170826 (JP, A) Tokuyo HEI 2-503969 (JP, A)
Claims (4)
るステップと、 金属薄膜の特定部分を除去して、1対の接点部と、これ
ら接点部より幅狭であって接点部間を連結する少なくと
も1つの溶断リンクとを備えるヒューズ素子を形成する
ステップと、 金属薄膜とともにガラス基板の表面にガラス被覆を接着
するステップと、 ガラス基板の裏面に、ガラス基板およびガラス被覆より
機械的強度が大きいアルミナからなる第1被覆層を接着
するステップと、 ガラス被覆の表面に、ガラス基板およびガラス被覆より
機械的強度が大きいアルミナからなる第2被覆層を接着
するステップとを含むことを特徴とする表面実装型薄膜
ヒューズの製造方法。1. A step of attaching a metal thin film to a surface of a glass substrate, a specific portion of the metal thin film being removed, and a pair of contact portions and at least a portion narrower than these contact portions and connecting the contact portions. Forming a fuse element with one fusing link; adhering a glass coating on the surface of the glass substrate with the metal thin film; and on the back surface of the glass substrate, from the glass substrate and alumina, which has greater mechanical strength than the glass coating. And a step of adhering a second coating layer made of alumina, which has a mechanical strength higher than that of the glass substrate and the glass coating, to the surface of the glass coating. Method of manufacturing thin film fuse.
の製造方法において、 金属薄膜およびこれに隣接するガラス基板の表面をパッ
シベートするステップを含むことを特徴とする表面実装
型薄膜ヒューズの製造方法。2. The method for manufacturing a surface-mount thin film fuse according to claim 1, further comprising the step of passivating the surface of the metal thin film and the glass substrate adjacent thereto. .
よび平坦な裏面を有するほぼ方形のガラス基板と、 蒸着によってガラス基板の表面上に形成され、ガラス基
板の端面と面一に外縁を露出させる1対の接点部と、こ
れら接点部より幅狭であって接点部間を連結する少なく
とも1つの溶断リンクとを備えるヒューズ素子を形成す
る導電薄膜と、 ガラス基板と同様な広がりを持ってガラス基板表面に接
着され、ガラス基板の端面およびヒューズ素子の外縁と
協働して表面実装型ヒューズの相対向する端面を形成す
るガラス被覆と、 ガラス基板およびガラス被覆より大きな機械的強度を有
し、ガラス被覆と同様な広がりを持ってガラス被覆の表
面に接着された第1アルミナ被覆層と、 ガラス基板およびガラス被覆より大きな機械的強度を有
し、ガラス基板と同様な広がりを持ってガラス基板の裏
面に接着された第2アルミナ被覆層と、 表面実装型ヒューズの相対向する端面を被覆し、ヒュー
ズ素子の外縁のうち1つと電気的に接続される導電性端
子とを備え、 各導電性端子は、第1アルミナ被覆層の表面に部分的に
沿って延びる脚と、第2アルミナ被覆層の裏面に部分的
に沿って延びる脚とを備えることを特徴とする表面実装
型薄膜ヒューズ。3. A substantially rectangular glass substrate having a flat surface, an end surface orthogonal to the surface, and a flat back surface, and an outer edge exposed flush with the end surface of the glass substrate formed on the surface of the glass substrate by vapor deposition. A conductive thin film forming a fuse element having a pair of contact portions and at least one fusing link narrower than these contact portions and connecting the contact portions; A glass coating adhered to the surface of the substrate, which cooperates with the end surface of the glass substrate and the outer edge of the fuse element to form opposite end surfaces of the surface-mounted fuse, and has a mechanical strength greater than that of the glass substrate and the glass coating, The first alumina coating layer, which has the same spread as the glass coating and adheres to the surface of the glass coating, has greater mechanical strength than the glass substrate and the glass coating. The second alumina coating layer, which has the same spread as the glass substrate and is adhered to the back surface of the glass substrate, covers the opposite end faces of the surface-mounted fuse and is electrically connected to one of the outer edges of the fuse element. Conductive terminals, each conductive terminal including a leg extending partially along a surface of the first alumina coating layer and a leg extending partially along a back surface of the second alumina coating layer. Surface mount thin film fuse characterized by
において、 薄膜により形成されるヒューズ素子を覆うパッシベーシ
ョン層を有することを特徴とする表面実装型薄膜ヒュー
ズ。4. The surface mount type thin film fuse according to claim 4, further comprising a passivation layer covering a fuse element formed of a thin film.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US038,735 | 1993-04-16 | ||
| US08/048,735 US5296833A (en) | 1992-02-28 | 1993-04-16 | High voltage, laminated thin film surface mount fuse and manufacturing method therefor |
| US048735 | 1993-04-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714491A JPH0714491A (en) | 1995-01-17 |
| JPH0821301B2 true JPH0821301B2 (en) | 1996-03-04 |
Family
ID=21956174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5168934A Expired - Fee Related JPH0821301B2 (en) | 1993-04-16 | 1993-07-08 | Surface mount thin film fuse and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821301B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7532457B2 (en) * | 2007-01-15 | 2009-05-12 | Avx Corporation | Fused electrolytic capacitor assembly |
| CN115295972B (en) * | 2022-09-26 | 2022-12-27 | 江苏时代新能源科技有限公司 | Switching piece, battery monomer, battery and power consumption device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63170826A (en) * | 1987-01-08 | 1988-07-14 | ロ−ム株式会社 | Circuit breaking element |
| US4873506A (en) * | 1988-03-09 | 1989-10-10 | Cooper Industries, Inc. | Metallo-organic film fractional ampere fuses and method of making |
-
1993
- 1993-07-08 JP JP5168934A patent/JPH0821301B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0714491A (en) | 1995-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5296833A (en) | High voltage, laminated thin film surface mount fuse and manufacturing method therefor | |
| US5621375A (en) | Subminiature surface mounted circuit protector | |
| US20090108986A1 (en) | Chip Resistor | |
| US5197804A (en) | Resistance temperature sensor | |
| KR100258677B1 (en) | Thermistor element | |
| EP1041586B1 (en) | Chip thermistor | |
| EP0186765B1 (en) | End termination for chip capacitor | |
| JP3845030B2 (en) | Manufacturing method of chip resistor | |
| EP0196229B1 (en) | A capacitor for surface mounting | |
| JPH0821301B2 (en) | Surface mount thin film fuse and method of manufacturing the same | |
| US5739743A (en) | Asymmetric resistor terminal | |
| JPH10308157A (en) | fuse | |
| JP2001126901A (en) | Chip component | |
| JP2000068102A (en) | Resistor | |
| JPH0831603A (en) | Rectangular thin film chip resistor and method of manufacturing the same | |
| JP3201118B2 (en) | Chip resistor | |
| US20240304364A1 (en) | Varistor module and method of manufacturing a varistor module | |
| JPH10308161A (en) | fuse | |
| JP2545602Y2 (en) | Jumper chip | |
| JPS6111881Y2 (en) | ||
| JP2001148302A (en) | Chip component and method of manufacturing the same | |
| JPH03241804A (en) | Chip type metallized film capacitor | |
| JPH02306610A (en) | Chip type solid-state electrolytic capacitor provided with fuse | |
| GB2354645A (en) | Low profile fuse | |
| JPH0328501Y2 (en) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |