JPH0821930A - ハイブリッド回路用光インターフェース装置 - Google Patents
ハイブリッド回路用光インターフェース装置Info
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- JPH0821930A JPH0821930A JP15183794A JP15183794A JPH0821930A JP H0821930 A JPH0821930 A JP H0821930A JP 15183794 A JP15183794 A JP 15183794A JP 15183794 A JP15183794 A JP 15183794A JP H0821930 A JPH0821930 A JP H0821930A
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- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 55
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920002972 Acrylic fiber Polymers 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ファイバを介して伝導される光エネルギー
を、ハイブリッドケーシング内に配置されたエレクトロ
オプティックハイブリッド素子例えばフォトデテクタに
結合するための装置が提供される。 【構成】 ファイバの外被ははがされ、45度に切断さ
れ、誘電体で被覆されて、クラッドの側面を通って光エ
ネルギーを導くためのミラーを形成する。予め決められ
た帯域幅の光エネルギーに対して透明な窓が、エレクト
ロオプティック素子の上にある容器の蓋体に備えられ
る。ファイバのミラー化された端部は前記窓及び素子の
上方に位置決めされ、ファイバはケーシングの蓋体の上
部に固定される。本配置は、フェルールを要せず、光フ
ァイバの取付け前にハイブリッドパッケージのベイクア
ウト及び試験を可能にする。
を、ハイブリッドケーシング内に配置されたエレクトロ
オプティックハイブリッド素子例えばフォトデテクタに
結合するための装置が提供される。 【構成】 ファイバの外被ははがされ、45度に切断さ
れ、誘電体で被覆されて、クラッドの側面を通って光エ
ネルギーを導くためのミラーを形成する。予め決められ
た帯域幅の光エネルギーに対して透明な窓が、エレクト
ロオプティック素子の上にある容器の蓋体に備えられ
る。ファイバのミラー化された端部は前記窓及び素子の
上方に位置決めされ、ファイバはケーシングの蓋体の上
部に固定される。本配置は、フェルールを要せず、光フ
ァイバの取付け前にハイブリッドパッケージのベイクア
ウト及び試験を可能にする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも1個のエレ
クトロオプティック素子を含むタイプのハイブリッド回
路にファイバからの光エネルギーを結合するための装置
に関する。特に、本発明は、光ファイバ導体のピグテー
ルの取付け前のこのようなハイブリッドパッケージの組
み立て完了と試験を促進する光インターフェース配置に
関する。
クトロオプティック素子を含むタイプのハイブリッド回
路にファイバからの光エネルギーを結合するための装置
に関する。特に、本発明は、光ファイバ導体のピグテー
ルの取付け前のこのようなハイブリッドパッケージの組
み立て完了と試験を促進する光インターフェース配置に
関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光ネッ
トワークはハイブリッドを含むことがある。ハイブリッ
ド集積回路は、2個以上の集積回路タイプもしくは1個
の集積回路タイプと別々の素子の組み合わせから構成さ
れている。オプトエレクトロニックハイブリッド回路
は、光ファイバネットワークで運ばれる光信号を対応す
る電気信号に変換するフォトデテクタを含むことがあ
る。フォトデテクタ素子は、シリコン、インジウム、ガ
リウム砒化物、カドミウム硫化物を伴うガリウム砒化物
を含む種々の構成物からなる。多くの精密用途では、ハ
イブリッド回路素子は密封容器に入れるすなわち封入す
る必要がある。前記回路の製作は、一般に、密封する前
に、炭化水素、エポキシ樹脂やハンダフラックスのよう
な汚染物を除去することにより容器内の密封環境をきれ
いにするベイクアウト工程を含む。
トワークはハイブリッドを含むことがある。ハイブリッ
ド集積回路は、2個以上の集積回路タイプもしくは1個
の集積回路タイプと別々の素子の組み合わせから構成さ
れている。オプトエレクトロニックハイブリッド回路
は、光ファイバネットワークで運ばれる光信号を対応す
る電気信号に変換するフォトデテクタを含むことがあ
る。フォトデテクタ素子は、シリコン、インジウム、ガ
リウム砒化物、カドミウム硫化物を伴うガリウム砒化物
を含む種々の構成物からなる。多くの精密用途では、ハ
イブリッド回路素子は密封容器に入れるすなわち封入す
る必要がある。前記回路の製作は、一般に、密封する前
に、炭化水素、エポキシ樹脂やハンダフラックスのよう
な汚染物を除去することにより容器内の密封環境をきれ
いにするベイクアウト工程を含む。
【0003】エレクトロオプティカルハイブリッドを含
む従来の光ネットワークでは、光ファイバ導体は、ハイ
ブリッド容器の側面のフェルールを通してハイブリッド
パッケージに接続される。ハイブリッドへの光ファイバ
の接続は、装置の試験及びベイクアウトの前に行われ
る。ベイクアウトの仕様は、特に軍用においては厳しい
ものになり得る。相当な量の汚染物の除去は製造工程を
かなり延ばすことがある。
む従来の光ネットワークでは、光ファイバ導体は、ハイ
ブリッド容器の側面のフェルールを通してハイブリッド
パッケージに接続される。ハイブリッドへの光ファイバ
の接続は、装置の試験及びベイクアウトの前に行われ
る。ベイクアウトの仕様は、特に軍用においては厳しい
ものになり得る。相当な量の汚染物の除去は製造工程を
かなり延ばすことがある。
【0004】光ファイバは、典型的には、限られた温度
許容誤差のアクリル性プラスチック材料の外被で被覆さ
れている。一般に、前記材料は、最も一般的なファイバ
外被として105度を越える温度にさらされるべきでは
ない。このことは、ファイバがハイブリッド容器に固着
されている従来の配置におけるベイクアウト温度にかな
り影響を与える(温度を下げる)。その結果、環境をき
れいにするのに要する時間が影響を受ける(長くな
る)。現今では、ファイバピグテールが取りつけられた
ハイブリッドのベイクアウトは、典型的には8時間の工
程を要する。さらに、回路試験はベイクアウトが終わる
まで前もって防がれるので、装置の生産は更にもっと相
当に制限される。
許容誤差のアクリル性プラスチック材料の外被で被覆さ
れている。一般に、前記材料は、最も一般的なファイバ
外被として105度を越える温度にさらされるべきでは
ない。このことは、ファイバがハイブリッド容器に固着
されている従来の配置におけるベイクアウト温度にかな
り影響を与える(温度を下げる)。その結果、環境をき
れいにするのに要する時間が影響を受ける(長くな
る)。現今では、ファイバピグテールが取りつけられた
ハイブリッドのベイクアウトは、典型的には8時間の工
程を要する。さらに、回路試験はベイクアウトが終わる
まで前もって防がれるので、装置の生産は更にもっと相
当に制限される。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来技術の前
記問題に取り組み、ファイバ外被で覆われた光ファイバ
を伝搬する光エネルギーを、実質的に平らな蓋体を有す
る容器内に配置されたエレクトロオプティック素子に結
合するための装置を提供することによって克服する。本
発明では、前記蓋体は、エレクトロオプティック素子の
上にあって予め決められた帯域幅の光エネルギーに対す
る透明度で特徴づけられる限定領域を含む。ファイバの
末端部と関連して、予め決められた帯域幅の光エネルギ
ーを、ファイバ内の光エネルギーの伝播方向と実質的に
直角の方向に向けるための手段が提供される。最後に、
予め決められた帯域幅の光エネルギーが限定領域を介し
てエレクトロオプティック素子に向けられるように、前
記ファイバを前記蓋体に接して配置するための手段が提
供される。
記問題に取り組み、ファイバ外被で覆われた光ファイバ
を伝搬する光エネルギーを、実質的に平らな蓋体を有す
る容器内に配置されたエレクトロオプティック素子に結
合するための装置を提供することによって克服する。本
発明では、前記蓋体は、エレクトロオプティック素子の
上にあって予め決められた帯域幅の光エネルギーに対す
る透明度で特徴づけられる限定領域を含む。ファイバの
末端部と関連して、予め決められた帯域幅の光エネルギ
ーを、ファイバ内の光エネルギーの伝播方向と実質的に
直角の方向に向けるための手段が提供される。最後に、
予め決められた帯域幅の光エネルギーが限定領域を介し
てエレクトロオプティック素子に向けられるように、前
記ファイバを前記蓋体に接して配置するための手段が提
供される。
【0006】
【実施例】本発明の前記及び他の特徴は、以下の詳細な
説明からさらに明らかになるだろう。前記詳細な説明は
1組の図面を伴う。図面中の番号は、説明文中の番号に
対応し、本発明の特徴を示す。説明文及び図面の両方に
わたって、同じ番号は同じ特徴を表わす。図面を参照す
ると、図1は本発明の側断面図である。図示のように、
ファイバ10は、ケーシング14内に配置されたフォト
デテクタ12を含むハイブリッド回路に光エネルギーを
伝送する。既述したように、従来技術においては、ケー
シング14の側面にフェルールを備え、それによりファ
イバ10が、ハイブリッド回路に光エネルギーを送るべ
く内部にアクセスできるのが一般的であった。必要とさ
れるフェルールは、ハイブリッドパッケージのデザイン
をかなり面倒にし、ついにはベイクアウト時間を増大さ
せて装置の生産を著しく減ずることになる。
説明からさらに明らかになるだろう。前記詳細な説明は
1組の図面を伴う。図面中の番号は、説明文中の番号に
対応し、本発明の特徴を示す。説明文及び図面の両方に
わたって、同じ番号は同じ特徴を表わす。図面を参照す
ると、図1は本発明の側断面図である。図示のように、
ファイバ10は、ケーシング14内に配置されたフォト
デテクタ12を含むハイブリッド回路に光エネルギーを
伝送する。既述したように、従来技術においては、ケー
シング14の側面にフェルールを備え、それによりファ
イバ10が、ハイブリッド回路に光エネルギーを送るべ
く内部にアクセスできるのが一般的であった。必要とさ
れるフェルールは、ハイブリッドパッケージのデザイン
をかなり面倒にし、ついにはベイクアウト時間を増大さ
せて装置の生産を著しく減ずることになる。
【0007】本発明では、上述の配置と関連した問題
は、光ファイバがケーシング14に接続される前にベイ
クアウトが行なわれるのを許す光インターフェース配置
により回避される。従来技術では、ファイバ10は、上
述のように内部アクセス用の側壁フェルールを含むケー
シング14の密封を保証するために、必然的にベイクア
ウト時にフェルールを介してハイブリッド容器に取付け
られていた。本発明では、ファイバ10はハイブリッド
ケーシング14内には決して挿入されない。むしろ、窓
16がケーシング14の上部蓋体18に備えられ、光エ
ネルギーの入場を許して、ハイブリッドパッケージ内に
ある光信号受信装置例えばフォトデテクタ12に前記エ
ネルギーを結合させる。この窓16は平らなものでも良
いし、または図示のような焦点レンズから構成されてい
ても良い。前記デザインの選択は、フォトデテクタ12
の光活性面のサイズ、ファイバ内を伝播する光エネルギ
ーの強度等を含む要因によって決まる。用途のなかに
は、窓16を、特定の帯域幅の光エネルギーに対して透
明になるように選択された材料で構成し、、それにより
濾波機能を提供するようにしても良い。
は、光ファイバがケーシング14に接続される前にベイ
クアウトが行なわれるのを許す光インターフェース配置
により回避される。従来技術では、ファイバ10は、上
述のように内部アクセス用の側壁フェルールを含むケー
シング14の密封を保証するために、必然的にベイクア
ウト時にフェルールを介してハイブリッド容器に取付け
られていた。本発明では、ファイバ10はハイブリッド
ケーシング14内には決して挿入されない。むしろ、窓
16がケーシング14の上部蓋体18に備えられ、光エ
ネルギーの入場を許して、ハイブリッドパッケージ内に
ある光信号受信装置例えばフォトデテクタ12に前記エ
ネルギーを結合させる。この窓16は平らなものでも良
いし、または図示のような焦点レンズから構成されてい
ても良い。前記デザインの選択は、フォトデテクタ12
の光活性面のサイズ、ファイバ内を伝播する光エネルギ
ーの強度等を含む要因によって決まる。用途のなかに
は、窓16を、特定の帯域幅の光エネルギーに対して透
明になるように選択された材料で構成し、、それにより
濾波機能を提供するようにしても良い。
【0008】ファイバ10は、上述のようにケーシング
14には決して挿入されず、したがてケーシング14を
破らない。むしろ、クレードル20が、ケーシング14
の外面にファイバ10を位置決めして嵌合するために上
部蓋体18の上部に備えられる。このクレードル20
は、図2A及び2Bにもっと明確に示されるが、好適に
は、光ファイバ10の端部を収容するための中央凹状領
域22を含み、溝のような形状を形成する成形構造であ
る。クレードル20及び蓋体18が1つの一体的部材と
して形成される場合には、好適には適当なセラミックま
たは耐食性金属で構成すべきである。それは、例えば、
商標KOVARで市販されている金属で作ることができ
る。フォトデテクタ12がハンダ付けされるかまたは適
当なエポキシ樹脂で接合されるセラミック基部24は、
ケーシング14の温度膨張係数にほとんど匹敵する温度
膨張係数を持つべきである。構造的なエポキシは、それ
ぞれ図示の接着層26及び28で、ファイバ10をクレ
ードル20に固着すると共に、基部24をハイブリッド
ケーシング14の底部30に固着するために用いること
ができる。
14には決して挿入されず、したがてケーシング14を
破らない。むしろ、クレードル20が、ケーシング14
の外面にファイバ10を位置決めして嵌合するために上
部蓋体18の上部に備えられる。このクレードル20
は、図2A及び2Bにもっと明確に示されるが、好適に
は、光ファイバ10の端部を収容するための中央凹状領
域22を含み、溝のような形状を形成する成形構造であ
る。クレードル20及び蓋体18が1つの一体的部材と
して形成される場合には、好適には適当なセラミックま
たは耐食性金属で構成すべきである。それは、例えば、
商標KOVARで市販されている金属で作ることができ
る。フォトデテクタ12がハンダ付けされるかまたは適
当なエポキシ樹脂で接合されるセラミック基部24は、
ケーシング14の温度膨張係数にほとんど匹敵する温度
膨張係数を持つべきである。構造的なエポキシは、それ
ぞれ図示の接着層26及び28で、ファイバ10をクレ
ードル20に固着すると共に、基部24をハイブリッド
ケーシング14の底部30に固着するために用いること
ができる。
【0009】ファイバ10はハイブリッドケーシング1
4に直接アクセスしないので、ファイバ10からフォト
デテクタ12へ光エネルギーを向けるための手段を用意
しなければならない。そのため、前述の窓16がフォト
デテクタ12と一線上に合わせられる。ファイバ10の
アクリル性プラスチック外被32は、大部分の光エネル
ギーを伝搬するファイバクラッドすなわち中心コア34
を露出するために末端部付近の領域からはがされる。フ
ァイバ34の端部は、前方から見た場合に平らな楕円形
の平面を形づくる45度面36を形成するように切断さ
れる。ファイバの切断された端部は、反射性被覆物、例
えば銀、で被覆するか、または、ファイバの切断された
端部36で100パーセントの反射係数を生じるように
設計された誘電性被覆物で被覆しても良い。
4に直接アクセスしないので、ファイバ10からフォト
デテクタ12へ光エネルギーを向けるための手段を用意
しなければならない。そのため、前述の窓16がフォト
デテクタ12と一線上に合わせられる。ファイバ10の
アクリル性プラスチック外被32は、大部分の光エネル
ギーを伝搬するファイバクラッドすなわち中心コア34
を露出するために末端部付近の領域からはがされる。フ
ァイバ34の端部は、前方から見た場合に平らな楕円形
の平面を形づくる45度面36を形成するように切断さ
れる。ファイバの切断された端部は、反射性被覆物、例
えば銀、で被覆するか、または、ファイバの切断された
端部36で100パーセントの反射係数を生じるように
設計された誘電性被覆物で被覆しても良い。
【0010】ファイバ36の傾斜した平らな端部36は
光エネルギーの向きを変える反射面となり、それによ
り、クラッド34内を(長手方向に)伝播した光エネル
ギーは、窓16を介して直角の下向き方向38にフォト
デテクタ12の上部光検知領域に入射する。平らな端部
36は、銀メッキするかまたはダイクロイックミラーか
らなり、予め決められた帯域幅の入射光エネルギーを反
射することができる。窓16を形成する金属の選択と同
様に、平らな端部36の反射面のタイプはもくろまれた
用途によって決まるだろう。重要な帯域幅、信号雑音許
容誤差等の要件に一部依存する前記選択と、行なわれ得
る選択の評価は、技術上周知である。
光エネルギーの向きを変える反射面となり、それによ
り、クラッド34内を(長手方向に)伝播した光エネル
ギーは、窓16を介して直角の下向き方向38にフォト
デテクタ12の上部光検知領域に入射する。平らな端部
36は、銀メッキするかまたはダイクロイックミラーか
らなり、予め決められた帯域幅の入射光エネルギーを反
射することができる。窓16を形成する金属の選択と同
様に、平らな端部36の反射面のタイプはもくろまれた
用途によって決まるだろう。重要な帯域幅、信号雑音許
容誤差等の要件に一部依存する前記選択と、行なわれ得
る選択の評価は、技術上周知である。
【0011】ファイバ10の端部は、UV硬化可能で屈
折率が整合したエポキシ樹脂のカプセル40に包まれ
る。前記樹脂40は、さもなければクラッド34の円筒
形状で引き起こされるだろう歪みを減ずるように作用す
る。したがって、フォトデテクタ12の上部検知面に入
射する光信号は、ファイバ10内を伝播している光信号
のそっくりそのままとなる。
折率が整合したエポキシ樹脂のカプセル40に包まれ
る。前記樹脂40は、さもなければクラッド34の円筒
形状で引き起こされるだろう歪みを減ずるように作用す
る。したがって、フォトデテクタ12の上部検知面に入
射する光信号は、ファイバ10内を伝播している光信号
のそっくりそのままとなる。
【0012】もちろん、フォトデテクタ12、平らな端
部36及び窓16は正確に一線上になっていることが特
に重要である。ハイブリッド回路のベイクアウト後、フ
ァイバ10の位置決めのために2段階の工程を用いるこ
とができる。まず、面36をクレードル20上に位置決
めし、フォトデテクタ12の最大応答が観測されるまで
ファイバ10を回転させることによって、粗調整を行な
うことができる。次に、フォトデテクタ12が光信号の
減量を示すまでクレードル20に沿ってファイバ10を
スライドさせることにより、移動位置を決定することが
できる。その他の軸は、同じ手法を用いてある程度の移
動と回転とにより制御することができる。レンズ16
は、彩度と傷の影響とを減らすために金型面積の約25
パーセントにわたって焦点を合わせるように設計され
る。ファイバの切断された端部は、該ファイバ端部の光
学的エポキシのカプセル化40によりアライメント後の
正しい位置に保持される。エポキシの屈折率はファイバ
及びレンズの屈折率に整合させる。重要な周波数帯にお
いて光学的に透明なエポキシは、ファイバの曲がった外
表面で生じる光の減量及び光学窓からの反射をなくすか
または激減させる。
部36及び窓16は正確に一線上になっていることが特
に重要である。ハイブリッド回路のベイクアウト後、フ
ァイバ10の位置決めのために2段階の工程を用いるこ
とができる。まず、面36をクレードル20上に位置決
めし、フォトデテクタ12の最大応答が観測されるまで
ファイバ10を回転させることによって、粗調整を行な
うことができる。次に、フォトデテクタ12が光信号の
減量を示すまでクレードル20に沿ってファイバ10を
スライドさせることにより、移動位置を決定することが
できる。その他の軸は、同じ手法を用いてある程度の移
動と回転とにより制御することができる。レンズ16
は、彩度と傷の影響とを減らすために金型面積の約25
パーセントにわたって焦点を合わせるように設計され
る。ファイバの切断された端部は、該ファイバ端部の光
学的エポキシのカプセル化40によりアライメント後の
正しい位置に保持される。エポキシの屈折率はファイバ
及びレンズの屈折率に整合させる。重要な周波数帯にお
いて光学的に透明なエポキシは、ファイバの曲がった外
表面で生じる光の減量及び光学窓からの反射をなくすか
または激減させる。
【0013】図3は本発明の一部の他の実施例であり、
光の向きを変えて、該光をファイバ10を介してケーシ
ング内のオプトエレクトロニック回路網に進ませるため
のものである。前図に示されるように、向きを変えられ
た前記光エネルギーは、ケーシング14の上面(すなわ
ち蓋体)18に備えられた窓16を通過する。この代替
装置は、適当な光学的エポキシにより(アクリル性外被
が端部32からはがされた後の)クラッドに固着される
プリズム素子42からなる。プリズム素子42は、ファ
イバ10の光軸に対して傾斜した反射性の平らな面44
を含む。該面44は、機能上、図1、2A及び2Bに示
される実施例のクラッドの平らな端部36に対応する。
前のように、面44は、全体的にまたは選択的に反射特
性を有するものにすることができる。さらに、プリズム
素子42は、前記寸法を有するものにすると共に、前図
の実施例で必要とした樹脂40のカプセル化をなくすよ
うに設計することができる。前記の場合には、素子42
を窓16(図3には示されていない)の上面に固定する
ために、光学的エポキシの薄い層をそれの底部に備える
ことができ、また、素子とファイバ45の端部の間に光
学的エポキシの薄い層を備えることもできる。
光の向きを変えて、該光をファイバ10を介してケーシ
ング内のオプトエレクトロニック回路網に進ませるため
のものである。前図に示されるように、向きを変えられ
た前記光エネルギーは、ケーシング14の上面(すなわ
ち蓋体)18に備えられた窓16を通過する。この代替
装置は、適当な光学的エポキシにより(アクリル性外被
が端部32からはがされた後の)クラッドに固着される
プリズム素子42からなる。プリズム素子42は、ファ
イバ10の光軸に対して傾斜した反射性の平らな面44
を含む。該面44は、機能上、図1、2A及び2Bに示
される実施例のクラッドの平らな端部36に対応する。
前のように、面44は、全体的にまたは選択的に反射特
性を有するものにすることができる。さらに、プリズム
素子42は、前記寸法を有するものにすると共に、前図
の実施例で必要とした樹脂40のカプセル化をなくすよ
うに設計することができる。前記の場合には、素子42
を窓16(図3には示されていない)の上面に固定する
ために、光学的エポキシの薄い層をそれの底部に備える
ことができ、また、素子とファイバ45の端部の間に光
学的エポキシの薄い層を備えることもできる。
【0014】したがって、本発明は改良されたハイブリ
ッド回路用光インターフェースを提供することがわか
る。ハイブリッドケーシングに対する光ファイバピグテ
ールの不侵入取付けを特徴とする本発明の教示を用いる
ことにより、ベイクアウト温度が増加し、その結果、装
置生産を増大させることができる。本発明は目下好適な
実施例に関して説明されたが、それに限らない。むし
ろ、本発明は、付随の特許請求の範囲で定義されるかぎ
りにおいてのみ制限され、それのすべての同等物をその
範囲内に含む。
ッド回路用光インターフェースを提供することがわか
る。ハイブリッドケーシングに対する光ファイバピグテ
ールの不侵入取付けを特徴とする本発明の教示を用いる
ことにより、ベイクアウト温度が増加し、その結果、装
置生産を増大させることができる。本発明は目下好適な
実施例に関して説明されたが、それに限らない。むし
ろ、本発明は、付随の特許請求の範囲で定義されるかぎ
りにおいてのみ制限され、それのすべての同等物をその
範囲内に含む。
【図1】ハイブリッド回路と光ファイバのインターフェ
ースを行なう、本発明による配置の側断面図である。
ースを行なう、本発明による配置の側断面図である。
【図2A】本発明によるハイブリッド容器の蓋体の上部
に設けられたファイバ収容部の平面図である。
に設けられたファイバ収容部の平面図である。
【図2B】本発明によるハイブリッド容器の蓋体の上部
に設けられたファイバ収容部の側面図である。
に設けられたファイバ収容部の側面図である。
【図3】本発明に用いられる反射器を構成する他の実施
例の側面図である。
例の側面図である。
ファイバ 10 クレードル 20 ケーシング底部 30 樹脂 40
Claims (11)
- 【請求項1】 ファイバ外被で覆われた光ファイバ中を
伝搬する光エネルギーを、実質的に平らな蓋体を有する
ケース内に配置されたエレクトロオプティック素子へ結
合する装置であって、 a)前記蓋体は、前記素子の上にありかつ予め決められ
た帯域幅の前記光エネルギーに対する透明度で特徴づけ
られる限定領域を含み、 b)前記ファイバの末端部と関連して、予め決められた
帯域幅の前記光エネルギーを、前記ファイバ内の光エネ
ルギーの伝播方向と実質的に直角の方向に向けるための
手段と、 c)予め決められた帯域幅の前記光エネルギーが前記限
定領域を介して前記素子に向けられるように、前記ファ
イバを前記蓋体に接して配置するための手段とからなる
ことを特徴とする装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の装置において、前記位置
決め手段は、前記蓋体の上部に形成されて前記ファイバ
を収容するための凹状溝からなる装置。 - 【請求項3】 請求項2記載の装置において、前記溝は
前記蓋体と一体になっている装置。 - 【請求項4】 請求項1記載の装置において、前記限定
領域は予め決められた帯域幅で特徴づけられる窓からな
る装置。 - 【請求項5】 請求項4記載の装置において、前記窓は
平坦になっている装置。 - 【請求項6】 請求項4記載の装置において、前記窓は
光学レンズからなる装置。 - 【請求項7】 請求項1記載の装置において、前記ファ
イバの末端部と関連した手段は、予め決められた反射特
性を有する平らな面を含む装置。 - 【請求項8】 請求項7記載の装置において、さらに、 a)前記平らな面は、前記ファイバの末端部に形成さ
れ、 b)前記平らな面は、前記ファイバの光軸に対して45
度の角度に傾斜していることを特徴とする装置。 - 【請求項9】 請求項8記載の装置において、前記平ら
な面と前記限定領域の間の領域は光学樹脂でカプセル化
される装置。 - 【請求項10】 請求項7記載の装置において、前記平
らな面はさらに、 a)前記面はプリズム素子に形成され、 b)前記プリズム素子は前記ファイバの末端部に取りつ
けられることで特徴づけられる装置。 - 【請求項11】 請求項10記載の装置において、前記
プリズム素子の底部は光学樹脂により前記限定領域に固
着される装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15183794A JPH0821930A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | ハイブリッド回路用光インターフェース装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15183794A JPH0821930A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | ハイブリッド回路用光インターフェース装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0821930A true JPH0821930A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15527389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15183794A Withdrawn JPH0821930A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | ハイブリッド回路用光インターフェース装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821930A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6132107A (en) * | 1996-09-30 | 2000-10-17 | Nec Corporation | Light-receiving module and method for fabricating a same |
| US7505658B2 (en) | 2006-10-11 | 2009-03-17 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Optical fiber device |
| JP2010026505A (ja) * | 2001-11-15 | 2010-02-04 | Picometrix Inc | 集光光ファイバ |
-
1994
- 1994-07-04 JP JP15183794A patent/JPH0821930A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6132107A (en) * | 1996-09-30 | 2000-10-17 | Nec Corporation | Light-receiving module and method for fabricating a same |
| KR100306688B1 (ko) * | 1996-09-30 | 2001-12-17 | 가네꼬 히사시 | 수광모듈및그제조방법 |
| JP2010026505A (ja) * | 2001-11-15 | 2010-02-04 | Picometrix Inc | 集光光ファイバ |
| US7505658B2 (en) | 2006-10-11 | 2009-03-17 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Optical fiber device |
| US7580606B2 (en) | 2006-10-11 | 2009-08-25 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Method of forming an optical fiber |
| US7634166B2 (en) | 2006-10-11 | 2009-12-15 | Japan Aviation Electronics Ind. Ltd. | Marker groove forming device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |