JPH0820481B2 - Method and apparatus for measuring frequency-temperature characteristics of dielectric material - Google Patents
Method and apparatus for measuring frequency-temperature characteristics of dielectric materialInfo
- Publication number
- JPH0820481B2 JPH0820481B2 JP61055946A JP5594686A JPH0820481B2 JP H0820481 B2 JPH0820481 B2 JP H0820481B2 JP 61055946 A JP61055946 A JP 61055946A JP 5594686 A JP5594686 A JP 5594686A JP H0820481 B2 JPH0820481 B2 JP H0820481B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- shield case
- dielectric
- heating
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 30
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は誘電体材料の周波数温度特性を測定するた
めの方法および装置に関する。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method and apparatus for measuring frequency temperature characteristics of a dielectric material.
たとえば、実開昭56−92968号等に開示されるよう
に、誘電体試料で誘電体共振器を構成し、その共振周波
数を測定し、ついで、これを恒温槽に入れて加熱し、熱
的に平衡状態に近づいた後、再び共振周波数を測定して
その誘電体材料の周波数温度特性を測定することが知ら
れている。For example, as disclosed in Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 56-92968, a dielectric resonator is constructed with a dielectric sample, its resonance frequency is measured, and then this is placed in a constant temperature bath to heat it. It is known that the resonant frequency is measured again after approaching the equilibrium state to measure the frequency-temperature characteristic of the dielectric material.
上述のように恒温槽を用いる従来の技術では、装置が
大型になるばかりでなく、さらに別の解決すべき問題点
がある。たとえば、誘電体試料がシールドケースに収納
されている場合、恒温槽での熱はシールドケースの外側
からその内部に配置された誘電体試料に伝わるので、そ
の試料の温度が平衡状態に近づくまでに時間がかかって
しまう。As described above, the conventional technique using the constant temperature bath not only increases the size of the apparatus, but also has another problem to be solved. For example, when a dielectric sample is stored in a shield case, heat in the constant temperature bath is transferred from the outside of the shield case to the dielectric sample inside the shield case, so that the temperature of the sample approaches equilibrium. It takes time.
それゆえ、この発明の主たる目的は、より短時間で測
定することができる、誘電体材料の周波数温度特性の測
定方法を提供することである。Therefore, a main object of the present invention is to provide a method for measuring the frequency-temperature characteristic of a dielectric material, which enables measurement in a shorter time.
この発明の他の目的は、そのような測定方法を実現す
るための、誘電体材料の周波数温度特性の測定装置を提
供することである。Another object of the present invention is to provide an apparatus for measuring the frequency-temperature characteristic of a dielectric material for realizing such a measuring method.
第１発明は、（ａ）導電材料からなるシールドケース
内に誘電体試料を配置し、シールドケースと誘電体試料
とによって所定の無負荷Ｑおよび共振周波数を有する誘
電体共振器を構成し、（ｂ）無負荷Ｑと一致しまたはほ
ぼ一致する外部Ｑを有し、共振周波数と一致しまたはほ
ぼ一致する周波数の加熱用高周波電力を供給する高周波
電力供給手段を準備し、（ｃ）シールドケースに形成し
た２つの孔のそれぞれを通してそれぞれが結合手段を有
する２つのコネクタによって周波数測定手段を接続し、
（ｄ）シールドケースに形成した孔を通して高周波電力
供給手段から加熱用高周波電力をシールドケース内に注
入することによって誘電体試料を加熱し、そして（ｅ）
ステップ（ｄ）の加熱の前後における共振周波数を周波
数測定手段によって測定することによって誘電体試料の
周波数温度特性を測定する、誘電体材料の周波数温度特
性の測定方法である。According to a first aspect of the invention, (a) a dielectric sample is placed in a shield case made of a conductive material, and the shield case and the dielectric sample constitute a dielectric resonator having a predetermined unloaded Q and a resonance frequency. b) A high-frequency power supply means for supplying a high-frequency power for heating having a frequency matching or almost matching the unloaded Q with a frequency matching or substantially matching the resonance frequency is prepared, and (c) a shield case is provided. The frequency measuring means is connected by means of two connectors each having a coupling means through each of the two holes formed,
(D) Heating the dielectric sample by injecting high-frequency power for heating from the high-frequency power supply means into the shield case through the hole formed in the shield case, and (e)
It is a method for measuring the frequency-temperature characteristic of a dielectric material, wherein the frequency-temperature characteristic of the dielectric sample is measured by measuring the resonance frequency before and after the heating in step (d) by a frequency measuring means.
第２発明は、導電材料からなるシールドケース内に誘
電体試料を配置してなり、所定の無負荷Ｑおよび共振周
波数を有する誘電体共振器、無負荷Ｑと一致しまたはほ
ぼ一致する外部Ｑを有し、共振周波数と一致しまたはほ
ぼ一致する周波数の加熱用高周波電力を供給する高周波
電力供給手段、加熱用高周波電力をシールドケースに形
成された孔を通してシールドケース内に注入する注入手
段、シールドケースに形成された２つの孔のそれぞれを
通して配置され、それぞれが結合手段を有する２つのコ
ネクタ、および２つのコネクタによって接続されて共振
周波数を測定するための周波数測定手段を備える、誘電
体材料の周波数温度特性の測定装置である。According to a second aspect of the present invention, a dielectric sample is placed in a shield case made of a conductive material, and a dielectric resonator having a predetermined unloaded Q and a resonance frequency, and an external Q that matches or substantially matches the unloaded Q. A high-frequency power supply means for supplying a high-frequency power for heating having a frequency that matches or almost matches the resonance frequency, an injection means for injecting the high-frequency power for heating into the shield case through a hole formed in the shield case, the shield case A frequency temperature of the dielectric material, comprising two connectors each disposed through two holes formed in each of them, each having a coupling means, and frequency measurement means connected by the two connectors for measuring a resonance frequency. It is a characteristic measuring device.
シールドケースと誘電体試料とによって誘電体共振器
を構成するとともに、シールドケースにあけた２つの孔
にそれぞれコネクタを装着し、２つのコネクタ間にネッ
トワークアナライザのような周波数測定手段を接続す
る。そして、周波数測定手段によって誘電体共振器の共
振周波数を測定する。A dielectric resonator is constituted by the shield case and the dielectric sample, connectors are attached to the two holes formed in the shield case, and a frequency measuring means such as a network analyzer is connected between the two connectors. Then, the frequency measuring means measures the resonance frequency of the dielectric resonator.
そして、高周波電力供給手段からの加熱用高周波電力
をシールドケース内に注入する。加熱用高周波電力によ
って、誘電加熱の原理で、シールドケース内の誘電体試
料が加熱される。このとき、周波数測定手段によって誘
電体共振器の共振周波数を再び測定する。つまり、加熱
の前後における共振周波数を測定することによって、誘
電体試料の周波数温度特性を測定することができる。Then, the high frequency power for heating from the high frequency power supply means is injected into the shield case. The high frequency power for heating heats the dielectric sample in the shield case on the principle of dielectric heating. At this time, the resonance frequency of the dielectric resonator is measured again by the frequency measuring means. That is, the frequency-temperature characteristic of the dielectric sample can be measured by measuring the resonance frequency before and after heating.
この発明によれば、従来のような恒温槽を用いないの
で、測定装置を全体に小型化することができる。それと
ともに、この発明によれば、誘電体試料を誘電加熱によ
って昇温させるため、その試料の温度を短時間で上昇さ
せることができ、したがって、測定時間が大幅に短縮で
きる。しかも、外部Ｑと誘電体共振器の無負荷Ｑとを一
致しなしほぼ一致させた状態で、誘電体共振器の共振周
波数と一致ないしほぼ一致する周波数の高周波電力で誘
電体試料の加熱を行うので、高周波電界の殆どが誘電体
共振器に吸収され、したがって、効率がよく、誘電体試
料の加熱を一層速くできる。According to the present invention, since the constant temperature bath as in the prior art is not used, the measuring device can be downsized as a whole. At the same time, according to the present invention, the temperature of the dielectric sample is raised by dielectric heating, so that the temperature of the sample can be raised in a short time, and therefore the measurement time can be greatly shortened. Moreover, with the external Q and the unloaded Q of the dielectric resonator being matched and substantially matched, the dielectric sample is heated with high-frequency power whose frequency matches or substantially matches the resonance frequency of the dielectric resonator. Therefore, most of the high frequency electric field is absorbed by the dielectric resonator, and therefore the efficiency is high and the heating of the dielectric sample can be further accelerated.
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利
点は、図面を参照して行なう以下の実施例の詳細な説明
から一層明らかとなろう。The above-mentioned objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the embodiments with reference to the drawings.
第２図はこの発明に用いられ得る測定装置の一部を示
す図解的断面図である。測定装置10は、誘電体共振器12
を含む。この誘電体共振器12は、たとえばアルミニウム
あるいはその合金などの導電材料からなるシールドケー
ス14を含む。このシールドケース14は上端が開放されか
つ底部を有する有底円筒状に形成される。したがって、
このシールドケース14の内壁もまた円筒形状に形成され
る。なお、このシールドケース14は、セラミックのよう
な誘電体にシールド電極を形成したものであってよい。FIG. 2 is a schematic sectional view showing a part of a measuring device which can be used in the present invention. The measuring device 10 includes a dielectric resonator 12
including. The dielectric resonator 12 includes a shield case 14 made of a conductive material such as aluminum or its alloy. The shield case 14 is formed in a bottomed cylindrical shape having an open top and a bottom. Therefore,
The inner wall of the shield case 14 is also formed in a cylindrical shape. The shield case 14 may be formed by forming a shield electrode on a dielectric material such as ceramic.
シールドケース12内には、低誘電率の誘電体たとえば
フォルステライトなどからなる支持棒18によって、中空
筒状の誘電体試料16が固定的に支持される。A hollow cylindrical dielectric sample 16 is fixedly supported in the shield case 12 by a support rod 18 made of a low dielectric constant dielectric such as forsterite.
有底筒状のシールドケース14の上部開口には、同じよ
うに導電材料からなる蓋20が嵌め込まれる。この蓋20の
ほぼ中央には、その上面から上方に突出する筒状部22が
形成される。筒状部22の内壁にはねじ部24が形成され、
このねじ部24に螺合するように、筒状部22の中空部に
は、ねじ26が嵌め込まれる。すなわち、ねじ26の外周の
ねじ部が筒状部22のねじ部24にねじ込まれる。そして、
このねじ26と上述の支持棒18の上端との間には、コイル
ばね28が介挿される。このコイルばね28は、後述の加熱
に際して、シールドケース14や支持棒18などの線膨張係
数の差を吸収して、それに起因する変形や破壊を防止す
るためのものである。それによって、支持棒18すなわち
誘電体試料16は、シールドケース14内に安定的に支持さ
れ得る。A lid 20 made of a conductive material is similarly fitted into the upper opening of the bottomed cylindrical shield case 14. At a substantially central portion of the lid 20, a tubular portion 22 protruding upward from the upper surface thereof is formed. A screw portion 24 is formed on the inner wall of the tubular portion 22,
A screw 26 is fitted into the hollow portion of the tubular portion 22 so as to be screwed into the screw portion 24. That is, the screw portion on the outer periphery of the screw 26 is screwed into the screw portion 24 of the tubular portion 22. And
A coil spring 28 is inserted between the screw 26 and the upper end of the support rod 18 described above. The coil spring 28 absorbs a difference in linear expansion coefficient between the shield case 14 and the support rod 18 during heating, which will be described later, and prevents the coil spring 28 from being deformed or destroyed. Thereby, the support rod 18 or the dielectric sample 16 can be stably supported in the shield case 14.
なお、誘電体試料16が中空円筒状でありかつシールド
ケース14の内壁が円筒状であるために、この誘電体共振
器12はTE01δモードの共振器として構成される。Since the dielectric sample 16 has a hollow cylindrical shape and the inner wall of the shield case 14 has a cylindrical shape, the dielectric resonator 12 is configured as a TE 01 δ mode resonator.
シールドケース14の側壁には対向する位置に入力用コ
ネクタ30および出力用コネクタ32が取り付けられる。こ
れらコネクタ30および32は、上述の誘電体試料16すなわ
ち誘電体共振器12と結合するための結合手段（たとえば
結合ループ）を有する。詳しくいうと、入力コネクタ30
から高周波信号が入力されると、この結合手段によって
誘電体共振器12が励振され、誘電体共振器12の共振特性
に応じた信号が、出力結合手段を通して、出力コネクタ
32から取り出される。An input connector 30 and an output connector 32 are attached to the side wall of the shield case 14 at opposite positions. These connectors 30 and 32 have a coupling means (for example, a coupling loop) for coupling with the above-mentioned dielectric sample 16 or the dielectric resonator 12. Specifically, the input connector 30
When a high frequency signal is input from the dielectric resonator 12, the coupling means excites the dielectric resonator 12, and a signal corresponding to the resonance characteristic of the dielectric resonator 12 is output through the output coupling means to the output connector.
Taken from 32.
第１図を参照して、上述のコネクタ30および32の間に
は、ネットワークアナライザ34が接合される。このネッ
トワークアナライザ34は、この実施例では、掃引発振
器，周波数変換器および周波数カウンタなどを含み、し
たがって、周波数測定手段として構成される。Referring to FIG. 1, a network analyzer 34 is joined between the above-mentioned connectors 30 and 32. This network analyzer 34, in this embodiment, comprises a swept oscillator, a frequency converter, a frequency counter, etc., and is therefore configured as frequency measuring means.
さらに、特徴的には、第１図のシステムでは、シール
ドケース14の側壁にはもう１つコネクタ36が取り付けら
れ、このコネクタ36にもアンテナ結合のための開放端
（結合ループ）が形成されている。そして、コネクタ36
の他端には、加熱用高周波注入装置38が接続される。加
熱用高周波注入装置38は、たとえばマグネトロンのよう
な高周波発生手段を含み、たとえば100〜200W程度の高
電力高周波をこの誘電体共振器12内に注入する。Further, characteristically, in the system of FIG. 1, another connector 36 is attached to the side wall of the shield case 14, and this connector 36 also has an open end (coupling loop) for antenna coupling. There is. And the connector 36
A heating high-frequency injection device 38 is connected to the other end of the. The heating high-frequency injection device 38 includes a high-frequency generator such as a magnetron, and injects a high-power high-frequency wave of about 100 to 200 W into the dielectric resonator 12.
誘電体試料16を含む誘電体共振器12の無負荷Ｑ（Q0）
は、次式で与えられる。Unloaded Q (Q 0 ) of the dielectric resonator 12 including the dielectric sample 16
Is given by the following equation.
1/Q0＝（1/Qd1）＋（1/Qd2）＋（1/Qc） ここで、Qd1は誘電体試料16の誘電体損失（tanδ１）
に関するＱ、Qd2は支持棒18の誘電体損失（tanδ２）に
関するＱ、Qcはシールドケース14のジュール損に関する
Ｑを表す。1 / Q 0 = (1 / Q d1 ) + (1 / Q d2 ) + (1 / Q c ) where Q d1 is the dielectric loss (tan δ 1 ) of the dielectric sample 16.
Q, Q d2 regarding the dielectric loss (tan δ 2 ) of the support rod 18 and Q c regarding the Joule loss of the shield case 14.
また、 1/Qd1＝tanδ1/a 1/Qd2＝tanδ2/bである。Further, 1 / Q d1 = tan δ 1 / a 1 / Q d2 = tan δ 2 / b.
ここで、ａは蓄積される全電気エネルギのうち誘電体
試料16内部に蓄積されているエネルギの割合、ｂは蓄積
全電気エネルギのうち支持棒18内部に蓄積されているエ
ネルギの割合を表す。Here, a represents the ratio of the energy stored in the dielectric sample 16 to the total stored electrical energy, and b represents the ratio of the energy stored in the support rod 18 to the stored total electrical energy.
このような誘電体共振器12に、コネクタ36を通して、
加熱用高周波注入装置38から高電力の高周波電界を印加
する。このときの外部Ｑ（Qe）を誘電体共振器12の無負
荷Ｑ（Q0）に近似ないし一致させると、注入される高周
波電界の殆ど大部分が誘電体共振器12に吸収される。こ
のとき、加熱用高周波注入装置38からの高電力の高周波
の周波数は誘電体共振器12の共振周波数に一致させる必
要がある。なぜなら、両周波数が一致しているときが最
も反射が小さいからである。そうすると、加熱用高周波
注入装置38から供給される高周波電力のうち、Q0/Qd1の
割合のものが誘電体試料16での発熱に消費される。この
発熱によって、誘電体試料16の温度が上昇する。このよ
うにして、誘電体試料16が加熱され得る。Through such a dielectric resonator 12, through the connector 36,
A high-frequency high-frequency electric field is applied from the high-frequency injection device for heating 38. When the external Q (Qe) at this time is approximated to or matched with the unloaded Q (Q 0 ) of the dielectric resonator 12, most of the injected high frequency electric field is absorbed by the dielectric resonator 12. At this time, the frequency of high-power high-frequency waves from the heating high-frequency injection device 38 needs to match the resonance frequency of the dielectric resonator 12. This is because the reflection is smallest when the two frequencies match. Then, among the high-frequency power supplied from the heating high-frequency injection device 38, the one having a ratio of Q 0 / Q d1 is consumed for heat generation in the dielectric sample 16. Due to this heat generation, the temperature of the dielectric sample 16 rises. In this way, the dielectric sample 16 can be heated.
この実施例において、まず、誘電体試料16を加熱する
前に、コネクタ30および32ならびにネットワークアナラ
イザ34によって、誘電体共振器12の共振周波数を測定す
る。In this embodiment, first, before heating the dielectric sample 16, the resonance frequency of the dielectric resonator 12 is measured by the connectors 30 and 32 and the network analyzer 34.
次に、上述のようにして、加熱用高周波注入装置38か
らの高電力の高周波電界によって、誘電体試料16を加熱
するとともに、その表面温度を測定する。そして、再び
ネットワークアナライザ34によって、誘電体共振器12の
共振周波数を測定することによって、誘電体試料16の周
波数温度特性を測定することができる。Then, as described above, the dielectric sample 16 is heated by the high-power high-frequency electric field from the heating high-frequency injection device 38, and the surface temperature thereof is measured. Then, the frequency-temperature characteristic of the dielectric sample 16 can be measured by measuring the resonance frequency of the dielectric resonator 12 again with the network analyzer 34.
発明者等の実験によれば、或るモデルでは、加熱用高
周波注入装置38からの高周波電力をたとえば200Wにした
とき、約５分で周波数が平衡状態に近づき、あるいは達
した。このとき、シールドケース14の温度は殆ど上昇し
ていなかった。なお、解析を容易にするためには、シー
ルドケース14の熱膨張の周波数への影響を小さくするよ
うに、そのケース14の寸法を選択する必要がある。たと
えば、誘電体試料16の寸法に比べてシールドケース14の
寸法を十分大きくする。According to experiments by the inventors, in one model, when the high-frequency power from the heating high-frequency injection device 38 was set to 200 W, for example, the frequency approached or reached the equilibrium state in about 5 minutes. At this time, the temperature of the shield case 14 hardly increased. In order to facilitate the analysis, it is necessary to select the dimensions of the case 14 so as to reduce the influence of the thermal expansion of the shield case 14 on the frequency. For example, the size of the shield case 14 is made sufficiently larger than the size of the dielectric sample 16.
なお、コイルばね28は上述のようなシールドケース14
の熱膨張の周波数への影響を小さくするのに有効であ
る。The coil spring 28 is used in the shield case 14 as described above.
It is effective in reducing the effect of thermal expansion on the frequency.
また、加熱用高周波注入装置38からの高周波の周波数
は、測定する周波数と同じにしてもよいが、このときに
は、加熱用高周波注入装置38の動作を止めて周波数測定
を行う必要がある。The frequency of the high frequency from the heating high-frequency injection device 38 may be the same as the frequency to be measured, but at this time, it is necessary to stop the operation of the heating high-frequency injection device 38 and perform the frequency measurement.
さらに、上述の実施例では誘電体試料を用いてTE01δ
モードの誘電体共振器を構成した。しかしながら、この
発明は任意のTE01nモードとした場合にも、適用できる
ことは勿論である。Furthermore, in the above-mentioned embodiment, TE 01δ
A mode dielectric resonator was constructed. However, it goes without saying that the present invention can be applied to any TE 01n mode.
第１図はこの発明の一実施例を示す概略ブロック図であ
る。 第２図は第１図装置に用いられる誘電体共振器の一例を
示す断面図解図である。 図において、10は測定装置、12は誘電体共振器、14はシ
ールドケース、16は誘電体試料、34はネットワークアナ
ライザ、38は加熱用高周波注入装置を示す。FIG. 1 is a schematic block diagram showing one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic sectional view showing an example of a dielectric resonator used in the apparatus shown in FIG. In the figure, 10 is a measuring device, 12 is a dielectric resonator, 14 is a shield case, 16 is a dielectric sample, 34 is a network analyzer, and 38 is a high-frequency injection device for heating.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 博次 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 昭59−187271（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−92968（ＪＰ，Ｕ) 小口文一著「マイクロ波およびミリ波回 路」（昭39−２−25）丸善Ｐ．243−245 Ａ．Ｂ，ブロンウェル，外１名著，岡村 総吾訳「極超短波工学」（昭27−８−５) 無線従事者教育協会Ｐ．424−433 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hiroshi Abe 2 26-10 Tenjin Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto Inside Murata Manufacturing Co., Ltd. (56) References JP 59-187271 (JP, A) 56-92968 (JP, U) Fumikazu Oguchi, "Microwave and Millimeter Wave Circuits" (Sho 39-2-25) Maruzen P. 243-245 A. B. Bronwell, 1 author, translated by Sogo Okamura, "Ultra High Frequency Engineering" (Sho 27-8-5) P. 424-433
Claims (2)
に誘電体試料を配置し、前記シールドケースと前記誘電
体試料とによって所定の無負荷Ｑおよび共振周波数を有
する誘電体共振器を構成し、 （ｂ）前記無負荷Ｑと一致しまたはほぼ一致する外部Ｑ
を有し、前記共振周波数と一致しまたはほぼ一致する周
波数の加熱用高周波電力を供給する高周波電力供給手段
を準備し、 （ｃ）前記シールドケースに形成した２つの孔のそれぞ
れを通してそれぞれが結合手段を有する２つのコネクタ
によって周波数測定手段を接続し、 （ｄ）前記シールドケースに形成した孔を通して前記高
周波電力供給手段から前記加熱用高周波電力を前記シー
ルドケース内に注入することによって前記誘電体試料を
加熱し、そして （ｅ）前記ステップ（ｄ）の加熱の前後における共振周
波数を前記周波数測定手段によって測定することによっ
て前記誘電体試料の周波数温度特性を測定する、誘電体
材料の周波数温度特性の測定方法。(A) A dielectric sample is placed in a shield case made of a conductive material, and the shield case and the dielectric sample constitute a dielectric resonator having a predetermined no-load Q and a resonance frequency. (B) An external Q that matches or almost matches the unloaded Q
A high-frequency power supply means for supplying a high-frequency power for heating having a frequency matching or substantially matching the resonance frequency, and (c) coupling means respectively through the two holes formed in the shield case. The frequency measurement means is connected by two connectors having (d), and (d) the high frequency power for heating is injected into the shield case from the high frequency power supply means through the hole formed in the shield case, thereby the dielectric sample is Measuring the frequency-temperature characteristic of the dielectric material by heating, and (e) measuring the frequency-temperature characteristic of the dielectric sample by measuring the resonance frequency before and after the heating in step (d) by the frequency measuring means. Method.
体試料を配置してなり、所定の無負荷Ｑおよび共振周波
数を有する誘電体共振器、 前記無負荷Ｑと一致しまたはほぼ一致する外部Ｑを有
し、前記共振周波数と一致しまたはほぼ一致する周波数
の加熱用高周波電力を供給する高周波電力供給手段、 前記加熱用高周波電力を前記シールドケースに形成され
た孔を通して前記シールドケース内に注入する注入手
段、 前記シールドケースに形成された２つの孔のそれぞれを
通して配置され、それぞれが結合手段を有する２つのコ
ネクタ、および 前記２つのコネクタによって接続されて共振周波数を測
定するための周波数測定手段を備える、誘電体材料の周
波数温度特性の測定装置。2. A dielectric resonator in which a dielectric sample is placed in a shield case made of a conductive material and has a predetermined unloaded Q and a resonance frequency, and an external Q which matches or substantially matches the unloaded Q. And a high-frequency power supply means for supplying a high-frequency power for heating having a frequency matching or substantially matching the resonance frequency, and injecting the high-frequency power for heating into the shield case through a hole formed in the shield case. Injection means, two connectors arranged through each of the two holes formed in the shield case, each connector having a coupling means, and frequency measuring means connected by the two connectors for measuring a resonance frequency , Measuring device of frequency-temperature characteristic of dielectric material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61055946A JPH0820481B2 (en) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | Method and apparatus for measuring frequency-temperature characteristics of dielectric material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61055946A JPH0820481B2 (en) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | Method and apparatus for measuring frequency-temperature characteristics of dielectric material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62211566A JPS62211566A (en) | 1987-09-17 |
| JPH0820481B2 true JPH0820481B2 (en) | 1996-03-04 |
Family
ID=13013241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61055946A Expired - Fee Related JPH0820481B2 (en) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | Method and apparatus for measuring frequency-temperature characteristics of dielectric material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0820481B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7952365B2 (en) | 2005-03-23 | 2011-05-31 | Nec Corporation | Resonator, printed board, and method for measuring complex dielectric constant |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0820479B2 (en) * | 1989-07-12 | 1996-03-04 | 株式会社村田製作所 | Dielectric material constant measuring device and dielectric material constant measuring method |
| US5119034A (en) * | 1989-07-12 | 1992-06-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of measuring dielectric material constants and measuring device employed therefor |
| US5211477A (en) * | 1992-05-29 | 1993-05-18 | Ford Motor Company | Method and apparatus for simultaneous differential scanning calorimetry and microdielectrometry |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5692968U (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-24 | ||
| JPS59187271A (en) * | 1983-04-08 | 1984-10-24 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for measuring specific resistance |
-
1986
- 1986-03-12 JP JP61055946A patent/JPH0820481B2/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Ａ．Ｂ，ブロンウェル，外１名著，岡村総吾訳「極超短波工学」（昭２７−８−５）無線従事者教育協会Ｐ．４２４−４３３ |
| 小口文一著「マイクロ波およびミリ波回路」（昭３９−２−２５）丸善Ｐ．２４３−２４５ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7952365B2 (en) | 2005-03-23 | 2011-05-31 | Nec Corporation | Resonator, printed board, and method for measuring complex dielectric constant |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62211566A (en) | 1987-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1296393C (en) | Method for treating a material using radiofrequency waves | |
| US5119034A (en) | Method of measuring dielectric material constants and measuring device employed therefor | |
| JPH0820481B2 (en) | Method and apparatus for measuring frequency-temperature characteristics of dielectric material | |
| US4371849A (en) | Evanescent-mode microwave oscillator | |
| Spang et al. | Relativistic magnetron development for use in a lightweight, repetitively pulsed, portable HPM transmitter | |
| JPH09159706A (en) | Microwave resonator | |
| JP2000500630A (en) | Microwave resonator, method of making such a resonator, and method of compensating temperature coefficient of resonance frequency of microwave resonator | |
| Madrangeas et al. | Analysis and realization of L-band dielectric resonator microwave filters | |
| US4309672A (en) | Negative resistance oscillator/amplifier accumulator circuit | |
| CN116613501A (en) | Electrically tuned frequency resonator and simulation method based on electrically tuned frequency resonator | |
| Avgustinovich et al. | Forming nanosecond microwave pulses by transformation of resonant cavity mode | |
| Braz et al. | Frequency step- tuned operation of a 1 MW, D- band gyrotron using a Brewster output window | |
| SU1587606A1 (en) | Unit retaining ferrite core in waveguide phase shifter | |
| JPS6126844B2 (en) | ||
| JP2504204B2 (en) | Method and apparatus for measuring dielectric material constant | |
| JPH0820479B2 (en) | Dielectric material constant measuring device and dielectric material constant measuring method | |
| Moraud et al. | A new dielectric loaded cavity for high power microwave filtering | |
| JPH0789132B2 (en) | Dielectric material constant measuring device | |
| SU619065A1 (en) | Spiral resonator | |
| Nigon et al. | Full wave electromagnetic analysis of planar whispering gallery mode DRO | |
| Hartnett et al. | High Q-factor Bragg-reflection sapphire-loaded cavity TE/sub 01/spl delta//mode resonators | |
| Myler et al. | A Fabry-Perot resonator for conduction electron spin resonance studies at 34 GHz | |
| Ng et al. | Coupling network simulation for the PEP-II RF cavity | |
| Tomiyasu et al. | Diode oscillation in high-voltage klystrons | |
| JPS6324647Y2 (en) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |