JPH08188876A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH08188876A JPH08188876A JP119695A JP119695A JPH08188876A JP H08188876 A JPH08188876 A JP H08188876A JP 119695 A JP119695 A JP 119695A JP 119695 A JP119695 A JP 119695A JP H08188876 A JPH08188876 A JP H08188876A
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- wafer
- gas
- film
- semiconductor
- gas supply
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハ内の膜厚分布が均一になるように成
膜する。 【構成】 １）処理室内に，サセプタ上に載置されるウ
ェーハに対向して設けられ且つ板に多数の孔が開けられ
たガス供給器と，該ガス供給器を保持する部材と，該部
材と該ガス供給器との間にこの両者より熱伝導率の低い
材料からなるアイソレーションリングとを有する半導体
製造装置，２）前記１記載の半導体製造装置を用い，前
記サセプタを加熱し，前記ガス供給器より原料ガスを導
入して成膜する半導体装置の製造方法。
膜する。 【構成】 １）処理室内に，サセプタ上に載置されるウ
ェーハに対向して設けられ且つ板に多数の孔が開けられ
たガス供給器と，該ガス供給器を保持する部材と，該部
材と該ガス供給器との間にこの両者より熱伝導率の低い
材料からなるアイソレーションリングとを有する半導体
製造装置，２）前記１記載の半導体製造装置を用い，前
記サセプタを加熱し，前記ガス供給器より原料ガスを導
入して成膜する半導体装置の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置及び半導
体装置の製造方法に係り, 特に枚葉式気相成長(CVD) 装
置及び方法に関する。
体装置の製造方法に係り, 特に枚葉式気相成長(CVD) 装
置及び方法に関する。
【０００２】近年, ウェーハの大口径化により, ますま
す成膜後の膜厚等の均一性が要求されるようになった。
す成膜後の膜厚等の均一性が要求されるようになった。
【０００３】
【従来の技術】従来の枚葉式気相成長装置の一例を図３
に示す。図３は従来例の説明図である。
に示す。図３は従来例の説明図である。
【０００４】図において， 1は処理室, 2は成膜用のガ
ス導入口, 3は排気口, 4はウェーハを出し入れするゲ
ートバルブ, 5はウェーハに対向して設けられ板に多数
の孔が開けられたガス供給器, 5Aはガス導入部材, 6は
処理室内に成膜物質の被着を防止する内部防着板, 7は
ウェーハを載置するサセプタでグラファイトヒータ,8は
絶縁物, 9はヒータの電源, 10はウェーハである。
ス導入口, 3は排気口, 4はウェーハを出し入れするゲ
ートバルブ, 5はウェーハに対向して設けられ板に多数
の孔が開けられたガス供給器, 5Aはガス導入部材, 6は
処理室内に成膜物質の被着を防止する内部防着板, 7は
ウェーハを載置するサセプタでグラファイトヒータ,8は
絶縁物, 9はヒータの電源, 10はウェーハである。
【０００５】図示されるように, ガスの供給器 5が他の
部材と同じ材料で構成され, これらと熱的に絶縁されて
いないのが一般的である。
部材と同じ材料で構成され, これらと熱的に絶縁されて
いないのが一般的である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来例の装置では, ウ
ェーハ側の輻射熱によって加熱されたガス供給器は, 熱
伝導によりその周辺の部材へ熱を逃がして中心温度が高
くなり, その影響によりウェーハも中心温度が高くな
り，ウェーハ内の膜厚分布が悪化するという問題が生じ
ていた。
ェーハ側の輻射熱によって加熱されたガス供給器は, 熱
伝導によりその周辺の部材へ熱を逃がして中心温度が高
くなり, その影響によりウェーハも中心温度が高くな
り，ウェーハ内の膜厚分布が悪化するという問題が生じ
ていた。
【０００７】本発明は, ウェーハ内の膜厚分布が均一に
なるように成膜することを目的とする。
なるように成膜することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）処理室内に，サセプタ上に載置されるウェーハに対
向して設けられ且つ板に多数の孔が開けられたガス供給
器と，該ガス供給器を保持する部材と，該部材と該ガス
供給器との間にこの両者より熱伝導率の低い材料からな
るアイソレーションリングとを有する半導体製造装置，
あるいは ２）前記１記載の半導体製造装置を用い，前記サセプタ
を加熱し，前記ガス供給器より原料ガスを導入して成膜
する半導体装置の製造方法により達成される。
向して設けられ且つ板に多数の孔が開けられたガス供給
器と，該ガス供給器を保持する部材と，該部材と該ガス
供給器との間にこの両者より熱伝導率の低い材料からな
るアイソレーションリングとを有する半導体製造装置，
あるいは ２）前記１記載の半導体製造装置を用い，前記サセプタ
を加熱し，前記ガス供給器より原料ガスを導入して成膜
する半導体装置の製造方法により達成される。
【０００９】
【作用】本発明では，ガス供給器の周囲を熱的に絶縁す
るためにアイソレーションリングで保持しているため，
ウェーハからの輻射熱により加熱されたガス供給器はそ
の周囲から熱が逃げることなく温度分布が均一化される
ため，ウェーハに対してもウェーハ内の温度分布が均一
化される。その結果，膜厚分布を均一に成膜することが
できる。
るためにアイソレーションリングで保持しているため，
ウェーハからの輻射熱により加熱されたガス供給器はそ
の周囲から熱が逃げることなく温度分布が均一化される
ため，ウェーハに対してもウェーハ内の温度分布が均一
化される。その結果，膜厚分布を均一に成膜することが
できる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の実施例の説明図である。図に
おいて， 1は処理室, 2は成膜用のガス導入口, 3は排
気口, 4はウェーハを出し入れするゲートバルブ, 5は
ウェーハに対向して設けられ板に多数の孔が開けられた
ガス供給器, 5Aはガス導入部材, 6は処理室内に成膜物
質の被着を防止する内部防着板, 7はウェーハを載置す
るサセプタでグラファイトヒータ,8は絶縁物, 9はヒー
タの電源, 10はウェーハ，11はガス供給器とガス導入部
材を熱的に絶縁するアイソレーションリングである。
おいて， 1は処理室, 2は成膜用のガス導入口, 3は排
気口, 4はウェーハを出し入れするゲートバルブ, 5は
ウェーハに対向して設けられ板に多数の孔が開けられた
ガス供給器, 5Aはガス導入部材, 6は処理室内に成膜物
質の被着を防止する内部防着板, 7はウェーハを載置す
るサセプタでグラファイトヒータ,8は絶縁物, 9はヒー
タの電源, 10はウェーハ，11はガス供給器とガス導入部
材を熱的に絶縁するアイソレーションリングである。
【００１１】ここで, ガス供給器 5, ガス導入部材5A,
内部防着板 6は炭化珪素(SiC) コートのグラファイト
で, アイソレーションリング11は石英で作製する。ま
た，各部材の熱伝導率は, ガス供給器 5, ガス導入部材
5A, 内部防着板 6では＞10 W m-1 K-1, アイソレーショ
ンリングで＜ 5 W m-1 K-1であれば, 上記の材料でなく
他の耐熱, 耐蝕材料を用いてもよい。
内部防着板 6は炭化珪素(SiC) コートのグラファイト
で, アイソレーションリング11は石英で作製する。ま
た，各部材の熱伝導率は, ガス供給器 5, ガス導入部材
5A, 内部防着板 6では＞10 W m-1 K-1, アイソレーショ
ンリングで＜ 5 W m-1 K-1であれば, 上記の材料でなく
他の耐熱, 耐蝕材料を用いてもよい。
【００１２】次に，実施例の装置を用いた成膜の実施例
を説明する。ガス供給器 5及び内部防着板 6は厚さ 100
μｍの炭化珪素(SiC) コートの 4mm厚のグラファイト,
アイソレーションリング11は外径 230mmφ, 内径 200mm
φで3 mm 厚の石英で作製し，ヒータの電源 9によりグ
ラファイトヒータ 7に 5V の電圧を印加して 700A の電
流を流してその表面温度を 500℃に保って, その上に15
0 mmφウェーハ10を載置し, ガス導入口 2より, Si2H6
を100 SCCM, N2 を 2SLCMを導入し，処理室 1内の圧力
を 250 Pa に保って, シリコン(Si)薄膜の成膜を10分間
おこなった。
を説明する。ガス供給器 5及び内部防着板 6は厚さ 100
μｍの炭化珪素(SiC) コートの 4mm厚のグラファイト,
アイソレーションリング11は外径 230mmφ, 内径 200mm
φで3 mm 厚の石英で作製し，ヒータの電源 9によりグ
ラファイトヒータ 7に 5V の電圧を印加して 700A の電
流を流してその表面温度を 500℃に保って, その上に15
0 mmφウェーハ10を載置し, ガス導入口 2より, Si2H6
を100 SCCM, N2 を 2SLCMを導入し，処理室 1内の圧力
を 250 Pa に保って, シリコン(Si)薄膜の成膜を10分間
おこなった。
【００１３】図２は本発明の効果の説明図である。図
は，上記実施例で成膜したときの６インチウェーハ内の
膜厚分布を示し，(1) は実施例，(2) は従来例の装置を
用いて，同一条件で成膜した結果を示す。
は，上記実施例で成膜したときの６インチウェーハ内の
膜厚分布を示し，(1) は実施例，(2) は従来例の装置を
用いて，同一条件で成膜した結果を示す。
【００１４】従来のアイソレーションリングを用いない
で同じ条件で成膜したシリコン薄膜の膜厚分布(2) が±
4％であったが, 実施例で成膜したシリコン薄膜の膜厚
分布(1) は± 1％以下に改善された。
で同じ条件で成膜したシリコン薄膜の膜厚分布(2) が±
4％であったが, 実施例で成膜したシリコン薄膜の膜厚
分布(1) は± 1％以下に改善された。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば，ウェーハ内の膜厚分布
が均一化し，半導体装置の性能向上と製造歩留の向上に
寄与することができる。
が均一化し，半導体装置の性能向上と製造歩留の向上に
寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例の説明図
【図２】 本発明の効果の説明図
【図３】 従来例の説明図
1 処理室 (成長室) 2 成膜用のガス導入口 3 排気口 4 ウェーハを出し入れするゲートバルブ 5 ガス供給器 5A ガス導入部材 6 処理室内に成膜物質の被着を防止する内部防着板 7 ウェーハを載置するサセプタでグラファイトヒータ 8 絶縁物 9 ヒータの電源 10 ウェーハ 11 ガス供給器とガス導入部材を熱的に絶縁するアイソ
レーションリング
レーションリング
Claims (2)
- 【請求項１】 処理室内に，サセプタ上に載置されるウ
ェーハに対向して設けられ且つ板に多数の孔が開けられ
たガス供給器と，該ガス供給器を保持する部材と，該部
材と該ガス供給器との間にこの両者より熱伝導率の低い
材料からなるアイソレーションリングとを有することを
特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造装置を用い，
前記サセプタを加熱し，前記ガス供給器より原料ガスを
導入して成膜することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP119695A JPH08188876A (ja) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP119695A JPH08188876A (ja) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08188876A true JPH08188876A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=11494710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP119695A Withdrawn JPH08188876A (ja) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08188876A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001522138A (ja) * | 1997-11-03 | 2001-11-13 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 長寿命高温プロセスチャンバ |
| JP2002343779A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP2005525693A (ja) * | 2002-01-15 | 2005-08-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | シングル・ウエハ・チャンバにおける放射率自由可変ポンプ・プレート・キット |
-
1995
- 1995-01-09 JP JP119695A patent/JPH08188876A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001522138A (ja) * | 1997-11-03 | 2001-11-13 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 長寿命高温プロセスチャンバ |
| JP2002343779A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP2005525693A (ja) * | 2002-01-15 | 2005-08-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | シングル・ウエハ・チャンバにおける放射率自由可変ポンプ・プレート・キット |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020402 |