JPH08160066A - Acceleration sensor - Google Patents
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- JPH08160066A JPH08160066A JP30462194A JP30462194A JPH08160066A JP H08160066 A JPH08160066 A JP H08160066A JP 30462194 A JP30462194 A JP 30462194A JP 30462194 A JP30462194 A JP 30462194A JP H08160066 A JPH08160066 A JP H08160066A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、自動車のアンチスキッ
ド制御、トラクション制御、エアバッグ、サスペンショ
ンコントロール、カメラの手振れ防止、ロボット制御等
において、加速状態、揺れの状態を検出し、その検出信
号を効果的に処理して、各種制御等に使用できるように
した加速度センサに関するものであり、特に、干渉出力
特性を向上できる半導体加速度センサに関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention detects an acceleration state and a shaking state in anti-skid control of an automobile, traction control, airbag, suspension control, camera shake prevention, robot control, etc. The present invention relates to an acceleration sensor that can be effectively processed and used for various controls, and more particularly to a semiconductor acceleration sensor that can improve interference output characteristics.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より半導体加速度センサは、シリコ
ンウエハの異方性エッチングを利用した片持梁構造のも
のが中心に開発されている。以下、従来例の一つとして
特開平５−１６４７７５号公報に示された抵抗素子を用
いた加速度センサの構造を説明すると、図７（ａ）は片
持梁構造の加速度センサの構成を示す斜視図である。こ
の図において５１はシリコンウエハから方形状に形成さ
れた半導体基板（以下、Ｓｉ基板という）であり、この
Ｓｉ基板５１の周縁部に沿って空隙部５２が形成されて
いる。５１ａは空隙部５２によってＳｉ基板５１が薄く
形成された片持梁部であり、この片持梁部５１ａの先端
には方形状に形成された錘部５１ｂが形成されている。
５３は信号処理回路部、５４は拡散抵抗であり、それぞ
れは片持梁部５１ａの上面に形成されている。前記拡散
抵抗５４は、例えばボロン（ほう素）などのIII 種元素
を熱拡散またはイオン注入等の方法によって形成したも
のである。ここで、片持梁部５１ａは、Ｓｉ基板５１に
よって薄く形成され、錘部５１ｂはＳｉ基板５１によっ
て肉厚に形成されている。このように構成された加速度
センサにおいて、図７（ｂ）に示す如く矢印Ａ方向から
加速度が作用すると、図７（ｃ）に示す如く加速度の作
用した方向へ、同加速度の大きさに応じて錘部５１ｂが
変位するとともに、片持梁部５１ａが撓み、同梁部５１
ａに応力が発生する。この結果、抵抗５４の各抵抗値が
片持梁部５１ａの撓みに応じた値となる。2. Description of the Related Art Conventionally, semiconductor acceleration sensors having a cantilever structure utilizing anisotropic etching of a silicon wafer have been mainly developed. A structure of an acceleration sensor using a resistance element disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-164775 will be described below as one of conventional examples. FIG. 7A is a perspective view showing a structure of an acceleration sensor having a cantilever structure. It is a figure. In this figure, reference numeral 51 denotes a semiconductor substrate (hereinafter referred to as Si substrate) formed in a square shape from a silicon wafer, and a void portion 52 is formed along the peripheral edge portion of the Si substrate 51. 51a is a cantilever portion in which the Si substrate 51 is thinly formed by the void portion 52, and a square-shaped weight portion 51b is formed at the tip of the cantilever portion 51a.
Reference numeral 53 is a signal processing circuit portion and 54 is a diffusion resistance, which are formed on the upper surface of the cantilever portion 51a. The diffusion resistance 54 is formed by a method such as thermal diffusion or ion implantation of a type III element such as boron. Here, the cantilever portion 51a is formed thin by the Si substrate 51, and the weight portion 51b is formed thick by the Si substrate 51. In the acceleration sensor configured as described above, when acceleration acts in the direction of arrow A as shown in FIG. 7B, the acceleration sensor acts in the direction in which the acceleration acts as shown in FIG. As the weight portion 51b is displaced, the cantilever beam portion 51a bends,
Stress is generated in a. As a result, each resistance value of the resistor 54 becomes a value according to the bending of the cantilever portion 51a.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記加
速度センサにおいては、図７（ｂ）に示す如く、錘の重
心位置が片持梁部の支持点と同軸上に無いため、例え
ば、図７（ｄ）に示す如く矢印Ｂ方向から加速度が作用
した場合にも、出力が生じることになり、所謂、加速度
センサの干渉出力特性が悪いという問題があった。この
ため、この形式の加速度センサでは、独立して１方向だ
けの加速度を精度良く検出するのが困難であるという問
題がある。そこで、本発明は、片持梁式加速度センサに
おいて、加速度センサの錘の重心位置と、片持梁による
支持点とを同軸上に配置できる片持梁式加速度センサを
提案し、上記問題点を解決することを目的とする。However, in the acceleration sensor described above, the position of the center of gravity of the weight is not coaxial with the support point of the cantilever portion as shown in FIG. When acceleration acts from the direction of arrow B as shown in d), an output is generated, and there is a problem that the so-called interference output characteristic of the acceleration sensor is poor. For this reason, this type of acceleration sensor has a problem that it is difficult to accurately detect acceleration in only one direction independently. Therefore, the present invention proposes a cantilever type acceleration sensor in which the position of the center of gravity of the weight of the acceleration sensor and the supporting point by the cantilever can be arranged coaxially in the cantilever type acceleration sensor, and the above problems are solved. The purpose is to resolve.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】このため本発明は、シリ
コン基板を加工して、固定部と、加速度によって移動す
る錘と、前記固定部と錘とを接続する梁部と、前記梁部
に配置した抵抗素子とよりなる片持梁式加速度センサで
あって、前記梁部は、シリコン基板の厚みと直交する方
向では錘よりも細く、かつ、シリコン基板の厚み方向で
は、錘の厚さと同じ厚さとなるように形成されているこ
とを特徴とする加速度センサであり、これによって前述
の課題を解決するものである。Therefore, according to the present invention, a silicon substrate is processed so that a fixed portion, a weight that moves by acceleration, a beam portion that connects the fixed portion and the weight, and a beam portion. A cantilever beam type acceleration sensor including a arranged resistance element, wherein the beam portion is thinner than a weight in a direction orthogonal to the thickness of the silicon substrate, and is the same as the weight in the thickness direction of the silicon substrate. An acceleration sensor characterized by being formed so as to have a thickness, thereby solving the above-mentioned problems.
【０００５】[0005]
【作用】加速度によって錘がＸ方向に変位したとする
と、Ｒ１、Ｒ２には圧縮応力が生じ、またＲ３、Ｒ４に
は引っ張り応力が生じる。この時の抵抗値はＲ１、Ｒ２
では抵抗が減り（−）、Ｒ３、Ｒ４では抵抗が増大し
（＋）、こうした各抵抗値の変化からＸ方向の加速度を
検出することができる。本加速度センサでは、１方向の
みの加速度を加速度センサの片持梁部に配置したピエゾ
抵抗素子の抵抗の変化として独立して精度よく検出でき
るため、干渉出力特性を向上させることができる。When the weight is displaced in the X direction by acceleration, compressive stress is generated in R1 and R2, and tensile stress is generated in R3 and R4. The resistance value at this time is R1, R2
The resistance decreases in (-), and the resistance increases in R3 and R4 (+), and the acceleration in the X direction can be detected from the change in each resistance value. In this acceleration sensor, the acceleration in only one direction can be independently and accurately detected as the change in resistance of the piezoresistive element arranged in the cantilever portion of the acceleration sensor, so that the interference output characteristic can be improved.
【０００６】[0006]
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。図１は本発明の第１実施例に係る１次元加速度セ
ンサの正面図およびその断面図である。図１（ａ）にお
いて１はシリコンウエハから方形状に形成された半導体
基板（以下、Ｓｉ基板という）であり、このＳｉ基板１
の周縁部に沿って空隙部２が形成されており、空隙部２
によって切り取られた中心部には錘１ｂが形成されてい
る。錘１ｂとＳｉ基板とは片持梁１ａによって連結され
ている。この片持梁１ａは図１（ａ）に示すＳｉ基板の
厚みと直交する方向では錘よりも細く、かつ、図１
（ｂ）に示す方向、即ち、Ｓｉ基板の厚み方向では、錘
の厚さと同じ厚さとなるようにＳｉ基板をエッチングし
て形成されている。このように片持梁を構成したのは以
下の理由からである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a front view and a sectional view of a one-dimensional acceleration sensor according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1A, reference numeral 1 is a semiconductor substrate (hereinafter referred to as Si substrate) formed in a rectangular shape from a silicon wafer.
The void 2 is formed along the peripheral edge of the void 2.
A weight 1b is formed in the central portion cut out by. The weight 1b and the Si substrate are connected by a cantilever beam 1a. The cantilever 1a is thinner than the weight in the direction orthogonal to the thickness of the Si substrate shown in FIG.
In the direction shown in (b), that is, in the thickness direction of the Si substrate, the Si substrate is etched so as to have the same thickness as the weight. The cantilever is constructed in this way for the following reasons.
【０００７】つまり、従来例の片持梁では前述したよう
に錘をＳｉ基板面に対して垂直方向に変動させて加速度
を検出する必要から、この片持梁を図７に示す如くＳｉ
基板の厚み方向において薄く形成していた。しかし、こ
のように片持梁をＳｉ基板の厚さ方向に薄くなるように
形成すると、発明が解決すべき課題の項で述べたよう
に、錘の重心位置が片持梁部の支持点と同軸上に無いた
め、干渉出力特性が悪くなるという問題があった。この
ようなことから、本実施例では従来のような干渉出力特
性の悪さを改善するために、錘をＳｉ基板面に対して平
行方向〔図１（ａ）に示すＸ方向〕に変動させて加速度
を検出する構成とした。That is, in the conventional cantilever, it is necessary to change the weight in the direction perpendicular to the surface of the Si substrate to detect the acceleration as described above.
It was formed thin in the thickness direction of the substrate. However, when the cantilever is formed so as to be thin in the thickness direction of the Si substrate in this way, as described in the section of the problem to be solved by the invention, the position of the center of gravity of the weight becomes the supporting point of the cantilever portion. Since it is not on the same axis, there is a problem that the interference output characteristic deteriorates. For this reason, in this embodiment, in order to improve the conventional poor interference output characteristics, the weight is moved in the direction parallel to the Si substrate surface [X direction shown in FIG. 1A]. It is configured to detect acceleration.
【０００８】以上のように本実施例に係わる片持梁は図
１（ｂ）、図１（ｃ）に示すように、従来の片持梁を補
強した状態の片持梁として形成してある。そして、上記
のように形成した片持梁部の付け根付近で、且つ梁の縁
部（エッジ部）に図１（ａ）に示すようにピエゾ抵抗素
子を設けた。この抵抗素子により周知のホイートストン
ブリッジ回路を形成し、加速度を検出する。なお、片持
梁１ａに設けるピエゾ抵抗素子は、図１（ｃ）に示すよ
うに片持梁部の付け根部であれば（Ｓｉ基板の厚さ方向
の上位置、中位置、下位置）の何処に設けてもよいが、
検出精度の点からみると片持梁部の中心（中位置）が好
ましい。この理由は、図１（ｂ）に示すように錘の重心
位置と片持梁の中心線とを同軸上にすることにより一層
干渉出力特性を向上させることができるからである。し
かし、半導体加速度センサを製造する工程からみると加
速度センサの上面に形成することになる。本加速度セン
サは、上記の如くＳｉ基板の面と平行な方向の加速度
（図中Ｘ方向）を検出するようにして使用する点に大き
な特徴がある。As described above, the cantilever beam according to this embodiment is formed as a cantilever beam in which the conventional cantilever beam is reinforced as shown in FIGS. 1 (b) and 1 (c). . Then, as shown in FIG. 1A, a piezoresistive element was provided near the base of the cantilever portion formed as described above and at the edge portion (edge portion) of the beam. A well-known Wheatstone bridge circuit is formed by this resistance element, and acceleration is detected. The piezoresistive element provided on the cantilever 1a is located at the root of the cantilever (the upper position, the middle position, and the lower position in the thickness direction of the Si substrate) as shown in FIG. 1C. You can place it anywhere,
From the viewpoint of detection accuracy, the center (middle position) of the cantilever portion is preferable. The reason is that the interference output characteristics can be further improved by making the center of gravity of the weight and the center line of the cantilever coaxial with each other as shown in FIG. However, from the manufacturing process of the semiconductor acceleration sensor, it is formed on the upper surface of the acceleration sensor. The present acceleration sensor is characterized in that it is used by detecting the acceleration in the direction parallel to the surface of the Si substrate (X direction in the figure) as described above.
【０００９】次に上記加速度センサの製造方法を図２を
参照して説明する。先ず、所定の形状に形成されたＳｉ
基板の〔１００〕面にピエゾ抵抗素子および配線を加速
度センサに対応する配置で図に示す如く所定位置に多数
形成する。次にＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 などにより、図２
（ｂ）に示すようにマスキングを行う。この時、ピエゾ
抵抗のエッジ部がちょうど片持梁の付け根部のエッジと
なるようにマスクを形成することが重要である。この理
由は、錘が移動した際に片持梁の付け根部のエッジ部分
に応力が集中するため、この部分にピエゾ抵抗を配置し
ておくと応力を精度よく検出できるためである。上記の
ようにマスクをした後、ＫＯＨエッチャント等のエッチ
ング液を使用して異方性エッチングを行い、梁部および
錘部を形成する。その後、図２（ｃ）に示すように台座
ガラスウエハを接合し、ついで、所定の形状にダイシン
グして個々の加速度センサチップを形成する。Next, a method of manufacturing the acceleration sensor will be described with reference to FIG. First, Si formed into a predetermined shape
A large number of piezoresistive elements and wirings are formed at predetermined positions on the [100] surface of the substrate in a layout corresponding to the acceleration sensor as shown in the figure. Next, using SiO 2 , Si 3 N 4, etc.,
Masking is performed as shown in (b). At this time, it is important to form the mask so that the edge portion of the piezoresistor is exactly the edge of the base portion of the cantilever. This is because when the weight moves, stress concentrates on the edge portion of the base portion of the cantilever, so that if a piezoresistor is placed in this portion, the stress can be detected accurately. After masking as described above, anisotropic etching is performed using an etching solution such as KOH etchant to form a beam portion and a weight portion. Thereafter, as shown in FIG. 2C, a pedestal glass wafer is bonded, and then dicing into a predetermined shape is performed to form individual acceleration sensor chips.
【００１０】次に上記のようにして作製された加速度セ
ンサの作動について説明する。加速度センサを取り付け
た装置全体を運動させると、この運動によって種々の方
向の加速度が発生する。この時、１方向の加速度、たと
えば、Ｘ方向の加速度を上記実施例の加速度センサで検
出する場合、上記構成の加速度センサのＳｉ基板の面が
前記Ｘ方向の加速度と平行になるように、かつ片持梁が
Ｘ方向と直角となるように、本加速度センサを装置適所
に配置する〔図３（ａ）参照〕。こうして配置された加
速度センサにＸ方向の加速度がかかると、この時の加速
度により錘がＸ方向に移動して片持梁が機械的に変形
し、この結果、片持梁部に配置したピエゾ抵抗素子Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４に変化が生じる。この時の各抵抗
素子の電気抵抗の変化が図３（ｂ）に示すホイートスト
ンブリッジ電圧の変化として検出される。Next, the operation of the acceleration sensor manufactured as described above will be described. When the entire device to which the acceleration sensor is attached is moved, this movement causes acceleration in various directions. At this time, when acceleration in one direction, for example, acceleration in the X direction is detected by the acceleration sensor of the above-described embodiment, the surface of the Si substrate of the acceleration sensor having the above-described configuration is parallel to the acceleration in the X direction. The present acceleration sensor is arranged at a proper position of the device so that the cantilever is perpendicular to the X direction [see FIG. 3 (a)]. When an acceleration in the X direction is applied to the acceleration sensor thus arranged, the weight moves in the X direction due to the acceleration at this time and the cantilever is mechanically deformed. Element R
Changes occur in 1, R2, R3, R4. A change in the electric resistance of each resistance element at this time is detected as a change in the Wheatstone bridge voltage shown in FIG.
【００１１】図４に応力歪みと抵抗素子の電気抵抗の変
化との関係を示す。図４（ａ）に示す如く、加速度によ
って錘が１方向（図に示すＸ方向）に変位したとする
と、Ｒ１、Ｒ２には圧縮応力が生じ、またＲ３、Ｒ４に
は引っ張り応力が生じる。この時の抵抗値は表１のよう
に、Ｒ１、Ｒ２では抵抗が減り（−）、Ｒ３、Ｒ４では
抵抗が増大し（＋）、こうした各抵抗値の変化からＸ方
向の加速度を検出することができる。FIG. 4 shows the relationship between the stress strain and the change in electric resistance of the resistance element. As shown in FIG. 4A, when the weight is displaced in one direction (X direction shown in the figure) by acceleration, compressive stress is generated in R1 and R2, and tensile stress is generated in R3 and R4. As shown in Table 1, the resistance value at this time decreases (-) at R1 and R2, and increases (+) at R3 and R4. Detect the acceleration in the X direction from such changes in each resistance value. You can
【００１２】また、図４（ｃ）に示すようにＹ方向から
の加速度が加わった場合には、各抵抗には応力の変化が
生じない。この結果表１に示すようにＹ方向の加速度は
検出しない。さらに、図４（ｂ）に示すようにＺ方向の
加速度が加わった場合には、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の
いづれの抵抗値にも引っ張り応力が発生する。しかし、
抵抗値はいづれも表１のように増大する方向に変化する
ため、Ｚ方向の加速度は検出しない。以上のように、本
加速度センサでは、１方向のみ（上記説明ではＸ方向を
例にとって説明している）の加速度を加速度センサの片
持梁部に配置したピエゾ抵抗素子の抵抗の変化として独
立して精度よく検出できるため、干渉出力特性を向上さ
せることができる。Further, as shown in FIG. 4C, when acceleration is applied from the Y direction, stress does not change in each resistance. As a result, as shown in Table 1, acceleration in the Y direction is not detected. Further, when an acceleration in the Z direction is applied as shown in FIG. 4B, tensile stress is generated in any resistance value of R1, R2, R3 and R4. But,
Since the resistance value changes in the increasing direction as shown in Table 1, acceleration in the Z direction is not detected. As described above, in the present acceleration sensor, the acceleration in only one direction (the above description is given by taking the X direction as an example) is independent as the change in the resistance of the piezoresistive element arranged in the cantilever portion of the acceleration sensor. The interference output characteristic can be improved because it can be detected with high accuracy.
【００１３】[0013]
【表１】 [Table 1]
【００１４】次に本発明の第２実施例を図５を参照して
説明する。第２実施例で、前記第１実施例と異なる点
は、片持梁の断面形状が図５に示すようにＴ字形に形成
されている点である。このように片持梁をＴ字形断面と
することにより、第１実施例のように断面が長方形のも
のより、加速度検出方向に対する片持梁の撓み易さが大
きくなり、加速度の検出精度を向上させることができ
る。また、Ｔ字形とすることにより、ピエゾ抵抗素子を
配置する面を広くとることができ、これによっても加速
度の検出精度を向上させることができる。なお、このよ
うに片持梁をＴ字形断面とした場合でも、他方向の加速
度（たとえば、加速度検出方向をＸ方向とした場合、他
方向とはＹ方向、Ｚ方向をいう）は第１実施例と同様の
理由により検出することはない。上記加速度センサの片
持梁は図６に示すように、点線部分を異方性エッチング
で除去することにより簡単に成形することができる。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The second embodiment differs from the first embodiment in that the cross-sectional shape of the cantilever is T-shaped as shown in FIG. By thus forming the cantilever with a T-shaped cross section, the cantilever is more easily bent in the acceleration detection direction than the rectangular cross section as in the first embodiment, and the acceleration detection accuracy is improved. Can be made. Further, by adopting the T-shape, it is possible to widen the surface on which the piezoresistive element is arranged, which also improves the accuracy of acceleration detection. Even when the cantilever has a T-shaped cross section as described above, the acceleration in the other direction (for example, when the acceleration detection direction is the X direction, the other direction means the Y direction and the Z direction) is the first embodiment. It is not detected for the same reason as the example. The cantilever beam of the acceleration sensor can be easily formed by removing the dotted line portion by anisotropic etching as shown in FIG.
【００１５】[0015]
【発明の効果】以上詳細に述べた如く本発明によれば、
片持梁式加速度センサにおいて、加速度センサの錘の重
心位置と、片持梁による支持点とを同軸上に配置したこ
とにより加速度センサの干渉出力特性を向上させること
ができる。即ち、独立して１方向だけの加速度を精度良
く検出することができる。また、抵抗素子を加速度方向
と平行な面に配置したため、片持梁の応力歪みを精度良
く検出することができる。等の優れた効果を奏すること
もできる。As described in detail above, according to the present invention,
In the cantilever type acceleration sensor, the position of the center of gravity of the weight of the acceleration sensor and the support point of the cantilever are arranged coaxially, so that the interference output characteristic of the acceleration sensor can be improved. That is, the acceleration in only one direction can be accurately detected independently. Further, since the resistance element is arranged on the plane parallel to the acceleration direction, the stress strain of the cantilever can be detected with high accuracy. It is also possible to obtain excellent effects such as
【図１】本発明に係る第１実施例としての加速度センサ
の平面図および断面図である。FIG. 1 is a plan view and a sectional view of an acceleration sensor as a first embodiment according to the invention.
【図２】同加速度センサの製造法を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a method of manufacturing the acceleration sensor.
【図３】同加速度センサの加速度検出方向と検出回路を
示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an acceleration detection direction and a detection circuit of the acceleration sensor.
【図４】同加速度センサの作動説明図である。FIG. 4 is an operation explanatory view of the acceleration sensor.
【図５】第２実施例の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a second embodiment.
【図６】第２実施例の片持梁の成形説明図である。FIG. 6 is an explanatory view of forming the cantilever of the second embodiment.
【図７】従来の加速度センサの説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a conventional acceleration sensor.
１ Ｓｉ基板 １ａ 片持梁 １ｂ 錘 ２ 空隙部 Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４ 抵抗素子 1 Si substrate 1a Cantilever 1b Weight 2 Void R1, R2, R3, R4 Resistance element
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 章悟 神奈川県秦野市曽屋1204番地 日本インタ ー株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shogo Suzuki 1204 Soya, Hadano City, Kanagawa Prefecture Japan Inter Co., Ltd.
Claims (3)
速度によって移動する錘と、前記固定部と錘とを接続す
る梁部と、前記梁部に配置した抵抗素子とよりなる片持
梁式加速度センサであって、前記梁部は、シリコン基板
の厚みと直交する方向では錘よりも細く、かつ、シリコ
ン基板の厚み方向では、錘の厚さと同じ厚さとなるよう
に形成されていることを特徴とする加速度センサ。1. A cantilever composed of a silicon substrate, a fixed portion, a weight moving by acceleration, a beam portion connecting the fixed portion and the weight, and a resistance element arranged on the beam portion. In the acceleration sensor, the beam portion is formed so as to be thinner than the weight in the direction orthogonal to the thickness of the silicon substrate and to have the same thickness as the weight in the thickness direction of the silicon substrate. Acceleration sensor characterized by.
ッジ部に配置したことを特徴とする請求項１に記載の加
速度センサ。2. The acceleration sensor according to claim 1, wherein the resistance element is arranged at a base portion and an edge portion of the beam portion.
徴とする請求項１に記載の加速度センサ。3. The acceleration sensor according to claim 1, wherein the cross section of the beam portion is T-shaped.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30462194A JPH08160066A (en) | 1994-12-08 | 1994-12-08 | Acceleration sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30462194A JPH08160066A (en) | 1994-12-08 | 1994-12-08 | Acceleration sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08160066A true JPH08160066A (en) | 1996-06-21 |
Family
ID=17935235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30462194A Withdrawn JPH08160066A (en) | 1994-12-08 | 1994-12-08 | Acceleration sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08160066A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007256236A (en) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Acceleration sensor |
| EP2275825A1 (en) | 2009-07-10 | 2011-01-19 | Yamaha Corporation | Uniaxial acceleration sensor |
| WO2011155506A1 (en) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | 株式会社村田製作所 | Acceleration sensor |
| WO2014073631A1 (en) * | 2012-11-12 | 2014-05-15 | 株式会社村田製作所 | Angular acceleration sensor and acceleration sensor |
-
1994
- 1994-12-08 JP JP30462194A patent/JPH08160066A/en not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2014073631A1 (en) * | 2012-11-12 | 2014-05-15 | 株式会社村田製作所 | Angular acceleration sensor and acceleration sensor |
| JPWO2014073631A1 (en) * | 2012-11-12 | 2016-09-08 | 株式会社村田製作所 | Angular acceleration sensor and acceleration sensor |
| US9903883B2 (en) | 2012-11-12 | 2018-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Angular acceleration sensor and acceleration sensor |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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