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JPH08167755A - Multi-channel optical signal generator - Google Patents

Multi-channel optical signal generator

Info

Publication number
JPH08167755A
JPH08167755A JP6310292A JP31029294A JPH08167755A JP H08167755 A JPH08167755 A JP H08167755A JP 6310292 A JP6310292 A JP 6310292A JP 31029294 A JP31029294 A JP 31029294A JP H08167755 A JPH08167755 A JP H08167755A
Authority
JP
Japan
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semiconductor laser
optical signal
branch
input
optical
Prior art date
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Granted
Application number
JP6310292A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3332188B2 (en
Inventor
Yoshimasa Katagiri
祥雅 片桐
Tetsuo Mikazuki
哲郎 三日月
Keiichiro Ito
圭一郎 伊藤
Yuji Uenishi
祐司 上西
Shinji Nagaoka
新二 長岡
Akinori Watabe
昭憲 渡部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP31029294A priority Critical patent/JP3332188B2/en
Publication of JPH08167755A publication Critical patent/JPH08167755A/en
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Publication of JP3332188B2 publication Critical patent/JP3332188B2/en
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  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 波長が同一でかつ位相が同期した光信号を発
振するマルチチャネル光信号発生方法の提供。 【構成】 相互に発振波長が同一となる単一の駆動半導
体レーザおよび複数の半導体レーザの一方の光出力端面
を多分岐型分岐結合器の一方の複数の入出力端に対応さ
せて光学的に接続するとともに、前記多分岐型分岐結合
器の他方の入出力端に光学的に鏡を対面させて、少なく
とも前記半導体レーザの他方の光出力端面と前記鏡とに
よって複合共振器レーザを構成し、かつ前記駆動半導体
レーザの変調制御によって直流電流でバイアスした前記
各半導体レーザの他方の光出力端面から光信号を出射さ
せ、前記半導体レーザに対応して配置された光ファイバ
に光信号を送り込む。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide a multi-channel optical signal generation method for oscillating optical signals having the same wavelength and synchronized phases. The optical output end faces of a single driving semiconductor laser and a plurality of semiconductor lasers having mutually identical oscillation wavelengths are optically made to correspond to a plurality of input / output ends of a multi-branching branch coupler. With connection, the mirror is optically faced to the other input / output end of the multi-branch branch coupler, and at least the other optical output end face of the semiconductor laser and the mirror constitute a composite resonator laser, An optical signal is emitted from the other optical output end face of each semiconductor laser biased with a direct current by modulation control of the driving semiconductor laser, and the optical signal is sent to an optical fiber arranged corresponding to the semiconductor laser.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光通信等において、波
長が同一でかつ位相が同期した光信号を多数のチャネル
に分配送信するマルチチャネル光信号発生器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-channel optical signal generator for distributing and transmitting optical signals having the same wavelength and synchronized phases in a large number of channels in optical communication and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】マルチチャネル光信号発生器としては、
従来存在する部品を組み合わせた場合、図5に示すよう
に単一の高出力半導体レーザ1と、1×Nスターカプラ
2を光学的に接続する構成や、図6に示すように各半導
体レーザ制御装置5によって個別駆動可能な複数の半導
体レーザ7と、出力側光ファイバ4を光学的に接続する
構成が考えられる。
2. Description of the Related Art As a multi-channel optical signal generator,
When the existing components are combined, a configuration in which a single high-power semiconductor laser 1 and a 1 × N star coupler 2 are optically connected as shown in FIG. 5 and each semiconductor laser control as shown in FIG. A configuration in which a plurality of semiconductor lasers 7 that can be individually driven by the device 5 and the output-side optical fiber 4 are optically connected can be considered.

【0003】図5に示される前者のマルチチャネル光信
号発生器においては、一組の信号発生器6と半導体レー
ザ制御装置5を組み合わせ、半導体レーザ制御装置5に
よって、数GHzで直接変調可能な数百mWの高出力半
導体レーザ1を制御し、高出力半導体レーザ1から出射
された光出力(光信号)8をスターカプラ2の単一の入
力側光ファイバ3に送り込むとともに、スターカプラ2
の複数(N、ここではN=4)の出力側光ファイバ4か
ら出力して多数のチャネルに分配する。直接変調に必要
な立上り数百psec, ピーク電流数百mA(DC換算)の
電流パルスは、高速の電圧パルスを受けて電流パルスに
変換する集積回路(IC)により供給される。分配され
た光出力(光信号8)は、高出力半導体レーザ1とスタ
ーカプラ2の結合効率,スターカプラの過剰損失と分岐
損失等で決定される。
In the former multi-channel optical signal generator shown in FIG. 5, a set of signal generators 6 and a semiconductor laser control device 5 are combined, and the semiconductor laser control device 5 allows direct modulation at several GHz. The high output semiconductor laser 1 of 100 mW is controlled to send the optical output (optical signal) 8 emitted from the high output semiconductor laser 1 to the single input side optical fiber 3 of the star coupler 2 and the star coupler 2
Are output from a plurality (N, here N = 4) of output side optical fibers 4 and distributed to a large number of channels. A current pulse having a rise of several hundred psec and a peak current of several hundred mA (DC conversion) required for direct modulation is supplied by an integrated circuit (IC) which receives a high-speed voltage pulse and converts it into a current pulse. The distributed optical output (optical signal 8) is determined by the coupling efficiency between the high-power semiconductor laser 1 and the star coupler 2, the excess loss of the star coupler, the branch loss, and the like.

【0004】また、図6に示される後者のマルチチャネ
ル光信号発生器においては、信号発生器6からの電気的
信号を多数のチャネルに分割し、それら分割された信号
により各半導体レーザ7を個別の半導体レーザ制御装置
5で駆動し、各半導体レーザ7から各半導体レーザ7に
光学的に接続された出力側光ファイバ4に光信号8を送
り込む。
In the latter multi-channel optical signal generator shown in FIG. 6, the electric signal from the signal generator 6 is divided into a large number of channels, and each semiconductor laser 7 is individually divided by the divided signals. The semiconductor laser controller 5 drives the semiconductor laser 7 to send an optical signal 8 from each semiconductor laser 7 to the output side optical fiber 4 optically connected to each semiconductor laser 7.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】高出力半導体レーザと
スターカプラ(多分岐型分岐結合器)を用いる前者の構
造では、分割前の信号光のピーク強度が非常に大きいの
で、吸収等によりスターカプラが破壊される恐れがあ
る。また、半導体レーザとスターカプラ間にゴミ等が付
着すると信号光によって酸化付着あるいは融着し、結合
効率を著しく劣化させる恐れがある。
In the former structure using a high-power semiconductor laser and a star coupler (multi-branch branch coupler), the peak intensity of the signal light before division is very large, and therefore the star coupler is absorbed due to absorption or the like. May be destroyed. Further, if dust or the like adheres between the semiconductor laser and the star coupler, it may be oxidized or adhered by the signal light, and the coupling efficiency may be significantly deteriorated.

【0006】半導体レーザを複数並列する後者の構造で
は、半導体レーザ毎に駆動回路を必要とするため、小型
化,コスト低減化に限界がある。また、半導体レーザに
電流が注入されてから発振が開始されるまでの時間は、
素子や駆動条件により異なるため、光信号の等時性が重
要な場合には各チャネル毎に信号遅延の調整を行わなけ
ればならない。たとえば、図7はCSPレーザによるレ
ーザ出力の実験的波形〔出典:IEEE JOURNAL OF QUANTU
M ELECTRONICS,VOL.QE-14,NO.8,AUGUST 1978、P625〕を
示すものである。この場合、CSPレーザは、Type-II
であり、W=6μm、Jth=1.83kA/cm 2 である。
同波形図の(a)〜(d)からわかるように、順方向電
流(12mA,14mA,16mA,19mA)が小さ
いほど信号遅延が大きいことが分かる。
In the latter structure in which a plurality of semiconductor lasers are arranged in parallel, a driving circuit is required for each semiconductor laser, and therefore there is a limit to downsizing and cost reduction. In addition, the time from the injection of current to the semiconductor laser until the start of oscillation is
Since it depends on the element and the driving condition, when the isochronism of the optical signal is important, the signal delay must be adjusted for each channel. For example, FIG. 7 shows an experimental waveform of laser output by a CSP laser [Source: IEEE JOURNAL OF QUANTU
M ELECTRONICS, VOL.QE-14, NO.8, AUGUST 1978, P625]. In this case, the CSP laser is Type-II
And W = 6 μm and Jth = 1.83 kA / cm 2.
As can be seen from (a) to (d) of the waveform diagram, it can be seen that the smaller the forward current (12 mA, 14 mA, 16 mA, 19 mA), the greater the signal delay.

【0007】本発明の目的は、波長が同一でかつ位相が
同期した光信号を発振するマルチチャネル光信号発生器
を提供する。
An object of the present invention is to provide a multi-channel optical signal generator that oscillates optical signals having the same wavelength and the same phase.

【0008】本発明の他の目的は、高出力光信号に起因
する破損が起きない信頼性の高いマルチチャネル光信号
発生器を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a highly reliable multi-channel optical signal generator which is free from damage due to a high output optical signal.

【0009】本発明の他の目的は、小型でかつ製造コス
トの低減が可能なマルチチャネル光信号発生器を提供す
ることにある。
Another object of the present invention is to provide a multi-channel optical signal generator which is small in size and can be manufactured at a reduced cost.

【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
にする。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明のマルチチャネル
光信号発生器は、一方に複数の入出力端を有しかつ他方
に1つの入出力端を有する多分岐型分岐結合器(スター
カプラ)と、前記多分岐型分岐結合器の一方の各入出力
端に一方の光出力端面を介して光学的に接続される複数
の同一構造のファブリーペロー形の半導体レーザと、前
記多分岐型分岐結合器の他方の入出力端に光学的に対面
して配置される鏡(外部ミラー)とを有し、かつ前記半
導体レーザの一つは変調電流パルスが入れられて変調駆
動されるとともに、残りの半導体レーザは電流源によっ
て直流電流で発振しきい値以下にバイアスされる構成に
なっている。また、前記半導体レーザの多分岐型分岐結
合器に光学的に接続される面側の光出力端面の反射率は
反対側の光出力端面の反射率よりも低くなり、各半導体
レーザの反射率の高い光出力端面と前記鏡とによって複
合共振器レーザが構成されている。
The outline of the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, the multi-channel optical signal generator of the present invention comprises a multi-branch type branch coupler (star coupler) having a plurality of input / output terminals on one side and one input / output terminal on the other side, and the multi-branch type branch coupler. A plurality of Fabry-Perot type semiconductor lasers of the same structure, which are optically connected to one of the input / output ends of the coupler via one of the optical output end faces, and the other input / output end of the multi-branch branch coupler. And a mirror (external mirror) that is optically opposed to each other, and one of the semiconductor lasers is driven for modulation by receiving a modulation current pulse, and the remaining semiconductor lasers are driven by a direct current source. The current is biased below the oscillation threshold. Further, the reflectance of the light output end face on the side optically connected to the multi-branch type branch coupler of the semiconductor laser is lower than the reflectance of the light output end face on the opposite side, and the reflectance of each semiconductor laser The high light output facet and the mirror form a composite resonator laser.

【0012】本発明の他のマルチチャネル光信号発生器
は、一方に複数の入出力端を有しかつ他方に1つの入出
力端を有する多分岐型分岐結合器(スターカプラ)と、
前記多分岐型分岐結合器の一方の入出力端の一つに光ア
イソレータを介して光学的に接続される駆動半導体レー
ザと、前記多分岐型分岐結合器の一方の残りの各入出力
端に一方の光出力端面を介して光学的に接続される複数
の同一構造のファブリーペロー形の半導体レーザと、前
記多分岐型分岐結合器の他方の入出力端に光学的に対面
して配置される鏡(外部ミラー)とを有し、かつ前記半
導体レーザは直流電流でバイアスされるとともに、前記
駆動半導体レーザは変調駆動される構成になっている。
すなわち、駆動半導体レーザは変調電流パルスが入れら
れて変調駆動されるとともに、残りの半導体レーザは電
流源によって直流電流で発振しきい値以下にバイアスさ
れる。また、前記半導体レーザの多分岐型分岐結合器に
光学的に接続される面側の光出力端面の反射率は反対側
の光出力端面の反射率よりも低くなり、各半導体レーザ
の反射率の高い光出力端面と前記鏡とによって複合共振
器レーザが構成されている。
Another multi-channel optical signal generator of the present invention is a multi-branch type branch coupler (star coupler) having a plurality of input / output terminals on one side and one input / output terminal on the other side,
A drive semiconductor laser optically connected to one of the input / output terminals of the multi-branch branch coupler via an optical isolator, and the remaining one of the input / output terminals of the multi-branch branch coupler. A plurality of Fabry-Perot type semiconductor lasers of the same structure which are optically connected through one light output end face and the other input / output end of the multi-branching branch coupler are arranged to face each other optically. A mirror (external mirror), the semiconductor laser is biased with a direct current, and the driving semiconductor laser is modulated and driven.
That is, the driving semiconductor laser is modulated and driven by inputting a modulation current pulse, and the remaining semiconductor lasers are biased with a direct current below the oscillation threshold by a direct current. Further, the reflectance of the light output end face on the side optically connected to the multi-branch type branch coupler of the semiconductor laser is lower than the reflectance of the light output end face on the opposite side, and the reflectance of each semiconductor laser The high light output facet and the mirror form a composite resonator laser.

【0013】[0013]

【作用】上記した手段によれば、本発明のマルチチャネ
ル光信号発生器は、単一の半導体レーザを変調させるこ
とによって、各半導体レーザと外部ミラーで形成される
外部複合共振器を利用してレーザ発振させるので、各々
の半導体レーザから波長が同一でかつ位相が同期した光
信号を同時に発振させることができる。すなわち、一つ
の変調された半導体レーザの光信号がスターカプラを通
して他のしきい値以下にバイアスされた半導体レーザを
励起してレーザ発振させる。
According to the above-mentioned means, the multi-channel optical signal generator of the present invention utilizes the external compound resonator formed by each semiconductor laser and the external mirror by modulating a single semiconductor laser. Since laser oscillation is performed, it is possible to simultaneously oscillate optical signals having the same wavelength and synchronized phases from the respective semiconductor lasers. That is, one modulated semiconductor laser optical signal excites a semiconductor laser biased below the other threshold value through the star coupler to cause laser oscillation.

【0014】また、本発明のマルチチャネル光信号発生
器は、半導体レーザは数百mWと言うような高出力の光
信号を発振せず、光信号が20mWにもならない低出力
の半導体レーザであることから、強大な信号光によるス
ターカプラの熱的破損が起きなくなるとともに、半導体
レーザとスターカプラ間のゴミ付着に起因する酸化付着
や融着が起きなくなり、結合効率の低下が防止でき信頼
性が高くなる。
The multi-channel optical signal generator of the present invention is a low-output semiconductor laser in which the semiconductor laser does not oscillate a high-output optical signal of several hundred mW and the optical signal does not reach 20 mW. Therefore, thermal damage to the star coupler due to a strong signal light will not occur, and oxidation adhesion and fusion due to dust adhesion between the semiconductor laser and the star coupler will not occur, preventing deterioration of coupling efficiency and reliability. Get higher

【0015】また、本発明のマルチチャネル光信号発生
器は、スターカプラに接続した複数の半導体レーザの一
つを変調用の半導体レーザ(駆動半導体レーザ)として
使用しているため、変調用に大出力のパルス駆動源や複
数の駆動源を用意しなくとも良くなる。
Further, since the multi-channel optical signal generator of the present invention uses one of the plurality of semiconductor lasers connected to the star coupler as a semiconductor laser for modulation (driving semiconductor laser), it is large for modulation. It is not necessary to prepare an output pulse drive source or a plurality of drive sources.

【0016】本発明の他のマルチチャネル光信号発生
器、すなわち、スターカプラに光アイソレータを介して
駆動半導体レーザを接合した構造のマルチチャネル光信
号発生器は、駆動半導体レーザから発振された光信号を
複合共振器レーザに送り込むことから、複合共振器レー
ザを構成する各半導体レーザから波長が同一でかつ位相
が同期した光信号を同時に発振させることができる。す
なわち、変調された駆動半導体レーザの光信号がスター
カプラを通して他のしきい値以下にバイアスされた半導
体レーザを励起してレーザ発振させる。
Another multi-channel optical signal generator of the present invention, that is, a multi-channel optical signal generator having a structure in which a driving semiconductor laser is joined to a star coupler via an optical isolator, is an optical signal oscillated from the driving semiconductor laser. Is sent to the compound resonator laser, it is possible to simultaneously oscillate optical signals having the same wavelength and the same phase from the semiconductor lasers constituting the compound resonator laser. That is, the modulated optical signal of the driving semiconductor laser excites the semiconductor laser biased below the other threshold value through the star coupler to cause laser oscillation.

【0017】また、本発明の他のマルチチャネル光信号
発生器は、半導体レーザは数百mWと言うような高出力
の光信号を発振せず、光信号が20mWにもならない低
出力の半導体レーザであることから、強大な信号光によ
るスターカプラの熱的破損が起きなくなるとともに、半
導体レーザとスターカプラ間のゴミ付着に起因する酸化
付着や融着が起きなくなり、結合効率の低下が防止でき
信頼性が高くなる。
Further, in another multi-channel optical signal generator of the present invention, the semiconductor laser does not oscillate a high output optical signal such as several hundred mW, and a low output semiconductor laser in which the optical signal does not reach 20 mW. Therefore, thermal damage to the star coupler due to the strong signal light will not occur, and oxidation adhesion and fusion due to dust adhesion between the semiconductor laser and the star coupler will not occur, preventing deterioration of coupling efficiency and reliability. Will be more likely.

【0018】本発明の他のマルチチャネル光信号発生
器、すなわち、駆動半導体レーザ(マスタ半導体レー
ザ)の光出力を光アイソレータを介してスターカプラに
送り込む構造では、各半導体レーザからの光が駆動半導
体レーザに戻らないことから、正確な変調が行える。
In another multi-channel optical signal generator of the present invention, that is, in the structure in which the optical output of the driving semiconductor laser (master semiconductor laser) is sent to the star coupler through the optical isolator, the light from each semiconductor laser is driven. Since it does not return to the laser, accurate modulation can be performed.

【0019】また、本発明の他のマルチチャネル光信号
発生器、すなわち、駆動半導体レーザ(マスタ半導体レ
ーザ)の光出力を光アイソレータを介してスターカプラ
に送り込む構造では、光の発振を光(レーザ光)のスタ
ーカプラへの送り込みによって行うため、マスタ半導体
レーザにおける電気回路の実装が不要となる。
Further, in another multi-channel optical signal generator of the present invention, that is, in the structure in which the optical output of the driving semiconductor laser (master semiconductor laser) is sent to the star coupler through the optical isolator, the oscillation of the light is emitted by the laser (laser). Since it is performed by sending (light) to the star coupler, it is not necessary to mount an electric circuit in the master semiconductor laser.

【0020】以下、本発明について、図面を参照して実
施例を詳細に説明する。なお、実施例を説明するための
全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. In all the drawings for describing the embodiments, components having the same function are denoted by the same reference numerals, and their repeated description will be omitted.

【0021】[0021]

【実施例】【Example】

(実施例1)図1は本発明による実施例1のマルチチャ
ネル光信号発生器の概略構成を示すブロック図、図2は
本実施例1のマルチチャネル光信号発生器における光信
号の発生検証を行う光信号発生検証装置の概略構成を示
す模式図、図3は光信号発生検証例によるスペクトラム
を示す波形図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a multi-channel optical signal generator of Embodiment 1 according to the present invention, and FIG. 2 is a verification of generation of an optical signal in the multi-channel optical signal generator of Embodiment 1. FIG. 3 is a schematic diagram showing a schematic configuration of an optical signal generation verification device to perform, and FIG. 3 is a waveform diagram showing a spectrum according to an optical signal generation verification example.

【0022】本実施例1のマルチチャネル光信号発生器
は、図1に示すように、入出力端が1×N(N=4)と
なる多分岐型分岐結合器(スターカプラ)2と、N個
(4個)のファブリーペロー形の同一構造の半導体レー
ザ10および鏡(外部ミラー)11を有する。すなわ
ち、スターカプラ2の一方、すなわち、Nポート側に
は、ファブリーペロー形の半導体レーザ10がN個並列
に配設され、これら半導体レーザ10の一方の光出力端
面と、スターカプラ2の一方のN個の入出力端は、それ
ぞれ光ファイバ12を介して光学的に接続されている。
また、前記各半導体レーザ10の他方の光出力端面に
は、出力側光ファイバ4がそれぞれ光学的に接続されて
いる。この出力側光ファイバ4には、光信号(光出力)
8が半導体レーザ10から送り出される。
As shown in FIG. 1, the multi-channel optical signal generator of the first embodiment includes a multi-branch type branch coupler (star coupler) 2 having an input / output terminal of 1 × N (N = 4). It has N (4) Fabry-Perot type semiconductor lasers 10 and mirrors (external mirrors) 11 having the same structure. That is, N Fabry-Perot type semiconductor lasers 10 are arranged in parallel on one side of the star coupler 2, that is, on the N port side, and one optical output end face of these semiconductor lasers 10 and one of the star couplers 2 are arranged. The N input / output ends are optically connected to each other via an optical fiber 12.
Output side optical fibers 4 are optically connected to the other optical output end faces of the respective semiconductor lasers 10. This output side optical fiber 4 has an optical signal (optical output)
8 is sent from the semiconductor laser 10.

【0023】半導体レーザ10は、たとえば、GaAs
系DHレーザで、発振波長帯は0.8μmである。
The semiconductor laser 10 is, for example, GaAs.
System DH laser, the oscillation wavelength band is 0.8 μm.

【0024】一方、前記スターカプラ2の他方の1本の
入出力端には、光ファイバ13が光学的に接続されると
ともに、この光ファイバ13の先端には鏡(外部ミラ
ー)11が対面するように配設されている。
On the other hand, an optical fiber 13 is optically connected to the other one input / output end of the star coupler 2, and a mirror (external mirror) 11 faces the tip of the optical fiber 13. It is arranged as follows.

【0025】各半導体レーザ10の出力側光ファイバ4
に対面する他方の光出力端面Aと、前記外部ミラー11
の表面Bは、共振器端となり、複合共振器レーザが形成
される。すなわち、前記半導体レーザ10のスターカプ
ラ2に光学的に接続される面側の光出力端面の反射率は
反対側の光出力端面Aの反射率よりも低くなり、各半導
体レーザ10の反射率の高い光出力端面と前記外部ミラ
ー11とによって複合共振器レーザが構成されている。
Output side optical fiber 4 of each semiconductor laser 10
The other light output end face A facing the outer mirror 11 and the external mirror 11
The surface B becomes the cavity end, and the compound cavity laser is formed. That is, the reflectance of the light output end face on the side optically coupled to the star coupler 2 of the semiconductor laser 10 becomes lower than the reflectance of the light output end face A on the opposite side. The high optical output end face and the external mirror 11 constitute a composite resonator laser.

【0026】前記複合共振器レーザの形成のため、スタ
ーカプラ2に光学的に接続される半導体レーザ10の一
方の光出力端面は、反射率が著しく低くなるような反射
防止膜14が設けられている。反射防止膜14は、たと
えば、SiON膜によって形成され、反射率は0.01
%以下となっている。また、半導体レーザ10の出力側
光ファイバ4に対面する他方の光出力端面Aは、レーザ
共振器のミラーを形成するために反射率は数十%と高く
形成されている。光出力端面Aは、反射率が32%とな
る劈開面で形成されている。また、前記光ファイバ13
から半導体レーザ10への帰還効率を大きくするため、
光ファイバ13は50μmRのマルチモード(50G
I)先球ファイバとなっている。
In order to form the composite resonator laser, one light output end face of the semiconductor laser 10 optically connected to the star coupler 2 is provided with an antireflection film 14 having a remarkably low reflectance. There is. The antireflection film 14 is formed of, for example, a SiON film and has a reflectance of 0.01.
% Or less. Further, the other optical output end face A facing the output side optical fiber 4 of the semiconductor laser 10 is formed with a high reflectance of several tens% in order to form a mirror of the laser resonator. The light output end face A is formed by a cleavage plane having a reflectance of 32%. In addition, the optical fiber 13
In order to increase the efficiency of feedback from the laser to the semiconductor laser 10,
The optical fiber 13 has a multimode of 50 μmR (50 G
I) It is a spherical fiber.

【0027】本構成ではスターカプラ2の存在によっ
て、各半導体レーザ10の一方の光出力端面から出たレ
ーザ光は、スターカプラ2内で混合され、外部ミラー1
1の表面Bで反射して各半導体レーザ10に帰還し、半
導体レーザ10の他方の光出力端面と外部ミラー11と
で一つの複合共振器レーザが形成されることになる。
In the present configuration, due to the presence of the star coupler 2, the laser light emitted from one light output end face of each semiconductor laser 10 is mixed in the star coupler 2 and the external mirror 1
It reflects on the surface B of 1 and returns to each semiconductor laser 10, and the other optical output end face of the semiconductor laser 10 and the external mirror 11 form one compound resonator laser.

【0028】各半導体レーザ10は、図示しない電流源
によって発振しきい値以下にDCバイアスされるととも
に、複数の半導体レーザ10のうちの一つは駆動半導体
レーザ15として変調用に使用される。駆動半導体レー
ザ15は半導体レーザ制御装置5によって駆動制御さ
れ,変調電流パルスが入れられて変調駆動される。半導
体レーザ制御装置5における駆動制御は信号発生器6に
基づくようになっている。
Each semiconductor laser 10 is DC biased below an oscillation threshold by a current source (not shown), and one of the plurality of semiconductor lasers 10 is used as a driving semiconductor laser 15 for modulation. The driving semiconductor laser 15 is drive-controlled by the semiconductor laser control device 5 and is modulated and driven by inputting a modulation current pulse. The drive control in the semiconductor laser control device 5 is based on the signal generator 6.

【0029】直流電流によるバイアスによって各半導体
レーザ10は、自然放出光スペクトルを発光する状態と
なる。
Each semiconductor laser 10 is brought into a state of emitting the spontaneous emission light spectrum by the bias by the direct current.

【0030】ファブリーペロー形の半導体レーザは、共
振器端の両端からレーザ光を出射することから、駆動半
導体レーザ15もその両端からレーザ光を出射するよう
になる。このため、駆動半導体レーザ15の変調時、駆
動半導体レーザ15のスターカプラ2側の光出力端面か
ら出射されたレーザ光はスターカプラ2内に入る。スタ
ーカプラ2内では、駆動半導体レーザ15から出射され
たレーザ光は他の半導体レーザ10から出射されたレー
ザ光と一体となり、複合共振器レーザから新たな波長と
なって発振が行われるようになる。すなわち、各半導体
レーザ10が完全に同期すれば、複合共振器全体で単一
モード発振が起き、単一モード発振となる。すなわち、
各半導体レーザ10は、波長が同一でかつ位相が同期し
た光信号を発信するようになる。
Since the Fabry-Perot type semiconductor laser emits laser light from both ends of the cavity end, the driving semiconductor laser 15 also emits laser light from both ends thereof. Therefore, when the driving semiconductor laser 15 is modulated, the laser light emitted from the optical output end face of the driving semiconductor laser 15 on the star coupler 2 side enters the star coupler 2. In the star coupler 2, the laser light emitted from the driving semiconductor laser 15 is integrated with the laser light emitted from the other semiconductor laser 10, and the composite resonator laser oscillates with a new wavelength. . That is, if the respective semiconductor lasers 10 are perfectly synchronized, single mode oscillation occurs in the entire compound resonator, resulting in single mode oscillation. That is,
Each semiconductor laser 10 emits an optical signal having the same wavelength and the same phase.

【0031】また、駆動半導体レーザ15は他の半導体
レーザ10と同様に他方の光出力端面Aから光信号8を
出射して駆動半導体レーザ15に光学的に接続された出
力側光ファイバ4に光信号8を送り込む構成となってい
る。
Similarly to the other semiconductor lasers 10, the driving semiconductor laser 15 emits the optical signal 8 from the other optical output end face A and outputs the optical signal to the output side optical fiber 4 optically connected to the driving semiconductor laser 15. It is configured to send the signal 8.

【0032】本実施例1によるマルチチャネル光信号発
生器においては、前記駆動半導体レーザ15を除く半導
体レーザ10に対して、発振しないように発振しきい値
以下で直流電流をバイアスするとともに、前記駆動半導
体レーザ15を変調(ON,OFF)する。これによ
り、複合共振器レーザでの発振が起き、駆動半導体レー
ザ15をも含む全ての半導体レーザ10の他方の光出力
端面Aから光出力8が出射され、各半導体レーザ10に
対応して光学的に接続された出力側光ファイバ4に送り
込まれる。
In the multi-channel optical signal generator according to the first embodiment, the semiconductor lasers 10 other than the driving semiconductor laser 15 are biased with a DC current below the oscillation threshold so as not to oscillate, and the driving is performed. The semiconductor laser 15 is modulated (ON, OFF). As a result, oscillation occurs in the composite resonator laser, and the optical output 8 is emitted from the other optical output end face A of all the semiconductor lasers 10 including the driving semiconductor lasers 15, and the optical output corresponding to each semiconductor laser 10 is performed. It is sent to the output side optical fiber 4 connected to.

【0033】したがって、本実施例1のマルチチャネル
光信号発生器からは、一部を共通とする複合共振器レー
ザからレーザ光としての光信号8が発振されるため、複
数のチャネルに波長が同一でかつ位相が同期した光信号
(等時性光信号)を送ることができる。
Therefore, since the multi-channel optical signal generator of the first embodiment oscillates the optical signal 8 as the laser light from the composite resonator laser having a part in common, the wavelengths are the same for a plurality of channels. In addition, it is possible to send an optical signal (isochronous optical signal) whose phase is synchronized.

【0034】図2は本実施例1のマルチチャネル光信号
発生器が変調によって確実に光信号8を発生することを
検証する光信号発生検証装置の概要を示す模式図であ
る。
FIG. 2 is a schematic diagram showing an outline of an optical signal generation verification apparatus for verifying that the multi-channel optical signal generator of the first embodiment surely generates the optical signal 8 by modulation.

【0035】光信号発生検証装置では、1×Nスターカ
プラ2(N=4)のNポート側に2つの半導体レーザ1
0を光ファイバ12(50μmRのマルチモード先球フ
ァイバ)を介して光学的に接続するとともに、残りの2
つのポートには、光ファイバ12を介してそれぞれ光ス
ペクトラム・アナライザ20または光パワーメータ21
が接続される。
In the optical signal generation verification apparatus, two semiconductor lasers 1 are provided on the N port side of the 1 × N star coupler 2 (N = 4).
0 is optically connected via an optical fiber 12 (a 50 μmR multimode front spherical fiber), and the remaining 2
An optical spectrum analyzer 20 or an optical power meter 21 is connected to each of the two ports via an optical fiber 12.
Is connected.

【0036】また、一方の半導体レーザ10は駆動半導
体レーザ(LD#1)15として使用し、残りの半導体
レーザ(LD#2)10は光通信用に使用される。半導
体レーザ(LD#2)10に光学的に接続される出力側
光ファイバ4は、前記光スペクトラム・アナライザ20
に接続される。
One of the semiconductor lasers 10 is used as a driving semiconductor laser (LD # 1) 15, and the other semiconductor lasers (LD # 2) 10 are used for optical communication. The output side optical fiber 4 optically connected to the semiconductor laser (LD # 2) 10 is the optical spectrum analyzer 20.
Connected to.

【0037】この光信号発生検証装置において、前記半
導体レーザ(LD#2)10に発振しきい値以下の直流
電流をバイアス(I2 =110mA)するとともに、駆
動半導体レーザ(LD#1)15をON/OFF変調す
る。この結果、駆動半導体レーザ(LD#1)15のO
N/OFF変調時、図3(a),(b)で示すような波
形図が得られた。この波形図は、前記光スペクトラム・
アナライザ20によるものである。
In this optical signal generation verification apparatus, a bias current (I2 = 110 mA) below the oscillation threshold is applied to the semiconductor laser (LD # 2) 10 and the driving semiconductor laser (LD # 1) 15 is turned on. / OFF modulation. As a result, O of the driving semiconductor laser (LD # 1) 15
During N / OFF modulation, waveform diagrams as shown in FIGS. 3A and 3B were obtained. This waveform diagram shows the optical spectrum
This is due to the analyzer 20.

【0038】駆動半導体レーザ(LD#1)15がOF
Fのとき、光スペクトラム・アナライザ20に現れる波
形図(自然放出光スペクトル)は、図3の(a)のよう
になり、スペクトラムは0.80800μmとなり、そ
の光出力は7.237mWとなる。これに対して、駆動
半導体レーザ(LD#1)15をONすると、光スペク
トラム・アナライザ20に現れる波形図は、図3の
(B)のようにレーザ発振スペクトルとなり、スペクト
ラムは0.812800μmとなり、その光出力は1
5.32mWとなる。このことから、駆動半導体レーザ
15のスイッチングによる光信号と同じ信号が他の半導
体レーザ10からも発生することが検証できる。並列す
る半導体レーザの数をさらに増大させても、各半導体レ
ーザから波長が同一でかつ位相が同期した光信号を同時
に発振させることができる。
The driving semiconductor laser (LD # 1) 15 is OF
At F, the waveform diagram (spontaneous emission spectrum) appearing in the optical spectrum analyzer 20 is as shown in FIG. 3A, the spectrum is 0.80800 μm, and the optical output is 7.237 mW. On the other hand, when the driving semiconductor laser (LD # 1) 15 is turned on, the waveform diagram appearing in the optical spectrum analyzer 20 becomes a laser oscillation spectrum as shown in FIG. 3B, and the spectrum becomes 0.812800 μm. Its light output is 1
It becomes 5.32 mW. From this, it can be verified that the same signal as the optical signal due to the switching of the driving semiconductor laser 15 is generated from the other semiconductor lasers 10. Even if the number of semiconductor lasers arranged in parallel is further increased, optical signals having the same wavelength and the same phase can be simultaneously oscillated from the respective semiconductor lasers.

【0039】また、本実施例1のマルチチャネル光信号
発生器は、スターカプラの一方(Nポート側)に接続し
た複数の半導体レーザの一つを駆動半導体レーザとした
構造となっていることから、変調用に大出力のパルス駆
動源や複数の駆動源を用意しなくとも良くなる。
Further, the multi-channel optical signal generator of the first embodiment has a structure in which one of the plurality of semiconductor lasers connected to one of the star couplers (N port side) is used as a driving semiconductor laser. Therefore, it is not necessary to prepare a high output pulse drive source or a plurality of drive sources for modulation.

【0040】本実施例1のマルチチャネル光信号発生器
は、高出力半導体レーザを使用しないことから、破損し
難い信頼性の高いマルチチャネル光信号発生器となる。
すなわち、高出力半導体レーザを使用しないため、強大
な信号光によるスターカプラの破損防止がなくなる。ま
た、強大な信号光による半導体レーザとスターカプラ間
のゴミ付着に起因する酸化付着や融着が起きず、結合効
率の低下がなく、信頼性が高くなる。
Since the multi-channel optical signal generator of the first embodiment does not use a high-power semiconductor laser, it is a highly reliable multi-channel optical signal generator that is not easily damaged.
That is, since a high-power semiconductor laser is not used, damage to the star coupler due to strong signal light cannot be prevented. Further, oxidation adhesion and fusion due to dust adhesion between the semiconductor laser and the star coupler due to the strong signal light do not occur, the coupling efficiency does not decrease, and the reliability becomes high.

【0041】本実施例1のマルチチャネル光信号発生器
は、複数の半導体レーザを使用するが、単一の半導体レ
ーザ(駆動半導体レーザ)を半導体レーザ制御装置で制
御するだけであり、全ての半導体レーザを個別に駆動製
造するマルチチャネル光信号発生器に比較して部品点数
の低減から装置の小型化が図れる。
The multi-channel optical signal generator of the first embodiment uses a plurality of semiconductor lasers, but only a single semiconductor laser (driving semiconductor laser) is controlled by the semiconductor laser control device, and all semiconductors are controlled. Compared to a multi-channel optical signal generator that individually drives and manufactures lasers, the number of parts can be reduced and the device can be downsized.

【0042】本実施例1のマルチチャネル光信号発生器
は、複数の半導体レーザを使用するが、単一の半導体レ
ーザ(駆動半導体レーザ)を半導体レーザ制御装置で制
御するだけであり、全ての半導体レーザを個別に駆動製
造するマルチチャネル光信号発生器に比較して部品点数
の低減から装置の製造コストの低減が図れる。
Although the multi-channel optical signal generator of the first embodiment uses a plurality of semiconductor lasers, only a single semiconductor laser (driving semiconductor laser) is controlled by the semiconductor laser control device, and all semiconductors are controlled. Compared with a multi-channel optical signal generator that individually drives and manufactures lasers, the number of parts can be reduced, and the manufacturing cost of the device can be reduced.

【0043】(実施例2)図4は本発明による実施例2
のマルチチャネル光信号発生器の概略構成を示すブロッ
ク図である。
(Second Embodiment) FIG. 4 shows a second embodiment according to the present invention.
3 is a block diagram showing a schematic configuration of the multi-channel optical signal generator of FIG.

【0044】本実施例2のマルチチャネル光信号発生器
は、外部から単独で直接変調した駆動半導体レーザ(マ
スタ半導体レーザ)の光信号を複合共振器レーザ内に入
力して、並列した半導体レーザの光出力制御を行うよう
にしたものである。すなわち、本実施例2のマルチチャ
ネル光信号発生器は、1×N(N=5)スターカプラ2
と、前記スターカプラ2の一方(Nポート側)の入出力
端の一つに光アイソレータ25を介して光学的に接続さ
れるとともに直接変調されて前記スターカプラ2に光出
力を送り込む駆動半導体レーザ(マスタ半導体レーザ)
15と、前記スターカプラ2の一方(Nポート側)の残
りの入出力端に一方の光出力端面を光学的に接続する複
数の半導体レーザ10と、前記スターカプラ2の他方
(1ポート側)の入出力端に光学的に対面する外部ミラ
ー(鏡)11と、前記各々の半導体レーザ10の他方の
光出力端面Aに光学的に接続される図示しない光ファイ
バ(光信号出力ポート)とを有し、前記半導体レーザ1
0は直流電流で発振しきい値以下にバイアスされる構造
となっている。
In the multi-channel optical signal generator of the second embodiment, the optical signal of the driving semiconductor laser (master semiconductor laser), which is directly and independently modulated from the outside, is input into the compound resonator laser and the semiconductor lasers in parallel are connected. The light output is controlled. That is, the multi-channel optical signal generator according to the second embodiment includes a 1 × N (N = 5) star coupler 2.
And a driving semiconductor laser which is optically connected to one of the input / output terminals of one side (N port side) of the star coupler 2 through an optical isolator 25 and which is directly modulated to send an optical output to the star coupler 2. (Master semiconductor laser)
15, a plurality of semiconductor lasers 10 for optically connecting one optical output end face to the remaining input / output end of one of the star couplers 2 (N port side), and the other of the star couplers 2 (1 port side). And an optical fiber (optical signal output port) (not shown) optically connected to the other optical output end face A of each of the semiconductor lasers 10 Having the semiconductor laser 1
0 is a direct current, which is biased below the oscillation threshold.

【0045】本実施例2の場合は、外部から単独で直接
変調した駆動半導体レーザ(マスタ半導体レーザ)15
の光信号を複合共振器レーザ内に入力して、並列した半
導体レーザ10の光出力制御を行うようにしたものであ
る。本実施例2は前記実施例1と同様に半導体レーザ1
0のスターカプラ2に光学的に接続される面側の光出力
端面の反射率は反対側の光出力端面Aの反射率よりも低
く形成されている。
In the case of the second embodiment, the driving semiconductor laser (master semiconductor laser) 15 which is directly and independently modulated from the outside is used.
Is input to the compound resonator laser to control the optical output of the semiconductor lasers 10 in parallel. The second embodiment is similar to the first embodiment in that the semiconductor laser 1
The reflectance of the light output end face on the side optically connected to the star coupler 2 of 0 is formed lower than the reflectance of the light output end face A on the opposite side.

【0046】本実施例2のマルチチャネル光信号発生器
は、前記光アイソレータ25により、駆動半導体レーザ
(マスタ半導体レーザ)15への複合共振器レーザから
の光の戻りを抑止できるため、正確な変調が可能とな
る。
In the multi-channel optical signal generator of the second embodiment, the optical isolator 25 can suppress the return of the light from the compound resonator laser to the driving semiconductor laser (master semiconductor laser) 15, so that accurate modulation can be achieved. Is possible.

【0047】本実施例2のマルチチャネル光信号発生器
は、前記実施例1のマルチチャネル光信号発生器が有す
る効果に加えて、光で複合共振器レーザを駆動するた
め、駆動半導体レーザにおける駆動制御のための電気回
路の実装が不要となる効果を奏する。
In addition to the effect of the multi-channel optical signal generator of the first embodiment, the multi-channel optical signal generator of the second embodiment drives the compound resonator laser with light, so that the driving in the driving semiconductor laser is performed. The effect that the mounting of the electric circuit for control becomes unnecessary is produced.

【0048】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
As described above, the invention made by the present inventor is
Although the present invention has been specifically described based on the above-mentioned embodiments, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

【0049】たとえば、前記実施例においては、外部ミ
ラーとスターカプラ間,スターカプラと半導体レーザ間
を光ファイバで光学的に接続したが、光ファイバを使用
しないで、空間結合としても前記実施例同様な効果が得
られる。
For example, in the above embodiment, the external mirror and the star coupler and the star coupler and the semiconductor laser are optically connected by an optical fiber. However, the optical fiber is not used and the spatial coupling is the same as in the above embodiment. Can be obtained.

【0050】また、本発明を利用すれば、小型で低価格
となる信号遅延がない発振波長が同一の多チャンネル光
送信器や光ブースタ等を提供することができる。
Further, by using the present invention, it is possible to provide a multi-channel optical transmitter, an optical booster and the like which are small in size and low in cost and have the same oscillation wavelength with no signal delay.

【0051】[0051]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0052】(1)本発明のマルチチャネル光信号発生
技術によれば、一つの半導体レーザを変調させることに
よって、残りの複数の半導体レーザと外部ミラーで形成
される外部複合共振器を利用してレーザ発振させること
ができるので、各々の半導体レーザから波長が同一でか
つ位相が同期した光信号を同時に発振させることができ
る。
(1) According to the multi-channel optical signal generation technique of the present invention, by modulating one semiconductor laser, an external composite resonator formed by a plurality of remaining semiconductor lasers and an external mirror is utilized. Since laser oscillation can be performed, it is possible to simultaneously oscillate optical signals having the same wavelength and synchronized phases from the respective semiconductor lasers.

【0053】(2)本発明のマルチチャネル光信号発生
器は、高出力半導体レーザを使用しないので、強大な信
号光に起因するスターカプラの破損や半導体レーザとス
ターカプラ間のゴミ付着に起因する酸化付着や融着を防
止することができ、信頼性が高くなる。
(2) Since the multi-channel optical signal generator of the present invention does not use a high-power semiconductor laser, it causes damage to the star coupler due to a strong signal light and dust adhesion between the semiconductor laser and the star coupler. Oxidation adhesion and fusion can be prevented, and reliability is improved.

【0054】(3)本発明のマルチチャネル光信号発生
器は、複数の半導体レーザを使用するが、変調は単一の
半導体レーザのみで良く、多数の半導体レーザ制御装置
を必要としないことから、部品点数の低減から装置の小
型化や製造コストの低減が達成できる。
(3) The multi-channel optical signal generator of the present invention uses a plurality of semiconductor lasers, but modulation can be performed only by a single semiconductor laser and does not require a large number of semiconductor laser control devices. Since the number of parts is reduced, downsizing of the device and reduction of manufacturing cost can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による実施例1のマルチチャネル光信号
発生器の概略構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a multi-channel optical signal generator according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本実施例1のマルチチャネル光信号発生器にお
ける光信号の発生検証を行う光信号発生検証装置の概要
を示す模式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing an outline of an optical signal generation / verification device for performing optical signal generation verification in the multi-channel optical signal generator of the first embodiment.

【図3】本実施例1のマルチチャネル光信号発生器にお
ける光信号発生検証例によるスペクトラムを示す波形図
である。
FIG. 3 is a waveform diagram showing a spectrum according to an optical signal generation verification example in the multi-channel optical signal generator of the first embodiment.

【図4】本発明による実施例2のマルチチャネル光信号
発生器の概略構成を示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing a schematic configuration of a multi-channel optical signal generator according to a second embodiment of the present invention.

【図5】従来のマルチチャネル光信号発生器の一例を示
すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing an example of a conventional multi-channel optical signal generator.

【図6】従来のマルチチャネル光信号発生器の他の例を
示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing another example of a conventional multi-channel optical signal generator.

【図7】CSPレーザによるレーザ出力の実験的波形を
示す波形図である。
FIG. 7 is a waveform diagram showing an experimental waveform of laser output by a CSP laser.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…高出力半導体レーザ、2…多分岐型分岐結合器(ス
ターカプラ)、3…入力側光ファイバ、4…出力側光フ
ァイバ、5…半導体レーザ制御装置、6…信号発生器、
7…半導体レーザ、8…光信号(光出力)、10…半導
体レーザ、11…鏡(外部ミラー)、12,13…光フ
ァイバ、14…反射防止膜、15…駆動半導体レーザ
(マスタ半導体レーザ)、20…光スペクトラム・アナ
ライザ、21…光パワーメータ、25…光アイソレー
タ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... High output semiconductor laser, 2 ... Multi-branch type branch coupler (star coupler), 3 ... Input side optical fiber, 4 ... Output side optical fiber, 5 ... Semiconductor laser control device, 6 ... Signal generator,
7 ... Semiconductor laser, 8 ... Optical signal (optical output), 10 ... Semiconductor laser, 11 ... Mirror (external mirror), 12, 13 ... Optical fiber, 14 ... Antireflection film, 15 ... Driving semiconductor laser (master semiconductor laser) , 20 ... Optical spectrum analyzer, 21 ... Optical power meter, 25 ... Optical isolator.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H04B 10/02 (72)発明者 上西 祐司 東京都千代田区内幸町一丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 長岡 新二 東京都千代田区内幸町一丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 渡部 昭憲 東京都千代田区内幸町一丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication location H04B 10/02 (72) Inventor Yuji Uenishi 1-1-6 Uchiyuki-cho, Chiyoda-ku, Tokyo Nihon Telegraph and Telephone Corp. (72) Inventor Shinji Nagaoka 1-6, Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Japan Telegraph and Telephone Corp. (72) Inventor Akinori Watanabe 1-6, Uchiyuki-cho, Chiyoda-ku, Tokyo Japan Inside Telegraph and Telephone Corporation

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一方に複数の入出力端を有し、他方に1
つの入出力端を有する多分岐型分岐結合器と、前記多分
岐型分岐結合器の一方の各入出力端に一方の光出力端面
を介して光学的に接続される複数の同一構造のファブリ
ーペロー形の半導体レーザと、前記多分岐型分岐結合器
の他方の入出力端に光学的に対面して配置される鏡とを
有し、前記半導体レーザの一つは変調駆動されるととも
に、残りの半導体レーザは直流電流でバイアスされるこ
とを特徴とするマルチチャネル光信号発生器。
1. A plurality of input / output terminals are provided on one side, and one is provided on the other side.
A multi-branch type branch coupler having one input / output terminal, and a plurality of Fabry-Perots of the same structure optically connected to one input / output terminal of one of the multi-branch type branch couplers via one optical output end face. -Shaped semiconductor laser and a mirror arranged to face the other input / output end of the multi-branch branch coupler optically facing each other, one of the semiconductor lasers being driven by modulation and the other A multi-channel optical signal generator characterized in that the semiconductor laser is biased with a direct current.
【請求項2】 一方に複数の入出力端を有し、他方に1
つの入出力端を有する多分岐型分岐結合器と、前記多分
岐型分岐結合器の一方の入出力端の一つに光アイソレー
タを介して光学的に接続される駆動半導体レーザと、前
記多分岐型分岐結合器の一方の残りの各入出力端に一方
の光出力端面を介して光学的に接続される複数の同一構
造のファブリーペロー形の半導体レーザと、前記多分岐
型分岐結合器の他方の入出力端に光学的に対面して配置
される鏡とを有し、前記半導体レーザは直流電流でバイ
アスされるとともに、前記駆動半導体レーザは変調駆動
されることを特徴とするマルチチャネル光信号発生器。
2. A plurality of input / output terminals are provided on one side, and one is provided on the other side.
A multi-branch branch coupler having one input / output terminal, a driving semiconductor laser optically connected to one of the input / output terminals of the multi-branch branch coupler via an optical isolator, and the multi-branch A plurality of Fabry-Perot type semiconductor lasers of the same structure which are optically connected to the remaining input / output ends of one of the multi-branch couplers, and the other of the multi-branch couplers. And a mirror disposed optically facing each other at the input and output ends of the multi-channel optical signal, wherein the semiconductor laser is biased with a direct current and the driving semiconductor laser is modulation-driven. Generator.
【請求項3】 前記半導体レーザの多分岐型分岐結合器
に光学的に接続される面側の光出力端面の反射率は反対
側の光出力端面の反射率よりも低くなっていることを特
徴とする請求項1または請求項2記載のマルチチャネル
光信号発生器。
3. The reflectance of the light output end face on the side optically connected to the multi-branch branch coupler of the semiconductor laser is lower than the reflectance of the light output end face on the opposite side. The multi-channel optical signal generator according to claim 1 or 2.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004071694A (en) * 2002-08-02 2004-03-04 Nichia Chem Ind Ltd High power semiconductor laser device

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