JPH08167124A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH08167124A JPH08167124A JP6331085A JP33108594A JPH08167124A JP H08167124 A JPH08167124 A JP H08167124A JP 6331085 A JP6331085 A JP 6331085A JP 33108594 A JP33108594 A JP 33108594A JP H08167124 A JPH08167124 A JP H08167124A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドに
おいて、下部シールド層と主電極層との電気的絶縁性能
を向上させる。 【構成】 下部シールド層２の表面にアルミナの下部ギ
ャップ層１１が形成され、その上にＭＲ素子４と縦バイ
アス層９、および上部ギャップ層１２が形成されてい
る。磁気媒体との対向部では、下部シールド層２と上部
シールド層３との間にＭＲ素子４、縦バイアス層９、各
ギャップ層１１，１２が現れ、下部ギャツプ層１１と上
部ギャップ層１２とでギャップ長ＧＬが決められる。磁
気媒体との対向部以外では、主電極層５と下部シールド
層２との間に下部ギャップ層１１と上部ギャップ層１２
とが介在し、主電極層５は上部ギャップ層１２を貫通し
て縦バイアス層９に接続されている。主電極層５と下部
シールド層２との間に両ギャップ層１１と１２とが介在
し、主電極層５と下部シールド層２との電気絶縁性能が
向上する。
おいて、下部シールド層と主電極層との電気的絶縁性能
を向上させる。 【構成】 下部シールド層２の表面にアルミナの下部ギ
ャップ層１１が形成され、その上にＭＲ素子４と縦バイ
アス層９、および上部ギャップ層１２が形成されてい
る。磁気媒体との対向部では、下部シールド層２と上部
シールド層３との間にＭＲ素子４、縦バイアス層９、各
ギャップ層１１，１２が現れ、下部ギャツプ層１１と上
部ギャップ層１２とでギャップ長ＧＬが決められる。磁
気媒体との対向部以外では、主電極層５と下部シールド
層２との間に下部ギャップ層１１と上部ギャップ層１２
とが介在し、主電極層５は上部ギャップ層１２を貫通し
て縦バイアス層９に接続されている。主電極層５と下部
シールド層２との間に両ギャップ層１１と１２とが介在
し、主電極層５と下部シールド層２との電気絶縁性能が
向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば浮上式磁気ヘッ
ドの磁気読取り部などに設置される磁気抵抗効果素子を
使用した薄膜磁気ヘッドに係り、特に主電極層とシール
ド層との間の絶縁性能を高くした薄膜磁気ヘッドに関す
る。
ドの磁気読取り部などに設置される磁気抵抗効果素子を
使用した薄膜磁気ヘッドに係り、特に主電極層とシール
ド層との間の絶縁性能を高くした薄膜磁気ヘッドに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図６は、ハードディスク装置などに用い
られる浮上式磁気ヘッドのトレーリング側端部を拡大し
た断面図である。符号１は浮上式磁気ヘッドのスライダ
であり、図示右側がハードディスクなどの磁気媒体との
対向面（ＡＢＳ面）１ａであり、ハードディスクなどの
磁気媒体の走行方向はＺ方向である。このスライダ１の
トレーリング側端面１ｂに、薄膜磁気ヘッドＨが積層さ
れている。この薄膜磁気ヘッドＨは、再生ヘッド層Ｈ１
と記録ヘッド層Ｈ２とが積層されたものである。
られる浮上式磁気ヘッドのトレーリング側端部を拡大し
た断面図である。符号１は浮上式磁気ヘッドのスライダ
であり、図示右側がハードディスクなどの磁気媒体との
対向面（ＡＢＳ面）１ａであり、ハードディスクなどの
磁気媒体の走行方向はＺ方向である。このスライダ１の
トレーリング側端面１ｂに、薄膜磁気ヘッドＨが積層さ
れている。この薄膜磁気ヘッドＨは、再生ヘッド層Ｈ１
と記録ヘッド層Ｈ２とが積層されたものである。
【０００３】再生ヘッド層Ｈ１は、センダスト（Ｆｅ−
Ａｌ−Ｓｉ系合金）またはパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合
金）などの下部シールド層２と上部シールド層３との間
に、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）４および主電極層５
などが形成されている。この再生ヘッド層Ｈ１のギャッ
プ長をＧＬで示している。また、薄膜磁気ヘッドＨの後
方（Ｂ部）では、主電極層５に電極引出し層６が接続さ
れている。記録ヘッド層Ｈ２では、上部シールド層３の
上方に上部コア層７が形成され、上部シールド層３と上
部コア層７との接続部７ａをほぼ中心として平面状に螺
旋形成されたコイル層８が設けられてインダクティブ型
の磁気ヘッドが構成されている。この記録ヘッド層Ｈ２
のギャップ長をＧＬｗで示している。
Ａｌ−Ｓｉ系合金）またはパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合
金）などの下部シールド層２と上部シールド層３との間
に、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）４および主電極層５
などが形成されている。この再生ヘッド層Ｈ１のギャッ
プ長をＧＬで示している。また、薄膜磁気ヘッドＨの後
方（Ｂ部）では、主電極層５に電極引出し層６が接続さ
れている。記録ヘッド層Ｈ２では、上部シールド層３の
上方に上部コア層７が形成され、上部シールド層３と上
部コア層７との接続部７ａをほぼ中心として平面状に螺
旋形成されたコイル層８が設けられてインダクティブ型
の磁気ヘッドが構成されている。この記録ヘッド層Ｈ２
のギャップ長をＧＬｗで示している。
【０００４】図７は、図６に示した再生ヘッド層Ｈ１の
部分の拡大断面図であり、図示右側に図６のＡ部を、図
示左側にＢ部をそれぞれ示している。また、図８と図９
は、再生ヘッド層Ｈ１を磁気媒体の対向部側（Ｙ方向）
から見た拡大図である。図８と図９は、磁気抵抗効果素
子（ＭＲ素子）４に与える縦バイアス磁界の付与方法が
相違したものを示しており、図８がハードバイアス方
式、図９がエクスチェンジバイアス方式である。
部分の拡大断面図であり、図示右側に図６のＡ部を、図
示左側にＢ部をそれぞれ示している。また、図８と図９
は、再生ヘッド層Ｈ１を磁気媒体の対向部側（Ｙ方向）
から見た拡大図である。図８と図９は、磁気抵抗効果素
子（ＭＲ素子）４に与える縦バイアス磁界の付与方法が
相違したものを示しており、図８がハードバイアス方
式、図９がエクスチェンジバイアス方式である。
【０００５】図７に示すように、Ａ部においては、セン
ダストなどの下部シールド層２の表面にアルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）などの電気絶縁材料により形成された下部ギャッ
プ層１１が形成され、この下部ギャップ層１１上に前記
磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）４および縦バイアス層９
が形成されている。主電極層５は縦バイアス層９の上に
接続されて、縦バイアス層９を介してＭＲ素子４に検出
電流が与えられる。ＭＲ素子４および縦バイアス層９が
形成されていない領域では、主電極層５が下部ギャップ
層１１の上に積層されている。ＭＲ素子４および縦バイ
アス層９さらには主電極層５の上に、アルミナなどの電
気絶縁材料による上部ギャップ層１２が形成されてい
る。
ダストなどの下部シールド層２の表面にアルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）などの電気絶縁材料により形成された下部ギャッ
プ層１１が形成され、この下部ギャップ層１１上に前記
磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）４および縦バイアス層９
が形成されている。主電極層５は縦バイアス層９の上に
接続されて、縦バイアス層９を介してＭＲ素子４に検出
電流が与えられる。ＭＲ素子４および縦バイアス層９が
形成されていない領域では、主電極層５が下部ギャップ
層１１の上に積層されている。ＭＲ素子４および縦バイ
アス層９さらには主電極層５の上に、アルミナなどの電
気絶縁材料による上部ギャップ層１２が形成されてい
る。
【０００６】磁気媒体との対向部（ＡＢＳ面）以外の部
分では、上部ギャップ層１２の上に有機絶縁層１３が形
成されて、上部シールド層３の下地形成面が平滑化され
ている。この有機絶縁層１３および上部ギャップ層１２
上に上部シールド層３が形成されている。図７に示すよ
うに、上部シールド層３は、先にパーマロイなどの下地
膜３ａがスパッタ成膜され、下地膜３ａの上にパーマロ
イなどがめっき形成される。
分では、上部ギャップ層１２の上に有機絶縁層１３が形
成されて、上部シールド層３の下地形成面が平滑化され
ている。この有機絶縁層１３および上部ギャップ層１２
上に上部シールド層３が形成されている。図７に示すよ
うに、上部シールド層３は、先にパーマロイなどの下地
膜３ａがスパッタ成膜され、下地膜３ａの上にパーマロ
イなどがめっき形成される。
【０００７】図６に示すように、上部シールド層３の範
囲は、記録ヘッド層Ｈ２のコイル層８の形成領域に限ら
れているが、主電極層５は図示左方向へ長く延びてい
る。そして、Ｂ部にて、主電極層５に電極引出し層６が
接続されている。この電極引出し層６は導電性材料によ
り形成されるが、例えば上部シールド層３と同じパーマ
ロイなどが導電性材料として使用される。この電極引出
し層６は、先にパーマロイなどの下地膜６ａがスパッタ
にて成膜され、その上にめっき形成される。
囲は、記録ヘッド層Ｈ２のコイル層８の形成領域に限ら
れているが、主電極層５は図示左方向へ長く延びてい
る。そして、Ｂ部にて、主電極層５に電極引出し層６が
接続されている。この電極引出し層６は導電性材料によ
り形成されるが、例えば上部シールド層３と同じパーマ
ロイなどが導電性材料として使用される。この電極引出
し層６は、先にパーマロイなどの下地膜６ａがスパッタ
にて成膜され、その上にめっき形成される。
【０００８】図８と図９に示すように、ＭＲ素子４は図
示下側から順に、軟磁性層（ＳＡＬ層）４ａ、非磁性材
料層（ＳＨＵＮＴ層）４ｂ、磁気抵抗効果を有する磁気
抵抗薄膜（ＭＲ薄膜）４ｃが積層された三層構造であ
る。ＳＡＬ層４ａ、ＳＨＵＮＴ層４ｂ、ＭＲ薄膜４ｃ
は、それぞれ、Ｆｅ−Ｎｉ系合金またはＣｏ−Ｚｒ−Ｍ
ｏ系合金、Ｔａ、Ｆｅ−Ｎｉ系合金により形成されてい
る。図８に示すハードバイアス方式では、縦バイアス層
９，９がハードバイアス層であり、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系
合金などを主体とするものである。図９に示すエクスチ
ェンジバイアス方式では、縦バイアス層９，９がＦｅ−
Ｍｎ系合金などにより形成された反強磁性層（アンチフ
ェロー層）となる。また図８と図９において、トラック
幅はそれぞれＴｗで示されている。
示下側から順に、軟磁性層（ＳＡＬ層）４ａ、非磁性材
料層（ＳＨＵＮＴ層）４ｂ、磁気抵抗効果を有する磁気
抵抗薄膜（ＭＲ薄膜）４ｃが積層された三層構造であ
る。ＳＡＬ層４ａ、ＳＨＵＮＴ層４ｂ、ＭＲ薄膜４ｃ
は、それぞれ、Ｆｅ−Ｎｉ系合金またはＣｏ−Ｚｒ−Ｍ
ｏ系合金、Ｔａ、Ｆｅ−Ｎｉ系合金により形成されてい
る。図８に示すハードバイアス方式では、縦バイアス層
９，９がハードバイアス層であり、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系
合金などを主体とするものである。図９に示すエクスチ
ェンジバイアス方式では、縦バイアス層９，９がＦｅ−
Ｍｎ系合金などにより形成された反強磁性層（アンチフ
ェロー層）となる。また図８と図９において、トラック
幅はそれぞれＴｗで示されている。
【０００９】図８と図９に示すように、磁気媒体との対
向面（ＡＢＳ面）では、下部シールド層２、下部ギャッ
プ層１１、ＭＲ素子４および縦バイアス層９、上部ギャ
ップ層１２および上部シールド層３（下地膜３ａを含
む）が現れている。この再生ヘッドＨ１のギャップ長Ｇ
Ｌは、ＭＲ素子４が設けられている部分での下部シール
ド層２と上部シールド層３との間隔寸法により決められ
る。また通常は、ＭＲ薄膜４ｃの中心と下部シールド層
２との間隔Ｇ１と、ＭＲ薄膜４ｃの中心と上部シールド
層３との間隔Ｇ２が等しくなる。
向面（ＡＢＳ面）では、下部シールド層２、下部ギャッ
プ層１１、ＭＲ素子４および縦バイアス層９、上部ギャ
ップ層１２および上部シールド層３（下地膜３ａを含
む）が現れている。この再生ヘッドＨ１のギャップ長Ｇ
Ｌは、ＭＲ素子４が設けられている部分での下部シール
ド層２と上部シールド層３との間隔寸法により決められ
る。また通常は、ＭＲ薄膜４ｃの中心と下部シールド層
２との間隔Ｇ１と、ＭＲ薄膜４ｃの中心と上部シールド
層３との間隔Ｇ２が等しくなる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、下部ギ
ャップ層１１と上部ギャップ層１２は、再生ヘッド層Ｈ
１のギャップ長ＧＬを決定するものであるため、図８と
図９に示す磁気媒体との対向部では、下部ギャップ層１
１と上部ギャップ層１２とがＭＲ素子４および縦バイア
ス層９を挟むように形成されることが必要である。その
ためＭＲ素子４と縦バイアス層９とが形成されていない
領域では、下部ギャップ層１１と上部ギャップ層１２と
で主電極層５が挟まれる構造とならざるをえない。
ャップ層１１と上部ギャップ層１２は、再生ヘッド層Ｈ
１のギャップ長ＧＬを決定するものであるため、図８と
図９に示す磁気媒体との対向部では、下部ギャップ層１
１と上部ギャップ層１２とがＭＲ素子４および縦バイア
ス層９を挟むように形成されることが必要である。その
ためＭＲ素子４と縦バイアス層９とが形成されていない
領域では、下部ギャップ層１１と上部ギャップ層１２と
で主電極層５が挟まれる構造とならざるをえない。
【００１１】また、検出電流は主電極層５から縦バイア
ス層９を介してＭＲ素子４に与えられ、この検出電流に
基づいて磁気媒体からの再生出力を得るため、主電極層
５は外部磁界から磁気シールドされ、また電気的に絶縁
されていることが必要である。この磁気シールドについ
ては、下部シールド層２と上部シールド層３とがその効
果を発揮する。
ス層９を介してＭＲ素子４に与えられ、この検出電流に
基づいて磁気媒体からの再生出力を得るため、主電極層
５は外部磁界から磁気シールドされ、また電気的に絶縁
されていることが必要である。この磁気シールドについ
ては、下部シールド層２と上部シールド層３とがその効
果を発揮する。
【００１２】一方、電気絶縁に関してであるが、主電極
層５の上層側では、上部ギャップ層１２と有機絶縁層１
３とが形成されているため、主電極層５と上部シールド
層３との間での電気絶縁は充分に確保できる。しかし、
主電極層５と下部シールド層２との間には前記下部ギャ
ップ層１１が１層設けられているだけである。図６に示
すように、実際の磁気ヘッドでは、ＭＲ素子４や縦バイ
アス層９は微小なものであり、これに比較して主電極層
５の形成面積は非常に広いものとなる。この広い領域に
形成される主電極層５と下部シールド層２との間に下部
ギャップ層１１のみが形成されていることになるため、
再生ヘッド層Ｈ１の全体の中で電気絶縁の不良が最も生
じやすいのが、主電極層５と下部シールド層２との対面
部分となる。
層５の上層側では、上部ギャップ層１２と有機絶縁層１
３とが形成されているため、主電極層５と上部シールド
層３との間での電気絶縁は充分に確保できる。しかし、
主電極層５と下部シールド層２との間には前記下部ギャ
ップ層１１が１層設けられているだけである。図６に示
すように、実際の磁気ヘッドでは、ＭＲ素子４や縦バイ
アス層９は微小なものであり、これに比較して主電極層
５の形成面積は非常に広いものとなる。この広い領域に
形成される主電極層５と下部シールド層２との間に下部
ギャップ層１１のみが形成されていることになるため、
再生ヘッド層Ｈ１の全体の中で電気絶縁の不良が最も生
じやすいのが、主電極層５と下部シールド層２との対面
部分となる。
【００１３】下部ギャップ層１１の膜厚ｄ１を自由に厚
くできるのであれば上記の主電極層５と下部シールド層
２との電気絶縁に問題は生じない。しかし下部ギャップ
層１１の膜厚ｄ１と上部ギャップ層１２の膜厚ｄ２は、
ギャップ長ＧＬ（Ｇ１とＧ２）により決められるものと
なっている。最近では磁気媒体の記録信号の高密度化が
進められ、要求されるギャップ長ＧＬは年々短くなって
きており、例えばハードディスクを６００〜７００メガ
バイトの高容量にするためにはギャップ長ＧＬが０．２
５μｍ程度の微小な寸法となる。またギャップ長ＧＬが
短くなるに伴って各ギャップ層１１，１２の膜厚ｄ１と
ｄ２も必然的に薄くなる。
くできるのであれば上記の主電極層５と下部シールド層
２との電気絶縁に問題は生じない。しかし下部ギャップ
層１１の膜厚ｄ１と上部ギャップ層１２の膜厚ｄ２は、
ギャップ長ＧＬ（Ｇ１とＧ２）により決められるものと
なっている。最近では磁気媒体の記録信号の高密度化が
進められ、要求されるギャップ長ＧＬは年々短くなって
きており、例えばハードディスクを６００〜７００メガ
バイトの高容量にするためにはギャップ長ＧＬが０．２
５μｍ程度の微小な寸法となる。またギャップ長ＧＬが
短くなるに伴って各ギャップ層１１，１２の膜厚ｄ１と
ｄ２も必然的に薄くなる。
【００１４】このように非常に薄い膜となる下部ギャッ
プ層１１のみで、主電極層５と下部シールド層２とを、
広い面積において確実に電気絶縁するのはきわめて困難
である。また従来は、下部シールド層２がセンダストな
どで形成されているが、センダストなどの材料はスパッ
タで成膜したときの表面粗さがかなり大きいものとな
る。このように表面の平滑性に劣る下部シールド層２の
表面にきわめて薄い膜厚ｄ１の下部ギャップ層１１が形
成されると、下部ギャップ層１１にピンホールなどが形
成されやすくなり、下部ギャップ層１１による、主電極
層５と下部シールド層２との間の電気絶縁の信頼性が低
下し、不良率が高くなる。
プ層１１のみで、主電極層５と下部シールド層２とを、
広い面積において確実に電気絶縁するのはきわめて困難
である。また従来は、下部シールド層２がセンダストな
どで形成されているが、センダストなどの材料はスパッ
タで成膜したときの表面粗さがかなり大きいものとな
る。このように表面の平滑性に劣る下部シールド層２の
表面にきわめて薄い膜厚ｄ１の下部ギャップ層１１が形
成されると、下部ギャップ層１１にピンホールなどが形
成されやすくなり、下部ギャップ層１１による、主電極
層５と下部シールド層２との間の電気絶縁の信頼性が低
下し、不良率が高くなる。
【００１５】また図７に示すＢ部では、電極引出し層６
と主電極層５とが接続されることになるが、従来の層構
造では主電極層５の上に上部ギャップ層１２が位置して
いる。下部ギャップ層１１と上部ギャップ層１２は、磁
気媒体との対向部に露出するものであるため、アルミナ
などの硬い材料により形成される。したがってＢ部にお
いて電極引出し層６と主電極層５とを接続するために、
硬い材料の上部ギャップ層１２をイオンミーリングなど
により部分的に除去しなくてはならない。このイオンミ
ーリングにより、主電極層５に確実に到達し、また主電
極層５を除去しすぎないように穴を形成することが必要
であるため、加工作業が難しいものとなる。
と主電極層５とが接続されることになるが、従来の層構
造では主電極層５の上に上部ギャップ層１２が位置して
いる。下部ギャップ層１１と上部ギャップ層１２は、磁
気媒体との対向部に露出するものであるため、アルミナ
などの硬い材料により形成される。したがってＢ部にお
いて電極引出し層６と主電極層５とを接続するために、
硬い材料の上部ギャップ層１２をイオンミーリングなど
により部分的に除去しなくてはならない。このイオンミ
ーリングにより、主電極層５に確実に到達し、また主電
極層５を除去しすぎないように穴を形成することが必要
であるため、加工作業が難しいものとなる。
【００１６】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
であり、ギャップ長が短くなっても電極層と下部シール
ド層を確実に電気絶縁できる構造の薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的としている。
であり、ギャップ長が短くなっても電極層と下部シール
ド層を確実に電気絶縁できる構造の薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的としている。
【００１７】また本発明は、電極引出し層と主電極層と
の接続部を容易に形成できるようにすることを目的とし
ている。
の接続部を容易に形成できるようにすることを目的とし
ている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、下部シールド層と、上部シールド層と、磁気抵抗効
果を有する薄膜を含んだ磁気抵抗効果素子と、前記薄膜
にバイアス磁界を与えるバイアス層と、磁気抵抗効果素
子に検出電流を与える主電極層と、磁気媒体との対向部
にて前記磁気抵抗効果素子と下部シールド層との間に現
れる下部ギャップ層と、磁気媒体との対向部にて磁気抵
抗効果素子と上部シールド層との間に現れる上部ギャッ
プ層とを有し、前記下部ギャップ層と上部ギャップ層と
が主電極層と下部シールド層との間に形成され、上部ギ
ャップ層を貫通して前記主電極層と前記磁気抵抗効果素
子とが電気的に導通されていることを特徴とするもので
ある。
は、下部シールド層と、上部シールド層と、磁気抵抗効
果を有する薄膜を含んだ磁気抵抗効果素子と、前記薄膜
にバイアス磁界を与えるバイアス層と、磁気抵抗効果素
子に検出電流を与える主電極層と、磁気媒体との対向部
にて前記磁気抵抗効果素子と下部シールド層との間に現
れる下部ギャップ層と、磁気媒体との対向部にて磁気抵
抗効果素子と上部シールド層との間に現れる上部ギャッ
プ層とを有し、前記下部ギャップ層と上部ギャップ層と
が主電極層と下部シールド層との間に形成され、上部ギ
ャップ層を貫通して前記主電極層と前記磁気抵抗効果素
子とが電気的に導通されていることを特徴とするもので
ある。
【００１９】上記において、バイアス層は、磁気抵抗効
果素子内の磁気抵抗薄膜に縦バイアス磁界を与えるもの
であり、例えばハードバイアス層またはエクスチェンジ
バイアス層などである。また主電極層は上部ギャップ層
を貫通してバイアス層またはバイアス層に積層された導
電層に接続され、主電極層がバイアス層または前記導電
層を介して磁気抵抗効果素子と電気的に導通される。
果素子内の磁気抵抗薄膜に縦バイアス磁界を与えるもの
であり、例えばハードバイアス層またはエクスチェンジ
バイアス層などである。また主電極層は上部ギャップ層
を貫通してバイアス層またはバイアス層に積層された導
電層に接続され、主電極層がバイアス層または前記導電
層を介して磁気抵抗効果素子と電気的に導通される。
【００２０】また、上記において、下部シールド層の表
面の平滑度を確保する点において、下部シールド層を鉄
系微結晶材料により形成することが好ましい。
面の平滑度を確保する点において、下部シールド層を鉄
系微結晶材料により形成することが好ましい。
【００２１】また、主電極層の上に有機絶縁層を形成
し、有機絶縁層の上に形成された電極引出し層が、この
有機絶縁層を貫通して主電極層に接続される構造とする
ことが好ましい。さらに好ましくは、この有機絶縁層が
感光性絶縁材料により形成される。
し、有機絶縁層の上に形成された電極引出し層が、この
有機絶縁層を貫通して主電極層に接続される構造とする
ことが好ましい。さらに好ましくは、この有機絶縁層が
感光性絶縁材料により形成される。
【００２２】
【作用】上記手段では、記録媒体との対向部では、下部
ギャップ層と上部ギャップ層とが磁気抵抗効果素子を挟
む位置に現れ、両ギャップ層の厚さがギャップ長ＧＬを
決める要因となる。磁気抵抗効果素子とバイアス層が形
成されていない領域では、下部シールド層上に下部ギャ
ップ層と上部ギャップ層とが重ねて形成されたものとな
り、その上に主電極層が形成されている。したがって、
下部シールド層と主電極層との間では、下部ギャップ層
と上部ギャップ層の少なくとも２層が介在することにな
り、例えば、前記ギャップ長ＧＬが短くなって、各ギャ
ップ層の膜厚寸法が小さくなっても、下部シールド層と
主電極層との間隔を従来よりも広くでき、主電極と下部
シールド層との電気絶縁の信頼性を高めることができ
る。また、主電極層は上部ギャップ層の上に形成される
が、磁気抵抗効果素子が設けられている部分において、
主電極層は上部ギャップ層を貫通してバイアス層に接続
されるなどし、主電極層と磁気抵抗効果素子層とが電気
的に導通される。
ギャップ層と上部ギャップ層とが磁気抵抗効果素子を挟
む位置に現れ、両ギャップ層の厚さがギャップ長ＧＬを
決める要因となる。磁気抵抗効果素子とバイアス層が形
成されていない領域では、下部シールド層上に下部ギャ
ップ層と上部ギャップ層とが重ねて形成されたものとな
り、その上に主電極層が形成されている。したがって、
下部シールド層と主電極層との間では、下部ギャップ層
と上部ギャップ層の少なくとも２層が介在することにな
り、例えば、前記ギャップ長ＧＬが短くなって、各ギャ
ップ層の膜厚寸法が小さくなっても、下部シールド層と
主電極層との間隔を従来よりも広くでき、主電極と下部
シールド層との電気絶縁の信頼性を高めることができ
る。また、主電極層は上部ギャップ層の上に形成される
が、磁気抵抗効果素子が設けられている部分において、
主電極層は上部ギャップ層を貫通してバイアス層に接続
されるなどし、主電極層と磁気抵抗効果素子層とが電気
的に導通される。
【００２３】また、主電極層と上部シールド層との間は
有機材料などにより形成された絶縁層により電気的に絶
縁される。すなわち、磁気媒体の対向部では上部ギャッ
プ層と上部シールド層が接触しているが、膜内方では、
主電極層と上部シールド層とが絶縁層により電気絶縁さ
れている。この絶縁層により絶縁されている領域におい
て、主電極層が、上部ギャップ層を貫通してバイアス層
などに接続されることになる。
有機材料などにより形成された絶縁層により電気的に絶
縁される。すなわち、磁気媒体の対向部では上部ギャッ
プ層と上部シールド層が接触しているが、膜内方では、
主電極層と上部シールド層とが絶縁層により電気絶縁さ
れている。この絶縁層により絶縁されている領域におい
て、主電極層が、上部ギャップ層を貫通してバイアス層
などに接続されることになる。
【００２４】また、下部シールド層を、例えばＦｅ−Ｔ
ａ−Ｃ系などの鉄系微結晶材料により形成すると、下部
シールド層の表面を平滑化でき、この上に形成される下
部ギャップ層のピンホールが生じにくくなって、主電極
層と下部シールド層との電気絶縁の信頼性をさらに高め
ることができる。
ａ−Ｃ系などの鉄系微結晶材料により形成すると、下部
シールド層の表面を平滑化でき、この上に形成される下
部ギャップ層のピンホールが生じにくくなって、主電極
層と下部シールド層との電気絶縁の信頼性をさらに高め
ることができる。
【００２５】また電極引出し層が設けられる部分では、
主電極層の上に有機絶縁材料などの絶縁層が設けられる
構造となるため、この絶縁層を介して、電極引出し層を
主電極層に容易に接続させることができる。例えばこの
絶縁層を形成する有機材料が感光性材料の場合には、露
光および現像工程により絶縁層に穴を形成することがで
き、この穴を介して電極引出し層と主電極層とを接続さ
れることが可能になる。
主電極層の上に有機絶縁材料などの絶縁層が設けられる
構造となるため、この絶縁層を介して、電極引出し層を
主電極層に容易に接続させることができる。例えばこの
絶縁層を形成する有機材料が感光性材料の場合には、露
光および現像工程により絶縁層に穴を形成することがで
き、この穴を介して電極引出し層と主電極層とを接続さ
れることが可能になる。
【００２６】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は本
発明の薄膜磁気ヘッドを示すものであり図６でのＡ部の
拡大断面図、図２は薄膜磁気ヘッドのＡ部での断面と磁
気媒体との対向部とを示す斜視図である。なお図１は図
２のＩ−Ｉ線の断面図である。図３は薄膜磁気ヘッドを
構成する磁気抵抗効果素子と縦バイアス層と主電極層の
みを示す斜視図、図４は薄膜磁気ヘッドの図６でのＢ部
の拡大断面図である。薄膜磁気ヘッドＨの全体の構造は
図６に示した通りであり、浮上式磁気ヘッドのスライダ
１のＡＢＳ面１ａがハードディスクなどの磁気媒体に対
向する。磁気媒体の走行方向はＺ方向である。図１と図
２は再生ヘッド層Ｈ１の構造を示しているが、図１では
磁気媒体との対向面が図示右側であり、図２では磁気媒
体との対向面が図示斜め左に現れている。
発明の薄膜磁気ヘッドを示すものであり図６でのＡ部の
拡大断面図、図２は薄膜磁気ヘッドのＡ部での断面と磁
気媒体との対向部とを示す斜視図である。なお図１は図
２のＩ−Ｉ線の断面図である。図３は薄膜磁気ヘッドを
構成する磁気抵抗効果素子と縦バイアス層と主電極層の
みを示す斜視図、図４は薄膜磁気ヘッドの図６でのＢ部
の拡大断面図である。薄膜磁気ヘッドＨの全体の構造は
図６に示した通りであり、浮上式磁気ヘッドのスライダ
１のＡＢＳ面１ａがハードディスクなどの磁気媒体に対
向する。磁気媒体の走行方向はＺ方向である。図１と図
２は再生ヘッド層Ｈ１の構造を示しているが、図１では
磁気媒体との対向面が図示右側であり、図２では磁気媒
体との対向面が図示斜め左に現れている。
【００２７】スライダ１のトレーリング側端面１ｂには
下部シールド層２が形成されている。この実施例では、
下部シールド層２が鉄系微結晶材料により形成されてい
る。この微結晶材料は、例えばＦｅ（鉄）、タンタル
（Ｔａ）、炭素（Ｃ）などを主成分としたものであり、
高周波スパッタ装置などによりスライダ１のトレーリン
グ側面１ｂに非晶質薄膜を形成し、アニールして得られ
たものである。この鉄系微結晶材料は成膜表面の面粗さ
が微小で平滑な面が得られる。
下部シールド層２が形成されている。この実施例では、
下部シールド層２が鉄系微結晶材料により形成されてい
る。この微結晶材料は、例えばＦｅ（鉄）、タンタル
（Ｔａ）、炭素（Ｃ）などを主成分としたものであり、
高周波スパッタ装置などによりスライダ１のトレーリン
グ側面１ｂに非晶質薄膜を形成し、アニールして得られ
たものである。この鉄系微結晶材料は成膜表面の面粗さ
が微小で平滑な面が得られる。
【００２８】下部シールド層２の上記の平滑な表面に、
下部ギャップ層１１が形成される。下部ギャップ層１１
は、磁気絶縁および電気絶縁性のものであり、例えばア
ルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などにより形成される。図１に示す
ように磁気媒体との対向部（Ａ部）では、下部ギャップ
層１１の上に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）４が積層さ
れ、ＭＲ素子４の両側に縦バイアス層９が積層される。
図８と図９に示したように、ＭＲ素子４は三層構造であ
り、下からＦｅ−Ｎｉ（鉄−ニッケル）系合金またはＣ
ｏ−Ｚｒ−Ｍｏ（コバルト−ジルコニウム−モリブデ
ン）系合金などによる軟磁性層（ＳＡＬ層）４ａ、Ｔａ
（タンタル）などの非磁性材料層（ＳＨＵＮＴ層）４
ｂ、磁気抵抗効果を発揮するＦｅ−Ｎｉ系合金（パーマ
ロイ）などの磁気抵抗薄膜（ＭＲ薄膜）４ｃが積層され
たものである。
下部ギャップ層１１が形成される。下部ギャップ層１１
は、磁気絶縁および電気絶縁性のものであり、例えばア
ルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などにより形成される。図１に示す
ように磁気媒体との対向部（Ａ部）では、下部ギャップ
層１１の上に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）４が積層さ
れ、ＭＲ素子４の両側に縦バイアス層９が積層される。
図８と図９に示したように、ＭＲ素子４は三層構造であ
り、下からＦｅ−Ｎｉ（鉄−ニッケル）系合金またはＣ
ｏ−Ｚｒ−Ｍｏ（コバルト−ジルコニウム−モリブデ
ン）系合金などによる軟磁性層（ＳＡＬ層）４ａ、Ｔａ
（タンタル）などの非磁性材料層（ＳＨＵＮＴ層）４
ｂ、磁気抵抗効果を発揮するＦｅ−Ｎｉ系合金（パーマ
ロイ）などの磁気抵抗薄膜（ＭＲ薄膜）４ｃが積層され
たものである。
【００２９】縦バイアス層９は、ＭＲ素子４の両側に配
置されたものである。図８に示すハードバイアス方式で
は、縦バイアス層９がハードバイアス層でありＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ（コバルト−クロム−タンタル）系合金などに
より形成されている。図９に示すエクスチェンジバイア
ス方式では、縦バイアス層９がＦｅ−Ｍｎ（鉄−マンガ
ン）系合金などの反強磁性層である。
置されたものである。図８に示すハードバイアス方式で
は、縦バイアス層９がハードバイアス層でありＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ（コバルト−クロム−タンタル）系合金などに
より形成されている。図９に示すエクスチェンジバイア
ス方式では、縦バイアス層９がＦｅ−Ｍｎ（鉄−マンガ
ン）系合金などの反強磁性層である。
【００３０】図１と図２に示すように、この実施例で
は、上記ＭＲ素子４と縦バイアス層９の上に上部ギャッ
プ層１２が形成されている。この上部ギャップ層１２は
下部ギャップ層１１と同じ材料、例えばアルミナにより
成膜されている。そしてこの上部ギャップ層１２の上に
主電極層５が積層されている。主電極層５はＣｕ（銅）
またはＷ（タングステン）などの電気抵抗の小さい導電
性材料により形成されている。
は、上記ＭＲ素子４と縦バイアス層９の上に上部ギャッ
プ層１２が形成されている。この上部ギャップ層１２は
下部ギャップ層１１と同じ材料、例えばアルミナにより
成膜されている。そしてこの上部ギャップ層１２の上に
主電極層５が積層されている。主電極層５はＣｕ（銅）
またはＷ（タングステン）などの電気抵抗の小さい導電
性材料により形成されている。
【００３１】図１にて（イ）で示す導通部において、上
部ギャップ層１２にはイオンミーリングなどによるエッ
チング孔１２ａが形成されており、主電極層５はこのエ
ッチング孔１２ａ内を貫通して縦バイアス層９に接続さ
れている。縦バイアス層９がハードバイアス層の場合に
はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金の上にＣｒ層やＴａ層が形成
され、エクスチェンジバイアス層の場合には、Ｆｅ−Ｍ
ｎ系合金の上にＴａ層やＷ（タングステン）層が形成さ
れており、主電極層５に流れる検出電流は縦バイアス層
の前記各材料層を経てＭＲ素子４に与えられる。
部ギャップ層１２にはイオンミーリングなどによるエッ
チング孔１２ａが形成されており、主電極層５はこのエ
ッチング孔１２ａ内を貫通して縦バイアス層９に接続さ
れている。縦バイアス層９がハードバイアス層の場合に
はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金の上にＣｒ層やＴａ層が形成
され、エクスチェンジバイアス層の場合には、Ｆｅ−Ｍ
ｎ系合金の上にＴａ層やＷ（タングステン）層が形成さ
れており、主電極層５に流れる検出電流は縦バイアス層
の前記各材料層を経てＭＲ素子４に与えられる。
【００３２】主電極層５の上には有機絶縁層１３が形成
される。この有機絶縁層１３は有機絶縁材料により形成
されるものであり、この実施例では、レジスト材料とし
て使用されるノボラック樹脂または感光性ポリイミド樹
脂などの感光性材料である。この有機絶縁層１３は、Ａ
ＢＳ面１ａに露出しない部分で、しかも主電極層５の形
成領域のほとんどを覆うことができる範囲に形成されて
いる。有機絶縁層１３はスピンコート法などによりコー
ティングして焼成したものであり、その上面は平滑面で
ある。すなわち有機絶縁層１３はボリューム層と称され
るものであり、この有機絶縁層１３によりこれより下層
の凹凸が修正される。
される。この有機絶縁層１３は有機絶縁材料により形成
されるものであり、この実施例では、レジスト材料とし
て使用されるノボラック樹脂または感光性ポリイミド樹
脂などの感光性材料である。この有機絶縁層１３は、Ａ
ＢＳ面１ａに露出しない部分で、しかも主電極層５の形
成領域のほとんどを覆うことができる範囲に形成されて
いる。有機絶縁層１３はスピンコート法などによりコー
ティングして焼成したものであり、その上面は平滑面で
ある。すなわち有機絶縁層１３はボリューム層と称され
るものであり、この有機絶縁層１３によりこれより下層
の凹凸が修正される。
【００３３】図６に示すように、有機絶縁層１３の上に
は上部シールド層３が部分的に形成される。この成膜工
程では、まず有機絶縁層１３の表面にパーマロイなどが
スパッタ成膜されて下地膜３ａが形成され、その上にパ
ーマロイなどがめっきされて上部シールド層３が形成さ
れる。なお、上部シールド層３の上にはアルミナなどの
ギャップ層２１が形成され、図６に示すようにこのギャ
ップ層２１の上に、インダクティブ型ヘッド層（記録ヘ
ッド層Ｈ２）を構成するコイル層８および上部コア層７
が形成される。
は上部シールド層３が部分的に形成される。この成膜工
程では、まず有機絶縁層１３の表面にパーマロイなどが
スパッタ成膜されて下地膜３ａが形成され、その上にパ
ーマロイなどがめっきされて上部シールド層３が形成さ
れる。なお、上部シールド層３の上にはアルミナなどの
ギャップ層２１が形成され、図６に示すようにこのギャ
ップ層２１の上に、インダクティブ型ヘッド層（記録ヘ
ッド層Ｈ２）を構成するコイル層８および上部コア層７
が形成される。
【００３４】図１と図２に示すように、この実施例で
は、磁気媒体との対向部（対向面；ＡＢＳ面）では、Ｍ
Ｒ素子４と下部シールド層２との間に下部ギャップ層１
１が現れ、ＭＲ素子４と上部シールド層３（下地膜３ａ
を含む）との間に上部ギャップ層１２が現れており、図
７に示した従来例と同様に、ギャップ長ＧＬが両ギャッ
プ層１１と１２の膜厚ｄ１，ｄ２で決められるものとな
っている。すなわち、ＭＲ薄膜４ｃと下部シールド層２
との間隔Ｇ１と、ＭＲ薄膜４ｃと上部シールド層３（下
地膜３ａを含む）との間隔Ｇ２に依存してギャップ長Ｇ
Ｌが決められるが、磁気媒体との対向部に現れているの
は、下部シールド層２、下部ギャップ層１１、ＭＲ素子
４、上部ギャップ層１２、上部シールド層３となる。
は、磁気媒体との対向部（対向面；ＡＢＳ面）では、Ｍ
Ｒ素子４と下部シールド層２との間に下部ギャップ層１
１が現れ、ＭＲ素子４と上部シールド層３（下地膜３ａ
を含む）との間に上部ギャップ層１２が現れており、図
７に示した従来例と同様に、ギャップ長ＧＬが両ギャッ
プ層１１と１２の膜厚ｄ１，ｄ２で決められるものとな
っている。すなわち、ＭＲ薄膜４ｃと下部シールド層２
との間隔Ｇ１と、ＭＲ薄膜４ｃと上部シールド層３（下
地膜３ａを含む）との間隔Ｇ２に依存してギャップ長Ｇ
Ｌが決められるが、磁気媒体との対向部に現れているの
は、下部シールド層２、下部ギャップ層１１、ＭＲ素子
４、上部ギャップ層１２、上部シールド層３となる。
【００３５】しかし、ＭＲ素子４と縦バイアス層９が形
成されていない部分において、主電極層５と下部シール
ド層２との間に、下部ギャップ層１１と上部ギャップ層
１２の２層の絶縁層が介在している。図３と図６に示す
ように、主電極層５は、ＭＲ素子４の形成領域に比較し
て非常に広い領域に形成されているものであるが、広い
面積の主電極層５と下部シールド層２との間に２層の絶
縁層が形成されていることにより、主電極層５と下部シ
ールド層２との間の電気絶縁の信頼性が従来のものより
も大幅に向上する。
成されていない部分において、主電極層５と下部シール
ド層２との間に、下部ギャップ層１１と上部ギャップ層
１２の２層の絶縁層が介在している。図３と図６に示す
ように、主電極層５は、ＭＲ素子４の形成領域に比較し
て非常に広い領域に形成されているものであるが、広い
面積の主電極層５と下部シールド層２との間に２層の絶
縁層が形成されていることにより、主電極層５と下部シ
ールド層２との間の電気絶縁の信頼性が従来のものより
も大幅に向上する。
【００３６】また前述のように下部シールド層２が鉄系
微結晶材料により形成され、その表面が平滑な面となっ
ているため、この面に形成される下部ギャップ層１１の
膜厚ｄ１が薄くても、ピンホールなどが生じにくく、下
部ギャップ層１１の絶縁性能を高めることができる。
微結晶材料により形成され、その表面が平滑な面となっ
ているため、この面に形成される下部ギャップ層１１の
膜厚ｄ１が薄くても、ピンホールなどが生じにくく、下
部ギャップ層１１の絶縁性能を高めることができる。
【００３７】このように下部ギャップ層１１を絶縁性能
の高いものにでき、また主電極層５と下部シールド層２
との間に下部ギャップ層１１と上部ギャップ層１２が介
在しているため、主電極層５の電気絶縁の信頼性が非常
に高くなる。前述のように、ハードディスクなどの磁気
媒体が高密度記録となると、要求されるギャップ長ＧＬ
が短くなり、このギャップ長ＧＬの設定要因となる下部
ギャップ層１１と上部ギャップ層１２の膜厚ｄ１とｄ２
が薄くなるが、この膜厚ｄ１とｄ２を薄くしても、従来
のものに比べ、主電極層５と下部シールド層２との電気
絶縁性の低下の心配がなくなる。
の高いものにでき、また主電極層５と下部シールド層２
との間に下部ギャップ層１１と上部ギャップ層１２が介
在しているため、主電極層５の電気絶縁の信頼性が非常
に高くなる。前述のように、ハードディスクなどの磁気
媒体が高密度記録となると、要求されるギャップ長ＧＬ
が短くなり、このギャップ長ＧＬの設定要因となる下部
ギャップ層１１と上部ギャップ層１２の膜厚ｄ１とｄ２
が薄くなるが、この膜厚ｄ１とｄ２を薄くしても、従来
のものに比べ、主電極層５と下部シールド層２との電気
絶縁性の低下の心配がなくなる。
【００３８】また、主電極層５と上部シールド層３との
電気絶縁に関しては、主電極層５と上部シールド層３と
の間に有機絶縁層１３が介在しており、図１にて（イ）
で示す主電極層５と縦バイアス層９との導通部において
も、主電極層５と上部シールド層３との間に有機絶縁層
１３が介在している。したがって、主電極層５と上部シ
ールド層３との間の電気絶縁も問題はない。
電気絶縁に関しては、主電極層５と上部シールド層３と
の間に有機絶縁層１３が介在しており、図１にて（イ）
で示す主電極層５と縦バイアス層９との導通部において
も、主電極層５と上部シールド層３との間に有機絶縁層
１３が介在している。したがって、主電極層５と上部シ
ールド層３との間の電気絶縁も問題はない。
【００３９】また、図６に示すように、主電極層５は上
部シールド層３が形成されている部分よりもさらに膜内
方にまで延びており、Ｂ部において電極引出し層６に接
続されている。図４に示すように、この実施例ではＢ部
においても主電極層５の上に有機絶縁層１３が形成され
ており、電極引出し層６はこの有機絶縁層１３に形成さ
れた貫通穴１３ａを経て主電極層５に接続されるものと
なる。
部シールド層３が形成されている部分よりもさらに膜内
方にまで延びており、Ｂ部において電極引出し層６に接
続されている。図４に示すように、この実施例ではＢ部
においても主電極層５の上に有機絶縁層１３が形成され
ており、電極引出し層６はこの有機絶縁層１３に形成さ
れた貫通穴１３ａを経て主電極層５に接続されるものと
なる。
【００４０】有機絶縁層１３は、前述のようにレジスト
材料であるノボラック樹脂または感光性ポリイミドなど
により形成されているものであり、よって露光および現
像処理により貫通穴１３ａを非常に簡単な工程で形成す
ることが可能である。また電極引出し層６のめっき下地
膜６ａを貫通孔１３ａを介して主電極層５に確実に接触
させることができる。
材料であるノボラック樹脂または感光性ポリイミドなど
により形成されているものであり、よって露光および現
像処理により貫通穴１３ａを非常に簡単な工程で形成す
ることが可能である。また電極引出し層６のめっき下地
膜６ａを貫通孔１３ａを介して主電極層５に確実に接触
させることができる。
【００４１】次に、図５は本発明の第２実施例を示して
いる。図５は図１と同じＡ部の断面図である。図５に示
す実施例では、下部シールド層２の上に下部ギャップ層
１１と上部ギャップ層１２とが形成された後に、上部ギ
ャップ層１２の凹凸を修正するための他の絶縁層２２が
形成されている。この絶縁層２２は、有機絶縁層１３と
同様の有機材料、好ましくは感光性材料により形成され
る。この絶縁層２２の上に主電極層５が形成されている
ため、主電極層５と下部シールド層２との間の絶縁層の
厚さ寸法がさらに大きくなり、主電極層５と下部シール
ド層２との電気絶縁の信頼性がさらに向上する。
いる。図５は図１と同じＡ部の断面図である。図５に示
す実施例では、下部シールド層２の上に下部ギャップ層
１１と上部ギャップ層１２とが形成された後に、上部ギ
ャップ層１２の凹凸を修正するための他の絶縁層２２が
形成されている。この絶縁層２２は、有機絶縁層１３と
同様の有機材料、好ましくは感光性材料により形成され
る。この絶縁層２２の上に主電極層５が形成されている
ため、主電極層５と下部シールド層２との間の絶縁層の
厚さ寸法がさらに大きくなり、主電極層５と下部シール
ド層２との電気絶縁の信頼性がさらに向上する。
【００４２】また図５に示す実施例においても、磁気媒
体との対向部では、下部シールド層２、下部ギャップ層
１１、ＭＲ素子４、上部ギャップ層１２、上部シールド
層３が現れているだけで、図１と図７に示すものと同じ
であり、ギャップ長ＧＬの設定要因は同じである。
体との対向部では、下部シールド層２、下部ギャップ層
１１、ＭＲ素子４、上部ギャップ層１２、上部シールド
層３が現れているだけで、図１と図７に示すものと同じ
であり、ギャップ長ＧＬの設定要因は同じである。
【００４３】なお、本発明の薄膜磁気ヘッドは、ハード
ディスク用の浮上式ヘッドに限られず、磁気媒体からの
漏れ磁束を検出できるものであれば、どのようなものに
も実施でき、例えば再生のみの磁気ヘッドや、磁気セン
サをしての実施が可能である。
ディスク用の浮上式ヘッドに限られず、磁気媒体からの
漏れ磁束を検出できるものであれば、どのようなものに
も実施でき、例えば再生のみの磁気ヘッドや、磁気セン
サをしての実施が可能である。
【００４４】
【発明の効果】以上のように本発明では、下部シールド
層と主電極層との間に少なくとも下部ギャップ層と上部
ギャップ層とが形成されるので、広い面積に形成される
主電極層と下部シールド層との間の電気的絶縁性能を高
めることができる。
層と主電極層との間に少なくとも下部ギャップ層と上部
ギャップ層とが形成されるので、広い面積に形成される
主電極層と下部シールド層との間の電気的絶縁性能を高
めることができる。
【００４５】また、下部シールド層を鉄系微結晶材料に
より形成すると、下部シールド層の表面の面粗さが小さ
く平滑面が得られることになり、その上に形成される下
部シールド層にピンホールなどが生じにくくなり、さら
に絶縁性能を高めることができる。
より形成すると、下部シールド層の表面の面粗さが小さ
く平滑面が得られることになり、その上に形成される下
部シールド層にピンホールなどが生じにくくなり、さら
に絶縁性能を高めることができる。
【００４６】また、主電極層の上に有機絶縁層を形成
し、この有機絶縁層を介して、電極引出し層と主電極層
とを接続させると、主電極層の接続部の加工が容易にな
る。
し、この有機絶縁層を介して、電極引出し層と主電極層
とを接続させると、主電極層の接続部の加工が容易にな
る。
【図１】本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの構成
を示すものであり、図６でのＡ部の拡大断面図。
を示すものであり、図６でのＡ部の拡大断面図。
【図２】図１に示す薄膜磁気ヘッドの断面と磁気媒体と
の対向面とを示す断面斜視図、
の対向面とを示す断面斜視図、
【図３】図２に示す薄膜磁気ヘッドのＭＲ素子、縦バイ
アス層、主電極層を示す斜視図、
アス層、主電極層を示す斜視図、
【図４】図６のＢ部の拡大断面図、
【図５】本発明の他の実施例を示すＡ部拡大断面図、
【図６】薄膜磁気ヘッドの全体構造を示すものであり、
浮上式磁気ヘッドのトレーリング側端面の断面図、
浮上式磁気ヘッドのトレーリング側端面の断面図、
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドを示すＡ部拡大断面図、
【図８】ハードバイアス方式の薄膜磁気ヘッドを磁気媒
体との対向面側から示した拡大図、
体との対向面側から示した拡大図、
【図９】エクスチェンジバイアス方式の薄膜磁気ヘッド
を磁気媒体との対向面側から示した拡大図、
を磁気媒体との対向面側から示した拡大図、
Ｈ 薄膜磁気ヘッド Ｈ１ 再生ヘッド層 Ｈ２ 記録ヘッド層 １ スライダ １ａ ＡＢＳ面 １ｂ トレーリング側端面 ２ 下部シールド層 ３ 上部シールド層 ３ａ 下地膜 ４ ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子） ５ 主電極層 ６ 電極引出し層 ６ａ 下地膜 ９ 縦バイアス層 １１ 下部ギャップ層 １２ 上部ギャップ層 １３ 有機絶縁層
Claims (3)
- 【請求項１】 下部シールド層と、上部シールド層と、
磁気抵抗効果を有する薄膜を含んだ磁気抵抗効果素子
と、前記薄膜にバイアス磁界を与えるバイアス層と、磁
気抵抗効果素子に検出電流を与える主電極層と、磁気媒
体との対向部にて前記磁気抵抗効果素子と下部シールド
層との間に現れる下部ギャップ層と、磁気媒体との対向
部にて磁気抵抗効果素子と上部シールド層との間に現れ
る上部ギャップ層とを有し、前記下部ギャップ層と上部
ギャップ層とが主電極層と下部シールド層との間に形成
され、上部ギャップ層を貫通して前記主電極層と前記磁
気抵抗効果素子とが電気的に導通されていることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 下部シールド層が、鉄系微結晶材料によ
り形成されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 主電極層の上に有機絶縁層が形成され、
有機絶縁層の上に形成された電極引出し層が、この有機
絶縁層を貫通して主電極層に接続されている請求項１ま
たは２記載の薄膜磁気ヘッド。
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|---|---|---|---|
| JP6331085A JP3045942B2 (ja) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | 薄膜磁気ヘッド |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6331085A JP3045942B2 (ja) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | 薄膜磁気ヘッド |
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| JP3045942B2 JP3045942B2 (ja) | 2000-05-29 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP3045942B2 (ja) |
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