JPH08146201A - 光学薄膜の製造方法 - Google Patents
光学薄膜の製造方法Info
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Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高品質な光学薄膜として用いることのできる
ＳｉＯ2 膜をスパッタリング法により生産性良く、低コ
ストで製造する。 【構成】 単結晶Ｓｉターゲットを用いて、酸素を含む
ガスおよび不活性ガスの少なくとも２種類のガスを導入
した雰囲気中で、直流電源に正電圧をパルス状に印加し
ながら、反応性スパッタリング法によりＳｉＯ2 膜を形
成する。
ＳｉＯ2 膜をスパッタリング法により生産性良く、低コ
ストで製造する。 【構成】 単結晶Ｓｉターゲットを用いて、酸素を含む
ガスおよび不活性ガスの少なくとも２種類のガスを導入
した雰囲気中で、直流電源に正電圧をパルス状に印加し
ながら、反応性スパッタリング法によりＳｉＯ2 膜を形
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング法によ
り光学薄膜を製造する方法に係り、特にＳｉＯ2 膜を形
成する光学薄膜の製造方法に関する。
り光学薄膜を製造する方法に係り、特にＳｉＯ2 膜を形
成する光学薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、反射防止膜やミラー、干渉フィル
ターなどの光学薄膜を光学部品に形成する場合、膜材料
を加熱して蒸発させ、それを基板に付着させる真空蒸着
法が主に使われてきた。しかし、近年になり、これら光
学薄膜においても、真空蒸着法と比較して自動化、省力
化、大面積基板への適用性などの点で有利なスパッタリ
ング法によるコーティングの要求が高まってきた。
ターなどの光学薄膜を光学部品に形成する場合、膜材料
を加熱して蒸発させ、それを基板に付着させる真空蒸着
法が主に使われてきた。しかし、近年になり、これら光
学薄膜においても、真空蒸着法と比較して自動化、省力
化、大面積基板への適用性などの点で有利なスパッタリ
ング法によるコーティングの要求が高まってきた。
【０００３】スパッタリング法に適した低屈折率物質と
してはＳｉＯ2 が多く用いられる。そして、一般に、Ｄ
Ｃスパッタリング法による方がＲＦスパッタリング法よ
りも、成膜速度が速い、基板の温度上昇が少ない、制御
性がよい、電源価格が安い等の利点があることが知られ
ており、ＤＣスパッタリング法を採用したいというニー
ズが大きい。ところが、Ｓｉターゲットを用いたＤＣス
パッタリング法によりＳｉＯ2 膜を形成しようとした場
合、上記のように成膜速度が速い等の利点はあるもの
の、アークが発生してターゲット材料表面の微粒子が跳
び出してしまい、外観上の問題がでやすい等の欠点があ
り、光学的用途に用いる薄膜の製造方法としては不向き
であった。
してはＳｉＯ2 が多く用いられる。そして、一般に、Ｄ
Ｃスパッタリング法による方がＲＦスパッタリング法よ
りも、成膜速度が速い、基板の温度上昇が少ない、制御
性がよい、電源価格が安い等の利点があることが知られ
ており、ＤＣスパッタリング法を採用したいというニー
ズが大きい。ところが、Ｓｉターゲットを用いたＤＣス
パッタリング法によりＳｉＯ2 膜を形成しようとした場
合、上記のように成膜速度が速い等の利点はあるもの
の、アークが発生してターゲット材料表面の微粒子が跳
び出してしまい、外観上の問題がでやすい等の欠点があ
り、光学的用途に用いる薄膜の製造方法としては不向き
であった。
【０００４】そこで、ターゲット材料の固体粒子の跳び
出しを防ぐ方法として、例えば、特公平４−６１３２８
号公報には、注型し、溶融状態から凝固した多結晶珪素
成形体をターゲットとし、ＤＣスパッタリング法により
ＳｉＯ2 膜を形成する方法が開示されている。
出しを防ぐ方法として、例えば、特公平４−６１３２８
号公報には、注型し、溶融状態から凝固した多結晶珪素
成形体をターゲットとし、ＤＣスパッタリング法により
ＳｉＯ2 膜を形成する方法が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記公報記載
の従来技術では、ターゲット材料として多結晶のものを
用いているために、粒界が存在した。粒界には不純物が
析出しやすく、不純物はＳｉとスパッタ率が異なるため
に、ミクロに見れば粒界付近では不均一にスパッタされ
ており、ターゲット材料の表面粗さが大きくなってしま
う。そして、粒界付近に形成された尖端部に電圧が集中
することで、アークが発生しやすくなってしまう。ま
た、アークが発生しないまでもターゲット面内の均一性
が良くないために、形成される膜質の均一性も低くなっ
てしまうという問題点があった。さらに、上記従来技術
では、特殊なターゲット材料を用いるためにその設備が
必要になり、入手性に難があるとともに、またコストア
ップになりやすいという問題点もあった。
の従来技術では、ターゲット材料として多結晶のものを
用いているために、粒界が存在した。粒界には不純物が
析出しやすく、不純物はＳｉとスパッタ率が異なるため
に、ミクロに見れば粒界付近では不均一にスパッタされ
ており、ターゲット材料の表面粗さが大きくなってしま
う。そして、粒界付近に形成された尖端部に電圧が集中
することで、アークが発生しやすくなってしまう。ま
た、アークが発生しないまでもターゲット面内の均一性
が良くないために、形成される膜質の均一性も低くなっ
てしまうという問題点があった。さらに、上記従来技術
では、特殊なターゲット材料を用いるためにその設備が
必要になり、入手性に難があるとともに、またコストア
ップになりやすいという問題点もあった。
【０００６】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、請求項１に係る発明は、高品質な光学薄
膜として用いることのできるＳｉＯ2 膜をスパッタリン
グ法により生産性良く、低コストで製造することができ
る光学薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
されたもので、請求項１に係る発明は、高品質な光学薄
膜として用いることのできるＳｉＯ2 膜をスパッタリン
グ法により生産性良く、低コストで製造することができ
る光学薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】請求項２に係る発明は、上記目的に加え、
アークの発生を確実に抑制し、より高品質なＳｉＯ2 膜
を形成することができる光学薄膜の製造方法を提供する
ことを目的とする。
アークの発生を確実に抑制し、より高品質なＳｉＯ2 膜
を形成することができる光学薄膜の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に係る発明は、光学薄膜を製造するにあた
り、単結晶Ｓｉターゲットを用いて、酸素を含むガスお
よび不活性ガスの少なくとも２種類のガスを導入した雰
囲気中で、直流電源に正電圧をパルス状に印加しなが
ら、反応性スパッタリング法によりＳｉＯ2 膜を形成す
ることとした。
に、請求項１に係る発明は、光学薄膜を製造するにあた
り、単結晶Ｓｉターゲットを用いて、酸素を含むガスお
よび不活性ガスの少なくとも２種類のガスを導入した雰
囲気中で、直流電源に正電圧をパルス状に印加しなが
ら、反応性スパッタリング法によりＳｉＯ2 膜を形成す
ることとした。
【０００９】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明において、単結晶Ｓｉターゲットの抵抗値が１０ｍΩ
・ｃｍ以下であることを特徴とする。
明において、単結晶Ｓｉターゲットの抵抗値が１０ｍΩ
・ｃｍ以下であることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明ではターゲットとして単結晶のＳｉを用
いることとした。これは、半導体製造などに多量に使用
されているＳｉウェハと全く同じ製法、装置で作製する
ものであり、従来例に示したものと比較して低コストで
製造することが可能である。そのうえ、多結晶と違って
粒界が存在しないことから、従来例のようにターゲット
の表面粗さが大きくなることがない。このために、アー
クが発生しにくく、また、ターゲット面内の均一性に優
れ、その結果、大面積基板に成膜しても膜質の均一性が
高くなる。そして、反応性スパッタリングを行っている
際に直流電源に正電圧をパルス状に印加することで、タ
ーゲット表面に電荷が蓄積されにくく、アークが発生す
ることを防止する作用、効果を更に高めることができ
る。
いることとした。これは、半導体製造などに多量に使用
されているＳｉウェハと全く同じ製法、装置で作製する
ものであり、従来例に示したものと比較して低コストで
製造することが可能である。そのうえ、多結晶と違って
粒界が存在しないことから、従来例のようにターゲット
の表面粗さが大きくなることがない。このために、アー
クが発生しにくく、また、ターゲット面内の均一性に優
れ、その結果、大面積基板に成膜しても膜質の均一性が
高くなる。そして、反応性スパッタリングを行っている
際に直流電源に正電圧をパルス状に印加することで、タ
ーゲット表面に電荷が蓄積されにくく、アークが発生す
ることを防止する作用、効果を更に高めることができ
る。
【００１１】なお、Ｓｉターゲットを用いた反応性ＤＣ
マグネトロンスパッタリング法による場合、Ｓｉを酸化
させる必要があるため、酸素を含むガスを導入するのは
勿論であるが、さらに、成膜速度を向上させるために不
活性ガスを同時に導入するとよい。この方法によれば、
ＳｉＯ2 ターゲットを用いたＲＦスパッタリング法の場
合と比較して、成膜速度は５倍以上となり、生産性が大
幅に向上する。
マグネトロンスパッタリング法による場合、Ｓｉを酸化
させる必要があるため、酸素を含むガスを導入するのは
勿論であるが、さらに、成膜速度を向上させるために不
活性ガスを同時に導入するとよい。この方法によれば、
ＳｉＯ2 ターゲットを用いたＲＦスパッタリング法の場
合と比較して、成膜速度は５倍以上となり、生産性が大
幅に向上する。
【００１２】なお、ターゲットとして使用する単結晶Ｓ
ｉの抵抗値が大きいと、直流電源に正電圧をパルス状に
印加しても電荷が蓄積されやすく、アークが発生して、
外観上の問題が生じるおそれがある。そこで、請求項２
に係る発明では、単結晶Ｓｉの抵抗値を１０ｍΩ・ｃｍ
以下とし、アークの発生を抑える作用を非常に大きくし
た。なお、このような抵抗値の単結晶Ｓｉターゲット
は、Ｂ（硼素）やＰ（リン）をドープすることで容易に
得ることができる。
ｉの抵抗値が大きいと、直流電源に正電圧をパルス状に
印加しても電荷が蓄積されやすく、アークが発生して、
外観上の問題が生じるおそれがある。そこで、請求項２
に係る発明では、単結晶Ｓｉの抵抗値を１０ｍΩ・ｃｍ
以下とし、アークの発生を抑える作用を非常に大きくし
た。なお、このような抵抗値の単結晶Ｓｉターゲット
は、Ｂ（硼素）やＰ（リン）をドープすることで容易に
得ることができる。
【００１３】
［実施例１］本実施例では、ガラス基板上に２層の反射
防止膜を形成した例を示す。まず、ＢＫ系のガラス基板
を真空槽にセットし、１×１０-4Ｐａまで排気した後、
それぞれ分圧が１．９Ｐａ、０．１ＰａのＡｒガス、Ｏ
2 ガスを真空槽に導入した。基板側から第１層目は、Ｔ
ｉターゲットを用いて、投入電力を５００Ｗとし、通常
の反応性ＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＴｉ
Ｏ2 膜を成膜した。
防止膜を形成した例を示す。まず、ＢＫ系のガラス基板
を真空槽にセットし、１×１０-4Ｐａまで排気した後、
それぞれ分圧が１．９Ｐａ、０．１ＰａのＡｒガス、Ｏ
2 ガスを真空槽に導入した。基板側から第１層目は、Ｔ
ｉターゲットを用いて、投入電力を５００Ｗとし、通常
の反応性ＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＴｉ
Ｏ2 膜を成膜した。
【００１４】第２層目は、Ｂをドープして抵抗値を約５
ｍΩ・ｃｍとした単結晶Ｓｉからなるターゲットを用い
た。直流電源から、図１のような波形の電圧、すなわ
ち、パルスの間隔が５μｓｅｃであり、パルスが正に反
転している時間が０．５μｓｅｃ以上１μｓｅｃ以下で
あるような電圧をターゲットに供給した。投入電力１ｋ
Ｗとし、反応性ＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
りＳｉＯ2 膜を形成した。このとき、アークの発生は全
く見られなかった。
ｍΩ・ｃｍとした単結晶Ｓｉからなるターゲットを用い
た。直流電源から、図１のような波形の電圧、すなわ
ち、パルスの間隔が５μｓｅｃであり、パルスが正に反
転している時間が０．５μｓｅｃ以上１μｓｅｃ以下で
あるような電圧をターゲットに供給した。投入電力１ｋ
Ｗとし、反応性ＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
りＳｉＯ2 膜を形成した。このとき、アークの発生は全
く見られなかった。
【００１５】それぞれの成膜条件、膜厚、成膜時間等を
表１に、分光反射率を図２に示す。反射率は５３０ｎｍ
で１．５％以下と十分な反射防止特性が得られた。成膜
時間は２層あわせてわずか５０秒であり、極めて生産性
が良かった。また、成膜中にアークの発生がないため
に、ターゲット材料表面の微粒子が跳び出して膜にパー
ティクルとして付着することがなく、その結果、外観上
の問題や可視光の散乱、吸収等の問題も生じなかった。
また、基板内での分光反射率は一定で、屈折率の均一性
が高いことも確認できた。なお、Ａｒガス、Ｏ2 ガスに
加えて、Ｈ2 ガスやＨｅガスを０．１Ｐａ程度導入する
と、プラズマが活性化され、膜と基板との密着性が向上
する。
表１に、分光反射率を図２に示す。反射率は５３０ｎｍ
で１．５％以下と十分な反射防止特性が得られた。成膜
時間は２層あわせてわずか５０秒であり、極めて生産性
が良かった。また、成膜中にアークの発生がないため
に、ターゲット材料表面の微粒子が跳び出して膜にパー
ティクルとして付着することがなく、その結果、外観上
の問題や可視光の散乱、吸収等の問題も生じなかった。
また、基板内での分光反射率は一定で、屈折率の均一性
が高いことも確認できた。なお、Ａｒガス、Ｏ2 ガスに
加えて、Ｈ2 ガスやＨｅガスを０．１Ｐａ程度導入する
と、プラズマが活性化され、膜と基板との密着性が向上
する。
【００１６】
【表１】
【００１７】［実施例２］実施例１の単結晶Ｓｉからな
るターゲットに代えて、Ｂのドープ量が少なく、抵抗値
が１０、５０、３００ｍΩ・ｃｍの３種のターゲットを
用意し、実施例１と同様の条件にてＳｉＯ2 膜を形成し
た。
るターゲットに代えて、Ｂのドープ量が少なく、抵抗値
が１０、５０、３００ｍΩ・ｃｍの３種のターゲットを
用意し、実施例１と同様の条件にてＳｉＯ2 膜を形成し
た。
【００１８】投入電力が１ｋＷの場合、抵抗値が１０ｍ
Ω・ｃｍのもののみ全くアークは発生しなかったが、他
の２種のターゲットでは多少アークが発生した。しか
し、投入電力を６００Ｗに下げた場合、抵抗値が５０お
よび３００ｍΩ・ｃｍのものでもアークは発生しなかっ
た。また、この条件で成膜した場合、外観上の問題や可
視光の散乱、吸収等の問題は生じなかった。
Ω・ｃｍのもののみ全くアークは発生しなかったが、他
の２種のターゲットでは多少アークが発生した。しか
し、投入電力を６００Ｗに下げた場合、抵抗値が５０お
よび３００ｍΩ・ｃｍのものでもアークは発生しなかっ
た。また、この条件で成膜した場合、外観上の問題や可
視光の散乱、吸収等の問題は生じなかった。
【００１９】［実施例３］本実施例では、プラスチック
基板上にミラーを設けた例を示す。まず、ポリカーボネ
ート製の基板を真空槽にセットし、３×１０-4Ｐａまで
排気した。基板側から第１層目は、分圧が０．１Ｐａの
Ａｒガスを真空槽に導入し、Ａｌターゲットを用いて、
投入電力を１．５ｋＷとし、通常のＤＣマグネトロンス
パッタリング法によりＡｌ膜を形成した。
基板上にミラーを設けた例を示す。まず、ポリカーボネ
ート製の基板を真空槽にセットし、３×１０-4Ｐａまで
排気した。基板側から第１層目は、分圧が０．１Ｐａの
Ａｒガスを真空槽に導入し、Ａｌターゲットを用いて、
投入電力を１．５ｋＷとし、通常のＤＣマグネトロンス
パッタリング法によりＡｌ膜を形成した。
【００２０】第２層目は、Ｐをドープして抵抗値を約３
ｍΩ・ｃｍとした単結晶Ｓｉからなるターゲットを用い
た。直流電源から、図３のような波形の電圧、すなわ
ち、パルスの間隔が３μｓｅｃであり、パルスが瞬間的
に正に反転し、その後１．５μｓｅｃの間に元の負電圧
に復帰するような鋸歯状の電圧をターゲットに供給し
た。投入電力７００Ｗとし、反応性ＤＣマグネトロンス
パッタリング法によりＳｉＯ2 膜を形成した。このと
き、アークの発生は全く見られなかった。
ｍΩ・ｃｍとした単結晶Ｓｉからなるターゲットを用い
た。直流電源から、図３のような波形の電圧、すなわ
ち、パルスの間隔が３μｓｅｃであり、パルスが瞬間的
に正に反転し、その後１．５μｓｅｃの間に元の負電圧
に復帰するような鋸歯状の電圧をターゲットに供給し
た。投入電力７００Ｗとし、反応性ＤＣマグネトロンス
パッタリング法によりＳｉＯ2 膜を形成した。このと
き、アークの発生は全く見られなかった。
【００２１】それぞれの成膜条件、膜厚、成膜時間等を
表２に示す。成膜時間は２層あわせて１４秒であり、極
めて生産性が良かった。また、外観上の問題や可視光の
散乱、吸収等の問題も生じなかった。４５゜入射光の反
射率を図４に示す。図４から判るように、可視域全域で
８９％以上と高い反射率を得ることができた。
表２に示す。成膜時間は２層あわせて１４秒であり、極
めて生産性が良かった。また、外観上の問題や可視光の
散乱、吸収等の問題も生じなかった。４５゜入射光の反
射率を図４に示す。図４から判るように、可視域全域で
８９％以上と高い反射率を得ることができた。
【００２２】
【表２】
【００２３】［実施例４］本実施例では、ＢＫ系の光学
ガラス基板上に４層の反射防止膜を形成した例を示す。
基板側から第１層目は、Ｔａターゲットを用いて、投入
電力を７００Ｗとし、通常の反応性ＤＣマグネトロンス
パッタリング法によりＴａ2 Ｏ5 膜を形成した。
ガラス基板上に４層の反射防止膜を形成した例を示す。
基板側から第１層目は、Ｔａターゲットを用いて、投入
電力を７００Ｗとし、通常の反応性ＤＣマグネトロンス
パッタリング法によりＴａ2 Ｏ5 膜を形成した。
【００２４】第２層目は、Ｂをドープして抵抗値を約２
ｍΩ・ｃｍとした単結晶Ｓｉからなるターゲットを用い
た。直流電源から供給する電圧に、１３．５６ＭＨｚの
高周波電源から供給する電圧を重畳させることで、図５
のような波形の電圧をターゲットに供給した。直流電源
から５００Ｗ、高周波電源から１００Ｗの電力を投入
し、反応性マグネトロンスパッタリング法によりＳｉＯ
2 膜を形成した。このとき、アークの発生は全く見られ
なかった。以下、第１および第２層と同様にして、第３
および第４層を形成した。
ｍΩ・ｃｍとした単結晶Ｓｉからなるターゲットを用い
た。直流電源から供給する電圧に、１３．５６ＭＨｚの
高周波電源から供給する電圧を重畳させることで、図５
のような波形の電圧をターゲットに供給した。直流電源
から５００Ｗ、高周波電源から１００Ｗの電力を投入
し、反応性マグネトロンスパッタリング法によりＳｉＯ
2 膜を形成した。このとき、アークの発生は全く見られ
なかった。以下、第１および第２層と同様にして、第３
および第４層を形成した。
【００２５】それぞれの成膜条件、膜厚、成膜時間等を
表３に、分光反射率を図６に示す。本実施例では、分光
反射率特性は可視域全域で１％以下であり、実施例１よ
り大幅に優れたものとなった。また、層数、膜厚が増え
た分だけ成膜時間が長くなるはずであるが、不活性ガス
としてＫｒを使用したので、成膜速度が速くなり、生産
性が著しく下がることはなかった。さらに、外観上の問
題や可視光の散乱、吸収等の問題は生じなかった。
表３に、分光反射率を図６に示す。本実施例では、分光
反射率特性は可視域全域で１％以下であり、実施例１よ
り大幅に優れたものとなった。また、層数、膜厚が増え
た分だけ成膜時間が長くなるはずであるが、不活性ガス
としてＫｒを使用したので、成膜速度が速くなり、生産
性が著しく下がることはなかった。さらに、外観上の問
題や可視光の散乱、吸収等の問題は生じなかった。
【００２６】
【表３】
【００２７】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る発明によ
れば、単結晶Ｓｉターゲットを用いているので、低コス
トで容易に入手可能であり、また、ターゲット面内の均
一性に優れているため、大面積基板に成膜しても膜質の
均一性が高く保たれ、また、単結晶であることから、粒
界が存在しないので、アークが発生しにくく、さらに直
流電源に正電圧をパルス状に印加しながら、反応性スパ
ッタリング法によりＳｉＯ2 膜を形成することとしたの
で、より一層アークを防止する効果が高く、外観上に問
題のない高品質のＳｉＯ2 膜を生産性良く、低コストで
製造することができる。また、請求項２に係る発明によ
れば、上記効果に加え、単結晶Ｓｉターゲットの抵抗値
を１０ｍΩ・ｃｍ以下としたので、更にアークを防止す
る効果が高められ、より高品質なＳｉＯ2 膜を形成する
ことができる。
れば、単結晶Ｓｉターゲットを用いているので、低コス
トで容易に入手可能であり、また、ターゲット面内の均
一性に優れているため、大面積基板に成膜しても膜質の
均一性が高く保たれ、また、単結晶であることから、粒
界が存在しないので、アークが発生しにくく、さらに直
流電源に正電圧をパルス状に印加しながら、反応性スパ
ッタリング法によりＳｉＯ2 膜を形成することとしたの
で、より一層アークを防止する効果が高く、外観上に問
題のない高品質のＳｉＯ2 膜を生産性良く、低コストで
製造することができる。また、請求項２に係る発明によ
れば、上記効果に加え、単結晶Ｓｉターゲットの抵抗値
を１０ｍΩ・ｃｍ以下としたので、更にアークを防止す
る効果が高められ、より高品質なＳｉＯ2 膜を形成する
ことができる。
【図１】実施例１で印加した電圧の波形を示す波形図で
ある。
ある。
【図２】実施例１で得た反射防止膜の分光反射率を示す
グラフである。
グラフである。
【図３】実施例３で印加した電圧の波形を示す波形図で
ある。
ある。
【図４】実施例３で得たミラーの４５゜入射光の反射率
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図５】実施例４で印加した電圧の波形を示す波形図で
ある。
ある。
【図６】実施例４で得た反射防止膜の分光反射率を示す
グラフである。
グラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶Ｓｉターゲットを用いて、酸素を
含むガスおよび不活性ガスの少なくとも２種類のガスを
導入した雰囲気中で、直流電源に正電圧をパルス状に印
加しながら、反応性スパッタリング法によりＳｉＯ2 膜
を形成することを特徴とする光学薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 単結晶Ｓｉターゲットの抵抗値が１０ｍ
Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光
学薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28939594A JP3506782B2 (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 光学薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28939594A JP3506782B2 (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 光学薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08146201A true JPH08146201A (ja) | 1996-06-07 |
| JP3506782B2 JP3506782B2 (ja) | 2004-03-15 |
Family
ID=17742674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28939594A Expired - Fee Related JP3506782B2 (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 光学薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3506782B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001094660A3 (en) * | 2000-06-02 | 2002-05-30 | Honeywell Int Inc | Sputtering target |
| US6569270B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-05-27 | Honeywell International Inc. | Process for producing a metal article |
| US6723187B2 (en) | 1999-12-16 | 2004-04-20 | Honeywell International Inc. | Methods of fabricating articles and sputtering targets |
| US7101447B2 (en) | 2000-02-02 | 2006-09-05 | Honeywell International Inc. | Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture |
| US7517417B2 (en) | 2000-02-02 | 2009-04-14 | Honeywell International Inc. | Tantalum PVD component producing methods |
-
1994
- 1994-11-24 JP JP28939594A patent/JP3506782B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6569270B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-05-27 | Honeywell International Inc. | Process for producing a metal article |
| US6723187B2 (en) | 1999-12-16 | 2004-04-20 | Honeywell International Inc. | Methods of fabricating articles and sputtering targets |
| US6878250B1 (en) | 1999-12-16 | 2005-04-12 | Honeywell International Inc. | Sputtering targets formed from cast materials |
| US7101447B2 (en) | 2000-02-02 | 2006-09-05 | Honeywell International Inc. | Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture |
| US7517417B2 (en) | 2000-02-02 | 2009-04-14 | Honeywell International Inc. | Tantalum PVD component producing methods |
| WO2001094660A3 (en) * | 2000-06-02 | 2002-05-30 | Honeywell Int Inc | Sputtering target |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3506782B2 (ja) | 2004-03-15 |
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