JPH08102564A - Wavelength conversion laser device - Google Patents
Wavelength conversion laser deviceInfo
- Publication number
- JPH08102564A JPH08102564A JP23800894A JP23800894A JPH08102564A JP H08102564 A JPH08102564 A JP H08102564A JP 23800894 A JP23800894 A JP 23800894A JP 23800894 A JP23800894 A JP 23800894A JP H08102564 A JPH08102564 A JP H08102564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- wavelength conversion
- laser device
- resonator
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 出力光強度が安定し、低ノイズ出力であると
ともに、スペクトルを単一モードにすることが可能な波
長変換レーザ装置を提供する。
【構成】 半導体レーザ1から発したレーザ光がコリメ
ータレンズ2によって平行光線とされた後、フォーカシ
ングレンズ3によって収束され、固体レーザ媒質4を励
起し、固体レーザ媒質4がファブリペロー共振器内に配
置されているので、レーザ発振を起こす。このとき、同
様に共振器内に配置された非線形光学結晶5中において
第2高調波が発生し、Nd:YAG1064nmレーザ
の第2高調波である532nmのグリーンレーザを発振
させる。そして、厚さの異なる平行平面基板7、8のそ
れぞれの基板角度を調整して、モードを利得に合わせる
と、低ノイズで、単一モードスペクトルのレーザ出力が
得られる。
(57) [Summary] [Object] To provide a wavelength conversion laser device which has a stable output light intensity, a low noise output, and a single mode spectrum. A laser beam emitted from a semiconductor laser 1 is collimated by a collimator lens 2 and then converged by a focusing lens 3 to excite a solid-state laser medium 4, and the solid-state laser medium 4 is arranged in a Fabry-Perot resonator. Therefore, laser oscillation occurs. At this time, the second harmonic is generated in the nonlinear optical crystal 5 similarly arranged in the resonator, and the green laser of 532 nm which is the second harmonic of the Nd: YAG1064 nm laser is oscillated. Then, by adjusting the substrate angles of the parallel-plane substrates 7 and 8 having different thicknesses to match the mode with the gain, a laser output of a single mode spectrum can be obtained with low noise.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光通信、光計
測、光メモリあるいはカラーディスプレイ等において光
源として利用することができる波長変換レーザ装置に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wavelength conversion laser device which can be used as a light source in, for example, optical communication, optical measurement, optical memory or color display.
【0002】[0002]
【従来の技術】波長変換レーザ装置として、固体レーザ
媒質と非線形光学結晶を内部に配置したファブリペロー
共振器を用いて構成し、非線形光学結晶中において発生
する第2高調波を利用することにより波長変換を行う方
式のものがあり、YAGレーザ等から発する赤外線領域
又は赤色レーザ光の波長を非線形光学結晶によって変換
し、緑色や青色の短波長のレーザ光を得ることができる
ので、このような波長変換レーザ装置をレーザディスク
や光通信の光源として利用すれば、記録密度や通信容量
が向上するという効果が期待できる。2. Description of the Related Art As a wavelength conversion laser device, a solid-state laser medium and a Fabry-Perot resonator in which a nonlinear optical crystal is disposed are used to construct a wavelength conversion laser device by utilizing the second harmonic generated in the nonlinear optical crystal. There is a conversion method, and since the wavelength of the infrared region or red laser light emitted from a YAG laser or the like can be converted by a non-linear optical crystal to obtain a green or blue short wavelength laser light, such a wavelength is used. If the conversion laser device is used as a laser disk or a light source for optical communication, the effect of improving recording density and communication capacity can be expected.
【0003】この固体レーザ媒質と非線形光学結晶を内
部に配置したファブリペロー共振器を用いて構成した従
来の波長変換レーザ装置を図9により説明する。A conventional wavelength conversion laser device constructed by using a Fabry-Perot resonator having the solid-state laser medium and a nonlinear optical crystal arranged therein will be described with reference to FIG.
【0004】図9は532nmのグリーンレーザを発振
させる従来の波長変換レーザ装置であり、励起光源とし
ての波長810nmの半導体レーザ1と、コリメータレ
ンズ2と、フォーカシングレンズ3と、固体レーザ媒質
4の片端面とともにファブリペロー共振器を構成する出
力ミラー6と、その共振器内に配置された固体レーザ媒
質4、非線形光学結晶5とから構成される。ここで、励
起光源として半導体レーザを使用しているのは、ランプ
を励起光源とする場合に比べ、発熱が少なく大幅に小型
化できるとともに、信頼性や寿命の点でも有利だからで
ある。また、固体レーザ媒質4としては例えば幅10m
mのNd:YAG結晶が、非線形光学結晶5としてはK
TP(KTiOPO4 )結晶が用いられる。FIG. 9 shows a conventional wavelength conversion laser device which oscillates a green laser of 532 nm, and includes a semiconductor laser 1 having a wavelength of 810 nm as an excitation light source, a collimator lens 2, a focusing lens 3, and a solid laser medium 4. The output mirror 6 constitutes a Fabry-Perot resonator together with the end face, the solid-state laser medium 4 and the nonlinear optical crystal 5 arranged in the resonator. Here, the semiconductor laser is used as the excitation light source because it generates less heat and can be significantly downsized as compared with the case where a lamp is used as the excitation light source, and is advantageous in terms of reliability and life. The solid laser medium 4 has a width of 10 m, for example.
The Nd: YAG crystal of m is K as the nonlinear optical crystal 5.
TP (KTiOPO 4 ) crystal is used.
【0005】この波長変換レーザ装置では、半導体レー
ザ1から発したレーザ光がコリメータレンズ2によって
平行光線とされた後、フォーカシングレンズ3によって
収束され、固体レーザ媒質4を励起する。この固体レー
ザ媒質4は、その片端面と出力ミラー6からなるファブ
リペロー共振器内に配置されているので、励起されると
レーザ発振を起こす。このとき、同様に共振器内に配置
された非線形光学結晶5中において第2高調波が発生
し、Nd:YAG1064nmレーザの第2高調波であ
る532nmのグリーンレーザを発振させる。これによ
り波長変換が行われ、短波長化したレーザ光が出力ミラ
ー6を通過してレーザ装置の外部へ出力される。In this wavelength conversion laser device, the laser light emitted from the semiconductor laser 1 is collimated by the collimator lens 2 and then converged by the focusing lens 3 to excite the solid laser medium 4. Since this solid-state laser medium 4 is arranged in a Fabry-Perot resonator consisting of one end face of the solid-state laser medium 4 and the output mirror 6, laser oscillation occurs when excited. At this time, the second harmonic is generated in the nonlinear optical crystal 5 similarly arranged in the resonator, and the green laser of 532 nm which is the second harmonic of the Nd: YAG1064 nm laser is oscillated. As a result, wavelength conversion is performed, and the short-wavelength laser light passes through the output mirror 6 and is output to the outside of the laser device.
【0006】このとき、それぞれの結晶および出力ミラ
ー面には、波長810nm、1064nm、532nm
に対して以下のように高反射膜と低反射膜のコーティン
グが施されている。なお、−は無関係であり、任意の反
射率でよい。At this time, the wavelengths of 810 nm, 1064 nm and 532 nm are respectively present on the respective crystal and output mirror surfaces.
On the other hand, the coating of the high reflection film and the low reflection film is applied as follows. Note that-is irrelevant and may have any reflectance.
【0007】[0007]
【表1】 [Table 1]
【0008】従来の波長変換レーザ装置は上記のように
構成されているが、このような波長変換レーザ装置は、
誘導放出が起こるスペクトル領域を光共振器を用いて発
振させるということが根本的原理であり、誘導放出の利
得領域で光共振器内に定在波が存在している場合のみ、
レーザー発振という現象が起こる。通常共振器内に存在
する定在波の間隔よりもレーザー利得領域の方が大きい
ためにマルチモード発振となり、共振器内に複数の基本
波モードが存在し、その和調波が生じるため、第2高調
波が変調されてノイズの原因になるという問題点があっ
た。すなわち、図9の波長変換レーザ装置は図10に示
すようなスペクトルを示し、半値幅が0.2nm位であ
り、縦モードと思われる複数の発振線が観測される。Although the conventional wavelength conversion laser device is constructed as described above, such a wavelength conversion laser device is
The fundamental principle is to oscillate the spectral region where stimulated emission occurs using an optical resonator, and only when a standing wave is present in the optical resonator in the gain region of stimulated emission,
A phenomenon called laser oscillation occurs. Since the laser gain region is larger than the spacing of the standing waves that normally exist in the resonator, multimode oscillation occurs, and multiple fundamental wave modes exist in the resonator, and their harmonics occur. There is a problem that the second harmonic is modulated and causes noise. That is, the wavelength conversion laser device of FIG. 9 exhibits a spectrum as shown in FIG. 10, the half width is about 0.2 nm, and a plurality of oscillation lines considered to be longitudinal modes are observed.
【0009】このため、ファブリペロー共振器の中にエ
タロンを配置することにより、単一縦モードにすること
が提案されている。Therefore, it has been proposed to arrange the etalon in the Fabry-Perot resonator to provide a single longitudinal mode.
【0010】エタロンは図11に示すように、一枚の板
の両端面が高精度に平行度を保たれ、両面とも一部透過
のコーティングが施されたもので、波長フィルターの一
種であり、その透過率が最大となる周波数間隔、即ち、
自由スペクトル間隔(モードが存在し得る波長間隔)は
下式で表される。As shown in FIG. 11, an etalon is a type of wavelength filter in which both end faces of a single plate are highly accurately maintained in parallelism and both sides are partially transparent coated. The frequency interval at which the transmittance is maximum, that is,
The free spectrum interval (wavelength interval in which modes can exist) is expressed by the following equation.
【0011】Δν=C0 /2nlcosθ ただし、C0 は真空中での光速、nは平面板の屈折率、
lは平面板の厚さ、θは平面板に入射する光の入射角で
ある。Δν = C 0 / 2nlcosθ where C 0 is the speed of light in vacuum, n is the refractive index of the plane plate,
l is the thickness of the plane plate, and θ is the incident angle of light incident on the plane plate.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ファブ
リペロー共振器の中にエタロンを配置することにより、
ノイズを低減することができるが、例えば、エタロンと
して1mm厚の平行平面基板を用いた場合、1064n
m付近での自由スペクトル間隔は0.39nmとなる。
したがって、基板の角度を調整して利得のピーク、例え
ば、1064.3nmに合わせた場合、1063.91
及び1064.69nm近辺にもモードが存在し、発振
レーザのスペクトルは図12のようになる。このように
1mm厚基板一枚の場合、サイドピークが存在する場合
が多く、この状態では、サイドピークが大きくなった
り、小さくなったりして、そのゆらぎが出力を不安定に
するので、出力を安定させることが困難であるという問
題がある。As described above, by disposing the etalon in the Fabry-Perot resonator,
Although noise can be reduced, for example, when a parallel plane substrate with a thickness of 1 mm is used as the etalon, 1064n
The free spectrum interval near m is 0.39 nm.
Therefore, when the substrate angle is adjusted to match the gain peak, for example, 1064.3 nm, 1063.91.
, And modes exist near 1064.69 nm, and the spectrum of the oscillation laser is as shown in FIG. As described above, in the case of one 1 mm thick substrate, side peaks often exist, and in this state, the side peak becomes large or small, and the fluctuation makes the output unstable. There is a problem that it is difficult to stabilize.
【0013】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、出力光強度が安定し、低ノイズ出力で
あるとともに、スペクトルを単一モードにすることが可
能な波長変換レーザ装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has a stable output light intensity, a low noise output, and a wavelength conversion laser device capable of converting a spectrum into a single mode. The purpose is to provide.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の波長変換レーザ装置は、図1の本発明の実
施例を用いて説明すると、半導体レーザ1からのレーザ
光によって励起される固体レーザ媒質4と非線形光学結
晶5を内部に配置したファブリペロー共振器を用いて構
成される波長変換レーザ装置において、共振器内に幅の
異なる複数のエタロン7、8を配置したことを特徴とす
る。To achieve the above object, the wavelength conversion laser device of the present invention will be described with reference to the embodiment of the present invention shown in FIG. In a wavelength conversion laser device configured using a Fabry-Perot resonator having a solid-state laser medium 4 and a nonlinear optical crystal 5 arranged therein, a plurality of etalons 7 and 8 having different widths are arranged in the resonator. And
【0015】[0015]
【作用】幅の異なるエタロンとして1mm厚と0.5m
m厚の2枚の平行平面基板を用いた場合、1064nm
付近でのそれぞれの自由スペクトル間隔(モードが存在
し得る波長間隔)は0.39nm、0.78nmとな
る。0.5mm厚基板だけをファブリペロー共振器の中
に配置すると、0.5mm厚基板の自由スペクトル間隔
は0.78nmであるので、基板の角度を調整してモー
ドを利得に合わせると、発振スペクトルは図2のように
なり、サイドピークは発生しない。これにより、0.5
mm厚基板1枚によってモードを一つにすることにでき
るが、0.5mm厚基板1枚だけでは図2の発振スペク
トルが示すようにマルチモードになる。これは、縦モー
ドが0.04nm前後の間隔で存在しているのに対し、
図3に示すように、0.5mm厚基板1枚の透過曲線の
線幅が大きいいため、共振器の縦モードがマルチで存在
してしまうためである。一方、1mm厚の基板の透過曲
線は図4に示すように線幅が狭く、縦モードの発生は少
い。したがって、縦モードの発生が少い1mm厚基板と
サイドピークの発生が少ない0.5mm厚基板を組み合
わせることによって、安定した単一モード発振が可能と
なる。[Operation] 1mm thickness and 0.5m as etalon with different width
1064 nm when using two parallel flat substrates of m thickness
The respective free spectrum intervals (wavelength intervals in which modes may exist) in the vicinity are 0.39 nm and 0.78 nm. When only the 0.5 mm thick substrate is placed in the Fabry-Perot resonator, the free spectrum interval of the 0.5 mm thick substrate is 0.78 nm, so if the mode is adjusted to the gain by adjusting the substrate angle, the oscillation spectrum Is as shown in FIG. 2, and no side peak occurs. This gives 0.5
One mode can be used with one mm-thick substrate, but with only one 0.5 mm-thick substrate, the multi-mode is obtained as shown by the oscillation spectrum in FIG. This is because the longitudinal modes exist at intervals of around 0.04 nm,
This is because, as shown in FIG. 3, since the line width of the transmission curve of one 0.5 mm thick substrate is large, there are multiple longitudinal modes of the resonator. On the other hand, the transmission curve of a 1 mm thick substrate has a narrow line width as shown in FIG. Therefore, stable single-mode oscillation can be achieved by combining a 1 mm thick substrate in which the generation of longitudinal modes is small and a 0.5 mm thick substrate in which side peaks are small.
【0016】[0016]
【実施例】以下、本発明の波長変換レーザ装置の実施例
について説明する。Embodiments of the wavelength conversion laser device of the present invention will be described below.
【0017】図1は532nmのグリーンレーザを発振
させる波長変換レーザ装置の実施例であり、励起光源と
しての波長810nmの半導体レーザー1と、コリメー
タレンズ2と、フォーカシングレンズ3と、固体レーザ
ー媒質4の片端面とともにファブリペロー共振器を構成
するミラー5と、その共振器内に配置された幅10mm
の固体レーザ−媒質4、非線形光学結晶6からなる図9
の基本的構成に加えて、エタロンとしての1mmの厚さ
のコーティングの施されていない平行平面基板と0.5
mmの厚さのコーティングの施されていない平行平面基
板8が追加されている。FIG. 1 shows an embodiment of a wavelength conversion laser device which oscillates a green laser of 532 nm, which comprises a semiconductor laser 1 having a wavelength of 810 nm as an excitation light source, a collimator lens 2, a focusing lens 3 and a solid laser medium 4. Mirror 5 forming a Fabry-Perot resonator together with one end face, and a width of 10 mm arranged in the resonator
9 of the solid-state laser-medium 4 and the nonlinear optical crystal 6 of FIG.
1 mm thick uncoated parallel plane substrate as an etalon and 0.5
An uncoated parallel plane substrate 8 with a thickness of mm is added.
【0018】この波長変換レーザ装置では、図9の波長
変換レーザ装置と同様に、半導体レーザ1から発したレ
ーザ光がコリメータレンズ2によって平行光線とされた
後、フォーカシングレンズ3によって収束され、固体レ
ーザ媒質4を励起し、固体レーザ媒質4がファブリペロ
ー共振器内に配置されているので、レーザ発振を起こ
す。このとき、同様に共振器内に配置された非線形光学
結晶5中において第2高調波が発生し、Nd:YAG1
064nmレーザの第2高調波である532nmのグリ
ーンレーザを発振させる。そして、平行平面基板7、8
のそれぞれの基板角度を調整して、モードを利得に合わ
せると、図5に示すような発振スペクトルが得られる。In this wavelength conversion laser device, the laser light emitted from the semiconductor laser 1 is collimated by the collimator lens 2 and then converged by the focusing lens 3 in the same manner as the wavelength conversion laser device of FIG. Since the medium 4 is excited and the solid-state laser medium 4 is arranged in the Fabry-Perot resonator, laser oscillation occurs. At this time, the second harmonic is generated in the nonlinear optical crystal 5 similarly arranged in the resonator, and Nd: YAG1
A 532 nm green laser which is the second harmonic of the 064 nm laser is oscillated. Then, the plane-parallel substrates 7 and 8
By adjusting the substrate angle of each of the above and adjusting the mode to the gain, an oscillation spectrum as shown in FIG. 5 is obtained.
【0019】これにより、高周波ノイズがほとんどな
く、出力変動も小さいグリーンレーザ光を得ることがで
きる。As a result, it is possible to obtain a green laser light with little high frequency noise and small output fluctuation.
【0020】次に、ブルーレーザーについての実施例を
図6により説明する。図6は473nmのブルーレーザ
を発振させる波長変換レーザ装置の実施例であり、図1
のグリーンレーザを発振させる波長変換レーザ装置と構
成が異なる点は、固体レーザ媒質14として幅1mmの
Nd:YAG結晶を使用し、非線形光学結晶5としてK
NbO3 結晶を使用している点と、1mmの厚さの平行
平面基板7を除去している点である。Next, an embodiment of the blue laser will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows an embodiment of a wavelength conversion laser device for oscillating a 473 nm blue laser.
The difference from the wavelength conversion laser device that oscillates the green laser is that a Nd: YAG crystal with a width of 1 mm is used as the solid-state laser medium 14 and a K is used as the nonlinear optical crystal 5.
The point is that the NbO 3 crystal is used and the point that the parallel plane substrate 7 having a thickness of 1 mm is removed.
【0021】この波長変換レーザ装置では、図1の波長
変換レーザ装置と同様に、半導体レーザ1から発したレ
ーザ光がコリメータレンズ2によって平行光線とされた
後、フォーカシングレンズ3によって収束され、幅1m
mの固体レーザ媒質4を励起し、ファブリペロー共振器
内でレーザ発振を起こす。このとき、同様に共振器内に
配置された非線形光学結晶5中において第2高調波が発
生し、Nd:YAG946nmレーザの第2高調波であ
る473nmのブルーレーザを発振させる。これにより
波長変換(短波長化)が行われ、短波長化したレーザ光
が出力ミラー6を通過してレーザ装置の外部へ出力され
る。In this wavelength conversion laser device, similarly to the wavelength conversion laser device of FIG. 1, the laser light emitted from the semiconductor laser 1 is collimated by the collimator lens 2 and then converged by the focusing lens 3 to have a width of 1 m.
The solid-state laser medium 4 of m is excited to cause laser oscillation in the Fabry-Perot resonator. At this time, the second harmonic is generated in the nonlinear optical crystal 5 similarly arranged in the resonator, and the 473 nm blue laser which is the second harmonic of the Nd: YAG946 nm laser is oscillated. As a result, wavelength conversion (shortening of the wavelength) is performed, and the short-wavelength laser light passes through the output mirror 6 and is output to the outside of the laser device.
【0022】このとき、平行平面基板8を挿入しない状
態ではこのブルーレーザーは図7に示すようなスペクト
ルを示すが、共振器内に平行平面基板8を挿入し、その
角度を調整して発振線を1本にすると、図8に示すよう
なスペクトルが得られる。このとき、パワーは約30m
Wに減少したが、特定周波数でのピーク値は約2倍とな
っている。At this time, in the state where the parallel plane substrate 8 is not inserted, this blue laser shows a spectrum as shown in FIG. 7, but the parallel plane substrate 8 is inserted into the resonator and the angle is adjusted to oscillate the oscillation line. When the number is one, a spectrum as shown in FIG. 8 is obtained. At this time, the power is about 30m
Although it decreased to W, the peak value at the specific frequency is about double.
【0023】このブルーレーザの場合、平行平面基板は
一つであるが、これはレーザ媒質であるNd:YAG結
晶として厚さが1mmのものを用いているので、これが
1mm厚基板と同様な役割を果たし、上記グリーンレー
ザと同様な結果を得ることができる。グリーンレーザは
Nd:YAG結晶として厚さが10mmのものを用いて
いるが、これは薄くすると、パワーが激減してしまうの
で、ブルーレーザの場合と同じ原理を用いることができ
ない。ブルーレーザはNd:YAG結晶の厚さが1mm
のものでも十分発振し、長くすると光が吸収されるの
で、かえってパワーが減る可能性が高い。In the case of this blue laser, there is one parallel plane substrate, but since this uses a Nd: YAG crystal as a laser medium having a thickness of 1 mm, this plays the same role as a 1 mm thick substrate. Therefore, it is possible to obtain the same result as that of the green laser. As the green laser, a Nd: YAG crystal having a thickness of 10 mm is used, but if this is made thin, the power is drastically reduced, and therefore the same principle as that of the blue laser cannot be used. The blue laser has an Nd: YAG crystal thickness of 1 mm
Even things that oscillate sufficiently and light is absorbed when they are long, so there is a high possibility that their power will be reduced.
【0024】なお、上記実施例ではエタロンとしてコー
ティングなしの合成石英板を用いたが、2枚のお互いに
平行な一部透過ミラーで構成され、一枚の板の両端面は
高精度に平行度が保たれ、両面とも一部透過のコーティ
ングが施されたエタロンを用いることもできる。しか
し、コーティングなしの合成石英板を用いる方が、コー
ティングによる吸収や反射率が高いために起こるレーザ
パワーの損失がないため、パワーのロスが小さい状態で
単一縦モード化でき、また、蒸着等の作業を省く事がで
きるので、コスト的に非常に有利である。Although the synthetic quarts plate without coating was used as the etalon in the above-mentioned embodiment, it is composed of two partially transmitting mirrors parallel to each other, and both end faces of one plate are highly accurately parallel. It is also possible to use an etalon which has a partially transparent coating on both sides. However, the use of a synthetic quartz plate without coating does not cause a loss of laser power due to the high absorption and reflectance of the coating, so a single longitudinal mode can be achieved with a small loss of power. Since the work of can be omitted, it is very advantageous in terms of cost.
【0025】さらに、上記実施例では固体レーザー媒質
としてNd:YAG結晶を用いたが、その他の結晶を選
択することで数百nm〜数μmの基本波が選択可能であ
る。また、上記実施例ではSHG素子となる非線形光学
結晶としてKTP結晶、KNbO3 を用いたが、BBO
結晶等の他の結晶を用いてもよい。Further, although Nd: YAG crystal is used as the solid-state laser medium in the above-mentioned embodiment, the fundamental wave of several hundred nm to several μm can be selected by selecting other crystal. Further, in the above embodiment, KTP crystal and KNbO 3 were used as the nonlinear optical crystal to be the SHG element.
Other crystals such as crystals may be used.
【0026】また、上記実施例では0.5mmと1.0
mm厚の平行平面基板及び0.5mm厚の平行平面基板
と1.0mm厚のNd・YAG結晶を用いたが、それ以
外の厚さの組合わせ、例えば0.8〜1.6mm及び
0.4〜0.8mmの範囲内の組合わせによっても同様
な効果を得ることができる。In the above embodiment, 0.5 mm and 1.0
Although a parallel plane substrate having a thickness of 0.5 mm, a parallel plane substrate having a thickness of 0.5 mm, and an Nd.YAG crystal having a thickness of 1.0 mm were used, combinations of other thicknesses such as 0.8 to 1.6 mm and 0. The same effect can be obtained by a combination within the range of 4 to 0.8 mm.
【0027】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明は上記実施例に限定されるものではなく特許請求の範
囲に記載された本発明の要旨の範囲内で種々の変更を行
うことが可能である。本発明の変更実施態様を下記に例
示する。Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. Is possible. Modified embodiments of the present invention are exemplified below.
【0028】(1)固体レーザ媒質と非線形光学結晶を
内部に配置したファブリペロー共振器を用いて構成され
る波長変換型グリーンレーザ装置において、共振器内に
幅の異なる複数のエタロンを配置したことを特徴とする
波長変換型グリーンレーザ装置。(1) In a wavelength conversion type green laser device constructed by using a Fabry-Perot resonator in which a solid-state laser medium and a nonlinear optical crystal are arranged, a plurality of etalons having different widths are arranged in the resonator. A wavelength conversion type green laser device.
【0029】(2)固体レーザ媒質と非線形光学結晶を
内部に配置したファブリペロー共振器を用いて構成され
る波長変換型ブルーレーザ装置において、厚さの薄い固
体レーザ媒質を用いるとともに、この固体レーザ媒質の
厚さよりも薄いエタロンを共振器内に配置したことを特
徴とする波長変換型ブルーレーザ装置。(2) In a wavelength conversion type blue laser device constituted by using a Fabry-Perot resonator in which a solid-state laser medium and a nonlinear optical crystal are arranged, a thin solid-state laser medium is used and the solid-state laser is used. A wavelength conversion type blue laser device in which an etalon thinner than the thickness of a medium is arranged in a resonator.
【0030】(3)固体レーザ媒質と非線形光学結晶を
内部に配置したファブリペロー共振器を用いて構成され
る波長変換レーザ装置において、共振器内に幅の異なる
複数のコーティングを施さない平行平面基板を配置した
ことを特徴とする波長変換レーザ装置。(3) In a wavelength conversion laser device constructed by using a Fabry-Perot resonator in which a solid-state laser medium and a nonlinear optical crystal are arranged, a parallel-plane substrate in which a plurality of coatings having different widths are not applied in the resonator. A wavelength conversion laser device characterized in that
【0031】[0031]
【発明の効果】本発明の波長変換型レーザ装置は上記の
ように構成されており、厚さの異なる2枚のエタロンに
よって縦モードの発生とサイドピークの発生が抑制され
るため、出力光強度が安定し、低ノイズ出力のレーザを
得ることができ、さらに、スペクトルが単一モードであ
るので、狭帯域レーザとなり、レーザ応用計測、光情報
記録再生等に大きな効果を発揮する。The wavelength conversion laser device of the present invention is configured as described above, and since the generation of the longitudinal mode and the generation of the side peak are suppressed by the two etalons having different thicknesses, the output light intensity is increased. Is stable, and a laser with low noise output can be obtained. Further, since the spectrum is a single mode, it becomes a narrow band laser, which is very effective for laser application measurement, optical information recording / reproduction, and the like.
【図1】本発明の波長変換型レーザ装置の一実施例を示
す図である。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a wavelength conversion laser device of the present invention.
【図2】波長変換型レーザ装置の発振スペクトル線を示
す図である。FIG. 2 is a diagram showing an oscillation spectrum line of a wavelength conversion laser device.
【図3】0.5mm厚基板の透過曲線を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a transmission curve of a 0.5 mm thick substrate.
【図4】1mm厚基板の透過曲線を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a transmission curve of a 1 mm thick substrate.
【図5】波長変換型レーザ装置の発振スペクトル線を示
す図である。FIG. 5 is a diagram showing an oscillation spectrum line of a wavelength conversion laser device.
【図6】本発明の波長変換型レーザ装置の他の実施例を
示す図である。FIG. 6 is a diagram showing another embodiment of the wavelength conversion laser device of the present invention.
【図7】波長変換型レーザ装置の発振スペクトル線を示
す図である。FIG. 7 is a diagram showing an oscillation spectrum line of the wavelength conversion laser device.
【図8】波長変換型レーザ装置の発振スペクトル線を示
す図である。FIG. 8 is a diagram showing an oscillation spectrum line of the wavelength conversion laser device.
【図9】従来の波長変換型レーザ装置を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a conventional wavelength conversion laser device.
【図10】波長変換型レーザ装置の発振スペクトル線を
示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an oscillation spectrum line of a wavelength conversion laser device.
【図11】エタロンの構成を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a configuration of an etalon.
【図12】波長変換型レーザ装置の発振スペクトル線を
示す図である。FIG. 12 is a diagram showing an oscillation spectrum line of a wavelength conversion laser device.
【符号の説明】 1 半導体レーザ 2 コリメータレンズ 3 フォーカシングレンズ 4 固体レーザ媒質 5 非線形光学結晶 6 出力ミラー 7 平行平面基板 8 平行平面基板[Description of Reference Signs] 1 semiconductor laser 2 collimator lens 3 focusing lens 4 solid-state laser medium 5 nonlinear optical crystal 6 output mirror 7 parallel plane substrate 8 parallel plane substrate
Claims (1)
に配置したファブリペロー共振器を用いて構成される波
長変換レーザ装置において、共振器内に幅の異なる複数
のエタロンを配置したことを特徴とする波長変換レーザ
装置。1. A wavelength conversion laser device comprising a Fabry-Perot resonator in which a solid-state laser medium and a nonlinear optical crystal are arranged, wherein a plurality of etalons having different widths are arranged in the resonator. Wavelength conversion laser device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23800894A JPH08102564A (en) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Wavelength conversion laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23800894A JPH08102564A (en) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Wavelength conversion laser device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102564A true JPH08102564A (en) | 1996-04-16 |
Family
ID=17023777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23800894A Pending JPH08102564A (en) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Wavelength conversion laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102564A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006313813A (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Shimadzu Corp | Semiconductor laser pumped solid-state laser device |
| EP1909365A4 (en) * | 2005-07-26 | 2010-06-23 | Shimadzu Corp | Semiconductor laser excited solid-state laser device |
| CN116154595A (en) * | 2023-04-19 | 2023-05-23 | 山东科技大学 | A dual-frequency laser device and system |
| WO2024121825A1 (en) * | 2022-12-10 | 2024-06-13 | Pavilion Integration Corporation | Low noise non-resonant gain structure semiconductor lasers |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP23800894A patent/JPH08102564A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006313813A (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Shimadzu Corp | Semiconductor laser pumped solid-state laser device |
| EP1909365A4 (en) * | 2005-07-26 | 2010-06-23 | Shimadzu Corp | Semiconductor laser excited solid-state laser device |
| WO2024121825A1 (en) * | 2022-12-10 | 2024-06-13 | Pavilion Integration Corporation | Low noise non-resonant gain structure semiconductor lasers |
| CN116154595A (en) * | 2023-04-19 | 2023-05-23 | 山东科技大学 | A dual-frequency laser device and system |
| CN116154595B (en) * | 2023-04-19 | 2023-07-07 | 山东科技大学 | A dual-frequency laser device and system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5222088A (en) | Solid-state blue laser device capable of producing a blue laser beam having high power | |
| JP3222340B2 (en) | Single longitudinal mode laser | |
| JPH1093182A (en) | Frequency conversion solid-state laser, frequency-doubling solid-state laser device, and frequency conversion coupling resonance cavity | |
| US6628692B2 (en) | Solid-state laser device and solid-state laser amplifier provided therewith | |
| JP3330487B2 (en) | Laser equipment | |
| EP0820130B1 (en) | Laser beam emitting apparatus | |
| JPH08102564A (en) | Wavelength conversion laser device | |
| EP0748008B1 (en) | Laser and applications | |
| JP4505462B2 (en) | Monolithic solid state laser device pumped by a laser diode and method of using this device | |
| US6295305B1 (en) | Second harmonic, single-mode laser | |
| JPH06265955A (en) | Wavelength converting element | |
| JPH033377A (en) | Semiconductor laser pumped solid-state laser device | |
| JPH0388380A (en) | Solid state laser device | |
| JP2754101B2 (en) | Laser diode pumped solid state laser | |
| JPH10270780A (en) | Beam splitter | |
| JPH04158588A (en) | Semiconductor laser exciting solid laser device | |
| JPH06164048A (en) | Harmonic generation apparatus | |
| JP3151081B2 (en) | Semiconductor laser pumped solid-state laser device | |
| JP3034087B2 (en) | Semiconductor laser pumped coherent light source | |
| JPH0715061A (en) | Laser light wavelength converter | |
| JPH09307160A (en) | Laser device | |
| JPH06160917A (en) | Wavelength conversion laser device | |
| JPH0482282A (en) | Semiconductor laser pumped solid-state laser device and its manufacturing method | |
| JP2008216531A (en) | Laser equipment | |
| JPH03155687A (en) | Semiconductor laser excited solid state laser |