JPH08107079A - 縦型ウェ−ハボ−ト及び縦型熱処理炉 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 複数の半導体ウェーハを支持する半導体ウェ
ーハ支持部材と、この半導体ウェーハ支持部材を着脱自
在に吊下げる外枠とを熱的に分離でき、しかも各構成部
材の最適な材質を用いることができ、半導体ウェ−ハの
品質を向上させることのできる縦型半導体ウェーハボー
ト、及び半導体ウェーハに局所的温度分布のバラツキが
生じさせることなく、半導体ウェ−ハにスリップ欠陥を
発生させることのない縦型熱処理炉を提供する。 【構成】 複数本の支柱と、これらの上端部に一体的に
固着したもしくは着脱自在に組立てた上部支持プレート
とからなる外枠と、長手方向に所定の間隔をもって、複
数個のウェーハ挿入溝が形成された複数本のウェーハ支
持部材とを備え、前記ウェーハ支持部材の上端部を外枠
の上部支持プレートに着脱自在に吊下げる構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は縦型ウェーハボートと縦
型熱処理炉に関し、さらに詳しくは、半導体ウェーハを
熱処理する製造工程において、複数の半導体ウェーハを
縦型熱処理炉で処理するための縦型ウェーハボート及び
その縦型熱処理炉に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体ウェーハを製造するに
は、酸化・拡散、析出などの処理のために多くの熱処理
工程を必要とし、直径６インチまでの半導体ウェーハの
熱処理では、主に横型の熱処理炉が用いられてきた。し
かし、半導体ウェーハの大口径化に伴い、熱処理する半
導体ウェーハの総重量が増大し、ウェーハボートが熱変
形を起こして使用することができなくなることがあり、
近年では縦型の熱処理炉が広く用いられるようになっ
た。そしてこの縦型熱処理炉では、複数の半導体半導体
ウェーハを縦方向に積載する縦型ウェーハボートが用い
られている。

【０００３】前記縦型熱処理炉に用いられる縦型ウェー
ハボートは、例えば、特開昭６０−１０７８４３号公
報、および特開平３−２９５２２７号公報などに示され
るように、長手方向に所定の間隔をもって複数個の半導
体ウェーハ挿入溝が形成され、半導体ウェーハの周囲に
縦方向に配列される半導体ウェーハ支持部材と、前記半
導体ウェーハ支持部材の上下両端部を固定する支持プレ
ートとにより構成されている。

【０００４】そして縦型半導体ウェーハボートには、半
導体ウェーハ支持部材と支持プレートとの各部材をそれ
ぞれ製作し、組立てたいわゆる組立型ウェーハボート
と、半導体ウェーハ支持部材と支持プレートとを溶着あ
るいは接着により一体に形成されたいわゆる一体型ウェ
ーハボートとがある。前記一体型ウェーハボートは各部
材を溶着あるいは接着する観点から溶着あるいは接着性
に優れたＳｉＣ系材料、石英ガラスなどの材料が用いら
れ、 一方、組立型ウェーハボートは純度的に優れた石
英ガラスやシリコンの材料が用いられている。

【０００５】そして、前述のように所定の材質からなる
一体型ウェーハボートと組立型ウェーハボートは、複数
の半導体ウェーハが縦方向に積載され、縦型熱処理炉中
に収容され、そして半導体ウェーハは所定の熱処理が施
される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】この熱処理の際、縦型
熱処理炉中に収容された全ての半導体ウェーハに対して
所期の熱処理を施すためには、縦型熱処理炉の中の熱処
理温度を均一にすることが必要である。しかし、縦型熱
処理炉に対して種々の手段を講じているが、熱処理温度
が均一となる範囲は縦型熱処理炉の一定の範囲に限られ
てしまう。具体的述べれば、保温筒及びそれに近接した
部分（縦型熱処理炉の下端部分）は、縦型熱処理炉の他
の部分（縦型熱処理炉の上端部分及び中間部分）に比べ
て温度は低くなる。

【０００７】一方、組立型ウェーハボートであっても、
また一体型ウェーハボートであっても、半導体ウェーハ
支持部材と半導体ウェーハ支持部材を保持した半導体ウ
ェーハボート下端部とが熱的に一体構造であり、縦型ウ
ェーハボートは保温筒の上に載置されるため、半導体ウ
ェーハボート支持部材の下部の温度が他の部分と比べて
低くなってしまうことがあった。また半導体ウェーハ支
持部材の下端部まで半導体ウェーハが収納されているた
め、縦型熱処理炉の均熱領域を外れてしまうことがっ
た。

【０００８】その結果、温度の低い炉内下部に位置する
半導体ウェーハに局所的温度分布のバラツキが生じるこ
とになり、半導体ウェ−ハにスリップ欠陥を発生させる
原因になっているなどの技術的課題があった。

【０００９】また、一体型半導体ウェーハボートである
場合、半導体ウェーハ挿入溝の一部が欠損したときには
半導体ウェーハボート一式が使用不可能になることがあ
り、また溶着もしくは接着により一体型とする必要か
ら、純度的に優れたシリコン材料を用いることが困難で
あるという技術的課題があった。一方、組立式半導体ウ
ェーハボートは純度に優れたシリコン材料を用いること
ができるが、一体型構造でないため、強度的に弱く、ボ
ート自体の破損を招く虞があった。また組立て部におい
て、わずかな間隙があるためガタツキで部材によるパ−
ティクルが発生する問題があった。

【００１０】本発明は、上記従来の技術的課題を解決す
るためになされたもので、、複数の半導体ウェーハを支
持する半導体ウェーハ支持部材と、この半導体ウェーハ
支持部材を着脱自在に吊下げる外枠とを熱的に分離で
き、しかも各構成部材の最適な材質を用いることがで
き、半導体ウェ−ハの品質を向上させることのできる縦
型半導体ウェーハボート、及び半導体ウェーハに局所的
温度分布のバラツキが生じさせることなく、半導体ウェ
−ハにスリップ欠陥を発生させることのない縦型熱処理
炉を提供することを目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による縦型半導体ウェーハボートは、
複数本の支柱と、少なくとも前記支柱の上端部に一体的
に固着したもしくは着脱自在に組立てた上部支持プレー
トとからなる外枠と、長手方向に所定の間隔をもって、
複数個のウェーハ挿入溝が形成された複数本のウェーハ
支持部材とを備え、前記ウェーハ支持部材の上端部を外
枠の上部支持プレートに着脱自在に吊下げる構成を有す
る。また複数本の支柱と、前記支柱の上下端部に一体的
に固着したもしくは着脱自在に組立てた上部支持プレー
トおよび下部上部支持プレートとからなる外枠と、長手
方向に所定の間隔をもって、複数個のウェーハ挿入溝が
形成された複数本のウェーハ支持部材とを備え、前記ウ
ェーハ支持部材の上端部を外枠の上部支持プレートに着
脱自在に吊下げる構成を有する。また前記複数本の支柱
と、少なくとも前記上部支持プレートとからなる外枠
が、Ｓｉ含浸ＳｉＣ、ＣＶＤ−ＳｉＣコーティングした
Ｓｉ含浸ＳｉＣ、もしくは石英ガラスのいずれか一種の
材料からなる構成を有し、前記ウェーハ支持部材が、シ
リコン、ＣＶＤ−ＳｉＣコーティングしたＳｉ含浸Ｓｉ
Ｃ、石英ガラスのいずれか一種の材料からなる構成を有
する。

【００１２】更に、炉芯管、その外側の加熱体及び前記
縦型ウェーハボートを有する縦型熱処理炉において、前
記ウェーハボートを炉芯管内に収納した際、前記ウェー
ハボート外枠の上部支持プレートに吊下げられた前記ウ
ェーハ支持部材の下端部が前記炉芯管内の均熱領域の範
囲内に位置するように配置した構成を有する。

【００１３】

【作用】本発明にかかる縦型ウェーハボートは、長手方
向に所定の間隔をもって複数個の半導体ウェーハ挿入溝
を形成した複数本の半導体ウェーハ支持部材と、半導体
ウェーハ支持部材の上端部を着脱自在に吊下げる外枠と
により構成され、複数の半導体ウェーハを積載した半導
体ウェーハ支持部材を外枠の内側上部に吊下げたとき、
半導体ウェーハ支持部材の下端部と外枠の半導体ウェー
ハボート下端部とが熱的に分離されるため、縦型半導体
ウェーハボートが保温筒の上に載置されても、半導体ウ
ェーハ支持部材の下端部の温度が低くなることはない。
また、前記ウェーハボートを縦型熱処理炉の炉芯管内に
収納した際、前記ウェーハボート外枠の上部支持プレー
トに吊下げられた前記ウェーハ支持部材の下端部が前記
炉芯管内の均熱領域の範囲内に位置するように配置し
た。その結果、熱処理によって半導体ウェーハに局所的
な温度分布のバラツキを生じることがなくなり、スリッ
プ欠陥の発生を低減することができる。

【００１４】また、外枠は、半導体ウェーハ挿入溝など
の加工が不要なので、Ｓｉ含浸ＳｉＣ、ＣＶＤ−ＳｉＣ
コーティングしたＳｉ含浸ＳｉＣ、石英ガラス等の、高
強度、高耐熱性を有する材料で一体型構造に製作するこ
とができるとともに、半導体ウェーハ支持部材は、外枠
に吊下げることにより引張力が作用するだけの簡単な形
状で加工がし易いので、比較的高純度のシリコン、ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣコーティングしたＳｉ含浸ＳｉＣ、石英ガラ
ス等の材料を用いた場合でも安価に製作することが可能
であり、比較的高温で使用しても熱処理後のボート変形
を起こすことがない。

【００１５】したがって、本発明によれば、機械的強度
的が強く、しかも加工が簡単で安価な半導体ウェーハボ
ートを製作することができるとともに、熱処理によって
得られる半導体ウェーハ製品の品質向上が図られる。

【００１６】

【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。図１は本発明による縦型熱処理炉用に収容さ
れる縦型半導体ウェーハボートの実施例を示す斜視図、
図２は図１の半導体ウェーハボートに複数の半導体ウェ
ーハを積載した状態を示す斜視図、図３は縦型半導体ウ
ェーハボートの他の実施例を示す図、図４は図１の前記
半導体ウェーハボートを収容する縦型熱処理炉の断面を
示す図である。

【００１７】図に示すように、半導体ウェーハボート１
は、長手方向に所定の間隔をもつて複数個の半導体ウェ
ーハ挿入溝２ａが形成された複数本の半導体ウェーハ支
持部材２と、この半導体ウェーハ支持部材２が着脱自在
に吊下げられる外枠３とにより構成されている。

【００１８】ここで、半導体ウェーハ支持部材２は、シ
リコン、ＣＶＤ−ＳｉＣコーティングしたＳｉ含浸Ｓｉ
Ｃ、あるいは石英ガラスなどの材料で成形された棒状体
であり、長手方向に所定の間隔を保持して複数個の半導
体ウェーハ挿入溝２ａが形成されるとともに、この半導
体ウェーハ支持部材２の上端部には、コ字状の切欠凹部
２ｂが形成されている。

【００１９】そして、これらの半導体ウェーハ支持部材
２の断面形状は、半導体ウェーハ支持部材２を組付ける
ときに回転しないような形状にするのが好ましく、断面
形状を円形にしてもよいが、位置決めが面倒であるた
め、通常は楕円、長円、長方形、正方形などの形状が用
ることが好ましい。尚、半導体ウェーハ支持部材は、溶
着もしくは接着されることがないため、高純度のシリコ
ン材料を用いることができる。しかも外枠に吊下げるこ
とにより引張力のみ作用するため、高純度のシリコン材
料、石英ガラスを用いても、熱処理後の変形を起こすこ
とがない。

【００２０】ここで、シリコン材料とは、単結晶シリコ
ン、または多結晶シリコンをいう。

【００２１】また、外枠３は、上部支持プレート４、下
部支持プレート５、および複数本の支柱６とにより構成
されており、上部支持プレート４および下部支持プレー
ト５は、半導体ウェーハ挿入側の片側半分を除いた半円
周部（１８０度に相当する）に等間隔に配置された支柱
６の上下端部に一体的に固着されている。ここで、外枠
３は、Ｓｉ含浸ＳｉＣ、ＣＶＤ−ＳｉＣコーティングし
たＳｉ含浸ＳｉＣ、あるいは石英ガラスなどの材料で製
作されているため、上部支持プレート４および下部支持
プレート５が支柱６の上下端部に溶着または接着により
固着することもできるが、着脱自在に組立てることも可
能である。ただし、外枠３の強度及び外枠構造部材から
のパ−ティクル発生を考慮すると、溶着または接着によ
り固着するのが好ましい。

【００２２】一方、外枠３を構成している上部支持プレ
ート４の円周には、半導体ウェーハ支持部材２を吊下げ
るための係合孔７が複数個穿孔され、前記係合孔７に上
部支持プレート４の内側下面から複数本の半導体ウェー
ハ支持部材２の上端部をそれぞれ差し込み、半導体ウェ
ーハ支持部材２の上端部に形成されている切欠凹部２ｂ
を係合孔７の縁部に係合させて吊下げることがことがで
きるようになっている。

【００２３】このとき、前記切欠凹部２ｂを、係合孔７
の縁部に係合させても、熱膨張の差などのため係合状態
が緩やかになり、半導体ウェーハ支持部材２が上部支持
プレート４から脱落する虞がある。それを防止するた
め、前記切欠凹部２ｂを係合孔７の縁部に係合させた
後、半導体ウェーハ支持部材２の切欠凹部形成面の反対
面と係合孔７とによって作られる空隙にスペ−サ（図示
せず）を挿入し、前記切欠凹部２ｂが係合孔７の縁部か
ら離脱し難くするとよい。

【００２４】また上部支持プレート４の係合孔７に吊下
げられた複数本の半導体ウェーハ支持部材２には、各半
導体ウェーハ支持部材２に形成された半導体ウェーハ挿
入溝２ａを介して、複数の半導体半導体ウェーハ８が水
平状態をもって縦方向に積載されるものであり、上記各
半導体ウェーハ支持部材２を外枠３の上部支持プレート
４に吊下げた状態では、各半導体ウェーハ支持部材２の
下端部が外枠３の下部支持プレート５に接触しない高さ
ｈに形成されている。

【００２５】すなわち、半導体ウェーハ支持部材２の高
さｈは、半導体ウェーハ８を積載した外枠３を所定の縦
型熱処理炉（図示せず）の内部にセットした状態で、縦
型熱処理炉の均熱領域の範囲内になるように設定されて
いる（前記半導体ウェーハ支持部材２の下端部が温度の
低い縦型熱処理炉の下部まで延長されていない）ため、
熱処理中における全ての半導体ウェーハ８に対してほぼ
均一の熱が作用する。

【００２６】また半導体ウェーハ支持部材２は外枠の下
部支持プレート５に接触しない高さｈに形成されている
ため、縦型熱処理炉の保温筒に接する下部支持プレート
５と熱的に分離されて、熱処理中における全ての半導体
ウェーハ８に対してほぼ均一の熱が作用する。以上のよ
うに前述の半導体ウェーハ支持部材２の構成により、半
導体ウェーハ８の局所的温度分布のバラツキを少なくす
るようになっている。

【００２７】また、半導体ウェーハ支持部材２を外枠３
の上部支持プレート４に吊下げるには、本発明の実施例
に限定するものではなく、上部支持プレート４の下面に
フック状の鈎部を設けるとともに、半導体ウェーハ支持
部材２の上端部に形成したフック部を引っ掛けるように
したり、その他の方式であっても良い。しかし、これら
の構造のものは、いずれも上部支持プレート４の構造が
複雑で、加工コストが増大するので、上記実施例に示し
たものが、特に好ましいものである。

【００２８】また、半導体ウェーハ支持部材２を外枠３
の上部支持プレート４に吊下げた状態で、半導体ウェー
ハ支持部材２の揺れを防止するために、図３に示すよう
に、各半導体ウェーハ支持部材２の下端部のみが棒状ま
たは長板状の連結部材９により連結され、各半導体ウェ
ーハ支持部材２に積載された半導体ウェーハ８を安定し
て保持することもできる。安定性のためには、上記構造
が好ましい。

【００２９】このような構成に基づいて、半導体ウェー
ハ８の熱処理を行う場合は、まず、外枠３を構成してい
る上部支持プレート４の内側下面に、複数本の半導体ウ
ェーハ支持部材２を吊下げるとともに、吊下げられた複
数本の半導体ウェーハ支持部材２の半導体ウェーハ挿入
溝２ａに、複数の半導体ウェーハ８を水平状態をもって
縦方向に積載し、各半導体ウェーハ支持部材２の下端部
を連結部材９により連結し、各半導体ウェーハ支持部材
２に積載された半導体ウェーハ８を安定して保持する。

【００３０】次に、半導体ウェーハ支持部材２を介して
複数の半導体ウェーハ８を積載した外枠３を、所定の縦
型熱処理炉１０の内部に収容し、適正に設定された雰囲
気内で半導体ウェーハの熱処理が行われる。

【００３１】図４に示すように、各構成部材を配置した
縦型熱処理炉２０によれば、半導体ウェーハボート１の
外枠３内にセットされた半導体ウェーハ支持部材２は、
その下端部が縦型熱処理炉２０の均熱領域の範囲内に位
置するように配置され、温度の低い炉内下部に半導体ウ
ェーハ８が積載されることがないので、半導体ウェーハ
に局所的温度分布のバラツキがなく、スリップ欠陥の発
生を大幅に低減できる。

【００３２】尚、図４の中、２２は均熱管であり、前記
均熱管２２の外側には加熱部材２１が、また内側には炉
芯管２３が設けられている。そして、前記炉芯管２３の
下部には保温筒２４が設けられている。また図中、２５
はガス供給管である。

【００３３】次に、スリップ欠陥の発生度合いを実験に
より、具体的に調べると、以下の結果が得られた。ま
ず、実施例１として、ＣＶＤ−ＳｉＣコーティングした
Ｓｉ含浸ＳｉＣからなる外枠と、シリコンからなる支持
部材で構成されたウェーハボートを用いた。また比較例
１としてＣＶＤ−ＳｉＣコーティングしたＳｉ含浸Ｓｉ
Ｃからなる一体型ウェーハボート、比較例２としてシリ
コンからなる組立て型ウェーハボートを用いた。そし
て、それぞれのウェーハボートに１００枚の６インチウ
ェ−ハを収納し、１０回実験を行った。すなわち合計１
０００枚のウェ−ハのうちスリップ欠陥の発生したウェ
−ハの枚数を求め、スリップ欠陥の発生率（％）を求め
た。熱処理条件としては、１１５０℃でＮ₂ ガス、Ｏ₂
ガスの雰囲気中で４時間熱処理後、同じ温度でＨ₂ ガス
の雰囲気中で２時間熱処理を行った。更に、同様な実験
を８インチのウェ−ハについても同様の実験を行った。
その結果を表１に示す。

【００３４】

【表１】

【００３５】以上のように、本発明のウェーハボートに
よれば、スリップ欠陥の発生を大幅に低減できるという
効果を奏することが認められる。

【００３６】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
る縦型ウェーハボートは、長手方向に所定の間隔をもっ
て複数個の半導体ウェーハ挿入溝を形成した複数本の半
導体ウェーハ支持部材と、半導体ウェーハ支持部材の上
端部を着脱自在に吊下げる外枠とを別体に構成し、さら
に、複数の半導体ウェーハを積載する半導体ウェーハ支
持部材が外枠に吊下げられているため、半導体ウェーハ
支持部材の下端部と半導体ウェーハボート下端部とが熱
的に離れ、半導体ウェーハに局所的温度分布のバラツキ
を生じることがなくなる。また本発明による縦型熱処理
炉はウェーハボート下端部が熱処理炉の均熱領域の範囲
内に位置するので、半導体ウェーハに局所的温度分布の
バラツキを生じることがなくなる。その結果、熱処理す
る半導体ウェーハのスリップ欠陥の発生を低減すること
ができる。

【００３７】また、外枠は、半導体ウェーハ挿入溝など
の加工が不要なので、Ｓｉ含浸ＳｉＣ、ＣＶＤ−ＳｉＣ
コーティングしたＳｉ含浸ＳｉＣなどの高強度、高耐熱
性を有する材料で溶着もしくは接着により一体型構造に
製作すれば、ウェーハボートの機械的強度を強いものと
することができる。更に、外枠として、支柱の上下端部
に上部支持プレ−トと下部支持プレ−トとを一体的に固
着し、もしくは着脱自在に組立てられている場合には、
上部支持プレ−トのみの場合に比べて、ウェーハボート
の機械的強度を強いものとすることができる。また、半
導体ウェーハ支持部材は、外枠に吊下げることにより引
張力が作用するだけの簡単な形状で加工がし易いので、
高純度のシリコン材料、高純度の石英ガラスなどの材料
を用いることができ、しかも安価に製作することが可能
である。その結果、熱処理後のボート変形を起すことも
なく、比較的高温まで使用することができる。更に、半
導体ウェ−ハ支持部材のみが簡易的に着脱自在な構造と
なっているため、半導体ウェ−ハ支持部材の一部が欠損
した場合でも、その一部のみの交換が極めて簡単に行う
ことができる。

【００３８】以上から明らかなように、本発明によれ
ば、加工が簡単で安価な半導体ウェーハボートを製作す
ることができるとともに、また本発明による縦型熱処理
炉によれば、ウェーハボートを熱処理炉の均熱領域の範
囲内に位置させることができるので、半導体ウェーハに
局所的温度分布のバラツキを生じることがなくなり、熱
処理によって得られる半導体ウェーハ製品の製品の品質
向上が図られ、信頼性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による縦型熱処理炉用に収容される縦型
半導体ウェーハボートの実施例を示す斜視図である。

【図２】図１に示した半導体ウェーハボートに複数の半
導体ウェーハを積載した状態を示すの斜視図である。

【図３】本発明の他の実施例により半導体ウェーハ支持
部材の下端部を連結した状態を示す正面図である。

【図４】図４は図１の半導体ウェーハボートを収容する
縦型熱処理炉の断面を示す図である。

【符号の説明】

１ ウエーハボート ２ 半導体ウェーハ支持部材 ２ａ 半導体ウェーハ挿入溝 ３ 外枠 ４ 上部支持プレート ５ 下部支持プレート ６ 支柱 ８ 半導体ウェーハ ９ 連結部材 ２０ 縦型熱処理炉 ２１ 加熱部材 ２２ 均熱管 ２３ 炉芯管 ２４ 保温筒 ２５ ガス供給管

フロントページの続き (72)発明者 吉川 淳 神奈川県秦野市曽屋30 東芝セラミックス 株式会社開発研究所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数本の支柱と、少なくとも前記支柱の上
   端部に一体的に固着したもしくは着脱自在に組立てた上
   部支持プレートとからなる外枠と、 長手方向に所定の間隔をもって、複数個のウェーハ挿入
   溝が形成された複数本のウェーハ支持部材とを備え、 前記ウェーハ支持部材の上端部を外枠の上部支持プレー
   トに着脱自在に吊下げることを特徴とする縦型ウェーハ
   ボート。
2. 【請求項２】複数本の支柱と、前記支柱の上下端部に一
   体的に固着したもしくは着脱自在に組立てた上部支持プ
   レートおよび下部上部支持プレートとからなる外枠と、 長手方向に所定の間隔をもって、複数個のウェーハ挿入
   溝が形成された複数本のウェーハ支持部材とを備え、 前記ウェーハ支持部材の上端部を外枠の上部支持プレー
   トに着脱自在に吊下げることを特徴とする縦型ウェーハ
   ボート。
3. 【請求項３】前記複数本の支柱と、少なくとも前記上部
   支持プレートとからなる外枠が、Ｓｉ含浸ＳｉＣ、ＣＶ
   Ｄ−ＳｉＣコーティングしたＳｉ含浸ＳｉＣ、もしくは
   石英ガラスのいずれか一種の材料からなることを特徴と
   する請求項１または請求項２のいずれかに記載の縦型ウ
   ェーハボート。
4. 【請求項４】前記ウェーハ支持部材が、シリコン、ＣＶ
   Ｄ−ＳｉＣコーティングしたＳｉ含浸ＳｉＣ、石英ガラ
   スのいずれか一種の材料からなることを特徴とする請求
   項１または請求項３のいずれかに記載の縦型ウェーハボ
   ート。
5. 【請求項５】炉芯管、その外側の加熱体及び前記縦型ウ
   ェーハボートを有する縦型熱処理炉において、前記ウェ
   ーハボートを炉芯管内に収納した際、前記ウェーハボー
   ト外枠の上部支持プレートに吊下げられた前記ウェーハ
   支持部材の下端部が前記炉芯管内の均熱領域の範囲内に
   位置するように配置したことを特徴とする縦型熱処理
   炉。