JPH079521B2

JPH079521B2 - 点欠陥の検出及び補修の可能なアクティブマトリクス基板の製造方法

Info

Publication number: JPH079521B2
Application number: JP33326688A
Authority: JP
Inventors: 清弘川崎
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1988-12-29
Filing date: 1988-12-29
Publication date: 1995-02-01
Anticipated expiration: 2010-02-01
Also published as: JPH02282288A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、画像表示装置に利用されるアクティブマトリ
クス編成の基板において有効な点欠陥の検出及び補修を
可能とする基板の製造方法に関する。

従来の技術近年の微細加工技術、液晶材料及び実装技術等の進歩に
より２−６インチ程度の小さなサイズではあるが、液晶
パネルで実用上支障ないテレビジョン画像が商用ベース
で得られるようになってきた。液晶パネルを構成する２
枚のガラス板の一方にRGBの着色層を形成しておくこと
によりカラー表示も容易に実現され、また絵素毎にスイ
ッチング素子を内蔵させた、いわゆるアクティブ型の液
晶パネルではクロストークも少なくかつ高いコントラス
ト比を有する画像が保証される。このような液晶パネル
は、走査線としては120−240本、信号線としては240−7
20本程度のマトリクス編成が標準的で、例えば第９図に
示すように液晶パネル１を構成する一方のガラス基板２
上に形成された走査線の電極端子群６に駆動信号を供給
する半導体集積回路チップ３を直接接続するシーオージ
（COG）（Chip−On−Glass）方式や、例えばポリイミド
系樹脂薄膜をベースとし、金メッキされた銅箔の端子群
（図示せず）を有する接続フィルム４を信号線の電極端
子群５に接着剤で圧接しながら固定する方式などの実装
手段によって電気信号が画像表示部に供給される。ここ
では便宜上二つの実装方式を同時に図示しているが、実
際にはいずれかの実装方式が選ばれることは言うまでも
ない。なお、７、８は液晶パネル１中央の画像表示部と
信号線及び走査線の電極端子群５、６との間を接続する
配線路で、必ずしも電極端子群と同じ導電材で構成され
る必要はない。

９は全ての絵素に共通の透明導電性の対抗電極を有する
もう１枚のガラス板で、２枚のガラス板２、９はスペー
サによって所定の距離を隔てて形成され、その間隙はシ
ール材と封口材で封止された閉空間になっており、閉空
間には液晶が充填されている。多くの場合、ガラス板９
の閉空間側に着色層と称する染料または顔料のいずれか
一方もしくは両方を含む有機薄膜が被着されて色表示機
能が与えられるのでガラス基板９はカラーフィルタと呼
ばれる。そして液晶材の性質によってはガラス板９上面
またはガラス板２下面のいずれかもしくは両面上に偏光
板が貼付され、液晶パネル１は電気光学素子として機能
する。

第10図は、スイッチング素子として絶縁ゲート型トラン
ジスタ10を絵素毎に配置したアクティブ型液晶パネルの
等価回路図である。実線で描かれた素子は一方のガラス
基板２上に、そして破線で描かれた素子はもう一方のガ
ラス基板９上に形成されている。走査線11（８）と信号
線12（７）は、例えば非晶質シリコンを半導体層とし、
シリコン窒化膜（Si₃N₄）をゲート絶縁膜とする薄膜ト
ランジスタ10の形成と同時にガラス基板２上に作製され
る。液晶セル13はガラス基板２上に形成された透明導電
性の絵素電極14と、カラーフィルタ９上に形成された同
じく透明導電性の対抗電極15と、２枚のガラス板で構成
された閉空間を満たす液晶とで構成され、電気的にはコ
ンデンサと同じ扱いを受ける。

液晶分子を所定の方向に整列させるためには配向膜を透
明電極上に形成する必要があるが、ここではその詳細に
ついては説明を省略する。

着色された感光性ゼラチンまたは着色性感光樹脂等より
なる着色層は先述したように、カラーフィルタ９の閉空
間側で絵素電極に対応してアールジービー（RGB）の三
原色で所定の配列に従って配置されている。全ての絵素
電極に共通の対抗電極15は着色層の存在による電圧配分
損失を避けるためには着色層上に形成される。

なお、第10図において蓄積容量16はアクティブ型の液晶
パネルとしては必ずしも必須の構成要素とは限らない
が、駆動用信号源の利用効率の向上、浮遊寄生容量の障
害の抑制及び高温動作時の画像のちらつき（フリッカ）
防止等には効果的存在で適宜採用される。17はすべての
蓄積容量16に共通する導電路で、一般的には15と17は接
続して使用される。

周知のごとく、画像表示装置は人間の視覚という高感度
のセンサによって識別される対象であるから各種の画像
欠陥に対しては非常に厳しい制約があり、線欠陥は言う
に及ばず、点欠陥に於いてもシーアールティ（CRT）と
の比較では非常に苦しく、換言すれば歩留まりが低く、
作りにくいデバイスと言えよう。歩留まりが極めて高く
なり、無検査に近い状態でアクティブ型の液晶パネルが
提供されるようには、更なる技術開発を必要とし、いま
しばらく時間がかかるであろうし、シリコン系の半導体
プロセスと類似の製造方法が継続される限りに於いて
は、幾ら歩留まりが向上しても100％良品と言うことは
有り得ないであろう。

線欠陥は文字通り画面上で線状に現われる欠陥で、その
発生理由は明確に以下に述べる原因に起因して生じる。
それは、（１）走査線または信号線が途中で断線した、
（２）走査線または信号線に電気信号が到達していな
い、（３）走査線と信号線が短絡している、（４）複数
の走査線または信号線が短絡している、等が主たる要因
である。線欠陥は２枚のガラス板を貼り合わせて液晶パ
ネル化する前段階においても、すなわちアクティブマト
リクス基板の状態でも比較的検出が容易であり、しかも
救済によって見かけ上無欠陥化することも可能である。

点欠陥の検査については、半導体メモリに例えばフルビ
ットの検査に相当し、デバイスの構造によっても異なる
が、一般的に言って検査時間は長くかつ困難となること
は想像に難くない。事実、最終工程に於ける画像検査時
に品質面から点欠陥についてもチェックしているのが実
状で、製造工程の途中で点欠陥を有効に検出し得るよう
な検査機は未だ実用化されていない。画質の向上のため
にも点欠陥を減少させることは緊急の課題である。

発明が解決しようとする課題第11図は点欠陥の表示画像に及ぼす影響を低減させるた
めに実施された改善策の一例の等価回路を示す。単位絵
素を構成するスイッチング素子である絶縁ゲート型トラ
ンジスタと絵素電極を複数個（第11図では２個）に分割
して配置し、少なくとも一組の絶縁ゲート型トランジス
タと絵素電極による表示機能の確保を図ろうとするもの
である。この改善策においては複数個の絵素電極が正常
に動作している周囲の絵素と比較すると、電気信号によ
る制御が不能な点欠陥による表示画質の低下が緩和され
ることは容易に理解されよう。また緩和の度合は絵素の
分割数が大きいほど効果的である。しかしながら、分割
数を増やすと素子の分離のためのスペースが表示に寄与
しなくなり、開口率の低下は免れないので自ずと制約を
受けることは明らかである。加えてノーマリ・ブラック
の表示方式の場合には白点欠陥は緩和されるとは言って
も無信号時には常時点灯しているので、絵素がよほど小
さくない限り非常に目立ち、黒点欠陥の緩和度合と比較
すると効果が低く評価されるのは止むを得ない。

第12図は別の改善策の等価回路を示す。単位絵素内に２
個の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、10−２を配置
し、２組の駆動ループで交互に（インターレース）一つ
の液晶セル13を駆動する事により、何れかの絶縁ゲート
型トランジスタが液晶セル13を充電するだけの電流能力
を失っていても表示画質の低下を免れると言うものであ
る。しかしながら、２本の走査線11、11′は当然のごと
く開口率の低下を下げるし、また駆動方法がインターレ
ースに限定されてしまう欠点は否定し難い。加えてノー
マリ・ブラックの表示方式に対して、白点欠陥の改善度
は低いままである。第12図の改善策はむしろ駆動ループ
が２系列存在するために走査線や信号線などの電極線に
対して冗長度が増して無断線化されている特徴を評価す
べきであろう。

上述した改善策においては、スイッチング素子である絶
縁ゲート型トランジスタを複数個配置して電流能力の低
下に対して冗長度を持たせても、絶縁ゲート型トランジ
スタの内部短絡による制御不能に対してはアクティブマ
トリクス基板状態では検出が出来ず、結局は液晶パネル
化して画像表示を行なわなければ白点欠陥の存在を検出
できない本質的な課題を解決出来たとは言えない。液晶
パネルにレーザを照射して内部短絡を有する絶縁ゲート
型トランジスタを絵素電極から切り離すことにより成功
率は低いが白点欠陥を黒点欠陥に転換することも可能で
あるが、絶縁ゲート型トランジスタが複数個配置されて
いる場合、何れの絶縁ゲート型トランジスタに内部短絡
が存在するか分からなければ全く無意味である。

本発明は、このような従来技術の課題を解決することを
目的とする。

課題を解決するための手段本発明は、スイッチング素子である絶縁ゲート型トラン
ジスタの電気的特性の評価がアクティブマトリクス基板
上で可能となるように、まず除去可能な配線材を用いて
駆動用の絶縁ゲート型トランジスタと必要な信号線との
間、複数個の絶縁ゲート型トランジスタ相互間、さらに
は補助の絶縁ゲート型トランジスタとの間等に仮の電気
的接続を与えておいて絶縁ゲート型トランジスタの電気
検査を行い、点欠陥の主原因である特性不良の絶縁ゲー
ト型トランジスタの位置を検知する。そして特性不良の
位置と種類の情報により判断してパネル組み立て工程に
当該のアクティブマトリクス基板を進めるかどうか決定
する。パネル組み立て工程への進行に先立ち、除去可能
な配線材で形成された仮の接続を正規の配線に悪影響を
及ぼさないように工夫された食刻で除去し、さらに複数
個の絶縁ゲート型トランジスタで単位絵素が構成されて
いるものに関しては、レーザ等の手段を用いて内部短絡
を有する様な特性不良の絶縁ゲート型トランジスタと絵
素電極との接続を解除しておくことにより、点欠陥の補
修がなされた液晶パネルを得るものである。

さらに改善された製造方法においては、絵素電極の形成
を複数個の絶縁ゲート型トランジスタの電気検査終了後
に行ない、特性不良の絶縁ゲート型トランジスタを選択
的に除外して正常な絶縁ゲート型トランジスタのみで絵
素電極を共有することにより点欠陥の発生を極めて高い
精度で抑制することが可能となる。

作用本発明においては、駆動用の絶縁ゲート型トランジスタ
は閉ループを構成するように、正規な回路構成外の信号
線や補助の絶縁ゲート型トランジスタとの間で、あるい
は複数個の絶縁ゲート型トランジスタ相互間で除去可能
な配線材を用いて仮接続された状態でアクティブマトリ
クス基板として形成されている。従って、全ての絶縁ゲ
ート型トランジスタは外部から電気的に独立してそのト
ランジスタ特性を検査することが可能である。そこで、
特性不良や内部短絡を有する駆動用の絶縁ゲート型トラ
ンジスタと絵素電極とを分離することによって点欠陥の
緩和もしくは抑制が推進される。仮接続に用いられた配
線材は絶縁ゲート型トランジスタの電気検査終了後に他
の素子に影響を与えないように選定された食刻方法で除
去されるので２次的な不良は発生しない。

実施例以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図（ａ）は本発明の基礎概念となる第１の実施例に
よるアクティブマトリクス構成の液晶パネルの等価回路
である。第10図の従来例との比較からも分かるように、
液晶セル13を駆動する絶縁ゲート型トランジスタ10のド
レイン電極と隣接する信号線との間に仮の接続線20が形
成された状態のアクティブマトリクス基板を一旦、検査
工程で検査する。絶縁ゲート型トランジスタ10の電気検
査終了後に例えば仮の接続線20を含んで形成された開口
部21内の仮の接続線を除去する等の手段によって絶縁ゲ
ート型トランジスタ10のドレイン電極と隣接する信号線
との接続を解除することにより、最終的には従来の液晶
パネルと同一の回路構成となる。

絶縁ゲート型トランジスタ10はスイッチング素子として
液晶セル13を交流的に充放電する機能を有し、ソースと
ドレインを一意的に定義することは出来ないが、ここで
は慣習上映像信号を供給する意味で信号線に接続された
方をソースとし、絵素電極に接続された方をドレインと
定義しておく。

第１図（ａ）の回路構成によれば、（n,m）番地の絶縁
ゲート型トランジスタ10（n,m）は、２本の信号線12
（ｍ）と12（ｍ＋１）との間に直流電圧を印加し、かつ
そこを流れる電流値を測定しておけば、１本の走査線11
（ｎ）に印加された直流電圧の大きさでトランジスタ特
性を検査できるので、上記測定を全ての信号線と走査線
に繰り返すことにより全ての絶縁ゲート型トランジスタ
の電気特性を検査することが可能となる。これによって
従来のように液晶パネル化しなければ発見出来なかった
駆動用絶縁ゲート型トランジスタの特性不良による点欠
陥は予知可能となり、その効果は著しく高い。

絶縁ゲート型トランジスタ10の故障モードとしては大別
して、１）所定のゲート電圧に対してドレイン電流が小
さい、２）ドレイン電流が常時流れ過ぎる、３）ゲート
どドレインが短絡（漏洩）している、４）ゲートとソー
スが短絡（漏洩）している、の４項目を挙げることがで
きる。ノーマリ・ブラックの表示方式の画像表示では、
１）の場合は黒欠点となり、２）と３）の場合は白点欠
陥となり、４）の場合には十字状の線欠陥となる。

１）の場合に基板毎に不規則に発生する点欠陥の原因と
しては、絵素電極、絶縁ゲート型トランジスタ及びソー
ス・ドレイン配線相互間の電気的接触が不安定であると
か失われた場合と、半導体層の欠除によって絶縁ゲート
型トランジスタの機能が十分に発揮されない場合とがあ
る。また２）の場合は絶縁ゲート型トランジスタのOFF
時のソース・ドレイン間のリーク電流が大きすぎる場合
とソースとドレインとが短絡している場合とがあるが、
前者は半導体層の膜質異常として全ての絶縁ゲート型ト
ランジスタに共通して発生するので基板毎に不規則に発
生する点欠陥の原因とはなり得ず、モニタトランジスタ
等の検査によって別途管理する必要がある。第１図の回
路構成では非検査対象の絶縁ゲート型トランジスタが走
査線方向に200−400個並列に存在するが、絶縁ゲート型
トランジスタのON/OFF比は通常５桁以上あるので絶縁ゲ
ート型トランジスタのON特性の検査の障害とはならな
い。後者が発生した場合に第１図の実施例では走査線方
向に縦一列の絶縁ゲート型トランジスタの電気検査は事
実上不可能となる。そのような場合でも電気検査が可能
な回路構成については別の実施例で記述する。

ソースとドレインとが短絡している以外の絶縁ゲート型
トランジスタの不良を全てその発生番地共々知ることが
出来れば、予め設定された判断基準により不良、不良
品、再生可能品としてパネル組み立て工程への進行が決
定され、高価なカラーフイルタを無駄に消費することを
回避できる。第１の実施例では駆動用絶縁ゲート型トラ
ンジスタが単位絵素内に一個しかないので、再生可能な
故障モードとしては３）と４）の短絡に対してレーザ等
の切断手段により、白点欠陥を黒点欠陥に転換する処置
のみ有効となる。４）の短絡は走査線か信号線かの何れ
かを切断して断線に転化しなければならず、断線に対す
る救済法も同時に用意する必要があることは言うまでも
ない。

絶縁ゲート型トランジスタの構成や製造方法は、まだ確
立したとは言い難い現状で、したがってアクティブマト
リクス基板の構成と製造方法も種々考えられるが、第１
図（ａ）に対応したパターン配置図の一例を第１図
（ｂ）に示す。信号線12の分岐部22、及び23は例えばA1
よりなるソース、ドレイン配線であり、ドレイン配線23
は絶縁層下の絵素電極14とは絶縁層に形成された開口部
24を介して接続されている。ドレインと隣接する信号線
との接続20は、走査線11と同一工程で形成された例えば
Crよりなる接続パターン25を配置し、接続パターン25上
のゲート絶縁層に形成された開口部26、27を介してドレ
イン配線23と、隣接する信号線の分岐部28との間で行な
われている。接続20の解除は開口部26、27と同時に形成
された接続パターン25上の開口部21によって露出してい
るCrを硝酸セリウムを主成分とするCr食刻液で除去する
ことによって達成される。Cr食刻液はPH5−６と酸性度
が低く、Alよりなる信号線やソース・ドレイン配線を侵
食する事はない。

絵素電極14とドレイン電極23が開口部24を経由して接続
されるのではなく、直接接続されるような構造ももちろ
ん可能であり、接続パターン25を走査線11とは異なった
材質で構成することも可能であるが、製造工程数が増加
しない意味では上記したプロセスが最適である。

第２図（ａ）と第３図（ａ）は本発明の第２と第３の実
施例によるアクティブマトリクス構成の液晶パネルの等
価回路である。第１図に示した第１の実施例と比べる
と、駆動用の絶縁ゲート型トランジスタが二組の並列構
成となっているので後述するように点欠陥の救済に関し
て冗長度が高くなっている点に特徴がある。二組の絶縁
ゲート型トランジスタを独立して電気的に検査するため
には閉ループを二組用意する必要があり、その各々が第
２と第３の実施例に対応する。

まず第２図（ａ）の回路構成によれば、（n,m）番地の
第１の絶縁ゲート型トランジスタ10−１は２本の信号線
12（ｍ）と12（ｍ＋１）と第１の接続20−１とで一つの
閉ループを構成し、第２の絶縁ゲート型トランジスタ10
−２は２本の信号線12（ｍ）と12（ｍ＋２）と第２の接
続20−２とでもう一つの閉ループを構成している。二組
の絶縁ゲート型トランジスタは１本の走査線11（ｎ）を
共有しているので、走査線11（ｎ）に直流電圧を印加し
て同時に二組の絶縁ゲート型トランジスタのトランジス
タ特性を測定する事もできる。第２図（ａ）に対応した
パターン配置図を第２図（ｂ）に示す。第１の接続20−
１は一部第２の接続20−２と重なっている。第２の接続
20−２は信号線と交差する必要があるので、必然的に交
差部では走査線と同一工程で形成した多層配線を用い、
信号線や絶縁ゲート型トランジスタのドレインとは開口
部を介して接続するのが合理的である。第２図の接続20
−２が信号線12（ｍ＋１）と短絡する確率は０ではない
が、短絡している場合には第１の絶縁ゲート型トランジ
スタ10−１のソース・ドレイン電流に第２の絶縁ゲート
型トランジスタ10−２のソース・ドレイン電流が重畳さ
れて観測されるので電流値の大小から絶縁ゲート型トラ
ンジスタの良否判定は可能であるし、交差部近傍におい
て二つの開口部21−２と21−３とで第２の接続を解除出
来るようにしておけば２次的な不良は発生しないことが
分かる。一組の絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
の並べ方を変えた構成が第３図（ａ）に示してあり、第
３図（ａ）に対応したパターン配置図を第３図（ｂ）に
示す。単位絵素の構成が走査線方向に半ピッチずれるこ
とが理解されよう。第２図（ｂ）では走査線と信号線で
構成される矩形内に二つの絵素電極が並んで位置し、第
３図（ｂ）では走査線を挟んで二つの絵素電極が位置し
ており、カラーフィルタの着色層の配置と関わりが大き
い。第３図（ａ）で決めた番号であれば、二組の絶縁ゲ
ート型トランジスタの電気検査方法と、仮の接続の開放
に関しては上記した方法と同一となる。

第２と第３の実施例においては二組の絶縁ゲート型トラ
ンジスタと絵素電極とで単位絵素を構成することから、
ノーマリ・ブラックの表示方式に対して、いずれか一方
の絶縁ゲート型トランジスタが電流能力不足で黒点欠陥
になっても目だたないのは従来と同じ効果であるが、ゲ
ートとドレインとの短絡はその発生位置が同定できるの
で、レーザ等の切断手段を用いて白点欠陥を黒点欠陥に
転化出来る独自の効果が生まれる。

第１から第３の実施例においては、絶縁ゲート型トラン
ジスタのソースとドレインとの短絡が発生すると、縦一
列の絶縁ゲート型トランジスタの測定が実質的に不可能
で点欠陥の検出が完全とは言えないので、補助の絶縁ゲ
ート型トランジスタを導入し、ソースとドレインとの短
絡が発生しても全ての駆動用の絶縁ゲート型トランジス
タの特性及び内部短絡を測定出来るように配慮した実施
例について以下に述べる。

第４図（ａ）は補助の絶縁ゲート型トランジスタを導入
した場合の基礎概念を示す第４の実施例によるアクティ
ブマトリクス構成の液晶パネルの等価回路である。単位
絵素内で隣接する走査線と信号線に接続された補助の絶
縁ゲート型トランジスタ18のドレインと駆動用の絶縁ゲ
ート型トランジスタ10のドレインとの間に仮の接続線20
が形成された状態のアクティブマトリクス基板を一旦、
検査工程で検査する。絶縁ゲート型トランジスタの電気
検査終了後に二つの開口部21−１、21−２内の仮の接続
線を除去することにより補助の絶縁ゲート型トランジス
タ18の内部短絡等による２次的な不良の発生を防止しつ
つ、駆動用の絶縁ゲート型トランジスタと補助の絶縁ゲ
ート型トランジスタとを分離する。第４図（ａ）の回路
構成によれば、（n,m）番地の駆動用絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10（n,m）は、接続線20を経由して（ｎ＋1,m＋
１）番地の走査線と信号線に接続された補助の絶縁ゲー
ト型トランジスタ18とドレインを共通にする閉ループを
構成している。従って、２本の信号線12（ｍ）と12（ｍ
＋１）との間に直流電圧を印加し、かつそこを流れる電
流値を測定しておけば、２本の走査線11（ｎ）と走査線
11（ｎ＋１）に印加する直流電圧の大きさで二つの絶縁
ゲート型トランジスタの良否判定が可能である。例え
ば、走査線11（ｎ）に絶縁ゲート型トランジスタ10が十
分ONするに足る電圧を印加し、走査線11（ｎ＋１）には
絶縁ゲート型トランジスタ18がONしない電圧を印加した
時に信号線12（ｍ）と12（ｍ＋１）との間に電流が流れ
ていれば補助の絶縁ゲート型トランジスタ18のソースと
ドレインとが短絡していることが分かり、確立的には極
めて低いのであるが、２本の走査線にONしない電圧を印
加しているにもかかわらず電流が流れていればどちらの
絶縁ゲート型トランジスタもソースとドレインとが短絡
していることが分かるからである。このように２本ずつ
走査線と信号線を組み合わせていけば全ての駆動用絶縁
ゲート型トランジスタと補助の絶縁ゲート型トランジス
タの特性と内部短絡を検査することが出来る。第４図
（ａ）に対応したパターン配置図を第４図（ｂ）に示
す。絵素電極を大きくするために、絵素電極14も仮の接
続20の一部を担っている。

駆動用絶縁ゲート型トランジスタが一つしかない構成で
は白点欠陥を黒点欠陥に転化する補修しかできないの
で、駆動用絶縁ゲート型トランジスタを２個として点欠
陥に対する冗長度を増すことももちろん可能である。そ
の場合、駆動用の絶縁ゲート型トランジスタと補助の絶
縁ゲート型トランジスタとが閉ループを構成するように
仮の接続を与える組合せは二通りあり、各々の実施例に
ついて第５図と第６図に示す。なお等価回路が複雑とな
るので、液晶セルは図面上では省略する。

第５図（ａ）の回路構成によれば、（n,m）番地の第１
の絶縁ゲート型トランジスタ10−１は接続線20−１を経
由して（ｎ＋1,m＋１）番地の走査線と信号線に接続さ
れた補助の絶縁ゲート型トランジスタ18−１と、また第
２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２は接続線20−２を
経由して（ｎ＋1,m＋２）番地の走査線と信号線に接続
された補助の絶縁ゲート型トランジスタ18−２とドレイ
ンを共通にする閉ループを構成している。従って、２本
の走査線11（ｎ）と11（ｎ＋１）、及び２本の信号線12
（ｍ）と12（ｍ＋１）とを用いて、第１の絶縁ゲート型
トランジスタ10−１と補助の絶縁ゲート型トランジスタ
18−１の良否判定を行い、２本の走査線11（ｎ）と11
（ｎ＋１）、及び２本の信号線12（ｍ）と12（ｍ＋２）
とを用いて、第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２と
補助の絶縁ゲート型トランジスタ18−２の良否判定を行
うことによって（n,m）番地の二つの駆動用絶縁ゲート
型トランジスタの良否判定を独立して行うことが出来る
のである。

一方、第６図（ａ）の回路構成によれば、（n,m）番地
の第１の絶縁ゲート型トランジスタ10−１は接続線20−
１を経由して（ｎ＋1,m＋１）番地の走査線と信号線に
接続された補助の絶縁ゲート型トランジスタ18−１と、
また第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２は接続線20
−２を経由して（ｎ＋2,m＋１）番地の走査線と信号線
に接続された補助の絶縁ゲート型トランジスタ18−２と
ドレインを共通にする閉ループを構成している。従っ
て、２本の走査線11（ｎ）と11（ｎ＋１）、及び２本の
信号線12（ｍ）と12（ｍ＋１）とを用いて、第１の絶縁
ゲート型トランジスタ10−１と補助の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ18−１の良否判定を行い、２本の走査線11
（ｎ）と11（ｎ＋２）、及び２本の信号線12（ｍ）と12
（ｍ＋１）とを用いて、第２の絶縁ゲート型トランジス
タ10−２と補助の絶縁ゲート型トランジスタ18−２の良
否判定を行うことによって（n,m）番地の二つの駆動用
絶縁ゲート型トランジスタの良否判定を独立して行うこ
とが出来るのである。

第５図（ａ）と第６図（ａ）に対応したパターン配置図
を第５図（ｂ）と第６図（ｂ）に示す。第６図（ａ）の
構成では、第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２のド
レインと補助の絶縁ゲート型トランジスタ18−２とを接
続するためには走査線11（ｎ＋１）との交差が必要であ
り、仮の接続20−２は交差部においては信号線と同じく
Alパターン29を用い、その他の領域では走査線と同じく
Crを用いて、開口部21−３、21−４内のCrの接続パター
ン30の一部を食刻で除去することにより仮の接続を解除
すれば良いことが分かる。

駆動用の絶縁ゲート型トランジスタを単位絵素内に２個
有し、しかもどちらの絶縁ゲート型トランジスタが特性
不良または内部短絡しているか分かっているので、レー
ザ照射等の切断手段を用いて白点欠陥を黒点欠陥に転化
する事が可能となり、かつ黒点欠陥に対して改善度合が
高くなることは既に述べた通りである。

さらに複雑な回路構成にはなるが単位絵素内の駆動用絶
縁ゲート型トランジスタを４個配置することにより、補
助の絶縁ゲート型トランジスタを導入しなくてもその全
ての絶縁ゲート型トランジスタの良否判定が可能となる
ことを以下に述べる実施例で説明しよう。この場合も２
個の絶縁ゲート型トランジスタを直列になるよう仮の接
続線で接続した場合の閉ループの構成によって二通りの
回路構成が考えられ、その各々について第７図と第８図
で説明する。なお液晶セルは図面上では省略し、アクテ
ィブマトリクス基板として示すこととする。

第７図（ａ）の回路構成によれば、（n,m）番地の第１
の絶縁ゲート型トランジスタ10−１は接続線20−１を経
由して（ｎ＋1,m＋１）番地の走査線と信号線に接続さ
れた第３の絶縁ゲート型トランジスタ10−３と、また
（n,m）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２
は接続線20−２を経由して（ｎ＋1,m＋２）番地の走査
線と信号線に接続された第４の絶縁ゲート型トランジス
タ10−４とドレインを共通にする閉ループを構成してい
る。従って、２本の走査線11（ｎ）と11（ｎ＋１）、及
び２本の信号線12（ｍ）と12（ｍ＋１）とを用いて、第
１の絶縁ゲート型トランジスタ10−１と第３の絶縁ゲー
ト型トランジスタ10−３の良否判定を行い、２本の走査
線11（ｎ）と11（ｎ＋１）、及び２本の信号線12（ｍ）
と12（ｍ＋２）とを用いて、第２の絶縁ゲート型トラン
ジスタ10−２と第４の絶縁ゲート型トランジスタ10−４
の良否判定を行うことによって（n,m）番地の10−１、1
0−２、10−３の三つと、（n,m＋１）番地の10−４の合
計４個の絶縁ゲート型トランジスタの良否判定を独立し
て行うことが出来るのである。

一方、第８（ａ）図の回路構成によれば、（n,m）番地
の第１の絶縁ゲート型トランジスタ10−１は接続線20−
１を経由して（ｎ＋1,m＋１）番地の走査線と信号線に
接続された第３の絶縁ゲート型トランジスタ10−３と、
また（n,m）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ10
−２は接続線20−２を経由して（ｎ＋2,m＋１）番地の
走査線と信号線に接続された第４の絶縁ゲート型トラン
ジスタ10−４とドレインを共通にする閉ループを構成し
ている。従って、２本の走査線11（ｎ）と11（ｎ＋
１）、及び２本の信号線12（ｍ）と12（ｍ＋１）とを用
いて、第１の絶縁ゲート型トランジスタ10−１と第３の
絶縁ゲート型トランジスタ10−３の良否判定を行い、２
本の走査線11（ｎ）と11（ｎ＋２）、及び２本の信号線
12（ｍ）と12（ｍ＋１）とを用いて、第２の絶縁ゲート
型トランジスタ10−２と第４の絶縁ゲート型トランジス
タ10−４の良否判定を行うことによって（n,m）番地の1
0−１、10−２、10−３の三つと、（ｎ＋1,m）番地の10
−４の合計４個の絶縁ゲート型トランジスタの良否判定
を独立して行うことが出来るのである。

第７図（ａ）と第８図（ａ）に対応したパターン配置図
を第７図（ｂ）と第８図（ｂ）に示す。絶縁ゲート型ト
ランジスタの電気検査終了後の仮の接続線の解除によっ
て、単位絵素内の絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極
は４組に分割されるのであるが、同一の走査線と信号線
とからの駆動で同一の画像を表示するためにはカラーフ
ィルタ側の着色層の配置は（n,m）番地の第１と第２、
および（ｎ−1,m−１）番地の第３と第４の絵素電極に
対応せねばならない。

駆動用の絶縁ゲート型トランジスタを単位絵素内に４個
有し、しかも何れの絶縁ゲート型トランジスタが特性不
良または内部短絡しているか分かっているので、レーザ
照射等の切断手段を用いて白点欠陥を黒点欠陥に転化す
る事は容易であり、かつ黒点欠陥としての改善度合は一
段と強化されているのは言うまでもない。従って見かけ
上の点欠陥をほぼ０とした液晶パネルを得ることが出来
る。

以上述べた実施例においては、アクティブマトリクス基
板として完成した時には絵素電極の形成は既に終了して
いた。これは従来の液晶パネルの製造方法を踏襲してか
らである。しかしながら、点欠陥の主原因となる駆動用
の絶縁ゲート型トランジスタの特性不良や内部短絡等の
情報収拾のためには（実施例においては仮の接続の一部
として流用されるパターン配置図も図示してはいるが）
絵素電極は必ずしも必要ではなく、絶縁ゲート型トラン
ジスタの電気検査終了後に絵素電極を形成することによ
り、単に絶縁ゲート型トランジスタを複数化しただけで
は得られない独特の効果が期待できるので、以下本発明
の実施例として説明する。

単位絵素内の複数個の駆動用絶縁ゲート型トランジスタ
が独立して電気的に検査できるように、絶縁製基板上に
走査線や信号線及びそれらの接続端子とともに複数個の
絶縁ゲート型トランジスタを除去可能な配線材による前
記素子間の相互接続が与えられた状態で作製する。絶縁
ゲート型トランジスタの電気検査終了後に前記相互接続
を解除して複数個の絶縁ゲート型トランジスタを分離す
る。そして電気検査のデータに基づいて正常な絶縁ゲー
ト型トランジスタのみで共有する絵素電極を形成するこ
とにより、点欠陥を著しく高い精度で管理下においたア
クティブマトリクス基板として完成することが可能であ
る。なぜならば、ノーマリ・ブラック表示の場合に白点
欠陥の原因となる内部短絡を有する絶縁ゲート型トラン
ジスタは上記したように絵素電極との接続が与えられ
ず、また黒点欠陥の主原因となる電流駆動能力の不足し
ている絶縁ゲート型トランジスタは複数化されることに
よって電流駆動能力の補強がなされるからである。この
意味では予め電流駆動能力に余力を持たせたトランジス
タ設計を行うべきで、特に絶縁ゲート型トランジスタ数
を２とする場合は必須の設計事項と言えよう。絶縁ゲー
ト型トランジスタの電流駆動能力はパターン設計上はチ
ャネルの幅（Ｗ）と長さ（Ｌ）の比、W/Lで決定される
ことは公知である。

共有する一つの絵素電極と内部短絡を有し不良の絶縁ゲ
ート型トランジスタとの接続を回避するには二つの方法
がある。第１の方法としては絵素電極が形成されたとき
に、不良の絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極との接
続が与えられないようにドレインやドレイン配線をレー
ザ等の切断手段により除去しておく、あるいは不良の絶
縁ゲート型トランジスタと走査線や信号線との接続を同
じくレーザで除去しておくことであり、絶縁ゲート型ト
ランジスタの電気検査時に同時に行うと合理的である。
第２の方法としては絵素電極の形成のための写真食刻工
程に於て、感光製樹脂にポジ型のものを用い、電気検査
のデータに基づいてスポット露光を行い、不良の絶縁ゲ
ート型トランジスタには絵素電極を一部欠除させておく
ものである。第２の方法はやや複雑な工程となり、かつ
電気検査のデータ転送が必要となるが、レーザ照射のよ
うに基板上で飛散した導電性材料が２次的な不良を発生
する恐れは皆無である。

絶縁ゲート型トランジスタの形成後に絵素電極を形成す
る具体的な方法については、絶縁ゲート型トランジスタ
の構造と製造方法が多様であり全てを網羅することは出
来ないので、特に考慮すべきポイントを記しておくこと
にする。

それらは、１）絶縁ゲート型トランジスタのトランジス
タ特性に加熱処理により回復しないような損傷（ダメー
ジ）を与えない、２）絶縁ゲート型トランジスタのドレ
インまたはドレイン配線さらには接続が必要とされる配
線層との間でオーミック・コンタクトを保つこと、３）
他の導電層あるいは絶縁層の膜厚や膜質を変化させない
こと等であり、工業的には絵素電極を絶縁ゲート型トラ
ンジスタの形成後に形成することによって新たな製造工
程の発生や特殊な製造機械の導入が必要となってコスト
高にならぬよう留意する事が大切である。

駆動用の絶縁ゲート型トランジスタが複数個用意してな
ければ点欠陥の補修の効果が十分とは言えないので、第
１から第８までの実施例において絵素電極を絶縁ゲート
型トランジスタの検査後に形成する製造方法が有効て適
用可能なマトリクス編成は第２、第３、第５、第６、第
７および第８の実施例であって、絵素電極を絶縁ゲート
型トランジスタの形成後に形成する変更だけでよいこと
は説明を要しない。ただし、第２と第３の実施例におい
て絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレイン間が短
絡している場合に走査線方向に縦一列の絶縁ゲート型ト
ランジスタの電気検査が不可能となる欠点は改善されて
はいない。

補助容量が導入されると、補助容量の共通線と仮の接続
線との交差部が必然的に発生し、交差部に於いて短絡が
発生する確率は０ではないことは明らかであるので、実
施例においては理解を簡単にするため補助容量を有しな
いアクティブマトリクス基板について説明している。し
かしながら、仮の接続は最終的には除去されるので不良
を増加させて歩留まりを低下させる恐れは無く、補助容
量を有するアクティブマトリクス編成の場合にも本発明
の有効性は損なわれるものではない。ただし、補助容量
の共通線と走査線や信号線、あるいは仮の接続線との短
絡が余分な電流通路を形成するので電気検査の項目数が
増加することは避けられないことを補足し、具体的な検
査内容については本発明では省略しておく。

なお、本発明の要旨に従えば、アクティブマトリクス基
板は液晶パネルに限定される理由は存在せず、光学素子
としてELやSiC等の発光素子を有するデバイスであって
も適用可能である。また液晶パネルも本文で説明した透
過型に限定されるものではなく、絵素電極の形成に係る
製造工程の多少増減と変更を許せば反射型の液晶パネル
においても極めて有用な発明である。

発明の効果以上述べたごとく、本発明は、液晶パネルを構成するア
クティブマトリクス基板の製造に当たり、点欠陥の主原
因となる駆動用の絶縁ゲート型トランジスタを電気的に
全数検査可能とするための仮の接続線、補助の絶縁ゲー
ト型トランジスタ、絶縁ゲート型トランジスタの複数化
あるいはそれらの仮の相互接続を導入したことにあり、
さらに改良したものとして駆動用の絶縁ゲート型トラン
ジスタを複数化し、電気検査によって不良の絶縁ゲート
型トランジスタを排除した後に絵素電極を共有させて形
成させている。この結果、まずアクティブマトリクス基
板を液晶パネル化する前に、点欠陥の発生状況を推測す
ることが可能となり、高価なカラーフィルタを無駄に使
用する損失を回避できてその工業的な価値は計り知れな
いものである。さらに絶縁ゲート型トランジスタを複数
化する技術との併用により点欠陥の緩和の自由度も大幅
に強化され、最も進歩した形においては原理的に点欠陥
が発生しないアクティブマトリクス基板を得ることがで
きて歩留まりの向上の観点からは極めて重要な技術であ
ると評価される。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第８図ａは、それぞれ本発明によるアクティブ
マトリクス基板（液晶パネル）の等価回路図、第１図〜
第８図のｂは、それぞれ第１図〜第８図のａに対応した
単位絵素内のパターン配置図の一例を示す図、第９図は
液晶パネルへの実装手段を示す斜視図、第10図はアクテ
ィブ型の液晶パネルの等価回路図、第11図と第12図は点
欠陥を緩和するために改善された液晶パネルの開示例の
等価回路図である。１……液晶パネル、２……アクティブマトリクス基板、
３……半導体チップ、４……接続フィルム、５……信号
線の電極端子、６……走査線の電極端子、９……カラー
フィルタ、10……絶縁ゲート型トランジスタ、11……走
査線、12……信号線、13……液晶セル、14……絵素電
極、15……対抗電極、16……補助容量、18……補助の絶
縁ゲート型トランジスタ、20……接続線、21……開口
部、22……ソース配線、23……ドレイン配線、24、26、
27……開口部、25、30……接続パターン、28……信号線
の分岐部、29……Alの多層配線パターン。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】走査線と信号線の交点毎に一組の絶縁ゲー
ト型トランジスタと絵素電極とを有するアクティブマト
リクス基板の製造方法において、除去可能な配線材で絶
縁ゲート型トランジスタのドレイン電極（ｍ番目）が、
隣接する信号線（ｍ＋１番目）に接続されて形成され、
絶縁ゲート型トランジスタの電気検査終了後に前記接続
の解除が行なわれることを特徴とする点欠陥の検出可能
なアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】二組の絶縁ゲート型トランジスタと絵素電
極とを有するアクティブマトリクス基板の製造方法にお
いて、絶縁ゲート型トランジスタの電気検査が独立して
なされるべく除去可能な配線材を用いて回路が形成さ
れ、絶縁ゲート型トランジスタの電気検査終了後に絶縁
配線材の除去が行なわれることを特徴とする点欠陥の検
出可能なアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項３】走査線と信号線の交点毎にゲート電極とソ
ース電極とを共通にする第１と第２の二組の絶縁ゲート
型トランジスタと絵素電極とを有するアクティブマトリ
クス基板の製造方法において、除去可能な配線材で第１
の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極（ｍ番目）
は、隣接するｍ＋１番目の信号線に接続され、第２の絶
縁ゲート型トランジスタのドレイン電極は同じくｍ＋２
番目の信号線に接続されて形成され、絶縁ゲート型トラ
ンジスタの電気検査終了後に前記接続の解除が行なわれ
ることを特徴とする請求項２記載の点欠陥の検出可能な
アクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項４】走査線と信号線の交点毎にソース電極を共
通にし、ゲート電極は隣接する２本の走査線に接続され
た第１と第２の二組の絶縁ゲート型トランジスタと絵素
電極とを有するアクティブマトリクス基板の製造方法に
おいて、絵素電極は同一の走査線で駆動される一対より
なり、除去可能な配線材で第１の絶縁ゲート型トランジ
スタのドレイン電極（ｍ番目）は隣接するｍ＋１番目の
信号線に接続され、第２の絶縁ゲート型トランジスタの
ドレイン電極は同じくｍ＋２番目の信号線に接続されて
形成され、絶縁ゲート型トランジスタの電気検査終了後
に前記接続の解除が行なわれることを特徴とする請求項
２記載の点欠陥の検出可能なアクティブマトリクス基板
の製造方法。
【請求項５】走査線と信号線との交点毎に一組または二
組の絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とを有するア
クティブマトリクス基板の製造方法において、絶縁ゲー
ト型トランジスタの電気検査が独立して実施出来るよう
に除去可能な配線材を用いて補助の絶縁ゲート型トラン
ジスタとの接続が形成され、絶縁ゲート型トランジスタ
の電気検査終了後に前記接続の解除と特性不良の絶縁ゲ
ート型トランジスタと絵素電極との解除が行なわれるこ
とを特徴とする点欠陥の検出及び補修の可能なアクティ
ブマトリクス基板の製造方法。
【請求項６】走査線（ｎ番目）と信号線（ｍ番目）の交
点毎に一組の駆動用絶縁ゲート型トランジスタと絵素電
極とを有するアクティブマトリクス基板の製造方法にお
いて、ゲートをｎ＋１番目の走査線にソースをｍ＋１番
目の信号線に接続された補助の絶縁ゲート型トランジス
タのドレイン電極が除去可能な配線材で駆動用絶縁ゲー
ト型トランジスタのドレイン電極に接続されて形成さ
れ、絶縁ゲート型トランジスタの電気検査終了後に前記
接続の解除と特性不良の駆動用絶縁ゲート型トランジス
タと絵素電極との接続の解除とが行なわれることを特徴
とする請求項５記載の点欠陥の検出及び補修の可能なア
クティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項７】走査線（ｎ番目）と信号線（ｍ番目）の交
点毎にゲート電極とソース電極とを共通にする二組の絶
縁ゲート型トランジスタと絵素電極とを有するアクティ
ブマトリクス基板の製造方法において、ゲートをｎ＋１
番目の走査線としソースをｍ＋１番目の信号線とする補
助の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極に、当該
番地（n,m）の第１の絶縁ゲート型トランジスタのドレ
イン電極と前段番地（n,m−１）の第２の絶縁ゲート型
トランジスタのドレイン電極とが除去可能な配線材で接
続されて形成され、絶縁ゲート型トランジスタの電気検
査終了後に前記接続の解除と特性不良の絶縁ゲート型ト
ランジスタと絵素電極との接続の解除とが行なわれるこ
とを特徴とする請求項５記載の点欠陥の検出及び補修の
可能なアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項８】走査線（ｎ番目）と信号線（ｍ番目）の交
点毎にゲート電極とソース電極とを共通にする二組の絶
縁ゲート型トランジスタと絵素電極とを有するアクティ
ブマトリクス基板の製造方法において、ゲートをｎ＋１
番目の走査線としソースをｍ＋１番目の信号線とする補
助の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極に、当該
番地（n,m）の第１の絶縁ゲート型トランジスタのドレ
イン電極と前段番地（ｎ−1,m）の第２の絶縁ゲート型
トランジスタのドレイン電極とが除去可能な配線材で接
続されて形成され、絶縁ゲート型トランジスタの電気検
査終了後に前記接続の解除と特性不良の絶縁ゲート型ト
ランジスタと絵素電極との接続の解除とが行なわれるこ
とを特徴とする請求項５記載の点欠陥の検出及び補修の
可能なアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項９】走査線と信号線の交点毎に４組の絶縁ゲー
ト型トランジスタと絵素電極とを有するアクティブマト
リクス基板の製造方法において、絶縁ゲート型トランジ
スタの電気検査が独立して実施出来るように除去可能な
配線材を用いて絶縁ゲート型トランジスタ相互間の接続
が形成され、絶縁ゲート型トランジスタの電気検査終了
後に前記接続の解除と特性不良の絶縁ゲート型トランジ
スタと絵素電極との接続の解除とが行なわれることを特
徴とする点欠陥の検出及び補修の可能なアクティブマト
リクス基板の製造方法。
【請求項１０】走査線（ｎ番目）と信号線（ｍ番目）の
交点毎にゲート電極とソース電極とを共通にする第１と
第２の二組の絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とを
有し、ｎ＋１番目の走査線をゲートとしｍ＋１番目の信
号線をソースとして共有する第３と第４の二組の絶縁ゲ
ート型トランジスタと絵素電極とを有するとともに、当
該番地（n,m）の第１の絶縁ゲート型トランジスタのド
レイン電極と第３の絶縁ゲート型トランジスタのドレイ
ン電極、および第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレ
イン電極と次段番地（ｎ＋1,m＋２）の第４の絶縁ゲー
ト型トランジスタのドレイン電極とが除去可能な配線材
で接続されて形成され、絶縁ゲート型トランジスタの電
気検査終了後に前記接続の解除と特性不良の絶縁ゲート
型トランジスタと絵素電極との接続の解除とが行なわれ
ることを特徴とする請求項９に記載の点欠陥の検出及び
補修の可能なアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１１】走査線（ｎ番目）と信号線（ｍ番目）の
交点毎にゲート電極とソース電極とを共通にする第１と
第２の二組の絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とを
有し、ｎ＋１番目の走査線をゲートとしｍ＋１番目の信
号線をソースとして共有する第３と第４の二組の絶縁ゲ
ート型トランジスタと絵素電極とを有するとともに、当
該番地（n,m）の第１の絶縁ゲート型トランジスタのド
レイン電極と第３の絶縁ゲート型トランジスタのドレイ
ン電極、および第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレ
イン電極と次段番地（ｎ＋2,m＋１）の第４の絶縁ゲー
ト型トランジスタのドレイン電極とが除去可能な配線材
で接続されて形成され、絶縁ゲート型トランジスタの電
気検査終了後に前記接続の解除と特性不良の絶縁ゲート
型トランジスタと絵素電極との接続の解除とが行なわれ
ることを特徴とする請求項９に記載の点欠陥の検出及び
補修の可能なアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１２】単位絵素内に複数個の絶縁ゲート型トラ
ンジスタが独立して電気的に検査できるように形成され
たアクティブマトリクス基板の製造方法において、電気
検査終了後に特性不良の絶縁ゲート型トランジスタを除
いて共通の絵素電極を選択的に形成することを特徴とす
る点欠陥の補修されたアクティブマトリクス基板の製造
方法。
【請求項１３】単位絵素を構成する複数個の絶縁ゲート
型トランジスタが独立して電気的に検査出来るように走
査線と信号線とともに複数個の絶縁ゲート型トランジス
タおよび除去可能な配線材で前記素子間の相互接続がな
されて形成され、絶縁ゲート型トランジスタの電気検査
終了後に前記相互接続が解除され、複数個の絶縁ゲート
型トランジスタで共通する一つの絵素電極の形成時に特
性不良の絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極との接続
が電気検査データに基づいて選択的に回避されるべく絵
素電極の一部が欠除して形成されることを特徴とする請
求項12に記載の点欠陥の補修されたアクティブマトリク
ス基板の製造方法。
【請求項１４】単位絵素を構成する複数個の絶縁ゲート
型トランジスタが独立して電気的に検査出来るように走
査線と信号線とともに複数個の絶縁ゲート型トランジス
タおよび除去可能な配線材で前記素子間の相互接続がな
されて形成され、絶縁ゲート型トランジスタの電気検査
終了後に前記相互接続が解除され、電気検査データに基
づいて特性不良の絶縁ゲート型トランジスタを正規の配
線からレーザ照射によって分離した後、複数個の絶縁ゲ
ート型トランジスタで共有する一つの絵素電極を選択的
に形成することを特徴とする請求項12記載の点欠陥の補
修されたアクティブマトリクス基板の製造方法。