JPH0795511B2 - Ｘ線露光用マスクとその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクとその製造方法Info
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- JPH0795511B2 JPH0795511B2 JP9058187A JP9058187A JPH0795511B2 JP H0795511 B2 JPH0795511 B2 JP H0795511B2 JP 9058187 A JP9058187 A JP 9058187A JP 9058187 A JP9058187 A JP 9058187A JP H0795511 B2 JPH0795511 B2 JP H0795511B2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 88
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 47
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えばＸ線リソグラフィ等に用いられるＸ
線露光用マスクとその製造方法に関する。
線露光用マスクとその製造方法に関する。
第５図は、Ｘ線露光用マスクの製造工程の一例を示す図
である。
である。
まず、例えばシリコン単結晶基板から成るマスク支持体
２を用意し（同図（Ａ））、その上に例えば窒化ホウ素
（BN）あるいは窒化シリコン（SiNx）等から成るＸ線透
過性支持体４を、CVD法、イオンプレーティング法、真
空蒸着とイオン照射の併用法等によって形成する（同図
（Ｂ））。そしてその上に、例えばAu、Ta、Ｗ等から成
るＸ線吸収体６を、蒸着法、メッキ法等によって形成す
る（同図（Ｃ））。これによって、パターニング等の加
工をする前のマスク（マスクブランクス）７が得られ
る。
２を用意し（同図（Ａ））、その上に例えば窒化ホウ素
（BN）あるいは窒化シリコン（SiNx）等から成るＸ線透
過性支持体４を、CVD法、イオンプレーティング法、真
空蒸着とイオン照射の併用法等によって形成する（同図
（Ｂ））。そしてその上に、例えばAu、Ta、Ｗ等から成
るＸ線吸収体６を、蒸着法、メッキ法等によって形成す
る（同図（Ｃ））。これによって、パターニング等の加
工をする前のマスク（マスクブランクス）７が得られ
る。
その後は例えば、Ｘ線吸収体６の上にレジスト８を塗布
し（同図（Ｄ））、そして当該レジスト８をパターニン
グした後（同図（Ｅ））、Ｘ線吸収体６をイオンエッチ
ング等によってパターニングすると共にレジスト８を除
去し（同図（Ｆ））、最後にウエットエッチング等によ
ってＸ線透過性支持体４をエッチング停止層としてマス
ク支持体２に窓あけを行うと、最終的に加工されたＸ線
露光用マスク10が得られる（同図（Ｇ））。
し（同図（Ｄ））、そして当該レジスト８をパターニン
グした後（同図（Ｅ））、Ｘ線吸収体６をイオンエッチ
ング等によってパターニングすると共にレジスト８を除
去し（同図（Ｆ））、最後にウエットエッチング等によ
ってＸ線透過性支持体４をエッチング停止層としてマス
ク支持体２に窓あけを行うと、最終的に加工されたＸ線
露光用マスク10が得られる（同図（Ｇ））。
上記Ｘ線吸収体６は、一般的に前述したような蒸着法、
メッキ法等によってＸ線透過性支持体４上に形成されて
いるため、両者間の密着性が悪く、そのためＸ線照射時
の温度上昇に伴ってＸ線吸収体６が剥離を起こす場合が
あった。
メッキ法等によってＸ線透過性支持体４上に形成されて
いるため、両者間の密着性が悪く、そのためＸ線照射時
の温度上昇に伴ってＸ線吸収体６が剥離を起こす場合が
あった。
即ち、Ｘ線照射時に、Ｘ線吸収体６等はＸ線の吸収によ
って発熱し、それによって当該Ｘ線吸収体６やＸ線透過
性支持体４等の温度が上昇するが、前述したようにＸ線
吸収体６はAu、Ta、Ｗ等の金属から成りＸ線透過性支持
体４は窒化ホウ素や窒化シリコン等のセラミックスから
成っていて、両者の熱膨脹係数が通常は互いに異なるた
め、両者間に熱ストレスが発生する。それゆえ両者間の
密着性が悪いと、Ｘ線吸収体６が剥離脱落を起こし、パ
ターニング欠陥の発生、パターン精度の悪化というよう
な問題が発生し、正確なパターン転写が行えなくなる。
って発熱し、それによって当該Ｘ線吸収体６やＸ線透過
性支持体４等の温度が上昇するが、前述したようにＸ線
吸収体６はAu、Ta、Ｗ等の金属から成りＸ線透過性支持
体４は窒化ホウ素や窒化シリコン等のセラミックスから
成っていて、両者の熱膨脹係数が通常は互いに異なるた
め、両者間に熱ストレスが発生する。それゆえ両者間の
密着性が悪いと、Ｘ線吸収体６が剥離脱落を起こし、パ
ターニング欠陥の発生、パターン精度の悪化というよう
な問題が発生し、正確なパターン転写が行えなくなる。
そこでこの発明は、このような問題点を解決したＸ線露
光用マスクとその製造方法を提供することを目的とす
る。
光用マスクとその製造方法を提供することを目的とす
る。
この発明のＸ線露光用マスクは、前述したようなＸ線吸
収体とＸ線透過性支持体との界面付近に、Ｘ線吸収体を
構成する物質とＸ線透過性支持体を構成する物質とが混
じり合って成り、しかもＸ線透過性支持体に近づくにつ
れてＸ線吸収体を構成する物質の割合が連続的に減少し
かつＸ線透過性支持体を構成する物質の割合が連続的に
増加している混合層が形成されていることを特徴とす
る。
収体とＸ線透過性支持体との界面付近に、Ｘ線吸収体を
構成する物質とＸ線透過性支持体を構成する物質とが混
じり合って成り、しかもＸ線透過性支持体に近づくにつ
れてＸ線吸収体を構成する物質の割合が連続的に減少し
かつＸ線透過性支持体を構成する物質の割合が連続的に
増加している混合層が形成されていることを特徴とす
る。
この発明の第１の製造方法は、マスク支持体上にＸ線透
過性支持体が、更にその上にＸ線吸収体がそれぞれ形成
されたものを用意し、真空中でＸ線吸収体側から、加速
された不活性ガスイオンを注入することによって、Ｘ線
吸収体とＸ線透過性支持体との界面付近に、Ｘ線吸収体
を構成する物質とＸ線透過性支持体を構成する物質とが
混じり合って成り、しかもＸ線透過性支持体に近づくに
つれてＸ線吸収体を構成する物質の割合が連続的に減少
しかつＸ線透過性支持体を構成する物質の割合が連続的
に増加している混合層を形成することを特徴とする。
過性支持体が、更にその上にＸ線吸収体がそれぞれ形成
されたものを用意し、真空中でＸ線吸収体側から、加速
された不活性ガスイオンを注入することによって、Ｘ線
吸収体とＸ線透過性支持体との界面付近に、Ｘ線吸収体
を構成する物質とＸ線透過性支持体を構成する物質とが
混じり合って成り、しかもＸ線透過性支持体に近づくに
つれてＸ線吸収体を構成する物質の割合が連続的に減少
しかつＸ線透過性支持体を構成する物質の割合が連続的
に増加している混合層を形成することを特徴とする。
この発明の第２の製造方法は、マスク支持体上にＸ線透
過性支持体が形成されたものを用意し、真空中でＸ線透
過性支持体に対して、Ｘ線吸収体構成用金属の蒸着と、
当該金属と同種の金属イオンまたは不活性ガスイオンで
あって加速されたものの照射を行うことによって、Ｘ線
透過性支持体上にＸ線吸収体を、かつ両者の界面付近
に、Ｘ線吸収体を構成する物質とＸ線透過性支持体を構
成する物質とが混じり合って成り、しかもＸ線透過性支
持体に近づくにつれてＸ線吸収体を構成する物質の割合
が連続的に減少しかつＸ線透過性支持体を構成する物質
の割合が連続的に増加している混合層を形成することを
特徴とする。
過性支持体が形成されたものを用意し、真空中でＸ線透
過性支持体に対して、Ｘ線吸収体構成用金属の蒸着と、
当該金属と同種の金属イオンまたは不活性ガスイオンで
あって加速されたものの照射を行うことによって、Ｘ線
透過性支持体上にＸ線吸収体を、かつ両者の界面付近
に、Ｘ線吸収体を構成する物質とＸ線透過性支持体を構
成する物質とが混じり合って成り、しかもＸ線透過性支
持体に近づくにつれてＸ線吸収体を構成する物質の割合
が連続的に減少しかつＸ線透過性支持体を構成する物質
の割合が連続的に増加している混合層を形成することを
特徴とする。
この発明のＸ線露光用マスクにおいては、混合層が言わ
ば楔のような作用をするので、Ｘ線吸収体のＸ線透過性
支持体に対する密着性が向上する。
ば楔のような作用をするので、Ｘ線吸収体のＸ線透過性
支持体に対する密着性が向上する。
この発明の第１の製造方法によれば、Ｘ線吸収体を構成
する物質が不活性ガスイオンによってＸ線透過性支持体
内に叩き込まれたり、あるいはそれと共にＸ線透過性支
持体を構成する物質がＸ線吸収体内に叩き出されたりし
て、Ｘ線吸収体とＸ線透過性支持体との界面付近に、両
者の構成物質が混じり合って成る上記のような混合層が
形成される。
する物質が不活性ガスイオンによってＸ線透過性支持体
内に叩き込まれたり、あるいはそれと共にＸ線透過性支
持体を構成する物質がＸ線吸収体内に叩き出されたりし
て、Ｘ線吸収体とＸ線透過性支持体との界面付近に、両
者の構成物質が混じり合って成る上記のような混合層が
形成される。
この発明の第２の製造方法によれば、Ｘ線吸収体構成用
金属の蒸着によってＸ線透過性支持体上にＸ線吸収体が
形成され、しかも照射されたイオンによって、Ｘ線吸収
体を構成する物質がＸ線透過性支持体内に叩き込まれた
り、あるいはそれと共にＸ線透過性支持体を構成する物
質がＸ線吸収体内に叩き出されたりして、Ｘ線吸収体と
Ｘ線透過性支持体との界面付近に、両者の構成物質が混
じり合って成る上記のような混合層が形成される。
金属の蒸着によってＸ線透過性支持体上にＸ線吸収体が
形成され、しかも照射されたイオンによって、Ｘ線吸収
体を構成する物質がＸ線透過性支持体内に叩き込まれた
り、あるいはそれと共にＸ線透過性支持体を構成する物
質がＸ線吸収体内に叩き出されたりして、Ｘ線吸収体と
Ｘ線透過性支持体との界面付近に、両者の構成物質が混
じり合って成る上記のような混合層が形成される。
第１図は、この発明に係るＸ線露光用マスクの一例を部
分的に示す概略断面図である。
分的に示す概略断面図である。
この実施例のＸ線露光用マスク12は、例えば前述したよ
うなＸ線吸収体６と、それを支持するＸ線透過性支持体
４と、それを支持するマスク支持体２とを有している。
しかもＸ線吸収体６とＸ線透過性支持体４との界面付近
に、両者の構造物質（例えばＸ線吸収体６がAuから成り
Ｘ線透過性支持体４がBNから成る場合は、AuおよびBN）
が混じり合って成る混合層14が形成されている。しかも
この混合層14においては、例えば第４図に示すように、
Ｘ線透過性支持体４に近づくにつれてＸ線吸収体６を構
成する物質の割合が連続的に減少しかつＸ線透過性支持
体４を構成する物質の割合が連続的に増加している。
尚、図示例ではＸ線吸収体６あるいはマスク支持体２は
パターニングあるいは窓あけ等の加工が成されていない
ものを示すが、それらは例えば第５図（Ｄ）〜（Ｇ）の
ような工程を経る等して適宜加工される。
うなＸ線吸収体６と、それを支持するＸ線透過性支持体
４と、それを支持するマスク支持体２とを有している。
しかもＸ線吸収体６とＸ線透過性支持体４との界面付近
に、両者の構造物質（例えばＸ線吸収体６がAuから成り
Ｘ線透過性支持体４がBNから成る場合は、AuおよびBN）
が混じり合って成る混合層14が形成されている。しかも
この混合層14においては、例えば第４図に示すように、
Ｘ線透過性支持体４に近づくにつれてＸ線吸収体６を構
成する物質の割合が連続的に減少しかつＸ線透過性支持
体４を構成する物質の割合が連続的に増加している。
尚、図示例ではＸ線吸収体６あるいはマスク支持体２は
パターニングあるいは窓あけ等の加工が成されていない
ものを示すが、それらは例えば第５図（Ｄ）〜（Ｇ）の
ような工程を経る等して適宜加工される。
上記Ｘ線露光用マスク12においては、混合層14が言わば
楔のような作用をするので、Ｘ線吸収体６のＸ線透過性
支持体４に対する密着性が非常に高くなる。しかも、Ｘ
線吸収体６とＸ線透過性支持体４間の熱膨脹係数の違い
を、組成が連続的に変化している混合層14で吸収できる
ため、Ｘ線吸収体６とＸ線透過性支持体４間の熱ストレ
スの発生も抑えられる。
楔のような作用をするので、Ｘ線吸収体６のＸ線透過性
支持体４に対する密着性が非常に高くなる。しかも、Ｘ
線吸収体６とＸ線透過性支持体４間の熱膨脹係数の違い
を、組成が連続的に変化している混合層14で吸収できる
ため、Ｘ線吸収体６とＸ線透過性支持体４間の熱ストレ
スの発生も抑えられる。
その結果、Ｘ線照射時の温度上昇に伴うＸ線吸収体６の
剥離が無くなるため、従来のマスクの欠点であったＸ線
吸収体の脱落によるパターン欠陥の発生、パターン精度
の悪化というような問題が無くなり、正確なパターン転
写が可能になる。
剥離が無くなるため、従来のマスクの欠点であったＸ線
吸収体の脱落によるパターン欠陥の発生、パターン精度
の悪化というような問題が無くなり、正確なパターン転
写が可能になる。
次に上記のようなＸ線露光用マスク12の製造方法の例を
第２図あるいは第３図を参照して説明する。
第２図あるいは第３図を参照して説明する。
第２図は、イオン注入による方法を実施する装置の例を
示す。即ち、前述したようなマスク支持体２上にＸ線透
過性支持体４が、更にその上にＸ線吸収体６が公知のCV
D法、PVD法等によってそれぞれ形成されたものを用意し
て、これをホルダ16に取り付けて真空容器（図示省略）
内に収納しており、当該Ｘ線吸収体６に向けてイオン源
18を配置している。
示す。即ち、前述したようなマスク支持体２上にＸ線透
過性支持体４が、更にその上にＸ線吸収体６が公知のCV
D法、PVD法等によってそれぞれ形成されたものを用意し
て、これをホルダ16に取り付けて真空容器（図示省略）
内に収納しており、当該Ｘ線吸収体６に向けてイオン源
18を配置している。
イオン源18は、この例ではプラズマ閉じ込めに多極磁場
を用いるバケット型イオン源であり、均一で大面積のイ
オン（イオンビーム）20を加速してＸ線吸収体６に照射
・注入することができる。もっとも、このようなバケッ
ト型イオン源の代わりに、他のタイプのイオン源を用い
ることもできる。
を用いるバケット型イオン源であり、均一で大面積のイ
オン（イオンビーム）20を加速してＸ線吸収体６に照射
・注入することができる。もっとも、このようなバケッ
ト型イオン源の代わりに、他のタイプのイオン源を用い
ることもできる。
処理に際しては、真空容器内を例えば10-5〜10-7Torr程
度にまで排気したのち、イオン源18からイオン20として
Ne、Ar、Kr等の不活性ガスイオンを引き出してこれをＸ
線吸収体６側から注入する。これによって、Ｘ線吸収体
６を構成する物質が不活性ガスイオン20によってＸ線透
過性支持体４の内部に叩き込まれたり、あるいはそれと
共にＸ線透過性支持体４を構成する物質がＸ線吸収体６
内に叩き出されたりして、Ｘ線吸収体６とＸ線透過性支
持体４との界面付近に、両者の構成物質が混じり合って
成る成る前述したような混合層14（第１図参照）が形成
される。その結果、前述したようなＸ線露光用マスク12
が得られる。
度にまで排気したのち、イオン源18からイオン20として
Ne、Ar、Kr等の不活性ガスイオンを引き出してこれをＸ
線吸収体６側から注入する。これによって、Ｘ線吸収体
６を構成する物質が不活性ガスイオン20によってＸ線透
過性支持体４の内部に叩き込まれたり、あるいはそれと
共にＸ線透過性支持体４を構成する物質がＸ線吸収体６
内に叩き出されたりして、Ｘ線吸収体６とＸ線透過性支
持体４との界面付近に、両者の構成物質が混じり合って
成る成る前述したような混合層14（第１図参照）が形成
される。その結果、前述したようなＸ線露光用マスク12
が得られる。
上記の場合、混合層14の厚みは、イオン20のエネルギー
等によって調整することができる。
等によって調整することができる。
また、イオン20のエネルギーと予め形成しておくＸ線吸
収体６の膜厚との関係は、イオン20の飛程（平均射影飛
程）がＸ線吸収体６の膜厚と同程度になるようにするの
が好ましい。そのようにすれば、Ｘ線吸収体６とＸ線透
過性支持体４との界面付近に効果的に混合層14を形成す
ることができるからである。
収体６の膜厚との関係は、イオン20の飛程（平均射影飛
程）がＸ線吸収体６の膜厚と同程度になるようにするの
が好ましい。そのようにすれば、Ｘ線吸収体６とＸ線透
過性支持体４との界面付近に効果的に混合層14を形成す
ることができるからである。
もっとも、イオン20のエネルギーは、それがあまり大き
いとそのＸ線吸収体６に対するスパッタ作用等が無視で
きなくなるため、例えば数KeV〜数十KeV程度にするのが
好ましく、その場合のイオン20の飛程がＸ線吸収体６の
所望膜厚に足りない場合は、初めにＸ線透過性支持体４
上にＸ線吸収体６をイオン20の飛程程度の厚みだけ形成
しておいて混合層14を形成した後に、Ｘ線吸収体６の膜
厚を更に所望膜厚まで増やすようにしても良い。
いとそのＸ線吸収体６に対するスパッタ作用等が無視で
きなくなるため、例えば数KeV〜数十KeV程度にするのが
好ましく、その場合のイオン20の飛程がＸ線吸収体６の
所望膜厚に足りない場合は、初めにＸ線透過性支持体４
上にＸ線吸収体６をイオン20の飛程程度の厚みだけ形成
しておいて混合層14を形成した後に、Ｘ線吸収体６の膜
厚を更に所望膜厚まで増やすようにしても良い。
また、Ｘ線吸収体６表面の垂線に対するイオン20の入射
角θは、それによるＸ線吸収体６のスパッタ防止等の観
点から、０゜〜60゜程度の範囲内にするのが好ましい。
角θは、それによるＸ線吸収体６のスパッタ防止等の観
点から、０゜〜60゜程度の範囲内にするのが好ましい。
また、イオン20の注入量は、それがあまり少ないと混合
層14ができにくく、逆に余り多いと混合層14等の内部に
ガスボイド等ができ易いため、1015〜1018イオン/cm2程
度にするのが好ましい。
層14ができにくく、逆に余り多いと混合層14等の内部に
ガスボイド等ができ易いため、1015〜1018イオン/cm2程
度にするのが好ましい。
第３図は、真空蒸着とイオン照射とを併用する方法を実
施する装置の例を示す。即ち、前述したようなマスク支
持体２上にＸ線透過性支持体４が公知のCVD法、PVD法等
によって形成されたものを用意して、これをホルダ16に
取り付けて真空容器（図示省略）内に収納しており、当
該Ｘ線透過性支持体４に向けて蒸発源22および前述した
ようなイオン源18を配置している。
施する装置の例を示す。即ち、前述したようなマスク支
持体２上にＸ線透過性支持体４が公知のCVD法、PVD法等
によって形成されたものを用意して、これをホルダ16に
取り付けて真空容器（図示省略）内に収納しており、当
該Ｘ線透過性支持体４に向けて蒸発源22および前述した
ようなイオン源18を配置している。
蒸発源22は、この例では電子ビーム蒸発源であり、蒸発
材料24を電子ビームによって加熱蒸気化することによっ
て、前述したようなＸ線吸収体６構成用の金属26、例え
ばAu、Ta、Ｗ等をＸ線透過性支持体４の表面に蒸着させ
ることができる。最も、このような電子ビーム蒸発源の
代わりに、他のタイプの蒸発源を用いることもできる。
材料24を電子ビームによって加熱蒸気化することによっ
て、前述したようなＸ線吸収体６構成用の金属26、例え
ばAu、Ta、Ｗ等をＸ線透過性支持体４の表面に蒸着させ
ることができる。最も、このような電子ビーム蒸発源の
代わりに、他のタイプの蒸発源を用いることもできる。
Ｘ線透過性支持体４に対する金属26の蒸着速度あるいは
Ｘ線透過性支持体４上に形成される膜の膜厚は、膜厚モ
ニタ28によって計測することができる。
Ｘ線透過性支持体４上に形成される膜の膜厚は、膜厚モ
ニタ28によって計測することができる。
イオン源18からはこの場合、イオン20として、上記金属
26と同種の金属イオンまたは前述たような不活性ガスイ
オンを引き出す。
26と同種の金属イオンまたは前述たような不活性ガスイ
オンを引き出す。
処理に際しては、真空容器内を例えば10-5〜10-7Torr程
度にまで排気した後、蒸発源22からの上記のような金属
26をＸ線透過性支持体４上に蒸着させ、かつイオン源18
からの上記のようなイオン20をＸ線透過性支持体４に向
けて照射する。
度にまで排気した後、蒸発源22からの上記のような金属
26をＸ線透過性支持体４上に蒸着させ、かつイオン源18
からの上記のようなイオン20をＸ線透過性支持体４に向
けて照射する。
その場合、Ｘ線透過性支持体４に対する金属26の蒸着と
イオン20の照射の態様としては、両者を同時に行って
所望膜厚のＸ線吸収体６を得る方法、両者を同時に行
った後、更に必要に応じて金属26の蒸着を行って所望膜
厚のＸ線吸収体６を得る方法、金属26の蒸着を先行さ
せてそれとイオン20の照射を交互に所定回数行って所望
膜厚のＸ線吸収体６を得る方法、等が採り得る。
イオン20の照射の態様としては、両者を同時に行って
所望膜厚のＸ線吸収体６を得る方法、両者を同時に行
った後、更に必要に応じて金属26の蒸着を行って所望膜
厚のＸ線吸収体６を得る方法、金属26の蒸着を先行さ
せてそれとイオン20の照射を交互に所定回数行って所望
膜厚のＸ線吸収体６を得る方法、等が採り得る。
上記処理によって、Ｘ線透過性支持体４上に前述したよ
うな混合層14（第１図参照）が形成され、その上に前述
したようなＸ線吸収体６が形成される。混合層14が形成
されるのは、Ｘ線透過性支持体４上に蒸着されたＸ線吸
収体６構成用の金属26が、照射されたイオン20によって
Ｘ線透過性支持体４の内部に叩き込まれたり、あるいは
それと共にＸ線透過性支持体４を構成する物質が蒸着さ
れたＸ線吸収体６内に叩き出されたりする作用による。
以上によって、前述したようなＸ線露光用マスク12が得
られる。
うな混合層14（第１図参照）が形成され、その上に前述
したようなＸ線吸収体６が形成される。混合層14が形成
されるのは、Ｘ線透過性支持体４上に蒸着されたＸ線吸
収体６構成用の金属26が、照射されたイオン20によって
Ｘ線透過性支持体４の内部に叩き込まれたり、あるいは
それと共にＸ線透過性支持体４を構成する物質が蒸着さ
れたＸ線吸収体６内に叩き出されたりする作用による。
以上によって、前述したようなＸ線露光用マスク12が得
られる。
尚、この場合も、金属26の蒸着とイオン20の照射を交互
に行う場合は、Ｘ線透過性支持体４上に先に形成するＸ
線吸収体６の厚みは、後に照射・注入するイオン20の飛
程程度の厚みにするのが好ましい。また、イオン20のエ
ネルギー、入射角θ、注入量等の好ましい範囲は、第２
図で説明した方法の場合とほぼ同様である。いずれも前
述した理由による。
に行う場合は、Ｘ線透過性支持体４上に先に形成するＸ
線吸収体６の厚みは、後に照射・注入するイオン20の飛
程程度の厚みにするのが好ましい。また、イオン20のエ
ネルギー、入射角θ、注入量等の好ましい範囲は、第２
図で説明した方法の場合とほぼ同様である。いずれも前
述した理由による。
次に、第３図で説明した方法による具体的な実験例を示
す。
す。
実験例１ シリコン単結晶基板から成るマスク支持体２上に、窒化
ホウ素（BN）から成るＸ線透過性支持体４を熱CVD法に
よって４μｍの膜厚に形成したものを用意し、当該Ｘ線
透過性支持体４に対して、蒸発源22から金属26としてAu
を蒸発させてそを約10Å/minで蒸着させながら、イオン
源18からイオン20としてArイオンを約5KeV〜20KeVのエ
ネルギーで照射して、混合層14を約10Å〜1000Åの厚み
形成した。その後、イオン20の照射を中止して蒸着のみ
で、混合層14上にＸ線吸収体６としてAuを約3000Åの厚
み形成した。
ホウ素（BN）から成るＸ線透過性支持体４を熱CVD法に
よって４μｍの膜厚に形成したものを用意し、当該Ｘ線
透過性支持体４に対して、蒸発源22から金属26としてAu
を蒸発させてそを約10Å/minで蒸着させながら、イオン
源18からイオン20としてArイオンを約5KeV〜20KeVのエ
ネルギーで照射して、混合層14を約10Å〜1000Åの厚み
形成した。その後、イオン20の照射を中止して蒸着のみ
で、混合層14上にＸ線吸収体６としてAuを約3000Åの厚
み形成した。
このようにして得られたＸ線露光用マスク12のオージェ
電子分光法（AES）による表面からの深さ方向の分析デ
ータの一例を第４図に示す。縦軸の絶対強度は各元素の
密度に相当し、横軸のエッチング時間は表面からの深さ
に相当する。Ｘ線吸収体６であるAuとＸ線透過性支持体
４であるBNとの界面付近に、AuおよびBNから成りしかも
組成が連続的に変化している混合層14が形成されている
のが分かる。
電子分光法（AES）による表面からの深さ方向の分析デ
ータの一例を第４図に示す。縦軸の絶対強度は各元素の
密度に相当し、横軸のエッチング時間は表面からの深さ
に相当する。Ｘ線吸収体６であるAuとＸ線透過性支持体
４であるBNとの界面付近に、AuおよびBNから成りしかも
組成が連続的に変化している混合層14が形成されている
のが分かる。
実験例２ マスク支持体２上にＸ線透過性支持体４を形成したもの
であって上記例１の場合と同様のものを用意し、当該Ｘ
線透過性支持体４に対しAuを約300Å蒸着させた後、Ar
イオンをエネルギー30KeVで1016〜1018イオン/cm2照射
・注入して混合層14を形成した。そしてその後更に、Au
を約3000Å蒸着させてＸ線吸収体６を形成した。
であって上記例１の場合と同様のものを用意し、当該Ｘ
線透過性支持体４に対しAuを約300Å蒸着させた後、Ar
イオンをエネルギー30KeVで1016〜1018イオン/cm2照射
・注入して混合層14を形成した。そしてその後更に、Au
を約3000Å蒸着させてＸ線吸収体６を形成した。
上記いずれの実験例においても、混合層14の存在によっ
てＸ線吸収体６の密着性の良いＸ線露光用マスク12が得
られた。
てＸ線吸収体６の密着性の良いＸ線露光用マスク12が得
られた。
以上のようにこの発明に係るＸ線露光用マスクによれ
ば、混合層が言わば楔のような作用をするのでＸ線吸収
体のＸ線透過性支持体に対する密着性が非常に高くな
り、しかもＸ線吸収体とＸ線透過性支持体間の熱膨脹係
数の違いを組成が連続的に変化している混合層で吸収で
きるためＸ線吸収体とＸ線透過性支持体間の熱ストレス
の発生も抑えられ、その結果、Ｘ線照射時の温度上昇に
伴うＸ線吸収体の剥離を抑えることができるため、従来
のマスクの欠点であったＸ線吸収体の剥離脱落によるパ
ターン欠陥の発生、パターン精度の悪化というような問
題が無くなり、正確なパターン転写が可能になる。
ば、混合層が言わば楔のような作用をするのでＸ線吸収
体のＸ線透過性支持体に対する密着性が非常に高くな
り、しかもＸ線吸収体とＸ線透過性支持体間の熱膨脹係
数の違いを組成が連続的に変化している混合層で吸収で
きるためＸ線吸収体とＸ線透過性支持体間の熱ストレス
の発生も抑えられ、その結果、Ｘ線照射時の温度上昇に
伴うＸ線吸収体の剥離を抑えることができるため、従来
のマスクの欠点であったＸ線吸収体の剥離脱落によるパ
ターン欠陥の発生、パターン精度の悪化というような問
題が無くなり、正確なパターン転写が可能になる。
またこの発明に係る製造方法によれば、加速されたイオ
ンによるＸ線吸収体構成物質等の叩き込み・叩き出し作
用によって、上記のような混合層を基材の高温加熱を要
することなく形成することができるので、上記のような
混合層を有するＸ線露光用マスクを容易に製造すること
ができる。
ンによるＸ線吸収体構成物質等の叩き込み・叩き出し作
用によって、上記のような混合層を基材の高温加熱を要
することなく形成することができるので、上記のような
混合層を有するＸ線露光用マスクを容易に製造すること
ができる。
第１図は、この発明に係るＸ線露光用マスクの一例を部
分的に示す概略断面図である。第２図および第３図は、
それぞれ、この発明に係る製造方法を実施する装置の例
を示す概略図である。第４図は、実施例の方法によって
得られたＸ線露光用マスクのオージェ電子分光法による
表面から深さ方向の分析データの一例を示すグラフであ
る。第５図は、Ｘ線露光用マスクの製造工程の一例を示
す図である。 ２……マスク支持体、４……Ｘ線透過性支持体、６……
Ｘ線吸収体、12……実施例に係るＸ線露光用マスク、14
……混合層、18……イオン源、20……イオン、22……蒸
発源、26……金属。
分的に示す概略断面図である。第２図および第３図は、
それぞれ、この発明に係る製造方法を実施する装置の例
を示す概略図である。第４図は、実施例の方法によって
得られたＸ線露光用マスクのオージェ電子分光法による
表面から深さ方向の分析データの一例を示すグラフであ
る。第５図は、Ｘ線露光用マスクの製造工程の一例を示
す図である。 ２……マスク支持体、４……Ｘ線透過性支持体、６……
Ｘ線吸収体、12……実施例に係るＸ線露光用マスク、14
……混合層、18……イオン源、20……イオン、22……蒸
発源、26……金属。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−59330（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−160127（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−176235（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】Ｘ線吸収体と、それを支持するＸ線透過性
支持体と、それを支持するマスク支持体とを有するＸ線
露光用マスクにおいて、前記Ｘ線吸収体とＸ線透過性支
持体との界面付近に、Ｘ線吸収体を構成する物質とＸ線
透過性支持体を構成する物質とが混じり合って成り、し
かもＸ線透過性支持体に近づくにつれてＸ線吸収体を構
成する物質の割合が連続的に減少しかつＸ線透過性支持
体を構成する物質の割合が連続的に増加している混合層
が形成されていることを特徴とするＸ線露光用マスク。 - 【請求項２】マスク支持体上にＸ線透過性支持体が、更
にその上にＸ線吸収体がそれぞれ形成されたものを用意
し、真空中でＸ線吸収体側から、加速された不活性ガス
イオンを注入することによって、Ｘ線吸収体とＸ線透過
性支持体との界面付近に、Ｘ線吸収体を構成する物質と
Ｘ線透過性支持体を構成する物質とが混じり合って成
り、しかもＸ線透過性支持体に近づくにつれてＸ線吸収
体を構成する物質の割合が連続的に減少しかつＸ線透過
性支持体を構成する物質の割合が連続的に増加している
混合層を形成することを特徴とするＸ線露光用マスクの
製造方法。 - 【請求項３】マスク支持体上にＸ線透過性支持体が形成
されたものを用意し、真空中でＸ線透過性支持体に対し
て、Ｘ線吸収体構成用金属の蒸着と、当該金属と同種の
金属イオンまたは不活性ガスイオンであって加速された
ものの照射とを行うことによって、Ｘ線透過性支持体上
にＸ線吸収体を、かつ両者の界面付近に、Ｘ線吸収体を
構成する物質とＸ線透過性支持体を構成する物質とが混
じり合って成り、しかもＸ線透過性支持体に近づくにつ
れてＸ線吸収体を構成する物質の割合が連続的に減少し
かつＸ線透過性支持体を構成する物質の割合が連続的に
増加している混合層を形成することを特徴とするＸ線露
光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9058187A JPH0795511B2 (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | Ｘ線露光用マスクとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9058187A JPH0795511B2 (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | Ｘ線露光用マスクとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63255918A JPS63255918A (ja) | 1988-10-24 |
| JPH0795511B2 true JPH0795511B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=14002406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9058187A Expired - Lifetime JPH0795511B2 (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | Ｘ線露光用マスクとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0795511B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5648558B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-01-07 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3070833D1 (en) * | 1980-09-19 | 1985-08-08 | Ibm Deutschland | Structure with a silicon body that presents an aperture and method of making this structure |
| JPS57160127A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-02 | Nec Corp | Manufacture of transcribe mask for x-ray exposure |
| JPS60176235A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Ｘ線露光用マスク原板 |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP9058187A patent/JPH0795511B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63255918A (ja) | 1988-10-24 |
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