JPH0770054B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0770054B2 JPH0770054B2 JP61140303A JP14030386A JPH0770054B2 JP H0770054 B2 JPH0770054 B2 JP H0770054B2 JP 61140303 A JP61140303 A JP 61140303A JP 14030386 A JP14030386 A JP 14030386A JP H0770054 B2 JPH0770054 B2 JP H0770054B2
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8408—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers protecting the magnetic layer
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁性薄膜を磁性層とする磁気記録媒体、特に本
発明は高湿条件下においても走行耐久性に優れた垂直磁
化記録媒体に関する。
発明は高湿条件下においても走行耐久性に優れた垂直磁
化記録媒体に関する。
近年、記録媒体の膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸
を有する磁気記録媒体を用いる垂直磁化記録方式が提案
されている。この垂直磁化記録方式では、記録密度が高
まるほど記録媒体中の反磁界が減少するため、優れた再
生出力が得られ本質的に高密度記録に適した方法といえ
る。
を有する磁気記録媒体を用いる垂直磁化記録方式が提案
されている。この垂直磁化記録方式では、記録密度が高
まるほど記録媒体中の反磁界が減少するため、優れた再
生出力が得られ本質的に高密度記録に適した方法といえ
る。
かかる垂直磁化記録方式の磁気記録を行なうには、記録
媒体の膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有する金
属薄膜型磁気記録媒体を必要とする。このような金属薄
膜型磁気記録媒体としては、高分子材料或いは非磁性金
属等の非磁性材料から成る支持体上に、Co−Cr合金等を
蒸着、スパータリング方イオンプレーティング法等（以
下、本発明では真空薄膜形成法と云う）したものが知ら
れている。
媒体の膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有する金
属薄膜型磁気記録媒体を必要とする。このような金属薄
膜型磁気記録媒体としては、高分子材料或いは非磁性金
属等の非磁性材料から成る支持体上に、Co−Cr合金等を
蒸着、スパータリング方イオンプレーティング法等（以
下、本発明では真空薄膜形成法と云う）したものが知ら
れている。
また、垂直磁化記録再生時の記録再生効率の改善を図る
ため、前記のCo−Cr合金膜より成る垂直磁記録層の下に
下地層として軟磁性材料より成る高透磁率層、例えば、
パーマロイ（Ni−Fe系合金）膜を設けた、いわゆる二層
膜型の垂直磁気記録媒体が知られている。
ため、前記のCo−Cr合金膜より成る垂直磁記録層の下に
下地層として軟磁性材料より成る高透磁率層、例えば、
パーマロイ（Ni−Fe系合金）膜を設けた、いわゆる二層
膜型の垂直磁気記録媒体が知られている。
しかしながら、このような金属薄膜型磁気記録媒体にお
いては走行耐久性や耐摩耗性に劣るという問題がある。
このような欠点を防止うる方法として熱可塑性樹脂や熱
硬化性樹脂よりなる保護層を磁性層表面に設けることが
提案されているが、ヘッドと磁性層間のスペーシングロ
スのため保護層の厚さを大ききできないという制約があ
るため充分な効果が得られていない。
いては走行耐久性や耐摩耗性に劣るという問題がある。
このような欠点を防止うる方法として熱可塑性樹脂や熱
硬化性樹脂よりなる保護層を磁性層表面に設けることが
提案されているが、ヘッドと磁性層間のスペーシングロ
スのため保護層の厚さを大ききできないという制約があ
るため充分な効果が得られていない。
磁気記録媒体の保護層として磁性メッキ層の耐摩耗性を
改良するために、炭素質保護層を蒸着によって設けるこ
とが提案されている（特公昭54−33521号公報）。
改良するために、炭素質保護層を蒸着によって設けるこ
とが提案されている（特公昭54−33521号公報）。
このような炭素質保護層と前記の如き真空薄膜形成法に
よる金属薄膜型磁気記録（媒体に適用したところ、常温
下での走行耐久性は向上したが、高湿下で保存した場合
や、高湿下で走行させた場合の走行耐久性が著しく劣化
した。
よる金属薄膜型磁気記録（媒体に適用したところ、常温
下での走行耐久性は向上したが、高湿下で保存した場合
や、高湿下で走行させた場合の走行耐久性が著しく劣化
した。
すなわち、例えば80％RH程度の高湿下では保護層の密着
性が悪くなり、はがれや膜落ちを生じ、極端な場合には
走行をストップせざるを得なくなった。
性が悪くなり、はがれや膜落ちを生じ、極端な場合には
走行をストップせざるを得なくなった。
本発明者らは、上記の金属薄膜磁気記録媒体に蒸着等に
よって炭素質表面保護層を設けた場合の高湿下における
磁性層と保護層との密着性について検討を重ねた結果、
炭素質保護層を−10V〜−100Vのバイアス電圧を印加し
つつスパッタリングによって設けることにより、その密
着性を著しく改良し、従って高湿下での磁気記録媒体の
走行耐久性を向上させることができることを見出し本発
明を達成した。
よって炭素質表面保護層を設けた場合の高湿下における
磁性層と保護層との密着性について検討を重ねた結果、
炭素質保護層を−10V〜−100Vのバイアス電圧を印加し
つつスパッタリングによって設けることにより、その密
着性を著しく改良し、従って高湿下での磁気記録媒体の
走行耐久性を向上させることができることを見出し本発
明を達成した。
すなわち、本発明は非磁性支持体上に少くとも薄膜磁性
層及び炭素質保護層を形成することからなる磁気記録媒
体の製造方法において、該炭素質保護層を形成するに際
して、非磁性支持体と炭素ターゲットとの間であって、
該非磁性支持体近傍に配置されたバイアスリングに−10
V〜−100Vのバイアス電圧を印加しつつスパッタリング
を行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法であ
る。
層及び炭素質保護層を形成することからなる磁気記録媒
体の製造方法において、該炭素質保護層を形成するに際
して、非磁性支持体と炭素ターゲットとの間であって、
該非磁性支持体近傍に配置されたバイアスリングに−10
V〜−100Vのバイアス電圧を印加しつつスパッタリング
を行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法であ
る。
以下、本発明を詳細に発明する。
本発明の垂直磁化記録媒体は、基本的には非磁性支持体
とその上に蒸着、スパッタリング等の真空薄膜形成法で
設けられ磁性層とスパッタリングによって設けられた炭
素質保護層とからなっている。
とその上に蒸着、スパッタリング等の真空薄膜形成法で
設けられ磁性層とスパッタリングによって設けられた炭
素質保護層とからなっている。
磁性層はCo−Cr,Co−Ni,Co−Fe−Cr,Co−Cr−Ni,Co−Cr
−Ta,Co−Cr−W,Co−Cr−Mo,Co−Cr−V,等の主成分とす
る強磁性金属薄膜単層からなっていてもよいが、特に、
垂直磁化方式にはパーマロイ合金等からなる軟磁性膜を
下層とし、垂直磁化膜を上層とする重層構成とすること
ができる。
−Ta,Co−Cr−W,Co−Cr−Mo,Co−Cr−V,等の主成分とす
る強磁性金属薄膜単層からなっていてもよいが、特に、
垂直磁化方式にはパーマロイ合金等からなる軟磁性膜を
下層とし、垂直磁化膜を上層とする重層構成とすること
ができる。
本発明に使用されるフィルム状支持体としては、ポリエ
チレンテレフタレート（PET）、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルサルホ
ン、ポリサルホン等の高分子材料に対して適用できる。
これらのうち耐熱性にすぐれたポリイミドが好ましい。
チレンテレフタレート（PET）、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルサルホ
ン、ポリサルホン等の高分子材料に対して適用できる。
これらのうち耐熱性にすぐれたポリイミドが好ましい。
また、下地層を有する支持体に対しても適用されうる。
また、アルミニウム、シリコン、ガラス等も支持体とし
て用いることができる。
また、アルミニウム、シリコン、ガラス等も支持体とし
て用いることができる。
また、支持体はあらかじめ、真空中で保持したり、熱処
理したり、或いはグロー放電処理等の前処理を行ない、
支持体の表面及び内部からの不純物ガスの放出を減少さ
せることが望ましい。
理したり、或いはグロー放電処理等の前処理を行ない、
支持体の表面及び内部からの不純物ガスの放出を減少さ
せることが望ましい。
軟磁性膜の材料としては、Ni−Fe,Ni−Fe−Mo,Ni−Fe−
Mo−Cu等いわゆるパーマロイ合金や、Fe,Fe−Al−Si,Fe
−Ni−O,Fe−Ti,Ni−Fe−Cn−Cr−Mn,Fe−Si−B,Fe−Ｂ
−C,Fe−Al,Co−Ｖ−Fe,Co−Ta,Co−Zr,Co−Nb−Zr,Co
−Ti,Co−Nb−Ta,Co−Ni−Zr,Fe−Ni−P,Fe−Co−Zr等
の合金が用いられる。
Mo−Cu等いわゆるパーマロイ合金や、Fe,Fe−Al−Si,Fe
−Ni−O,Fe−Ti,Ni−Fe−Cn−Cr−Mn,Fe−Si−B,Fe−Ｂ
−C,Fe−Al,Co−Ｖ−Fe,Co−Ta,Co−Zr,Co−Nb−Zr,Co
−Ti,Co−Nb−Ta,Co−Ni−Zr,Fe−Ni−P,Fe−Co−Zr等
の合金が用いられる。
膜厚としては、フィルム状支持体からのオリゴマーの析
出や不純物ガス放出を抑止できることが必要であり、0.
03〜５ミクロン程度に選ばれる。良好な垂直磁化記録再
生特性を得るためには、0.1〜１ミクロン程度が特に望
ましい。
出や不純物ガス放出を抑止できることが必要であり、0.
03〜５ミクロン程度に選ばれる。良好な垂直磁化記録再
生特性を得るためには、0.1〜１ミクロン程度が特に望
ましい。
磁性層の膜厚としては、0.03〜５ミクロン程度に選ばれ
るが、0.05〜１ミクロン程度が望ましい。
るが、0.05〜１ミクロン程度が望ましい。
膜形成手段としては、蒸着、スパッタリング等が用いら
れるが複数個の円筒状キャンの周囲に配置された複数個
の高速スパッター源を有するいわゆる連続スパッタリン
グ法またはいわゆるインラインスパッタリング法が望ま
しい。
れるが複数個の円筒状キャンの周囲に配置された複数個
の高速スパッター源を有するいわゆる連続スパッタリン
グ法またはいわゆるインラインスパッタリング法が望ま
しい。
スパッタ源としては、各種の高速スパッター源が使用で
きる。
きる。
Co−Cr等の膜の形成時には、所望のHc（垂直）を得るた
めに円筒状キャンの温度を90℃以上に加熱することが望
ましく、またHc（垂直）の垂直磁化膜を得るためには、
120℃以上が特に望ましい。
めに円筒状キャンの温度を90℃以上に加熱することが望
ましく、またHc（垂直）の垂直磁化膜を得るためには、
120℃以上が特に望ましい。
本発明においては上記の如く形成された磁性層にパッタ
リングによって炭素質保護層を形成するのであるが、こ
の際に基盤に約−10V〜−100Vのバイアス電圧を印加し
つつスパッタリングを行うと極めて密着性のよい炭素質
保護層が得られ、高湿下においても高度な走行耐久性を
保持することができる。
リングによって炭素質保護層を形成するのであるが、こ
の際に基盤に約−10V〜−100Vのバイアス電圧を印加し
つつスパッタリングを行うと極めて密着性のよい炭素質
保護層が得られ、高湿下においても高度な走行耐久性を
保持することができる。
バイアスの印加は次のように行う。
磁気記録媒体を製造する場合のスパッタリングは、一般
に10-2〜10-3程度のアルゴンガス中で被覆材料をターゲ
ットとし、これを例えばPETフイルム等を支持している
冷却キャンとの間に約300〜600V（普通は冷却キャンを
アースし、ターゲットに−300〜600Vの電圧を印加す
る）の電圧を印加し、アルゴンガスでターゲットをたた
き、ターゲットから原子をたたき出し、これを冷却キャ
ンに向けて加速させる際に、媒体フイルムに付着させ
る。
に10-2〜10-3程度のアルゴンガス中で被覆材料をターゲ
ットとし、これを例えばPETフイルム等を支持している
冷却キャンとの間に約300〜600V（普通は冷却キャンを
アースし、ターゲットに−300〜600Vの電圧を印加す
る）の電圧を印加し、アルゴンガスでターゲットをたた
き、ターゲットから原子をたたき出し、これを冷却キャ
ンに向けて加速させる際に、媒体フイルムに付着させ
る。
本願発明においては、バイアス電圧を印加する場合、非
磁性支持体と炭素ターゲットとの間であって、該支持体
の近傍に配置されたバイアスリングに印加する。
磁性支持体と炭素ターゲットとの間であって、該支持体
の近傍に配置されたバイアスリングに印加する。
バイアス電圧はスパッタリングの電圧にもよるが、−10
V〜−100Vが好ましく、この範囲外では後記する実施例
でも示するように余り良い効果が得られない。
V〜−100Vが好ましく、この範囲外では後記する実施例
でも示するように余り良い効果が得られない。
本発明における上記保護層の厚さは50〜500Å程度が望
ましい なお、本発明においては、前記の如き磁性層及び保護層
を支持体の片面のみに設けても画面に設けてもよい。
ましい なお、本発明においては、前記の如き磁性層及び保護層
を支持体の片面のみに設けても画面に設けてもよい。
次に本発明において両面磁性層型の磁気記録媒体を製造
する場合の一態様を添付図面について説明する。
する場合の一態様を添付図面について説明する。
第１図は両面連続スパッター装置の一例を示す略図であ
り、例えばロール状のPETフイルムを送出軸１にセット
し、スパッタ室２に設置された中間ローラ及び円筒状キ
ャン３、４を経て巻取軸５に巻取られる。真空槽は送出
室6,スパッタ室2,及び巻取室７の３つに大別し、各室は
隔壁で仕切られ、各室にはそれぞれ排気系8,9,10,及び1
1で排気する。
り、例えばロール状のPETフイルムを送出軸１にセット
し、スパッタ室２に設置された中間ローラ及び円筒状キ
ャン３、４を経て巻取軸５に巻取られる。真空槽は送出
室6,スパッタ室2,及び巻取室７の３つに大別し、各室は
隔壁で仕切られ、各室にはそれぞれ排気系8,9,10,及び1
1で排気する。
スパッタ室２にはCo80−Cr20の如き垂直磁化膜用ターゲ
ット12及び表面保護層用炭素よりなるターゲット13を円
筒状キャン３に面して設置しまた垂直磁化膜用Co−Crタ
ーゲット14と保護層用炭素ターゲット15を円筒状キャン
４に面して設置する。
ット12及び表面保護層用炭素よりなるターゲット13を円
筒状キャン３に面して設置しまた垂直磁化膜用Co−Crタ
ーゲット14と保護層用炭素ターゲット15を円筒状キャン
４に面して設置する。
スパッタ室を１×10-6torr以下の圧力に排気した後ガス
導入系16からArガスを導入し、約３×10-3torrに維持
し、バイアスリング17,18に−50Vのバイアス電圧を印加
した。
導入系16からArガスを導入し、約３×10-3torrに維持
し、バイアスリング17,18に−50Vのバイアス電圧を印加
した。
この状態において、走行するPETフイルムの片面上にタ
ーゲット12をスパッターカソードとしてスパッタリング
を行い、まず垂直磁化膜を形成し、次いでターゲット13
をスパッターカソードとして炭素保護膜を形成する。ま
たさらにターゲット14をスパッターカソードとしてスパ
ッタリングを行い、PETフイルムの他の面に垂直磁化膜
を形成し、次いでターゲット15をスパッターカソードと
して炭素質保護膜を形成する。かくして両面に磁性層と
保護層が形成されたフイルムを巻取軸５に巻取る。
ーゲット12をスパッターカソードとしてスパッタリング
を行い、まず垂直磁化膜を形成し、次いでターゲット13
をスパッターカソードとして炭素保護膜を形成する。ま
たさらにターゲット14をスパッターカソードとしてスパ
ッタリングを行い、PETフイルムの他の面に垂直磁化膜
を形成し、次いでターゲット15をスパッターカソードと
して炭素質保護膜を形成する。かくして両面に磁性層と
保護層が形成されたフイルムを巻取軸５に巻取る。
以下、本発明に実施例によって説明する。
第１図に示す装置を用い下記構成の垂直磁化媒体を形成
した。
した。
なお、炭素質保護層は形成時前記バイアスリングに−20
V,−90V,−150V印加したものを作成した。それぞれサン
プルをA,B,Cとする。またバイアス電圧を印加しなかっ
たサンプルをＤとする。＊各サンプルを数組作った。こ
のようにして得た垂直磁化媒体サンプルを3.5インチの
ディスクに打抜き、ジャケットに組込みフローピーディ
スクを得た。
V,−90V,−150V印加したものを作成した。それぞれサン
プルをA,B,Cとする。またバイアス電圧を印加しなかっ
たサンプルをＤとする。＊各サンプルを数組作った。こ
のようにして得た垂直磁化媒体サンプルを3.5インチの
ディスクに打抜き、ジャケットに組込みフローピーディ
スクを得た。
これらサンプルを30℃80％RH雰囲気中に走行耐久性をテ
ストした。テストは市販FDドライブを用い600rpmにて行
ない、走行が止まるまでのパス数を測定した。1000万パ
スまで測定を行なった、測定結果を第２図に示す。
ストした。テストは市販FDドライブを用い600rpmにて行
ない、走行が止まるまでのパス数を測定した。1000万パ
スまで測定を行なった、測定結果を第２図に示す。
第２図の結果から明らかなように、バイアス電圧を印加
しない場合および−150V印加した場合はともに走行耐久
性にバラツキあり、再現性が悪い。
しない場合および−150V印加した場合はともに走行耐久
性にバラツキあり、再現性が悪い。
これに対し、本発明による場合は何れも走行パスが1000
万パス近い著しく耐久性のすぐれた磁気記録媒体を再現
よく製造できる。
万パス近い著しく耐久性のすぐれた磁気記録媒体を再現
よく製造できる。
第１図は本発明の磁気記録媒体を製造する装置の１例を
示す概略図、第２図は実施例における走行パステストの
結果を示す図である。 ２……スパッタ室、3,4……キャン 12,13,14,15……スパッタリング用ターゲット
示す概略図、第２図は実施例における走行パステストの
結果を示す図である。 ２……スパッタ室、3,4……キャン 12,13,14,15……スパッタリング用ターゲット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 名原 明 神奈川県小田原市扇町２丁目12番１号 富 士写真フイルム株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−29936（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−45412（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性支持体上に少なくとも薄膜磁性層及
び炭素質保護層を形成することからなる磁性記録媒体の
製造方法において、該炭素質保護層を形成するに際し
て、非磁性支持体と炭素ターゲットとの間であって、該
非磁性支持体近傍に配置されたバイアスリングに−10〜
−100Vのバイアス電圧を印加しつつスパッタリングを行
うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61140303A JPH0770054B2 (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US07/063,382 US4869797A (en) | 1986-06-18 | 1987-06-18 | Method for preparing a magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61140303A JPH0770054B2 (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62298923A JPS62298923A (ja) | 1987-12-26 |
| JPH0770054B2 true JPH0770054B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=15265648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61140303A Expired - Fee Related JPH0770054B2 (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4869797A (ja) |
| JP (1) | JPH0770054B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5074983A (en) * | 1989-04-21 | 1991-12-24 | Hmt Technology Corporation | Thin film testing method |
| WO1992017621A1 (en) * | 1991-04-04 | 1992-10-15 | Conner Peripherals, Inc. | Apparatus and method for high throughput sputtering |
| JPH06145975A (ja) * | 1992-03-20 | 1994-05-27 | Komag Inc | 炭素フィルムをスパタリングする方法及びその製造物 |
| US6805941B1 (en) | 1992-11-19 | 2004-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US5637373A (en) * | 1992-11-19 | 1997-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| JP2892339B1 (ja) * | 1997-12-26 | 1999-05-17 | 株式会社鈴寅 | 電磁波遮蔽用スクリーン |
| US6338777B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-01-15 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for sputtering thin films |
| DE19851062C1 (de) * | 1998-11-05 | 2000-06-15 | Ibm | Verfahren zum Beschichten von Magnetspeicherplatten und danach hergestellte Magnetspeicherplatte |
| US6303214B1 (en) | 1999-04-14 | 2001-10-16 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording medium with high density thin dual carbon overcoats |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4503125A (en) * | 1979-10-01 | 1985-03-05 | Xebec, Inc. | Protective overcoating for magnetic recording discs and method for forming the same |
| CA1184877A (en) * | 1982-05-12 | 1985-04-02 | James B. Webb | Method and apparatus for depositing conducting oxide on a substrate |
| JPS6029936A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記録媒体およびその製法 |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP61140303A patent/JPH0770054B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-06-18 US US07/063,382 patent/US4869797A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62298923A (ja) | 1987-12-26 |
| US4869797A (en) | 1989-09-26 |
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