JPH0757938A - スパイラルインダクタ及びそのリアクタンス調整方法 - Google Patents
スパイラルインダクタ及びそのリアクタンス調整方法Info
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- JPH0757938A JPH0757938A JP22205893A JP22205893A JPH0757938A JP H0757938 A JPH0757938 A JP H0757938A JP 22205893 A JP22205893 A JP 22205893A JP 22205893 A JP22205893 A JP 22205893A JP H0757938 A JPH0757938 A JP H0757938A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- 101000679735 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) 60S ribosomal protein L16-A Proteins 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体基板上に形成されてモノリシ
ック集積回路を構成するスパイラルインダクタ及びその
リアクタンス調整方法に関し、回路故障を生じさせるこ
となく、リアクタンスを簡単に調整し得るスパイラルイ
ンダクタ及びそのリアクタクンス調整方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 スパイラルインダクタ１３ａ及び１３ｂは、
主線路１４ａ、１４ｂが角型渦巻き状に形成され、更に
主線路１４ａ、１４ｂ同士が交差する部分はエアブリッ
ジ１５ａ、１５ｂにより非接触となるようにされてい
る。また、主線路１４ａ、１４ｂの各一端１６ａ、１６
ｂは互いに副線路１７により結線されている。また、主
線路１４ａ、１４ｂは、リアクタンス調整時にのみ押圧
されるエアブリッジ１８ａ及び１８ｂにより、初期製作
時は副線路１７の上方を跨ぐように通過して各他端１９
ａ及び１９ｂに至るように配置されている。
ック集積回路を構成するスパイラルインダクタ及びその
リアクタンス調整方法に関し、回路故障を生じさせるこ
となく、リアクタンスを簡単に調整し得るスパイラルイ
ンダクタ及びそのリアクタクンス調整方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 スパイラルインダクタ１３ａ及び１３ｂは、
主線路１４ａ、１４ｂが角型渦巻き状に形成され、更に
主線路１４ａ、１４ｂ同士が交差する部分はエアブリッ
ジ１５ａ、１５ｂにより非接触となるようにされてい
る。また、主線路１４ａ、１４ｂの各一端１６ａ、１６
ｂは互いに副線路１７により結線されている。また、主
線路１４ａ、１４ｂは、リアクタンス調整時にのみ押圧
されるエアブリッジ１８ａ及び１８ｂにより、初期製作
時は副線路１７の上方を跨ぐように通過して各他端１９
ａ及び１９ｂに至るように配置されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパイラルインダクタ及
びそのリアクタンス調整方法に係り、特に半導体基板上
に形成されてモノリシック集積回路を構成するスパイラ
ルインダクタ及びそのリアクタンス調整方法に関する。
びそのリアクタンス調整方法に係り、特に半導体基板上
に形成されてモノリシック集積回路を構成するスパイラ
ルインダクタ及びそのリアクタンス調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来のスパイラルインダクタの一
例の平面図、図５は図４のＡ−Ａ’線に沿う断面図を示
す。両図において、単体のスパイラルインダクタ１は、
半導体基板２上に一定幅の主線路３が角型渦巻き状に形
成された構成とされている。ここで、主線路３が互いに
直交する部分４はエアブリッジ構成とされており、互い
に非接触とされている。一方、エアブリッジ５は隣接す
る主線路部分どうしを短絡するエアブリッジである。
例の平面図、図５は図４のＡ−Ａ’線に沿う断面図を示
す。両図において、単体のスパイラルインダクタ１は、
半導体基板２上に一定幅の主線路３が角型渦巻き状に形
成された構成とされている。ここで、主線路３が互いに
直交する部分４はエアブリッジ構成とされており、互い
に非接触とされている。一方、エアブリッジ５は隣接す
る主線路部分どうしを短絡するエアブリッジである。
【０００３】かかるスパイラルインダクタ１は、例えば
マイクロ波帯のインダクタンス回路を構成しており、モ
ノリシック集積回路に搭載される。このスパイラルイン
ダクタ１のインダクタンスを調整する際には、従来は主
線路部分どうしを短絡しているエアブリッジ５を切断す
るようにしている（実開昭６０−５２６４２号公報）。
マイクロ波帯のインダクタンス回路を構成しており、モ
ノリシック集積回路に搭載される。このスパイラルイン
ダクタ１のインダクタンスを調整する際には、従来は主
線路部分どうしを短絡しているエアブリッジ５を切断す
るようにしている（実開昭６０−５２６４２号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記の従来
のスパイラルインダクタ１は、エアブリッジ５を切断す
ることでリアクタンスを調整するようにしているため、
切断方向に注意が必要で調整が簡単にできず、また、切
断により生じる破片などで回路が故障したり、下層の導
体を損傷させることがあるという問題がある。
のスパイラルインダクタ１は、エアブリッジ５を切断す
ることでリアクタンスを調整するようにしているため、
切断方向に注意が必要で調整が簡単にできず、また、切
断により生じる破片などで回路が故障したり、下層の導
体を損傷させることがあるという問題がある。
【０００５】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
リアクタンスを簡単に調整し得るスパイラルインダクタ
及びそのリアクタクンス調整方法を提供することを目的
とする。
リアクタンスを簡単に調整し得るスパイラルインダクタ
及びそのリアクタクンス調整方法を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のスパイラルインダクタは、半導体基板上に
各々主線路が渦巻き状に形成された複数のスパイラルイ
ンダクタの各端子間を副線路により接続し、副線路を跨
ぐ主線路部分を押圧可能なエアブリッジの構成としたも
のである。また、本発明方法は、上記のエアブリッジを
顕微鏡で観測しつつ押し潰すようにしたものである。
め、本発明のスパイラルインダクタは、半導体基板上に
各々主線路が渦巻き状に形成された複数のスパイラルイ
ンダクタの各端子間を副線路により接続し、副線路を跨
ぐ主線路部分を押圧可能なエアブリッジの構成としたも
のである。また、本発明方法は、上記のエアブリッジを
顕微鏡で観測しつつ押し潰すようにしたものである。
【０００７】
【作用】本発明では、リアクタンス調整のためのエアブ
リッジが押圧可能な構成とされているため、このエアブ
リッジを切断せずに押し潰すことができる。また、本発
明方法では、複数のスパイラルインダクタが直列又は並
列に接続されている状態において、任意のエアブリッジ
を押し潰すことにより、そのエアブリッジに対応するス
パイラルインダクタを短絡することができる。
リッジが押圧可能な構成とされているため、このエアブ
リッジを切断せずに押し潰すことができる。また、本発
明方法では、複数のスパイラルインダクタが直列又は並
列に接続されている状態において、任意のエアブリッジ
を押し潰すことにより、そのエアブリッジに対応するス
パイラルインダクタを短絡することができる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例の平面図、図２は図
１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図を示す。両図において、
本実施例のスパイラルインダクタ１１は例えばＧａＡｓ
製の半導体基板１２上に、それぞれ単体のスパイラルイ
ンダクタ１３ａ及び１３ｂが２個並べて配置されてい
る。スパイラルインダクタ１３ａ及び１３ｂは、それぞ
れ一定幅の導体である主線路１４ａ、１４ｂが角型渦巻
き状に形成され、更に主線路１４ａ、１４ｂ同士が交差
する部分はエアブリッジ１５ａ、１５ｂにより非接触と
なるようにされている。
１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図を示す。両図において、
本実施例のスパイラルインダクタ１１は例えばＧａＡｓ
製の半導体基板１２上に、それぞれ単体のスパイラルイ
ンダクタ１３ａ及び１３ｂが２個並べて配置されてい
る。スパイラルインダクタ１３ａ及び１３ｂは、それぞ
れ一定幅の導体である主線路１４ａ、１４ｂが角型渦巻
き状に形成され、更に主線路１４ａ、１４ｂ同士が交差
する部分はエアブリッジ１５ａ、１５ｂにより非接触と
なるようにされている。
【０００９】また、主線路１４ａ、１４ｂの各一端１６
ａ、１６ｂは互いに副線路１７により結線され、これに
より二つのスパイラルインダクタ１３ａ及び１３ｂが互
いに直列接続された構成とされている。また、主線路１
４ａ、１４ｂは、図２に示すように、エアブリッジ１８
ａ及び１８ｂにより副線路１７の上方を跨ぐように通過
して各他端１９ａ及び１９ｂに至るように配置されてい
る。
ａ、１６ｂは互いに副線路１７により結線され、これに
より二つのスパイラルインダクタ１３ａ及び１３ｂが互
いに直列接続された構成とされている。また、主線路１
４ａ、１４ｂは、図２に示すように、エアブリッジ１８
ａ及び１８ｂにより副線路１７の上方を跨ぐように通過
して各他端１９ａ及び１９ｂに至るように配置されてい
る。
【００１０】上記の主線路１４ａ、１４ｂ、副線路１７
及びエアブリッジ１５ａ、１５ｂ、１８ａ、１８ｂはそ
れぞれ例えば金で構成されている。また、エアブリッジ
１８ａ、１８ｂはそれぞれ押圧可能とされている。
及びエアブリッジ１５ａ、１５ｂ、１８ａ、１８ｂはそ
れぞれ例えば金で構成されている。また、エアブリッジ
１８ａ、１８ｂはそれぞれ押圧可能とされている。
【００１１】図３は図１及び図２に示した実施例の等価
回路を示す。図３において、Ｌ１３ａ、Ｌ１３ｂはそれ
ぞれ単体のスパイラルインダクタ１３ａ、１３ｂにより
構成されるインダクタで、互いに直列に接続されてい
る。また、Ｓ１８ａ、Ｓ１８ｂはそれぞれエアブリッジ
１８ａ及び１８ｂにより形成されるスイッチを示してい
る。
回路を示す。図３において、Ｌ１３ａ、Ｌ１３ｂはそれ
ぞれ単体のスパイラルインダクタ１３ａ、１３ｂにより
構成されるインダクタで、互いに直列に接続されてい
る。また、Ｓ１８ａ、Ｓ１８ｂはそれぞれエアブリッジ
１８ａ及び１８ｂにより形成されるスイッチを示してい
る。
【００１２】これらのスイッチＳ１８ａ及びＳ１８ｂ
は、インダクタＬ１３ａ、Ｌ１３ｂをそれぞれ短絡又は
非短絡とするスイッチを構成している。すなわち、エア
ブリッジ１８ａが図２に示したように、副線路１７と非
接触であるときは、スパイラルインダクタ１３ａは一端
１６ａと他端１９ａとの間を主線路１４ａで結んだ所定
のリアクタンスのインダクタＬ１３ａを構成するからス
イッチＳ１８ａはオフである。
は、インダクタＬ１３ａ、Ｌ１３ｂをそれぞれ短絡又は
非短絡とするスイッチを構成している。すなわち、エア
ブリッジ１８ａが図２に示したように、副線路１７と非
接触であるときは、スパイラルインダクタ１３ａは一端
１６ａと他端１９ａとの間を主線路１４ａで結んだ所定
のリアクタンスのインダクタＬ１３ａを構成するからス
イッチＳ１８ａはオフである。
【００１３】これに対し、エアブリッジ１８ａが押し潰
されて副線路１７と接触しているときは、スパイラルイ
ンダクタ１３ａは一端１６ａと他端１９ａとの間を直接
結線されて両者間を短絡することとなるから、主線路１
４ａで結んだ所定のリアクタンスのインダクタＬ１３ａ
を構成することができず、上記のスイッチＳ１８ａはオ
ンとして表すことができる。以上のことはもう一つのス
イッチＳ１８ｂについても同様である。
されて副線路１７と接触しているときは、スパイラルイ
ンダクタ１３ａは一端１６ａと他端１９ａとの間を直接
結線されて両者間を短絡することとなるから、主線路１
４ａで結んだ所定のリアクタンスのインダクタＬ１３ａ
を構成することができず、上記のスイッチＳ１８ａはオ
ンとして表すことができる。以上のことはもう一つのス
イッチＳ１８ｂについても同様である。
【００１４】次に、本実施例のリアクタンス調整方法に
ついて説明する。現在のリアクタンスが必要とする値よ
りも大きいときには、調整者は顕微鏡でエアブリッジ１
８ａまたは１８ｂを観測しつつ、先端が尖った、例えば
サファイア製の針を用いてエアブリッジ１８ａ又は１８
ｂを上方から半導体基板１２方向へ押圧する（押し潰
す）。なお、この押圧自体は調整者の手動により行って
もよいし、機械を用いて行ってもよい。
ついて説明する。現在のリアクタンスが必要とする値よ
りも大きいときには、調整者は顕微鏡でエアブリッジ１
８ａまたは１８ｂを観測しつつ、先端が尖った、例えば
サファイア製の針を用いてエアブリッジ１８ａ又は１８
ｂを上方から半導体基板１２方向へ押圧する（押し潰
す）。なお、この押圧自体は調整者の手動により行って
もよいし、機械を用いて行ってもよい。
【００１５】すると、押し潰されたエアブリッジ１８ａ
又は１８ｂが副線路１７と接触し、主線路１４ａの一端
１６ａと他端１９ａとの間、又は主線路１４ｂの一端１
６ｂと他端１９ｂとの間が短絡されるため、単体のスパ
イラルインダクタ１３ａ及び１３ｂの一方が回路上無効
とされる。
又は１８ｂが副線路１７と接触し、主線路１４ａの一端
１６ａと他端１９ａとの間、又は主線路１４ｂの一端１
６ｂと他端１９ｂとの間が短絡されるため、単体のスパ
イラルインダクタ１３ａ及び１３ｂの一方が回路上無効
とされる。
【００１６】すなわち、図３の等価回路で説明すると、
エアブリッジ１８ａが押し潰されたときには、スイッチ
Ｓ１８ａがオンとなり、インダクタＬ１３ａの両端が短
絡され、他方、エアブリッジ１８ｂが押し潰されたとき
には、スイッチＳ１８ｂがオンとなり、インダクタＬ１
３ｂの両端が短絡される。このため、スパイラルインダ
クタ１１全体のリアクタンスは、最初の値よりも短絡さ
れたインダクタのリアクタンス分だけ小なる値に調整さ
れる。
エアブリッジ１８ａが押し潰されたときには、スイッチ
Ｓ１８ａがオンとなり、インダクタＬ１３ａの両端が短
絡され、他方、エアブリッジ１８ｂが押し潰されたとき
には、スイッチＳ１８ｂがオンとなり、インダクタＬ１
３ｂの両端が短絡される。このため、スパイラルインダ
クタ１１全体のリアクタンスは、最初の値よりも短絡さ
れたインダクタのリアクタンス分だけ小なる値に調整さ
れる。
【００１７】本実施例では、このリアクタンス調整時に
は、エアブリッジ１８ａ又は１８ｂを切断するのではな
く、押し潰すようにしているため、切断により生ずる切
断屑などの破片が生じることはなく、従って破片により
回路が故障することもない。また、微細な位置の切断と
押圧とでは、押圧の方が簡単にできるため、従来よりも
簡単にリアクタンスの調整ができる。
は、エアブリッジ１８ａ又は１８ｂを切断するのではな
く、押し潰すようにしているため、切断により生ずる切
断屑などの破片が生じることはなく、従って破片により
回路が故障することもない。また、微細な位置の切断と
押圧とでは、押圧の方が簡単にできるため、従来よりも
簡単にリアクタンスの調整ができる。
【００１８】なお、本発明は上記の実施例に限定される
ものではなく、例えば並設される単体のスパイラルイン
ダクタの数は３以上でもよく、この場合は多数の単体の
スパイラルインダクタの各々のリアクタンス（インダク
タンス）を小なる値に設定することにより、よりきめ細
かなリアクタンスの調整ができる。
ものではなく、例えば並設される単体のスパイラルイン
ダクタの数は３以上でもよく、この場合は多数の単体の
スパイラルインダクタの各々のリアクタンス（インダク
タンス）を小なる値に設定することにより、よりきめ細
かなリアクタンスの調整ができる。
【００１９】また、並設される単体のスパイラルインダ
クタは同一構成の方が製造が容易ではあるが、これに限
らずターン数などが異なっていてもよいことは勿論であ
る。更に、並設される単体のスパイラルインダクタの接
続方法は、並列接続でもよい。
クタは同一構成の方が製造が容易ではあるが、これに限
らずターン数などが異なっていてもよいことは勿論であ
る。更に、並設される単体のスパイラルインダクタの接
続方法は、並列接続でもよい。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エアブリッジを切断せずに押し潰すことにより、そのエ
アブリッジに対応する単体のスパイラルインダクタを短
絡してスパイラルインダクタ全体のリアクタンス調整が
できるため、従来切断により生じていた破片が生じるこ
とがなく、従って破片による回路故障や下層の導体の損
傷の発生を未然に防止することができる。また、切断に
比べて簡単な押圧によりリアクタンス調整をすることが
できるため、従来に比しリアクタンス調整が簡単にでき
る。
エアブリッジを切断せずに押し潰すことにより、そのエ
アブリッジに対応する単体のスパイラルインダクタを短
絡してスパイラルインダクタ全体のリアクタンス調整が
できるため、従来切断により生じていた破片が生じるこ
とがなく、従って破片による回路故障や下層の導体の損
傷の発生を未然に防止することができる。また、切断に
比べて簡単な押圧によりリアクタンス調整をすることが
できるため、従来に比しリアクタンス調整が簡単にでき
る。
【図１】本発明の一実施例の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図１の実施例の等価回路図である。
【図４】従来の一例の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
１１ スパイラルインダクタ １２ 半導体基板 １３ａ、１３ｂ 単体のスパイラルインダクタ １４ａ、１４ｂ 主線路 １５ａ、１５ｂ エアブリッジ １７ 副線路 １８ａ、１８ｂ リアクタンス調整用エアブリッジ Ｌ１３ａ、Ｌ１３ｂ 単体のスパイラルインダクタによ
るインダクタ Ｓ１８ａ、Ｓ１８ｂ エアブリッジによるスイッチ
るインダクタ Ｓ１８ａ、Ｓ１８ｂ エアブリッジによるスイッチ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年５月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 スパイラルインダクタ及びそのリアク
タンス調整方法
タンス調整方法
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に各々主線路が渦巻き状に
形成された複数のスパイラルインダクタの各端子間を副
線路により接続し、該副線路を跨ぐ前記主線路部分を押
圧可能なエアブリッジの構成としたことを特徴とするス
パイラルインダクタ。 - 【請求項２】 各々渦巻き状に形成された複数の主線路
の各端子間を副線路により接続すると共に、該副線路を
跨ぐ主線路部分をエアブリッジとして構成してなるスパ
イラルインダクタの該エアブリッジを、顕微鏡により観
測しつつ押し潰すことによりリアクタンスを調整するこ
とを特徴とするスパイラルインダクタのリアクタンス調
整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5222058A JP2540751B2 (ja) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | スパイラルインダクタ及びそのリアクタンス調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5222058A JP2540751B2 (ja) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | スパイラルインダクタ及びそのリアクタンス調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0757938A true JPH0757938A (ja) | 1995-03-03 |
| JP2540751B2 JP2540751B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=16776448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5222058A Expired - Fee Related JP2540751B2 (ja) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | スパイラルインダクタ及びそのリアクタンス調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2540751B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7404692B2 (en) | 2000-05-26 | 2008-07-29 | Nishimatsu Construction Co., Ltd. | Breakwater generating structure |
| JP2012060157A (ja) * | 2011-12-05 | 2012-03-22 | Sony Corp | 可変インダクタ及びこれを用いた半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01303706A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Fujitsu Ltd | Ｍｍｉｃ用インダクタンス |
-
1993
- 1993-08-13 JP JP5222058A patent/JP2540751B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01303706A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Fujitsu Ltd | Ｍｍｉｃ用インダクタンス |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7404692B2 (en) | 2000-05-26 | 2008-07-29 | Nishimatsu Construction Co., Ltd. | Breakwater generating structure |
| JP2012060157A (ja) * | 2011-12-05 | 2012-03-22 | Sony Corp | 可変インダクタ及びこれを用いた半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2540751B2 (ja) | 1996-10-09 |
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