JPH0750427A - Thin film solar cell - Google Patents
Thin film solar cellInfo
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- JPH0750427A JPH0750427A JP5196575A JP19657593A JPH0750427A JP H0750427 A JPH0750427 A JP H0750427A JP 5196575 A JP5196575 A JP 5196575A JP 19657593 A JP19657593 A JP 19657593A JP H0750427 A JPH0750427 A JP H0750427A
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、可撓性絶縁基板上に形
成した半導体薄膜を光電変換層とする薄膜太陽電池に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film solar cell having a semiconductor thin film formed on a flexible insulating substrate as a photoelectric conversion layer.
【0002】[0002]
【従来の技術】原料ガスのグロー放電分解などにより形
成されるアモルファスシリコンのようなアモルファス半
導体膜は、気相成長であるため大面積化が容易で、低コ
スト太陽電池の光電変換膜として期待されている。こう
した大面積の薄膜太陽電池から電力を取り出すためのよ
く知られた方法として、一枚の基板上で薄膜太陽電池を
複数のユニットセルに分割し、これを直列に接続する、
図2に示すような直列接続型の太陽電池がある。これ
は、ガラス板高分子フィルムあるいは表面に絶縁膜を被
着した金属板などの絶縁基板10の上に、金属薄膜からな
る金属電極21、22、23─を短冊状に形成し、その上に光
起電力発生部であるアモルファス半導体層領域31、32、
33─を、次いでITO、ZnOなどの透明導電膜からなる
透明電極41、42、43─を形成したものである。金属電極
21、アモルファス半導体層31および透明電極41の組み合
わせ、金属電極22、アモルファス半導体層32および透明
電極42の組み合わせ等が各ユニットセルを形成する。そ
して、一つのユニットセルの透明電極、例えば41が隣接
するユニットセルの金属電極、例えば22の縁部と電気的
に接触する構造となるように、両電極およびアモルファ
ス半導体層のパターンが形成されて各ユニットセルは直
列に接続される。このような直列接続型の太陽電池の形
成は最も一般的には、各層をそれぞれ全面に被着した
後、その都度レーザスクライブ法によりパターニングす
ることにより行われる。2. Description of the Related Art An amorphous semiconductor film such as amorphous silicon formed by glow discharge decomposition of a raw material gas is a vapor phase growth, so that it is easy to increase the area and is expected as a photoelectric conversion film for a low-cost solar cell. ing. As a well-known method for extracting electric power from such a large area thin film solar cell, the thin film solar cell is divided into a plurality of unit cells on one substrate, and these are connected in series,
There is a series-connected solar cell as shown in FIG. This is a method of forming metal electrodes 21, 22, 23-made of a metal thin film in a strip shape on an insulating substrate 10 such as a glass plate polymer film or a metal plate having an insulating film coated on the surface thereof, and then forming the strip-shaped metal electrodes on the insulating substrate 10. Amorphous semiconductor layer regions 31, 32, which are photovoltaic generators,
33-, and then transparent electrodes 41, 42, 43-made of a transparent conductive film such as ITO or ZnO. Metal electrode
21, a combination of the amorphous semiconductor layer 31 and the transparent electrode 41, a combination of the metal electrode 22, the amorphous semiconductor layer 32 and the transparent electrode 42, etc. form each unit cell. Then, the transparent electrode of one unit cell, for example, 41 is formed such that a pattern of both electrodes and the amorphous semiconductor layer is formed so as to have a structure in which a metal electrode of an adjacent unit cell, for example, an edge of 22 is electrically contacted. Each unit cell is connected in series. The formation of such a series-connected solar cell is most generally performed by depositing each layer on the entire surface and then patterning by a laser scribing method each time.
【0003】大面積太陽電池において、このような直列
接続構造をとる主な理由の一つに、一枚の太陽電池で高
い出力電圧を得る目的がある。しかしながら実際には、
多数の太陽電池でシステムを構成する場合も多く、必ず
しも1枚の太陽電池で高い出力電圧を出す必要がないこ
とがある。さらに、直列接続型太陽電池においては、そ
の出力電流はユニットセル面積に比例するため、電圧は
低くても、高い出力電流が必要とされる用途において
は、直列接続型とすることが不利になる。直列接続構造
をとるもう一つのより基本的な理由は、透明電極中での
ジュール損失を低減する目的である。すなわち、直列接
続構造を形成することなく、全面に太陽電池を一つのユ
ニットセルで形成すると、発生したキャリアは、金属電
極および透明電極中を太陽電池端部に設けられるリード
線取り出し部まで長い距離にわたって移動することにな
る。金属電極21、22、23─は、一般に抵抗が小さく、し
たがって金属電極中を電流が流れることによるジュール
消失は無視することができる。しかしながら、透明電極
41、42、43─の材料の透明導電膜は、シート抵抗が5〜
30Ω/□で抵抗は比較的大きく、透明電極層を電流が流
れることによるジュール損失は無視することができな
い。そのため従来技術では、大面積太陽電池を複数の短
冊状ユニットセルに分割し、そのユニットセルの幅を5
〜20mm程度とするのが一般的である。One of the main reasons for adopting such a series connection structure in a large area solar cell is to obtain a high output voltage with a single solar cell. However, in reality,
In many cases, a system is composed of a large number of solar cells, and it is not always necessary for a single solar cell to output a high output voltage. Furthermore, since the output current of a series-connected solar cell is proportional to the unit cell area, it is disadvantageous to use the series-connected solar cell in applications where a high output current is required even if the voltage is low. . Another more basic reason for the series connection structure is to reduce Joule loss in the transparent electrode. That is, when a solar cell is formed with one unit cell on the entire surface without forming a series connection structure, the generated carriers have a long distance in the metal electrode and the transparent electrode to a lead wire extraction portion provided at the end of the solar cell. Will be moved over. The metal electrodes 21, 22, and 23 generally have low resistance, so that Joule disappearance due to the current flowing through the metal electrodes can be ignored. However, the transparent electrode
The sheet resistance of the transparent conductive film made of the materials 41, 42, and 43-is 5 to 5.
The resistance is relatively large at 30Ω / □, and the Joule loss due to the current flowing through the transparent electrode layer cannot be ignored. Therefore, in the prior art, a large area solar cell is divided into a plurality of strip-shaped unit cells, and the width of the unit cell is set to 5
It is generally about 20 mm.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような薄
膜太陽電池には次のような二つの問題がある。一つは、
大面積太陽電池を複数のユニットセルに分割するような
構造とすると、ユニットセル間に発電に寄与しない直線
状のデッドスペース (図2の51、52、53─) が生ずるこ
とである。このデッドスペースにより有効発電面積が減
少し、太陽電池出力が低下する。もう一つの問題点は低
電圧、大電流に対応する太陽電池を形成することができ
ない点である。すなわち、ユニットセルには、主に透明
電極のシート抵抗で決まる適正な幅があるため、基板面
積が大きくなるにつれて、最適ユニットセル数は増加
し、高電圧対応型の太陽電池となり、この最適ユニット
セル数を無視して低電圧型の太陽電池を形成すると著し
く最大出力を損失することになってしまう。However, such a thin film solar cell has the following two problems. one,
When a large-area solar cell is divided into a plurality of unit cells, a linear dead space (51, 52, 53 in Fig. 2) that does not contribute to power generation occurs between the unit cells. Due to this dead space, the effective power generation area is reduced and the solar cell output is reduced. Another problem is that a solar cell corresponding to low voltage and large current cannot be formed. That is, since the unit cell has an appropriate width mainly determined by the sheet resistance of the transparent electrode, the optimum number of unit cells increases as the substrate area increases, and the solar cell is compatible with high voltage. If the number of cells is ignored and a low-voltage solar cell is formed, the maximum output will be remarkably lost.
【0005】この問題点を解決し、大面積基板上でも直
列接続構造を必要とせず、かつ集電による電力損失が極
めて小さい新しい太陽電池構造およびその製造方法を本
出願人が特願平4−347394号で出願した。その構造は、
図3(a) 、(b) に示すように、基板1に一定間隔で多数
の小孔6をあけておき、その一方の面上に第一金属電極
2、アモルファス半導体層3、透明電極4をこの順に、
他方の面上に第二金属電極5を形成する。この場合、第
一金属電極2形成後、基板の小孔6部に、小孔6よりわ
ずかに大きな径のレーザ光を照射し、小孔周囲の第一金
属電極2を除去した後、アモルファス半導体層3、透明
電極4、第二金属電極5の形成を行う。このような方法
をとると、小孔6に充てんされる第二金属電極の金属層
により接続導体45が形成され、透明電極4と第二金属電
極5が電気的に良好な導通状態となり、第一金属電極と
第二金属電極を出力端とする低電圧大電流型太陽電池を
形成することができる。The applicant of the present invention proposes a new solar cell structure which solves this problem, does not require a series connection structure even on a large-sized substrate, and has extremely small power loss due to current collection, and a manufacturing method thereof. Filed under No. 347394. Its structure is
As shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b), a large number of small holes 6 are formed in the substrate 1 at regular intervals, and the first metal electrode 2, the amorphous semiconductor layer 3, and the transparent electrode 4 are formed on one surface thereof. In this order,
The second metal electrode 5 is formed on the other surface. In this case, after forming the first metal electrode 2, the small holes 6 of the substrate are irradiated with a laser beam having a diameter slightly larger than the small holes 6 to remove the first metal electrode 2 around the small holes, and then the amorphous semiconductor The layer 3, the transparent electrode 4, and the second metal electrode 5 are formed. When such a method is adopted, the connection conductor 45 is formed by the metal layer of the second metal electrode filled in the small hole 6, and the transparent electrode 4 and the second metal electrode 5 are brought into an electrically good conductive state, It is possible to form a low-voltage high-current solar cell having one metal electrode and a second metal electrode as output ends.
【0006】しかしながらこの方法では、基板面積にか
かわらず直列接続数は1であるため、従来の直列接続型
よりは低電圧であり、かつ一つのユニットセルの電圧よ
りは高い電圧を一つの基板上で実現することを要求され
るような場合には、図3の構造に図2の従来技術を組み
合わせなければならなくなり、レーザ加工の精度の問題
などの点で複雑かつコスト高の製造プロセスとなる。However, in this method, since the number of series connections is 1, regardless of the substrate area, a lower voltage than the conventional series connection type and a voltage higher than the voltage of one unit cell on one substrate. 2 has to be combined with the structure of FIG. 3, the manufacturing process becomes complicated and costly in terms of accuracy of laser processing. .
【0007】本発明の目的は、上記の問題点を解決し、
大面積基板上で任意の電圧を得る薄膜太陽電池を提供す
ることにある。The object of the present invention is to solve the above problems,
An object of the present invention is to provide a thin film solar cell capable of obtaining an arbitrary voltage on a large area substrate.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の薄膜太陽電池は、絶縁性基板の一面上に
第一電極層、半導体層および透明電極層の積層部と第一
電極層のみの延長部が形成されてそれぞれ積層部と第一
電極層延長部とからなる複数領域に分割され、他面上に
複数領域に分割された第二電極層が被着し、積層部の各
分割領域の透明電極層が半導体層、第一電極層および絶
縁性基板を貫通し、第一電極層と実質的に絶縁された導
体によりそれぞれ第二電極層の相互に分離された領域と
接続され、第一電極層延長部の各分割領域が絶縁性基板
を貫通する導体によりそれぞれ第二電極層の相互に分離
された領域と接続され、透明電極層に接続された第二電
極層領域の複数が相互に接続され、かつ他の相互に接続
された透明電極層領域直下の第一電極層の延長部に接続
された第二電極層領域に接続されたものとする。第二電
極層領域相互の接続は、別の絶縁性基板上の導体の接触
により行われるのが良い。そして、絶縁性基板を貫通す
る導体が第二電極層の絶縁性基板の貫通孔内への延長部
であること、透明電極層と第二電極層とを接続する導体
が透明電極層の絶縁性基板の貫通孔内への延長部である
ことあるいは第一電極層と第二電極層とを接続する導体
が第一電極層の絶縁性基板の貫通孔内への延長部である
ことが有効である。In order to achieve the above object, a thin film solar cell of the present invention comprises a first electrode layer, a semiconductor layer and a transparent electrode layer laminated on a first surface of an insulating substrate. An extension of only the electrode layer is formed and divided into a plurality of regions each of which includes a laminate and a first electrode layer extension, and the second electrode layer divided into the plurality of regions is deposited on the other surface to form a laminate. The transparent electrode layer in each of the divided regions of the semiconductor layer, the first electrode layer and the insulating substrate, and a region that is separated from each other of the second electrode layer by a conductor substantially insulated from the first electrode layer and A second electrode layer region connected to the transparent electrode layer, where each divided region of the first electrode layer extension is connected to a mutually separated region of the second electrode layer by a conductor penetrating the insulating substrate. A plurality of transparent electrode layers connected to each other and to each other And those connected to the second electrode layer region connected to the extended portion of the first electrode layer just below the pass. The connection between the second electrode layer regions is preferably made by contacting a conductor on another insulating substrate. The conductor penetrating the insulating substrate is an extension of the second electrode layer into the through hole of the insulating substrate, and the conductor connecting the transparent electrode layer and the second electrode layer has an insulating property of the transparent electrode layer. It is effective that it is an extension into the through hole of the substrate or that the conductor connecting the first electrode layer and the second electrode layer is an extension into the through hole of the insulating substrate of the first electrode layer. is there.
【0009】[0009]
【作用】絶縁性基板を貫通する導体により積層体上の透
明電極層および露出する第一電極層がそれぞれ基板裏面
の第二電極層の互いに分離された領域に接続されている
から、一つのユニットセルの透明電極層と第一電極層と
にそれぞれ接続された第二電極層領域が基板の裏面側に
存在することになる。従って、これらの第二電極層領域
を端子として、別の絶縁性基板上の導体の接触などの方
法で適宜接続することにより、薄膜太陽電池の出力電圧
を所期の大きさにすることができる。Since the transparent electrode layer on the laminate and the exposed first electrode layer are connected to the separated areas of the second electrode layer on the back surface of the substrate by the conductor penetrating the insulating substrate, one unit is formed. The second electrode layer regions respectively connected to the transparent electrode layer and the first electrode layer of the cell are present on the back surface side of the substrate. Therefore, the output voltage of the thin-film solar cell can be set to a desired level by appropriately connecting the second electrode layer regions as terminals to each other by a method such as contact with a conductor on another insulating substrate. .
【0010】[0010]
【実施例】以下、図3と共通の部分に同一の符号を付し
た図を引用して本発明の実施例について説明する。図1
に示す本発明の一実施例の薄膜太陽電池はユニットセル
を3直列、4並列にしたもので、(a) は平面図、(b) は
(c) に示す貼り合わせ高分子フィルムを除いた下面図で
ある。この薄膜太陽電池の高分子フィルムを用いた絶縁
性基板1上の積層構造は、A部においては図3(b) と同
様であって小孔6の周辺では第一金属電極が除去され、
その上にアモルファス半導体層、透明電極4が形成され
たものであるが、B部においては第一金属電極2のみで
小孔6の周辺で除去されていない。そして、図(a) に示
すようにA部、B部を通る分割線61により複数のユニッ
トセル部に分割されている。一方、基板1の裏面に形成
される第二金属電極5は、図(b) に示すように分割線62
によりA部の裏側とB部の裏側が分割されており、A部
の裏側では表側の分割線61に対向する分割線63により、
B部の裏側ではその分割線63の延長部よりずれた分割線
64により分割されている。この裏面上に貼り合わせられ
る高分子フィルム11には、図(c) に示すような金属層の
パターン81、82が形成されており、これを貼り合わせる
ことによって図(a) に点線によって示すように、A部の
4個のユニットセルは、透明電極4に小孔6を通る接続
導体によって接続される第二金属電極5が金属層81に接
触することにより並列接続され、さらにB部の4個のユ
ニットセルの第一金属電極2に小孔6を通る接続導体に
よって接続される第二金属電極5がL字形の金属層82に
接触することにより順次直列接続されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawing in which the same parts as those in FIG. Figure 1
The thin-film solar cell of one embodiment of the present invention shown in Fig. 3 has unit cells arranged in 3 series and 4 parallel, (a) is a plan view, (b) is
It is a bottom view which excludes the bonded polymer film shown in (c). The laminated structure on the insulating substrate 1 using the polymer film of this thin-film solar cell is similar to that of FIG. 3 (b) in the part A, and the first metal electrode is removed around the small hole 6,
Although the amorphous semiconductor layer and the transparent electrode 4 are formed thereon, in the portion B, only the first metal electrode 2 is not removed around the small hole 6. Then, as shown in FIG. 3A, a plurality of unit cell portions are divided by a dividing line 61 passing through the portions A and B. On the other hand, the second metal electrode 5 formed on the back surface of the substrate 1 has a dividing line 62 as shown in FIG.
The back side of the A section and the back side of the B section are divided by, and the back side of the A section is divided by the dividing line 63 facing the dividing line 61 on the front side.
On the back side of part B, a dividing line that is offset from the extension of the dividing line 63
It is divided by 64. The polymer film 11 to be bonded on the back surface has metal layer patterns 81 and 82 as shown in FIG. 7 (c), which are adhered to each other as shown by a dotted line in FIG. In addition, the four unit cells in the part A are connected in parallel by contacting the second metal electrode 5 connected to the transparent electrode 4 by the connecting conductor passing through the small hole 6 to the metal layer 81. The second metal electrode 5 connected to the first metal electrode 2 of each unit cell by the connection conductor passing through the small hole 6 is connected in series by contacting the L-shaped metal layer 82.
【0011】このような薄膜太陽電池は次のように製造
する。 (1)厚さ200 μmの高分子フィルム1上に半径0.5mmの
小孔6を多数、CO2 レーザあるいはパンチングにより
明ける。 (2)次に、この小孔付高分子フィルム1の一面上にスパ
ッタリングによりAl薄膜を300nm の厚さで成膜して第一
金属電極2とし、A部では直径0.9mmのスポット径のレ
ーザ光を照射して小孔部6周辺のAl薄膜を除去する。Such a thin film solar cell is manufactured as follows. (1) A large number of small holes 6 having a radius of 0.5 mm are formed on a polymer film 1 having a thickness of 200 μm by CO 2 laser or punching. (2) Next, an Al thin film having a thickness of 300 nm is formed on one surface of the polymer film with small holes 1 by sputtering to form the first metal electrode 2, and a spot diameter of 0.9 mm is used at the portion A. Laser light is irradiated to remove the Al thin film around the small hole portion 6.
【0012】(3)A部の第一金属電極2の上にプラズマ
CVD法によりアモルファス半導体層3を、スパッタ法
によるZnO膜からなる透明電極4をそれぞれ500 nm、1
μmの厚さに形成する。この際、アモルファス半導体層
3および透明電極4は、図4に示したように一部が、小
孔6の内壁および基板1の反対面の小孔部近傍に付着す
る。(3) An amorphous semiconductor layer 3 is formed by plasma CVD on the first metal electrode 2 in the section A, and a transparent electrode 4 made of a ZnO film by sputtering is 500 nm and 1 nm, respectively.
It is formed to a thickness of μm. At this time, the amorphous semiconductor layer 3 and the transparent electrode 4 partially adhere to the inner wall of the small hole 6 and the vicinity of the small hole portion on the opposite surface of the substrate 1 as shown in FIG.
【0013】(4)高分子フィルム基板1の反対面に、ス
パッタ法によりAl薄膜を300 nmの厚さで成膜し、第二金
属電極5を形成する。この第二金属電極5も、同様に一
部が小孔6の内壁および高分子フィルム1の反対面側、
すなわち透明電極4側の小孔6近傍に付着し、透明電極
4と接触して導通状態になる。一方、この第二金属電極
5は、B部においては小孔6の内壁並びに小孔近傍部に
おいて、図5に示すように第一金属電極2と接触して導
通状態となる。(4) An Al thin film having a thickness of 300 nm is formed on the opposite surface of the polymer film substrate 1 by the sputtering method to form the second metal electrode 5. Similarly, the second metal electrode 5 has a part of the inner wall of the small hole 6 and the opposite surface side of the polymer film 1,
That is, it is attached in the vicinity of the small hole 6 on the transparent electrode 4 side, comes into contact with the transparent electrode 4 and becomes conductive. On the other hand, the second metal electrode 5 is brought into conduction by contacting the first metal electrode 2 in the inner wall of the small hole 6 and in the vicinity of the small hole in the portion B as shown in FIG.
【0014】(5)図1(a) に示すように高分子フィルム
1の表面で第一金属電極2/アモルファス半導体層3/
透明電極4の積層構造を分割線61で、また裏面で第二金
属電極5を分割線62、63、64でそれぞれ分割する。この
分割は、レーザ光照射により行う。このようにして第一
金属電極2/アモルファス半導体層3/透明電極4の積
層構造は複数のユニットセルに分割され、各ユニットセ
ルの第一金属電極2および透明電極4は、高分子フィル
ム1の裏面の第二金属電極5のうち、各々分割線62で電
気的に分離されたB部およびA部に接続している状態が
できあがる。(5) As shown in FIG. 1 (a), the first metal electrode 2 / amorphous semiconductor layer 3 /
The laminated structure of the transparent electrode 4 is divided by dividing lines 61, and the second metal electrode 5 is divided by dividing lines 62, 63, 64 on the back surface. This division is performed by laser light irradiation. In this way, the laminated structure of the first metal electrode 2, the amorphous semiconductor layer 3, and the transparent electrode 4 is divided into a plurality of unit cells, and the first metal electrode 2 and the transparent electrode 4 of each unit cell are formed of the polymer film 1. Of the second metal electrode 5 on the back surface, the state is completed in which the second metal electrode 5 is connected to the B section and the A section which are electrically separated by the dividing line 62.
【0015】(6)別に、基板1と異なる高分子フィルム1
1上にマスクを用いたスパッタ法により、図1(c) に示
す金属層のパターン81、82を形成する。これを図1(b)
に示す第二金属電極5の面の上に重ねて貼り合わせる
と、3直列、4並列のユニットセル接続が実現する。異
なる出力電圧にするため、例えば2直列、6並列あるい
は4直列、3並列にしたい場合には、第三金属電極のパ
ターン81、82を変えるだけで容易に実現できる。(6) Separately, a polymer film 1 different from the substrate 1
A metal layer pattern 81, 82 shown in FIG. 1 (c) is formed on 1 by a sputtering method using a mask. This is shown in Figure 1 (b).
By stacking and laminating on the surface of the second metal electrode 5 shown in (3), 3 series and 4 parallel unit cell connections are realized. In order to obtain different output voltages, for example, when 2 series, 6 parallel or 4 series, 3 parallel are desired, this can be easily realized by changing the patterns 81 and 82 of the third metal electrode.
【0016】[0016]
【発明の効果】本発明によれば、絶縁性基板上に形成さ
れたユニットセルの両端子を、絶縁性基板を貫通する導
体により裏面側に形成した第二電極層の分離された領域
に引出し、それらの領域間を適宜接続することにより任
意の基板寸法に対して任意の出力電圧を効率良く取り出
すことが極めて容易に可能になった。According to the present invention, both terminals of a unit cell formed on an insulative substrate are led out to separate regions of a second electrode layer formed on the back surface side by conductors penetrating the insulative substrate. By appropriately connecting these regions, it has become extremely easy to efficiently extract an arbitrary output voltage for an arbitrary substrate size.
【図1】本発明の一実施例の薄膜太陽電池を示し、(a)
が平面図、(b) が貼り合わせ高分子フィルムを除いて示
す下面図、(c) が貼り合わせ高分子フィルムの平面図FIG. 1 shows a thin film solar cell according to an embodiment of the present invention, (a)
Is a plan view, (b) is a bottom view without the bonded polymer film, and (c) is a plan view of the bonded polymer film.
【図2】従来の直列接続型薄膜太陽電池の断面図FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional series connection type thin film solar cell.
【図3】従来の別の薄膜太陽電池を示し、(a) が平面
図、(b) が断面図FIG. 3 shows another conventional thin film solar cell, where (a) is a plan view and (b) is a sectional view.
【図4】図1の薄膜太陽電池のA部における貫通孔近傍
の断面図FIG. 4 is a cross-sectional view in the vicinity of a through hole in a portion A of the thin film solar cell of FIG.
【図5】図1の薄膜太陽電池のB部における貫通孔近傍
の断面図5 is a cross-sectional view in the vicinity of the through hole in the B portion of the thin film solar cell of FIG.
1 絶縁性基板 11 高分子フィルム 2 第一金属電極 3 アモルファス半導体層 4 透明電極 5 第二金属電極 6 小孔 61、62、63、64 分割線 81、82 金属層パターン 1 Insulating Substrate 11 Polymer Film 2 First Metal Electrode 3 Amorphous Semiconductor Layer 4 Transparent Electrode 5 Second Metal Electrode 6 Small Hole 61, 62, 63, 64 Dividing Line 81, 82 Metal Layer Pattern
Claims (5)
層および透明電極層の積層部と第一電極層のみの延長部
が形成されてそれぞれ積層部と第一電極層延長部とから
なる複数領域に分割され、他面上に複数領域に分割され
た第二電極層が被着し、積層部の各分割領域の透明電極
層が半導体層、第一電極層および絶縁性基板を貫通し、
第一電極層と実質的に絶縁された導体によりそれぞれ第
二電極層の相互に分離された領域と接続され、第一電極
層延長部の各分割領域が絶縁性基板を貫通する導体によ
りそれぞれ第二電極層の相互に分離された領域と接続さ
れ、透明電極層に接続された第二電極層領域の複数が相
互に接続され、かつ他の相互に接続された透明電極層領
域直下の第一電極層の延長部に接続された第二電極層領
域に接続されたことを特徴とする薄膜太陽電池。1. A laminated portion of a first electrode layer, a semiconductor layer and a transparent electrode layer and an extended portion of only the first electrode layer are formed on one surface of an insulating substrate to form a laminated portion and a first electrode layer extended portion, respectively. The second electrode layer is divided into a plurality of regions, which is divided into a plurality of regions on the other surface, and the transparent electrode layer in each divided region of the laminated portion forms a semiconductor layer, a first electrode layer and an insulating substrate. Penetrate,
Each of the divided regions of the first electrode layer extension is connected to a mutually separated region of the second electrode layer by a conductor that is substantially insulated from the first electrode layer, and each of the divided regions of the first electrode layer extension extends through the insulative substrate. A plurality of second electrode layer regions connected to the mutually separated regions of the two electrode layers and connected to the transparent electrode layer are connected to each other, and the first electrode immediately below the other mutually connected transparent electrode layer region. A thin-film solar cell, wherein the thin-film solar cell is connected to a second electrode layer region connected to an extension of the electrode layer.
板上の導体の接触により行われた請求項1記載の薄膜太
陽電池。2. The thin-film solar cell according to claim 1, wherein the second electrode layer regions are connected to each other by contacting a conductor on another insulating substrate.
絶縁性基板の貫通孔内への延長部である請求項1あるい
は2記載の薄膜太陽電池。3. The thin film solar cell according to claim 1, wherein the conductor penetrating the insulating substrate is an extension of the second electrode layer into the through hole of the insulating substrate.
が透明電極層の絶縁性基板の貫通孔内への延長部である
請求項1あるいは2記載の薄膜太陽電池。4. The thin film solar cell according to claim 1, wherein the conductor connecting the transparent electrode layer and the second electrode layer is an extension of the transparent electrode layer into the through hole of the insulating substrate.
が第一電極層の絶縁性基板の貫通孔内への延長部である
請求項1あるいは2記載の薄膜太陽電池。5. The thin-film solar cell according to claim 1, wherein the conductor connecting the first electrode layer and the second electrode layer is an extension of the first electrode layer into the through hole of the insulating substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5196575A JPH0750427A (en) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | Thin film solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5196575A JPH0750427A (en) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | Thin film solar cell |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750427A true JPH0750427A (en) | 1995-02-21 |
Family
ID=16360027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5196575A Pending JPH0750427A (en) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | Thin film solar cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750427A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005500701A (en) * | 2001-08-23 | 2005-01-06 | パシフィック ソーラー ピー ティ ワイ リミテッド | Chain link metal interconnect structure |
| EP1168458A3 (en) * | 2000-06-27 | 2006-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element, producing method therefor, and solar cell modules |
-
1993
- 1993-08-09 JP JP5196575A patent/JPH0750427A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1168458A3 (en) * | 2000-06-27 | 2006-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element, producing method therefor, and solar cell modules |
| JP2005500701A (en) * | 2001-08-23 | 2005-01-06 | パシフィック ソーラー ピー ティ ワイ リミテッド | Chain link metal interconnect structure |
| US7868248B2 (en) | 2001-08-23 | 2011-01-11 | Pacific Solar Pty Limited | Chain link metal interconnect structure |
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