JPH0740482B2 - Electron multiplier - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光電子増倍装置等の電子増倍素子として利用
される２次電子放出特性を利用した電子増倍素子に関す
る。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electron multiplying element utilizing secondary electron emission characteristics used as an electron multiplying element of a photoelectron multiplying device and the like.
（従来の技術） 比較的狭い空間内にダイノードを密接して配置して電子
を増倍する装置としてベネシアン・ブライド形ダイノー
ドが知られている。(Prior Art) A Venetian-Bride type dynode is known as a device for multiplying electrons by closely disposing dynodes in a relatively narrow space.
第11図はベネシアン・ブラインド形ダイノードを用いて
電子増倍装置の一部を取り出して示した断面図である。FIG. 11 is a sectional view showing a part of the electron multiplying device by using a Venetian blind type dynode.
図は、多数段のメッシュとダイノードの積み重ねよりな
る増倍装置の主として、ｉ段とｉ＋１段を取り出して示
したものである。The figure mainly shows the i-th stage and the i + 1-th stage, which are mainly taken out, of the multiplication device which is composed of a stack of meshes and dynodes of a large number of stages.
図においてMiは電子の入射方向に直角に配置されたｉ番
目のメッシュ、Dyiはｉ番目のダイノードであり、同様
にMi＋１はｉ＋１番目のメッシュ、Dyi＋１はｉ＋１番
目のダイノードである。In the figure, Mi is the i-th mesh arranged at right angles to the electron incident direction, Dyi is the i-th dynode, Mi + 1 is the i + 1-th mesh, and Dyi + 1 is the i + 1-th dynode.
ｉ＋１番目のダイノードの各板の傾きはｉ番目のダイノ
ードのそれと反対になって、異なる傾きのダイノードが
メッシュを挟んで交互に配置されている。The inclination of each plate of the (i + 1) th dynode is opposite to that of the ith dynode, and dynodes having different inclinations are alternately arranged with the mesh in between.
前記各メッシュは材料金属プレートをマスキングおよび
フォトエッチングすることにより孔開けを行い製造され
る。Each of the meshes is manufactured by making holes by masking and photoetching a material metal plate.
また各ダイノード群はプレス整形によりいわゆるベネシ
アンブラインド形に加工され２次電子放出電極として機
能させられる。Further, each dynode group is processed into a so-called Venetian blind type by press shaping and made to function as a secondary electron emission electrode.
メッシュダイノードMiとダイノードDyiは接続され、電
位Viに保たれており、メッシュMi＋１とダイノードDyi
＋１は電位Vi＋１（＞Vi）に接続されている。Mesh dynode Mi and dynode Dyi are connected and kept at potential Vi, and mesh dy + 1 and dynode Dyi
+1 is connected to the potential Vi + 1 (> Vi).
ｉ番目のダイノードDyiに入射した電子により発生させ
られた２次電子は、メッシュMi＋１を介して、下段のダ
イノードDyi＋１の左よりの斜面に入射させられて、さ
らに増倍される。The secondary electrons generated by the electrons incident on the i-th dynode Dyi are incident on the slope from the left of the lower dynode Dyi + 1 via the mesh Mi + 1 and are further multiplied.
（発明が解決しようとする問題点） 前記ベネシアン・ブラインド形ダイノードを用いた電子
増倍装置で、前記各ダイノードを形成する斜面の数を大
きくすることにより、ある程度の入射位置分解性能を持
たせることができる。(Problems to be Solved by the Invention) In the electron multiplying apparatus using the Venetian blind type dynode, it is possible to provide a certain level of incident position resolving performance by increasing the number of slopes forming each dynode. You can
ダイノードDyiからの２次電子は隣接する斜面の裏面で
一旦減速され、次のメッシュMi＋１により加速され、ダ
イノードDyi＋１に入射することになる。この過程にお
ける電子の減速は電子走行時間と電子走行時間広がりの
増大の原因となっている。The secondary electrons from the dynode Dyi are once decelerated on the back surface of the adjacent slope, accelerated by the next mesh Mi + 1, and incident on the dynode Dyi + 1. The deceleration of electrons in this process causes an increase in the electron transit time and the spread of the electron transit time.
さらに電極寸法（距離）と電子走行時間、電子走行時間
広がりとの間には比例の関係があるから、これを少なく
するためにはダイノードの形状と間隔を小さくする必要
がある。Further, since there is a proportional relationship between the electrode size (distance) and the electron transit time and the spread of the electron transit time, it is necessary to reduce the shape and interval of the dynodes in order to reduce this.
しかしながら、ダイノードの金属加工の精度は限界にあ
り、これ以上電子走行時間、電子走行時間広がりを小さ
くすることおよび位置分解性能を向上させることは困難
とされている。However, the accuracy of metal processing of the dynode is limited, and it is difficult to further reduce the electron transit time, the spread of the electron transit time and the position resolution performance.
本発明の目的は前述した問題を解決することができる電
子増倍素子を提供することにある。An object of the present invention is to provide an electron multiplying device which can solve the above-mentioned problems.
（問題を解決するための手段） 前記目的を達成するために、本発明による電子増倍素子
は、絶縁性の基板の第１面に対して傾斜した第１の孔表
面および前記第１の孔表面に対面する第２の孔表面をも
つ複数の貫通孔と、 前記複数の貫通孔の各第１孔表面に形成された第１の２
次電子放出層と、 前記複数の貫通孔の各第２の孔表面に前記第１の２次電
子放出層と前記各貫通孔内で分離されて形成された第２
の２次電子放出層と、 前記基板の第１面で前記各第１の２次電子放出層を接続
する第１の接続手段と、 前記基板の第２面で前記各第２の２次電子放出層を接続
する第２の接続手段と、 前記第１面側から前記いずれかの貫通孔に入射した電子
をその貫通孔で第１の２次電子放出層と第２の２次電子
放出層で増倍するように前記第１および第２の接続手段
間に電圧を印加する手段から構成されている。(Means for Solving the Problem) In order to achieve the above object, an electron multiplying device according to the present invention has a first hole surface inclined with respect to a first surface of an insulating substrate and the first hole. A plurality of through holes each having a second hole surface facing the surface; and a first two formed on each first hole surface of the plurality of through holes.
A secondary electron emission layer, a second secondary electron emission layer formed on the surface of each second hole of the plurality of through holes and separated from the first secondary electron emission layer in each of the through holes.
Secondary electron emission layer, first connection means for connecting each of the first secondary electron emission layers on the first surface of the substrate, and each of the second secondary electrons on the second surface of the substrate. Second connecting means for connecting the emission layer, and electrons that have entered the through hole from the first surface side into the through hole, the first secondary electron emitting layer and the second secondary electron emitting layer through the through hole. It is composed of means for applying a voltage between the first and second connecting means so as to be multiplied by.
（実施例） 以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明す
る。(Example) Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.
第１図は本発明による電子増倍素子の第１の実施例の平
面図、第２図は前記第１の実施例素子の使用状態を示す
端面図、第３図は前記第１の実施例素子の一部を拡大し
て示した断面図である。FIG. 1 is a plan view of a first embodiment of an electron multiplying element according to the present invention, FIG. 2 is an end view showing a usage state of the element of the first embodiment, and FIG. 3 is a view of the first embodiment. It is sectional drawing which expanded and showed a part of element.
ガラス（SiO2）の平板状の絶縁基板１には、開口部が略
円形の貫通孔２が多数個設けられている。A flat insulating substrate 1 made of glass (SiO 2 ) is provided with a large number of through holes 2 each having an approximately circular opening.
この貫通孔２は電子が入射させられる面に傾きを持って
設けられている。The through hole 2 is provided with an inclination on the surface on which electrons are incident.
この貫通孔２は次のようにフォトエッチング方法を用い
て加工される。This through hole 2 is processed by the photoetching method as follows.
絶縁性基板１を前記開口部と分離溝のパターン形状が形
成されているネガを通して紫外線を斜め方向に照射する
ことによりガラス内に前記孔の形状に相当する潜像を形
成する。A latent image corresponding to the shape of the hole is formed in the glass by irradiating the insulating substrate 1 with ultraviolet rays obliquely through a negative in which the pattern of the opening and the separation groove is formed.
その後熱処理をして潜像部を結晶化させる。更に酸処理
をすることによって結晶部分だけを溶解し、ネガの形状
に対応する形状の貫通孔を得る。Then, heat treatment is performed to crystallize the latent image portion. Further, by acid treatment, only the crystal part is dissolved and a through hole having a shape corresponding to the negative shape is obtained.
この貫通孔２の基板１の表面と鋭角を保っている方の斜
面にSb等の真空蒸着を行うことにより、第１の２次電子
放出層５を形成する。The first secondary electron emission layer 5 is formed by vacuum-depositing Sb or the like on the slope of the through-hole 2 that maintains an acute angle with the surface of the substrate 1.
この第１の２次電子放出層５は、貫通孔の下側の開口に
達しないように形成され、基板１の下側の面とは絶縁さ
れている。The first secondary electron emission layer 5 is formed so as not to reach the lower opening of the through hole, and is insulated from the lower surface of the substrate 1.
また貫通孔２の基板１の表面と鈍角を保っており前記第
１の２次電子放出層５とは分離溝７で分離されている方
の斜面にもSb等の真空蒸着を行うことにより、第２の２
次電子放出層６を形成する。この第２の２次電子放出層
６は、貫通孔の上側の開口に達しないように形成され、
基板１の上側の面とは絶縁されている。Further, by vacuum-depositing Sb or the like on the sloped surface of the through hole 2 which maintains an obtuse angle with the surface of the substrate 1 and is separated from the first secondary electron emission layer 5 by the separation groove 7, The second 2
The secondary electron emission layer 6 is formed. The second secondary electron emission layer 6 is formed so as not to reach the opening above the through hole,
The upper surface of the substrate 1 is insulated.
絶縁基板１の第１表面には前述のようにして形成された
多数個の第１の２次電子放出層５を電源に接続するため
の接続手段３、絶縁基板１の第２表面（裏面）には多数
個の第２の２次電子放出層６を電源に接続するための接
続手段４が形成されている。On the first surface of the insulating substrate 1, connecting means 3 for connecting a large number of the first secondary electron emission layers 5 formed as described above to a power source, and the second surface (back surface) of the insulating substrate 1. A connecting means 4 for connecting a large number of second secondary electron emission layers 6 to a power source is formed in the.
次に主として第２図を参照してこの実施例素子の電子増
倍機能を説明する。Next, the electron multiplying function of the device of this embodiment will be described mainly with reference to FIG.
実施例素子を真空中に配置し接続手段３および接続手段
４をそれぞれ電源10a,10bに接続する。電源10bの電圧は
電源10aの電圧よりも大きい（V1＞V0）。そのため第１
の２次電子放出層５から第２の２次電子放出層６に向か
う加速電界が形成される。The element of the embodiment is placed in a vacuum, and the connecting means 3 and the connecting means 4 are connected to the power supplies 10a and 10b, respectively. The voltage of the power supply 10b is higher than the voltage of the power supply 10a (V 1 > V 0 ). Therefore the first
An accelerating electric field is formed from the secondary electron emission layer 5 to the second secondary electron emission layer 6.
実施例素子の第１の表面から入射した電子は第１の２次
電子放出層５に入射し、この電子により発生させられた
２次電子は第２の２次電子放出層６に入射してさらに２
次電子を放出する。Electrons incident from the first surface of the embodiment element are incident on the first secondary electron emission layer 5, and secondary electrons generated by this electron are incident on the second secondary electron emission layer 6. 2 more
Emits the next electron.
第４図は前記実施例素子３個を用いて構成した電子増倍
素子の切断端面図である。FIG. 4 is a cross-sectional end view of an electron multiplying device constructed by using the three devices of the embodiment.
第１の電子増倍素子Ｉと第２の電子増倍素子IIは絶縁ス
ペーサ8aを介して固定されている。なお第２の電子増倍
素子IIは貫通孔の傾きが第１の電子増倍素子Ｉの傾きと
反対になるように固定されている。The first electron multiplying element I and the second electron multiplying element II are fixed via an insulating spacer 8a. The second electron multiplication element II is fixed such that the inclination of the through hole is opposite to the inclination of the first electron multiplication element I.
第２の電子増倍素子IIと第３の電子増倍素子IIIは絶縁
スペーサ8bを介して固定されている。The second electron multiplying element II and the third electron multiplying element III are fixed via an insulating spacer 8b.
第３の電子増倍素子IIIの貫通孔の傾きの方向は第１の
電子増倍素子Ｉの傾きと同じ方向である。各電子増倍素
子の接続部に電源10a〜10f（V5＞V4＞V3＞V2＞V1＞V0）
を接続する。The inclination direction of the through hole of the third electron multiplying element III is the same as the inclination direction of the first electron multiplying element I. Power 10a~10f the connection portion of the electron multiplying device (V 5> V 4> V 3> V 2> V 1> V 0)
Connect.
第１の電子増倍素子Ｉの第１の電子増倍層５に入射して
増倍された電子は、この素子の第２の電子増倍層６で増
倍されて、第２の電子増倍素子IIの第１の電子増倍層５
に入射して増倍される。The electrons that are incident on and multiplied by the first electron multiplication layer 5 of the first electron multiplication element I are multiplied by the second electron multiplication layer 6 of this element, and the second electron multiplication layer 6 is multiplied. First electron multiplication layer 5 of the doubling element II
Is incident on and is multiplied.
このようにして、第2,第３の増倍素子で増倍され対応す
る出力開口から放出される。In this way, the light is multiplied by the second and third multiplication elements and emitted from the corresponding output aperture.
第５図は前記増倍装置を真空容器内に実装して構成した
光電子増倍管の実施例を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing an embodiment of a photomultiplier tube constructed by mounting the above-mentioned multiplication device in a vacuum container.
真空容器９の入射窓の内面には光電陰極14が形成されて
いる。A photocathode 14 is formed on the inner surface of the entrance window of the vacuum container 9.
第３の電子増倍素子IIIの出力開口に対応して陽極15が
設けられている。An anode 15 is provided corresponding to the output opening of the third electron multiplying element III.
なお各電子増倍素子には前述したように動作電源が接続
され、陽極15には最も高い電圧を印加して動作させる。The operating power supply is connected to each electron multiplication element as described above, and the highest voltage is applied to the anode 15 to operate it.
第６図は本発明による電子増倍素子の第２の実施例の平
面図である。この実施例は貫通孔２の開口部の形状を正
方形にしたものである。絶縁基板の孔の加工等は前述し
た実施例と異ならない。FIG. 6 is a plan view of a second embodiment of the electron multiplying device according to the present invention. In this embodiment, the shape of the opening of the through hole 2 is square. The processing of the holes in the insulating substrate does not differ from the above-described embodiment.
第７図は本発明による電子増倍素子の第３の実施例の平
面図である。この実施例は貫通孔２の開口部の形状を方
形にしたものである。FIG. 7 is a plan view of a third embodiment of the electron multiplying device according to the present invention. In this embodiment, the shape of the opening of the through hole 2 is square.
このような形状の電子増倍素子では２次元の情報は得ら
れないが、十分な感度を確保できる利点がある。Two-dimensional information cannot be obtained with the electron multiplier having such a shape, but there is an advantage that sufficient sensitivity can be secured.
第８図は本発明による電子増倍素子の第４の実施例の平
面図である。この実施例は貫通孔２の開口部の形状を正
６角形にしたものである。FIG. 8 is a plan view of a fourth embodiment of the electron multiplying device according to the present invention. In this embodiment, the shape of the opening of the through hole 2 is a regular hexagon.
第９図は前述した電子増倍素子を用いて構成した電子増
倍装置を用いて構成した光電子増倍管の他の実施例を示
す断面図である。FIG. 9 is a sectional view showing another embodiment of the photomultiplier tube constructed by using the electron multiplying device constructed by using the electron multiplying element described above.
真空容器９の光電面14に最前面の電子増倍素子の入力面
（第１の面）が対向するようにして配置し、多段増倍さ
れた増倍出力を陽極15で捕収する。The photocathode 14 of the vacuum container 9 is arranged so that the input surface (first surface) of the electron multiplication element at the forefront faces, and the anode 15 collects the multiplied output multiplied in multiple stages.
第10図は前述した電子増倍素子を用いて構成した電子増
倍装置を用いて構成した光電子増倍管のさらに他の実施
例を示す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing still another embodiment of the photomultiplier tube constructed by using the electron multiplying device constructed by using the electron multiplying element described above.
この実施例は、従来知られているボックス形のダイノー
ド17と組み合わせて用いたものである。光電子増倍装置
の入力開口16をボックス形のダイノード17方向に向けて
固定する。15は増倍された電子を捕収するための陽極で
ある。This embodiment is used in combination with a conventionally known box type dynode 17. The input aperture 16 of the photomultiplier is fixed toward the box-shaped dynode 17. 15 is an anode for collecting the multiplied electrons.
（発明の効果） 以上詳しく説明したように、本発明による電子増倍素子
は、第１面と第２面をもつ絶縁性の基板と、前記基板に
設けられた前記第１表面に対して傾斜した第１の孔表面
と前記第１の孔表面に対面する第２の孔表面をもつ複数
の貫通孔と、前記複数の貫通孔の各第１孔表面に形成さ
れた第１の２次電子放出層と、前記複数の貫通孔の各第
２の孔表面に前記第１の２次電子放出層と分離して形成
された第２の２次電子放出層と、前記基板の第１面で前
記各第１の２次電子放出層を接続する第１の接続手段
と、前記基板の第２面で前記各第２の２次電子放出層を
接続する第２の接続手段と、前記第１面側から前記いず
れかの貫通孔に入射した電子をその貫通孔の第１の２次
電子放出層と第２の２次電子放出層で増倍するように前
記第１および第２の接続手段間に電圧を印加する手段か
ら構成されている。(Effects of the Invention) As described in detail above, the electron multiplying device according to the present invention is inclined with respect to the insulative substrate having the first surface and the second surface and the first surface provided on the substrate. Through holes having a first hole surface and a second hole surface facing the first hole surface, and first secondary electrons formed on each first hole surface of the plurality of through holes An emission layer, a second secondary electron emission layer formed separately from the first secondary electron emission layer on the surface of each second hole of the plurality of through holes, and a first surface of the substrate. First connecting means for connecting the first secondary electron emitting layers, second connecting means for connecting the second secondary electron emitting layers on the second surface of the substrate, and the first connecting means. The first secondary electron emission layer and the second secondary electron emission layer of the through hole are multiplied so that the electrons that have entered the through hole from the surface side are multiplied. It is composed of means for applying a voltage between the first and second connecting means.
したがって、この素子を用いて単一の素子で入射電子を
２回２次電子増倍することができる。Therefore, by using this element, the incident electron can be multiplied by the secondary electron twice by a single element.
基板に設けられている増倍機能を持つ貫通孔は規則的に
配列されているので、増倍機能をもつ電子の入射位置検
出装置に利用できる。Since the through holes having the multiplication function provided on the substrate are regularly arranged, the through holes can be used for the electron incident position detection device having the multiplication function.
前述したように、この電子増倍素子を絶縁スペーサを介
して多段に接続することにより、高い増倍率の電子増倍
装置を形成することができる。As described above, the electron multiplying device having a high multiplication factor can be formed by connecting the electron multiplying elements in multiple stages via the insulating spacers.
一般に必要とされる電子増倍装置の電子増倍率（出力電
子／入射電子）106を得るためには、本発明の電子増倍
素子を５枚積み重ねると良い。Generally in order to obtain the electron multiplication factor (output Electronic / incident electron) 10 6 of the electron multiplier device is required, the electron multiplication device of the present invention may Stacking five.
前述した電子増倍素子１枚の厚さは0.5mm程度にするこ
とができる。The thickness of one electron multiplying element described above can be about 0.5 mm.
また各素子間を絶縁し間隔を保つための絶縁スペーサの
厚さは0.25〜0.35mmで足りるから、電子出力部分（アノ
ード）を含めた装置全体の厚さを約4mmとすることがで
きる。Further, the thickness of the insulating spacer for insulating each element and keeping the distance is 0.25 to 0.35 mm, so that the thickness of the entire device including the electron output portion (anode) can be about 4 mm.
この厚さは従来の電子増倍素子で同程度の増倍をするた
めに必要な厚さに比較すると1/10の厚さとなる。This thickness is 1/10 of the thickness required to perform the same multiplication with the conventional electron multiplier.
すなわち本発明による電子増倍素子を用いれば、小形な
電子増倍装置を形成することができる。That is, by using the electron multiplying element according to the present invention, a small electron multiplying device can be formed.
電子増倍装置を小さくすると電子走行時間と電子走行時
間の広がりを小さくすることが可能となるから、時間分
解に優れた増倍装置が得られる。When the electron multiplying device is made small, it becomes possible to reduce the electron transit time and the spread of the electron transit time, so that a multiplier excellent in time resolution can be obtained.
また前述したように、前記電子増倍装置を用い種々の光
電子増倍管を製造することができる。これ等の光電子増
倍管は、位置分解、時間分解に優れているから種々の計
測に広く利用できる。Also, as described above, various photomultiplier tubes can be manufactured using the electron multiplier. Since these photomultiplier tubes are excellent in position resolution and time resolution, they can be widely used for various measurements.
第１図は本発明による電子増倍素子の第１の実施例の平
面図である。 第２図は前記第１の実施例装置の使用状態を示す端面図
である。 第３図は前記第１の実施例装置の一部を拡大して示した
断面図である。 第４図は前記第１の電子増倍素子複数枚を用いて構成し
て増倍装置の実施例を示す端面図である。 第５図は前記増倍装置を真空容器内に実装して構成した
光電子増倍管の実施例を示す断面図である。 第６図は本発明による電子増倍素子の第２の実施例の平
面図である。 第７図は本発明による電子増倍素子の第３の実施例の平
面図である。 第８図は本発明による電子増倍素子の第４の実施例の平
面図である。 第９図は増倍装置を真空容器内に実装して構成した光電
子増倍管の他の実施例を示す断面図である。 第10図は増倍装置を真空容器内に実装して構成した光電
子増倍管のさらに他の実施例を示す断面図である。 第11図は従来のベネシアン・ブラインド形ダイノードを
示す断面図である。 １…絶縁基板、２…貫通孔 ３…絶縁基板の第１表面に形成された接続手段 ４…絶縁基板の第２表面に形成された接続手段 ５…第１の２次電子放出層 ６…第２の２次電子放出層 ７…分離溝 8a,8b…絶縁スペーサ ９…真空容器 10a,10b〜10f…電源 14…光電陰極、15…陽極 17…ボックス形のダイノードFIG. 1 is a plan view of a first embodiment of the electron multiplying device according to the present invention. FIG. 2 is an end view showing the usage state of the apparatus of the first embodiment. FIG. 3 is an enlarged sectional view showing a part of the device of the first embodiment. FIG. 4 is an end view showing an embodiment of a multiplication device constructed by using a plurality of the first electron multiplication elements. FIG. 5 is a sectional view showing an embodiment of a photomultiplier tube constructed by mounting the above-mentioned multiplication device in a vacuum container. FIG. 6 is a plan view of a second embodiment of the electron multiplying device according to the present invention. FIG. 7 is a plan view of a third embodiment of the electron multiplying device according to the present invention. FIG. 8 is a plan view of a fourth embodiment of the electron multiplying device according to the present invention. FIG. 9 is a cross-sectional view showing another embodiment of the photomultiplier tube constructed by mounting the multiplication device in a vacuum container. FIG. 10 is a cross-sectional view showing still another embodiment of the photomultiplier tube configured by mounting the multiplication device in a vacuum container. FIG. 11 is a sectional view showing a conventional Venetian blind type dynode. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulating substrate, 2 ... Through hole 3 ... Connecting means formed on the first surface of the insulating substrate 4 ... Connecting means formed on the second surface of the insulating substrate 5 ... First secondary electron emission layer 6 ... 2. Secondary electron emission layer 7 ... Separation grooves 8a, 8b ... Insulating spacer 9 ... Vacuum container 10a, 10b-10f ... Power supply 14 ... Photocathode, 15 ... Anode 17 ... Box-shaped dynode
Claims (3)
１の孔表面および前記第１の孔表面に対面する第２の孔
表面をもつ複数の貫通孔と、 前記複数の貫通孔の各第１孔表面に形成された第１の２
次電子放出層と、 前記複数の貫通孔の各第２の孔表面に前記第１の２次電
子放出層と前記各貫通孔内で分離されて形成された第２
の２次電子放出層と、 前記基板の第１面で前記各第１の２次電子放出層を接続
する第１の接続手段と、 前記基板の第２面で前記各第２の２次電子放出層を接続
する第２の接続手段と、 前記第１面側から前記いずれかの貫通孔に入射した電子
をその貫通孔の第１の２次電子放出層と第２の２次電子
放出層で増倍するように前記第１および第２の接続手段
間に電圧を印加する手段から構成した電子増倍素子。1. A plurality of through holes having a first hole surface inclined to a first surface of an insulating substrate and a second hole surface facing the first hole surface, and the plurality of through holes. First two formed on each first hole surface of the holes
A secondary electron emission layer, a second secondary electron emission layer formed on the surface of each second hole of the plurality of through holes and separated from the first secondary electron emission layer in each of the through holes.
Secondary electron emission layer, first connection means for connecting each of the first secondary electron emission layers on the first surface of the substrate, and each of the second secondary electrons on the second surface of the substrate. Second connection means for connecting the emission layer, and electrons incident on the through hole from the first surface side to the first secondary electron emission layer and the second secondary electron emission layer of the through hole. An electron multiplying device comprising means for applying a voltage between the first and second connecting means so as to multiply by.
形または６角形であり、前記開口部は稠密に規則正しく
配列されている特許請求の範囲第１項記載の電子増倍素
子。2. The electron multiplying device according to claim 1, wherein the opening shape of the first surface of the through hole is circular, rectangular or hexagonal, and the openings are densely and regularly arranged.
孔の加工は、ホトエッチングにより行われる特許請求の
範囲第１項記載の電子増倍素子。3. The electron multiplying device according to claim 1, wherein the insulating substrate is SiO 2 , and the through hole is processed by photoetching.
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| JP60197371A JPH0740482B2 (en) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | Electron multiplier |
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