JPH07335815A - Lead frame and semiconductor device using the same - Google Patents
Lead frame and semiconductor device using the sameInfo
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-
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 封止樹脂とダイパッドとの密着性を向上させ
て信頼性の高い半導体装置を得る。
【構成】 半導体チップを搭載するダイパッドを有する
樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームにおい
て、前記ダイパッドに切欠12が設けられ、前記切欠1
2の縁部に、凹部および該凹部の底面から外方に突出す
る突起部を有するつぶし部16が設けられたことを特徴
とする。
(57) [Abstract] [Purpose] To improve the adhesion between the sealing resin and the die pad to obtain a highly reliable semiconductor device. In a lead frame used for a resin-sealed semiconductor device having a die pad on which a semiconductor chip is mounted, a cutout 12 is provided in the die pad, and the cutout 1 is provided.
The crushing portion 16 having a concave portion and a protrusion protruding outward from the bottom surface of the concave portion is provided at the edge portion of 2.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はリードフレーム及びこれ
を用いた半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame and a semiconductor device using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】樹脂封止型の半導体装置ではダイパッド
と封止樹脂との間の密着性が問題となっている。これは
封止樹脂が吸湿性を有することから、半導体装置を基板
などに実装する際のリフロー工程において加熱されると
封止樹脂中に取り込まれた水分がダイパッドの裏面と封
止樹脂との界面部分で気化して膨張し、当該個所でダイ
パッドと封止樹脂とを剥離させたり封止樹脂にクラック
を生じさせるといったことが起きるからである。とく
に、最近は大型の半導体チップを搭載するようになった
こととパッケージが薄型になっていることから、上記の
ような問題が起こりやすい。2. Description of the Related Art Adhesion between a die pad and a sealing resin is a problem in a resin sealing type semiconductor device. This is because the encapsulating resin has a hygroscopic property, so that when it is heated in the reflow process when mounting a semiconductor device on a substrate or the like, the moisture taken into the encapsulating resin is the interface between the back surface of the die pad and the encapsulating resin. This is because vaporization and expansion occur at the portions, and the die pad and the sealing resin may be peeled off or cracks may be generated in the sealing resin at the relevant portions. In particular, recently, since a large semiconductor chip is mounted and the package is thin, the above problems are likely to occur.
【0003】このため、ダイパッドと封止樹脂との密着
性を向上させる方法が種々なされてきた。たとえば、ダ
イパッドの裏面にディンプル加工を施したり、ダイパッ
ドに透孔を設けたりして封止樹脂とのくい付きを改善す
るといった方法である。図13はダイパッドと封止樹脂
との密着性を向上させる方法としてダイパッド50の裏
面に円形状の穴51を設け、穴51の内周縁につぶし加
工を施す方法を示す(特開平1-278055号公報) 。この方
法では、ポンチ53で十字形につぶし加工を施し、図1
4に示すように突起部52を穴51の内側に向けて形成
することによって突起部52が封止樹脂にくい込み、封
止樹脂とダイパッド50との密着性を向上させている。Therefore, various methods have been used to improve the adhesion between the die pad and the sealing resin. For example, there is a method in which the back surface of the die pad is subjected to dimple processing, or a through hole is provided in the die pad to improve sticking to the sealing resin. FIG. 13 shows a method of improving the adhesion between the die pad and the sealing resin by providing a circular hole 51 on the back surface of the die pad 50 and subjecting the inner peripheral edge of the hole 51 to a crushing process (Japanese Patent Laid-Open No. 1-278055). Bulletin). In this method, the punch 53 performs a crushing process in a cross shape, and
As shown in FIG. 4, by forming the protrusions 52 toward the inside of the holes 51, the protrusions 52 are less likely to be embedded in the sealing resin, and the adhesion between the sealing resin and the die pad 50 is improved.
【0004】図15はダイパッドと封止樹脂との密着性
を向上させる他の従来例で、ダイパッド50に複数の切
り込み54を平行に設けて、ダイパッド50と封止樹脂
とのくい付きを改善することによってダイパッド50と
封止樹脂との密着性を向上させている(特開平4-307760
号公報) 。FIG. 15 shows another conventional example for improving the adhesion between the die pad and the sealing resin. The die pad 50 is provided with a plurality of notches 54 in parallel to improve the adhesion between the die pad 50 and the sealing resin. This improves the adhesion between the die pad 50 and the sealing resin (Japanese Patent Laid-Open No. 4-307760).
Issue).
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来も
ダイパッドに種々の加工を施して、封止樹脂とダイパッ
ドとの密着性の向上を図ってきたが、従来方法ではダイ
パッドと封止樹脂との密着性が不十分な場合があった。
本発明は、ダイパッドと封止樹脂との密着性をさらに改
善することができ、大型の半導体チップを搭載するよう
な場合であっても封止樹脂の剥離やそれに伴って封止樹
脂にクラックが生じるといった問題を解消できる信頼性
の高いリードフレーム及びこれを用いた半導体装置を提
供することを目的とする。As described above, the die pad has conventionally been subjected to various processes to improve the adhesion between the sealing resin and the die pad. However, in the conventional method, the die pad and the sealing resin have been improved. There was a case where the adhesion with was insufficient.
The present invention can further improve the adhesion between the die pad and the sealing resin, and even when a large-sized semiconductor chip is mounted, the sealing resin peels off or cracks occur in the sealing resin. An object of the present invention is to provide a highly reliable lead frame that can solve the problem of occurrence and a semiconductor device using the same.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、半導体チップを
搭載するダイパッドを有する樹脂封止型半導体装置に用
いるリードフレームにおいて、前記ダイパッドに貫通孔
および/または切欠きが設けられ、前記貫通孔または切
欠きの縁部に、凹部および該凹部の底面から外方に突出
する突起部を有するつぶし部が設けられたことを特徴と
する。また、前記凹部が隣接する貫通孔間あるいは切欠
き間のダイパッド面を横切って設けられたことを特徴と
する。また、前記リードフレームに半導体チップを搭載
して樹脂封止して成る半導体装置であって、前記ダイパ
ッドで前記凹部が形成されていない面上に前記半導体チ
ップが搭載されて樹脂封止されたことを特徴とする。ま
た、前記リードフレームに半導体チップを搭載して樹脂
封止して成る半導体装置であって、前記ダイパッドで前
記凹部を形成した面上に前記半導体チップが搭載されて
樹脂封止されたことを特徴とする。The present invention has the following constitution in order to achieve the above object. That is, in a lead frame used for a resin-sealed semiconductor device having a die pad on which a semiconductor chip is mounted, the die pad is provided with a through hole and / or a notch, and an edge portion of the through hole or the notch has a recess and It is characterized in that a crushed portion having a protrusion protruding outward from the bottom surface of the recess is provided. Further, the recess is provided across the die pad surface between adjacent through holes or notches. A semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on the lead frame and resin-sealed, wherein the semiconductor chip is mounted and resin-sealed on a surface of the die pad where the recess is not formed. Is characterized by. Also, a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on the lead frame and resin-sealed, wherein the semiconductor chip is mounted and resin-sealed on a surface where the recess is formed by the die pad. And
【0007】[0007]
【作用】本発明に係るリードフレームはダイパッドに貫
通孔および/または切欠きを設けたことによって半導体
チップの下面と封止樹脂とがじかに密着し、これによっ
て半導体チップと封止樹脂との密着性を向上させること
ができるとともに、貫通孔あるいは切欠きの縁部に設け
た凹部および突起によりさらに封止樹脂とのくい付きを
向上させて封止樹脂とダイパッドとの密着性を向上させ
る。In the lead frame according to the present invention, the die pad is provided with the through hole and / or the notch so that the lower surface of the semiconductor chip and the encapsulating resin directly adhere to each other, whereby the adhesiveness between the semiconductor chip and the encapsulating resin is improved. In addition, the recesses and protrusions provided at the edges of the through holes or the notches further improve the clinging to the sealing resin and improve the adhesion between the sealing resin and the die pad.
【0008】[0008]
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図1は本発明に係るリードフレ
ームの一実施例を示す平面図で、封止樹脂との密着性が
問題となるダイパッド10部分を拡大して示している。
この実施例のリードフレームはダイパッド10の両側縁
から中央部に向けて細幅の切欠き12を設け、細幅の支
持片14が両側に延出した形状に形成される。そして、
各々の支持片14の縁部に散点的につぶし部16が形成
されている。18はダイパッド10に接続するステージ
サポートバーである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a lead frame according to the present invention, and shows an enlarged view of a portion of a die pad 10 where adhesion with a sealing resin is a problem.
In the lead frame of this embodiment, a narrow cutout 12 is provided from both side edges of the die pad 10 toward the central portion, and a narrow support piece 14 is formed to extend on both sides. And
The crushed portions 16 are formed on the edges of each of the support pieces 14 in a scattered manner. Reference numeral 18 is a stage support bar connected to the die pad 10.
【0009】図2、3は上記リードフレームをプレス抜
き加工によって製造する方法を示す。図2はリードフレ
ーム材に対しダイパッド10の形成位置に合わせてスリ
ット孔20を形成した状態を示し、次いで、図3に示す
ようにスリット孔20の縁部分にポンチでつぶし加工を
施してつぶし部16を形成する。これらの加工では、後
工程で切り離す支持片14の先端部分をつなげて加工す
る方がダイパッド10の変形を抑えることができる点で
好適である。2 and 3 show a method of manufacturing the lead frame by press punching. FIG. 2 shows a state in which the slit holes 20 are formed in the lead frame material in accordance with the positions where the die pad 10 is formed. Then, as shown in FIG. 3, the edge portions of the slit holes 20 are punched by a punching process. 16 is formed. In these processes, it is preferable to connect the tip portions of the support pieces 14 that will be cut off in a later step to process the die pad 10 because deformation of the die pad 10 can be suppressed.
【0010】そして、つぶし部16を形成した後、支持
片14の先端の連結部分を切り落とすことによって図1
に示すように、複数の切欠き12を形成したダイパッド
10が得られる。実際にリードフレームを製造する場合
は、帯状のリードフレーム材が複数の加工工程を次々と
経て所定形状のリードフレームに形成されていくから、
上記のスリット孔20やつぶし部16の加工はこれらの
一連の加工工程中に組み込んで行う。After the crushed portion 16 is formed, the connecting portion at the tip of the support piece 14 is cut off to remove the crushed portion 16, as shown in FIG.
As shown in, a die pad 10 having a plurality of cutouts 12 is obtained. When actually manufacturing a lead frame, the strip-shaped lead frame material is formed into a predetermined shape of the lead frame through a plurality of processing steps one after another.
The above-described processing of the slit hole 20 and the crushed portion 16 is performed by incorporating them in these series of processing steps.
【0011】なお、リードフレーム材を金型で抜いてい
く順序は製品によって適宜設定されるから、スリット孔
20やつぶし部16を形成する加工も全体の加工工程に
合わせて適宜設定すればよい。上記実施例ではダイパッ
ド10の外形形状を成形してからスリット孔20を抜い
ているが、スリット孔20を先に抜き加工し、つぶし部
16を形成した後にダイパッド10の外周を抜き加工し
てダイパッド10を成形することもできる。Since the order in which the lead frame material is drawn out by the mold is appropriately set depending on the product, the processing for forming the slit hole 20 and the crushed portion 16 may be appropriately set according to the entire processing steps. In the above embodiment, the outer shape of the die pad 10 is formed, and then the slit hole 20 is removed. It is also possible to mold 10.
【0012】図4に上記方法によって形成した支持片1
4とつぶし部16を拡大して示す。つぶし部16は支持
片14の縁部をポンチでつぶし加工することによって形
成した凹部16aと凹部16bの底面から外方にひさし
状に突出する突起部16bからなる。この突起部16b
は半導体チップを搭載して樹脂封止した際にダイパッド
と封止樹脂とのくい付き性を良好にする作用を奏する。FIG. 4 shows a supporting piece 1 formed by the above method.
4 and the collapsed portion 16 are shown in an enlarged manner. The crushing portion 16 is composed of a concave portion 16a formed by crushing the edge portion of the support piece 14 with a punch, and a protruding portion 16b protruding outward from the bottom surface of the concave portion 16b in an eaves shape. This protrusion 16b
Has an effect of improving the adhesiveness between the die pad and the sealing resin when the semiconductor chip is mounted and resin-sealed.
【0013】図5はダイパッド10に半導体チップ22
を搭載して樹脂封止した状態で、ダイパッド10部分の
断面を拡大して示した図である。半導体チップ20をダ
イパッド10に搭載する場合、通常はディンプル加工等
を施した面を外側(半導体チップ搭載面の裏面)にして
搭載する。本実施例の場合もつぶし部16を設けた面を
半導体チップ22の搭載面の裏面としてダイパッド10
に半導体チップ22を搭載する。FIG. 5 shows the semiconductor chip 22 on the die pad 10.
It is the figure which expanded and showed the cross section of the die pad 10 part in the state which mounted and resin-sealed. When the semiconductor chip 20 is mounted on the die pad 10, it is usually mounted with the surface on which the dimples have been processed outside (the back surface of the semiconductor chip mounting surface). Also in the case of the present embodiment, the die pad 10 is provided with the surface provided with the crushed portion 16 as the back surface of the mounting surface of the semiconductor chip 22.
The semiconductor chip 22 is mounted on.
【0014】半導体チップ22は一定間隔をおいて形成
された支持片14に支持される。この状態で樹脂封止す
ると、封止樹脂24は図5に示すように支持片14の隙
間部分に入り込んで硬化するから半導体チップ22の下
面と封止樹脂24とがじかに密着する。半導体チップ2
2の下面は通常コーティングされており、半導体チップ
22の下面と封止樹脂24との密着性は半導体チップ2
2とダイパッド10との密着性よりも良好であるから、
この実施例のようにダイパッド10に切欠き12を設け
て半導体チップ22と封止樹脂24とがじかに密着する
ように構成することはダイパッドの裏面での剥離を防止
する上で効果的である。The semiconductor chip 22 is supported by the support pieces 14 formed at regular intervals. When resin sealing is performed in this state, the sealing resin 24 enters the gap portion of the support piece 14 and hardens, as shown in FIG. 5, so that the lower surface of the semiconductor chip 22 and the sealing resin 24 directly adhere to each other. Semiconductor chip 2
The lower surface of the semiconductor chip 22 is usually coated, and the adhesion between the lower surface of the semiconductor chip 22 and the sealing resin 24 is
2 is better than the adhesion between the die pad 10 and
It is effective to prevent the peeling on the back surface of the die pad by providing the notch 12 in the die pad 10 as in this embodiment so that the semiconductor chip 22 and the sealing resin 24 directly adhere to each other.
【0015】また、実施例のリードフレームの場合は封
止樹脂24がダイパッド10の支持片14の間に入り込
んで樹脂封止されるから、支持片14が封止樹脂24内
に埋没した状態となり、これによってダイパッド10全
体と封止樹脂24とのくい付き性を向上させることがで
きる。また、本実施例の場合は、図5に示すようにつぶ
し部16に形成された突起部16bが封止樹脂24中に
くい込んで樹脂封止されるから、つぶし部16によって
ダイパッド10と封止樹脂24とのくい付きをさらに向
上させる作用もある。Further, in the case of the lead frame of the embodiment, since the sealing resin 24 enters between the supporting pieces 14 of the die pad 10 and is resin-sealed, the supporting pieces 14 are buried in the sealing resin 24. Therefore, the sticking property between the die pad 10 and the sealing resin 24 can be improved. Further, in the case of the present embodiment, as shown in FIG. 5, the protruding portion 16 b formed on the crushed portion 16 is embedded in the sealing resin 24 so as to be resin-sealed, so that the crushed portion 16 seals the die pad 10 and the die pad 10. It also has the effect of further improving the clinging to the resin 24.
【0016】なお、上記実施例では支持片14に散点状
につぶし部16を設けたが、図6に示すように支持片1
4の縁部に沿って比較的長くつぶし部16を設けること
もできる。また、図7に示すようにダイパッド10に切
欠き12を設ける際に縦横に設けることも可能である。
この実施例の場合も、支持片14の縁部につぶし部16
を設けている。なお、これら実施例のようにダイパッド
10に切欠き12を設けるかわりに、図3に示すような
ダイパッド10に貫通孔を設けて、貫通孔の縁部につぶ
し部16を散点的に設けるようにした場合や、図示しな
いが縁部に沿って比較的長くつぶし部16を設けるよう
にした場合でも上記実施例と同様な効果を得ることがで
きる。In the above embodiment, the support pieces 14 are provided with the crushed portions 16 in a scattered manner, but as shown in FIG.
It is also possible to provide the crushed portion 16 relatively long along the edge of the ridge 4. Further, as shown in FIG. 7, when the notches 12 are provided in the die pad 10, it is possible to provide the notches 12 vertically and horizontally.
Also in this embodiment, the crushed portion 16 is provided on the edge of the support piece 14.
Is provided. Instead of providing the notches 12 in the die pad 10 as in these examples, through holes are provided in the die pad 10 as shown in FIG. 3 and the crushed portions 16 are provided at the edges of the through holes in a scattered manner. The same effect as that of the above-described embodiment can be obtained even in the case of the above, or in the case where the crushed portion 16 is provided relatively long along the edge portion (not shown).
【0017】ダイパッド10に貫通孔を設けることによ
って半導体チップ22の下面と封止樹脂24とをじかに
密着させて半導体チップ22と封止樹脂24との密着性
を向上させることもできるし、貫通孔の縁部に設けたつ
ぶし部16によって、封止樹脂24とダイパッド10と
の間のくい付きの効果も得ることができる。ただし、貫
通孔を設けた場合は上記切欠き12を形成した場合より
も半導体チップ22と封止樹脂24との密着部分の面積
が制限される。By providing through holes in the die pad 10, the lower surface of the semiconductor chip 22 and the sealing resin 24 can be directly adhered to each other to improve the adhesion between the semiconductor chip 22 and the sealing resin 24. The crushed portion 16 provided at the edge portion of the can also obtain the effect of clinging between the sealing resin 24 and the die pad 10. However, when the through hole is provided, the area of the contact portion between the semiconductor chip 22 and the sealing resin 24 is limited as compared with the case where the notch 12 is formed.
【0018】図8はリードフレームのダイパッド10部
分の他の実施例を示す平面図である。この実施例のリー
ドフレームもダイパッド10に切欠き12を設け、支持
片14の上面につぶし部16を設けているが、上記実施
例とは異なり各々の支持片14の上面の幅全体につぶし
部16を設けている。FIG. 8 is a plan view showing another embodiment of the die pad 10 portion of the lead frame. Also in the lead frame of this embodiment, the notch 12 is provided in the die pad 10 and the crushed portion 16 is provided on the upper surface of the support piece 14, but unlike the above-described embodiment, the crushed portion is formed over the entire width of the upper surface of each support piece 14. 16 are provided.
【0019】図9は図8に示すリードフレームを製造す
る方法を示す説明図で、リードフレーム材にダイパッド
10部を形成し、スリット孔20を設けた後、支持片1
4の幅方向の全体をポンチでつぶし加工してつぶし部1
6を形成する。本実施例の場合は一度に全部の支持片1
4を横切るポンチを使ってつぶし加工することができ
る。図10に支持片14に設けたつぶし部16を示す。
本実施例の場合は図のように支持片14の幅全体に凹部
16aが形成され、凹部16aの底面から外方に突起部
16bが延出する。FIG. 9 is an explanatory view showing a method for manufacturing the lead frame shown in FIG. 8, in which the die pad 10 is formed on the lead frame material and the slit holes 20 are provided, and then the supporting piece 1 is formed.
The whole widthwise direction of 4 is crushed with a punch and crushed part 1
6 is formed. In the case of this embodiment, all supporting pieces 1 at a time
It can be crushed using a punch that crosses 4. FIG. 10 shows the crushed portion 16 provided on the support piece 14.
In the case of the present embodiment, the recess 16a is formed in the entire width of the support piece 14 as shown in the figure, and the protrusion 16b extends outward from the bottom surface of the recess 16a.
【0020】図11は本実施例のリードフレームに半導
体チップ22を搭載して樹脂封止した状態で、ダイパッ
ド10部分を拡大して示す。図はダイパッド10の支持
片14上でつぶし部16を通過する面での断面図であ
る。本実施例のリードフレームに半導体チップ22を搭
載する場合も図5に示すようにつぶし部16を半導体チ
ップ22の搭載面の裏面側に設けることも可能である
が、図11ではつぶし部16を設けたダイパッド10面
側を半導体チップ22の搭載面として樹脂封止した例を
示す。FIG. 11 is an enlarged view of the die pad 10 in a state where the semiconductor chip 22 is mounted on the lead frame of this embodiment and resin-sealed. The figure is a cross-sectional view of the surface of the die pad 10 that passes through the crushed portion 16 on the support piece 14. Even when the semiconductor chip 22 is mounted on the lead frame of this embodiment, the crushed portion 16 can be provided on the back surface side of the mounting surface of the semiconductor chip 22 as shown in FIG. 5, but in FIG. An example in which the die pad 10 surface side provided is resin-sealed as the mounting surface of the semiconductor chip 22 is shown.
【0021】このようにつぶし部16を半導体チップ2
2の搭載面側にして樹脂封止した場合は、支持片14に
設けたつぶし部16の凹部16aが支持片14の上面で
幅方向に連通しているから、半導体チップ22を搭載し
て樹脂封止した際に凹部16a内に封止樹脂24が入り
込んで封止樹脂24とダイパッド10が好適に一体化さ
れる。As described above, the crushing portion 16 is formed in the semiconductor chip 2
When the resin is sealed on the mounting surface side of No. 2, the recess 16a of the crushed portion 16 provided on the support piece 14 communicates with the upper surface of the support piece 14 in the width direction. When sealed, the sealing resin 24 enters the recess 16a, and the sealing resin 24 and the die pad 10 are suitably integrated.
【0022】ダイパッド10と半導体チップ22とはダ
イ付けによって強力に接合されているから、上記のよう
につぶし部16の凹部16a内に封止樹脂24を入り込
ませて一体に硬化させるようにすれば、封止樹脂24と
ダイパッド10との間の剥離を有効に防止することが可
能になる。なお、このようにつぶし部16を形成した面
に半導体チップ22を搭載する方法は先の実施例の場合
にも適用することは可能である。ただし、つぶし部16
のつぶし深さは支持片14の厚さにくらべて必ずしも深
くできないから、本実施例のように凹部16aが幅方向
に連通していない場合は封止樹脂24とダイパッド10
との剥離を抑制する作用は弱くなる。Since the die pad 10 and the semiconductor chip 22 are strongly bonded by die attachment, if the sealing resin 24 is made to enter the recess 16a of the crushing portion 16 as described above and is integrally cured. Therefore, it becomes possible to effectively prevent peeling between the sealing resin 24 and the die pad 10. The method of mounting the semiconductor chip 22 on the surface on which the crushed portion 16 is formed can be applied to the case of the previous embodiment. However, the crushing unit 16
Since the crushing depth cannot always be deeper than the thickness of the support piece 14, when the recess 16a does not communicate in the width direction as in the present embodiment, the sealing resin 24 and the die pad 10 are not formed.
The effect of suppressing the peeling off with is weak.
【0023】また、上記図8に示すように支持片14の
幅方向の全体につぶし部16を設ける場合は、支持片1
4の他方の面にもつぶし部16を設けるようにすること
も可能である。この場合は、半導体チップ22を搭載す
る面とこの搭載面の裏面に設けたつぶし部の双方の作用
によって封止樹脂の剥離を防止することが可能になる。When the crushed portion 16 is provided in the entire width direction of the support piece 14 as shown in FIG.
It is also possible to provide the crushing portion 16 on the other surface of 4. In this case, peeling of the sealing resin can be prevented by the action of both the surface on which the semiconductor chip 22 is mounted and the crushed portion provided on the back surface of this mounting surface.
【0024】上記実施例はプレス加工によって製造する
リードフレームの場合について説明したが、支持片14
の上面に幅方向に連通する凹部16aを設けてダイパッ
ドと封止樹脂との剥離を防止する方法による場合は、エ
ッチング方法によって製造するリードフレームについて
も適用できる。図12は支持片14の一方の面にエッチ
ングを施して図10に示すと同様な凹部16aを形成し
た例を示す。この実施例の場合も凹部16aを形成した
面を半導体チップの搭載面として樹脂封止することによ
って、ダイパッドと封止樹脂との密着性を向上させるこ
とができ、信頼性の高い半導体装置として提供すること
が可能になる。In the above embodiment, the case of the lead frame manufactured by press working has been described.
In the case where the recess 16a that communicates in the width direction is provided on the upper surface of the substrate to prevent the die pad and the sealing resin from peeling off, the present invention can be applied to a lead frame manufactured by an etching method. FIG. 12 shows an example in which one surface of the support piece 14 is etched to form a recess 16a similar to that shown in FIG. Also in this embodiment, the surface where the recess 16a is formed is resin-sealed as the mounting surface of the semiconductor chip, so that the adhesion between the die pad and the sealing resin can be improved, and the semiconductor device is highly reliable. It becomes possible to do.
【0025】[0025]
【発明の効果】本発明に係るリードフレーム及びこれを
用いた半導体装置によれば、上述したように、封止樹脂
とリードフレームのダイパッドとの間の密着性を有効に
向上させることができ、ダイパッドと封止樹脂とが剥離
したり封止樹脂にクラックが発生したりすることを好適
に防止して、信頼性の高い半導体装置として提供し得る
等の著効を奏する。As described above, according to the lead frame and the semiconductor device using the same of the present invention, it is possible to effectively improve the adhesion between the sealing resin and the die pad of the lead frame. Peeling of the die pad and the sealing resin or cracking of the sealing resin is preferably prevented, and a remarkable effect such as a highly reliable semiconductor device can be provided.
【図1】リードフレームの一実施例を示す平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a lead frame.
【図2】リードフレームの製造方法を示す説明図であ
る。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a method of manufacturing a lead frame.
【図3】リードフレームの製造方法を示す説明図であ
る。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a method of manufacturing a lead frame.
【図4】支持片に設けたつぶし部を拡大して示す斜視図
である。FIG. 4 is an enlarged perspective view showing a crushed portion provided on a support piece.
【図5】リードフレームに半導体チップを搭載して樹脂
封止した状態を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory view showing a state in which a semiconductor chip is mounted on a lead frame and resin-sealed.
【図6】ダイパッドに設けるつぶし部の他の例を示す説
明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing another example of the crushing portion provided on the die pad.
【図7】ダイパッドの他の形態を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing another form of the die pad.
【図8】ダイパッドに設けるつぶし部の他の形成例を示
す説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing another example of forming a crushed portion provided on the die pad.
【図9】リードフレームの製造方法を示す説明図であ
る。FIG. 9 is an explanatory diagram showing the method of manufacturing the lead frame.
【図10】支持片に設けたつぶし部を拡大して示す説明
図である。FIG. 10 is an explanatory view showing an enlarged crushed portion provided on the support piece.
【図11】リードフレームに半導体チップを搭載して樹
脂封止した状態を示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram showing a state in which a semiconductor chip is mounted on a lead frame and resin-sealed.
【図12】エッチング方法によって支持片に設けたつぶ
し部を拡大して示す説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram showing an enlarged crushed portion provided on a support piece by an etching method.
【図13】従来のダイパッドの形成例を示す説明図であ
る。FIG. 13 is an explanatory diagram showing an example of forming a conventional die pad.
【図14】従来のダイパッドの形成方法を示す説明図で
ある。FIG. 14 is an explanatory diagram showing a conventional die pad forming method.
【図15】ダイパッドの他の従来例を示す説明図であ
る。FIG. 15 is an explanatory diagram showing another conventional example of a die pad.
10 ダイパッド 12 切欠き 14 支持片 16 つぶし部 16a 凹部 16b 突起部 20 スリット孔 22 半導体チップ 24 封止樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Die pad 12 Notch 14 Support piece 16 Crushed portion 16a Recessed portion 16b Projection portion 20 Slit hole 22 Semiconductor chip 24 Sealing resin
Claims (4)
する樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームにお
いて、 前記ダイパッドに貫通孔および/または切欠きが設けら
れ、 前記貫通孔または切欠きの縁部に、凹部および該凹部の
底面から外方に突出する突起部を有するつぶし部が設け
られたことを特徴とするリードフレーム。1. A lead frame used for a resin-sealed semiconductor device having a die pad on which a semiconductor chip is mounted, wherein the die pad is provided with a through hole and / or a notch, and an edge portion of the through hole or the notch, A lead frame comprising a crushed portion having a recess and a protrusion protruding outward from a bottom surface of the recess.
欠き間のダイパッド面を横切って設けられたことを特徴
とする請求項1記載のリードフレーム。2. The lead frame according to claim 1, wherein the recess is provided across the die pad surface between adjacent through holes or notches.
に半導体チップを搭載して樹脂封止して成る半導体装置
であって、 前記ダイパッドで前記凹部が形成されていない面上に前
記半導体チップが搭載されて樹脂封止されたことを特徴
とする半導体装置。3. A semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on the lead frame according to claim 1 or 2 and is resin-sealed, wherein the semiconductor chip is provided on a surface of the die pad where the recess is not formed. A semiconductor device which is mounted and resin-sealed.
チップを搭載して樹脂封止して成る半導体装置であっ
て、 前記ダイパッドで前記凹部を形成した面上に前記半導体
チップが搭載されて樹脂封止されたことを特徴とする半
導体装置。4. A semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a lead frame according to claim 2 and resin-sealed, wherein the semiconductor chip is mounted on a surface of the die pad on which the recess is formed. A semiconductor device characterized by being sealed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6130051A JPH07335815A (en) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | Lead frame and semiconductor device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6130051A JPH07335815A (en) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | Lead frame and semiconductor device using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335815A true JPH07335815A (en) | 1995-12-22 |
Family
ID=15024891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6130051A Pending JPH07335815A (en) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | Lead frame and semiconductor device using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335815A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1024532A3 (en) * | 1999-01-28 | 2001-04-18 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
| EP1073116A3 (en) * | 1999-07-09 | 2002-03-27 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and semiconductor device |
| KR100476667B1 (en) * | 1997-09-25 | 2005-08-10 | 삼성전자주식회사 | Lead frame and semiconductor chip package using the same |
| JP2006005281A (en) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Nippon Inter Electronics Corp | Lead frame, manufacturing method thereof, and resin-encapsulated semiconductor device |
| US7964942B2 (en) | 2003-05-28 | 2011-06-21 | Yamaha Corporation | Lead frame having a die stage smaller than a semiconductor device and a semiconductor device using the same |
| JP2017059781A (en) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 日本精工株式会社 | Semiconductor module, drive device including the same, electric power steering device, and vehicle |
-
1994
- 1994-06-13 JP JP6130051A patent/JPH07335815A/en active Pending
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| KR100476667B1 (en) * | 1997-09-25 | 2005-08-10 | 삼성전자주식회사 | Lead frame and semiconductor chip package using the same |
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