JPH07316811A - 多点温度モニタによる温度制御方法及び半導体製造装置 - Google Patents
多点温度モニタによる温度制御方法及び半導体製造装置Info
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- JPH07316811A JPH07316811A JP10812994A JP10812994A JPH07316811A JP H07316811 A JPH07316811 A JP H07316811A JP 10812994 A JP10812994 A JP 10812994A JP 10812994 A JP10812994 A JP 10812994A JP H07316811 A JPH07316811 A JP H07316811A
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- Japan
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- temperature
- heating
- control method
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- zone
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板、或いはガラス基板の温度を均一か
つ正確に制御する。 【構成】被処理物１の温度を複数のゾーンに区分し、各
ゾーンの温度をモニタし、その信号に基づき複数の加熱
ゾーンのパワーを別個に制御し、被処理物１の温度の均
一化を図る。各ゾーンの温度の信号は、設定温度との比
較を行うと共に、各ゾーン間の比較を行うことにより温
度分布のより一層の均一化を図る。
つ正確に制御する。 【構成】被処理物１の温度を複数のゾーンに区分し、各
ゾーンの温度をモニタし、その信号に基づき複数の加熱
ゾーンのパワーを別個に制御し、被処理物１の温度の均
一化を図る。各ゾーンの温度の信号は、設定温度との比
較を行うと共に、各ゾーン間の比較を行うことにより温
度分布のより一層の均一化を図る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置、特に
赤外線ランプを熱源に使用する半導体製造装置（例え
ば、アニール装置，化学蒸着（ＣＶＤ）装置，アッシャ
ー、或いは、ガラス表面に多数の半導体素子を形成する
装置等）の温度制御方法及びその制御方法を用いた半導
体製造装置に関する。
赤外線ランプを熱源に使用する半導体製造装置（例え
ば、アニール装置，化学蒸着（ＣＶＤ）装置，アッシャ
ー、或いは、ガラス表面に多数の半導体素子を形成する
装置等）の温度制御方法及びその制御方法を用いた半導
体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の性能を高め、且つ、そのば
らつきを少なくするには、半導体素子の製造過程中、半
導体基板、或いはガラス基板の温度を均一かつ正確に制
御することが必要であり、既に幾つかの対策が提案され
ている。
らつきを少なくするには、半導体素子の製造過程中、半
導体基板、或いはガラス基板の温度を均一かつ正確に制
御することが必要であり、既に幾つかの対策が提案され
ている。
【０００３】例えば、均一性を高めるために、特開平3
−206611号或いは、特開平5−144757号公報に記載のラ
ンプ加熱式熱処理装置では、複数の温度計により半導体
基板の温度分布を測定し、その測定値に基づいて、加熱
源を制御し、半導体基板を均一に加熱することが述べら
れている。また、例えば、特開平3−211724 号公報に記
載の半導体製造装置では、半導体基板の外周に環状の加
熱源を別置し均一に加熱することが述べられている。或
いは、例えば、半導体基板の温度を正確に制御するため
に、Ｐ.Ｉ.Ｄ.（Proportional-band Integrated Differ
ential）制御機構を持つ温度制御装置で加熱ランプの出
力制御を行うことも広く用いられている。
−206611号或いは、特開平5−144757号公報に記載のラ
ンプ加熱式熱処理装置では、複数の温度計により半導体
基板の温度分布を測定し、その測定値に基づいて、加熱
源を制御し、半導体基板を均一に加熱することが述べら
れている。また、例えば、特開平3−211724 号公報に記
載の半導体製造装置では、半導体基板の外周に環状の加
熱源を別置し均一に加熱することが述べられている。或
いは、例えば、半導体基板の温度を正確に制御するため
に、Ｐ.Ｉ.Ｄ.（Proportional-band Integrated Differ
ential）制御機構を持つ温度制御装置で加熱ランプの出
力制御を行うことも広く用いられている。
【０００４】これら従来例では、熱処理すべき所定の温
度に基板温度が達した後の制御については問題が無いも
のの、該温度に昇温する過渡的な過程での基板温度分布
について十分な考慮がなされていない。この過渡的な状
態での温度分布に大きな差が生じると、被処理物の反り
が生じたり、半導体基板にあってはスリップラインの発
生、ガラス基板にあっては微小な亀裂が生じる原因とな
り、好ましくない。また、例えばレジストのオゾンアッ
シングにおいては、過渡的なアッシングのむらが最終的
なアッシングのむらを引き起こす。このようなむらが、
他の処理においても同様に発生するおそれがある。
度に基板温度が達した後の制御については問題が無いも
のの、該温度に昇温する過渡的な過程での基板温度分布
について十分な考慮がなされていない。この過渡的な状
態での温度分布に大きな差が生じると、被処理物の反り
が生じたり、半導体基板にあってはスリップラインの発
生、ガラス基板にあっては微小な亀裂が生じる原因とな
り、好ましくない。また、例えばレジストのオゾンアッ
シングにおいては、過渡的なアッシングのむらが最終的
なアッシングのむらを引き起こす。このようなむらが、
他の処理においても同様に発生するおそれがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体基板、或いはガラス基板の温度を過渡的な状態、並び
に、定常的な状態共に均一かつ正確に制御することが出
来る方法、及びその方法を用いた半導体製造装置を提供
することにある。
体基板、或いはガラス基板の温度を過渡的な状態、並び
に、定常的な状態共に均一かつ正確に制御することが出
来る方法、及びその方法を用いた半導体製造装置を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題は、半導体基
板、或いはガラス基板の温度を複数のゾーンで検出し、
検出信号に基づき、被処理物を複数の加熱ゾーンからな
る装置で加熱する制御方法において、被処理物のあるゾ
ーンの温度が予め設定した処理温度に達したときＰ.Ｉ.
Ｄ．制御等で加熱源を制御し、被処理物を所定の温度に
維持すると共に、前記あるゾーンの温度が他のゾーンの
温度と比べて予め決められた所定の値を越えて高まった
とき、前記ゾーンの加熱を前記Ｐ.Ｉ.Ｄ．制御等とは別
個に強制的に制限することにより解決することが出来
る。上記の多点温度モニタによる温度制御方法におい
て、前記複数の加熱ゾーンは複数のランプまたはヒータ
からなり、前記加熱源の電源は単一の電圧を発生するも
のであるか、または、それぞれ温度の検出信号に基づき
制御された電圧を発生するものであれば良い。尚、電源
として単一の電圧を発生する電源を用いた場合には、温
度検出信号に基づくP.I.D.制御等、或いは、強制的な制
限は、例えば、リレー等を介して加熱源の入力を制限す
ることとなり、電源として制御された電圧を発生するも
のである場合には、加熱源の入力は電圧で制限すること
となる。
板、或いはガラス基板の温度を複数のゾーンで検出し、
検出信号に基づき、被処理物を複数の加熱ゾーンからな
る装置で加熱する制御方法において、被処理物のあるゾ
ーンの温度が予め設定した処理温度に達したときＰ.Ｉ.
Ｄ．制御等で加熱源を制御し、被処理物を所定の温度に
維持すると共に、前記あるゾーンの温度が他のゾーンの
温度と比べて予め決められた所定の値を越えて高まった
とき、前記ゾーンの加熱を前記Ｐ.Ｉ.Ｄ．制御等とは別
個に強制的に制限することにより解決することが出来
る。上記の多点温度モニタによる温度制御方法におい
て、前記複数の加熱ゾーンは複数のランプまたはヒータ
からなり、前記加熱源の電源は単一の電圧を発生するも
のであるか、または、それぞれ温度の検出信号に基づき
制御された電圧を発生するものであれば良い。尚、電源
として単一の電圧を発生する電源を用いた場合には、温
度検出信号に基づくP.I.D.制御等、或いは、強制的な制
限は、例えば、リレー等を介して加熱源の入力を制限す
ることとなり、電源として制御された電圧を発生するも
のである場合には、加熱源の入力は電圧で制限すること
となる。
【０００７】
【作用】本発明によれば、被処理物、並びに、加熱ゾー
ンそれぞれを複数に分割し、被処理物各ゾーンの温度差
をモニタして各加熱ゾーンの制御を行うことにより、被
処理物の温度が定常状態であるか、或いは、過渡的な状
態であるかを問わず、常に均一、かつ、正確に制御する
ことが可能となる。
ンそれぞれを複数に分割し、被処理物各ゾーンの温度差
をモニタして各加熱ゾーンの制御を行うことにより、被
処理物の温度が定常状態であるか、或いは、過渡的な状
態であるかを問わず、常に均一、かつ、正確に制御する
ことが可能となる。
【０００８】
【実施例】本発明の多点温度モニタによる制御方法を取
り入れた加熱処理装置の一実施例を図１に示す。図１は
紫外線とオゾンを用いてレジストを除去する装置の要部
の模式的な構成を示した断面図であり、被処理物である
半導体基板１は支持台２に固定されたピン３ａ，３ｂ，
３ｃに乗せられている。半導体基板１の表面（図面上
側）にはレジストが塗られている。ピン３ａ，３ｂ，３
ｃには温度センサとして熱電対が埋め込まれており、半
導体基板１の温度を検出している。棒状の加熱用ランプ
４は３ゾーンからなり、それぞれのゾーンは温度センサ
の検出信号に基づき半導体基板の中心部，両周縁部を主
に加熱する。
り入れた加熱処理装置の一実施例を図１に示す。図１は
紫外線とオゾンを用いてレジストを除去する装置の要部
の模式的な構成を示した断面図であり、被処理物である
半導体基板１は支持台２に固定されたピン３ａ，３ｂ，
３ｃに乗せられている。半導体基板１の表面（図面上
側）にはレジストが塗られている。ピン３ａ，３ｂ，３
ｃには温度センサとして熱電対が埋め込まれており、半
導体基板１の温度を検出している。棒状の加熱用ランプ
４は３ゾーンからなり、それぞれのゾーンは温度センサ
の検出信号に基づき半導体基板の中心部，両周縁部を主
に加熱する。
【０００９】５はミラーであり、加熱用ランプ４を囲む
ようにその断面が放物面となっている。１６は石英板で
あり、半導体基板の外周部に供給されるオゾンを含む反
応ガスは半導体基板１の表面を通り、石英板１６の中央
部に設けられた排気孔を通して排気される。１７は紫外
線ランプである。
ようにその断面が放物面となっている。１６は石英板で
あり、半導体基板の外周部に供給されるオゾンを含む反
応ガスは半導体基板１の表面を通り、石英板１６の中央
部に設けられた排気孔を通して排気される。１７は紫外
線ランプである。
【００１０】毎分１０〜２０リットル供給されるオゾン
を含む反応ガス（必要ならば他の反応性ガスを混合して
もよい）は２５０〜３００℃に加熱された半導体基板１
の表面のレジストを酸化，分解し、除去する。半導体基
板１は１０〜３０秒で所定の温度まで昇温され、その
後、１分間程度その温度に保持され、その間にレジスト
が除去される。この時の除去速度は、反応ガスの流量，
その濃度，レジストの温度，紫外線量等、多くの因子に
影響され、基板の温度むらは、レジスト除去のむらとな
る。このむらは単に生産性の低下を引き起こすのみなら
ず、例えば、マスクパターンからの僅かなはみ出しを除
去するために被処理物全体のレジストを極薄く除去する
（デスカム処理）などの場合には大きな障害となる。
を含む反応ガス（必要ならば他の反応性ガスを混合して
もよい）は２５０〜３００℃に加熱された半導体基板１
の表面のレジストを酸化，分解し、除去する。半導体基
板１は１０〜３０秒で所定の温度まで昇温され、その
後、１分間程度その温度に保持され、その間にレジスト
が除去される。この時の除去速度は、反応ガスの流量，
その濃度，レジストの温度，紫外線量等、多くの因子に
影響され、基板の温度むらは、レジスト除去のむらとな
る。このむらは単に生産性の低下を引き起こすのみなら
ず、例えば、マスクパターンからの僅かなはみ出しを除
去するために被処理物全体のレジストを極薄く除去する
（デスカム処理）などの場合には大きな障害となる。
【００１１】図２は本発明の多点温度モニタによる制御
方法の温度制御部の回路ブロックを示す図である。６は
システム制御器であり、被処理物の処理温度，処理時
間，処理開始時間等がプログラムされる。７ａ，７ｂ，
７ｃ、は温度制御器であり、システム制御器６で指示さ
れた処理温度と温度センサ８ａ，８ｂ，８ｃ、の検出信
号との差に応じたランプ電力が選択され、単一出力電圧
をもった電源９からリレー１０ａ，１０ｂ，１０ｃを介
してランプ４に供給される。一方、温度センサ８ａ，８
ｂ，８ｃ、の検出信号は温度比較器１２ａ，１２ｂによ
り相互に比較され、予め設定された温度差以上の差が生
じた場合には、リレー１１ａ，１１ｂ，１１ｃにより温
度の高いゾーンを主に加熱する加熱ゾーンの電力を制限
することとなる。本実施例の電源９はラインの電源その
もので良く、加熱ゾーンの入力電力にオフセットを設け
ること無く、被処理物の温度均一性を得ることが可能と
なる。
方法の温度制御部の回路ブロックを示す図である。６は
システム制御器であり、被処理物の処理温度，処理時
間，処理開始時間等がプログラムされる。７ａ，７ｂ，
７ｃ、は温度制御器であり、システム制御器６で指示さ
れた処理温度と温度センサ８ａ，８ｂ，８ｃ、の検出信
号との差に応じたランプ電力が選択され、単一出力電圧
をもった電源９からリレー１０ａ，１０ｂ，１０ｃを介
してランプ４に供給される。一方、温度センサ８ａ，８
ｂ，８ｃ、の検出信号は温度比較器１２ａ，１２ｂによ
り相互に比較され、予め設定された温度差以上の差が生
じた場合には、リレー１１ａ，１１ｂ，１１ｃにより温
度の高いゾーンを主に加熱する加熱ゾーンの電力を制限
することとなる。本実施例の電源９はラインの電源その
もので良く、加熱ゾーンの入力電力にオフセットを設け
ること無く、被処理物の温度均一性を得ることが可能と
なる。
【００１２】図３は本発明の多点温度モニタによる制御
方法の温度制御部の他の例を示す回路ブロック図であ
る。本実施例では、電源１３ａ，１３ｂ，１３ｃは出力
電圧が可変であり、優先度の付いた複数の入力信号によ
り制御される。かくて、温度制御器７ａ，７ｂ，７ｃ、
または、温度比較器１２ａ，１２ｂにより直接制御され
た出力電圧がランプ４に印加される。本実施例では、加
熱ゾーンの入力電力にオフセットを設けることも可能で
あるが、温度比較器の作用により、様々な被処理物に固
有なオフセットを設定するまでもなく、均一な温度制御
を行うことが可能となる。
方法の温度制御部の他の例を示す回路ブロック図であ
る。本実施例では、電源１３ａ，１３ｂ，１３ｃは出力
電圧が可変であり、優先度の付いた複数の入力信号によ
り制御される。かくて、温度制御器７ａ，７ｂ，７ｃ、
または、温度比較器１２ａ，１２ｂにより直接制御され
た出力電圧がランプ４に印加される。本実施例では、加
熱ゾーンの入力電力にオフセットを設けることも可能で
あるが、温度比較器の作用により、様々な被処理物に固
有なオフセットを設定するまでもなく、均一な温度制御
を行うことが可能となる。
【００１３】図４は本発明の多点温度モニタによる制御
方法による制御特性の一例を示したものである。図１の
ように配置されたシリコンウェハ１は図２の回路の構成
によりその３ゾーンの温度Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｃがそれぞれ
対応した温度センサ８ａ，８ｂ，８ｃで検出される。概
略等間隔で配置された加熱用ランプからの放射強度はシ
リコンウェハ中心部で高く、そのために、ＴｂはＴａ，
Ｔｃよりも昇温速度が早い。温度比較器１２ａ，１２ｂ
の動作を停止した場合には、図中、点線で示したように
温度差は加熱時間の経過と共に開き、ウェハ温度が設定
温度Ｔｏ近傍となり、温度制御器７ａ，７ｂ，７ｃによ
ってウェハ温度が一定温度に制御されるまで拡大する。
一方、温度比較器１２ａ，１２ｂが動作している場合に
は、ウェハ各ゾーンの温度差が所定の値を越えた時点ｔ
１でリレー１１ｂが開き、加熱ゾーンの入力が制限され
る。その後、ウェハ各ゾーンの温度差が解消された時点
ｔ２でリレー１１ｂは復帰し、以下同様な動作が繰り返
される。処理温度３００℃、各ゾーンの最大温度差１０
℃と設定した場合、温度比較器１２ａ，１２ｂの動作を
停止した場合には、約３０℃の温度差が有ったものが、
温度比較器１２ａ，１２ｂを動作させた場合には、ウェ
ハ各ゾーン間の温度差を１０℃以下とすることが容易に
達成された。
方法による制御特性の一例を示したものである。図１の
ように配置されたシリコンウェハ１は図２の回路の構成
によりその３ゾーンの温度Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｃがそれぞれ
対応した温度センサ８ａ，８ｂ，８ｃで検出される。概
略等間隔で配置された加熱用ランプからの放射強度はシ
リコンウェハ中心部で高く、そのために、ＴｂはＴａ，
Ｔｃよりも昇温速度が早い。温度比較器１２ａ，１２ｂ
の動作を停止した場合には、図中、点線で示したように
温度差は加熱時間の経過と共に開き、ウェハ温度が設定
温度Ｔｏ近傍となり、温度制御器７ａ，７ｂ，７ｃによ
ってウェハ温度が一定温度に制御されるまで拡大する。
一方、温度比較器１２ａ，１２ｂが動作している場合に
は、ウェハ各ゾーンの温度差が所定の値を越えた時点ｔ
１でリレー１１ｂが開き、加熱ゾーンの入力が制限され
る。その後、ウェハ各ゾーンの温度差が解消された時点
ｔ２でリレー１１ｂは復帰し、以下同様な動作が繰り返
される。処理温度３００℃、各ゾーンの最大温度差１０
℃と設定した場合、温度比較器１２ａ，１２ｂの動作を
停止した場合には、約３０℃の温度差が有ったものが、
温度比較器１２ａ，１２ｂを動作させた場合には、ウェ
ハ各ゾーン間の温度差を１０℃以下とすることが容易に
達成された。
【００１４】図５は本発明の多点温度モニタによる制御
方法による制御特性の他の一例を模式的に示したもので
ある。図４の特性例と同じく図１のように配置されたシ
リコンウェハ１はその３ゾーンの温度Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｃ
が図３の回路構成によりそれぞれ対応した温度センサ８
ａ，８ｂ，８ｃで検出される。温度比較器１２ａ，１２
ｂの動作を停止した場合には、図中、点線で示したよう
に温度差は加熱時間の経過と共に開き、ウェハ温度が設
定温度Ｔｏ近傍となり、温度制御器７ａ，７ｂ，７ｃに
よってウェハ温度が一定温度に制御されるまで拡大す
る。一方、温度比較器１２ａ，１２ｂが動作している場
合には、ウェハ各ゾーンの温度差が所定の値を越えた時
点ｔ３で電源１３ｂの出力電圧が制限され、加熱ゾーン
の入力が制限される。その後、ウェハ各ゾーンの温度差
が第２の所定の値より少なくなった時点ｔ４で、電源１
３ｂの出力電圧の制限は解除され、以下同様な動作が繰
り返される。したがって、この場合も、ウェハ各ゾーン
間の温度差を１０℃以下とすることが容易に達成され
た。また、逆に本実施例では、ウェハ各ゾーンの温度差
が所定の値を越えた時点ｔ３で電源１３ａ，１３ｃの出
力電圧を高め、上記加熱ゾーンの入力を増加し、その
後、ウェハ各ゾーンの温度差が第２の所定の値より少な
くなった時点ｔ４で、電源１３ａ，１３ｃの出力電圧を
制限することも可能である。
方法による制御特性の他の一例を模式的に示したもので
ある。図４の特性例と同じく図１のように配置されたシ
リコンウェハ１はその３ゾーンの温度Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｃ
が図３の回路構成によりそれぞれ対応した温度センサ８
ａ，８ｂ，８ｃで検出される。温度比較器１２ａ，１２
ｂの動作を停止した場合には、図中、点線で示したよう
に温度差は加熱時間の経過と共に開き、ウェハ温度が設
定温度Ｔｏ近傍となり、温度制御器７ａ，７ｂ，７ｃに
よってウェハ温度が一定温度に制御されるまで拡大す
る。一方、温度比較器１２ａ，１２ｂが動作している場
合には、ウェハ各ゾーンの温度差が所定の値を越えた時
点ｔ３で電源１３ｂの出力電圧が制限され、加熱ゾーン
の入力が制限される。その後、ウェハ各ゾーンの温度差
が第２の所定の値より少なくなった時点ｔ４で、電源１
３ｂの出力電圧の制限は解除され、以下同様な動作が繰
り返される。したがって、この場合も、ウェハ各ゾーン
間の温度差を１０℃以下とすることが容易に達成され
た。また、逆に本実施例では、ウェハ各ゾーンの温度差
が所定の値を越えた時点ｔ３で電源１３ａ，１３ｃの出
力電圧を高め、上記加熱ゾーンの入力を増加し、その
後、ウェハ各ゾーンの温度差が第２の所定の値より少な
くなった時点ｔ４で、電源１３ａ，１３ｃの出力電圧を
制限することも可能である。
【００１５】図６は本発明による多点温度モニタによる
制御方法を取り入れた他の加熱処理装置の説明図であ
る。半導体基板、或いは、ガラス基板等の被処理物１は
支持台２に固定されたピン３ａ，３ｂ，３ｃに乗せられ
ている。ピン３ａ，３ｂ，３ｃには温度センサとして熱
電対が埋め込まれており、被処理物１の温度を検出して
いる。加熱用ランプ１４はドーナツ形状であり、同心円
上に配置され、１４ａ，１４ｂ，１４ｃの３ゾーンから
なる。それぞれのゾーンは温度センサの検出信号に基づ
き被処理物の周縁部，中間部，中心部を主に加熱する。
１５はミラーであり、加熱用ランプを囲んでいる。本実
施例のように、ドーナツ状加熱源を用いることにより、
円板状基板の温度分布の同心円的均一性を高めることが
容易になる。
制御方法を取り入れた他の加熱処理装置の説明図であ
る。半導体基板、或いは、ガラス基板等の被処理物１は
支持台２に固定されたピン３ａ，３ｂ，３ｃに乗せられ
ている。ピン３ａ，３ｂ，３ｃには温度センサとして熱
電対が埋め込まれており、被処理物１の温度を検出して
いる。加熱用ランプ１４はドーナツ形状であり、同心円
上に配置され、１４ａ，１４ｂ，１４ｃの３ゾーンから
なる。それぞれのゾーンは温度センサの検出信号に基づ
き被処理物の周縁部，中間部，中心部を主に加熱する。
１５はミラーであり、加熱用ランプを囲んでいる。本実
施例のように、ドーナツ状加熱源を用いることにより、
円板状基板の温度分布の同心円的均一性を高めることが
容易になる。
【００１６】尚、実施例では温度センサを三ヶとし、被
処理物の測定温度ゾーン、並びに、加熱ゾーンをそれぞ
れ３区分としているが、本発明の制御方法では複数のゾ
ーン分けをしたものならばその区分数に限定されない。
また同じく、図２，図３の実施例では各加熱ゾーンのラ
ンプを二ヶずつとしているが、ランプの本数には何ら制
限は無い。更に、上記実施例では温度センサとして熱電
対を用いているが、放射温度計等、他の測温方法による
センサを用いることは何ら制限されない。
処理物の測定温度ゾーン、並びに、加熱ゾーンをそれぞ
れ３区分としているが、本発明の制御方法では複数のゾ
ーン分けをしたものならばその区分数に限定されない。
また同じく、図２，図３の実施例では各加熱ゾーンのラ
ンプを二ヶずつとしているが、ランプの本数には何ら制
限は無い。更に、上記実施例では温度センサとして熱電
対を用いているが、放射温度計等、他の測温方法による
センサを用いることは何ら制限されない。
【００１７】
【発明の効果】本発明の多点温度モニタによる制御方
法、及びその制御方法を用いた半導体製造装置では、被
処理物の各ゾーン間の温度差に基づき、加熱パワーの補
正を行うことにより、定常的な状態のみならず、過渡的
な状態においても均一かつ正確な温度制御を行うことが
出来る。また、同時に、被処理物個々に固有な片寄りが
ある場合にも、自動的な補正が可能となる。このように
して、図１に示した実施例ではレジストの均一な除去が
可能となった。また、図２に示した実施例では、特別な
電源を必要とせず、簡略な構成とすることができ、図３
に示した実施例では、より木目細かい温度制御が可能と
なる。
法、及びその制御方法を用いた半導体製造装置では、被
処理物の各ゾーン間の温度差に基づき、加熱パワーの補
正を行うことにより、定常的な状態のみならず、過渡的
な状態においても均一かつ正確な温度制御を行うことが
出来る。また、同時に、被処理物個々に固有な片寄りが
ある場合にも、自動的な補正が可能となる。このように
して、図１に示した実施例ではレジストの均一な除去が
可能となった。また、図２に示した実施例では、特別な
電源を必要とせず、簡略な構成とすることができ、図３
に示した実施例では、より木目細かい温度制御が可能と
なる。
【図１】本発明による多点温度モニタによる制御方法を
取り入れた加熱処理装置の断面図。
取り入れた加熱処理装置の断面図。
【図２】本発明による多点温度モニタによる制御方法の
一実施例の回路ブロック図。
一実施例の回路ブロック図。
【図３】本発明による多点温度モニタによる制御方法の
他の実施例の回路ブロック図。
他の実施例の回路ブロック図。
【図４】実施例による温度特性図。
【図５】他の実施例による温度特性図。
【図６】本発明による多点温度モニタによる制御方法を
取り入れた加熱処理装置の要部断面図および平面図。
取り入れた加熱処理装置の要部断面図および平面図。
１…半導体基板等の被処理物、２…支持台、３…ピン、
４…加熱用ランプ、５…ミラー、１６…石英板、１７…
紫外線ランプ。
４…加熱用ランプ、５…ミラー、１６…石英板、１７…
紫外線ランプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｄ 21/52 Ｈ (72)発明者 小泉 浩太郎 東京都青梅市藤橋888番地 株式会社日立 製作所リビング機器事業部内
Claims (4)
- 【請求項１】被処理物の温度を複数のゾーンで検出し、
検出信号に基づき、被処理物に対して非接触の複数の加
熱ゾーンからなる加熱源で加熱を制御する方法におい
て、あるゾーンの温度と他のゾーンの温度との温度差が
予め決められた所定の値を越えたとき、前記あるゾーン
の加熱を制限するかまたは強化することを特徴とする多
点温度モニタによる温度制御方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記複数の加熱ゾーン
は複数の加熱源からなり、前記加熱源の電源は単一の電
圧を発生するものである多点温度モニタによる温度制御
方法。 - 【請求項３】請求項１において、複数の加熱ゾーンは複
数の加熱源からなり、前記加熱源の電源はそれぞれ温度
の検出信号に基づき制御された電圧を発生するものであ
る多点温度モニタによる温度制御方法。 - 【請求項４】紫外線、または、熱により励起、または分
解した反応性ガスを用いて固体表面を処理する装置にお
いて、請求項１，２または３の制御方法を用いたことを
特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10812994A JPH07316811A (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 多点温度モニタによる温度制御方法及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10812994A JPH07316811A (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 多点温度モニタによる温度制御方法及び半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07316811A true JPH07316811A (ja) | 1995-12-05 |
Family
ID=14476674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10812994A Pending JPH07316811A (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 多点温度モニタによる温度制御方法及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07316811A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19924058A1 (de) * | 1999-05-26 | 2000-11-30 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur Beseitigung von Kontaminationen durch Ozonbehandlung |
| WO2001029873A1 (en) * | 1999-10-20 | 2001-04-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling wafer uniformity using spatially resolved sensors |
| WO2002045141A1 (fr) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procédé de fabrication de plaquettes à semi-conducteur |
| WO2002065521A1 (fr) * | 2001-02-16 | 2002-08-22 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement de piece de type feuille |
| JP2002246318A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及び熱処理装置 |
| JP2002367914A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| US6635852B1 (en) * | 1997-06-12 | 2003-10-21 | Nec Corporation | Method and apparatus for lamp anneal |
| US6744018B2 (en) | 2002-03-27 | 2004-06-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
| GB2401613A (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-17 | Agere Systems Inc | Method and apparatus for producing a <111> orientation aluminium film for an integrated circuit device |
| JP2006179837A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法、ウェハおよびウェハの製造方法 |
| JP2008010883A (ja) * | 2007-08-10 | 2008-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光照射熱処理方法および光照射熱処理装置 |
| JP2014081350A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-05-08 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定機構及び温度測定方法 |
| US9706605B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-07-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with feedthrough structure |
| CN110238570A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-09-17 | 武汉汉鼎激光技术有限公司 | 焊接压持组件及焊接装置 |
| CN111856891A (zh) * | 2020-08-17 | 2020-10-30 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 优化光刻设备中工件台热效应的温度补偿装置 |
| CN113465402A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-10-01 | 广东爱旭科技有限公司 | 降低烧结炉的炉温差异的控制方法和控制系统 |
-
1994
- 1994-05-23 JP JP10812994A patent/JPH07316811A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635852B1 (en) * | 1997-06-12 | 2003-10-21 | Nec Corporation | Method and apparatus for lamp anneal |
| DE19924058A1 (de) * | 1999-05-26 | 2000-11-30 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur Beseitigung von Kontaminationen durch Ozonbehandlung |
| KR100687823B1 (ko) * | 1999-10-20 | 2007-02-28 | 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 | 공간 분해 센서를 이용하여 웨이퍼의 균일성을 제어하는 방법 및 장치 |
| WO2001029873A1 (en) * | 1999-10-20 | 2001-04-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling wafer uniformity using spatially resolved sensors |
| US6706541B1 (en) | 1999-10-20 | 2004-03-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling wafer uniformity using spatially resolved sensors |
| WO2002045141A1 (fr) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procédé de fabrication de plaquettes à semi-conducteur |
| WO2002065521A1 (fr) * | 2001-02-16 | 2002-08-22 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement de piece de type feuille |
| JP2002246318A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及び熱処理装置 |
| JP2002367914A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| US6744018B2 (en) | 2002-03-27 | 2004-06-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
| GB2401613A (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-17 | Agere Systems Inc | Method and apparatus for producing a <111> orientation aluminium film for an integrated circuit device |
| JP2006179837A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法、ウェハおよびウェハの製造方法 |
| US7859088B2 (en) | 2004-12-24 | 2010-12-28 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device manufacturing method, wafer, and wafer manufacturing method |
| JP2008010883A (ja) * | 2007-08-10 | 2008-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光照射熱処理方法および光照射熱処理装置 |
| US9706605B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-07-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with feedthrough structure |
| JP2014081350A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-05-08 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定機構及び温度測定方法 |
| CN110238570A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-09-17 | 武汉汉鼎激光技术有限公司 | 焊接压持组件及焊接装置 |
| CN111856891A (zh) * | 2020-08-17 | 2020-10-30 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 优化光刻设备中工件台热效应的温度补偿装置 |
| CN113465402A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-10-01 | 广东爱旭科技有限公司 | 降低烧结炉的炉温差异的控制方法和控制系统 |
| CN113465402B (zh) * | 2021-06-21 | 2023-10-03 | 广东爱旭科技有限公司 | 降低烧结炉的炉温差异的控制方法和控制系统 |
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