JPH07316806A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH07316806A JPH07316806A JP13640694A JP13640694A JPH07316806A JP H07316806 A JPH07316806 A JP H07316806A JP 13640694 A JP13640694 A JP 13640694A JP 13640694 A JP13640694 A JP 13640694A JP H07316806 A JPH07316806 A JP H07316806A
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Abstract
(57)【要約】
［目的］投入電力の利用効率を向上させ、被処理体上に
面内ほぼ均一な膜厚で、さらには良好な膜質で所望の膜
を形成する。 ［構成］真空容器１０内の上部に主ターゲット１２およ
び補助ターゲット１８が配置され、容器１０内の下部に
ウエハ載置台１４が配置される。補助ターゲット１８
は、主ターゲット１２の直ぐ下で、かつ主ターゲット１
２よりも外側で環状に延在する。主ターゲット１２およ
び補助ターゲット１８にはそれぞれ直流電源１３，１５
よりバイアス電圧−Ｖ0 ，−Ｖ1 が印加される。ターゲ
ット１２，１８とウエハ載置台１４との間には第１およ
び第２のコリメータ２２，２４が配置される。第１コリ
メータ２２はアース電位ＶF に接続され、第２コリメー
タ２４には直流電源１７よりバイアス電圧−Ｖ2 が印加
される。
面内ほぼ均一な膜厚で、さらには良好な膜質で所望の膜
を形成する。 ［構成］真空容器１０内の上部に主ターゲット１２およ
び補助ターゲット１８が配置され、容器１０内の下部に
ウエハ載置台１４が配置される。補助ターゲット１８
は、主ターゲット１２の直ぐ下で、かつ主ターゲット１
２よりも外側で環状に延在する。主ターゲット１２およ
び補助ターゲット１８にはそれぞれ直流電源１３，１５
よりバイアス電圧−Ｖ0 ，−Ｖ1 が印加される。ターゲ
ット１２，１８とウエハ載置台１４との間には第１およ
び第２のコリメータ２２，２４が配置される。第１コリ
メータ２２はアース電位ＶF に接続され、第２コリメー
タ２４には直流電源１７よりバイアス電圧−Ｖ2 が印加
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえば半導体デバイ
ス製造における薄膜形成に利用可能なスパッタリング装
置に関する。
ス製造における薄膜形成に利用可能なスパッタリング装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、スパッタリング装置は、真空容
器内にターゲットを固定配置または取付けするとともに
それと相対向して被処理体を着脱可能に配置し、ターゲ
ットが陽極、被処理体が陰極となるよう両者の間に直流
または高周波の電圧を印加してターゲット表面付近にプ
ラズマを生成し、プラズマ中のイオンをターゲット表面
に衝突させ、そこからはじき飛ばされたスパッタ粒子を
被処理体上に堆積させて膜を形成するようにしている。
放電ガスすなわちプラズマ生成用のガスには不活性で質
量の大きなもの、たとえばＡｒガスを用いている。ま
た、スパッタ効率を上げるために、ターゲット表面付近
に磁界を形成して、そこに高密度のプラズマを閉じ込め
るようにしている。
器内にターゲットを固定配置または取付けするとともに
それと相対向して被処理体を着脱可能に配置し、ターゲ
ットが陽極、被処理体が陰極となるよう両者の間に直流
または高周波の電圧を印加してターゲット表面付近にプ
ラズマを生成し、プラズマ中のイオンをターゲット表面
に衝突させ、そこからはじき飛ばされたスパッタ粒子を
被処理体上に堆積させて膜を形成するようにしている。
放電ガスすなわちプラズマ生成用のガスには不活性で質
量の大きなもの、たとえばＡｒガスを用いている。ま
た、スパッタ効率を上げるために、ターゲット表面付近
に磁界を形成して、そこに高密度のプラズマを閉じ込め
るようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、スパッタリ
ングにおいて、ターゲットの表面からはじき出されるス
パッタ粒子の飛翔方向はほぼ余弦則にしたがった分布を
有する。このため、被処理体側では、ターゲットの中心
部と対向する部分が相対的に多くのスパッタ粒子を浴び
やすく、被処理体が半導体ウエハの場合は相対的にウエ
ハ中心部の膜厚がウエハ周縁部の膜厚よりも厚くなりや
すい。
ングにおいて、ターゲットの表面からはじき出されるス
パッタ粒子の飛翔方向はほぼ余弦則にしたがった分布を
有する。このため、被処理体側では、ターゲットの中心
部と対向する部分が相対的に多くのスパッタ粒子を浴び
やすく、被処理体が半導体ウエハの場合は相対的にウエ
ハ中心部の膜厚がウエハ周縁部の膜厚よりも厚くなりや
すい。
【０００４】このようなスパッタリングにおける膜厚の
不均一性を改善するため、被処理体に対するスパッタ粒
子の飛翔方向に垂直指向性をもたせる工夫が行われてい
る。たとえば、ターゲットと被処理体との間の距離を大
きくしたり、ターゲットと被処理体との間にコリメータ
を配置する構成が採られている。また、ターゲットの温
度およびイオン入射エネルギを制御することによっても
スパッタ粒子の飛翔方向を制御することができる。しか
し、そのようにしても、被処理体（ウエハ）の大口径化
に伴ってターゲットが被処理体に対して十分大きな面積
を有していない場合は、被処理体上に面内均一に成膜す
るのは難しく、どうしても周縁部の膜厚が薄くなりやす
い。
不均一性を改善するため、被処理体に対するスパッタ粒
子の飛翔方向に垂直指向性をもたせる工夫が行われてい
る。たとえば、ターゲットと被処理体との間の距離を大
きくしたり、ターゲットと被処理体との間にコリメータ
を配置する構成が採られている。また、ターゲットの温
度およびイオン入射エネルギを制御することによっても
スパッタ粒子の飛翔方向を制御することができる。しか
し、そのようにしても、被処理体（ウエハ）の大口径化
に伴ってターゲットが被処理体に対して十分大きな面積
を有していない場合は、被処理体上に面内均一に成膜す
るのは難しく、どうしても周縁部の膜厚が薄くなりやす
い。
【０００５】さらには、ターゲットと被処理体との間の
距離が大きくなり、あるいはターゲットと被処理体との
間にコリメータが配置されることによって、ターゲット
表面付近の電界が弱くなり、またプラズマ生成効率が低
下し、ひいてはスパッタ効率が低下するという不具合が
ある。ターゲットと被処理体との間の印加電圧を高くし
ても、消費電力が増大する割には、プラズマ生成効率な
いしスパッタ効率はそれほど改善されない。
距離が大きくなり、あるいはターゲットと被処理体との
間にコリメータが配置されることによって、ターゲット
表面付近の電界が弱くなり、またプラズマ生成効率が低
下し、ひいてはスパッタ効率が低下するという不具合が
ある。ターゲットと被処理体との間の印加電圧を高くし
ても、消費電力が増大する割には、プラズマ生成効率な
いしスパッタ効率はそれほど改善されない。
【０００６】また、スパッタリングにおいては、プラズ
マイオン（たとえばＡｒイオン）の一部が被処理体に入
射することがある。そのようなプラズマイオンの入射
は、被処理体上に形成される膜に隙間が多いときは膜を
緻密化する利点もあるが、通常は膜にダメージを与えた
り不純物を混入させるおそれがあり、膜質には望ましく
ないものとされている。従来は、このような被処理体に
対するプラズマイオンの入射量を他のプロセスパラメー
タとは独立に制御または調整する手立てがなかった。
マイオン（たとえばＡｒイオン）の一部が被処理体に入
射することがある。そのようなプラズマイオンの入射
は、被処理体上に形成される膜に隙間が多いときは膜を
緻密化する利点もあるが、通常は膜にダメージを与えた
り不純物を混入させるおそれがあり、膜質には望ましく
ないものとされている。従来は、このような被処理体に
対するプラズマイオンの入射量を他のプロセスパラメー
タとは独立に制御または調整する手立てがなかった。
【０００７】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、投入電力の利用効率を向上させ、被処理
体上の面内にほぼ均一な膜厚で、さらには良好な膜質で
所望の膜を形成できるようにしたスパッタリング装置を
提供することを目的とする。
されたもので、投入電力の利用効率を向上させ、被処理
体上の面内にほぼ均一な膜厚で、さらには良好な膜質で
所望の膜を形成できるようにしたスパッタリング装置を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１のスパッタリング装置は、真空容器
内でターゲットにプラズマのイオンを衝突させ、そこか
らはじき飛ばされた粒子を被処理体の上に堆積させて膜
を形成するスパッタリング装置において、前記被処理体
と対向する位置に第１のターゲットを配置するととも
に、前記第１のターゲットよりも前記被処理体に近い位
置に前記第１のターゲットよりも外側で環状に延在する
第２のターゲットを配置し、前記第１および第２のター
ゲットにそれぞれ第１および第２のバイアス電圧を印加
する構成とした。
めに、本発明の第１のスパッタリング装置は、真空容器
内でターゲットにプラズマのイオンを衝突させ、そこか
らはじき飛ばされた粒子を被処理体の上に堆積させて膜
を形成するスパッタリング装置において、前記被処理体
と対向する位置に第１のターゲットを配置するととも
に、前記第１のターゲットよりも前記被処理体に近い位
置に前記第１のターゲットよりも外側で環状に延在する
第２のターゲットを配置し、前記第１および第２のター
ゲットにそれぞれ第１および第２のバイアス電圧を印加
する構成とした。
【０００９】本発明の第２のスパッタリング装置は、真
空容器内でターゲットにプラズマのイオンを衝突させ、
そこからはじき飛ばされた粒子を被処理体の上に堆積さ
せて膜を形成するスパッタリング装置において、前記タ
ーゲットと前記被処理体との間に、前記ターゲットから
のスパッタ粒子を通す網状の電極を配置する構成とし
た。
空容器内でターゲットにプラズマのイオンを衝突させ、
そこからはじき飛ばされた粒子を被処理体の上に堆積さ
せて膜を形成するスパッタリング装置において、前記タ
ーゲットと前記被処理体との間に、前記ターゲットから
のスパッタ粒子を通す網状の電極を配置する構成とし
た。
【００１０】本発明の第３のスパッタリング装置は、真
空容器内でターゲットにプラズマのイオンを衝突させ、
そこからはじき飛ばされた粒子を被処理体の上に堆積さ
せて膜を形成するスパッタリング装置において、前記タ
ーゲットと前記被処理体との間に、前記ターゲットから
のスパッタ粒子のうち前記被処理体の膜形成面に対して
ほぼ垂直な方向を有するもののみを通すコリメータを配
置し、前記コリメータに所定のバイアス電圧を印加する
構成とした。
空容器内でターゲットにプラズマのイオンを衝突させ、
そこからはじき飛ばされた粒子を被処理体の上に堆積さ
せて膜を形成するスパッタリング装置において、前記タ
ーゲットと前記被処理体との間に、前記ターゲットから
のスパッタ粒子のうち前記被処理体の膜形成面に対して
ほぼ垂直な方向を有するもののみを通すコリメータを配
置し、前記コリメータに所定のバイアス電圧を印加する
構成とした。
【００１１】本発明の第４のスパッタリング装置は、真
空容器内でターゲットにプラズマのイオンを衝突させ、
そこからはじき飛ばされた粒子を被処理体の上に堆積さ
せて膜を形成するスパッタリング装置において、前記被
処理体と対向する位置に第１のターゲットを配置すると
ともに、前記第１のターゲットよりも前記被処理体に近
い位置に前記第１のターゲットよりも外側で環状に延在
する第２のターゲットを配置し、前記第１および第２の
ターゲットにそれぞれ第１および第２のバイアス電圧を
印加し、前記ターゲットと前記被処理体との間に、前記
ターゲットからのスパッタ粒子のうち前記被処理体の膜
形成面に対してほぼ垂直な方向を有するもののみを通す
コリメータを配置し、前記コリメータに第３のバイアス
電圧を印加する構成とした。
空容器内でターゲットにプラズマのイオンを衝突させ、
そこからはじき飛ばされた粒子を被処理体の上に堆積さ
せて膜を形成するスパッタリング装置において、前記被
処理体と対向する位置に第１のターゲットを配置すると
ともに、前記第１のターゲットよりも前記被処理体に近
い位置に前記第１のターゲットよりも外側で環状に延在
する第２のターゲットを配置し、前記第１および第２の
ターゲットにそれぞれ第１および第２のバイアス電圧を
印加し、前記ターゲットと前記被処理体との間に、前記
ターゲットからのスパッタ粒子のうち前記被処理体の膜
形成面に対してほぼ垂直な方向を有するもののみを通す
コリメータを配置し、前記コリメータに第３のバイアス
電圧を印加する構成とした。
【００１２】本発明の第５のスパッタリング装置は、真
空容器内でターゲットにプラズマのイオンを衝突させ、
そこからはじき飛ばされた粒子を被処理体の上に堆積さ
せて膜を形成するスパッタリング装置において、前記タ
ーゲットと前記被処理体との間に、前記ターゲットから
のスパッタ粒子のうち前記被処理体の膜形成面に対して
ほぼ垂直な方向を有するもののみを通す第１および第２
のコリメータを所定の間隔を置いて配置し、前記第１お
よび第２のコリメータにそれぞれ第１および第２のバイ
アス電圧を印加する構成とした。
空容器内でターゲットにプラズマのイオンを衝突させ、
そこからはじき飛ばされた粒子を被処理体の上に堆積さ
せて膜を形成するスパッタリング装置において、前記タ
ーゲットと前記被処理体との間に、前記ターゲットから
のスパッタ粒子のうち前記被処理体の膜形成面に対して
ほぼ垂直な方向を有するもののみを通す第１および第２
のコリメータを所定の間隔を置いて配置し、前記第１お
よび第２のコリメータにそれぞれ第１および第２のバイ
アス電圧を印加する構成とした。
【００１３】本発明の第６のスパッタリング装置は、真
空容器内でターゲットにプラズマのイオンを衝突させ、
そこからはじき飛ばされた粒子を被処理体の上に堆積さ
せて膜を形成するスパッタリング装置において、前記タ
ーゲットと前記被処理体との間に前記ターゲットからの
スパッタ粒子を通す網状電極を配置し、前記網状電極の
少なくとも表面部分を前記ターゲットと実質的に同じ材
質の材料で形成してなる構成とした。
空容器内でターゲットにプラズマのイオンを衝突させ、
そこからはじき飛ばされた粒子を被処理体の上に堆積さ
せて膜を形成するスパッタリング装置において、前記タ
ーゲットと前記被処理体との間に前記ターゲットからの
スパッタ粒子を通す網状電極を配置し、前記網状電極の
少なくとも表面部分を前記ターゲットと実質的に同じ材
質の材料で形成してなる構成とした。
【００１４】
【作用】本発明の第１のスパッタリング装置では、第１
のターゲットからのスパッタ粒子が被処理体の中心部付
近に相対的に多く堆積する一方、第２のターゲットから
のスパッタ粒子は被処理体の周縁部付近に相対的に多く
堆積する。両ターゲットに印加する第１および第２のバ
イアス電圧を適当な値に選ぶことで、両ターゲットより
被処理体に供給されるスパッタ粒子の密度または量の均
一性を向上させることができる。
のターゲットからのスパッタ粒子が被処理体の中心部付
近に相対的に多く堆積する一方、第２のターゲットから
のスパッタ粒子は被処理体の周縁部付近に相対的に多く
堆積する。両ターゲットに印加する第１および第２のバ
イアス電圧を適当な値に選ぶことで、両ターゲットより
被処理体に供給されるスパッタ粒子の密度または量の均
一性を向上させることができる。
【００１５】本発明の第２のスパッタリング装置では、
ターゲットと網状電極との間の電界の下でプラズマが生
成されるので、ターゲットと被処理体との間の距離間隔
を大きくしても、プラズマ生成に投入する電力を有効利
用し、良好なプラズマ生成率ないしスパッタ効率を確保
することができる。
ターゲットと網状電極との間の電界の下でプラズマが生
成されるので、ターゲットと被処理体との間の距離間隔
を大きくしても、プラズマ生成に投入する電力を有効利
用し、良好なプラズマ生成率ないしスパッタ効率を確保
することができる。
【００１６】本発明の第３のスパッタリング装置では、
上記第２のスパッタリング装置における網状電極をコリ
メータとすることにより、プラズマ生成率ないしスパッ
タ効率の確保と同時に被処理体上の膜厚の均一性を向上
させることができる。
上記第２のスパッタリング装置における網状電極をコリ
メータとすることにより、プラズマ生成率ないしスパッ
タ効率の確保と同時に被処理体上の膜厚の均一性を向上
させることができる。
【００１７】本発明の第４のスパッタリング装置では、
上記第１のスパッタリング装置の構成と上記第３のスパ
ッタリング装置の構成とを合わせることで、両者の作用
効果を相乗的に加算し、とりわけ膜厚の均一性を一層向
上させることができる。
上記第１のスパッタリング装置の構成と上記第３のスパ
ッタリング装置の構成とを合わせることで、両者の作用
効果を相乗的に加算し、とりわけ膜厚の均一性を一層向
上させることができる。
【００１８】本発明の第５のスパッタリング装置では、
第１のコリメータに加えて第２のコリメータを設け、こ
の第２のコリメータに印加するバイアス電圧を調整する
ことで、被処理体に入射するプラズマイオンの量を制御
することができる。これにより、該バイアス電圧を適当
な値に選ぶことで、良好または所望の膜質を得ることが
できる。
第１のコリメータに加えて第２のコリメータを設け、こ
の第２のコリメータに印加するバイアス電圧を調整する
ことで、被処理体に入射するプラズマイオンの量を制御
することができる。これにより、該バイアス電圧を適当
な値に選ぶことで、良好または所望の膜質を得ることが
できる。
【００１９】本発明の第６のスパッタリング装置では、
ターゲットと被処理体との間に配置される網状電極の少
なくとも表面部分をターゲットつまり成膜材料と実質的
に同じ材質の材料で形成することにより、被処理体上に
堆積する膜の膜質劣化を防止することができる。
ターゲットと被処理体との間に配置される網状電極の少
なくとも表面部分をターゲットつまり成膜材料と実質的
に同じ材質の材料で形成することにより、被処理体上に
堆積する膜の膜質劣化を防止することができる。
【００２０】
【実施例】以下、添付図を参照して本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００２１】図１は、この実施例によるスパッタリング
装置の主要な構成を示す略断面図である。
装置の主要な構成を示す略断面図である。
【００２２】このスパッタリング装置の容器１０は、た
とえばアルミニウムからなり、真空可能な円筒形のチャ
ンバとして構成されている。容器１０内の上部には、円
盤状の主ターゲット１２が下向きまたは内向きで支持部
材またはスパッタガン（図示せず）に取付けられてい
る。主ターゲット１２は、成膜材料たとえばアルミニウ
ム、チタニウム、窒化チタン等から構成されている。容
器１０内の下部には、主ターゲット１２とほぼ真向かい
の位置で載置台１４が固定配置され、この載置台１４上
に被処理体たとえば半導体ウエハＷが着脱可能に配置
（載置）される。載置台１４には加熱機構（図示せず）
が内蔵されている。半導体ウエハＷは、容器１０の側壁
に設けられているゲートバルブ（図示せず）を通って容
器内に出し入れされるようになっている。
とえばアルミニウムからなり、真空可能な円筒形のチャ
ンバとして構成されている。容器１０内の上部には、円
盤状の主ターゲット１２が下向きまたは内向きで支持部
材またはスパッタガン（図示せず）に取付けられてい
る。主ターゲット１２は、成膜材料たとえばアルミニウ
ム、チタニウム、窒化チタン等から構成されている。容
器１０内の下部には、主ターゲット１２とほぼ真向かい
の位置で載置台１４が固定配置され、この載置台１４上
に被処理体たとえば半導体ウエハＷが着脱可能に配置
（載置）される。載置台１４には加熱機構（図示せず）
が内蔵されている。半導体ウエハＷは、容器１０の側壁
に設けられているゲートバルブ（図示せず）を通って容
器内に出し入れされるようになっている。
【００２３】ウエハ載置台１４は容器１０を介してアー
ス電位（０ボルト）に接続される。主ターゲット１２は
直流電源１３より負の直流電圧−Ｖ0 （たとえば−５０
０〜１０００ボルト）を印加される。これにより、ウエ
ハ載置台１４上の半導体ウエハＷは陽極で、主ターゲッ
ト１２は陰極となる。
ス電位（０ボルト）に接続される。主ターゲット１２は
直流電源１３より負の直流電圧−Ｖ0 （たとえば−５０
０〜１０００ボルト）を印加される。これにより、ウエ
ハ載置台１４上の半導体ウエハＷは陽極で、主ターゲッ
ト１２は陰極となる。
【００２４】主ターゲット１２の背後で真空容器１０の
外側には、主ターゲット１２の表面（下面）１２ａ付近
に高密度のプラズマを閉じ込めるための磁界を発生する
マグネット・アッセンブリ１６が設けられている。この
実施例では、複数個のマグネット・アッセンブリ１６が
主ターゲット１２の（仮想の）中心軸の回りに放射状に
配置され、駆動モータおよび回転支持部材等（図示せ
ず）によってターゲット中心軸の回りで回転運動するよ
うに構成されている。
外側には、主ターゲット１２の表面（下面）１２ａ付近
に高密度のプラズマを閉じ込めるための磁界を発生する
マグネット・アッセンブリ１６が設けられている。この
実施例では、複数個のマグネット・アッセンブリ１６が
主ターゲット１２の（仮想の）中心軸の回りに放射状に
配置され、駆動モータおよび回転支持部材等（図示せ
ず）によってターゲット中心軸の回りで回転運動するよ
うに構成されている。
【００２５】主ターゲット１２に近接してその直ぐ下側
には、主ターゲット１２の直径よりも大きな内径を有す
るリング状の補助ターゲット１８が配置されている。こ
の補助ターゲット１８は、主ターゲット１２と同一の成
膜材料から構成され、支持部材（図示せず）を介して容
器１０に取付けられている。補助ターゲット１８には直
流電源１５より負の直流電圧−Ｖ1 （たとえば−１００
〜−５００ボルト）が印加され、これにより補助ターゲ
ット１８も陰極になっている。
には、主ターゲット１２の直径よりも大きな内径を有す
るリング状の補助ターゲット１８が配置されている。こ
の補助ターゲット１８は、主ターゲット１２と同一の成
膜材料から構成され、支持部材（図示せず）を介して容
器１０に取付けられている。補助ターゲット１８には直
流電源１５より負の直流電圧−Ｖ1 （たとえば−１００
〜−５００ボルト）が印加され、これにより補助ターゲ
ット１８も陰極になっている。
【００２６】主ターゲット１２と補助ターゲット１８と
の間には隙間が設けられ、この隙間にガス供給管２０の
先端（ガス吐出口）が臨んでいる。容器１０の外の放電
ガス供給部（図示せず）よりガス供給管２０を介して放
電ガスたとえばＡｒガスが主ターゲット１２の表面（下
面）１２ａおよび補助ターゲット１８の表面（内側面）
１８ａに供給されるようになっている。容器１０の側壁
の下部に排気口１０ａが設けられ、この排気口１０ａは
排気管２１を介して外部の真空排気装置（図示せず）に
接続されている。この真空排気装置によって容器１０内
が所定の真空度に減圧されるようになっている。
の間には隙間が設けられ、この隙間にガス供給管２０の
先端（ガス吐出口）が臨んでいる。容器１０の外の放電
ガス供給部（図示せず）よりガス供給管２０を介して放
電ガスたとえばＡｒガスが主ターゲット１２の表面（下
面）１２ａおよび補助ターゲット１８の表面（内側面）
１８ａに供給されるようになっている。容器１０の側壁
の下部に排気口１０ａが設けられ、この排気口１０ａは
排気管２１を介して外部の真空排気装置（図示せず）に
接続されている。この真空排気装置によって容器１０内
が所定の真空度に減圧されるようになっている。
【００２７】ターゲット１２，１８と載置台１４との間
には、半導体ウエハＷよりも大きな直径を有する円盤状
の第１および第２のコリメータ２２，２４が同軸に配置
されている。これらのコリメータ２２，２４は、たとえ
ば図２に示すように多数の管または筒部Ｐを平行に（軸
を揃えて）密に配列してなる構成を有しており、ターゲ
ット１２，１８からのスパッタ粒子のうちほぼ軸方向
（垂直方向）の粒子のみを通すフィルタとして機能す
る。つまり、筒部Ｐの上部開口に垂直方向またはそれに
近い小さな入射角で入射するスパッタ粒子Ｓａはそのま
ま筒の中を通って下部開口から外（下方）へ抜け出られ
るが、大きな入射角で入射するスパッタ粒子Ｓｂは筒の
内壁面に当たってそこに付着し、筒部Ｐの外（下方）へ
抜け出られないようになっている。筒部Ｐを通り抜けで
きるスパッタ粒子Ｓの臨界入射角は、筒部Ｐのアスペク
ト比（Ｗ／Ｈ）によって決まる。
には、半導体ウエハＷよりも大きな直径を有する円盤状
の第１および第２のコリメータ２２，２４が同軸に配置
されている。これらのコリメータ２２，２４は、たとえ
ば図２に示すように多数の管または筒部Ｐを平行に（軸
を揃えて）密に配列してなる構成を有しており、ターゲ
ット１２，１８からのスパッタ粒子のうちほぼ軸方向
（垂直方向）の粒子のみを通すフィルタとして機能す
る。つまり、筒部Ｐの上部開口に垂直方向またはそれに
近い小さな入射角で入射するスパッタ粒子Ｓａはそのま
ま筒の中を通って下部開口から外（下方）へ抜け出られ
るが、大きな入射角で入射するスパッタ粒子Ｓｂは筒の
内壁面に当たってそこに付着し、筒部Ｐの外（下方）へ
抜け出られないようになっている。筒部Ｐを通り抜けで
きるスパッタ粒子Ｓの臨界入射角は、筒部Ｐのアスペク
ト比（Ｗ／Ｈ）によって決まる。
【００２８】このように、コリメータ２２，２４は、斜
めの角度で入射するスパッタ粒子を筒部Ｐの内壁面に付
着させて吸収する作用がある。この付着率ないし吸収率
を高めるには、コリメータ２２，２４の材質を成膜材料
と同じものに選ぶのがよい。また、プラズマイオンがコ
リメータ２２，２４に当たることにより、コリメータ表
面から二次スパッタ粒子がはじき出され、これが半導体
ウエハＷに入射することがある。この点からしても、両
コリメータ、とりわけ半導体ウエハＷに近い第２のコリ
メータ２４の少なくとも表面部分は、成膜材料と同じ材
質から構成されるのが好ましい。
めの角度で入射するスパッタ粒子を筒部Ｐの内壁面に付
着させて吸収する作用がある。この付着率ないし吸収率
を高めるには、コリメータ２２，２４の材質を成膜材料
と同じものに選ぶのがよい。また、プラズマイオンがコ
リメータ２２，２４に当たることにより、コリメータ表
面から二次スパッタ粒子がはじき出され、これが半導体
ウエハＷに入射することがある。この点からしても、両
コリメータ、とりわけ半導体ウエハＷに近い第２のコリ
メータ２４の少なくとも表面部分は、成膜材料と同じ材
質から構成されるのが好ましい。
【００２９】ターゲット１２，１８側に近接する第１の
コリメータ２２は容器１０を介してアース電位ＶE （０
ボルト）に接続される。ウエハ載置台１４に近接する第
２のコリメータ２４は直流電源１７より正の電圧＋Ｖ2
（たとえば＋１００〜＋５００ボルト）を印加される。
コリメータ２２は容器１０を介してアース電位ＶE （０
ボルト）に接続される。ウエハ載置台１４に近接する第
２のコリメータ２４は直流電源１７より正の電圧＋Ｖ2
（たとえば＋１００〜＋５００ボルト）を印加される。
【００３０】半導体ウエハＷ（厳密にはウエハ載置台１
４）の位置を基準とし、この基準位置からの主ターゲッ
ト１２、補助ターゲット１８、第１および第２のコリメ
ータ２２，２４の距離をそれぞれＤ(12)，Ｄ(18)，Ｄ(2
2)，Ｄ(24)とすると、各部間の電位分布は図３の，
，，のようになる。曲線は主ターゲット１２と
第１のコリメータ２２間の電位分布を示し、曲線は補
助ターゲット１８と第１のコリメータ２２間の電位分布
を示し、曲線は第１のコリメータ２２と第２のコリメ
ータ２４間の電位分布を示し、曲線は第２のコリメー
タ２２と半導体ウエハ（厳密にはウエハ載置台１４）間
の電位分布を示している。なお、図解を模式化するため
に、各区間内で電位勾配（電界）は一定とし、各曲線
，，，を１本の直線として表している。
４）の位置を基準とし、この基準位置からの主ターゲッ
ト１２、補助ターゲット１８、第１および第２のコリメ
ータ２２，２４の距離をそれぞれＤ(12)，Ｄ(18)，Ｄ(2
2)，Ｄ(24)とすると、各部間の電位分布は図３の，
，，のようになる。曲線は主ターゲット１２と
第１のコリメータ２２間の電位分布を示し、曲線は補
助ターゲット１８と第１のコリメータ２２間の電位分布
を示し、曲線は第１のコリメータ２２と第２のコリメ
ータ２４間の電位分布を示し、曲線は第２のコリメー
タ２２と半導体ウエハ（厳密にはウエハ載置台１４）間
の電位分布を示している。なお、図解を模式化するため
に、各区間内で電位勾配（電界）は一定とし、各曲線
，，，を１本の直線として表している。
【００３１】図３の電位分布図より、第１のコリメータ
１２は半導体ウエハＷとほぼ等しい電位に置かれるた
め、陰極側のターゲット１２，１８に対して実質的に陽
極として機能することがわかる。第１のコリメータ１２
とターゲット１２，１８とは互いに接近した位置関係に
あるため、両者の間には曲線，の急峻な傾きに対応
した強い電界が得られる。これによって、直流電源１
３，１５からのバイアス電圧−Ｖ1,＋Ｖ2 が比較的低い
値に選ばれても、ターゲット１２，１８の表面１２ａ，
１８ａ付近には高密度のプラズマが生成されるようにな
っている。
１２は半導体ウエハＷとほぼ等しい電位に置かれるた
め、陰極側のターゲット１２，１８に対して実質的に陽
極として機能することがわかる。第１のコリメータ１２
とターゲット１２，１８とは互いに接近した位置関係に
あるため、両者の間には曲線，の急峻な傾きに対応
した強い電界が得られる。これによって、直流電源１
３，１５からのバイアス電圧−Ｖ1,＋Ｖ2 が比較的低い
値に選ばれても、ターゲット１２，１８の表面１２ａ，
１８ａ付近には高密度のプラズマが生成されるようにな
っている。
【００３２】次に、本実施例のスパッタリング装置にお
ける作用を説明する。
ける作用を説明する。
【００３３】ターゲット１２，１４およびコリメータ２
２，２４に電力が投入され、ターゲット１２，１８の背
後でマグネット・アッセンブリ１６が回転駆動され、載
置台１４上に半導体ウエハＷが置かれ、容器１０の圧力
が所定の真空度たとえば１．０ミリＴｏｒｒまで減圧さ
れた状態の下で、ガス供給管２０より放電ガス（Ａｒ）
が供給される。
２，２４に電力が投入され、ターゲット１２，１８の背
後でマグネット・アッセンブリ１６が回転駆動され、載
置台１４上に半導体ウエハＷが置かれ、容器１０の圧力
が所定の真空度たとえば１．０ミリＴｏｒｒまで減圧さ
れた状態の下で、ガス供給管２０より放電ガス（Ａｒ）
が供給される。
【００３４】これにより、主ターゲット１２の表面１２
ａをなぞるように回転する高密度のプラズマが生成し、
このプラズマ中のＡｒイオンが主ターゲット１２の表面
１２ａに衝突し、そこからスパッタ粒子がはじき出され
る。主ターゲット１２の表面１２ａからはじき出される
スパッタ粒子の飛翔方向は下向きにほぼ余弦則にしたが
った分布を有している。また、プラズマからの一部のＡ
ｒイオンが補助ターゲット１８の表面１８ａに斜め下向
きに入射または衝突し、そこからもスパッタ粒子が斜め
下向きにはじき出される。
ａをなぞるように回転する高密度のプラズマが生成し、
このプラズマ中のＡｒイオンが主ターゲット１２の表面
１２ａに衝突し、そこからスパッタ粒子がはじき出され
る。主ターゲット１２の表面１２ａからはじき出される
スパッタ粒子の飛翔方向は下向きにほぼ余弦則にしたが
った分布を有している。また、プラズマからの一部のＡ
ｒイオンが補助ターゲット１８の表面１８ａに斜め下向
きに入射または衝突し、そこからもスパッタ粒子が斜め
下向きにはじき出される。
【００３５】両ターゲット１２，１８からのスパッタ粒
子は先ず第１コリメータ２２に入射し、ほぼ垂直方向の
スパッタ粒子だけが第１コリメータ２２から垂直下方へ
通り抜ける。主ターゲット１２からのスパッタ粒子のう
ち第１コリメータ２２を通り抜けるものは、相対的に第
１コリメータ２２の中心部側の方が周縁部側よりも多
い。しかし、補助ターゲット１２からのスパッタ粒子の
うち第１のコリメータ２２を通り抜けるものは、相対的
に第１コリメータ２２の周縁部側の方が中心部側よりも
多い。両ターゲット１２，１８に印加する互いに独立し
たバイアス電圧−Ｖ0 ，−Ｖ1 を適当な値に選ぶこと
で、第１コリメータ２２を通り抜けるスパッタ粒子の密
度をコリメータ２２の面内でほぼ均一にすることができ
る。
子は先ず第１コリメータ２２に入射し、ほぼ垂直方向の
スパッタ粒子だけが第１コリメータ２２から垂直下方へ
通り抜ける。主ターゲット１２からのスパッタ粒子のう
ち第１コリメータ２２を通り抜けるものは、相対的に第
１コリメータ２２の中心部側の方が周縁部側よりも多
い。しかし、補助ターゲット１２からのスパッタ粒子の
うち第１のコリメータ２２を通り抜けるものは、相対的
に第１コリメータ２２の周縁部側の方が中心部側よりも
多い。両ターゲット１２，１８に印加する互いに独立し
たバイアス電圧−Ｖ0 ，−Ｖ1 を適当な値に選ぶこと
で、第１コリメータ２２を通り抜けるスパッタ粒子の密
度をコリメータ２２の面内でほぼ均一にすることができ
る。
【００３６】第１コリメータ２２はアース電位（陽極電
位）に接続されているため、プラズマから飛んできた電
子のほとんどがこのコリメータ２２で捕捉される。ま
た、第１コリメータ２２は、プラズマからのＡｒイオン
に対しては逆向きの（押し返す方向の）電界を与え、半
体ウエハＷ側へ飛ぶＡｒイオンの量を抑制する。
位）に接続されているため、プラズマから飛んできた電
子のほとんどがこのコリメータ２２で捕捉される。ま
た、第１コリメータ２２は、プラズマからのＡｒイオン
に対しては逆向きの（押し返す方向の）電界を与え、半
体ウエハＷ側へ飛ぶＡｒイオンの量を抑制する。
【００３７】第１コリメータ２２を通り抜けたスパッタ
粒子は、そのまま第２コリメータ２４を通り抜けて直進
し、半導体ウエハＷの表面（膜形成面）に入射し、そこ
に堆積する。第２コリメータ２４を通り抜けるスパッタ
粒子の密度もコリメータ２４の面内でほぼ均一になって
いるため、半導体ウエハＷ上にはウエハ面内でほぼ均一
な膜厚に膜が形成される。
粒子は、そのまま第２コリメータ２４を通り抜けて直進
し、半導体ウエハＷの表面（膜形成面）に入射し、そこ
に堆積する。第２コリメータ２４を通り抜けるスパッタ
粒子の密度もコリメータ２４の面内でほぼ均一になって
いるため、半導体ウエハＷ上にはウエハ面内でほぼ均一
な膜厚に膜が形成される。
【００３８】第２コリメータ２４は、正のバイアス電圧
＋Ｖ2 を印加されているときは、図３の曲線で示すよ
うに第１コリメータ２２よりも電位が高く、プラズマイ
オン（Ａｒ）に対してポテンシャル障壁を形成する。こ
の場合、半導体ウエハＷに入射するプラズマイオンは第
２コリメータ２４でさらに抑制されることになる。
＋Ｖ2 を印加されているときは、図３の曲線で示すよ
うに第１コリメータ２２よりも電位が高く、プラズマイ
オン（Ａｒ）に対してポテンシャル障壁を形成する。こ
の場合、半導体ウエハＷに入射するプラズマイオンは第
２コリメータ２４でさらに抑制されることになる。
【００３９】もっとも、第２コリメータ２４に負のバイ
アス電圧−Ｖ2'を印加してもよく、そのようなバイアス
にすると第２コリメータ２２と半導体ウエハＷとの間に
は図３の曲線’，’で示すような電位分布が得られ
る。この場合、第２コリメータ２４は第１コリメータ２
２側からのプラズマイオンを引き込むように作用するた
め、半導体ウエハＷに入射するプラズマイオンの量を増
大させることも可能である。
アス電圧−Ｖ2'を印加してもよく、そのようなバイアス
にすると第２コリメータ２２と半導体ウエハＷとの間に
は図３の曲線’，’で示すような電位分布が得られ
る。この場合、第２コリメータ２４は第１コリメータ２
２側からのプラズマイオンを引き込むように作用するた
め、半導体ウエハＷに入射するプラズマイオンの量を増
大させることも可能である。
【００４０】このように、第２コリメータ２４に印加す
るバイアス電圧の極性または絶対値を変えることで、半
導体ウエハＷに入射するプラズマイオンの量を制御また
は加減することができ、これによって半導体ウエハＷ上
に所望の膜質で成膜することが可能である。
るバイアス電圧の極性または絶対値を変えることで、半
導体ウエハＷに入射するプラズマイオンの量を制御また
は加減することができ、これによって半導体ウエハＷ上
に所望の膜質で成膜することが可能である。
【００４１】また、プラズマイオンによって第１および
第２コリメータ２２，２４の表面または壁面が叩かれ、
そこから二次スパッタ粒子がはじき出されてそれが半導
体ウエハＷに入射することもあり得る。しかし、本実施
例では、これらのコリメータ２２，２４の少なくとも表
面部の材質をターゲット１２，１８の材質つまり成膜材
料と同じ材質（たとえばアルミニウム）で形成するよう
にしたので、これらコリメータからの二次スパッタ粒子
が半導体ウエハＷに入射したとしても、ウエハＷ上に形
成される膜が劣化するおそれはない。なお、ウエハＷ上
の膜を劣化させないようなものであれば、成膜材料と違
う材質でターゲット１２，１８を構成してもよい。
第２コリメータ２２，２４の表面または壁面が叩かれ、
そこから二次スパッタ粒子がはじき出されてそれが半導
体ウエハＷに入射することもあり得る。しかし、本実施
例では、これらのコリメータ２２，２４の少なくとも表
面部の材質をターゲット１２，１８の材質つまり成膜材
料と同じ材質（たとえばアルミニウム）で形成するよう
にしたので、これらコリメータからの二次スパッタ粒子
が半導体ウエハＷに入射したとしても、ウエハＷ上に形
成される膜が劣化するおそれはない。なお、ウエハＷ上
の膜を劣化させないようなものであれば、成膜材料と違
う材質でターゲット１２，１８を構成してもよい。
【００４２】上記したように、本実施例のスパッタリン
グ装置では、主ターゲット１２よりも半導体ウエハＷに
近い位置に主ターゲット１２よりも外側で環状に延在す
る補助ターゲット１８を配置し、これら第１および第２
のターゲットに印加するバイアス電圧−Ｖ0 ，−Ｖ1 を
適当な値に選ぶことで、さらにはターゲット１２，１８
と半導体ウエハＷとの間に第１および第２のコリメータ
２２，２４を配置し、これらのコリメータ２２，２４に
印加するバイアス電圧ＶE ，Ｖ2 を適当な値に選ぶこと
で、半導体ウエハＷ上にウエハ面内でほぼ均一な膜厚
で、かつ良好な膜質で膜を形成することができる。
グ装置では、主ターゲット１２よりも半導体ウエハＷに
近い位置に主ターゲット１２よりも外側で環状に延在す
る補助ターゲット１８を配置し、これら第１および第２
のターゲットに印加するバイアス電圧−Ｖ0 ，−Ｖ1 を
適当な値に選ぶことで、さらにはターゲット１２，１８
と半導体ウエハＷとの間に第１および第２のコリメータ
２２，２４を配置し、これらのコリメータ２２，２４に
印加するバイアス電圧ＶE ，Ｖ2 を適当な値に選ぶこと
で、半導体ウエハＷ上にウエハ面内でほぼ均一な膜厚
で、かつ良好な膜質で膜を形成することができる。
【００４３】なお、主ターゲット１２の表面形状は平板
型のものに限らず、任意の形状が可能であり、たとえば
凹面または凸面形状でも可能である。必要に応じて、主
ターゲットまたは補助ターゲットを複数個の部分ターゲ
ットで構成することも可能である。
型のものに限らず、任意の形状が可能であり、たとえば
凹面または凸面形状でも可能である。必要に応じて、主
ターゲットまたは補助ターゲットを複数個の部分ターゲ
ットで構成することも可能である。
【００４４】コリメータ２２，２４においては、図２の
構成は一例であって、他の筒部形状ないし配列パターン
にしてもよく、たとえば筒部のアスペクト比（Ｗ／Ｈ）
がコリメータの半径方向で変わるような構成にすること
も可能である。また、第２コリメータの径を第１コリメ
ータの径より小さめにとることによっても良好な膜厚均
一性の達成が可能である。両コリメータ２２，２４の構
造または材質が異なっていてもよい。両コリメータ２
２，２４の一方、たとえば第２コリメータ２４に換え
て、任意の方向を有するスパッタ粒子を通すような網状
電極（グリッド）を設けてもよい。また、必要に応じて
第３のコリメータまたはグリッドを設けてもよい。
構成は一例であって、他の筒部形状ないし配列パターン
にしてもよく、たとえば筒部のアスペクト比（Ｗ／Ｈ）
がコリメータの半径方向で変わるような構成にすること
も可能である。また、第２コリメータの径を第１コリメ
ータの径より小さめにとることによっても良好な膜厚均
一性の達成が可能である。両コリメータ２２，２４の構
造または材質が異なっていてもよい。両コリメータ２
２，２４の一方、たとえば第２コリメータ２４に換え
て、任意の方向を有するスパッタ粒子を通すような網状
電極（グリッド）を設けてもよい。また、必要に応じて
第３のコリメータまたはグリッドを設けてもよい。
【００４５】ターゲット１２，１８およびコリメータ２
２，２４に印加するバイアス電圧は任意の値に選ぶこと
が可能である。したがって、図３に示すような電位分布
は一例であり、任意の電位分布に設定することができ
る。
２，２４に印加するバイアス電圧は任意の値に選ぶこと
が可能である。したがって、図３に示すような電位分布
は一例であり、任意の電位分布に設定することができ
る。
【００４６】コリメータまたはグリッドを設けずに本発
明による補助ターゲットを設けた構成でも、ある程度ま
で膜厚の均一性を向上させることは可能である。また、
補助ターゲットを設けずに本発明によるコリメータ、グ
リッドまたは他の網状電極を設けた構成でも、ある程度
まで膜厚の均一性を向上できるだけでなく、膜質を向上
させることが可能である。
明による補助ターゲットを設けた構成でも、ある程度ま
で膜厚の均一性を向上させることは可能である。また、
補助ターゲットを設けずに本発明によるコリメータ、グ
リッドまたは他の網状電極を設けた構成でも、ある程度
まで膜厚の均一性を向上できるだけでなく、膜質を向上
させることが可能である。
【００４７】被処理体は、半導体ウエハＷに限るもので
はなく、たとえば磁気ディスクやＬＣＤ基板等でも可能
である。本発明のスパッタリング装置は、半導体デバイ
ス製造における成膜工程の外にも、様々な成膜処理で使
用可能なものである。
はなく、たとえば磁気ディスクやＬＣＤ基板等でも可能
である。本発明のスパッタリング装置は、半導体デバイ
ス製造における成膜工程の外にも、様々な成膜処理で使
用可能なものである。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のスパッタ
リング装置によれば、投入電力の利用効率を向上させ、
被処理体上の面内にほぼ均一な膜厚で、さらには良好な
膜質で所望の膜を形成することができる。
リング装置によれば、投入電力の利用効率を向上させ、
被処理体上の面内にほぼ均一な膜厚で、さらには良好な
膜質で所望の膜を形成することができる。
【図１】本発明の一実施例によるスパッタリング装置の
主要な構成を示す略断面図である。
主要な構成を示す略断面図である。
【図２】実施例におけるコリメータの構造を示す部分斜
視図である。
視図である。
【図３】実施例のスパッタリング装置の真空容器内にお
ける電位分布を模式的に示す図である。
ける電位分布を模式的に示す図である。
１０ 真空容器 １２ 主ターゲット １４ ウエハ載置台 １６ マグネット・アッセンブリ １８ 補助ターゲット ２２ 第１コリメータ ２４ 第２コリメータ １３，１５，１７ 直流電源
Claims (6)
- 【請求項１】 真空容器内でターゲットにプラズマのイ
オンを衝突させ、そこからはじき飛ばされた粒子を被処
理体の上に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置
において、 前記被処理体と対向する位置に第１のターゲットを配置
するとともに、前記第１のターゲットよりも前記被処理
体に近い位置に前記第１のターゲットよりも外側で環状
に延在する第２のターゲットを配置し、前記第１および
第２のターゲットにそれぞれ第１および第２のバイアス
電圧を印加することを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項２】 真空容器内でターゲットにプラズマのイ
オンを衝突させ、そこからはじき飛ばされた粒子を被処
理体の上に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置
において、 前記ターゲットと前記被処理体との間に、前記ターゲッ
トからのスパッタ粒子を通す網状の電極を配置したこと
を特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項３】 真空容器内でターゲットにプラズマのイ
オンを衝突させ、そこからはじき飛ばされた粒子を被処
理体の上に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置
において、 前記ターゲットと前記被処理体との間に、前記ターゲッ
トからのスパッタ粒子のうち前記被処理体の膜形成面に
対してほぼ垂直な方向を有するもののみを通すコリメー
タを配置し、前記コリメータに所定のバイアス電圧を印
加することを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項４】 真空容器内でターゲットにプラズマのイ
オンを衝突させ、そこからはじき飛ばされた粒子を被処
理体の上に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置
において、 前記被処理体と対向する位置に第１のターゲットを配置
するとともに、前記第１のターゲットよりも前記被処理
体に近い位置に前記第１のターゲットよりも外側で環状
に延在する第２のターゲットを配置し、前記第１および
第２のターゲットにそれぞれ第１および第２のバイアス
電圧を印加し、 前記ターゲットと前記被処理体との間に、前記ターゲッ
トからのスパッタ粒子のうち前記被処理体の膜形成面に
対してほぼ垂直な方向を有するもののみを通すコリメー
タを配置し、前記コリメータに第３のバイアス電圧を印
加することを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項５】 真空容器内でターゲットにプラズマのイ
オンを衝突させ、そこからはじき飛ばされた粒子を被処
理体の上に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置
において、 前記ターゲットと前記被処理体との間に、前記ターゲッ
トからのスパッタ粒子のうち前記被処理体の膜形成面に
対してほぼ垂直な方向を有するもののみを通す第１およ
び第２のコリメータを所定の間隔を置いて配置し、前記
第１および第２のコリメータにそれぞれ第１および第２
のバイアス電圧を印加することを特徴とするスパッタリ
ング装置。 - 【請求項６】 真空容器内でターゲットにプラズマのイ
オンを衝突させ、そこからはじき飛ばされた粒子を被処
理体の上に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置
において、 前記ターゲットと前記被処理体との間に前記ターゲット
からのスパッタ粒子を通す網状電極を配置し、前記網状
電極の少なくとも表面部分を前記ターゲットと実質的に
同じ材質の材料で形成してなることを特徴とするスパッ
タリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13640694A JP3336421B2 (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13640694A JP3336421B2 (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07316806A true JPH07316806A (ja) | 1995-12-05 |
| JP3336421B2 JP3336421B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=15174424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13640694A Expired - Fee Related JP3336421B2 (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3336421B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6309515B1 (en) | 1997-10-29 | 2001-10-30 | Nec Corporation | Sputtering apparatus for sputtering high melting point metal and method for manufacturing semiconductor device having high melting point metal |
| EP0846786A3 (en) * | 1996-12-06 | 2001-11-07 | Applied Materials, Inc. | Modified physoical vapor deposition chamber and method of depositing materials at low pressure |
| KR20150113437A (ko) * | 2014-03-28 | 2015-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 장치 및 그 구동 방법 |
| JP2016117923A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
| JP2017166056A (ja) * | 2016-12-20 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | スパッタ装置及びスパッタリング用コリメータ |
| WO2017158978A1 (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| WO2020137027A1 (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
| CN115161594A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-10-11 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 可改善深孔填充的镀膜设备及方法 |
| US20250146119A1 (en) * | 2023-11-07 | 2025-05-08 | Applied Materials, Inc. | Dual collimator physical vapor depositions processing chamber |
-
1994
- 1994-05-26 JP JP13640694A patent/JP3336421B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0846786A3 (en) * | 1996-12-06 | 2001-11-07 | Applied Materials, Inc. | Modified physoical vapor deposition chamber and method of depositing materials at low pressure |
| US6309515B1 (en) | 1997-10-29 | 2001-10-30 | Nec Corporation | Sputtering apparatus for sputtering high melting point metal and method for manufacturing semiconductor device having high melting point metal |
| KR20150113437A (ko) * | 2014-03-28 | 2015-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 장치 및 그 구동 방법 |
| JP2016117923A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
| CN107923036A (zh) * | 2016-03-14 | 2018-04-17 | 株式会社东芝 | 处理装置和准直器 |
| WO2017158978A1 (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| CN107923036B (zh) * | 2016-03-14 | 2020-01-17 | 株式会社东芝 | 处理装置和准直器 |
| JP2017166056A (ja) * | 2016-12-20 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | スパッタ装置及びスパッタリング用コリメータ |
| WO2020137027A1 (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
| KR20210096255A (ko) * | 2018-12-26 | 2021-08-04 | 가부시키가이샤 알박 | 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법 |
| JPWO2020137027A1 (ja) * | 2018-12-26 | 2021-10-07 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
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| US11384423B2 (en) | 2018-12-26 | 2022-07-12 | Ulvac, Inc. | Sputtering apparatus and sputtering method |
| CN115161594A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-10-11 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 可改善深孔填充的镀膜设备及方法 |
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