JPH0730134A - 太陽電池の製造法 - Google Patents
太陽電池の製造法Info
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- JPH0730134A JPH0730134A JP5154707A JP15470793A JPH0730134A JP H0730134 A JPH0730134 A JP H0730134A JP 5154707 A JP5154707 A JP 5154707A JP 15470793 A JP15470793 A JP 15470793A JP H0730134 A JPH0730134 A JP H0730134A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 透光性基板上に窓層を有し、光吸収層として
ＣｄＴｅ膜をもつ太陽電池において、窓層と直列接続の
ための導電材料とのコンタクト抵抗を低減させることに
より、窓層と直列接続のための導電材料との接触幅を少
なくし、有効受光面積を高めることにより光電変換効率
の高い太陽電池を提供する。 【構成】 窓層としてＣｄＳ膜２、光吸収層としてＣｄ
Ｔｅ膜３を順次積層し、ＣｄＴｅ膜３のアクセプタとし
てＣ膜４を形成した後、ＣｄＴｅ膜３およびＣ膜４のパ
ターン分離部分にＹＡＧレーザー処理を行い、このＣｄ
Ｔｅ膜３、Ｃ膜４の所定のパターン外に、はみ出た部分
と窓層表面の不純物を同時に除去することにより、Ｃｄ
Ｓ膜２とＡｇＩｎ膜５との接触幅をこれまでの約１／３
に低減することができ、太陽電池の有効受光面積を増加
させることが可能となり、高効率な太陽電池が実現でき
る。
ＣｄＴｅ膜をもつ太陽電池において、窓層と直列接続の
ための導電材料とのコンタクト抵抗を低減させることに
より、窓層と直列接続のための導電材料との接触幅を少
なくし、有効受光面積を高めることにより光電変換効率
の高い太陽電池を提供する。 【構成】 窓層としてＣｄＳ膜２、光吸収層としてＣｄ
Ｔｅ膜３を順次積層し、ＣｄＴｅ膜３のアクセプタとし
てＣ膜４を形成した後、ＣｄＴｅ膜３およびＣ膜４のパ
ターン分離部分にＹＡＧレーザー処理を行い、このＣｄ
Ｔｅ膜３、Ｃ膜４の所定のパターン外に、はみ出た部分
と窓層表面の不純物を同時に除去することにより、Ｃｄ
Ｓ膜２とＡｇＩｎ膜５との接触幅をこれまでの約１／３
に低減することができ、太陽電池の有効受光面積を増加
させることが可能となり、高効率な太陽電池が実現でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池の製造法に関
し、特に光吸収層としてテルル化カドミウム膜（以下Ｃ
ｄＴｅ膜という）を用い、そのオーミック電極としてカ
ーボンペースト（以下Ｃペーストという）を塗布、乾
燥、焼結して得られるカーボン膜（以下Ｃ膜）を用いる
太陽電池の製造法に関する。
し、特に光吸収層としてテルル化カドミウム膜（以下Ｃ
ｄＴｅ膜という）を用い、そのオーミック電極としてカ
ーボンペースト（以下Ｃペーストという）を塗布、乾
燥、焼結して得られるカーボン膜（以下Ｃ膜）を用いる
太陽電池の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、炭酸ガスによる地球温暖化、オゾ
ン層の破壊など、地球環境問題がクローズアップされる
中、新エネルギー開発、とりわけ太陽電池の実用化に対
する期待はますます大きくなってきている。しかしなが
ら、太陽電池の早期実用化のためにはまだまだ解決しな
ければならない課題が多々残っている。とくに太陽電池
の変換効率の向上と、低コスト化は避けては通れない重
要な課題である。
ン層の破壊など、地球環境問題がクローズアップされる
中、新エネルギー開発、とりわけ太陽電池の実用化に対
する期待はますます大きくなってきている。しかしなが
ら、太陽電池の早期実用化のためにはまだまだ解決しな
ければならない課題が多々残っている。とくに太陽電池
の変換効率の向上と、低コスト化は避けては通れない重
要な課題である。
【０００３】そのような中で、ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電
池は、光吸収層として最適な禁制帯幅に近い１．４ｅＶ
のＣｄＴｅを用いており、また使用する材料も安価なこ
とから、低コスト高効率太陽電池の本命の１つとして大
いに期待されている。
池は、光吸収層として最適な禁制帯幅に近い１．４ｅＶ
のＣｄＴｅを用いており、また使用する材料も安価なこ
とから、低コスト高効率太陽電池の本命の１つとして大
いに期待されている。
【０００４】ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造法には、
種々の方法が知られているが、低コスト化が図れ、大面
積化と量産化が容易な方法として印刷・焼結法がある。
印刷・焼結法は使用する装置も安価であり、すでに同手
法で製造された太陽電池は電卓用として広く使用されて
いる。
種々の方法が知られているが、低コスト化が図れ、大面
積化と量産化が容易な方法として印刷・焼結法がある。
印刷・焼結法は使用する装置も安価であり、すでに同手
法で製造された太陽電池は電卓用として広く使用されて
いる。
【０００５】そして、特開平２−１７７３７７号公報に
支持基板上にＣｄＳ焼結膜を形成し、その上にＴｅＣｌ
4を融剤としてＣｄＴｅ粉末に添加したＣｄＴｅペース
トをスクリーン印刷して乾燥後、不活性ガス雰囲気中で
焼成しＣｄＴｅ焼結膜を形成し、次にＣｄＴｅ焼結膜上
にカーボン膜を形成し、ＣｄＳ焼結膜上およびカーボン
膜上に電極を形成する光起電力素子の製造方法が開示さ
れている。
支持基板上にＣｄＳ焼結膜を形成し、その上にＴｅＣｌ
4を融剤としてＣｄＴｅ粉末に添加したＣｄＴｅペース
トをスクリーン印刷して乾燥後、不活性ガス雰囲気中で
焼成しＣｄＴｅ焼結膜を形成し、次にＣｄＴｅ焼結膜上
にカーボン膜を形成し、ＣｄＳ焼結膜上およびカーボン
膜上に電極を形成する光起電力素子の製造方法が開示さ
れている。
【０００６】以下に従来の印刷・焼結法によるＣｄＳ／
ＣｄＴｅ太陽電池の製造法について説明する。
ＣｄＴｅ太陽電池の製造法について説明する。
【０００７】太陽電池の構成はガラス／ＣｄＳ膜／Ｃｄ
Ｔｅ膜／カーボン電極膜／ＡｇＩｎ電極膜からなり、各
膜は以下の方法で形成される。
Ｔｅ膜／カーボン電極膜／ＡｇＩｎ電極膜からなり、各
膜は以下の方法で形成される。
【０００８】（１）ＣｄＳ膜の形成 粒径２〜３μｍの高純度（５Ｎ）ＣｄＳ粉末に１２重量
％のＣｄＣｌ2粉と適当量のプロピレングリコールを加
え、混練することによりＣｄＳペーストを作製する。次
にこのペーストをほうけい酸ガラス基板上に印刷する。
これを１２０℃で１時間乾燥後、アルミナ製焼成ケース
に入れ、小さな孔が多数あいている焼成用蓋をかぶせ
て、窒素雰囲気のベルト炉で６９０℃で９０分間焼成す
る。
％のＣｄＣｌ2粉と適当量のプロピレングリコールを加
え、混練することによりＣｄＳペーストを作製する。次
にこのペーストをほうけい酸ガラス基板上に印刷する。
これを１２０℃で１時間乾燥後、アルミナ製焼成ケース
に入れ、小さな孔が多数あいている焼成用蓋をかぶせ
て、窒素雰囲気のベルト炉で６９０℃で９０分間焼成す
る。
【０００９】（２）ＣｄＴｅ膜の形成 Ｃｄ粉末（５Ｎ）とＴｅ粉末（６Ｎ）を等モル量ずつ加
え、水とともにボールミルで１μｍ以下の粒径になるま
で粉砕する。乾燥後この微粉末に、適量のＣｄＣｌ2を
加え、プロピレングリコールを粘結剤として混練し、ペ
ーストを作製する。次にペーストをＣｄＳ膜上にスクリ
ーン印刷し、１２０℃で１時間乾燥後、ＣｄＳ膜と同様
に所定容器を用いて６００℃〜７００℃で１時間焼成
し、ＣｄＴｅ膜を得る。
え、水とともにボールミルで１μｍ以下の粒径になるま
で粉砕する。乾燥後この微粉末に、適量のＣｄＣｌ2を
加え、プロピレングリコールを粘結剤として混練し、ペ
ーストを作製する。次にペーストをＣｄＳ膜上にスクリ
ーン印刷し、１２０℃で１時間乾燥後、ＣｄＳ膜と同様
に所定容器を用いて６００℃〜７００℃で１時間焼成
し、ＣｄＴｅ膜を得る。
【００１０】（３）カーボン電極膜 ＣｄＴｅの電極には、ＣｕＯを微量に添加したＣペース
トを用いる。このＣペーストをＣｄＴｅ膜上に印刷後、
１２０℃で１時間乾燥し、微量の酸素を含む窒素雰囲気
中で４５０℃で熱処理を行い形成する。微量のＣｕＯは
ＣｄＴｅとの接触面をｐ+−ＣｄＴｅ層とし、良好なオ
ーミック接触を可能にする。
トを用いる。このＣペーストをＣｄＴｅ膜上に印刷後、
１２０℃で１時間乾燥し、微量の酸素を含む窒素雰囲気
中で４５０℃で熱処理を行い形成する。微量のＣｕＯは
ＣｄＴｅとの接触面をｐ+−ＣｄＴｅ層とし、良好なオ
ーミック接触を可能にする。
【００１１】（４）ＡｇＩｎ電極膜 ＣｄＳの電極には、Ｉｎを添加したＡｇペーストを用い
る。ＣｄＳ膜上にこのＡｇペーストを印刷後、２００℃
で１時間乾燥し、良好なオーミック接触を可能にする。
る。ＣｄＳ膜上にこのＡｇペーストを印刷後、２００℃
で１時間乾燥し、良好なオーミック接触を可能にする。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、スクリーン印
刷法では、ＣｄＴｅペーストおよびＣペーストの印刷、
乾燥時に、ペースト中の微細な粒子が大きく移動するた
め所定のパターン外にはみ出す。１枚の基板に多数の太
陽電池素子を直列接続する集積型の太陽電池の有効面積
率を大きくしようとする場合、これが太陽電池素子間の
ショートや電流の漏れを引き起こす原因となり、９０％
以上の有効発電面積率を達成することは困難である。ま
た太陽電池素子間を直列接続する場合、窓層とカーボン
層を導電材料で電気的に接続するが、ＣｄＴｅ焼成まで
の過程で窓層の表面に析出した不純物が、窓層と導電材
料とのオーミック接触の抵抗を高め、太陽電池の性能を
悪化させる原因となる。
刷法では、ＣｄＴｅペーストおよびＣペーストの印刷、
乾燥時に、ペースト中の微細な粒子が大きく移動するた
め所定のパターン外にはみ出す。１枚の基板に多数の太
陽電池素子を直列接続する集積型の太陽電池の有効面積
率を大きくしようとする場合、これが太陽電池素子間の
ショートや電流の漏れを引き起こす原因となり、９０％
以上の有効発電面積率を達成することは困難である。ま
た太陽電池素子間を直列接続する場合、窓層とカーボン
層を導電材料で電気的に接続するが、ＣｄＴｅ焼成まで
の過程で窓層の表面に析出した不純物が、窓層と導電材
料とのオーミック接触の抵抗を高め、太陽電池の性能を
悪化させる原因となる。
【００１３】本発明は、このような従来の課題を解決す
るもので、従来プロセスの特徴を有効に活用し、太陽電
池素子間のショートや電流の漏れを防ぐとともに、窓層
と導電材料とのオーミック接触を良好にすることにより
太陽電池素子間の抵抗を低くし、高い有効発電面積率が
可能な太陽電池の製造法を提供することを目的とする。
るもので、従来プロセスの特徴を有効に活用し、太陽電
池素子間のショートや電流の漏れを防ぐとともに、窓層
と導電材料とのオーミック接触を良好にすることにより
太陽電池素子間の抵抗を低くし、高い有効発電面積率が
可能な太陽電池の製造法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の太陽電池の製造法の第１の手段は、透光性
基板上に直列接続を行うために所定のパターンに分離し
て形成した窓層の上に、吸収層として少なくともＣｄＴ
ｅ膜を所定のパターンに分離して形成後、アクセプタ材
料およびオーミック電極としてカーボン膜（以下Ｃ膜と
いう）を所定のパターンに分離して形成し、Ｃ膜と窓層
を導電材料により直列接続を行い太陽電池を製造する方
法であって、Ｃ膜形成に際しＣ粉末と有機溶媒を主体と
するＣペーストを塗布後、ＣｄＴｅ膜とＣ膜が所定のパ
ターン外に、はみ出た部分および窓層の表面に析出した
不純物をレーザー光を用いて除去した後、乾燥、焼成す
る方法である。
め、本発明の太陽電池の製造法の第１の手段は、透光性
基板上に直列接続を行うために所定のパターンに分離し
て形成した窓層の上に、吸収層として少なくともＣｄＴ
ｅ膜を所定のパターンに分離して形成後、アクセプタ材
料およびオーミック電極としてカーボン膜（以下Ｃ膜と
いう）を所定のパターンに分離して形成し、Ｃ膜と窓層
を導電材料により直列接続を行い太陽電池を製造する方
法であって、Ｃ膜形成に際しＣ粉末と有機溶媒を主体と
するＣペーストを塗布後、ＣｄＴｅ膜とＣ膜が所定のパ
ターン外に、はみ出た部分および窓層の表面に析出した
不純物をレーザー光を用いて除去した後、乾燥、焼成す
る方法である。
【００１５】また第２の手段は、Ｃペーストを塗布乾燥
後に前記と同様にレーザー処理した後焼結を行い、所定
のパターン外に、はみ出た部分および窓層の表面に析出
した不純物をレーザー光を用いて除去した後、焼成する
方法である。
後に前記と同様にレーザー処理した後焼結を行い、所定
のパターン外に、はみ出た部分および窓層の表面に析出
した不純物をレーザー光を用いて除去した後、焼成する
方法である。
【００１６】
【作用】上記の方法によれば、太陽電池窓層のコンタク
ト面をレーザー処理することにより、ＣｄＴｅペースト
およびＣペーストが印刷、乾燥時に所定のパターン外に
はみ出し、太陽電池素子間のショートや電流の漏れを引
き起こすことを防ぎ、高い有効発電面積率を達成するこ
とを可能とし、さらに、窓層上のＣｄ，Ｔｅ，ＣｄＣｌ
2などを除去し、かつ窓層としてＣｄＳなどの多結晶半
導体を用いる場合、その結晶間の境界を改質し、窓層の
膜質自体を改善できる結果、太陽電池素子のコンタクト
抵抗の主要因である窓層とその電極膜であるＡｇＩｎ膜
の接触幅を大幅に短縮でき、高効率な太陽電池の製造を
可能とするものである。
ト面をレーザー処理することにより、ＣｄＴｅペースト
およびＣペーストが印刷、乾燥時に所定のパターン外に
はみ出し、太陽電池素子間のショートや電流の漏れを引
き起こすことを防ぎ、高い有効発電面積率を達成するこ
とを可能とし、さらに、窓層上のＣｄ，Ｔｅ，ＣｄＣｌ
2などを除去し、かつ窓層としてＣｄＳなどの多結晶半
導体を用いる場合、その結晶間の境界を改質し、窓層の
膜質自体を改善できる結果、太陽電池素子のコンタクト
抵抗の主要因である窓層とその電極膜であるＡｇＩｎ膜
の接触幅を大幅に短縮でき、高効率な太陽電池の製造を
可能とするものである。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例の太陽電池の製造法に
ついて図面を参照して説明する。
ついて図面を参照して説明する。
【００１８】図１に示すように、ガラス基板１、もしく
は透明電極を表面に形成したガラス基板（図示していな
い）上に窓層としてＣｄＳ膜２を形成し、前述した従来
の技術と全く同様の方法で順次ＣｄＴｅ膜３、およびＣ
膜、さらに、ＡｇＩｎ膜を形成する。基板サイズとして
通常３５ｃｍ×３５ｃｍ以上のガラスを用いており、Ｃ
ｄＳ膜２の面抵抗が２０〜１００Ω／ｃｍ2であり、単
セルのＣｄＳ膜２の幅を５ｍｍ以下にしないと効率が大
幅に低下するために直列接続する必要があり、また通常
太陽電池はバッテリーを充電するシステムが多く、その
ためにも直列接続する必要がある。図２にＣｄＳ膜２の
幅と効率に関しての相関を示す。
は透明電極を表面に形成したガラス基板（図示していな
い）上に窓層としてＣｄＳ膜２を形成し、前述した従来
の技術と全く同様の方法で順次ＣｄＴｅ膜３、およびＣ
膜、さらに、ＡｇＩｎ膜を形成する。基板サイズとして
通常３５ｃｍ×３５ｃｍ以上のガラスを用いており、Ｃ
ｄＳ膜２の面抵抗が２０〜１００Ω／ｃｍ2であり、単
セルのＣｄＳ膜２の幅を５ｍｍ以下にしないと効率が大
幅に低下するために直列接続する必要があり、また通常
太陽電池はバッテリーを充電するシステムが多く、その
ためにも直列接続する必要がある。図２にＣｄＳ膜２の
幅と効率に関しての相関を示す。
【００１９】ＣｄＴｅ膜３およびＣ膜４の形成法として
スクリーン印刷法が用いられているが、その印刷、乾燥
時にＣｄＴｅペーストおよびＣペーストが５０〜１００
μｍ程度所定のパターン外に、はみ出し、図３に示した
ようにＣｄＳコンタクト面６上に薄くＣｄＴｅ膜のはみ
出た部分７およびＣ膜のはみ出た部分８が形成されて、
Ｃ膜のはみ出た部分８がＣｄＳコンタクト面６に接触し
た場合、電流の漏れを引き起こし、ＣｄＳコンタクト面
６の両端のＣｄＴｅ膜のはみ出た部分７またはＣ膜のは
み出た部分８が接触した場合、素子間のショートとな
る。またＣｄＳコンタクト面６上にＣｄＴｅ膜３の焼成
時にもＣｄ，Ｔｅ，ＣｄＣｌ2もしくはＣｄＴｅの不純
物の再デポジット層９が生じ、きれいなＣｄＳコンタク
ト面６が得られず、ＣｄＳ膜２とその電極膜であるＡｇ
Ｉｎ膜５の接触幅１０を０．３ｍｍ以上設けないと良好
なコンタクトが得られない。
スクリーン印刷法が用いられているが、その印刷、乾燥
時にＣｄＴｅペーストおよびＣペーストが５０〜１００
μｍ程度所定のパターン外に、はみ出し、図３に示した
ようにＣｄＳコンタクト面６上に薄くＣｄＴｅ膜のはみ
出た部分７およびＣ膜のはみ出た部分８が形成されて、
Ｃ膜のはみ出た部分８がＣｄＳコンタクト面６に接触し
た場合、電流の漏れを引き起こし、ＣｄＳコンタクト面
６の両端のＣｄＴｅ膜のはみ出た部分７またはＣ膜のは
み出た部分８が接触した場合、素子間のショートとな
る。またＣｄＳコンタクト面６上にＣｄＴｅ膜３の焼成
時にもＣｄ，Ｔｅ，ＣｄＣｌ2もしくはＣｄＴｅの不純
物の再デポジット層９が生じ、きれいなＣｄＳコンタク
ト面６が得られず、ＣｄＳ膜２とその電極膜であるＡｇ
Ｉｎ膜５の接触幅１０を０．３ｍｍ以上設けないと良好
なコンタクトが得られない。
【００２０】上記の改善のため、図４に示すようにＣ膜
４を塗布後、または塗布、乾燥後ＣｄＳコンタクト面６
にＱスイッチ出力モードでＹＡＧレーザー処理を施し、
図３に示すＣｄＳコンタクト面６上の所定のパターン外
にはみ出したＣｄＴｅ膜のはみ出た部分７とＣ膜のはみ
出た部分８およびＣｄＴｅ膜３の焼成時にＣｄＳコンタ
クト面６上に析出した不純物の再デポジット層９を除去
する。つぎに周知の方法でＡｇＩｎ膜５を形成する。Ｃ
ｄＳコンタクト面６にＹＡＧレーザー処理を施すことに
より図５に示すようにＣｄＳコンタクト幅を０．３ｍｍ
より０．１ｍｍまで減少させても、従来のように抵抗が
大幅に増加し、ＦＦが大幅に減少することはなく、０．
１ｍｍのコンタクト幅で従来の０．３ｍｍとほぼ同等の
低抵抗なコンタクト抵抗を得ることができる。つまりコ
ンタクト幅の減少により、太陽電池の光を電気に変える
部分が増加し、かつセル接続部分が減少するため、有効
な受光面積を増加させることができ、その結果、光電変
換効率を改善することが可能となる。
４を塗布後、または塗布、乾燥後ＣｄＳコンタクト面６
にＱスイッチ出力モードでＹＡＧレーザー処理を施し、
図３に示すＣｄＳコンタクト面６上の所定のパターン外
にはみ出したＣｄＴｅ膜のはみ出た部分７とＣ膜のはみ
出た部分８およびＣｄＴｅ膜３の焼成時にＣｄＳコンタ
クト面６上に析出した不純物の再デポジット層９を除去
する。つぎに周知の方法でＡｇＩｎ膜５を形成する。Ｃ
ｄＳコンタクト面６にＹＡＧレーザー処理を施すことに
より図５に示すようにＣｄＳコンタクト幅を０．３ｍｍ
より０．１ｍｍまで減少させても、従来のように抵抗が
大幅に増加し、ＦＦが大幅に減少することはなく、０．
１ｍｍのコンタクト幅で従来の０．３ｍｍとほぼ同等の
低抵抗なコンタクト抵抗を得ることができる。つまりコ
ンタクト幅の減少により、太陽電池の光を電気に変える
部分が増加し、かつセル接続部分が減少するため、有効
な受光面積を増加させることができ、その結果、光電変
換効率を改善することが可能となる。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
太陽電池の製造法によれば、窓層としてＣｄＳ膜、光吸
収層としてＣｄＴｅ膜を形成し、ＣｄＴｅ膜のアクセプ
タとしてＣ膜を形成する太陽電池において、Ｃ膜を形成
後にＣｄＳコンタクト面にＱスイッチ出力モードでＹＡ
Ｇレーザー処理を施すことにより、ＣｄＴｅペーストお
よびＣペーストが印刷、乾燥時に所定のパターン外には
み出した部分を除去することにより太陽電池素子間のシ
ョートや電流の漏れを引き起こすことを防ぎ、高い有効
発電面積率を達成することを可能とし、さらにＣｄＳコ
ンタクト面上のＣｄ，Ｔｅ，ＣｄＣｌ2などの不純物を
除去し、かつ窓層としてＣｄＳなどの多結晶半導体を用
いる場合、その結晶間の境界を改質し、窓層の膜質自体
を改善できる結果、太陽電池素子のコンタクト抵抗の主
要因である窓層とその電極膜であるＡｇＩｎ膜の接触幅
を大幅に短縮でき、高効率な太陽電池作製を可能とする
ものである。
太陽電池の製造法によれば、窓層としてＣｄＳ膜、光吸
収層としてＣｄＴｅ膜を形成し、ＣｄＴｅ膜のアクセプ
タとしてＣ膜を形成する太陽電池において、Ｃ膜を形成
後にＣｄＳコンタクト面にＱスイッチ出力モードでＹＡ
Ｇレーザー処理を施すことにより、ＣｄＴｅペーストお
よびＣペーストが印刷、乾燥時に所定のパターン外には
み出した部分を除去することにより太陽電池素子間のシ
ョートや電流の漏れを引き起こすことを防ぎ、高い有効
発電面積率を達成することを可能とし、さらにＣｄＳコ
ンタクト面上のＣｄ，Ｔｅ，ＣｄＣｌ2などの不純物を
除去し、かつ窓層としてＣｄＳなどの多結晶半導体を用
いる場合、その結晶間の境界を改質し、窓層の膜質自体
を改善できる結果、太陽電池素子のコンタクト抵抗の主
要因である窓層とその電極膜であるＡｇＩｎ膜の接触幅
を大幅に短縮でき、高効率な太陽電池作製を可能とする
ものである。
【図１】本発明の一実施例の太陽電池の製造法における
ＣｄＳ膜／ＣｄＴｅ膜／Ｃ膜／ＡｇＩｎ膜形成後の太陽
電池セルの断面図
ＣｄＳ膜／ＣｄＴｅ膜／Ｃ膜／ＡｇＩｎ膜形成後の太陽
電池セルの断面図
【図２】本発明の一実施例の太陽電池の製造法における
ＣｄＳ膜幅に対する太陽電池の光電変換効率の相関を示
すグラフ
ＣｄＳ膜幅に対する太陽電池の光電変換効率の相関を示
すグラフ
【図３】本発明の一実施例の太陽電池の製造法における
ＣｄＳ膜／ＣｄＴｅ膜／Ｃ膜／ＡｇＩｎ膜形成後のＹＡ
Ｇレーザー処理前の太陽電池セルのＣｄＳコンタクト面
の太陽電池セルの断面図
ＣｄＳ膜／ＣｄＴｅ膜／Ｃ膜／ＡｇＩｎ膜形成後のＹＡ
Ｇレーザー処理前の太陽電池セルのＣｄＳコンタクト面
の太陽電池セルの断面図
【図４】本発明の一実施例の太陽電池の製造法における
太陽電池セルのＣｄＳコンタクト面のレーザー処理後の
太陽電池セルの断面図
太陽電池セルのＣｄＳコンタクト面のレーザー処理後の
太陽電池セルの断面図
【図５】本発明の一実施例の太陽電池の製造法における
ＣｄＳ膜とＡｇＩｎ膜の接触幅に対する有効面積率およ
び変換効率の相関を示すグラフ
ＣｄＳ膜とＡｇＩｎ膜の接触幅に対する有効面積率およ
び変換効率の相関を示すグラフ
１ ガラス基板 ２ ＣｄＳ膜（窓層） ３ ＣｄＴｅ膜 ４ Ｃ膜 ５ ＡｇＩｎ膜 ６ ＣｄＳコンタクト面 ７ ＣｄＴｅ膜のはみ出た部分 ８ Ｃ膜のはみ出た部分 ９ 再デポジット層 １０ ＣｄＳ膜とＡｇＩｎ膜の接触幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 室園 幹夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 透光性基板上に直列接続を行うために所
定のパターンに分離して形成した窓層の上に、吸収層と
して少なくともテルル化カドミウム膜を所定のパターン
に分離して形成後、アクセプタ材料およびオーミック電
極としてカーボン膜を所定のパターンに分離して形成
し、前記カーボン膜と窓層を導電材料により直列接続を
行う太陽電池の製造法であって、前記カーボン膜の形成
に際しカーボン粉末と有機溶媒を主体とするカーボンペ
ーストを塗布後、前記テルル化カドミウム膜とカーボン
膜が所定のパターン外に、はみ出た部分および前記窓層
の表面に析出した不純物をレーザー光を用いて除去した
後、乾燥、焼成する太陽電池の製造法。 - 【請求項２】 透光性基板上に直列接続を行うために所
定のパターンに分離して形成した窓層の上に、吸収層と
して少なくともテルル化カドミウム膜を所定のパターン
に分離して形成後、アクセプタ材料およびオーミック電
極としてカーボン膜を所定のパターンに分離して形成
し、前記カーボン膜と窓層を導電材料により直列接続を
行う太陽電池の製造法であって、前記カーボン膜の形成
に際しカーボン粉末と有機溶媒を主体とするカーボンペ
ーストを塗布、乾燥後、前記テルル化カドミウム膜とカ
ーボン膜が所定のパターン外に、はみ出た部分および前
記窓層の表面に析出した不純物をレーザー光を用いて除
去した後、焼成する太陽電池の製造法。 - 【請求項３】 窓層が硫化カドミウム膜のみからなる請
求項１または２記載の太陽電池の製造法。 - 【請求項４】 窓層が透明導電膜と硫化カドミウム膜の
２層からなる請求項１または２記載の太陽電池の製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154707A JPH0730134A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 太陽電池の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154707A JPH0730134A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 太陽電池の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730134A true JPH0730134A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15590202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5154707A Pending JPH0730134A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 太陽電池の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730134A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7488788B2 (en) | 2003-05-13 | 2009-02-10 | Asahi Glass Company, Limited | Electrolyte polymer for polymer electrolyte fuel cells, process for its production and membrane-electrode assembly |
| US7671493B2 (en) | 2007-03-09 | 2010-03-02 | Sony Corporation | Vibration assembly, input device using the vibration assembly, and electronic equipment using the input device |
| US7838167B2 (en) | 2004-08-18 | 2010-11-23 | Asahi Glass Company, Limited | Electrolyte polymer for fuel cells, process for its production, electrolyte membrane and membrane/electrode assembly |
| US8876350B2 (en) | 2009-05-20 | 2014-11-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light source device and display device provided with same |
| WO2019003265A1 (ja) | 2017-06-26 | 2019-01-03 | 三井・デュポンフロロケミカル株式会社 | フッ素樹脂成形体 |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP5154707A patent/JPH0730134A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7488788B2 (en) | 2003-05-13 | 2009-02-10 | Asahi Glass Company, Limited | Electrolyte polymer for polymer electrolyte fuel cells, process for its production and membrane-electrode assembly |
| US7838167B2 (en) | 2004-08-18 | 2010-11-23 | Asahi Glass Company, Limited | Electrolyte polymer for fuel cells, process for its production, electrolyte membrane and membrane/electrode assembly |
| US7671493B2 (en) | 2007-03-09 | 2010-03-02 | Sony Corporation | Vibration assembly, input device using the vibration assembly, and electronic equipment using the input device |
| US8876350B2 (en) | 2009-05-20 | 2014-11-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light source device and display device provided with same |
| WO2019003265A1 (ja) | 2017-06-26 | 2019-01-03 | 三井・デュポンフロロケミカル株式会社 | フッ素樹脂成形体 |
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