JPH0727244B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH0727244B2 JPH0727244B2 JP62044654A JP4465487A JPH0727244B2 JP H0727244 B2 JPH0727244 B2 JP H0727244B2 JP 62044654 A JP62044654 A JP 62044654A JP 4465487 A JP4465487 A JP 4465487A JP H0727244 B2 JPH0727244 B2 JP H0727244B2
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- JP
- Japan
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- group
- electrophotographic
- general formula
- electrophotographic photosensitive
- hydrogen atom
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0666—Dyes containing a methine or polymethine group
- G03G5/0668—Dyes containing a methine or polymethine group containing only one methine or polymethine group
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は，電子写真感光体に関し，更に詳細に言えば，
優れた露光感光特性，波長特性を有する電子写真感光体
に関する。
優れた露光感光特性，波長特性を有する電子写真感光体
に関する。
（従来の技術） 従来，電子写真感光体の感光体としては，セレン，セレ
ン合金，酸化亜鉛，硫化カドミウムおよびテルルなどの
無機光導電体を用いたものが主として使用されて来た。
近年，半導体レーザーの発展は目覚ましく，小型で安定
したレーザー発振器が安価に入手出来るようになり，電
子写真用光源として用いられ始めている。しかし，これ
らの装置に短波長光を発振する半導体レーザーを用いる
のは，寿命，出力等を考えれば問題が多い。従って，従
来用いられて来た短波長領域に感度を持つ材料を半導体
レーザー用に使うには不適当であり，長波長領域（780n
m以上）に高感度を持つ材料を研究する必要が生じて来
た。最近は有機系の材料，特に長波長領域に感度を持つ
ことが期待されるフタロシアニンを使用し，これを積層
した積層型有機感光体の研究が盛んに行なわれている。
長波長領域に高感度を持つフタロシアニン（Pc）系材料
としては，既に，ε型銅フタロシアニン（ε−CuPc）,X
型無金属フタロシアニン（Ｘ−H2Pc）およびτ型無金属
フタロシアニン（τ−H2Pc）が公知であるが，従来の電
荷移動剤と組み合わせて形成された電子写真感光体は，
感度，繰り返し使用時の安定性およびフォトメモリー性
等に問題があり，実際に使用する場合充分とは言えない
レベルであった。
ン合金，酸化亜鉛，硫化カドミウムおよびテルルなどの
無機光導電体を用いたものが主として使用されて来た。
近年，半導体レーザーの発展は目覚ましく，小型で安定
したレーザー発振器が安価に入手出来るようになり，電
子写真用光源として用いられ始めている。しかし，これ
らの装置に短波長光を発振する半導体レーザーを用いる
のは，寿命，出力等を考えれば問題が多い。従って，従
来用いられて来た短波長領域に感度を持つ材料を半導体
レーザー用に使うには不適当であり，長波長領域（780n
m以上）に高感度を持つ材料を研究する必要が生じて来
た。最近は有機系の材料，特に長波長領域に感度を持つ
ことが期待されるフタロシアニンを使用し，これを積層
した積層型有機感光体の研究が盛んに行なわれている。
長波長領域に高感度を持つフタロシアニン（Pc）系材料
としては，既に，ε型銅フタロシアニン（ε−CuPc）,X
型無金属フタロシアニン（Ｘ−H2Pc）およびτ型無金属
フタロシアニン（τ−H2Pc）が公知であるが，従来の電
荷移動剤と組み合わせて形成された電子写真感光体は，
感度，繰り返し使用時の安定性およびフォトメモリー性
等に問題があり，実際に使用する場合充分とは言えない
レベルであった。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明の目的は，優れた露光感度特性,780nm以上の長波
長領域に高感度，繰り返し使用時に安定で，フォトメモ
リー性の良好である電子写真感光体を得ることにある。
長領域に高感度，繰り返し使用時に安定で，フォトメモ
リー性の良好である電子写真感光体を得ることにある。
（問題点を解決するための手段および作用） 上記の目的は，導電性支持体上に，電荷発生剤として一
般式〔Ｉ〕で示されるチタンフタロシアニン系化合物を
使用し，電荷移動剤として一般式〔II〕で示される化合
物を使用することを特徴とする本発明の電子写真感光体
により達成される。
般式〔Ｉ〕で示されるチタンフタロシアニン系化合物を
使用し，電荷移動剤として一般式〔II〕で示される化合
物を使用することを特徴とする本発明の電子写真感光体
により達成される。
本発明で使用するチタンフタロシアニン系化合物は，モ
ーザーおよびトーマスの「フタロシアニン化合物」（Mo
ser and Thomas"Phthalocyanine Compounds"）記載の方
法,USP3825422号，特開昭59−49544号，特開昭59−1669
59号，特開昭61−109056号，特開昭61−171771号，特開
昭61−217050号および特開昭61−239248号公報記載の方
法やその他の公知方法により製造されたものでも良い。
チタンフタロシアニン系化合物は，一般式〔Ｉ〕で表さ
れるが，フタロシアニンの中心核にチタニウムが配位し
たものであれば，いずれの結晶状態，置換基を有しても
良い。また,X線回折図は置換基の種類や数により影響を
受けず，結晶状態により差異が出ずる。
ーザーおよびトーマスの「フタロシアニン化合物」（Mo
ser and Thomas"Phthalocyanine Compounds"）記載の方
法,USP3825422号，特開昭59−49544号，特開昭59−1669
59号，特開昭61−109056号，特開昭61−171771号，特開
昭61−217050号および特開昭61−239248号公報記載の方
法やその他の公知方法により製造されたものでも良い。
チタンフタロシアニン系化合物は，一般式〔Ｉ〕で表さ
れるが，フタロシアニンの中心核にチタニウムが配位し
たものであれば，いずれの結晶状態，置換基を有しても
良い。また,X線回折図は置換基の種類や数により影響を
受けず，結晶状態により差異が出ずる。
（式中,R1はハロゲン原子，酸素原子，アルコキシ基を
表し,R2,R3,R4およびR5は，水素原子，ハロゲン原子，
アルキル基，アルコキシ基，アリール基，アリールオキ
シ基，ニトロ基，シアノ基，水酸基，ベンジルオキシ
基，アミノ基等の置換基を表し,jは１または２の整数,
k,l,mおよびｎは０〜４の整数を表す。） 電荷移動剤は，一般式〔II〕で示される化合物である。
表し,R2,R3,R4およびR5は，水素原子，ハロゲン原子，
アルキル基，アルコキシ基，アリール基，アリールオキ
シ基，ニトロ基，シアノ基，水酸基，ベンジルオキシ
基，アミノ基等の置換基を表し,jは１または２の整数,
k,l,mおよびｎは０〜４の整数を表す。） 電荷移動剤は，一般式〔II〕で示される化合物である。
（式中,R6,R7は，水素原子，アルキル基，アルコキシ
基，アリール基であり,R8,R9,R10は水素原子または−NR
6（R7）基を示し,nは０または１である。） 一般式〔II〕の特に好ましい例としては,R6,R7がともに
エチル基であり,R8〜R10が水素原子である化合物，ある
いはR8〜R10のいずれかが−NC2H5（C2H5）である化合物
である。
基，アリール基であり,R8,R9,R10は水素原子または−NR
6（R7）基を示し,nは０または１である。） 一般式〔II〕の特に好ましい例としては,R6,R7がともに
エチル基であり,R8〜R10が水素原子である化合物，ある
いはR8〜R10のいずれかが−NC2H5（C2H5）である化合物
である。
感光体は，導電性基板上に，下引き層，電荷発生層，電
荷移動層の順に積層されたものが，高感度であるため望
ましいが，下引き層，電荷移動層，電荷発生層の順で積
層されたもの，下引き層上に電荷発生剤と電荷移動剤と
を適当な樹脂で分散して単層塗布されたものでも良い。
荷移動層の順に積層されたものが，高感度であるため望
ましいが，下引き層，電荷移動層，電荷発生層の順で積
層されたもの，下引き層上に電荷発生剤と電荷移動剤と
を適当な樹脂で分散して単層塗布されたものでも良い。
また，必要に応じて下引き層を除いたもの，樹脂または
無機化合物で最上層にオーバーコート層を設けたもので
も良い。
無機化合物で最上層にオーバーコート層を設けたもので
も良い。
電荷発生層は，蒸着法または分散塗工法により形成され
る。
る。
蒸着は,400℃〜600℃の温度範囲で10-5〜10-6Torrの真
空下で行われる。分散塗工は，樹脂なしで，あるいは接
着性向上などの目的で，適当な樹脂溶液中にチタンフタ
ロシアニン系化合物を分散した塗液を使用して行われ
る。塗工は，スピンコーター，アプリケーター，浸漬コ
ーターおよびスプレーコーター等の装置を用いて行い，
乾燥は，望ましくは加熱乾燥で40〜200℃,10分〜６時間
の範囲で静止または送風条件下で行なう。乾燥後膜厚は
0.01から５ミクロン，望ましくは0.1から１ミクロンに
なるように塗工される。
空下で行われる。分散塗工は，樹脂なしで，あるいは接
着性向上などの目的で，適当な樹脂溶液中にチタンフタ
ロシアニン系化合物を分散した塗液を使用して行われ
る。塗工は，スピンコーター，アプリケーター，浸漬コ
ーターおよびスプレーコーター等の装置を用いて行い，
乾燥は，望ましくは加熱乾燥で40〜200℃,10分〜６時間
の範囲で静止または送風条件下で行なう。乾燥後膜厚は
0.01から５ミクロン，望ましくは0.1から１ミクロンに
なるように塗工される。
電荷発生層を塗工によって形成する際に用いうるバイン
ダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき，ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾール，ポリビニルアントラセンやポリ
ビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーも使用出来
る。好ましくは，ポリビニルブチラール，ポリエステ
ル，ポリカーボネート，ポリメチルメタクリレート，ア
クリル，シリコン，ウレタン，エポキシ，フェノキシ，
塩化ビニル，塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体等の樹脂
が使用されるが，絶縁性樹脂であれば，いずれのもので
も良い。電荷発生層中に含有する樹脂は，電荷発生剤に
対して,100重量％以下，好ましくは40重量％以下が適し
ている。また，これらの樹脂は,1種または２種以上組み
合わせても良く，必要に応じて，熱硬化性樹脂を架橋す
る目的でイソシアネート，メラミン樹脂などの架橋用樹
脂を添加して使用することも可能である。
ダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき，ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾール，ポリビニルアントラセンやポリ
ビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーも使用出来
る。好ましくは，ポリビニルブチラール，ポリエステ
ル，ポリカーボネート，ポリメチルメタクリレート，ア
クリル，シリコン，ウレタン，エポキシ，フェノキシ，
塩化ビニル，塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体等の樹脂
が使用されるが，絶縁性樹脂であれば，いずれのもので
も良い。電荷発生層中に含有する樹脂は，電荷発生剤に
対して,100重量％以下，好ましくは40重量％以下が適し
ている。また，これらの樹脂は,1種または２種以上組み
合わせても良く，必要に応じて，熱硬化性樹脂を架橋す
る目的でイソシアネート，メラミン樹脂などの架橋用樹
脂を添加して使用することも可能である。
使用する溶剤は，樹脂の種類により異なり，後述する電
荷移動層や下引き層に，悪影響を及ぼさないものが選択
される。具体的にはベンゼン，キシレン，リグロイン，
モノクロルベンゼン，ジクロルベンゼンなどの芳香族炭
化水素，アセトン，メチルエチルケトン，シクロヘキサ
ノンなどのケトン類，メタノール，エタノール，イソプ
ロパノールなどのアルコール類，酢酸エチル，メチルセ
ロソルブ，などのエステル類，四塩化炭素，クロロホル
ム，ジクロルメタン，ジクロルエタン，トリクロルエチ
レンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類，テトラヒドロ
フラン，ジオキサン，エチレングリコールモノメチルエ
ーテルなどのエーテル類,N,N−ジメチルホルムアミド,
N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類，およびジ
メチルスルホキシドなどのスルホキシド類が用いられ
る。
荷移動層や下引き層に，悪影響を及ぼさないものが選択
される。具体的にはベンゼン，キシレン，リグロイン，
モノクロルベンゼン，ジクロルベンゼンなどの芳香族炭
化水素，アセトン，メチルエチルケトン，シクロヘキサ
ノンなどのケトン類，メタノール，エタノール，イソプ
ロパノールなどのアルコール類，酢酸エチル，メチルセ
ロソルブ，などのエステル類，四塩化炭素，クロロホル
ム，ジクロルメタン，ジクロルエタン，トリクロルエチ
レンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類，テトラヒドロ
フラン，ジオキサン，エチレングリコールモノメチルエ
ーテルなどのエーテル類,N,N−ジメチルホルムアミド,
N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類，およびジ
メチルスルホキシドなどのスルホキシド類が用いられ
る。
電荷移動層は，電荷移動剤を単体または接着剤樹脂と共
に適切な溶剤に溶解分散して塗工形成される。電荷移動
剤は，一般式〔II〕で示される化合物を使用する。電荷
移動層に用いられる樹脂は，電荷発生層で使用される樹
脂として挙げたものの中から選択される。塗工は，スピ
ンコーター，アプリケーター，浸漬コーターおよびスプ
レーコーター等の装置を用いて行い，乾燥後の膜厚は,5
から50μm,望ましくは,10〜20μｍが良い。
に適切な溶剤に溶解分散して塗工形成される。電荷移動
剤は，一般式〔II〕で示される化合物を使用する。電荷
移動層に用いられる樹脂は，電荷発生層で使用される樹
脂として挙げたものの中から選択される。塗工は，スピ
ンコーター，アプリケーター，浸漬コーターおよびスプ
レーコーター等の装置を用いて行い，乾燥後の膜厚は,5
から50μm,望ましくは,10〜20μｍが良い。
樹脂と一般式〔II〕の化合物との配合割合は，樹脂100
重量部当たり，一般式〔II〕の化合物を10〜500重量部
とすることが好ましい。また，これらの樹脂は,1種また
は２種以上組み合わせて用いても良い。
重量部当たり，一般式〔II〕の化合物を10〜500重量部
とすることが好ましい。また，これらの樹脂は,1種また
は２種以上組み合わせて用いても良い。
また，本発明の電荷移動層を形成させる際に使用する溶
剤は多数の有用な有機溶剤を包含している。例えば，ベ
ンゼン，トルエン，キシレン，クロルベンゼン，ナフタ
リンなどの芳香族炭化水素類，アセトン２−ブタノンな
どのケトン類，塩化メチレン，塩化エチレン，クロロホ
ルムなどのハロゲン化脂肪族炭化水素類，テトラヒドロ
フラン,1,4−ジオキサン，エチルエーテルなどの環状，
もしくは直鎖状のエーテル類など，あるいはこれらの混
合溶剤を挙げることが出来る。
剤は多数の有用な有機溶剤を包含している。例えば，ベ
ンゼン，トルエン，キシレン，クロルベンゼン，ナフタ
リンなどの芳香族炭化水素類，アセトン２−ブタノンな
どのケトン類，塩化メチレン，塩化エチレン，クロロホ
ルムなどのハロゲン化脂肪族炭化水素類，テトラヒドロ
フラン,1,4−ジオキサン，エチルエーテルなどの環状，
もしくは直鎖状のエーテル類など，あるいはこれらの混
合溶剤を挙げることが出来る。
これらの各層に加えて，帯電安定性や接着性向上の目的
で，下引き層を導電性基板上に設けることが出来る。下
引き層としては，ナイロン，共重合ナイロン，アルコキ
シメチル化ナイロンなどのポリアミド樹脂，カゼイン，
ポリビニルアルコール，ゼラチン，ポリビニルブチラー
ル等の樹脂，酸化アルミニウムなどの無機化合物，およ
び導電性基板自身を酸化処理などにより絶縁性付与した
ものがある。また，酸化亜鉛や酸化チタンなどの金属酸
化物やカーボンブラック，炭化ケイ素および窒化ケイ素
などの導電性および誘電性粒子を脂肪中に含有させて下
引き層の導電性を調整することも出来る。膜厚は0.01か
ら50μm,望ましくは0.1から１μｍが良い。
で，下引き層を導電性基板上に設けることが出来る。下
引き層としては，ナイロン，共重合ナイロン，アルコキ
シメチル化ナイロンなどのポリアミド樹脂，カゼイン，
ポリビニルアルコール，ゼラチン，ポリビニルブチラー
ル等の樹脂，酸化アルミニウムなどの無機化合物，およ
び導電性基板自身を酸化処理などにより絶縁性付与した
ものがある。また，酸化亜鉛や酸化チタンなどの金属酸
化物やカーボンブラック，炭化ケイ素および窒化ケイ素
などの導電性および誘電性粒子を脂肪中に含有させて下
引き層の導電性を調整することも出来る。膜厚は0.01か
ら50μm,望ましくは0.1から１μｍが良い。
本発明の電子写真感光体に用いる支持体としては，導電
性が付与されていれば何れのものでも良く，従来使われ
ている何れのタイプの導電層であってもさしつかえな
い。具体的には，アルミニウム，銅，ステンレス，鉄，
真ちゅう，スズおよびニッケルなどの金属や，それら金
属を用いて紙，プラスチック，ポリエチレンテレフタレ
ート（PET）などの高分子フィルム上に蒸着またはラミ
ネート等の処理を行い，導電性を持たせた物であっても
良い。また，その型状についてはシート状あるいはシリ
ンダー状，その他のものであっても差しつかえない。
性が付与されていれば何れのものでも良く，従来使われ
ている何れのタイプの導電層であってもさしつかえな
い。具体的には，アルミニウム，銅，ステンレス，鉄，
真ちゅう，スズおよびニッケルなどの金属や，それら金
属を用いて紙，プラスチック，ポリエチレンテレフタレ
ート（PET）などの高分子フィルム上に蒸着またはラミ
ネート等の処理を行い，導電性を持たせた物であっても
良い。また，その型状についてはシート状あるいはシリ
ンダー状，その他のものであっても差しつかえない。
プリンター用のデジタル光源として,LEDも実用化されて
いる。
いる。
可視光領域のLEDも使われているが，一般に実用化され
ているものは,650nm以上，標準的には660nmの発振波長
を持っている。当該電子写真感光体は,650nm前後に分光
感度ピークを持つため,LED用材料としても有効である。
ているものは,650nm以上，標準的には660nmの発振波長
を持っている。当該電子写真感光体は,650nm前後に分光
感度ピークを持つため,LED用材料としても有効である。
以下，本発明の実施例について具体的に説明する。例中
で部とは重量部を示す。
で部とは重量部を示す。
実施例 １〜21 共重合ナイロン（東レ製アミランCM−8000）10部をエタ
ノール190部とともにボールミルで３時間混合し，溶解
させた塗液を，ポリエチレンテレフタレート（PET）フ
ィルム上にアルミニウムを蒸着したシート上に，ワイヤ
ーバーで塗布した後,100℃で１時間乾燥させて膜厚0.5
ミクロンの下引き層を持つシートを得た。
ノール190部とともにボールミルで３時間混合し，溶解
させた塗液を，ポリエチレンテレフタレート（PET）フ
ィルム上にアルミニウムを蒸着したシート上に，ワイヤ
ーバーで塗布した後,100℃で１時間乾燥させて膜厚0.5
ミクロンの下引き層を持つシートを得た。
次に，第１表に示すチタンフタロシアニン系化合物の例
示化合物を電荷発生剤として使用した。
示化合物を電荷発生剤として使用した。
第１表に示す，チタンフタロシアニン系化合物のＸ線回
折図（ａ）〜（ｇ）は，第１図に載げたものであり，結
晶パターンは化学式によるものではない。
折図（ａ）〜（ｇ）は，第１図に載げたものであり，結
晶パターンは化学式によるものではない。
本実施例１〜21のチタンフタロシアニン系化合物２部を
ジオキサン97部に塩ビ−酢ビ共重合樹脂１部（ユニオン
カーバイド社製VMCH）を溶解した樹脂液とともにボール
ミルで２時間分散した。
ジオキサン97部に塩ビ−酢ビ共重合樹脂１部（ユニオン
カーバイド社製VMCH）を溶解した樹脂液とともにボール
ミルで２時間分散した。
この分散液を下引き層上に塗布し,100℃で１時間乾燥し
た後,0.2μｍの電荷発生層を形成する。次に電荷移動剤
として，一般式〔II〕の化合物の例示化合物（II−ａ）
１部，ポリカーボネート樹脂（帝人化成（株）製パンラ
イトＬ−1250）１部を塩化メチレン８部で混合溶解し
た。この液を電荷発生層上に塗布し,50℃で１時間乾燥
した後,15μの電荷移動層を形成して電子写真感光体を
得た。
た後,0.2μｍの電荷発生層を形成する。次に電荷移動剤
として，一般式〔II〕の化合物の例示化合物（II−ａ）
１部，ポリカーボネート樹脂（帝人化成（株）製パンラ
イトＬ−1250）１部を塩化メチレン８部で混合溶解し
た。この液を電荷発生層上に塗布し,50℃で１時間乾燥
した後,15μの電荷移動層を形成して電子写真感光体を
得た。
感光体の電子写真特性は，下記の方法で測定した。
静電複写紙試験装置SP−428（川口電機製）により，ス
タティックモード2,コロナ帯電は−5.2KVで，表面電位
および5luxの白色光を照射して，帯電量が1/2および1/5
まで減少する時間から白色光半減露光量感度（E1/2およ
びE1/5）を調べた。また，繰り返し特性の評価は，−5.
2KV,コロナ線速度120mm/secの条件で帯電,2秒間暗所に
放置,5luxで３秒間露光の順で繰り返し，初期表面電位
（V0）,2秒間暗所に放置後の電位（V2）,5luxで３秒間
露光後の残留電位（VR3），感度（E1/2,E1/5）の変化を
測定した。
タティックモード2,コロナ帯電は−5.2KVで，表面電位
および5luxの白色光を照射して，帯電量が1/2および1/5
まで減少する時間から白色光半減露光量感度（E1/2およ
びE1/5）を調べた。また，繰り返し特性の評価は，−5.
2KV,コロナ線速度120mm/secの条件で帯電,2秒間暗所に
放置,5luxで３秒間露光の順で繰り返し，初期表面電位
（V0）,2秒間暗所に放置後の電位（V2）,5luxで３秒間
露光後の残留電位（VR3），感度（E1/2,E1/5）の変化を
測定した。
フォトメモリー性（PM）は，本感光体を600luxの白色光
下で３分間放置した後に，暗所に１分間放置して，再び
同一条件で静電特性を測定する。そこで,600lux照射前
の感光体の帯電電位と照射後の帯電電位の変化を，フォ
トメモリー（PM）とした。従って，フォトメモリー（P
M）は次式で示される。
下で３分間放置した後に，暗所に１分間放置して，再び
同一条件で静電特性を測定する。そこで,600lux照射前
の感光体の帯電電位と照射後の帯電電位の変化を，フォ
トメモリー（PM）とした。従って，フォトメモリー（P
M）は次式で示される。
PM＝強照度（600lux）露光前の表面電位−強照度露光後
の表面電位 第２表に示した結果より，本実施例により得られた電子
写真感光体は，感度が優れ，残留電位も少なく,10000回
の繰り返し試験後も，初期の特性とほとんど変わらない
極めて良好な結果が得られた。また，フォトメモリー
（PM）も小さく，照射光に対して安定な感光体であるこ
とがわかる。
の表面電位 第２表に示した結果より，本実施例により得られた電子
写真感光体は，感度が優れ，残留電位も少なく,10000回
の繰り返し試験後も，初期の特性とほとんど変わらない
極めて良好な結果が得られた。また，フォトメモリー
（PM）も小さく，照射光に対して安定な感光体であるこ
とがわかる。
実施例 22〜28 第３表に示したチタンフタロシアニン系化合物の例示化
合物を使い蒸着法で電荷発生層を形成した。チタンフタ
ロシアニン系化合物10部を10-5Torrの真空条件下で450
℃に加熱昇華させ，冷却した基板上に析出させて9.5部
の結晶を得た。実施例１〜21と同条件で形成した下引き
層を有するPETフィルム上に,10-5Torrの真空条件下,550
℃で0.15μｍの幕厚の電荷発生層を得た。その上に，実
施例１〜21と同条件で電荷移動層を作成し，電子写真特
性を測定した。
合物を使い蒸着法で電荷発生層を形成した。チタンフタ
ロシアニン系化合物10部を10-5Torrの真空条件下で450
℃に加熱昇華させ，冷却した基板上に析出させて9.5部
の結晶を得た。実施例１〜21と同条件で形成した下引き
層を有するPETフィルム上に,10-5Torrの真空条件下,550
℃で0.15μｍの幕厚の電荷発生層を得た。その上に，実
施例１〜21と同条件で電荷移動層を作成し，電子写真特
性を測定した。
第４表の結果より，蒸着法で得られた電荷発生層を有す
る電子写真感光体においても，一般式〔II〕で示される
電荷移動剤と組み合わせることにより，極めて良好な結
果が得られた。また，フォトメモリー（PM）も小さく，
照射光に対して安定な感光体であることがわかる。
る電子写真感光体においても，一般式〔II〕で示される
電荷移動剤と組み合わせることにより，極めて良好な結
果が得られた。また，フォトメモリー（PM）も小さく，
照射光に対して安定な感光体であることがわかる。
比較例 １〜４ 実施例１〜28で用いた，例示化合物（II−ａ）に代え
て，第５表に示す電荷移動剤を使用し，第５表に示す条
件の他は，実施例１〜28と同条件で感光体を作成し，電
子写真特性を比較した。結果を第６表に示す。
て，第５表に示す電荷移動剤を使用し，第５表に示す条
件の他は，実施例１〜28と同条件で感光体を作成し，電
子写真特性を比較した。結果を第６表に示す。
比較例１〜４の結果を実施例と比較すると，残留電位が
高く，感度も劣り，繰り返しでの安定性も不足してい
る。また，フォトメモリーも大きく光照射により表面電
位が大きく低下している。
高く，感度も劣り，繰り返しでの安定性も不足してい
る。また，フォトメモリーも大きく光照射により表面電
位が大きく低下している。
フォトメモリーとは，電子写真感光体に強い光を照射し
た場合，その後の帯電，露光プロセスで生ずる感光体表
面の保持電位が，光照射以前に比べて大きく変動してし
まう現象である。その光の強度によっては，一時的な場
合もあり，永久に回復しない場合もある。従って，フォ
トメモリー性が小さいと感光体の取り扱い時に，照射光
や自然光にさらしても帯電性が安定しているために，実
際に複写機およびプリンター等で使用する場合，極めて
安定した電子写真特性が得られる。それにより画像的に
も安定した良質の画像が得られる利点がある。
た場合，その後の帯電，露光プロセスで生ずる感光体表
面の保持電位が，光照射以前に比べて大きく変動してし
まう現象である。その光の強度によっては，一時的な場
合もあり，永久に回復しない場合もある。従って，フォ
トメモリー性が小さいと感光体の取り扱い時に，照射光
や自然光にさらしても帯電性が安定しているために，実
際に複写機およびプリンター等で使用する場合，極めて
安定した電子写真特性が得られる。それにより画像的に
も安定した良質の画像が得られる利点がある。
本発明の電子写真感光体は，高感度，繰り返し使用時に
安定であり，フォトメモリー性が良好であるばかりでな
く，安定した良質の画像を得ることが出来た。
安定であり，フォトメモリー性が良好であるばかりでな
く，安定した良質の画像を得ることが出来た。
（発明の効果） 本発明により高感度および繰り返し使用時に安定であ
り，フォトメモリー性の良好な，安定した良質の画像を
提供する電子写真感光体が得られた。
り，フォトメモリー性の良好な，安定した良質の画像を
提供する電子写真感光体が得られた。
第１図は，実施例１〜28および比較例１〜４で使用した
チタンフタロシアニン系化合物のＸ線回折図である。
チタンフタロシアニン系化合物のＸ線回折図である。
Claims (4)
- 【請求項１】導電性支持体上に，電荷発生剤および電荷
移動剤を使用してなる電子写真感光体において，電荷発
生剤が一般式〔Ｉ〕で示されるチタンフタロシアニン系
化合物であり電荷移動剤が一般式〔II〕で示される化合
物であることを特徴とする電子写真感光体。 （式中,R1はハロゲン原子，酸素原子，アルコキシ基を
表し,R2,R3,R4およびR5は，水素原子，ハロゲン原子，
アルキル基，アルコキシ基，アリール基，アリールオキ
シ基，ニトロ基，シアノ基，水酸基，ベンジルオキシ
基，アミノ基等の置換基を表し,jは１または２の整数,
k,l,mおよびｎは０〜４の整数を表す。） （式中,R6,R7は，水素原子，アルキル基，アルコキシ
基，アリール基であり,R8,R9,R10は水素原子または−NR
6（R7）基を示し,nは０または１である。） - 【請求項２】Ｘ線回折図において強いピークを示さない
非結晶性であり，一次粒子径が0.2μｍ以下であるチタ
ンフタロシアニン系化合物を用いてなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。） - 【請求項３】Ｘ線回折図においてブラッグ角度（２θ±
0.2゜）の下記（ａ）ないし（ｆ）に示す位置に強いピ
ークを示す，チタンフタロシアニン系化合物の少なくと
も１種を用いてなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の電子写真感光体。 （ａ）7.5゜,22.4゜,24.4゜,25.4゜,26.2゜,27.2゜およ
び28.6゜ （ｂ）7.5゜,22.4゜,24.4゜,25.4゜,27.2゜および28.6
゜ （ｃ）7.5゜,22.4゜,24.4゜,25.4゜,26.2゜および28.6
゜ （ｄ）7.5゜,22.4゜,24.4゜,25.4゜および28.6゜ （ｅ）6.9゜,15.5゜および23.4゜ （ｆ）13.1゜,20.6゜,26.2゜,26.5゜および27.0゜ - 【請求項４】導電性支持体上に無機物または有機物の下
引き層を有する特許請求の範囲第１〜３項記載の電子写
真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62044654A JPH0727244B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62044654A JPH0727244B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63210942A JPS63210942A (ja) | 1988-09-01 |
| JPH0727244B2 true JPH0727244B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=12697433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62044654A Expired - Fee Related JPH0727244B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727244B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2663465B2 (ja) * | 1987-11-26 | 1997-10-15 | ミノルタ株式会社 | 感光体 |
| JPH01291256A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-22 | Takasago Internatl Corp | 電子写真感光体 |
| JPH0310258A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-17 | Konica Corp | 電子写真感光体 |
| JP4941345B2 (ja) * | 2008-02-14 | 2012-05-30 | 三菱化学株式会社 | チタニルフタロシアニン化合物及びそれを用いた電子写真感光体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
-
1987
- 1987-02-27 JP JP62044654A patent/JPH0727244B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63210942A (ja) | 1988-09-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |