JPH0725699A - 酸化物超電導材料の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導材料の製造方法Info
- Publication number
- JPH0725699A JPH0725699A JP5154953A JP15495393A JPH0725699A JP H0725699 A JPH0725699 A JP H0725699A JP 5154953 A JP5154953 A JP 5154953A JP 15495393 A JP15495393 A JP 15495393A JP H0725699 A JPH0725699 A JP H0725699A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- oxygen
- single crystal
- formula
- superconducting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 68
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 2
- 239000012768 molten material Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- QGQFOJGMPGJJGG-UHFFFAOYSA-K [B+3].[O-]N=O.[O-]N=O.[O-]N=O Chemical compound [B+3].[O-]N=O.[O-]N=O.[O-]N=O QGQFOJGMPGJJGG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 超電導化に伴う結晶内への双晶の導入密度が
より低く抑えられ、結晶性に優れたＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx
（ｘは６．５〜７）の単結晶を作製できる方法を提供す
る。 【構成】 Ｙ、ＢａおよびＣｕを含む一方、ＹＢａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏz （ｚは６〜７）結晶およびＹ2 ＢａＣｕＯ5 結
晶をともに含まない出発原料を用意し、この原料を加熱
して９８０〜１０００℃の温度で所定時間保持した後、
得られた溶湯を酸素を主成分とする雰囲気において酸素
分圧２０気圧以上の条件下で加圧しながら酸素を取込ま
せて徐冷することにより、溶湯から直接斜方晶のＹＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏ x （ｘは６．５〜７）の単結晶を晶出させ
る。
より低く抑えられ、結晶性に優れたＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx
（ｘは６．５〜７）の単結晶を作製できる方法を提供す
る。 【構成】 Ｙ、ＢａおよびＣｕを含む一方、ＹＢａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏz （ｚは６〜７）結晶およびＹ2 ＢａＣｕＯ5 結
晶をともに含まない出発原料を用意し、この原料を加熱
して９８０〜１０００℃の温度で所定時間保持した後、
得られた溶湯を酸素を主成分とする雰囲気において酸素
分圧２０気圧以上の条件下で加圧しながら酸素を取込ま
せて徐冷することにより、溶湯から直接斜方晶のＹＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏ x （ｘは６．５〜７）の単結晶を晶出させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は酸化物超電導材料の単結
晶を製造するための方法に関するものであって、特に結
晶性に優れたＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx （ｘは６．５〜７）の
単結晶を製造するための改良に関するものである。
晶を製造するための方法に関するものであって、特に結
晶性に優れたＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx （ｘは６．５〜７）の
単結晶を製造するための改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】酸化
物超電導物質であるＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏz （ＹＢＣＯ）
は、約９０Ｋの高い臨界温度を有し、多くの技術分野で
の応用が期待されている。
物超電導物質であるＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏz （ＹＢＣＯ）
は、約９０Ｋの高い臨界温度を有し、多くの技術分野で
の応用が期待されている。
【０００３】従来、ＹＢＣＯ単結晶を作製するため、高
温の融液を徐冷して結晶を析出させる方法が多く試みら
れている。
温の融液を徐冷して結晶を析出させる方法が多く試みら
れている。
【０００４】このような技術に基づいて得られるＹＢＣ
Ｏ単結晶を超電導化するため、６００℃前後の比較的低
い温度でアニール処理を施すと、超電導化した単結晶中
に双晶が高密度に導入され、結晶性が著しく低下してし
まうことがある。
Ｏ単結晶を超電導化するため、６００℃前後の比較的低
い温度でアニール処理を施すと、超電導化した単結晶中
に双晶が高密度に導入され、結晶性が著しく低下してし
まうことがある。
【０００５】超電導単結晶を用いてデバイスを製造する
場合、結晶中に高密度の双晶が存在すると、双晶界面近
傍では、超電導オーダーパラメータが変化して、一様な
超電導電流が流れないことや、双晶界面に磁束がトラッ
プされるため、デバイス特性のばらつきや劣下を招く原
因となる。
場合、結晶中に高密度の双晶が存在すると、双晶界面近
傍では、超電導オーダーパラメータが変化して、一様な
超電導電流が流れないことや、双晶界面に磁束がトラッ
プされるため、デバイス特性のばらつきや劣下を招く原
因となる。
【０００６】また、双晶が高密度に導入されたＹＢＣＯ
超電導単結晶を基板として用い、その上にＹＢＣＯ単結
晶薄膜を積層すると、双晶の存在によってＹＢＣＯ単結
晶薄膜のエピタキシャル成長が阻害されてしまう。
超電導単結晶を基板として用い、その上にＹＢＣＯ単結
晶薄膜を積層すると、双晶の存在によってＹＢＣＯ単結
晶薄膜のエピタキシャル成長が阻害されてしまう。
【０００７】このように、従来のＹＢＣＯ超電導単結晶
を超電導デバイスに供するには問題があった。
を超電導デバイスに供するには問題があった。
【０００８】本発明の目的は、超電導化に伴う結晶内へ
の双晶の導入密度がより低く抑えられることで、結晶性
に優れたＹＢＣＯ超電導単結晶を作製することができる
方法を提供することにある。
の双晶の導入密度がより低く抑えられることで、結晶性
に優れたＹＢＣＯ超電導単結晶を作製することができる
方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る酸化物超電
導材料の製造方法では、Ｙ、ＢａおよびＣｕを含む一
方、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏz （ｚは６〜７）結晶およびＹ2
ＢａＣｕＯ5 結晶をともに含まない出発原料が、次式 ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏz → Ｙ2 ＢａＣｕＯ5 ＋液相 で表わされる包晶分解反応の反応温度未満であり、かつ
固液温度以上である溶解温度まで加熱されて得られる溶
湯を、酸素を主成分とする雰囲気において、加圧しなが
ら、酸素を取込ませて徐冷することにより、斜方晶ＹＢ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏx （ｘは６．５〜７）の単結晶を育成させ
ることを特徴とする。
導材料の製造方法では、Ｙ、ＢａおよびＣｕを含む一
方、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏz （ｚは６〜７）結晶およびＹ2
ＢａＣｕＯ5 結晶をともに含まない出発原料が、次式 ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏz → Ｙ2 ＢａＣｕＯ5 ＋液相 で表わされる包晶分解反応の反応温度未満であり、かつ
固液温度以上である溶解温度まで加熱されて得られる溶
湯を、酸素を主成分とする雰囲気において、加圧しなが
ら、酸素を取込ませて徐冷することにより、斜方晶ＹＢ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏx （ｘは６．５〜７）の単結晶を育成させ
ることを特徴とする。
【００１０】本発明において、酸素を主成分とする雰囲
気は、一部成分に少量の不活性ガス等を含んでも構わな
い。
気は、一部成分に少量の不活性ガス等を含んでも構わな
い。
【００１１】本発明において、ＹＢＣＯ単結晶育成時に
与えられる酸素分圧の大きさは１０気圧以上が好まし
く、２０気圧以上であることがより好ましい。
与えられる酸素分圧の大きさは１０気圧以上が好まし
く、２０気圧以上であることがより好ましい。
【００１２】
【作用】従来では高温の融液を徐冷して正方晶のＹＢＣ
Ｏ結晶を一旦析出させた後、これに酸素雰囲気下でアニ
ール処理を施すことにより、正方晶の結晶を斜方晶の結
晶に相変態させて超電導化していた。ところがこのよう
な超電導化の過程で、正方晶から斜方晶への相変態に伴
う歪みを緩和するため、ＹＢＣＯ単結晶内に双晶が高密
度に導入されることがわかってきた。
Ｏ結晶を一旦析出させた後、これに酸素雰囲気下でアニ
ール処理を施すことにより、正方晶の結晶を斜方晶の結
晶に相変態させて超電導化していた。ところがこのよう
な超電導化の過程で、正方晶から斜方晶への相変態に伴
う歪みを緩和するため、ＹＢＣＯ単結晶内に双晶が高密
度に導入されることがわかってきた。
【００１３】そこで、本発明法では、溶湯から正方晶の
結晶を育成させた後、斜方晶の結晶に相変態させて超電
導化する工程を採ることなしに、高温の溶湯を、酸素を
主成分とする雰囲気において、加圧することで酸素を取
込ませながら徐冷することにより、溶湯から直接に超電
導性を示す斜方晶のＹＢＣＯ単結晶を育成しようとする
ものである。
結晶を育成させた後、斜方晶の結晶に相変態させて超電
導化する工程を採ることなしに、高温の溶湯を、酸素を
主成分とする雰囲気において、加圧することで酸素を取
込ませながら徐冷することにより、溶湯から直接に超電
導性を示す斜方晶のＹＢＣＯ単結晶を育成しようとする
ものである。
【００１４】以下の実施例に示すように、まずＹ、Ｂａ
およびＣｕを含む一方、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏz （ｚは６〜
７）結晶およびＹ2 ＢａＣｕＯ5 結晶をともに含まない
出発原料を用意し、この原料をＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏz （ｚ
は６〜７）結晶およびＹ2 ＢａＣｕＯ5 結晶を形成させ
ないように、上述のような包晶分解反応の反応温度未満
であり、かつ固液温度以上である溶解温度までの範囲、
より具体的に言えば９８０〜１０００℃に加熱して溶湯
を調製する。このようにして調製された高温の溶湯を、
酸素を主成分とする雰囲気において酸素分圧１０気圧以
上より好ましくは２０気圧以上で加圧することにより酸
素を効率よく取込ませながら徐冷する。これにより、双
晶の導入を極めて低く抑えながら、ｃ軸方向にも十分に
成長した大型でかつ結晶性に優れた斜方晶ＹＢＣＯ単結
晶を育成できることが明らかになった。
およびＣｕを含む一方、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏz （ｚは６〜
７）結晶およびＹ2 ＢａＣｕＯ5 結晶をともに含まない
出発原料を用意し、この原料をＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏz （ｚ
は６〜７）結晶およびＹ2 ＢａＣｕＯ5 結晶を形成させ
ないように、上述のような包晶分解反応の反応温度未満
であり、かつ固液温度以上である溶解温度までの範囲、
より具体的に言えば９８０〜１０００℃に加熱して溶湯
を調製する。このようにして調製された高温の溶湯を、
酸素を主成分とする雰囲気において酸素分圧１０気圧以
上より好ましくは２０気圧以上で加圧することにより酸
素を効率よく取込ませながら徐冷する。これにより、双
晶の導入を極めて低く抑えながら、ｃ軸方向にも十分に
成長した大型でかつ結晶性に優れた斜方晶ＹＢＣＯ単結
晶を育成できることが明らかになった。
【００１５】
【実施例】本発明を実施例に基づいて説明する。ただ
し、本実施例は、代表的な一例を示すものであって、本
発明を何ら制限するものではない。
し、本実施例は、代表的な一例を示すものであって、本
発明を何ら制限するものではない。
【００１６】本発明の特徴を明らかにするため、以下の
ような実験を行なった。以下の実験では、Ｙ2 Ｏ3 、Ｂ
ａＣＯ3 、ＣｕＯの粉末をＹ：Ｂａ：Ｃｕのモル組成比
が２：３１：６７になるように混合した混合粉末約５０
ｇをアルミナるつぼまたはマグネシアるつぼに入れたも
のを５個用意した。
ような実験を行なった。以下の実験では、Ｙ2 Ｏ3 、Ｂ
ａＣＯ3 、ＣｕＯの粉末をＹ：Ｂａ：Ｃｕのモル組成比
が２：３１：６７になるように混合した混合粉末約５０
ｇをアルミナるつぼまたはマグネシアるつぼに入れたも
のを５個用意した。
【００１７】そのうち４個のるつぼについては、水冷機
構を備えたステンレス製高圧容器を用いて、次のような
処理を施した。
構を備えたステンレス製高圧容器を用いて、次のような
処理を施した。
【００１８】高圧容器内のＢＮ（ボロンナイトライト）
製断熱材中に混合粉末を充填した各るつぼを設置し、る
つぼ内の混合粉末をＳｉＣヒータにより９９０℃にまで
加熱して融解し、その温度で２０時間保持した。その
後、融液をそれぞれ酸素分圧５，１０，２０，５０気圧
の異なる条件下で、０．５℃／時の速度で９５０℃まで
徐冷して例１〜例４に従うＹＢＣＯ結晶を晶出させた。
製断熱材中に混合粉末を充填した各るつぼを設置し、る
つぼ内の混合粉末をＳｉＣヒータにより９９０℃にまで
加熱して融解し、その温度で２０時間保持した。その
後、融液をそれぞれ酸素分圧５，１０，２０，５０気圧
の異なる条件下で、０．５℃／時の速度で９５０℃まで
徐冷して例１〜例４に従うＹＢＣＯ結晶を晶出させた。
【００１９】異なる酸素分圧条件下で得られたＹＢＣＯ
結晶を高圧容器内より取出し、各々の結晶性について観
察した。
結晶を高圧容器内より取出し、各々の結晶性について観
察した。
【００２０】また、各結晶について電気抵抗および帯磁
率の温度依存性についても評価し、超電導性の有無を調
べた。その結果を表１に示す。
率の温度依存性についても評価し、超電導性の有無を調
べた。その結果を表１に示す。
【００２１】ここで超電導性を示さない結晶については
さらに６００℃で１０時間のアニール処理を施し、超電
導化させた。
さらに６００℃で１０時間のアニール処理を施し、超電
導化させた。
【００２２】このようにして得られた例１〜例４のＹＢ
ＣＯ超電導単結晶において双晶の導入程度および導入さ
れた双晶の間隔を調べて、その結果を併せて表１に示し
た。
ＣＯ超電導単結晶において双晶の導入程度および導入さ
れた双晶の間隔を調べて、その結果を併せて表１に示し
た。
【００２３】一方、比較のため、例５として残り１個の
るつぼについては、電気炉を用いて大気圧下で混合粉末
を９９０℃まで加熱してその温度で２０時間保持した
後、０．５℃／時の速度で９５０℃まで徐冷してＹＢＣ
Ｏ単結晶を晶出させた。
るつぼについては、電気炉を用いて大気圧下で混合粉末
を９９０℃まで加熱してその温度で２０時間保持した
後、０．５℃／時の速度で９５０℃まで徐冷してＹＢＣ
Ｏ単結晶を晶出させた。
【００２４】その後、得られた結晶を電気炉内より取出
して、その結晶性について観察した。また、電気抵抗お
よび帯磁率の温度依存性について評価したが、超電導特
性は示さなかった。そこでさらにこの結晶に６００℃で
１０時間のアニール処理を施して超電導化させた。
して、その結晶性について観察した。また、電気抵抗お
よび帯磁率の温度依存性について評価したが、超電導特
性は示さなかった。そこでさらにこの結晶に６００℃で
１０時間のアニール処理を施して超電導化させた。
【００２５】このようにして得られたＹＢＣＯ超電導単
結晶において双晶の導入程度および導入された双晶の間
隔を調べ、これらの結果についても併せて表１に示し
た。
結晶において双晶の導入程度および導入された双晶の間
隔を調べ、これらの結果についても併せて表１に示し
た。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１から明らかなように、例１ないし例５
の結果から、高温の融液を１０気圧未満の低い酸素分圧
条件下で徐冷して結晶を晶出するものに対して、２０気
圧以上の酸素分圧条件下で徐冷して結晶を晶出するもの
では、溶湯からダイレクトに斜方晶ＹＢＣＯ単結晶が得
られることがわかる。
の結果から、高温の融液を１０気圧未満の低い酸素分圧
条件下で徐冷して結晶を晶出するものに対して、２０気
圧以上の酸素分圧条件下で徐冷して結晶を晶出するもの
では、溶湯からダイレクトに斜方晶ＹＢＣＯ単結晶が得
られることがわかる。
【００２８】また、すべての育成結晶に双晶は導入され
たものの、溶湯からダイレクトに育成された斜方晶ＹＢ
ＣＯ単結晶では、正方晶ＹＢＣＯ単結晶をアニール処理
により相変態させて得られる斜方晶ＹＢＣＯ超電導単結
晶に比べて、結晶中に導入される双晶の発生密度が極め
て小さく抑えられている。
たものの、溶湯からダイレクトに育成された斜方晶ＹＢ
ＣＯ単結晶では、正方晶ＹＢＣＯ単結晶をアニール処理
により相変態させて得られる斜方晶ＹＢＣＯ超電導単結
晶に比べて、結晶中に導入される双晶の発生密度が極め
て小さく抑えられている。
【００２９】特に、結晶育成時の酸素分圧の大きさが１
０〜２０気圧を境として、斜方晶中に導入される双晶の
間隔が大きく変化しており、この結果から１０気圧以上
より好ましくは２０気圧以上の酸素分圧下で溶湯を徐冷
して結晶を晶出すれば、より確実に結晶性に優れた斜方
晶ＹＢＣＯ超電導単結晶が得られることがわかる。
０〜２０気圧を境として、斜方晶中に導入される双晶の
間隔が大きく変化しており、この結果から１０気圧以上
より好ましくは２０気圧以上の酸素分圧下で溶湯を徐冷
して結晶を晶出すれば、より確実に結晶性に優れた斜方
晶ＹＢＣＯ超電導単結晶が得られることがわかる。
【００３０】
【発明の効果】これまで述べてきたように、本発明に従
う酸化物超電導材料の製造方法において、溶湯を酸素を
主成分とする雰囲気において加圧しながら酸素を取込ま
せて徐冷することにより、溶湯から直接に結晶性に優れ
かつｃ軸方向にも十分に成長した大型の斜方晶ＹＢＣＯ
単結晶を得ることができる。
う酸化物超電導材料の製造方法において、溶湯を酸素を
主成分とする雰囲気において加圧しながら酸素を取込ま
せて徐冷することにより、溶湯から直接に結晶性に優れ
かつｃ軸方向にも十分に成長した大型の斜方晶ＹＢＣＯ
単結晶を得ることができる。
【００３１】したがって、本発明法を超電導パワーデバ
イス、エレクトスニクス素子等に用いるＹＢＣＯ超電導
単結晶の作製に有効に利用することができる。
イス、エレクトスニクス素子等に用いるＹＢＣＯ超電導
単結晶の作製に有効に利用することができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 13/00 ５６５ Ｄ 7244−5Ｇ // Ｈ０１Ｂ 12/00 ＺＡＡ 7244−5Ｇ
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｙ、ＢａおよびＣｕを含む一方、ＹＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏz （ｚは６〜７）結晶およびＹ2 ＢａＣｕＯ
5 結晶をともに含まない出発原料が、次式 ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏz → Ｙ2 ＢａＣｕＯ5 ＋液相 で表わされる包晶分解反応の反応温度未満であり、かつ
固液温度以上である溶解温度まで加熱されて得られる溶
湯を、 酸素を主成分とする雰囲気において、加圧しながら酸素
を取込ませて徐冷することにより、斜方晶ＹＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏx （ｘは６．５〜７）の単結晶を育成させることを
特徴とする、酸化物超電導材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154953A JPH0725699A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 酸化物超電導材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154953A JPH0725699A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 酸化物超電導材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0725699A true JPH0725699A (ja) | 1995-01-27 |
Family
ID=15595527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5154953A Withdrawn JPH0725699A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 酸化物超電導材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0725699A (ja) |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP5154953A patent/JPH0725699A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5817172A (en) | Preparation of oxide crystals | |
| EP0423375B1 (en) | Oxide superconductor and method of producing the same | |
| Vanderah et al. | Growth of near-free-standing YBa2Cu3O7-type crystals using a self-decanting flux method | |
| Brody et al. | Highly textured and single crystal Bi2CaSr2Cu2Ox prepared by laser heated float zone crystallization | |
| US5591698A (en) | Low temperature (T lower than 950° C.) preparation of melt texture YBCO superconductors | |
| JPH05193938A (ja) | 酸化物超電導体およびその製造方法 | |
| Wu et al. | A new seeding approach to the melt texture growth of a large YBCO single domain withdiameter above 53 mm | |
| JP3290191B2 (ja) | 集合組織化された多結晶材料を準備するための方法 | |
| JPH0725699A (ja) | 酸化物超電導材料の製造方法 | |
| JP2550253B2 (ja) | 酸化物高温超電導体の製造方法 | |
| JP2733899B2 (ja) | レアア−ス・ガリウム・ペロブスカイト単結晶の育成方法 | |
| Kacharava et al. | YBa2Cu3O7-y single-crystal growth by the method of horizontally directed temperature gradient | |
| Markl et al. | Preparation of Ln2− xCexCu1O4− δ single crystals (Ln= Nd, Sm) by a modified flux flow method | |
| EP0867951B1 (en) | Method for preparing oxide superconductors | |
| JP3152322B2 (ja) | 無双晶（Ｎｄ，Ｌａ）ＧａＯ３単結晶およびその製造方法 | |
| JP3174847B2 (ja) | 超電導ウィスカーおよびその製造方法 | |
| JP3471443B2 (ja) | 酸化物超電導体材料の製造方法 | |
| JPH10245223A (ja) | 酸化物超電導体及びその製造方法 | |
| Chowdhury et al. | Growth of doped and undoped BSCCO 2212 crystals in platinum crucibles by repeated remelting and recrystallisation | |
| JP4153651B2 (ja) | 酸化物超電導材料の種結晶及びこれを用いた酸化物超電導材料の製造方法 | |
| JPH06321693A (ja) | 酸化物超電導材料の製造方法 | |
| JP2949378B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
| JPH07187671A (ja) | 酸化物超電導体及びその製造方法 | |
| JP2518969B2 (ja) | 酸化物超電導体およびその製造方法 | |
| JPH09255335A (ja) | バルク酸化物超電導体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |