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JPH07221236A - Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device and lead frame - Google Patents

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device and lead frame

Info

Publication number
JPH07221236A
JPH07221236A JP30576794A JP30576794A JPH07221236A JP H07221236 A JPH07221236 A JP H07221236A JP 30576794 A JP30576794 A JP 30576794A JP 30576794 A JP30576794 A JP 30576794A JP H07221236 A JPH07221236 A JP H07221236A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
resin
lead
connector
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30576794A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshihito Watajima
豪人 渡島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP30576794A priority Critical patent/JPH07221236A/en
Publication of JPH07221236A publication Critical patent/JPH07221236A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】3素子の半導体サージ吸収モジュールなどを対
象に、前記課題を解決して特性,信頼性の安定した製品
を生産能率よく量産できるようにした樹脂封止型半導体
装置の製造方法を提供する。 【構成】3個の基板支持体5a〜5c,外部リード6,
およびタイバー9a,9bをパターン形成した第1のリ
ードフレーム9と、接続子7,タブ10a,およびタイ
バー10bをパターン形成した第2のリードフレーム1
0とを用い、半導体素子ペレット4a〜4cを挟んでそ
の両主面に第1リードフレームと第2のリードフレーム
を重ね合わせた上で半導体素子ペレットを前記の基板支
持体と接続子にダイボンディングし、続いて半導体素子
ペレット,基板支持体,接続子,および外部リードの一
部を包含した周域の樹脂8で封止し、さらにタイバーカ
ット,タブカットを施して樹脂封止型半導体装置の製品
を組立て完成する。
(57) [Abstract] [Purpose] A resin-sealed semiconductor device for a semiconductor surge absorption module with three elements, which solves the above problems and enables mass production of products with stable characteristics and reliability with high production efficiency. A method for manufacturing the same is provided. [Structure] Three substrate supports 5a to 5c, external leads 6,
And a first lead frame 9 in which tie bars 9a and 9b are patterned, and a second lead frame 1 in which connectors 7, tabs 10a and tie bars 10b are patterned.
0, the semiconductor device pellets 4a to 4c are sandwiched between the first lead frame and the second lead frame on both main surfaces thereof, and the semiconductor device pellet is die-bonded to the substrate support and the connector. Then, the semiconductor element pellet, the substrate support, the connector, and a portion of the external lead are sealed with the resin 8 in the peripheral region, and further tie bar cut and tab cut are performed to produce a resin-sealed semiconductor device product. Is assembled and completed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、3個の半導体サージ吸
収素子を組合わせて構成した半導体サージ吸収モジュー
ルなどを対象とする樹脂封止型半導体装置の製造方法,
およびその製造に用いるリードフレームに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device for a semiconductor surge absorption module or the like which is constructed by combining three semiconductor surge absorption elements,
And a lead frame used for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】電源に接続した電子機器を外雷,内雷サ
ージなどから保護するための手段として図5で示すよう
な構成になるサージ吸収回路が公知である。図におい
て、1は電源、2は被保護装置、3がサージ吸収回路で
あり、該回路3は同一特性の3個の半導体サージ吸収素
子(双方向性のサイリスタ,ツェナーダイオードなど)
3a〜3cを星形に相互接続した上で、各素子を図示の
ように配線ラインT,LとアースEの間に接続する。か
かる回路構成で、配線ラインに侵入したサージはT−
E,L−E,T−L間で吸収される。なお、前記サージ
吸収回路の動作は周知であり、ここではその説明を省略
する。
2. Description of the Related Art A surge absorbing circuit having a structure as shown in FIG. 5 is known as a means for protecting an electronic device connected to a power source from external lightning, internal lightning surge and the like. In the figure, 1 is a power supply, 2 is a protected device, 3 is a surge absorption circuit, and the circuit 3 has three semiconductor surge absorption elements having the same characteristics (bidirectional thyristor, Zener diode, etc.)
After interconnecting 3a to 3c in a star shape, each element is connected between the wiring lines T and L and the ground E as shown. With this circuit configuration, the surge that enters the wiring line is T-
It is absorbed between E, LE and TL. The operation of the surge absorbing circuit is well known, and its description is omitted here.

【0003】次に、前記サージ吸収回路をモジュール化
した樹脂封止型半導体装置の構造を図6(a)〜(d)
に示す。図において、4a〜4cは先記した半導体サー
ジ吸収素子に対応する合計3個の半導体素子ペレット、
5a〜5cは前記半導体素子ペレット4a〜4cを1個
ずつ個別にマウントした基板支持体(ダイパッド)、6
は各基板支持体5a〜5cの一端に連ねて同じ方向に引
出した外部リード、7は半導体素子ペレット4a〜4c
の間にまたがってその上面側に重ね合わせた外形T字形
の接続子、8は半導体素子ペレット4a〜4c,基板支
持体5a〜5c,接続子7,および外部リード6の根元
側一部を包含してその周域にモールド成形した封止樹脂
である。
Next, the structure of a resin-sealed semiconductor device in which the surge absorbing circuit is modularized is shown in FIGS.
Shown in. In the figure, 4a to 4c are a total of three semiconductor element pellets corresponding to the semiconductor surge absorbing element described above,
5a to 5c are substrate supports (die pads) on which the semiconductor element pellets 4a to 4c are individually mounted one by one, 6
Is an external lead connected to one end of each substrate support 5a-5c and pulled out in the same direction, and 7 is a semiconductor element pellet 4a-4c.
An external T-shaped connector, which is overlapped on the upper surface of the semiconductor element pellets 4a to 4c, the substrate supports 5a to 5c, the connector 7, and a part of the external lead 6 on the root side. Then, the sealing resin is molded in the peripheral region.

【0004】ところで、従来では前記構成の樹脂封止型
半導体装置を次記のような方法で組立ている。すなわ
ち、組立工程に供給する部品として同一定格の半導体素
子ペレットの他に、図4で述べた基板支持体5a〜5
c,外部リード6をパターン形成したリードフレーム、
および外形がT字形をなす単独部品の接続子7を用意す
る。このリードフレームは図2に示すリードフレーム9
と同じものであり、該リードフレーム9には前記した基
板支持体5a〜5c,外部リード6とともに、外部リー
ド6の相互間を連結する2条のタイバー9a,9bがパ
ターン形成されており、かつタイバー9bをリードフレ
ームのサイドレールとしてここに位置合わせ穴9cが定
ピッチ置きに開口している。
By the way, conventionally, the resin-encapsulated semiconductor device having the above structure is assembled by the following method. That is, in addition to the semiconductor element pellets having the same rating as the components to be supplied to the assembly process, the substrate supports 5a to 5 described in FIG.
c, a lead frame in which the external leads 6 are patterned,
Also, a connector 7 having a T-shaped outer shape is prepared as a single component. This lead frame is the lead frame 9 shown in FIG.
The lead frame 9 has the above-mentioned substrate supports 5a to 5c and the external leads 6, and two tie bars 9a and 9b for connecting the external leads 6 to each other. The tie bars 9b are used as the side rails of the lead frame, and the alignment holes 9c are opened here at regular intervals.

【0005】そして、最初の工程ではリードフレーム9
の基板支持体5a〜5cに半導体素子ペレット4a〜4
cを1個ずつ半田板(図示せず)を挟んで搭載し、続い
て各半導体素子ペレット4a〜4cの上に半田板を挟ん
で接続子7を載置し、この仮組立状態のまま半田付け炉
に通して半導体素子ペレットを基板支持体,接続子にダ
イボンディングする。次に、前記の組立体をトランスフ
ァモールド工程に移し、ここで半導体素子ペレット,基
板支持体,接続子,および外部リードの一部を包含して
その周域を樹脂封止した後、最後の工程でリードフレー
ム9のタイバー9a,9bをカットし、図6に示した製
品を完成する。
Then, in the first step, the lead frame 9
Of the semiconductor element pellets 4a-4 on the substrate supports 5a-5c of
Each c is mounted by sandwiching a solder plate (not shown), and then the connector 7 is mounted on each of the semiconductor element pellets 4a to 4c by sandwiching the solder plate. The semiconductor element pellets are die-bonded to the substrate support and the connector by passing through an attachment furnace. Next, the assembly is transferred to a transfer molding step, where the semiconductor element pellet, the substrate support, the connector, and a part of the external lead are encapsulated with a resin in the peripheral region, and then the final step is performed. Then, the tie bars 9a and 9b of the lead frame 9 are cut to complete the product shown in FIG.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来の製造方法では、生産性、および製品の特性,信頼性
の面で次記のような問題点がある。 1)最初の組立工程では、外部リード付き基板支持体は
リードフレームとして連続的に供給できるが、接続子は
部品を1個ずつ手作業などによりハンドリングして半導
体素子ペレットの上に位置決めして載置する必要があ
る。このために、作業能率が悪く製品の量産性が低くな
る。
The conventional manufacturing method described above has the following problems in terms of productivity, product characteristics, and reliability. 1) In the first assembly process, the substrate support with external leads can be continuously supplied as a lead frame, but the connectors are handled by hand one by one and the components are positioned and mounted on the semiconductor element pellets. Need to be placed. Therefore, the work efficiency is low and the mass productivity of the products is low.

【0007】2)半導体素子ペレットに対する接続子の
位置決めは治具などを用いて行うが、この接続子は1個
ずつ切り離された状態でペレットの上に載置されている
ために自由に動き易く、次の半田付け工程へ移送する間
に位置がずれたり、傾いたりすることが多々発生する。
このために、組立後の状態では接続子と基板支持体との
間の絶縁距離が部分的に不足して電圧印加時に短絡する
など、特性,信頼性の面で欠陥のある製品が生じ易くな
って良品率が低下する。
2) A jig or the like is used to position the connector with respect to the semiconductor element pellet. Since the connectors are placed on the pellet in a state of being separated one by one, it is easy to move freely. The position often shifts or tilts during transfer to the next soldering process.
Therefore, in the assembled state, the insulating distance between the connector and the substrate support is partially insufficient and a short circuit occurs when a voltage is applied. For example, a product having defects in terms of characteristics and reliability is likely to occur. Yield rate decreases.

【0008】3)さらに、基板支持体から引出した外部
リードは細長く、特に図6の構成で中央に位置する基板
支持体5aの外部リード6は長さ寸法が大きくて曲がり
易い。そのために、トランスファモールド工程で成形金
型に仮組立体をインサートして成形樹脂を注入した際
に、樹脂の流れに押されて外部リードが変形し、この結
果として半田付け部が剥離したり、封止樹脂の絶縁厚さ
にばらつきが生じて絶縁強度が低下するといった問題も
派生する。
3) Further, the external lead drawn out from the substrate support is elongated, and in particular, the external lead 6 of the substrate support 5a located at the center in the configuration of FIG. 6 has a large length dimension and is easily bent. Therefore, when the temporary assembly is inserted into the molding die and the molding resin is injected in the transfer molding process, the external lead is deformed by the flow of the resin, and as a result, the soldered portion is peeled off, The problem arises that the insulation strength of the sealing resin varies and the insulation strength decreases.

【0009】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、先記した3素子の半導体サージ吸収モジュール
などを対象に、前記課題を解決して特性,信頼性の安定
した製品を生産能率よく量産できるようにした樹脂封止
型半導体装置の製造方法,およびリードフレームを提供
することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and aims at the above-mentioned three-element semiconductor surge absorption module and the like to solve the above problems and efficiently produce a product having stable characteristics and reliability. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device that can be mass-produced, and a lead frame.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の製造方法によれば、複数の基板支持体,各
基板支持体から引出した外部リード,および外部リード
の間を相互連結するタイバーをパターン形成した第1の
リードフレームと、接続子,該接続子の一端に連ねたタ
ブ,およびタブの間を相互連結するタイバーをパターン
形成した第2のリードフレームとを用い、半導体素子ペ
レットを挟んでその両主面に前記第1のリードフレーム
と第2のリードフレームを重ね合わせた上で半導体素子
ペレットを第1リードフレームの基板支持体と第2リー
ドフレームの接続子にダイボンディングした上で、半導
体素子ペレット,基板支持体,接続子,および外部リー
ドの一部を包含した周域の樹脂封止、および第1リード
フレームのタイバーカット,第2リードフレームのタブ
カットを行うものとする。
In order to achieve the above object, according to the manufacturing method of the present invention, a plurality of substrate supports, external leads drawn from each substrate support, and external leads are interconnected. Using a first lead frame in which a tie bar is patterned, a connector, a tab extending from one end of the connector, and a second lead frame in which a tie bar for interconnecting the tabs is patterned. The first lead frame and the second lead frame are superposed on both main surfaces of the pellet sandwiched, and the semiconductor element pellet is die-bonded to the substrate support of the first lead frame and the connector of the second lead frame. Then, the semiconductor element pellet, the substrate support, the connector, and the resin encapsulation of the peripheral area including a part of the external lead, and the tie bar of the first lead frame. It shall perform cutting, a tab cut in the second lead frame.

【0011】また、前記の製造方法においては、第1の
工程で半導体素子ペレットを第1,第2リードフレーム
にダイボンディングし、第2の工程で第2リードフレー
ムのタブをカットし、第3の工程でトランスファモール
ド法により半導体素子ペレット,基板支持体,接続子,
および外部リードの一部の周域を樹脂封止し、第4の工
程で第1リードフレームのタイバーをカットするのがよ
い。
In the above manufacturing method, the semiconductor element pellets are die-bonded to the first and second lead frames in the first step, the tabs of the second lead frame are cut in the second step, and the third step is performed. In the process of transfer molding method, semiconductor element pellets, substrate supports, connectors,
Also, it is preferable that a part of the peripheral area of the external lead is sealed with resin and the tie bar of the first lead frame is cut in the fourth step.

【0012】さらに、前記製造方法に用いる第1のリー
ドフレームについては、モールド形成時に外部リードが
変形するのを防ぐために、本発明により、基板支持体か
ら引出した外部リードの断面形状を、曲げに対する断面
係数が大きな溝形断面となし、ここで、外部リードに形
成した溝形断面は、基板支持体と外部リードの中間部を
相互連結するタイバーとの間の範囲に形成して実施する
ことができる。
Further, regarding the first lead frame used in the above-described manufacturing method, according to the present invention, the cross-sectional shape of the external lead drawn from the substrate support is subjected to bending in order to prevent the external lead from being deformed during molding. The groove section has a large section modulus, and the groove section formed on the outer lead may be formed in the range between the substrate support and the tie bar interconnecting the intermediate portion of the outer lead. it can.

【0013】[0013]

【作用】上記の製造方法においては、複数の半導体素子
ペレットを挟んでその表裏両主面に接合する外部リード
付き基板支持体,および接続子をそれぞれ第1,第2の
リードフレームにパターン形成した上で、このリードフ
レームを用いて半導体装置を組立てることにより、半導
体素子ペレットを除く各部品を単体としてでなく、連続
したリードフレームとして扱うために組立工程の自動化
にも簡単に対応できる。しかも第1,第2のリードフレ
ームは同期して組立工程へ連続供給されるので位置合わ
せが確実であり、かつ半導体素子ペレットはリードフレ
ームの間に挟持したまま半田付け工程に移送するので所
定位置から不当にずれ動くおそれが少なく、かつ基板支
持体,接続子との間で高い平行度を確保し易くなる。
In the above-described manufacturing method, the substrate support with external leads, which is bonded to both the front and back main surfaces of the plurality of semiconductor element pellets, and the connector are patterned on the first and second lead frames, respectively. By assembling a semiconductor device using this lead frame, each component other than the semiconductor element pellets is handled not as a single body but as a continuous lead frame, so that automation of the assembly process can be easily handled. Moreover, since the first and second lead frames are continuously supplied to the assembling process in synchronism with each other, the alignment is ensured, and the semiconductor element pellets are transferred to the soldering process while being sandwiched between the lead frames, so that the predetermined positions are maintained. Therefore, there is little risk of undue displacement from the above, and it becomes easy to ensure high parallelism between the substrate support and the connector.

【0014】加えて、基板支持体から引出した外部リー
ドを溝形断面形状(例えば断面V字形)となすことによ
り、外部リードの曲げに対する断面係数が大となるの
で、トランスファモールドの際に外部リードが変形した
りするおそれが殆どなく、これにより外部リードの変形
に起因する製品の欠陥が防げる。
In addition, since the external lead drawn from the substrate support has a groove-shaped cross section (for example, a V-shaped cross section), the external lead has a large cross-section coefficient against bending, so that the external lead is subjected to transfer molding. Is unlikely to be deformed, which prevents product defects due to deformation of the external leads.

【0015】[0015]

【実施例】以下、図6に示したサージ吸収モジュールを
対象に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。な
お、実施例の図中で図6に対応する同一部材には同じ符
号が付してある。図1は3個の半導体素子ペレット4a
〜4cを図2に示した第1のリードフレーム9と、図3
に示した第2のリードフレーム10との間に挟持してダ
イボンディングした仮組立の状態を表している。ここ
で、第1のリードフレーム9には、3個を1組として定
ピッチおきに並ぶ基板支持体5a〜5cと、基板支持体
5a〜5cごとに一端を基板支持体に連ねて同じ方向に
引出した外部リード6と、外部リード6の中間部,先端
部の間を相互連結する2条のタイバー9a,9b、およ
びタイバー9bに穿孔した位置合わせ穴9cが連続して
パターン形成されている。一方、第2のリードフレーム
10には、第1のリードフレーム9に形成した基板支持
体5a〜5cに対応して定ピッチおきに並ぶT字形の接
続子7と、該接続子7の一端に連ねて前記外部リード6
と反対側に引出したタブ(接続部)10aと、およびタ
ブの間を相互連結するタイバー10b(サイドレール兼
用)と、タイバー10bに穿孔した位置合わせ穴10c
が連続してパターン形成されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings for the surge absorbing module shown in FIG. In the drawings of the embodiments, the same members corresponding to FIG. 6 are designated by the same reference numerals. FIG. 1 shows three semiconductor device pellets 4a.
3 to 4c and the first lead frame 9 shown in FIG.
2 shows a temporary assembly state in which the die assembly is performed by sandwiching the die assembly with the second lead frame 10 shown in FIG. Here, the first lead frame 9 includes three substrate supports 5a to 5c arranged at regular pitches, and one end of each of the substrate supports 5a to 5c is connected to the substrate support in the same direction. The pulled-out external lead 6, two tie bars 9a and 9b interconnecting the middle portion and the tip portion of the external lead 6, and a positioning hole 9c formed in the tie bar 9b are continuously formed in a pattern. On the other hand, the second lead frame 10 has T-shaped connectors 7 arranged at regular pitches corresponding to the substrate supports 5a to 5c formed on the first lead frame 9 and one end of the connector 7. External lead 6 in a row
And a tie bar 10b (also serving as a side rail) interconnecting the tabs, and a positioning hole 10c formed in the tie bar 10b.
Are continuously patterned.

【0016】そして、最初の組立工程では、部品として
第1のリードフレーム9,第2のリードフレーム10
と、半導体素子ペレットを供給し、第1リードフレーム
9に形成した基板支持体5a〜5cの上に半導体素子ペ
レット4a〜4cを半田板(図示せず)を挟んで1個ず
つ搭載し、さらに半導体素子ペレット4a〜4cの上面
側に半田板を挟んで第2リードフレーム10に形成した
接続子7がまたがるように重ね合わせてペレットを第1
リードフレーム9と第2リードフレーム10との間に挟
持する。なお、リードフレーム9と10は、タイバーに
穿孔した位置合わせ穴9c,10cに組立治具のピンを
通して相対的な位置合わせを行いながら連続して供給す
る。
In the first assembling process, the first lead frame 9 and the second lead frame 10 are used as parts.
Then, the semiconductor element pellets are supplied, and the semiconductor element pellets 4a to 4c are mounted one by one on the substrate supports 5a to 5c formed on the first lead frame 9 with a solder plate (not shown) interposed therebetween. The semiconductor element pellets 4a to 4c are stacked on top of each other so that the connector 7 formed on the second lead frame 10 is sandwiched between the solder plates, and the pellets are first stacked.
It is sandwiched between the lead frame 9 and the second lead frame 10. In addition, the lead frames 9 and 10 are continuously supplied while performing relative alignment through the pins of the assembly jig into the alignment holes 9c and 10c formed in the tie bar.

【0017】次の工程では、半導体素子ペレット4a〜
4cをリードフレーム9,10の間に挟持したまま半田
付け炉に通し、半導体素子ペレット4a〜4cを基板支
持体5a〜5c,および接続子7にダイボンディングす
る。続いてモールド成形工程に移し、トランスファ成形
金型にインサートして成形樹脂を注入し、半導体素子ペ
レット4a〜4c,基板支持体5a〜5c,接続子7,
および外部リード6の根元側一部の周域を樹脂8で封止
する。最後に第1リードフレーム9のタイバー9a,9
b、および第2リードフレーム10のタブ10aを図1
(a)に鎖線で表した切断ラインx−xに沿ってカット
して図6に示した製品を完成する。
In the next step, the semiconductor element pellets 4a ...
The semiconductor element pellets 4a to 4c are die-bonded to the substrate supports 5a to 5c and the connector 7 while passing 4c through the soldering furnace while being sandwiched between the lead frames 9 and 10. Then, the process proceeds to a molding step, the resin is inserted into the transfer molding die and the molding resin is injected, the semiconductor element pellets 4a to 4c, the substrate supports 5a to 5c, the connector 7,
Also, a part of the peripheral area of the outer lead 6 on the root side is sealed with the resin 8. Finally, the tie bars 9a, 9 of the first lead frame 9
b and the tab 10a of the second lead frame 10 in FIG.
The product shown in FIG. 6 is completed by cutting along the cutting line xx indicated by the chain line in (a).

【0018】次に、本発明の応用実施例を述べる。すな
わち、先に述べた第2のリードフレーム9に対して、こ
の実施例では、図4(a),(b)で示すように外部リー
ド6の一部を符号6aで表す溝形断面,例えば断面V字
形にプレス加工しておく。なお、このプレス加工はリー
ドフレームのプレスにより打ち抜き工程で同時に行うこ
とができる。
Next, application examples of the present invention will be described. That is, in contrast to the second lead frame 9 described above, in this embodiment, as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), a part of the external lead 6 is represented by a groove-shaped cross section represented by reference numeral 6a, for example, It is pressed into a V-shaped cross section. This press working can be performed simultaneously with the punching process by pressing the lead frame.

【0019】このように外部リード6に溝形断面部6a
を形成することにより、該部分の曲げに対する断面係数
が大きくって曲がり難くなる。これにより、トランスフ
ァ成形時に金型にインサートした外部リード6が金型内
に注入した成形樹脂流に押されて簡単に変形するのを防
止できる。なお、この溝形断面部6aはトランスファ成
形時に金型内にインサートされる領域に形成するだけで
十分であり、実際には図示のように基板支持体5a〜5
cとダムバーとして機能する中間のタイバー9aとの間
の範囲に形成して実施するのがよい。また、溝形断面の
形状は図示のV字形に限定されるものではなく、断面U
字形であっても同様に曲げ強度を増強できる。
Thus, the groove-shaped cross section 6a is formed on the outer lead 6.
By forming, the section modulus against bending of the portion becomes large and it becomes difficult to bend. As a result, it is possible to prevent the external leads 6 inserted into the mold during transfer molding from being easily deformed by being pushed by the molding resin flow injected into the mold. It should be noted that it is sufficient to form the groove-shaped cross-section 6a in a region to be inserted into the mold at the time of transfer molding, and actually, as shown in the drawing, the substrate supports 5a to 5a.
It is preferable to form and implement in the range between c and the intermediate tie bar 9a which functions as a dam bar. Further, the shape of the groove-shaped cross section is not limited to the V shape shown in the figure, and the cross section U
Even if it is a character shape, the bending strength can be similarly enhanced.

【0020】また、第1のリードフレーム9として、図
4の実施例で示したものを採用することにより、先記し
た半導体装置の組立工程を、次記のように順序を一部変
更して行うことができる。すなわち、第1の工程では、
先記した組立方法と同様に半導体素子ペレット4a〜4
cを第1,第2リードフレーム9,10の上に組立てて
ダイボンディングした後、続く第2の工程では第2リー
ドフレーム10のタブ10aを接続子7の根元部分でカ
ットしてタイバー10bを切り離す。そして、この状態
のまま第3の工程でトランスファモールド法により半導
体素子ペレット,基板支持体,接続子,および外部リー
ドの一部の周域を樹脂封止し、最後の第4工程で第1リ
ードフレーム9のタイバー9a,9bをカットする。
Further, by adopting the one shown in the embodiment of FIG. 4 as the first lead frame 9, the above-mentioned semiconductor device assembling process is partially changed in order as follows. It can be carried out. That is, in the first step,
Similar to the assembly method described above, the semiconductor element pellets 4a to 4a
After c is assembled on the first and second lead frames 9 and 10 and die-bonded, the tab 10a of the second lead frame 10 is cut at the root portion of the connector 7 in the subsequent second step to form the tie bar 10b. Detach. Then, in this state, the peripheral parts of the semiconductor element pellet, the substrate support, the connector, and the external leads are resin-sealed by the transfer molding method in the third step, and the first lead is formed in the final fourth step. The tie bars 9a and 9b of the frame 9 are cut.

【0021】このような工程順で半導体装置を組立てる
ことにより、トランスファ成形時には第2リードフレー
ム10のタブが既にカットされているので、外部リード
6以外の金属部分が封止樹脂8から外部に露呈しないフ
ルモールドパッケージが可能となる。しかも、図4で述
べたように、第1リードフレーム9に対してあらかじめ
外部リード6に断面溝形部6aを形成してその曲げ強度
を高めておくことにより、成形金型内にインサートした
状態でも基板支持体,半導体素子ペレット,およびタブ
カットされた接続子を外部リード自身で安定よく片持ち
式に支持することができる。
By assembling the semiconductor device in this order of steps, the tabs of the second lead frame 10 are already cut during transfer molding, so that the metal parts other than the external leads 6 are exposed to the outside from the sealing resin 8. A full mold package that does not require is possible. Moreover, as described with reference to FIG. 4, a grooved portion 6a is formed on the outer lead 6 in advance with respect to the first lead frame 9 to increase its bending strength, so that it is inserted into the molding die. However, the substrate support, the semiconductor element pellet, and the tab-cut connector can be stably supported in a cantilever manner by the external lead itself.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上述べたように、本発明の製造方法に
よれば、組立部品である接続子を基板支持体と同様にリ
ードフレームに成形して取り扱うようにしたので、従来
のように単一部品である接続子を1個ずつ手作業などに
よって装着する必要がなく、これにより組立工程の全自
動化にも容易に対応できるほか、仮組立工程では複数の
半導体素子ペレット,および接続子の自由な動きをリー
ドフレームのタイバーにより拘束して接続子,半導体素
子ペレット,基板支持体を定位置で平行姿勢に安定よく
保持して次工程で半田付けを行うことができる。また、
特に基板支持体から引出した外部リードについて、その
断面形状を溝形断面として細長いリードの曲げ強度を高
めておくことにより、樹脂封止工程で外部リードの曲が
り変形が防げる効果が得られるなど、本発明により3素
子からなる半導体サージ吸収モジュールなどを対象に、
樹脂封止型半導体装置を高い良品率で量産性よく製造す
ることができる。
As described above, according to the manufacturing method of the present invention, since the connector, which is an assembly component, is molded and handled on the lead frame like the substrate support, it can be handled as in the conventional case. It is not necessary to manually attach each connector, which is one component, one by one, and this makes it possible to easily support full automation of the assembly process. In the temporary assembly process, multiple semiconductor element pellets and connectors can be freely used. Such movement can be restrained by the tie bar of the lead frame, the connector, the semiconductor element pellet, and the substrate support can be stably held in a parallel position at a fixed position, and soldering can be performed in the next step. Also,
Especially for external leads drawn from the substrate support, by increasing the bending strength of the elongated leads with a groove-shaped cross section, the effect of preventing bending of the external leads in the resin sealing process can be obtained. According to the invention, for a semiconductor surge absorption module or the like consisting of three elements,
A resin-encapsulated semiconductor device can be manufactured with a high yield rate and high mass productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例による樹脂封止型半導体装置の
仮組立状態を表す図であり、(a)は平面図、(b)は
側面図
1A and 1B are diagrams showing a temporary assembly state of a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a plan view and FIG. 1B is a side view.

【図2】図1における第1リードフレームのパターン展
開図
FIG. 2 is a pattern development view of the first lead frame in FIG.

【図3】図1における第2リードフレームのパターン展
開図
FIG. 3 is a pattern development view of a second lead frame in FIG.

【図4】図1における第2リードフレームの応用実施例
のパターン展開図
FIG. 4 is a pattern development view of an application example of the second lead frame in FIG.

【図5】3個の半導体サージ吸収素子で構成したサージ
吸収回路図
FIG. 5: Surge absorption circuit diagram composed of three semiconductor surge absorption elements

【図6】本発明の実施対象となる樹脂封止型半導体装置
の構成図であり、(a)は一部切欠の平面図、(b)は
断面側視図、(c)は組立部品の分解斜視図、(d)は
製品の外観図
6A and 6B are configuration diagrams of a resin-encapsulated semiconductor device to which the present invention is applied, in which FIG. 6A is a partially cutaway plan view, FIG. 6B is a sectional side view, and FIG. Exploded perspective view, (d) external view of the product

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4a,4b,4c 半導体素子ペレット 5a,5b,5c 基板支持体 6 外部リード 7 接続子 8 封止樹脂 9 第1のリードフレーム 9a,9b タイバー 10 第2のリードフレーム 10a タブ 10b タイバー 4a, 4b, 4c Semiconductor element pellet 5a, 5b, 5c Substrate support 6 External lead 7 Connector 8 Sealing resin 9 First lead frame 9a, 9b Tie bar 10 Second lead frame 10a Tab 10b Tie bar

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の半導体素子ペレットを、各ペレット
と個別に対応する複数のリード付き基板支持体と各ペレ
ット間に共通にまたがる接続子との間にマウントし、そ
の周域を樹脂封止した樹脂封止型半導体装置の製造方法
であり、複数の基板支持体,各基板支持体から引出した
外部リード,および外部リードの間を相互連結するタイ
バーをパターン形成した第1のリードフレームと、接続
子,該接続子の一端に連ねたタブ,およびタブの間を相
互連結するタイバーをパターン形成した第2のリードフ
レームとを用い、半導体素子ペレットを挟んでその両主
面に前記第1のリードフレームと第2のリードフレーム
を重ね合わせた上で半導体素子ペレットを第1リードフ
レームの基板支持体と第2リードフレームの接続子にダ
イボンディングした上で、半導体素子ペレット,基板支
持体,接続子,および外部リードの一部を包含した周域
の樹脂封止、および第1リードフレームのタイバーカッ
ト,第2リードフレームのタブカットを行うことを特徴
とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
1. A plurality of semiconductor element pellets are mounted between a plurality of leaded substrate supports individually corresponding to each pellet and a connector commonly extending between the pellets, and a peripheral region thereof is resin-sealed. And a first lead frame having a plurality of substrate supports, external leads drawn from each substrate support, and a tie bar for interconnecting the external leads, which is patterned, A connector, a tab connected to one end of the connector, and a second lead frame having a pattern formed with a tie bar interconnecting the tabs are used to sandwich the semiconductor element pellet on both main surfaces thereof. After stacking the lead frame and the second lead frame, the semiconductor element pellet is die-bonded to the substrate support of the first lead frame and the connector of the second lead frame. In the above, the semiconductor element pellet, the substrate support, the connector, and the resin encapsulation of the peripheral area including a part of the external lead, the tie bar cut of the first lead frame, and the tab cut of the second lead frame are performed. And a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.
【請求項2】請求項1記載の製造方法において、第1の
工程で半導体素子ペレットを第1,第2リードフレーム
にダイボンディングし、第2の工程で第2リードフレー
ムのタブをカットし、第3の工程でトランスファモール
ド法により半導体素子ペレット,基板支持体,接続子,
および外部リードの一部の周域を樹脂封止し、第4の工
程で第1リードフレームのタイバーをカットすることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
2. The manufacturing method according to claim 1, wherein the semiconductor element pellet is die-bonded to the first and second lead frames in the first step, and the tab of the second lead frame is cut in the second step, In the third step, the semiconductor device pellet, the substrate support, the connector, the transfer mold method,
And a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device, characterized in that a part of the peripheral area of the external lead is resin-sealed and the tie bar of the first lead frame is cut in the fourth step.
【請求項3】請求項1,2記載の製造方法に用いる第1
のリードフレームにおいて、基板支持体から引出した外
部リードの断面形状を、曲げに対する断面係数が大きな
溝形断面となしたことを特徴とする樹脂封止型半導体装
置のリードフレーム。
3. A first method used in the manufacturing method according to claim 1.
2. The lead frame of a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the external lead drawn out from the substrate support has a groove-shaped cross section having a large section modulus against bending.
【請求項4】請求項3記載のリードフレームにおいて、
外部リードに形成した溝形断面を、基板支持体と外部リ
ードの中間部を相互連結するタイバーとの間の範囲に形
成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置のリード
フレーム。
4. The lead frame according to claim 3, wherein
A lead frame for a resin-sealed semiconductor device, wherein a groove-shaped cross section formed in the external lead is formed in a range between a substrate support and a tie bar interconnecting an intermediate portion of the external lead.
JP30576794A 1993-12-10 1994-12-09 Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device and lead frame Pending JPH07221236A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6762067B1 (en) * 2000-01-18 2004-07-13 Fairchild Semiconductor Corporation Method of packaging a plurality of devices utilizing a plurality of lead frames coupled together by rails
JP2010010696A (en) * 2009-08-25 2010-01-14 Renesas Technology Corp Method for manufacturing semiconductor device

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