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JPH07180056A - Production of vapor deposition plating material - Google Patents

Production of vapor deposition plating material

Info

Publication number
JPH07180056A
JPH07180056A JP32784793A JP32784793A JPH07180056A JP H07180056 A JPH07180056 A JP H07180056A JP 32784793 A JP32784793 A JP 32784793A JP 32784793 A JP32784793 A JP 32784793A JP H07180056 A JPH07180056 A JP H07180056A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
opening
base material
vapor
traveling direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP32784793A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Terada
誠 寺田
Atsushi Kato
淳 加藤
Atsushi Kihara
敦史 木原
Kuniyasu Araga
邦康 荒賀
Jiyunji Kawafuku
純司 川福
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Priority to JP32784793A priority Critical patent/JPH07180056A/en
Publication of JPH07180056A publication Critical patent/JPH07180056A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

PURPOSE:To easily obtain a plating layer changed in film thickness in the transverse direction of a long-sized base material. CONSTITUTION:A mask 6 which is arbitrarily changed in the opening length in the traveling direction of an aperture 9 like L9c, L9e is used. This mask 6 is disposed between the traveling long-sized and band-shaped base material 1 and an evaporating source of a raw material for plating. The base material 1 is subjected to vapor deposition plating by the vapor passing the aperture 9.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は蒸着メッキ材の製造方法
に関し、詳細には蒸気メッキを施す際、走行する長尺帯
状基材に到達する蒸着物質を部分的に制限することによ
り、任意膜厚のメッキ層を任意領域に容易に形成するこ
とのできる蒸着メッキ材の製造方法に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a vapor-deposited plating material, and more particularly to a vapor-deposited material, in which vapor deposition is performed by partially limiting the vapor deposition material that reaches a running long strip-shaped substrate. The present invention relates to a method for producing a vapor-deposited plated material, which allows a thick plated layer to be easily formed in an arbitrary region.

【0002】[0002]

【従来の技術】被処理材の表面にメッキを施す方法とし
て、電気メッキ法、無電解メッキ法、溶融メッキ法、物
理蒸発メッキ法、化学蒸着メッキ法等が工業的に実用化
されており、このうち物理蒸着メッキ法は最近特に研究
が盛んに行なわれている。
2. Description of the Related Art Electroplating, electroless plating, hot dipping, physical evaporation plating, chemical vapor deposition, etc. have been industrially put into practical use as methods for plating the surface of a material to be treated. Of these, the physical vapor deposition method has recently been actively researched.

【0003】物理蒸着メッキ法は、電気メッキ法や溶融
メッキ法がメッキ原料に制限を受けるのに対してその様
な制限を受けることがなく、又不純物混入の少ないメッ
キ層を得ることができる等の利点を有する。
In the physical vapor deposition method, the electroplating method and the hot-dip plating method are limited by the plating raw material, but the physical vapor deposition method is not so limited, and a plating layer containing less impurities can be obtained. Have the advantage of.

【0004】この様な物理蒸着メッキ法を行なうことに
より、各種の単一金属膜やそれらの合金膜、又は多層メ
ッキ膜、セラミックス膜等のメッキ層を基材表面に付与
することができる。従って電子、磁気、光学材料等か
ら、家庭電気製品、各種建材、工具、装飾品等に意匠性
を付与するという用途まで、幅広く実用化されている。
物理蒸着メッキ法としては、一般に真空蒸着メッキ法、
イオンプレーティング法、スパッタリング法等が知られ
ており、それぞれに長所・短所を有することから、メッ
キ原料や所望のメッキ性能によって適宜使い分けられて
いる。
By carrying out such a physical vapor deposition method, various single metal films, alloy films thereof, or plating layers such as multi-layer plating films and ceramics films can be provided on the surface of the substrate. Therefore, it has been widely put into practical use from electronic materials, magnetic materials, optical materials, and the like to applications such as home appliances, various building materials, tools, and decorative articles, which are provided with design characteristics.
As the physical vapor deposition method, generally, vacuum vapor deposition method,
The ion plating method, the sputtering method, and the like are known, and each of them has its advantages and disadvantages, and is appropriately used depending on the plating raw material and the desired plating performance.

【0005】物理蒸着メッキ法は、真空中や希薄ガス
中、或は不活性ガス中で、メッキ原料を加熱蒸発させる
か或は電荷を帯びたガス状原子として浮遊させ、これを
被処理材に蒸着させるものである。
In the physical vapor deposition method, the plating raw material is heated and evaporated in a vacuum, a dilute gas, or an inert gas, or is floated as electrically charged gaseous atoms, which is used as a material to be treated. It is vapor-deposited.

【0006】物理蒸着メッキ法において、メッキ原料か
ら蒸発或は弾き出された原子は、ある特定の分布で空間
内を飛行し、被処理材表面に付着する。従って被処理材
表面に付着するメッキ層の膜厚分布は、上記空間内のメ
ッキ原料原子の分布に依存する。例えば真空蒸着メッキ
法の場合、基材表面のメッキ膜厚の分布は、メッキ原料
の蒸発面積が充分に小さいときにはcosn θ(θは蒸
発源と基板上の任意位置を結ぶ直線の法線とのなす角
度)に依存すると言われている。即ちメッキの膜厚は、
メッキ原料と基材との位置関係、メッキ原料の蒸発面積
等に依存している。
In the physical vapor deposition method, the atoms evaporated or repelled from the plating raw material fly in space with a specific distribution and adhere to the surface of the material to be treated. Therefore, the film thickness distribution of the plating layer adhering to the surface of the material to be treated depends on the distribution of the plating material atoms in the space. For example, in the case of the vacuum evaporation plating method, the distribution of the plating film thickness on the surface of the substrate is cos n θ (θ is a normal line connecting the evaporation source and an arbitrary position on the substrate when the evaporation area of the plating raw material is sufficiently small. It is said that it depends on the angle formed by. That is, the plating film thickness is
It depends on the positional relationship between the plating raw material and the base material, the evaporation area of the plating raw material, and the like.

【0007】図11は従来の長尺帯状基材の下側全面に
真空蒸着メッキを施す様子を概念的に示した一部破断斜
視図であり、図中1は長尺帯状基材、2は施されたメッ
キ層、4はメッキ原料蒸発源であり、ここからメッキ原
料蒸気流3が発生する。14はボートであり、メッキ原
料蒸発源4が装入されている。メッキ原料蒸気流3はメ
ッキ原料蒸発源4と対向する長尺基材1の下側表面に付
着し、メッキ層2を形成する。メッキ原料蒸気流3の分
布は縁部ほど薄く、中央部ほど濃いから、メッキ層2は
図11に概念的に示す様に、中央部付近はやや厚く、縁
部になるにつれて薄くなっている。尚、図面において基
材1の厚さに比べ、メッキ層2の膜厚を厚く図示してい
るが、これはメッキ状態を特徴的に示したものであっ
て、本来メッキ層は薄いものである。以下の図面におい
ても同様である。
FIG. 11 is a partially cutaway perspective view conceptually showing a state in which vacuum evaporation plating is performed on the entire lower surface of a conventional long strip-shaped substrate, in which 1 is a long strip-shaped substrate and 2 is a diagram. The applied plating layers 4 are evaporation sources of the plating raw material, from which the vapor flow 3 of the plating raw material is generated. Reference numeral 14 is a boat in which the plating source evaporation source 4 is inserted. The plating material vapor stream 3 adheres to the lower surface of the long base material 1 facing the plating material evaporation source 4 to form a plating layer 2. Since the distribution of the plating raw material vapor flow 3 is thinner at the edge portion and thicker at the central portion, the plating layer 2 is slightly thicker near the central portion and thinner toward the edge portion, as conceptually shown in FIG. Although the thickness of the plating layer 2 is shown to be thicker than the thickness of the base material 1 in the drawing, this is a characteristic representation of the plating state, and the plating layer is originally thin. . The same applies to the following drawings.

【0008】ところで物理蒸着法の利用が行なわれてい
る前述の様な各分野においては、近年被処理表面のメッ
キ層に対する要求性能が厳しくなっており、使用用途や
使用部位に応じてメッキ層の有る所・無い所を設けた
り、メッキ層の膜厚を部位により異なる様にしたり、或
は異なる種類のメッキ層を重層したりといった色々な必
要性が生じてきた。
By the way, in each of the above-mentioned fields in which the physical vapor deposition method is used, the required performance of the plating layer on the surface to be treated has become stricter in recent years, and the plating layer is required to be used depending on the intended use and the site of use. Various needs have arisen, such as providing a place with or without a place, making a film thickness of a plating layer different depending on a part, or stacking different types of plating layers.

【0009】部分メッキの必要性がある場合として、例
えば部分的に溶接や半田付けを行なう場合等があり、こ
れはメッキ層の形成により溶接性或は半田付け性が低下
するという問題が生じるからである。
As a case where partial plating is necessary, for example, there is a case where welding or soldering is partially performed, which causes a problem that weldability or solderability is deteriorated due to the formation of the plating layer. Is.

【0010】しかしながら前述の様に、物理蒸着メッキ
法におけるメッキ膜厚は、メッキ原料と基材の位置関係
や、メッキ原料の蒸発面積等に依存しており、メッキ工
程の制御のみで均一な膜厚のメッキを作製したり、部分
メッキを施したり、或はメッキ膜厚の分布を任意に変え
るといったことは非常に困難である。
However, as described above, the plating film thickness in the physical vapor deposition method depends on the positional relationship between the plating raw material and the base material, the evaporation area of the plating raw material, and the like, and a uniform film can be formed only by controlling the plating process. It is very difficult to produce thick plating, to carry out partial plating, or to arbitrarily change the distribution of plating film thickness.

【0011】そこで従来では下記の様に一旦全面にメッ
キ層を形成し、その後溶接部位(半田付け部位)のメッ
キ層を除去したり、或は既存のメッキ層上に新たに上記
溶接性の優れたメッキを部分的に施す等して改善を図っ
ている。
Therefore, conventionally, a plating layer is once formed on the entire surface and then the plating layer at the welded portion (soldered portion) is removed or the above-mentioned weldability is newly improved on the existing plated layer. We are aiming for improvement by partially applying plating.

【0012】該部分的にメッキを施す従来の蒸着メッキ
方法としては、基板上にマスクを固定し、該マスクを
通してメッキ原料を蒸着することにより、マスクの形状
に対応した部分メッキ層を形成するという方法、又移
動する基板上方にマスクを備え、基板を走行させること
により、ストライプ状にメッキを蒸着させるという方法
がある。また、部分的なメッキ層或はメッキ膜厚が部分
的に異なったメッキ層を得る方法として、従来ではメッ
キの後、化学的、或は機械的にメッキをエッチング
する方法が取られている。
As a conventional vapor deposition plating method for performing the partial plating, a mask is fixed on a substrate, and a plating raw material is deposited through the mask to form a partial plating layer corresponding to the shape of the mask. There is also a method in which a mask is provided above the moving substrate, and the plating is deposited in stripes by running the substrate. Further, as a method of obtaining a partial plating layer or a plating layer having a partially different plating film thickness, conventionally, a method of chemically or mechanically etching the plating after plating has been adopted.

【0013】の化学的にメッキ層をエッチングする方
法としては、例えばフォトレジスト法が一般的に知られ
ている。これはメッキを施した後、フォトポリマーと呼
ばれる光重合可能な多官能性モノマー、又はオリゴマー
をめっき表面に塗布し、所望形状のマスクを通して露光
・硬化させてレジスト膜を形成し、さらに露光・硬化さ
れなかった部分を溶媒等で除去後、腐食液でエッチング
するという方法であり、上記のマスクを通して露光・硬
化した部分のみがエッチングされずに基材表面上に残
る。この方法を用いることで、メッキ層を部分的に形成
したり、メッキ膜厚を部分的に変更することが可能とな
る。
As a method of chemically etching the plating layer, for example, a photoresist method is generally known. This is because after plating, a photopolymerizable polyfunctional monomer or oligomer called a photopolymer is applied to the surface of the plating, which is exposed and cured through a mask of the desired shape to form a resist film, which is then exposed and cured. This is a method of removing the unexposed portion with a solvent or the like, and then etching with a corrosive solution. Only the exposed / cured portion through the above mask remains on the substrate surface without being etched. By using this method, it is possible to partially form the plating layer or partially change the plating film thickness.

【0014】他方、の機械的にメッキ層をエッチング
する方法としては、研削ブラシ等で基材表面のメッキ層
を削り取る方法がある。この方法を用いることで、部分
的にメッキ層を完全除去したり、同一基材内でメッキ膜
厚を変化させたりすることが可能である。
On the other hand, as a method of mechanically etching the plating layer, there is a method of scraping off the plating layer on the surface of the substrate with a grinding brush or the like. By using this method, it is possible to partially completely remove the plating layer or change the plating film thickness within the same base material.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
の方法ではバッチ式であるため、長尺基材の様な大型の
ものには適用できず、又膜厚が一定のものしかできない
という問題がある。又上記の方法では一定膜厚でかつ
ストライプ状のものしかできないという問題がある。
However, since the above method is a batch method, it cannot be applied to a large-sized material such as a long base material, and has a problem that it can only have a constant film thickness. . Further, the above method has a problem that only a film having a constant film thickness and a stripe shape can be formed.

【0016】上記の化学的エッチング法はバッチ処理
工程であるということもあって、処理工程が複雑になる
という問題がある。加えて長尺基材に適用する場合には
レジスト膜を形成する設備自体の開発を必要とする。更
にはこの方法では、同一基材内でメッキ膜厚が種々変化
したものを得ることは困難であるという問題がある。他
方、上記の機械的エッチング法では研削時にメッキ表
面或は基材に多数の疵が生じ、このため著しい外観不良
を招くという問題がある。また、エッチング領域を変化
させるには、研削治具の大きさを変更しなければなら
ず、簡便に用いることは困難であると同時に、機械的研
削法では、微少領域のメッキ膜厚変化を達成することは
非常に困難であるという問題がある。
The above-mentioned chemical etching method is a batch processing step, so that there is a problem that the processing step becomes complicated. In addition, when it is applied to a long substrate, it is necessary to develop equipment for forming a resist film. Further, this method has a problem in that it is difficult to obtain a film having various plating film thicknesses in the same base material. On the other hand, the mechanical etching method described above has a problem that a large number of flaws are generated on the plated surface or the base material during grinding, resulting in a remarkable poor appearance. Also, in order to change the etching area, the size of the grinding jig must be changed, which is difficult to use easily, and at the same time the mechanical grinding method achieves a change in the plating film thickness in a minute area. The problem is that it is very difficult to do.

【0017】本発明は以上の様な問題に鑑みてなされた
ものであって、任意の領域に、任意に膜厚を変化させた
メッキ層を形成でき、メッキ或は基材に疵が生じず、か
つ製造工程上の手段が簡素な蒸着メッキ材の製造方法を
提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and it is possible to form a plating layer having an arbitrarily changed film thickness in an arbitrary region without causing a defect in the plating or the base material. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a vapor-deposited plated material, which has a simple manufacturing process.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明に係る蒸着メッキ
材の製造方法は、メッキ原料蒸発源と長尺帯状基材の間
に設けられた邪魔板(以下、マスクと称す)として、マ
スク開口部の、上記基材走行方向の開口長さを、該走行
方向と直交する方向に沿って任意に変更したものを用い
るものである。
A method for manufacturing a vapor-deposited plating material according to the present invention comprises a mask opening as a baffle plate (hereinafter referred to as a mask) provided between a plating source evaporation source and a long strip base material. The opening length of the portion in the traveling direction of the base material is arbitrarily changed along the direction orthogonal to the traveling direction.

【0019】或はマスクとして、上記走行方向開口長さ
の異なる複数の開口部を、上記走行方向と直交する方向
に沿って複数形成したものを用いるものである。更に該
開口部の少なくとも1つを、上記走行方向開口長さが上
記走行方向と直交する方向に沿って任意に変更したもの
を用いても良い。
Alternatively, as the mask, a mask in which a plurality of openings having different opening lengths in the traveling direction are formed along a direction orthogonal to the traveling direction is used. Further, at least one of the openings may be one in which the opening length in the traveling direction is arbitrarily changed along the direction orthogonal to the traveling direction.

【0020】またマスクを、上記基材の走行方向と直交
する方向に繰返し往復移動を行なわせて蒸着メッキを行
なうことも本発明に含まれる。該マスクとしては、開口
部の上記走行方向開口長さを、上記走行方向と直交する
方向に沿って任意に変更したものを用いても良く、或は
上記走行方向開口長さの異なる複数の開口部を、上記走
行方向と直交する方向に沿って複数形成したものを用い
ても良い。更に上記マスクを、上記走行方向に沿って2
枚以上設けて蒸着メッキを行なう様にしても良い。
It is also included in the present invention that the mask is repeatedly reciprocated in the direction orthogonal to the traveling direction of the substrate to perform vapor deposition plating. The mask may be one in which the opening length in the running direction of the opening is arbitrarily changed along the direction orthogonal to the running direction, or a plurality of openings having different opening lengths in the running direction may be used. You may use what formed multiple parts along the direction orthogonal to the said running direction. Further, the mask is attached along the running direction 2
It is also possible to provide more than one plate and perform vapor deposition plating.

【0021】また同一又は異なったメッキ原料の収納さ
れた複数のメッキ原料蒸発源を、上記基材の走行方向に
沿って備え、該メッキ原料蒸発源の各々に対して上記マ
スクを設けて蒸着メッキを行う様にするのも良い。この
場合、該各マスクに設けられた開口部は、夫々のマスク
に対して1又は2以上設けられると共に、上記基材の走
行方向と直交する方向に見て同じ位置又は異なった位置
となる様に設定して行なう。更に該開口部の上記走行方
向開口長さを、上記走行方向と直交する方向に沿って任
意に変更したものとしても良い。
A plurality of plating source evaporation sources accommodating the same or different plating sources are provided along the running direction of the base material, and the mask is provided for each of the plating source evaporation sources to carry out vapor deposition plating. It is also good to do. In this case, one or two or more openings are provided for each mask, and the openings are at the same position or different positions when viewed in the direction orthogonal to the traveling direction of the base material. Set to. Further, the opening length of the opening in the traveling direction may be arbitrarily changed along the direction orthogonal to the traveling direction.

【0022】[0022]

【作用および実施例】[Action and Example]

<実施例1>図1は本発明の一実施例に係る蒸着メッキ
材の製造方法を説明する図であり、マスクを配した真空
蒸着メッキ処理室を示す断面図である。図において図1
1と同一符号を与えた部分は同一又は相当部分を示し、
5は真空蒸着メッキ処理室、7はサポートロールで、長
尺帯状基材1を矢印A方向に走行させる。6はマスク
で、長尺基材1とメッキ原料蒸発源4との間の任意の空
間に配置されている。9aはマスクに設けられた開口部
である。8は防着板で、マスク6の周辺に設けられてお
り、マスク6の外側を回り込んで基材1に到達する蒸気
(無効蒸気)を防ぐ。
<Embodiment 1> FIG. 1 is a view for explaining a method of manufacturing a vapor deposition plating material according to an embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view showing a vacuum vapor deposition plating processing chamber in which a mask is arranged. Figure 1
The parts given the same reference numerals as 1 indicate the same or corresponding parts,
Reference numeral 5 is a vacuum vapor deposition plating chamber, and 7 is a support roll, which runs the long strip-shaped substrate 1 in the direction of arrow A. A mask 6 is arranged in an arbitrary space between the long base material 1 and the plating material evaporation source 4. Reference numeral 9a is an opening provided in the mask. Reference numeral 8 denotes an adhesion-preventing plate, which is provided around the mask 6 and prevents vapor (ineffective vapor) that goes around the outside of the mask 6 and reaches the base material 1.

【0023】図2の(a)は、マスク6の開口部形状の
一実施例を表す平面図であり、図の背面側には長尺基材
1が走行している。図2の(b)は図2(a)のB−B
線断面図で、メッキの施された長尺基材1の断面図を表
す。図中、9a,9b,9cはマスク6に設けられた開
口部であり、2a,2b,2cはそれらに対応して形成
されるメッキ層である。13はメッキを施されなかった
非メッキ部分である。
FIG. 2A is a plan view showing an example of the opening shape of the mask 6, and the long base material 1 is running on the back side of the drawing. 2B is BB of FIG. 2A.
A line cross-sectional view shows a cross-sectional view of the plated long base material 1. In the figure, 9a, 9b and 9c are openings provided in the mask 6, and 2a, 2b and 2c are plating layers formed corresponding to them. Reference numeral 13 is a non-plated portion which is not plated.

【0024】蒸発源4から発生したメッキ原料蒸気流3
はマスク6の開口部9a,9b,9cの部分のみ通過
し、他の部分はマスク6及び防着板8により遮られ、図
2(b)に示す様にメッキ層2a,2b,2cを形成す
ることとなる。メッキ層の幅(W2 )は開口部の幅(W
9 )によって決まり、メッキ層の膜厚(L2 )はメッキ
原料蒸発速度が一定とすると開口部の長さ(L9 )及び
長尺基材1の走行速度によって決まる。従ってこれらを
適宜設定することで、任意の幅,膜厚及びメッキ間隔
(非メッキ部分の領域)のメッキ層を得ることができ
る。尚上記図2では開口部を3箇所としたが、開口部の
数はこれに限らず2,4,5箇所等、いくつでも良く、
これによってメッキ領域、非メッキ領域の部分を種々変
えることができる。
Plating material vapor stream 3 generated from evaporation source 4
Passes through only the opening portions 9a, 9b, 9c of the mask 6, and the other portions are blocked by the mask 6 and the deposition preventive plate 8 to form the plating layers 2a, 2b, 2c as shown in FIG. 2B. Will be done. The width of the plating layer (W 2 ) is the width of the opening (W
9 ), and the film thickness (L 2 ) of the plating layer is determined by the length of the opening (L 9 ) and the running speed of the long base material 1 when the evaporation rate of the plating raw material is constant. Therefore, by appropriately setting these, it is possible to obtain a plating layer having an arbitrary width, film thickness and plating interval (region of non-plating portion). Although the number of openings is three in FIG. 2, the number of openings is not limited to this, and any number of openings may be used, such as 2, 4, or 5,
As a result, the plated area and the non-plated area can be variously changed.

【0025】この様に、本実施例1においては、マスク
6によって蒸気流3を開口部の形状に合わせて整える様
にしたから、長尺基材1に任意の幅のメッキ層を任意の
膜厚に形成することができる。
As described above, in the first embodiment, the vapor flow 3 is adjusted by the mask 6 according to the shape of the opening. Therefore, the long base material 1 is provided with a plating layer having an arbitrary width. It can be formed thick.

【0026】<実施例2〜5>図3〜6は本発明に係る
蒸着メッキ材の製造方法の他の実施例(実施例2〜5)
を示す図であり、開口部9を他の種々の形にした場合を
示す。図3〜6の各(a)は図の背面側を基材1が走行
しているマスク6の平面図であり、そのB−B線での断
面図をそれぞれ図3〜6の各(b)に示す。
<Examples 2 to 5> FIGS. 3 to 6 are other examples (Examples 2 to 5) of the method for producing a vapor-deposited plated material according to the present invention.
FIG. 9B is a view showing the case where the opening 9 is formed into various other shapes. 3A to 6A are plan views of the mask 6 on which the substrate 1 is running on the back side of the drawings, and cross-sectional views taken along the line BB are shown in FIGS. ).

【0027】図3の(a)(実施例2)では、開口部9
の中央部の長さL9cが長く、端部にいくに従って長さが
9eの様に短くなっている。その為長尺基材1の幅方向
端部においては、蒸気流に曝される時間が短く、中央部
に近づくに従って長くなっていく。従って形成されるメ
ッキ層2は、図3(b)に示す様に中心部L2cで膜厚が
厚く、端(L2e)にいく程膜厚が連続的に薄くなってい
く山型となる。
In FIG. 3A (Example 2), the opening 9
The length L 9c of the central part is long, and the length L 9e becomes shorter toward the end. Therefore, at the end of the long base material 1 in the width direction, the time of exposure to the steam flow is short and becomes longer as it approaches the central portion. Therefore, as shown in FIG. 3B, the plating layer 2 formed has a mountain shape in which the film thickness is large in the central portion L 2c and the film thickness is continuously reduced toward the end (L 2e ). .

【0028】他に図4(実施例3),図5(実施例
4),図6(実施例5)に示す様に、開口部9を種々の
形状にすることにより、断面M型(図4)、アーチ型
(図5)、階段型(図6)等の各種メッキ層を得ること
ができる。
In addition, as shown in FIG. 4 (embodiment 3), FIG. 5 (embodiment 4), and FIG. 6 (embodiment 5), the opening 9 is formed in various shapes to obtain an M-shaped cross section (see FIG. 4), arch type (FIG. 5), step type (FIG. 6) and other various plating layers can be obtained.

【0029】以上述べた様に、開口部9の走行方向開口
長さを走行方向と直交する方向に沿って任意に変更した
もの(図3(a) のL9c,L9e等)を用いることで、該開
口部9の走行方向開口長さに対応して、種々の膜厚に連
続的に変化したメッキ層2を得ることができる。
As described above, the opening length of the opening 9 in the traveling direction is arbitrarily changed along the direction orthogonal to the traveling direction (L 9c , L 9e, etc. in FIG. 3A). Thus, it is possible to obtain the plating layer 2 having various thicknesses continuously changed in accordance with the length of the opening 9 in the traveling direction.

【0030】尚、上記実施例1では開口部9a,9b,
9cの形状を夫々矩形としたマスクを用いたが、上記実
施例2〜5の様に走行方向開口長さの異なる任意形状の
開口部としたマスクを用いても良い。
In the first embodiment, the openings 9a, 9b,
Although the masks each having a rectangular shape of 9c are used, a mask having an opening portion having an arbitrary shape having a different opening length in the traveling direction may be used as in Examples 2 to 5 described above.

【0031】<実施例6>図7は実施例6を示す概略斜
視図である。尚、図では省略しているが、マスク6d、
6eの外側に回って基材1に到達する蒸気を防ぐ為、図
1に示した様な防着板8を設ける方が望ましい。図8
(a)はマスク部分を示す平面図、図8(b)は図8
(a)中のB−B線断面図であり、メッキの施された基
材1の断面を示す。本例では図7に示す様に、種類の異
なるメッキ原料蒸発源4d,4eが2つ備えてあり、そ
の各々に対してマスク6d,6eが配置されている。マ
スク6d,6eには図7及び図8(a)に示す様に、そ
れぞれ開口部9d,9eが設けてある。
<Sixth Embodiment> FIG. 7 is a schematic perspective view showing a sixth embodiment. Although not shown in the drawing, the mask 6d,
In order to prevent the vapor that reaches the base material 1 around the outside of 6e, it is desirable to provide the deposition preventive plate 8 as shown in FIG. Figure 8
8A is a plan view showing the mask portion, and FIG. 8B is FIG.
It is a BB line sectional view in (a), and shows the cross section of the base material 1 by which the plating was given. In this example, as shown in FIG. 7, two different plating source evaporation sources 4d and 4e are provided, and masks 6d and 6e are arranged for each of them. As shown in FIGS. 7 and 8A, the masks 6d and 6e are provided with openings 9d and 9e, respectively.

【0032】長尺基材1が矢印A方向に走行し、蒸発源
4d,4eからのメッキ原料蒸気流がマスク6d,6e
の開口部9d,9eの形状に整えられて長尺基材1に到
達し、図8(b)に示す様に、開口部9dに対応するメ
ッキ層2d及び開口部9eに対応するメッキ層2eがそ
れぞれ形成される。
The long base material 1 travels in the direction of the arrow A, and the plating raw material vapor flows from the evaporation sources 4d and 4e are masks 6d and 6e.
8d reaches the long base material 1 after being shaped into the openings 9d and 9e, and as shown in FIG. 8B, the plating layer 2d corresponding to the opening 9d and the plating layer 2e corresponding to the opening 9e. Are formed respectively.

【0033】本例の様に、メッキ原料蒸発源及びマスク
を複数設けることによって、各々のメッキ原料のメッキ
層がそれぞれに対応して基材1に形成できる。しかも本
例の場合、複数種のメッキ原料からなるメッキを、一度
の工程で形成することができる。またそれらの膜厚も前
記と同様に開口部の走行方向長さによって任意に決める
ことができる。尚本実施例6では開口部の形状を矩形と
したが、上記実施例2〜5の様に菱形、丸型など任意の
形状とすれば、膜厚を連続的に変化させたメッキ層を形
成することができる。
By providing a plurality of plating source evaporation sources and a plurality of masks as in this example, a plating layer of each plating source can be formed on the substrate 1 correspondingly. Moreover, in the case of this example, it is possible to form the plating made of a plurality of types of plating raw materials in one step. Also, their film thickness can be arbitrarily determined by the length of the opening in the traveling direction, as in the above. In the sixth embodiment, the shape of the opening is rectangular. However, if the opening is formed in any shape such as a diamond shape or a round shape as in the above-described second to fifth embodiments, a plating layer having a continuously changed film thickness is formed. can do.

【0034】<実施例7>図9は実施例6と同様、メッ
キ原料蒸発源及びマスクを複数設けた場合の例を示す図
である。但し本例の場合、図9(a)に示す様に開口部
9f,9gが基材幅方向に同様の位置関係で設けられて
いる。従って本例では、形成されるメッキ層2f(開口
部9fに対応)、メッキ層2g(開口部9gに対応)は
図9の(b)に示す様に2段に重層したものとなる。
<Embodiment 7> Similar to Embodiment 6, FIG. 9 is a diagram showing an example in which a plurality of plating source evaporation sources and masks are provided. However, in the case of this example, as shown in FIG. 9A, openings 9f and 9g are provided in the same positional relationship in the width direction of the base material. Therefore, in this example, the plating layer 2f (corresponding to the opening 9f) and the plating layer 2g (corresponding to the opening 9g) to be formed are two-tiered as shown in FIG. 9B.

【0035】この様に、異なる種類で複数重層したメッ
キ層を、一度の工程で形成することができる。しかも上
記と同様にメッキ形状を任意の幅及び膜厚にすることが
でき、また膜厚を連続的に変化させたメッキ層を形成す
ることもできる。
As described above, a plurality of plating layers of different types can be formed in one step. Moreover, similarly to the above, the plating shape can have an arbitrary width and film thickness, and it is also possible to form a plating layer in which the film thickness is continuously changed.

【0036】<実施例8>図10の(a)は実施例8を
示す概略斜視図で、図10の(b)はそのメッキが施さ
れた長尺基材1の表面を示す平面概略図である。本例で
はマスク16が、マスク駆動部11によって、基材1の
走行方向Aと直行する方向Haに往復移動を繰り返す。
上記実施例1〜7では基材1の走行方向に沿って同一の
膜厚のメッキ層、即ちストライプ状のメッキ層を得るこ
としかできないが、本実施例8の様にマスク16を往復
移動させつつ基材1を矢印A方向に走行させてメッキ原
料を蒸着することによって、図10の(b)に示す様な
波型のメッキ層12を得ることができる。
<Embodiment 8> FIG. 10A is a schematic perspective view showing Embodiment 8, and FIG. 10B is a schematic plan view showing the surface of the plated long substrate 1. Is. In this example, the mask 16 is repeatedly reciprocated in the direction Ha that is orthogonal to the traveling direction A of the substrate 1 by the mask driving unit 11.
In Examples 1 to 7 described above, only a plating layer having the same film thickness, that is, a striped plating layer can be obtained along the traveling direction of the base material 1, but the mask 16 is reciprocally moved as in Example 8. While the base material 1 is moved in the direction of arrow A to deposit the plating raw material, a corrugated plating layer 12 as shown in FIG. 10B can be obtained.

【0037】メッキ層12の波の振幅Hbはマスク16
の移動振幅Haによって決まり、メッキ層変化の周期I
はマスク16の振動周期t及び基材1の走行速度vによ
って決まる。また前記と同様、メッキ層の幅Wbは開口
部9の幅Waによって決まる。従ってこれらを適宜選択
することで任意のメッキ層を得ることができる。尚、周
期Iは基材1の走行速度vに比例し、マスクの振動周期
tに反比例している。この様に本実施例8ではメッキ層
12を波型に形成することができる。本実施例8の場
合、基材1の長手方向から見て、メッキ部と非メッキ部
を繰り返すメッキ層となる。
The wave amplitude Hb of the plating layer 12 is determined by the mask 16
Is determined by the movement amplitude Ha of the
Is determined by the vibration period t of the mask 16 and the traveling speed v of the substrate 1. Further, similarly to the above, the width Wb of the plating layer is determined by the width Wa of the opening 9. Therefore, an appropriate plating layer can be obtained by appropriately selecting these. The cycle I is proportional to the traveling speed v of the base material 1 and inversely proportional to the vibration cycle t of the mask. As described above, in Example 8, the plating layer 12 can be formed in a corrugated shape. In the case of Example 8, the plating layer was formed by repeating the plated portion and the non-plated portion as viewed in the longitudinal direction of the base material 1.

【0038】またマスク16の速度パターンを制御する
ことにより、例えば図10の(c)に示す様に、メッキ
層12を角型の波にすることもできる。あるいはこの様
に一定周期とせず、移動周期を変化させることで、その
移動ストロークに応じた任意形状にメッキ層を形成する
ことも可能である。
Further, by controlling the speed pattern of the mask 16, the plating layer 12 can be formed into a square wave as shown in FIG. 10C, for example. Alternatively, it is also possible to form the plating layer in an arbitrary shape according to the moving stroke by changing the moving cycle instead of the fixed cycle.

【0039】更に上記の様に開口部の走行方向長さを走
行方向と直交する方向に沿って任意に変更したものとす
れば、直交方向においても種々の膜厚に連続的に変化し
たメッキ層を形成することができる。
Further, if the length of the opening in the running direction is arbitrarily changed along the direction orthogonal to the running direction as described above, the plating layer having various thicknesses continuously changed in the orthogonal direction as well. Can be formed.

【0040】尚、上記実施例1〜8に示したメッキ層の
膜厚(L2 等)は、開口部の長さ(L9 等)のみなら
ず、長尺帯状基材の走行速度とも関係することは言うま
でもない。
The film thickness (L 2 etc.) of the plating layer shown in Examples 1 to 8 is related not only to the length of the opening (L 9 etc.) but also to the running speed of the long strip base material. Needless to say.

【0041】尚、上記マスクの開口部形状は上記実施例
に限るものではなく、直線や曲線によって形成される閉
じた図形であれば、いかなる形状のものでも良い。更に
同一マスク内に形状の異なる複数の開口部を設けること
も可能であり、任意に組合せることで種々の膜厚を持つ
メッキ層を形成できる。例えば図2(a)に示すマスク
6と図3(a)に示すマスク6を組合せることで、長尺
基材1の幅方向に不連続かつメッキ層膜厚が連続的に変
化したメッキを施すことができる。更にマスクの移動を
組合せることで、いろいろな形状のメッキ層を形成する
ことができる。
The shape of the opening of the mask is not limited to that of the above embodiment, and any shape may be used as long as it is a closed figure formed by a straight line or a curved line. Further, it is possible to provide a plurality of openings having different shapes in the same mask, and it is possible to form plating layers having various film thicknesses by arbitrarily combining them. For example, by combining the mask 6 shown in FIG. 2 (a) and the mask 6 shown in FIG. 3 (a), plating which is discontinuous in the width direction of the long base material 1 and whose plating layer thickness continuously changes can be performed. Can be given. Furthermore, by combining the movement of the mask, it is possible to form plating layers of various shapes.

【0042】加えて、異なった又は同じ開口部を有する
マスクを2枚重ね、又はマスクと開口部を有しないシャ
ッター板を重ね、この一方あるいは両方のマスク(又は
シャッター板)を、基材1の走行方向と直交する方向に
移動させる様にすれば、開口部の幅を変化させることが
できる。従って基材1の長手方向の夫々の位置によって
メッキ領域の幅の異なるメッキ層を形成できる。又この
2枚のマスク(又はシャッター板)の移動を基材1の走
行方向に移動させた場合は、開口部の走行方向開口長さ
が変化することになるので、基材1の長手方向で膜厚の
異なるメッキ層を形成することができる。尚開口部が完
全に閉じられた時は非メッキ領域を形成することになる
ことは言うまでもない。
In addition, two masks having different or the same opening portions are superposed, or a mask plate and a shutter plate having no opening portion are superposed, and one or both of these masks (or shutter plates) are attached to the base material 1. The width of the opening can be changed by moving the opening in a direction orthogonal to the traveling direction. Therefore, it is possible to form a plating layer having different widths of the plating region depending on the respective positions of the base material 1 in the longitudinal direction. Further, when the movement of the two masks (or shutter plates) is moved in the traveling direction of the substrate 1, the opening length of the opening in the traveling direction changes, so that the longitudinal direction of the substrate 1 is changed. Plating layers having different film thicknesses can be formed. Needless to say, when the opening is completely closed, a non-plated area is formed.

【0043】前記マスクの材料は、メッキ原料蒸気流が
あまり付着せず、かつメッキ原料からの輻射熱によりク
リープ変形等が発生しない材料であれば何等制限される
ものではなく、鋼板,銅板,ステンレス鋼板等の金属、
合金はもちろん、グラファイト,各種セラミックス材料
等を用いることが可能である。
The material of the mask is not limited as long as the vapor of the plating raw material does not adhere so much and the creeping deformation or the like does not occur due to the radiant heat from the plating raw material. Steel plate, copper plate, stainless steel plate Metal, etc.
It is possible to use graphite, various ceramic materials, etc. as well as alloys.

【0044】またマスク中に、水,油等の液体、或は気
体を循環させることで、マスクの熱を系外に排出するこ
とは、熱変形を防止する点から考えて好ましい手段であ
る。マスクを通過した蒸気流は、基材表面に到達する時
点では、マスクの開口部面積以上に広がるものである
が、マスクと長尺基材の距離を小さくすると、メッキ層
エッジ部がより鮮明になり、距離を大きくすると不鮮明
になる。従ってマスクと長尺基材の距離を適宜調整する
ことで、メッキ層エッジ部の鮮明度を調整することが可
能である。例えばメッキ層のエッジ部を鮮明に得る為に
は、基材とマスク間の距離を10mm以内とすることが望
ましい。但し、0.5mm未満になると走行する基材の振
動により、マスクと基材が接触する可能性があるから、
0.5mm〜10mmとするのがより好ましい。
Discharging the heat of the mask out of the system by circulating a liquid such as water or oil or a gas in the mask is a preferable means from the viewpoint of preventing thermal deformation. The vapor flow passing through the mask spreads over the opening area of the mask when it reaches the surface of the base material, but if the distance between the mask and the long base material is reduced, the edge of the plating layer becomes clearer. It becomes unclear when the distance is increased. Therefore, it is possible to adjust the sharpness of the edge portion of the plating layer by appropriately adjusting the distance between the mask and the long base material. For example, in order to obtain a sharp edge portion of the plating layer, it is desirable that the distance between the base material and the mask be within 10 mm. However, if it is less than 0.5 mm, the mask and the base material may come into contact with each other due to the vibration of the running base material.
More preferably, it is 0.5 mm to 10 mm.

【0045】なお、本発明を適用する物理蒸着メッキ法
の種類については、何等規定されるものでなく、真空蒸
着メッキ法,イオンプレーティング法,スパッタリング
法等が使用可能である。また、メッキ原料の蒸気を発生
させるための加熱・蒸発手段は特に限定されるものでは
なく、電子ビーム法,抵抗加熱法,レーザービーム法,
ホロカソード法,イオンビームスパッタ法,DCスパッ
タ法,マグネトロンスパッタ法等を用いることができ
る。
The type of physical vapor deposition plating method to which the present invention is applied is not specified at all, and vacuum vapor deposition plating method, ion plating method, sputtering method and the like can be used. Further, the heating / evaporating means for generating the vapor of the plating raw material is not particularly limited, and the electron beam method, the resistance heating method, the laser beam method,
A hollow cathode method, an ion beam sputtering method, a DC sputtering method, a magnetron sputtering method or the like can be used.

【0046】また、本発明を適用する長尺基材について
も特に制限されるものではなく、一般の普通鋼板,各種
ステンレス鋼板,合金鋼板等の金属板や、Al,Cu,
Ti等の非鉄金属板、或はそれぞれの合金板等や、Si
等の非金属材料、プラスチック等の樹脂板或はフィル
ム、更には各種セラミックス材料にも適用できる。
The long base material to which the present invention is applied is not particularly limited, and may be a general ordinary steel plate, various stainless steel plates, metal plates such as alloy steel plates, Al, Cu,
Non-ferrous metal plate such as Ti, or alloy plate of each, Si
It can also be applied to non-metal materials such as, resin plates or films such as plastics, and various ceramic materials.

【0047】<実験>以下、本発明の蒸着メッキ材の製
造方法を具体的に行なった実験について説明する。実験
には連続真空蒸着メッキ設備を使用し、下記表1に示す
様に各種のマスクをそれぞれ蒸着メッキ処理室内に設置
して実験を行なった。マスクの材質としてはグラファイ
トを用い、長尺基材には冷延鋼板150mmw を用い
た。長尺基材の走行速度は3〜15m/minとし、電
子線加熱方式でメッキ原料を加熱した。マスクと基材と
の距離が5mmになる様にマスクを配した。
<Experiment> Hereinafter, an experiment in which the method for producing a vapor-deposited plated material according to the present invention is specifically performed will be described. The continuous vacuum evaporation plating equipment was used for the experiment, and various masks were respectively installed in the evaporation plating chamber as shown in Table 1 below. Graphite was used as the material of the mask, and cold rolled steel plate 150 mm w was used as the long base material. The running speed of the long base material was set to 3 to 15 m / min, and the plating raw material was heated by the electron beam heating method. The mask was placed so that the distance between the mask and the substrate was 5 mm.

【0048】[0048]

【表1】 [Table 1]

【0049】上記蒸着条件で走行する長尺基材にメッキ
を施す実験を行なったところ、実験1では、マスク6の
開口部9a,9b,9cに夫々対応する基材部分のみに
メッキ層が3条形成された。このメッキ層は開口部の幅
(W9 等)に対応した幅でそれぞれ異なったものとなっ
ており、かつメッキ膜厚は開口部の長さ(L9 等)に対
応した膜厚でそれぞれ異なったものが形成されていた。
開口部に対応しない基材部分にはメッキ層は形成されて
いなかった。
An experiment was conducted in which a long base material running under the above vapor deposition conditions was plated. In Experiment 1, the plating layer 3 was formed only on the base material portions corresponding to the openings 9a, 9b, 9c of the mask 6, respectively. Formed. The plating layers are different in width corresponding to the width of the opening (W 9 etc.), and the plating film thickness is different in thickness corresponding to the length of the opening (L 9 etc.). Things were formed.
No plating layer was formed on the base material portion that did not correspond to the opening.

【0050】実験2の結果では、基材の幅方向に連続的
に膜厚の変化したメッキ層が得られた。その膜厚は中心
部付近が最も厚く、端に行く従って薄くなっており、マ
スクの開口部に対応した断面山型のものとなっていた。
As a result of Experiment 2, a plating layer having a thickness continuously changed in the width direction of the substrate was obtained. The film thickness was thickest near the center and became thinner toward the edges, and had a mountain-shaped cross section corresponding to the opening of the mask.

【0051】実験3では、基材幅方向に5条のメッキ層
を有するものが得られた。そのメッキ層はAl−Cu−
Al−Cu−Alと交互に形成されたものであった。実
験4では、幅,膜厚の異なる3条のメッキ層が波模様に
形成された。比較実験として、マスクを設置せずに上記
と同じ蒸着条件で真空蒸着メッキを行なった。
In Experiment 3, the one having five plating layers in the width direction of the substrate was obtained. The plating layer is Al-Cu-
It was formed alternately with Al-Cu-Al. In Experiment 4, three plating layers having different widths and film thicknesses were formed in a wave pattern. As a comparative experiment, vacuum deposition plating was performed under the same vapor deposition conditions as above without setting a mask.

【0052】その結果、基材全面のメッキ層が得られ、
そのメッキ膜厚は基材幅方向の端部が若干薄いものであ
った。しかしながらこの膜厚の違い程度は意図的に制御
されたものではなく、比較実験の方法では、本発明の様
に任意の膜厚を得る制御は困難であった。
As a result, a plating layer on the entire surface of the substrate is obtained,
The plating film thickness was slightly thinner at the end in the width direction of the substrate. However, this degree of difference in film thickness is not intentionally controlled, and it is difficult to obtain an arbitrary film thickness by the method of the comparative experiment as in the present invention.

【0053】[0053]

【発明の効果】本発明に係る蒸着メッキ材の製造方法は
上述の様に構成されているから、この方法により場所に
よって膜厚の違うメッキ層を、任意の領域に得ることが
できる。その膜厚の違いは連続的にも不連続にも設定す
ることができ、その設定は容易に行なえる。又そのメッ
キ形成工程は一度の工程で行なえるという効果がある。
Since the method for producing a vapor-deposited plating material according to the present invention is configured as described above, a plating layer having a different film thickness depending on the location can be obtained by this method. The difference in the film thickness can be set continuously or discontinuously, and the setting can be easily performed. Further, there is an effect that the plating forming step can be performed in one step.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る蒸着メッキ材の製造方
法におけるメッキ処理室を示す断面図。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a plating processing chamber in a method for manufacturing a vapor-deposited plated material according to an embodiment of the present invention.

【図2】(a)は本発明の実施例1に係る蒸着メッキ材
の製造方法で用いるマスク及びその付近を示す平面図、
(b)は(a)のB−B線での断面図。
FIG. 2 (a) is a plan view showing a mask used in the method for producing a vapor-deposited plated material according to the first embodiment of the present invention and its vicinity,
(B) is sectional drawing in the BB line of (a).

【図3】(a)は本発明の実施例2に係る蒸着メッキ材
の製造方法で用いるマスク及びその付近を示す平面図、
(b)は(a)のB−B線での断面図。
FIG. 3A is a plan view showing a mask used in the method for producing a vapor-deposited plated material according to the second embodiment of the present invention and the vicinity thereof;
(B) is sectional drawing in the BB line of (a).

【図4】(a)は本発明の実施例3に係る蒸着メッキ材
の製造方法で用いるマスク及びその付近を示す平面図、
(b)は(a)のB−B線での断面図。
FIG. 4A is a plan view showing a mask used in the method for producing a vapor-deposited plated material according to the third embodiment of the present invention and its vicinity;
(B) is sectional drawing in the BB line of (a).

【図5】(a)は本発明の実施例4に係る蒸着メッキ材
の製造方法で用いるマスク及びその付近を示す平面図、
(b)は(a)のB−B線での断面図。
FIG. 5A is a plan view showing a mask used in the method for producing a vapor-deposited plating material according to Example 4 of the present invention and the vicinity thereof,
(B) is sectional drawing in the BB line of (a).

【図6】(a)は本発明の実施例6に係る蒸着メッキ材
の製造方法で用いるマスク及びその付近を示す平面図、
(b)は(a)のB−B線での断面図。
FIG. 6A is a plan view showing a mask used in the method for producing a vapor-deposited plating material according to Embodiment 6 of the present invention and the vicinity thereof;
(B) is sectional drawing in the BB line of (a).

【図7】本発明に係る蒸着メッキ材の製造方法における
2つのメッキ原料蒸発源及び2つのマスクを用いた場合
を示す斜視図。
FIG. 7 is a perspective view showing a case where two plating source evaporation sources and two masks are used in the method for producing a vapor deposition plated material according to the present invention.

【図8】(a)は本発明の実施例7に係る蒸着メッキ材
の製造方法で用いるマスク及びその付近を示す平面図、
(b)は(a)のB−B線での断面図。
FIG. 8A is a plan view showing a mask used in the method for producing a vapor-deposited plated material according to Example 7 of the present invention and its vicinity;
(B) is sectional drawing in the BB line of (a).

【図9】(a)は本発明の実施例8に係る蒸着メッキ材
の製造方法で用いるマスク及びその付近を示す平面図、
(b)は(a)のB−B線での断面図。
FIG. 9 (a) is a plan view showing a mask used in the method for producing a vapor-deposited plated material according to Example 8 of the present invention and the vicinity thereof,
(B) is sectional drawing in the BB line of (a).

【図10】(a)は本発明に係る蒸着メッキ材の製造方
法におけるマスク移動の場合を示す斜視図、(b),
(c)はメッキ層が形成された基材表面を示す平面図。
FIG. 10 (a) is a perspective view showing a case of moving a mask in the method for producing a vapor-deposited plated material according to the present invention, (b),
FIG. 3C is a plan view showing the surface of the base material on which the plating layer is formed.

【図11】従来の蒸着メッキの様子を示す斜視図。FIG. 11 is a perspective view showing a state of conventional vapor deposition plating.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 長尺基材 2,2a,2b,2c,2d,2e,2f,2g メッキ層 3 メッキ原料蒸気流 4 メッキ原料蒸発源 5 メッキ処理室 6,6d,6e,6f,6g,16 マスク 8 防着板 9,9a,9b,9c,9d,9e,9f,9g 開口部 11 マスク駆動部 12 メッキ領域 13 非メッキ部分 1 Long base material 2,2a, 2b, 2c, 2d, 2e, 2f, 2g Plating layer 3 Plating raw material vapor flow 4 Plating raw material evaporation source 5 Plating chamber 6,6d, 6e, 6f, 6g, 16 Mask 8 Protection Plate 9,9a, 9b, 9c, 9d, 9e, 9f, 9g Opening 11 Mask drive 12 Plated area 13 Non-plated area

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木原 敦史 兵庫県加古川市尾上町池田字池田開拓2222 番地1 株式会社神戸製鋼所加古川研究地 区内 (72)発明者 荒賀 邦康 兵庫県加古川市尾上町池田字池田開拓2222 番地1 株式会社神戸製鋼所加古川研究地 区内 (72)発明者 川福 純司 兵庫県加古川市尾上町池田字池田開拓2222 番地1 株式会社神戸製鋼所加古川研究地 区内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Atsushi Kihara 2222 Ikeda, Ikeda, Igami, Onoue-cho, Kakogawa-shi, Hyogo Pref., Kakogawa Research Area, Kobe Steel Co., Ltd. (72) Kuniyasu Araga Oue-cho, Kakogawa-shi, Hyogo Ikeda character Exploring Ikeda 2222 Address 1 Kobe Steel Co., Ltd. in Kakogawa Research Area (72) Inventor Junji Kawafuku Ikeda character, Ikeda, Onoe Town, Kakogawa City, Hyogo Prefecture 2222 Address 1 Kobe Steel Works Inc., Kakogawa Research Area

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 走行する長尺帯状基材とメッキ原料蒸発
源の間に、開口部を有する邪魔板を設け、該開口部を通
過する蒸気によって上記基材に蒸着メッキを施すに当た
り、 前記邪魔板として、前記開口部の前記走行方向開口長さ
を、前記走行方向と直交する方向に沿って任意に変更し
たものを用いることを特徴とする蒸着メッキ材の製造方
法。
1. A baffle plate having an opening is provided between a running long strip-shaped base material and a plating source evaporation source, and vapor is plated on the base material by vapor passing through the opening. A method for producing a vapor-deposited plated material, characterized in that a plate obtained by arbitrarily changing the opening length of the opening in the traveling direction is used as a plate along a direction orthogonal to the traveling direction.
【請求項2】 走行する長尺帯状基材とメッキ原料蒸発
源の間に、開口部を有する邪魔板を設け、該開口部を通
過する蒸気によって上記基材に蒸着メッキを施すに当た
り、 前記邪魔板として、前記走行方向開口長さの異なる複数
の開口部を、前記走行方向と直交する方向に沿って複数
形成したものを用いることを特徴とする蒸着メッキ材の
製造方法。
2. A baffle plate having an opening is provided between the running long strip-shaped base material and a plating source evaporation source, and vapor deposition plating is performed on the base material by steam passing through the opening, A method for manufacturing a vapor-deposited plated material, characterized in that a plurality of openings having different opening lengths in the traveling direction are formed as a plate along a direction orthogonal to the traveling direction.
【請求項3】 請求項2の開口部の少なくとも1つは、
前記走行方向開口長さが前記走行方向と直交する方向に
沿って任意に変更したものである請求項2に記載の蒸着
メッキ材の製造方法。
3. At least one of the openings of claim 2 is
The method for producing a vapor-deposited plating material according to claim 2, wherein the opening length in the traveling direction is arbitrarily changed along a direction orthogonal to the traveling direction.
【請求項4】 走行する長尺帯状基材とメッキ原料蒸発
源の間に、開口部を有する邪魔板を設け、該開口部を通
過する蒸気によって上記基材に蒸着メッキを施すに当た
り、 上記邪魔板を、上記基材の走行方向と直交する方向に繰
返し往復移動させて行うことを特徴とする蒸着メッキ材
の製造方法。
4. A baffle plate having an opening is provided between a running long strip-shaped base material and a plating source evaporation source, and vapor deposition plating is applied to the base material by steam passing through the opening, A method for producing a vapor-deposited plated material, characterized in that the plate is repeatedly reciprocated in a direction orthogonal to the traveling direction of the base material.
【請求項5】 邪魔板として、前記開口部の前記走行方
向開口長さを、前記走行方向と直交する方向に沿って任
意に変更したものを用いる請求項4に記載の蒸着メッキ
材の製造方法。
5. The method for manufacturing a vapor-deposited plated material according to claim 4, wherein the baffle plate is a baffle plate having an opening length in the traveling direction which is arbitrarily changed along a direction orthogonal to the traveling direction. .
【請求項6】 邪魔板として、前記走行方向開口長さの
異なる複数の開口部を、前記走行方向と直交する方向に
沿って複数形成したものを用いる請求項4に記載の蒸着
メッキ材の製造方法。
6. The vapor-deposited plated material according to claim 4, wherein a plurality of openings having different opening lengths in the traveling direction are formed as a baffle plate along a direction orthogonal to the traveling direction. Method.
【請求項7】 前記邪魔板を前記走行方向に沿って2枚
以上設けて行なう請求項1〜6のいずれかに記載の蒸着
メッキ材の製造方法。
7. The method for producing a vapor-deposited plated material according to claim 1, wherein two or more baffle plates are provided along the traveling direction.
【請求項8】 メッキ原料蒸発源と走行する長尺帯状基
材の間に開口部を有する邪魔板を設け、該開口部を通過
する蒸気によって上記基材に蒸着メッキを施すに当た
り、 同一又は異なったメッキ原料の収納された複数のメッキ
原料蒸発源を、上記基材の走行方向に沿って備え、 該メッキ原料蒸発源の各々に対して上記邪魔板を設け、 且つ各邪魔板に設ける開口部を、夫々の邪魔板に対して
1又は2以上設けると共に、上記基材の走行方向と直交
する方向に見て同じ位置又は異なった位置となる様に設
定して行なうことを特徴とする蒸着メッキ材の製造方
法。
8. A baffle plate having an opening is provided between a plating raw material evaporation source and a long strip-shaped base material which runs, and the same or different method is used for performing vapor deposition plating on the base material by vapor passing through the opening. A plurality of plating source evaporation sources accommodating the plating raw materials are provided along the traveling direction of the base material, the baffle plate is provided for each of the plating source evaporation sources, and an opening provided in each baffle plate Is provided for each baffle plate and is set so as to be at the same position or different positions when viewed in a direction orthogonal to the traveling direction of the base material. Method of manufacturing wood.
【請求項9】 邪魔板に設ける開口部の少なくとも1つ
は、前記開口部の前記走行方向開口長さを、前記走行方
向と直交する方向に沿って任意に変更したものである請
求項8に記載の蒸着メッキ材の製造方法。
9. At least one of the openings provided in the baffle plate is such that the opening length of the opening in the traveling direction is arbitrarily changed along a direction orthogonal to the traveling direction. A method for producing the vapor-deposited plated material described.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003532794A (en) * 2000-05-08 2003-11-05 インテマティックス コーポレーション Combinatorial synthesis of material chips
WO2007043476A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Tohoku University Magnetron sputtering apparatus
JP2007227359A (en) * 2006-01-27 2007-09-06 Canon Inc Vapor deposition apparatus and vapor deposition method
JP2014503949A (en) * 2010-12-07 2014-02-13 フオン・アルデンネ・アンラーゲンテヒニク・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング Vapor deposition apparatus and method for producing organic light emitting body
JP2014116059A (en) * 2012-11-16 2014-06-26 Iza Corp Method for manufacturing tunnel barrier layer or gate insulating film and device for manufacturing tunnel barrier layer or gate insulating film

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003532794A (en) * 2000-05-08 2003-11-05 インテマティックス コーポレーション Combinatorial synthesis of material chips
WO2007043476A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Tohoku University Magnetron sputtering apparatus
JP5147000B2 (en) * 2005-10-07 2013-02-20 国立大学法人東北大学 Magnetron sputtering equipment
JP2007227359A (en) * 2006-01-27 2007-09-06 Canon Inc Vapor deposition apparatus and vapor deposition method
JP2014503949A (en) * 2010-12-07 2014-02-13 フオン・アルデンネ・アンラーゲンテヒニク・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング Vapor deposition apparatus and method for producing organic light emitting body
JP2014116059A (en) * 2012-11-16 2014-06-26 Iza Corp Method for manufacturing tunnel barrier layer or gate insulating film and device for manufacturing tunnel barrier layer or gate insulating film

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